JPH0983046A - 光モジュール - Google Patents
光モジュールInfo
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- JPH0983046A JPH0983046A JP7258104A JP25810495A JPH0983046A JP H0983046 A JPH0983046 A JP H0983046A JP 7258104 A JP7258104 A JP 7258104A JP 25810495 A JP25810495 A JP 25810495A JP H0983046 A JPH0983046 A JP H0983046A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- submount
- light emitting
- emitting device
- temperature sensor
- optical module
- Prior art date
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- Pending
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- Optical Communication System (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Control Of Temperature (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】光学系や電気系の実装を犠牲にすることなく半
導体のレーザチップの温度制御を確実に行えるように構
成された光モジュールである。 【解決手段】光モジュールでは、温度センサ３のサブマ
ウント６表面に予め温度センサ用のパターン電極４が形
成されている。温度センサ３のサブマウント６は、ＬＤ
サブマウント５に近接してヒートシンク１上に配置され
ている。
導体のレーザチップの温度制御を確実に行えるように構
成された光モジュールである。 【解決手段】光モジュールでは、温度センサ３のサブマ
ウント６表面に予め温度センサ用のパターン電極４が形
成されている。温度センサ３のサブマウント６は、ＬＤ
サブマウント５に近接してヒートシンク１上に配置され
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信および光情
報処理等に用いられる半導体レーザ等を実装した光モジ
ュール、そこで用いられるサブマウント等に関する。
報処理等に用いられる半導体レーザ等を実装した光モジ
ュール、そこで用いられるサブマウント等に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４および図５は従来（たとえば、特開
平５−３１５６９６）の半導体レーザ（以下ＬＤと略記
することもある）光モジュールの概念図である。図４は
光モジュールの全体図であり、図５はヒートシンク部分
の平面図である。実装工程は、通常、以下のようになっ
ている。
平５−３１５６９６）の半導体レーザ（以下ＬＤと略記
することもある）光モジュールの概念図である。図４は
光モジュールの全体図であり、図５はヒートシンク部分
の平面図である。実装工程は、通常、以下のようになっ
ている。
【０００３】（１）フォトディテクタ１０９をサブキャ
リア（ヒートシンク）１０１にマウントする。 （２）ＬＤチップ１０２をサブマウント１０５に融着す
る。 （３）サーミスタ１０３をサプキャリア（ヒートシン
ク）１０１にマウントする。 （４）（２）のサブマウント１０５を（３）のサブキヤ
リア１０１に融着する。 （５）ＬＤ１０２、ＰＤ１０９およびサーミスタ１０３
をリード１１８にワイヤボンディングする。 （６）レンズ系（第１レンズ（ボールレンズ）１１０、
第２レンズ（ロッドレンズ）１１４、光ファイバ１１
６）を実装する。 （７）光学系の軸調整をする。 （８）パッケージカバー１１３を被せて封止する。
リア（ヒートシンク）１０１にマウントする。 （２）ＬＤチップ１０２をサブマウント１０５に融着す
る。 （３）サーミスタ１０３をサプキャリア（ヒートシン
