JPH0983081A - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ素子の製造方法Info
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- JPH0983081A JPH0983081A JP23886595A JP23886595A JPH0983081A JP H0983081 A JPH0983081 A JP H0983081A JP 23886595 A JP23886595 A JP 23886595A JP 23886595 A JP23886595 A JP 23886595A JP H0983081 A JPH0983081 A JP H0983081A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
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- Dicing (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】複数の半導体レーザ素子が形成される基板から
半導体レーザ素子を分割する際に行う劈開に伴うスクラ
イブラインを描くことにより、上面から極めて近傍に位
置する活性層にダメージが与えられる。このダメージに
より、活性層内にかかる外部応力や活性層内の結晶欠陥
が増殖しやすく、素子の劣化が速くなり、長期に渡る信
頼性が得られない。 【解決手段】本発明の半導体レーザ素子の製造方法によ
り、活性層５を含む複数の半導体レーザ構成要素が積層
され、上部にストライプ電極２が平行に複数形成されて
いる半導体基板１に対し、ストライプ電極２と平行に、
活性層５を除去する深さまでエッチング溝３を形成す
る。その後、ストライプ電極２に垂直な方向に劈開して
共振面を形成し、エッチング溝３内にスクライブライン
を７を形成し、スクライブライン７に沿ってレーザバー
６を劈開して素子の分割を行う。
半導体レーザ素子を分割する際に行う劈開に伴うスクラ
イブラインを描くことにより、上面から極めて近傍に位
置する活性層にダメージが与えられる。このダメージに
より、活性層内にかかる外部応力や活性層内の結晶欠陥
が増殖しやすく、素子の劣化が速くなり、長期に渡る信
頼性が得られない。 【解決手段】本発明の半導体レーザ素子の製造方法によ
り、活性層５を含む複数の半導体レーザ構成要素が積層
され、上部にストライプ電極２が平行に複数形成されて
いる半導体基板１に対し、ストライプ電極２と平行に、
活性層５を除去する深さまでエッチング溝３を形成す
る。その後、ストライプ電極２に垂直な方向に劈開して
共振面を形成し、エッチング溝３内にスクライブライン
を７を形成し、スクライブライン７に沿ってレーザバー
６を劈開して素子の分割を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子
に係り、特にレーザレーダ用に好適する大出力の半導体
レーザ素子の製造方法に関する。
に係り、特にレーザレーダ用に好適する大出力の半導体
レーザ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、レーザビームには、発生する装
置により、Ｈｅ−Ｎｅガス等によるガスレーザ、ルビー
等による固体レーザや半導体を用いた半導体レーザ等が
知られている。図６及び図７を参照して、従来の半導体
レーザ素子の製造方法について説明する。
置により、Ｈｅ−Ｎｅガス等によるガスレーザ、ルビー
等による固体レーザや半導体を用いた半導体レーザ等が
知られている。図６及び図７を参照して、従来の半導体
レーザ素子の製造方法について説明する。
【０００３】まず、ＧａＡｓ等の基板上に活性層やクラ
ッド層を単結晶成長した基板に絶縁膜や電極を成膜した
後、所定のフォトリソ工程によりパターニングしてエッ
チングを施し、ストライプ電極３１を形成して、半導体
レーザ素子形成基板を製造する。
ッド層を単結晶成長した基板に絶縁膜や電極を成膜した
後、所定のフォトリソ工程によりパターニングしてエッ
チングを施し、ストライプ電極３１を形成して、半導体
レーザ素子形成基板を製造する。
【０００４】その後、半導体レーザ素子形成基板の側部
に傷を付け、ストライプ電極３１に対し垂直に交わる方
向に壁開し、短冊状のレーザバー３０を製作する。この
劈開は、結晶方向に沿って行われ、その劈開面３２をミ
