JPH0983046A - Optical module - Google Patents
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- JPH0983046A JPH0983046A JP7258104A JP25810495A JPH0983046A JP H0983046 A JPH0983046 A JP H0983046A JP 7258104 A JP7258104 A JP 7258104A JP 25810495 A JP25810495 A JP 25810495A JP H0983046 A JPH0983046 A JP H0983046A
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- light emitting
- emitting device
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光学系や電気系の実装を犠牲にすることなく半
導体のレーザチップの温度制御を確実に行えるように構
成された光モジュールである。
【解決手段】光モジュールでは、温度センサ３のサブマ
ウント６表面に予め温度センサ用のパターン電極４が形
成されている。温度センサ３のサブマウント６は、ＬＤ
サブマウント５に近接してヒートシンク１上に配置され
ている。
(57) Abstract: An optical module configured to reliably control the temperature of a semiconductor laser chip without sacrificing mounting of an optical system and an electrical system. In an optical module, a temperature sensor pattern electrode is formed in advance on a surface of a submount of a temperature sensor. The submount 6 of the temperature sensor 3 is an LD
It is arranged on the heat sink 1 close to the submount 5.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信および光情
報処理等に用いられる半導体レーザ等を実装した光モジ
ュール、そこで用いられるサブマウント等に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical module mounted with a semiconductor laser or the like used in optical communication and optical information processing, and a submount used therein.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図４および図５は従来（たとえば、特開
平５−３１５６９６）の半導体レーザ（以下ＬＤと略記
することもある）光モジュールの概念図である。図４は
光モジュールの全体図であり、図５はヒートシンク部分
の平面図である。実装工程は、通常、以下のようになっ
ている。2. Description of the Related Art FIGS. 4 and 5 are conceptual diagrams of conventional (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 5-315696) semiconductor laser (hereinafter sometimes abbreviated as LD) optical modules. FIG. 4 is an overall view of the optical module, and FIG. 5 is a plan view of the heat sink portion. The mounting process is usually as follows.
【０００３】（１）フォトディテクタ１０９をサブキャ
リア（ヒートシンク）１０１にマウントする。 （２）ＬＤチップ１０２をサブマウント１０５に融着す
る。 （３）サーミスタ１０３をサプキャリア（ヒートシン
ク）１０１にマウントする。 （４）（２）のサブマウント１０５を（３）のサブキヤ
リア１０１に融着する。 （５）ＬＤ１０２、ＰＤ１０９およびサーミスタ１０３
をリード１１８にワイヤボンディングする。 （６）レンズ系（第１レンズ（ボールレンズ）１１０、
第２レンズ（ロッドレンズ）１１４、光ファイバ１１
６）を実装する。 （７）光学系の軸調整をする。 （８）パッケージカバー１１３を被せて封止する。(1) The photo detector 109 is mounted on the sub carrier (heat sink) 101. (2) The LD chip 102 is fused to the submount 105. (3) Mount the thermistor 103 on the subcarrier (heat sink) 101. (4) The submount 105 of (2) is fused to the subcarrier 101 of (3). (5) LD102, PD109 and thermistor 103
Is wire-bonded to the lead 118. (6) Lens system (first lens (ball lens) 110,
Second lens (rod lens) 114, optical fiber 11
Implement 6). (7) Adjust the axis of the optical system. (8) Cover and seal the package cover 113.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例は以下の欠点を有している。温度センサ１０３はＬ
Ｄ１０２のできるだけ近傍に配置することが望ましい。
しかし、温度センサ１０３のボンディングワイヤ１０３
ａが、他の工程、特にＬＤ１０２のワイヤボンディング
工程やレンズ実装およびその光軸調整工程の作業性に悪
影響を与えるため、温度センサ１０３は、図４、図５に
示すように、ＬＤチップ１０２から比較的離れた位置に
設置されることが多い。このことがレーザチップ１０２
の正確な温度制御を妨げていた。この温度制御の不安定
性は、温度変化に敏感なＬＤや温度分布が広いＬＤ（多
電極ＬＤあるいはＬＤアレイ等）を使用する際には大き
な問題になる。つまり、この種のＬＤでは、光学実装と
温度制御を高い精度で両立することは困難であった。However, the above-mentioned conventional example has the following drawbacks. The temperature sensor 103 is L
It is desirable to place it as close to D102 as possible.