ク）１０１にマウントする。 （４）（２）のサブマウント１０５を（３）のサブキヤ
リア１０１に融着する。 （５）ＬＤ１０２、ＰＤ１０９およびサーミスタ１０３
をリード１１８にワイヤボンディングする。 （６）レンズ系（第１レンズ（ボールレンズ）１１０、
第２レンズ（ロッドレンズ）１１４、光ファイバ１１
６）を実装する。 （７）光学系の軸調整をする。 （８）パッケージカバー１１３を被せて封止する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例は以下の欠点を有している。温度センサ１０３はＬ
Ｄ１０２のできるだけ近傍に配置することが望ましい。
しかし、温度センサ１０３のボンディングワイヤ１０３
ａが、他の工程、特にＬＤ１０２のワイヤボンディング
工程やレンズ実装およびその光軸調整工程の作業性に悪
影響を与えるため、温度センサ１０３は、図４、図５に
示すように、ＬＤチップ１０２から比較的離れた位置に
設置されることが多い。このことがレーザチップ１０２
の正確な温度制御を妨げていた。この温度制御の不安定
性は、温度変化に敏感なＬＤや温度分布が広いＬＤ（多
電極ＬＤあるいはＬＤアレイ等）を使用する際には大き
な問題になる。つまり、この種のＬＤでは、光学実装と
温度制御を高い精度で両立することは困難であった。
来例は以下の欠点を有している。温度センサ１０３はＬ
Ｄ１０２のできるだけ近傍に配置することが望ましい。
しかし、温度センサ１０３のボンディングワイヤ１０３
ａが、他の工程、特にＬＤ１０２のワイヤボンディング
工程やレンズ実装およびその光軸調整工程の作業性に悪
影響を与えるため、温度センサ１０３は、図４、図５に
示すように、ＬＤチップ１０２から比較的離れた位置に
設置されることが多い。このことがレーザチップ１０２
の正確な温度制御を妨げていた。この温度制御の不安定
性は、温度変化に敏感なＬＤや温度分布が広いＬＤ（多
電極ＬＤあるいはＬＤアレイ等）を使用する際には大き
な問題になる。つまり、この種のＬＤでは、光学実装と
温度制御を高い精度で両立することは困難であった。
【０００５】従って、本発明の第１の目的は、光学系や
電気系の実装を犠牲にすることなく半導体レーザチップ
などの発光デバイスの温度制御を確実に行えるように構
成された光モジュール及びそれ用のサブマウントを提供
することにある。
電気系の実装を犠牲にすることなく半導体レーザチップ
などの発光デバイスの温度制御を確実に行えるように構
成された光モジュール及びそれ用のサブマウントを提供
することにある。
【０００６】本発明の第２の目的は、定常状態でＬＤな
どの発光デバイスを動作させる場合にもその温度制御が
好適に行なえる様に構成された光モジュールを提供する
ことにある。
どの発光デバイスを動作させる場合にもその温度制御が
好適に行なえる様に構成された光モジュールを提供する
ことにある。
【０００７】また、本発明の第３の目的は、ＬＤなどの
発光デバイスの動作電力の時間変動が大きい場合にも温
度制御が好適に行なえる様に構成された光モジュールを
提供することにある。
発光デバイスの動作電力の時間変動が大きい場合にも温
度制御が好適に行なえる様に構成された光モジュールを
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の目的を実現するた
めの光モジュールは、半導体レーザ等の発光デバイスを
光ファイバ等の伝送路に結合させるための手段と、該発
光デバイスの光出力を制御する手段と、該発光デバイス
の動作温度を制御する手段からなる光モジュールであっ
て、ヒートシンク上にサブマウントを介して該発光デバ
イスが配置され、前記発光デバイスの動作温度を制御す
る手段が、多電極構造を有する温度センサと、該温度セ
ンサのためのパターン電極が表面に形成され且つ前記サ
ブマウントと同等以上の熱伝導性を有する熱抵抗部材
と、前記温度センサの指示値をもとに前記発光デバイス
の温度を制御する冷却手段（ペルチェ素子等）とから成
り、前記温度センサが前記サブマウントに近接して前記
ヒートシンク上の該熱抵抗部材上に配置されていること
を特徴とする。
めの光モジュールは、半導体レーザ等の発光デバイスを
光ファイバ等の伝送路に結合させるための手段と、該発
光デバイスの光出力を制御する手段と、該発光デバイス