ラー状に形成して共振面として利用する。
に傷を付け、ストライプ電極３１に対し垂直に交わる方
向に壁開し、短冊状のレーザバー３０を製作する。この
劈開は、結晶方向に沿って行われ、その劈開面３２をミ
ラー状に形成して共振面として利用する。
【０００５】次に、レーザバー３０をスクライバ３４に
て、活性層に近い面からストライプ電極３１間にストラ
イプ電極３１と平行にスクライブライン３３を入れ、ス
クライブライン３３の下からカッターの刃等を当て、ス
クライブライン３３に沿って劈開し、１つの素子に形成
する。なお、このストライプ電極３１と平行な劈開面
は、ミラー面とはならないため、共振面とはならない。
なお、１つの素子の大きさは５００μｍ×５００μｍ程
度とする。
て、活性層に近い面からストライプ電極３１間にストラ
イプ電極３１と平行にスクライブライン３３を入れ、ス
クライブライン３３の下からカッターの刃等を当て、ス
クライブライン３３に沿って劈開し、１つの素子に形成
する。なお、このストライプ電極３１と平行な劈開面
は、ミラー面とはならないため、共振面とはならない。
なお、１つの素子の大きさは５００μｍ×５００μｍ程
度とする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の半導体
レーザ素子の製造工程において、スクライバ装置にて、
ストライプ電極と平行に溝を形成する工程がある。その
際、ダイヤモンド等からなる鋭利な針先を用いて、機械
的に数μｍの深さで罫書き線（スクライブライン）を描
写する。
レーザ素子の製造工程において、スクライバ装置にて、
ストライプ電極と平行に溝を形成する工程がある。その
際、ダイヤモンド等からなる鋭利な針先を用いて、機械
的に数μｍの深さで罫書き線（スクライブライン）を描
写する。
【０００７】しかし、活性層は半導体レーザ素子形成基
板の上面から４〜５μｍと極めて近傍に位置しており、
このスクライブラインを描くことにより、この活性層に
ダメージが与えられることになる。このダメージの入っ
た領域は、一見ストライプ電極から離れているが、スト
ライプ電極の幅が大きい場合、例えば、大出力半導体レ
ーザ素子のように、瞬時に数十アンペアもの電流を素子
内に流し、数十ワットもの光出力を出す場合には、スト
ライプ電極の幅が１００μｍ以上必要であり（小出力半
導体レーザでは３０μｍ以下）、このような場合には活
性層内にかかる外部応力や活性層内の結晶欠陥が増殖し
やすく、素子の信頼性に大きく影響する。従って、素子
の劣化が速くなり、長期に渡る信頼性が得られないとい
う問題になる。
板の上面から４〜５μｍと極めて近傍に位置しており、
このスクライブラインを描くことにより、この活性層に
ダメージが与えられることになる。このダメージの入っ
た領域は、一見ストライプ電極から離れているが、スト
ライプ電極の幅が大きい場合、例えば、大出力半導体レ
ーザ素子のように、瞬時に数十アンペアもの電流を素子
内に流し、数十ワットもの光出力を出す場合には、スト
ライプ電極の幅が１００μｍ以上必要であり（小出力半
導体レーザでは３０μｍ以下）、このような場合には活
性層内にかかる外部応力や活性層内の結晶欠陥が増殖し
やすく、素子の信頼性に大きく影響する。従って、素子
の劣化が速くなり、長期に渡る信頼性が得られないとい
う問題になる。
【０００８】また、前記スクライブライン３３を描写す
る際に、前記レーザバー３０をフルスクライブすると、
前記共振面３２の角が欠ける欠損部３３ａが生じる場合
が多く、活性層３５内の結晶欠陥を引き起こすばかりで
なく、冷熱衝撃試験時に熱応力の集中が起こり、その欠
損部３３ａから内部側にクラックが発生する。その結
果、著しく歩留まりが悪くなるという問題があった。
る際に、前記レーザバー３０をフルスクライブすると、
前記共振面３２の角が欠ける欠損部３３ａが生じる場合
が多く、活性層３５内の結晶欠陥を引き起こすばかりで
なく、冷熱衝撃試験時に熱応力の集中が起こり、その欠
損部３３ａから内部側にクラックが発生する。その結
果、著しく歩留まりが悪くなるという問題があった。
【０００９】また、この共振面を形成した時と同様な方
法で劈開を行った場合には、素子化した面も共振面とな
り、レーザ光が所定の素子前面から取り出すことができ
なくなる。
法で劈開を行った場合には、素子化した面も共振面とな
り、レーザ光が所定の素子前面から取り出すことができ
なくなる。
【００１０】そこで本発明は、素子分割の劈開に伴う活