However, the bonding wire 103 of the temperature sensor 103
Since a adversely affects the workability of other steps, particularly the wire bonding step of the LD 102, the lens mounting step, and the optical axis adjusting step thereof, the temperature sensor 103 is connected to the LD chip 102 from the LD chip 102 as shown in FIGS. Often installed at relatively remote locations. This is the laser chip 102
Was hindering accurate temperature control. This instability of temperature control becomes a serious problem when using an LD sensitive to temperature changes or an LD having a wide temperature distribution (multi-electrode LD or LD array, etc.). That is, in this type of LD, it is difficult to achieve both high precision optical mounting and temperature control.
【０００５】従って、本発明の第１の目的は、光学系や
電気系の実装を犠牲にすることなく半導体レーザチップ
などの発光デバイスの温度制御を確実に行えるように構
成された光モジュール及びそれ用のサブマウントを提供
することにある。Therefore, a first object of the present invention is to provide an optical module constructed so as to surely control the temperature of a light emitting device such as a semiconductor laser chip without sacrificing the mounting of an optical system or an electrical system. Is to provide a submount for.
【０００６】本発明の第２の目的は、定常状態でＬＤな
どの発光デバイスを動作させる場合にもその温度制御が
好適に行なえる様に構成された光モジュールを提供する
ことにある。A second object of the present invention is to provide an optical module constructed such that the temperature control of a light emitting device such as an LD can be suitably performed even when the device is operated in a steady state.
【０００７】また、本発明の第３の目的は、ＬＤなどの
発光デバイスの動作電力の時間変動が大きい場合にも温
度制御が好適に行なえる様に構成された光モジュールを
提供することにある。A third object of the present invention is to provide an optical module constructed so that temperature control can be suitably performed even when the operating power of a light emitting device such as an LD has a large time variation. .
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】第１の目的を実現するた
めの光モジュールは、半導体レーザ等の発光デバイスを
光ファイバ等の伝送路に結合させるための手段と、該発
光デバイスの光出力を制御する手段と、該発光デバイス
の動作温度を制御する手段からなる光モジュールであっ
て、ヒートシンク上にサブマウントを介して該発光デバ
イスが配置され、前記発光デバイスの動作温度を制御す
る手段が、多電極構造を有する温度センサと、該温度セ
ンサのためのパターン電極が表面に形成され且つ前記サ
ブマウントと同等以上の熱伝導性を有する熱抵抗部材
と、前記温度センサの指示値をもとに前記発光デバイス
の温度を制御する冷却手段（ペルチェ素子等）とから成
り、前記温度センサが前記サブマウントに近接して前記
ヒートシンク上の該熱抵抗部材上に配置されていること
を特徴とする。An optical module for achieving the first object is a means for coupling a light emitting device such as a semiconductor laser to a transmission line such as an optical fiber, and an optical output of the light emitting device. An optical module comprising a control means and a means for controlling the operating temperature of the light emitting device, wherein the light emitting device is arranged on a heat sink via a submount, and means for controlling the operating temperature of the light emitting device comprises: Based on a temperature sensor having a multi-electrode structure, a thermal resistance member having a pattern electrode for the temperature sensor formed on the surface thereof and having a thermal conductivity equal to or higher than that of the submount, and an indicated value of the temperature sensor. Cooling means for controlling the temperature of the light emitting device (Peltier element or the like), and the temperature sensor is provided on the heat sink close to the submount. Characterized in that it is disposed on the resistive member.