の動作温度を制御する手段からなる光モジュールであっ
て、ヒートシンク上にサブマウントを介して該発光デバ
イスが配置され、前記発光デバイスの動作温度を制御す
る手段が、多電極構造を有する温度センサと、該温度セ
ンサのためのパターン電極が表面に形成され且つ前記サ
ブマウントと同等以上の熱伝導性を有する熱抵抗部材
と、前記温度センサの指示値をもとに前記発光デバイス
の温度を制御する冷却手段（ペルチェ素子等）とから成
り、前記温度センサが前記サブマウントに近接して前記
ヒートシンク上の該熱抵抗部材上に配置されていること
を特徴とする。
【０００９】また、第１の目的を実現するための光モジ
ュールで用いられる温度センサ用サブマウントは、表面
に多電極薄造を有する温度センサのためのパターン電極
が形成され、且つ発光デバイス用サブマウントと同等以
上の熱伝導性を有する熱抵抗部材から形成されているこ
とを特徴とする。
ュールで用いられる温度センサ用サブマウントは、表面
に多電極薄造を有する温度センサのためのパターン電極
が形成され、且つ発光デバイス用サブマウントと同等以
上の熱伝導性を有する熱抵抗部材から形成されているこ
とを特徴とする。
【００１０】第２の目的を実現するための光モジュール
は、前記発光デバイスの主たる構成元素がＩｎＰであ
り、該発光デバイスを配置する前記サプマウントと前記
温度センサを配置する熱抵抗部材がともにＡｌＮ（窒化
アルミニウム）から成ることを特徴とする。
は、前記発光デバイスの主たる構成元素がＩｎＰであ
り、該発光デバイスを配置する前記サプマウントと前記
温度センサを配置する熱抵抗部材がともにＡｌＮ（窒化
アルミニウム）から成ることを特徴とする。
【００１１】更に、第３の目的を実現するための光モジ
ュールは、前記発光デバイスの主たる構成元素がＩｎＰ
であり、該発光デバイスを配置するサブマウントがＡｌ
Ｎ（窒化アルミニウム）から成り、前記温度センサを配
置する熱抵抗部材がダイヤモンドからなることを特徴と
する。
ュールは、前記発光デバイスの主たる構成元素がＩｎＰ
であり、該発光デバイスを配置するサブマウントがＡｌ
Ｎ（窒化アルミニウム）から成り、前記温度センサを配
置する熱抵抗部材がダイヤモンドからなることを特徴と
する。
【００１２】ヒートシンク上のサブマウントの表面にサ
ーミスタ等の温度センサ用のパターン化された電極を予
め設置しておくことで、レンズ実装やワイヤボンディン
グ工程に影響を与えることなく、発光デバイスに近接し
て温度センサを配置することができる。ＬＤ用のサブマ
ウント材とサーミスタ用のサブマウント材を適切に選ぶ
ことで使用条件（温度が変化する過渡期にも検知する
か、或は過渡期の温度検知は犠牲にするか等）に応じた
温度制御が高い精度で出来る。
ーミスタ等の温度センサ用のパターン化された電極を予
め設置しておくことで、レンズ実装やワイヤボンディン
グ工程に影響を与えることなく、発光デバイスに近接し
て温度センサを配置することができる。ＬＤ用のサブマ
ウント材とサーミスタ用のサブマウント材を適切に選ぶ
ことで使用条件（温度が変化する過渡期にも検知する
か、或は過渡期の温度検知は犠牲にするか等）に応じた
温度制御が高い精度で出来る。
【００１３】
【発明の実施の形態】第１の実施例 図３は本発明の光モジュールの模式図であり、図２は基
板（ステム）部分の平面図、図１はヒートシンク部の図
２と直交方向の断面模式図である。以下、実装工程につ
いて説明する。
板（ステム）部分の平面図、図１はヒートシンク部の図
２と直交方向の断面模式図である。以下、実装工程につ
いて説明する。
【００１４】図１において、５および６は、それぞれ、
ＬＤ２とサーミスタ３のためのサブマウントである。本
実施例では共にダイヤモンドを用いたが、共に同じ材質
である必要はない。ともに融着用のメタライズ層が裏面
に形成されているが、サーミスタ用サブマウント６の表
面には、図２に示すようなサーミスタ用のバターン電極
４が形成されている。この点が本実施例の最も特徴的な
部分である。本実施例では、４端子法による抵抗値測定
がしやすいように６端子をリードワイヤ１８の近くに用
意したが、最低２端子あればよい。ＬＤ用サブマウント
５の表面には、図１に示すようなアロイ電極７が形成さ
れている。
ＬＤ２とサーミスタ３のためのサブマウントである。本