性層へのダメージを防止し、高出力で長期に渡り信頼性
の高い半導体レーザ素子を製造する半導体レーザ素子の
製造方法を提供することを目的とする。
性層へのダメージを防止し、高出力で長期に渡り信頼性
の高い半導体レーザ素子を製造する半導体レーザ素子の
製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するために、活性層を含む半導体レーザ素子構成要素が
半導体基板上に積層形成され、最上部にストライプ電極
を有する半導体レーザ素子形成基板を形成する工程と、
前記ストライプ電極間を前記活性層が除去される深さま
で除去し、エッチング溝を形成する工程と、前記エッチ
ング溝が形成された半導体レーザ素子形成基板に対し、
前記ストライプ電極の列方向に直交する方向で共振面を
形成するように劈開し、短冊状のレーザバーを製作する
工程と、前記レーザバーのエッチング溝の底部に、前記
ストライプ電極に沿ったスクライブラインを描き、その
スクライブラインに沿って前記半導体基板を劈開し、半
導体レーザ素子を個別にするように分割する工程とを含
む半導体レーザの製造方法を提供する。
するために、活性層を含む半導体レーザ素子構成要素が
半導体基板上に積層形成され、最上部にストライプ電極
を有する半導体レーザ素子形成基板を形成する工程と、
前記ストライプ電極間を前記活性層が除去される深さま
で除去し、エッチング溝を形成する工程と、前記エッチ
ング溝が形成された半導体レーザ素子形成基板に対し、
前記ストライプ電極の列方向に直交する方向で共振面を
形成するように劈開し、短冊状のレーザバーを製作する
工程と、前記レーザバーのエッチング溝の底部に、前記
ストライプ電極に沿ったスクライブラインを描き、その
スクライブラインに沿って前記半導体基板を劈開し、半
導体レーザ素子を個別にするように分割する工程とを含
む半導体レーザの製造方法を提供する。
【００１２】さらに、前記エッチング溝の底部に描くス
クライブラインは、前記レーザバーの両劈開面の端に達
しないようにエッチング溝の底部に描き、前記エッチン
グ溝の底部のスクライブラインを描く領域は、露出して
いる前記半導体基板、若しくは、該エッチング溝の底部
上に絶縁膜及び該絶縁膜上に金属膜を積層形成し、その
金属膜上から前記半導体基板に到達するようにスクライ
ブラインを描く。
クライブラインは、前記レーザバーの両劈開面の端に達
しないようにエッチング溝の底部に描き、前記エッチン
グ溝の底部のスクライブラインを描く領域は、露出して
いる前記半導体基板、若しくは、該エッチング溝の底部
上に絶縁膜及び該絶縁膜上に金属膜を積層形成し、その
金属膜上から前記半導体基板に到達するようにスクライ
ブラインを描く。
【００１３】以上のような本発明の半導体レーザ素子の
製造方法は、複数の素子が形成された半導体レーザ素子
形成基板から個々に半導体レーザ素子へ分割するための
劈開に行う際、ストライプ電極と平行し且つ活性層を越
える深さまでのエッチング溝を形成し、この溝内にスト
ライプ電極と平行してスクライブラインを描き、これに
沿って劈開される。
製造方法は、複数の素子が形成された半導体レーザ素子
形成基板から個々に半導体レーザ素子へ分割するための
劈開に行う際、ストライプ電極と平行し且つ活性層を越
える深さまでのエッチング溝を形成し、この溝内にスト
ライプ電極と平行してスクライブラインを描き、これに
沿って劈開される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を詳細に説明する。
施形態を詳細に説明する。
【００１５】図１（ａ）には、本発明による半導体レー
ザの製造方法を説明するための第１実施形態として、製
造過程にある半導体レーザ素子が多数形成された半導体
レーザ素子形成基板の上面図を示し、同図（ｂ）はその
正面図を示す。図２は前記半導体結晶基板をバー状態に
したものへスクライブラインを入れた状態を示し、図３
は、素子１個単位に分離した半導体レーザ素子の断面構
成を示す図である。
ザの製造方法を説明するための第１実施形態として、製
造過程にある半導体レーザ素子が多数形成された半導体
レーザ素子形成基板の上面図を示し、同図（ｂ）はその
正面図を示す。図２は前記半導体結晶基板をバー状態に
したものへスクライブラインを入れた状態を示し、図３
は、素子１個単位に分離した半導体レーザ素子の断面構
成を示す図である。
【００１６】まず、図１（ａ）は、図３に示すような半