【０００９】また、第１の目的を実現するための光モジ
ュールで用いられる温度センサ用サブマウントは、表面
に多電極薄造を有する温度センサのためのパターン電極
が形成され、且つ発光デバイス用サブマウントと同等以
上の熱伝導性を有する熱抵抗部材から形成されているこ
とを特徴とする。The temperature sensor submount used in the optical module for achieving the first object has a pattern electrode for the temperature sensor having a multi-electrode thin structure formed on the surface thereof, and has a light emitting device submount. It is characterized by being formed of a heat resistance member having a thermal conductivity equal to or higher than that of the mount.
【００１０】第２の目的を実現するための光モジュール
は、前記発光デバイスの主たる構成元素がＩｎＰであ
り、該発光デバイスを配置する前記サプマウントと前記
温度センサを配置する熱抵抗部材がともにＡｌＮ（窒化
アルミニウム）から成ることを特徴とする。In the optical module for achieving the second object, the main constituent element of the light emitting device is InP, and both the submount for disposing the light emitting device and the thermal resistance member for disposing the temperature sensor are made of AlN ( Aluminum nitride).
【００１１】更に、第３の目的を実現するための光モジ
ュールは、前記発光デバイスの主たる構成元素がＩｎＰ
であり、該発光デバイスを配置するサブマウントがＡｌ
Ｎ（窒化アルミニウム）から成り、前記温度センサを配
置する熱抵抗部材がダイヤモンドからなることを特徴と
する。Further, in the optical module for achieving the third object, the main constituent element of the light emitting device is InP.
And the submount on which the light emitting device is placed is Al
It is characterized in that it is made of N (aluminum nitride), and the thermal resistance member on which the temperature sensor is arranged is made of diamond.
【００１２】ヒートシンク上のサブマウントの表面にサ
ーミスタ等の温度センサ用のパターン化された電極を予
め設置しておくことで、レンズ実装やワイヤボンディン
グ工程に影響を与えることなく、発光デバイスに近接し
て温度センサを配置することができる。ＬＤ用のサブマ
ウント材とサーミスタ用のサブマウント材を適切に選ぶ
ことで使用条件（温度が変化する過渡期にも検知する
か、或は過渡期の温度検知は犠牲にするか等）に応じた
温度制御が高い精度で出来る。By preliminarily installing a patterned electrode for a temperature sensor such as a thermistor on the surface of the submount on the heat sink, it is possible to place the electrode close to the light emitting device without affecting the lens mounting or wire bonding process. A temperature sensor can be arranged. Appropriate selection of LD submount material and thermistor submount material according to usage conditions (whether to detect during the transition period when temperature changes, or to sacrifice temperature detection during the transition period) Temperature control can be performed with high accuracy.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】第１の実施例 図３は本発明の光モジュールの模式図であり、図２は基
板（ステム）部分の平面図、図１はヒートシンク部の図
２と直交方向の断面模式図である。以下、実装工程につ
いて説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment FIG. 3 is a schematic view of an optical module of the present invention. FIG. 2 is a plan view of a substrate (stem) portion, and FIG. It is a cross-sectional schematic diagram. The mounting process will be described below.
【００１４】図１において、５および６は、それぞれ、
ＬＤ２とサーミスタ３のためのサブマウントである。本
実施例では共にダイヤモンドを用いたが、共に同じ材質
である必要はない。ともに融着用のメタライズ層が裏面
に形成されているが、サーミスタ用サブマウント６の表
面には、図２に示すようなサーミスタ用のバターン電極
４が形成されている。この点が本実施例の最も特徴的な
部分である。本実施例では、４端子法による抵抗値測定
がしやすいように６端子をリードワイヤ１８の近くに用
意したが、最低２端子あればよい。ＬＤ用サブマウント
５の表面には、図１に示すようなアロイ電極７が形成さ
れている。In FIG. 1, 5 and 6 are respectively
It is a submount for the LD 2 and the thermistor 3. In this embodiment, both diamonds are used, but they do not have to be made of the same material. A metallization layer for fusing is formed on both sides, but a thermistor pattern electrode 4 as shown in FIG. 2 is formed on the surface of the thermistor submount 6. This is the most characteristic part of this embodiment. In this embodiment, 6 terminals are prepared near the lead wire 18 so that the resistance value can be easily measured by the 4-terminal method, but at least 2 terminals are enough. An alloy electrode 7 as shown in FIG. 1 is formed on the surface of the LD submount 5.