導体基板９上にクラッド層１０、活性層５、クラッド層
１１、キャップ層１２が積層形成され、さらにその上に
絶縁層１３及びストライプ電極２が形成された製造過程
の複数の半導体レーザ素子が形成された半導体レーザ素
子形成基板１を示す。なお、図示していないがこの半導
体レーザ素子形成基板１の裏面には、下部電極及び半田
層が形成されているものとする。
導体基板９上にクラッド層１０、活性層５、クラッド層
１１、キャップ層１２が積層形成され、さらにその上に
絶縁層１３及びストライプ電極２が形成された製造過程
の複数の半導体レーザ素子が形成された半導体レーザ素
子形成基板１を示す。なお、図示していないがこの半導
体レーザ素子形成基板１の裏面には、下部電極及び半田
層が形成されているものとする。
【００１７】前記半導体レーザ素子形成基板１の結晶面
の面方位１００面上に形成された
の面方位１００面上に形成された
【数１】 の列間に形成されるエッチングによる平行な溝は、エッ
チング溝３とする。このエッチング溝３の深さは、半導
体レーザ素子の活性層５よりも深い、４〜５μｍの深さ
に形成する。エッチング溝３の形成は、ウエットエッチ
ング法またはドライエッチング法のいずれを用いてもよ
い。
チング溝３とする。このエッチング溝３の深さは、半導
体レーザ素子の活性層５よりも深い、４〜５μｍの深さ
に形成する。エッチング溝３の形成は、ウエットエッチ
ング法またはドライエッチング法のいずれを用いてもよ
い。
【００１８】そして、前記半導体レーザ素子形成基板１
の側部にスクライバにより傷４を形成し、この傷４の位
置から劈開し、短冊状のレーザバー６を得る。この時の
劈開面８が共振面となる。次に、このレーザバー６にお
いて、エッチング溝３の底部にスクライバにて、スクラ
イブライン７を形成する。
の側部にスクライバにより傷４を形成し、この傷４の位
置から劈開し、短冊状のレーザバー６を得る。この時の
劈開面８が共振面となる。次に、このレーザバー６にお
いて、エッチング溝３の底部にスクライバにて、スクラ
イブライン７を形成する。
【００１９】ここで、スクライブライン７を描写する位
置は、各共振面８から３０μｍ以上離れた位置から開始
すると、各半導体レーザ素子の角が欠けずに良好に分離
することができる。
置は、各共振面８から３０μｍ以上離れた位置から開始
すると、各半導体レーザ素子の角が欠けずに良好に分離
することができる。
【００２０】このスクライブライン７については、図２
に示すように、好ましくはレーザの共振器長ａとスクラ
イブライン長ｂの関係が、 ｂ／ａ≧０．５，（ａ−ｂ）／２≧３０μｍ の関係を満たせば、良好な素子分離ができる。
に示すように、好ましくはレーザの共振器長ａとスクラ
イブライン長ｂの関係が、 ｂ／ａ≧０．５，（ａ−ｂ）／２≧３０μｍ の関係を満たせば、良好な素子分離ができる。
【００２１】次に、レーザバー６のエッチング溝３のあ
る面と対向する面より、カッターの刃等の鋭利なもので
押さえつけ、スクライブライン７に沿って劈開し、１つ
の半導体レーザ素子を得る。この時、エッチング溝３
は、活性層５より深く形成されているため、その部分は
共振面とはならない。
る面と対向する面より、カッターの刃等の鋭利なもので
押さえつけ、スクライブライン７に沿って劈開し、１つ
の半導体レーザ素子を得る。この時、エッチング溝３
は、活性層５より深く形成されているため、その部分は
共振面とはならない。
【００２２】前述した製造方法により、半導体レーザ素
子の活性層５には、何ら機械的なダメージを与えず、極
めて信頼性の高い素子を提供することができる。
子の活性層５には、何ら機械的なダメージを与えず、極
めて信頼性の高い素子を提供することができる。
【００２３】なお、本実施例では、絶縁層１３、ストラ
イプ電極２は、前記スクライブライン７にかからないよ
うに、フォトリソ工程を用いてパターニングして半導体
基板９が露出しており、前記スクライバの針で容易にス
クライブライン７を入れることができる。
イプ電極２は、前記スクライブライン７にかからないよ
うに、フォトリソ工程を用いてパターニングして半導体
基板９が露出しており、前記スクライバの針で容易にス
クライブライン７を入れることができる。
【００２４】なお、活性層５内の発光領域１４は、スト
ライプ幅と一致し、本実施形態では、ストライプ幅を４
００μｍ、素子の幅を６００μｍ、共振器長５００μｍ
としている。
ライプ幅と一致し、本実施形態では、ストライプ幅を４
００μｍ、素子の幅を６００μｍ、共振器長５００μｍ