【００１５】このあと、金１ａでメタライズされた銅製
のヒートシンク（ステム）１（すでにＰＤ９はマウント
されているものとする。ＰＤ９は、ＬＤ２に反射光が悪
影響を与えない様に、光軸に対して斜めに形成されたヒ
ートシンク１の部分に図２に示すようにマウントされて
いる）にＬＤ用サブマウント５およびサーミスタ用サプ
マウント６を融着する。次に、ＬＤ２およびサーミスタ
３の各端子をヒートシンク１の対応する端子にワイヤボ
ンデイングするか、ヒートシンク１上のプリント基板で
配線する。After that, it is assumed that the heat sink (stem) 1 made of copper metallized with gold 1a (the PD 9 is already mounted. The PD 9 is aligned with the optical axis so that the reflected light does not adversely affect the LD 2. The LD sub-mount 5 and the thermistor sub-mount 6 are fused to the heat sink 1 which is obliquely formed and is mounted as shown in FIG. Next, the terminals of the LD 2 and the thermistor 3 are wire-bonded to the corresponding terminals of the heat sink 1 or wired on the printed board on the heat sink 1.
【００１６】このあと、ヒートシンク１の下面に電子冷
却素子（ペルチェ素子）１２を取付け、第１レンズ（ボ
ールレンズ）１０をレンズホルダ１１を介してヒートシ
ンク１に固定した後、軸調整を行なう。軸調整後、第２
レンズ（ロッドレンズ）１４及び第２レンズカバー１５
とともにパッケージカバー１３をかぶせ、最終調整を行
ったあと、Ｎ2あるいはＡｒ等の不活性ガスで封止す
る。１６、１７は夫々光ファイバ及びフェルールであ
る。After that, an electronic cooling element (Peltier element) 12 is attached to the lower surface of the heat sink 1, the first lens (ball lens) 10 is fixed to the heat sink 1 via the lens holder 11, and then the axis is adjusted. Second after axis adjustment
Lens (rod lens) 14 and second lens cover 15
At the same time, the package cover 13 is covered, and after final adjustment, sealing is performed with an inert gas such as N 2 or Ar. Reference numerals 16 and 17 are an optical fiber and a ferrule, respectively.
【００１７】従来はＬＤに近接してサーミスタを配置す
ると、サーミスタから直接ワイヤボンディングしていた
ために、ワイヤがその後のレンズ系の実装を妨げたり、
戻り光等の悪影響を与えていた。従って、レンズ実装工
程を優先させ、サーミスタはレンズ実装工程に影響ない
場所、すなわちＬＤから比較的離れた場所に設置せざる
を得なかった。これに対し、本発明ではボンディングパ
ッドをパターン電極４として、はじめからレンズ実装工
程に影響を与えない位置に設けたことで、サーミスタ３
もＬＤ２に近接して配置できるようになった。Conventionally, when the thermistor is arranged close to the LD, the wire is directly bonded from the thermistor, so that the wire interferes with the subsequent mounting of the lens system.
It had an adverse effect such as returning light. Therefore, the lens mounting process has to be prioritized, and the thermistor must be installed in a place that does not affect the lens mounting process, that is, in a place relatively distant from the LD. On the other hand, in the present invention, the bonding pad is provided as the pattern electrode 4 at a position which does not affect the lens mounting process from the beginning, so that the thermistor 3 is provided.
Can also be placed close to LD2.
【００１８】このように完成された光モジュールでは、
上記構成で動作温度が好適に制御されたＬＤ２がＬＤ光
出力制御手段により発振され、発振光は、第１、第２レ
ンズ１０、１４を経て光ファイバ１６に結合され伝送さ
れる。In the optical module thus completed,
The LD 2 having the above-mentioned configuration, the operating temperature of which is preferably controlled, is oscillated by the LD light output control means, and the oscillated light is coupled to the optical fiber 16 through the first and second lenses 10 and 14 and transmitted.
【００１９】第２の実施例 ＬＤ２の動作電力のダイナミックレンジがあまり大きく
なく、ＬＤ共振器内の熱分布がほぼ均一な場合、ＬＤ２
とサーミスタ３のサブマウント５、６に同じ材質を用い
ると有利である。たとえば、半導体レーザにＩｎＧａＡ
ｓＰ／ＩｎＰ系のＬＤを用いた場合、ＬＤのサブマウン
ト５とサーミスタのサプマウント６の材質はともにＡｌ
Ｎ（窒化アルミニウム）を用いることが効果的である。
ＡｌＮのサブキヤリアを用いる理由は、ＩｎＰとＡｌＮ
の線膨張係数はそれぞれ、４．５×１０-6／Ｋおよび
４．６×１０-6／Ｋと極めて近いため、温度変化に対し
てＬＤ２に与える応力が小さいためである。サーミスタ
３のサプマウント６にＡｌＮを用いる理由は、ＬＤ２と
同じ材質を用いることで熱抵抗も等しくするためであ
る。実際、この組み合わせでは、ＬＤ２を定常状態（Ｃ
Ｗ動作）で使用した場合、レンズ系に悪影響を与えるこ
となくＬＤ２の温度変動は０．００５°Ｃ以下に抑えら
れていることが確認できた。この方法では、サプマウン
ト５、６に同一材料を用いるためコスト的にも有利であ
る。When the dynamic range of the operating power of the second embodiment LD2 is not so large and the heat distribution in the LD resonator is almost uniform, LD2
It is advantageous to use the same material for the submounts 5 and 6 of the thermistor 3. For example, for a semiconductor laser, InGaA
When an sP / InP LD is used, the material of the LD submount 5 and the thermistor submount 6 are both Al.
It is effective to use N (aluminum nitride).
The reason for using the subcarrier of AlN is InP and AlN.
This is because the linear expansion coefficients of are extremely close to 4.5 × 10 −6 / K and 4.6 × 10 −6 / K, respectively, so that the stress applied to the LD 2 is small with respect to the temperature change. The reason why AlN is used for the submount 6 of the thermistor 3 is that the same material as that of the LD 2 is used to equalize the thermal resistance. In fact, in this combination LD2 is loaded into a steady state (C
It was confirmed that the temperature fluctuation of the LD 2 was suppressed to 0.005 ° C. or less without adversely affecting the lens system when used in the W operation). In this method, the same material is used for the submounts 5 and 6, which is advantageous in terms of cost.
【００２０】第３の実施例 ＬＤ２の動作電力が比較的大きい場合（たとえば変調度
が大きいＬＤ等）あるいはＬＤ共振器内の熱分布が時間
的に変動する場合（たとえば高速に波長可変する多電極
構造の波長可変ＬＤ等）では、ＬＤ２とサーミスタ３の
間の熱抵抗をできるだけ小さくする必要があるため、サ
ーミスタ３のサブマウント６はＬＤ２のサブマウント５
以上に低熱抵抗の構造を選ぶと効果的である。たとえ
ば、半導体レーザにＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰを用いた場
合、ＬＤ２のサプマウント５にはＡｌＮ（窒化アルミニ
ウム）を、サーミスタ３のサブマウント６の材質はダイ
ヤモンドを用いることが効果的である。ＡｌＮのサブキ
ヤリアを用いる理由は、上記したように、ＩｎＰとＡｌ
Ｎの線膨張係数は極めて近いため、温度変化に対してＬ
Ｄ２に与える応力が小さいためである。サーミスタ３の
サブマウント６にダイヤモンドを用いる理由は、ＡｌＮ
よりも熱抵抗が小さいためである。実際、この組み合わ
せでは、ＬＤ２をマーク率５０％、変調度０．８で変調
した場合、レンズ系に悪影響を与えることなくＬＤ２の
温度変動は０．０１°Ｃ以下に抑えられていることが確
認できた。When the operating power of the LD2 of the third embodiment is relatively large (for example, LD having a large degree of modulation) or when the heat distribution in the LD resonator fluctuates with time (for example, multi-electrode which tunes wavelength at high speed). In the variable wavelength LD having a structure), the thermal resistance between the LD 2 and the thermistor 3 needs to be as small as possible, so the submount 6 of the thermistor 3 is the submount 5 of the LD 2.