としている。
【００２５】次に、本発明による半導体レーザの製造方
法を説明するための第２実施形態として、図４に半導体
レーザ素子の構成を示し説明する。
法を説明するための第２実施形態として、図４に半導体
レーザ素子の構成を示し説明する。
【００２６】前述した第１実施形態では、スクライブラ
イン７を描写する箇所は半導体基板９が露出していた
が、本実施形態では、絶縁膜１７で前記スクライブライ
ン７の位置まで素子領域を覆い、信頼性を上げている。
イン７を描写する箇所は半導体基板９が露出していた
が、本実施形態では、絶縁膜１７で前記スクライブライ
ン７の位置まで素子領域を覆い、信頼性を上げている。
【００２７】また絶縁膜１７にスクライブライン７を描
写する場合には、絶縁膜１７がＳｉＯ2 やＳｉ3 Ｎ4 等
からなるため、スクライバの針が滑るため、該絶縁膜１
７上にストライプ電極１６になるＡｕ膜を同時に形成し
ておき、スクライバの針を電極１６の表面から食い込ま
せることで、前記絶縁膜１７を経て半導体基板９内に、
スクライブラインを描写させることが可能になる。
写する場合には、絶縁膜１７がＳｉＯ2 やＳｉ3 Ｎ4 等
からなるため、スクライバの針が滑るため、該絶縁膜１
７上にストライプ電極１６になるＡｕ膜を同時に形成し
ておき、スクライバの針を電極１６の表面から食い込ま
せることで、前記絶縁膜１７を経て半導体基板９内に、
スクライブラインを描写させることが可能になる。
【００２８】本実施形態も前述した第１実施形態と同様
な効果が得られる。
な効果が得られる。
【００２９】次に、本発明による半導体レーザの製造方
法を説明するための第３実施形態として、図５に半導体
レーザ素子の構成を示し説明する。
法を説明するための第３実施形態として、図５に半導体
レーザ素子の構成を示し説明する。
【００３０】前述した第２実施形態では、絶縁膜１７上
にストライプ電極１６ともなるＡｕ膜を形成したが、絶
縁膜１７と前記Ａｕ膜の密着強度が小さかった場合、ス
クライブライン７を描写した後、１個の半導体レーザ素
子に分割すると、切断面部分のＡｕ膜が絶縁膜１７から
剥離する恐れがある。
にストライプ電極１６ともなるＡｕ膜を形成したが、絶
縁膜１７と前記Ａｕ膜の密着強度が小さかった場合、ス
クライブライン７を描写した後、１個の半導体レーザ素
子に分割すると、切断面部分のＡｕ膜が絶縁膜１７から
剥離する恐れがある。
【００３１】従って、この第３実施形態では、第２実施
形態のように絶縁膜１７を形成した後、ストライプ電極
１６とは別個に、スクライブラインを描写する領域上に
のみ、スクライバの針が食い込むような金属ストライプ
１８をストライプ電極２の形成時に併せて形成する。但
し、この金属ストライプ１８は、ストライプ電極２と同
一材料である必要はない。
形態のように絶縁膜１７を形成した後、ストライプ電極
１６とは別個に、スクライブラインを描写する領域上に
のみ、スクライバの針が食い込むような金属ストライプ
１８をストライプ電極２の形成時に併せて形成する。但
し、この金属ストライプ１８は、ストライプ電極２と同
一材料である必要はない。
【００３２】また、本発明の半導体レーザの製造方法は
前述した実施形態に限定されるものではなく、実施形態
に記載した面方位１００の面上のストライプ電極２に対
して、直交する方向にストライプ電極を形成してもよ
い。
前述した実施形態に限定されるものではなく、実施形態
に記載した面方位１００の面上のストライプ電極２に対
して、直交する方向にストライプ電極を形成してもよ
い。
【００３３】さらに本実施形態では、ストライプ幅を４
００μｍとしたが、そのストライプ幅は特に限定される
ものではない。従って、パルス駆動の大出力半導体レー
ザに限らず、ストライプ幅の小さい直流駆動（ＣＷ）の
半導体レーザに本発明を適用するようにしてもよい。
００μｍとしたが、そのストライプ幅は特に限定される
ものではない。従って、パルス駆動の大出力半導体レー
ザに限らず、ストライプ幅の小さい直流駆動（ＣＷ）の
半導体レーザに本発明を適用するようにしてもよい。
【００３４】なお、半導体レーザの劈開にエッチング溝
を使うものとして、特公昭５９−１４９１４号公報に記
載されたものがあるが、このものは共振面に対してエッ
チング溝を形成するものであり、本発明の対象とする、
ストライプ電極と平行な方向への素子化のための劈開に
対しては、従来技術で説明したものと同様な方法で劈開
している。従って、この従来の技術では、本発明のよう