It is effective to select a structure having low thermal resistance as described above. For example, when InGaAsP / InP is used for the semiconductor laser, it is effective to use AlN (aluminum nitride) for the submount 5 of the LD 2 and diamond for the material of the submount 6 of the thermistor 3. The reason for using the subcarrier of AlN is that InP and Al are used as described above.
Since the linear expansion coefficient of N is very close, L
This is because the stress applied to D2 is small. The reason for using diamond for the submount 6 of the thermistor 3 is that AlN
This is because the thermal resistance is smaller than that. In fact, with this combination, it was confirmed that when the LD2 was modulated with a mark ratio of 50% and a modulation factor of 0.8, the temperature fluctuation of the LD2 was suppressed to 0.01 ° C or less without adversely affecting the lens system. did it.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明の効果は以下の通りである。 （１）ＬＤチップ等の発光デバイスの温度制御機構の最
適な設置を、他の実装工程を犠牲にすることなく行え
る。 （２）ＣＷ動作に最適なＬＤ等の発光デバイスの温度制
御ができる。 （３）動作電力の時間変動の大きいＬＤ等の発光デバイ
スに対しても、適した温度制御ができる。The effects of the present invention are as follows. (1) The temperature control mechanism of a light emitting device such as an LD chip can be optimally installed without sacrificing other mounting steps. (2) It is possible to control the temperature of a light emitting device such as an LD that is optimal for CW operation. (3) Appropriate temperature control can be performed even for a light emitting device such as an LD whose operating power has a large time variation.
【図１】本発明の実施例を説明する部分横断面模式図。FIG. 1 is a schematic partial cross-sectional view illustrating an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例を説明する平面模式図。FIG. 2 is a schematic plan view illustrating an example of the present invention.
【図３】本発明の実施例を説明する全体的な縦断面模式
図。FIG. 3 is an overall vertical cross-sectional schematic diagram illustrating an embodiment of the present invention.
【図４】従来例を説明する全体的な縦断面模式図。FIG. 4 is an overall vertical cross-sectional schematic diagram illustrating a conventional example.
【図５】従来例を説明する平面模式図。FIG. 5 is a schematic plan view illustrating a conventional example.
１、１０１ ヒートシンク（ステム） ２、１０２ ＬＤチップ ３、１０３ サーミスタ ４ サーミスタ用サブマウントの表面上のパターン電
極 ５、１０５ ＬＤ用サブマウント ６ サーミスタ用サブマウント ７ ＬＤ用アロイ電極 ９、１０９ フォトディテクタ １０、１１０ 第１レンズ（ボールレンズ） １１ 第１レンズホルダ １２ ペルチェ素子 １３、１１３ パッケ―ジカバー １４、１１４ 第２レンズ（ロッドレンズ） １５ 第２レンズカバー １６、１１６ 光ファイバ １７ フェルール １８、１１８ リード １０３ａ ボンディングワイヤ1, 101 heat sink (stem) 2, 102 LD chip 3, 103 thermistor 4 pattern electrode on the surface of the thermistor submount 5, 105 LD submount 6 thermistor submount 7 LD alloy electrode 9, 109 photodetector 10, 110 First Lens (Ball Lens) 11 First Lens Holder 12 Peltier Element 13, 113 Package Cover 14, 114 Second Lens (Rod Lens) 15 Second Lens Cover 16, 116 Optical Fiber 17 Ferrule 18, 118 Lead 103a Bonding Wire
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical display location H04B 10/02
Claims (4)
バ等の伝送路に結合させるための手段と、該発光デバイ
スの光出力を制御する手段と、該発光デバイスの動作温
度を制御する手段からなる光モジュールであって、ヒー
トシンク上にサブマウントを介して該発光デバイスが配
置され、前記発光デバイスの動作温度を制御する手段
が、多電極薄造を有する温度センサと、表面に多電極薄
造を有する該温度センサのためのパターン電極が形成さ
れ且つ前記サブマウントと同等以上の熱伝導性を有する
熱抵抗部材と、前記温度センサの指示値をもとに前記発
光デバイスの温度を制御する冷却手段とから成り、該熱
抵抗部材上に、前記温度センサが前記サブマウントに近
接して前記ヒートシンク上の熱抵抗部材に配置されてい
ることを特徴とする光モジュール。1. A means for coupling a light emitting device such as a semiconductor laser to a transmission line such as an optical fiber, a means for controlling an optical output of the light emitting device, and a means for controlling an operating temperature of the light emitting device. In the optical module, the light emitting device is arranged on a heat sink via a submount, and means for controlling an operating temperature of the light emitting device includes a temperature sensor having a multi-electrode thin structure and a multi-electrode thin structure on the surface. A thermal resistance member having a pattern electrode for the temperature sensor and having a thermal conductivity equal to or higher than that of the submount, and a cooling means for controlling the temperature of the light emitting device based on an instruction value of the temperature sensor. And the temperature sensor is disposed on the heat resistance member on the heat sink in proximity to the submount. Module.
Ｐであり、該発光デバイスを配置する前記サプマウント
と前記温度センサを配置する熱抵抗部材がともにＡｌＮ
（窒化アルミニウム）から成ることを特徴とする請求項
１記載の光モジュール。2. The main constituent element of the light emitting device is In.
P, and the submount for arranging the light emitting device and the thermal resistance member for arranging the temperature sensor are both AlN.
The optical module according to claim 1, which is made of (aluminum nitride).
Ｐであり、該発光デバイスを配置するサブマウントがＡ
ｌＮ（窒化アルミニウム）から成り、前記温度センサを
配置する熱抵抗部材がダイヤモンドからなることを特徴
とする請求項１記載の光モジュール。3. The main constituent element of the light emitting device is In.
P, and the submount on which the light emitting device is placed is A
2. The optical module according to claim 1, wherein the optical module is made of 1N (aluminum nitride), and the thermal resistance member on which the temperature sensor is arranged is made of diamond.
用いられる温度センサ用サブマウントであって、表面に
多電極薄造を有する温度センサのためのパターン電極が
形成され、且つ発光デバイス用サブマウントと同等以上
の熱伝導性を有する熱抵抗部材から形成されていること
を特徴とするサブマウント。4. A submount for a temperature sensor used in the optical module according to claim 1, 2 or 3, wherein a pattern electrode for the temperature sensor having a multi-electrode thin structure is formed on the surface, and a light emitting device. A submount formed of a heat resistance member having a thermal conductivity equal to or higher than that of the submount for use.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7258104A JPH0983046A (en) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | Optical module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7258104A JPH0983046A (en) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | Optical module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0983046A true JPH0983046A (en) | 1997-03-28 |
Family
ID=17315562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7258104A Pending JPH0983046A (en) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | Optical module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0983046A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232679A (en) * | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser module and optical transmission system |
| CN117111235A (en) * | 2023-10-17 | 2023-11-24 | 成都光创联科技有限公司 | Compensation system, production and compensation method for high and low temperature power drop of optical devices |
-
1995
- 1995-09-11 JP JP7258104A patent/JPH0983046A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232679A (en) * | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser module and optical transmission system |
| CN117111235A (en) * | 2023-10-17 | 2023-11-24 | 成都光创联科技有限公司 | Compensation system, production and compensation method for high and low temperature power drop of optical devices |
| CN117111235B (en) * | 2023-10-17 | 2023-12-19 | 成都光创联科技有限公司 | Compensation system, manufacturing and compensation method for high-low temperature power drop of optical device |
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