な作用及び効果は得られない。
を使うものとして、特公昭５９−１４９１４号公報に記
載されたものがあるが、このものは共振面に対してエッ
チング溝を形成するものであり、本発明の対象とする、
ストライプ電極と平行な方向への素子化のための劈開に
対しては、従来技術で説明したものと同様な方法で劈開
している。従って、この従来の技術では、本発明のよう
な作用及び効果は得られない。
【００３５】さらに、半導体レーザの劈開にスクライブ
ラインを共振面から離れた位置からけがくものとして、
特公平１−４１２６８号公報に記載されたものがある
が、これは半導体基板の素子形成面とは裏面側（上部電
極と反対面側）からスクライブラインを描写したもので
あり、本質的には活性層への機械的ダメージを皆無には
できない。従って、この従来の技術では、本発明のよう
な作用及び効果は得られない。
ラインを共振面から離れた位置からけがくものとして、
特公平１−４１２６８号公報に記載されたものがある
が、これは半導体基板の素子形成面とは裏面側（上部電
極と反対面側）からスクライブラインを描写したもので
あり、本質的には活性層への機械的ダメージを皆無には
できない。従って、この従来の技術では、本発明のよう
な作用及び効果は得られない。
【００３６】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、多数の素子が形成された半導体レーザ素子形成基板
を個々の半導体レーザ素子に分割するための劈開におい
て、ストライプ電極と平行に活性層を除去する深さまで
エッチング溝を形成し、この溝内にストライプ電極と平
行にスクライブラインを描写し、これに沿って劈開する
ことにより、活性層内にダメージを全く与えずに、１個
の半導体レーザ素子に分割することができる。
ば、多数の素子が形成された半導体レーザ素子形成基板
を個々の半導体レーザ素子に分割するための劈開におい
て、ストライプ電極と平行に活性層を除去する深さまで
エッチング溝を形成し、この溝内にストライプ電極と平
行にスクライブラインを描写し、これに沿って劈開する
ことにより、活性層内にダメージを全く与えずに、１個
の半導体レーザ素子に分割することができる。
【００３７】また、本実施形態によれば、共振面や側部
が台形（メサ）形状になっているため、劈開の際に欠け
がなく、冷熱衝撃試験時にも過度の熱応力集中が起こら
ず、信頼性の高い半導体レーザ素子を供給でき、歩留ま
りも向上する。
が台形（メサ）形状になっているため、劈開の際に欠け
がなく、冷熱衝撃試験時にも過度の熱応力集中が起こら
ず、信頼性の高い半導体レーザ素子を供給でき、歩留ま
りも向上する。
【００３８】前記半導体レーザ素子形成基板において、
半導体基板が露出しているため、スクライバ装置のダイ
ヤモンド針で容易に基板内にスクライブラインを描写す
ることができる。
半導体基板が露出しているため、スクライバ装置のダイ
ヤモンド針で容易に基板内にスクライブラインを描写す
ることができる。
【００３９】また、半導体基板上に絶縁膜を形成し、そ
の絶縁膜のスクライブラインを描写する場合でも、その
絶縁膜上に電極用の金属膜を形成して、ダイヤモンド針
を金属膜上から書き入れることにより、容易に絶縁膜を
経て半導体基板にスクライブラインを入れることが可能
である。
の絶縁膜のスクライブラインを描写する場合でも、その
絶縁膜上に電極用の金属膜を形成して、ダイヤモンド針
を金属膜上から書き入れることにより、容易に絶縁膜を
経て半導体基板にスクライブラインを入れることが可能
である。
【００４０】本発明の半導体レーザの製造方法を用い
て、半導体レーザ素子を形成する場合には、活性層の発
光領域の幅が１００μｍ以上の大出力半導体レーザに好
適し、ストライプ幅が大きい場合の素子化を確実に行う
ことができる。
て、半導体レーザ素子を形成する場合には、活性層の発
光領域の幅が１００μｍ以上の大出力半導体レーザに好
適し、ストライプ幅が大きい場合の素子化を確実に行う
ことができる。
【００４１】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、素
子分割の劈開に伴う活性層へのダメージを防止し、高出
力で長期に渡り信頼性の高い半導体レーザ素子を製造す
る半導体レーザ素子の製造方法を提供することができ
る。
子分割の劈開に伴う活性層へのダメージを防止し、高出
力で長期に渡り信頼性の高い半導体レーザ素子を製造す
る半導体レーザ素子の製造方法を提供することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施形態を実施するための半導
体レーザ素子が多数形成された半導体レーザ素子形成基
板の構成を示す図である。
体レーザ素子が多数形成された半導体レーザ素子形成基
板の構成を示す図である。
【図２】図１に示した半導体レーザ素子形成基板から製
作したレーザバーにスライブラインを描写した例を示す
図である。
作したレーザバーにスライブラインを描写した例を示す
図である。
【図３】図１に示した半導体レーザ素子形成基板を分割
した１個の半導体レーザ素子の断面構成を示す図であ
る。
した１個の半導体レーザ素子の断面構成を示す図であ
る。
【図４】本発明による第２実施形態を説明するための半
導体レーザ素子の断面構成を示す図である。
導体レーザ素子の断面構成を示す図である。
【図５】本発明による第３実施形態を説明するための半
導体レーザ素子の断面構成を示す図である。
導体レーザ素子の断面構成を示す図である。
【図６】従来の半導体レーザ素子の製造方法について説
明するための複数の半導体レーザ素子が形成された基板
を示す図である。
明するための複数の半導体レーザ素子が形成された基板
を示す図である。
【図７】従来の半導体レーザ素子の製造方法について説
明するための１個に分割された半導体レーザ素子の構成
を示す図である。
明するための１個に分割された半導体レーザ素子の構成
を示す図である。
１…半導体レーザ素子形成基板、９…半導体基板、２…
ストライプ電極、２２…エッチング溝、５…活性層、１
０，１１…クラッド層、１２…キャップ層、１３…絶縁
膜。
ストライプ電極、２２…エッチング溝、５…活性層、１
０，１１…クラッド層、１２…キャップ層、１３…絶縁
膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松下 規由起 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 活性層を含む半導体レーザ素子構成要素
が半導体基板上に積層形成され、最上部にストライプ電
極を有する半導体レーザ素子形成基板を形成する工程
と、 前記ストライプ電極間を前記活性層が除去される深さま
で除去し、エッチング溝を形成する工程と、 前記エッチング溝が形成された半導体レーザ素子形成基
板に対し、前記ストライプ電極の列方向に直交する方向
で共振面を形成するように劈開し、短冊状のレーザバー
を製作する工程と、 前記レーザバーのエッチング溝の底部に、前記ストライ
プ電極に沿ったスクライブラインを描き、そのスクライ
ブラインに沿って前記半導体基板を劈開し、半導体レー
ザ素子を個別にするように分割する工程と、を具備する
ことを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項２】 前記エッチング溝の底部に描くスクライ
ブラインは、前記レーザバーの両劈開面の端に達しない
ようにエッチング溝の底部に描くことを特徴とする請求
項１記載の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項３】 前記エッチング溝の底部のスクライブラ
インを描く領域は、前記半導体基板が露出していること
を特徴とする請求項１記載の半導体レーザの製造方法。 - 【請求項４】 前記スクライブラインを描くエッチング
溝の底部上に絶縁膜及び該絶縁膜上に金属膜を積層形成
し、該金属膜上から前記半導体基板に到達するようにス
クライブラインを描くことを特徴とする請求項１記載の
半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23886595A JPH0983081A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23886595A JPH0983081A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0983081A true JPH0983081A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17036414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23886595A Pending JPH0983081A (ja) | 1995-09-18 | 1995-09-18 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0983081A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004086580A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Nec Corporation | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2008066475A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Toshiba Discrete Technology Kk | 化合物半導体素子及びその製造方法 |
| JP2011077418A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Nec Corp | 半導体素子、半導体ウェハ、半導体ウェハの製造方法、半導体素子の製造方法 |
| JP2011151258A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012156487A (ja) * | 2011-11-08 | 2012-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウェハ |
| JP2012195431A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザ素子と面発光レーザアレイおよび製造方法とそれを用いた光走査装置と画像形成装置ならびに光送受信モジュールと光通信装置および電気機器 |
| US8779435B2 (en) | 2011-01-25 | 2014-07-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device structure and method of manufacturing semiconductor device structure |
| CN114883906A (zh) * | 2022-03-21 | 2022-08-09 | 上海理工大学 | 用于制备半导体激光器芯片腔面的解理装置 |
-
1995
- 1995-09-18 JP JP23886595A patent/JPH0983081A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004086580A1 (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-07 | Nec Corporation | 半導体レーザおよびその製造方法 |
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| TWI406465B (zh) * | 2010-01-22 | 2013-08-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導體裝置之製造方法 |
| US8779435B2 (en) | 2011-01-25 | 2014-07-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device structure and method of manufacturing semiconductor device structure |
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| CN114883906A (zh) * | 2022-03-21 | 2022-08-09 | 上海理工大学 | 用于制备半导体激光器芯片腔面的解理装置 |
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|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040302 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040518 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041005 |