実施例では共にダイヤモンドを用いたが、共に同じ材質
である必要はない。ともに融着用のメタライズ層が裏面
に形成されているが、サーミスタ用サブマウント６の表
面には、図２に示すようなサーミスタ用のバターン電極
４が形成されている。この点が本実施例の最も特徴的な
部分である。本実施例では、４端子法による抵抗値測定
がしやすいように６端子をリードワイヤ１８の近くに用
意したが、最低２端子あればよい。ＬＤ用サブマウント
５の表面には、図１に示すようなアロイ電極７が形成さ
れている。
【００１５】このあと、金１ａでメタライズされた銅製
のヒートシンク（ステム）１（すでにＰＤ９はマウント
されているものとする。ＰＤ９は、ＬＤ２に反射光が悪
影響を与えない様に、光軸に対して斜めに形成されたヒ
ートシンク１の部分に図２に示すようにマウントされて
いる）にＬＤ用サブマウント５およびサーミスタ用サプ
マウント６を融着する。次に、ＬＤ２およびサーミスタ
３の各端子をヒートシンク１の対応する端子にワイヤボ
ンデイングするか、ヒートシンク１上のプリント基板で
配線する。
のヒートシンク（ステム）１（すでにＰＤ９はマウント
されているものとする。ＰＤ９は、ＬＤ２に反射光が悪
影響を与えない様に、光軸に対して斜めに形成されたヒ
ートシンク１の部分に図２に示すようにマウントされて
いる）にＬＤ用サブマウント５およびサーミスタ用サプ
マウント６を融着する。次に、ＬＤ２およびサーミスタ
３の各端子をヒートシンク１の対応する端子にワイヤボ
ンデイングするか、ヒートシンク１上のプリント基板で
配線する。
【００１６】このあと、ヒートシンク１の下面に電子冷
却素子（ペルチェ素子）１２を取付け、第１レンズ（ボ
ールレンズ）１０をレンズホルダ１１を介してヒートシ
ンク１に固定した後、軸調整を行なう。軸調整後、第２
レンズ（ロッドレンズ）１４及び第２レンズカバー１５
とともにパッケージカバー１３をかぶせ、最終調整を行
ったあと、Ｎ2あるいはＡｒ等の不活性ガスで封止す
る。１６、１７は夫々光ファイバ及びフェルールであ
る。
却素子（ペルチェ素子）１２を取付け、第１レンズ（ボ
ールレンズ）１０をレンズホルダ１１を介してヒートシ
ンク１に固定した後、軸調整を行なう。軸調整後、第２
レンズ（ロッドレンズ）１４及び第２レンズカバー１５
とともにパッケージカバー１３をかぶせ、最終調整を行
ったあと、Ｎ2あるいはＡｒ等の不活性ガスで封止す
る。１６、１７は夫々光ファイバ及びフェルールであ
る。
【００１７】従来はＬＤに近接してサーミスタを配置す
ると、サーミスタから直接ワイヤボンディングしていた
ために、ワイヤがその後のレンズ系の実装を妨げたり、
戻り光等の悪影響を与えていた。従って、レンズ実装工
程を優先させ、サーミスタはレンズ実装工程に影響ない
場所、すなわちＬＤから比較的離れた場所に設置せざる
を得なかった。これに対し、本発明ではボンディングパ
ッドをパターン電極４として、はじめからレンズ実装工
程に影響を与えない位置に設けたことで、サーミスタ３
もＬＤ２に近接して配置できるようになった。
ると、サーミスタから直接ワイヤボンディングしていた
ために、ワイヤがその後のレンズ系の実装を妨げたり、
戻り光等の悪影響を与えていた。従って、レンズ実装工
程を優先させ、サーミスタはレンズ実装工程に影響ない
場所、すなわちＬＤから比較的離れた場所に設置せざる
を得なかった。これに対し、本発明ではボンディングパ
ッドをパターン電極４として、はじめからレンズ実装工
程に影響を与えない位置に設けたことで、サーミスタ３
もＬＤ２に近接して配置できるようになった。
【００１８】このように完成された光モジュールでは、
上記構成で動作温度が好適に制御されたＬＤ２がＬＤ光
出力制御手段により発振され、発振光は、第１、第２レ
ンズ１０、１４を経て光ファイバ１６に結合され伝送さ
れる。
上記構成で動作温度が好適に制御されたＬＤ２がＬＤ光
出力制御手段により発振され、発振光は、第１、第２レ
ンズ１０、１４を経て光ファイバ１６に結合され伝送さ
れる。
【００１９】第２の実施例 ＬＤ２の動作電力のダイナミックレンジがあまり大きく
なく、ＬＤ共振器内の熱分布がほぼ均一な場合、ＬＤ２
とサーミスタ３のサブマウント５、６に同じ材質を用い
ると有利である。たとえば、半導体レーザにＩｎＧａＡ
ｓＰ／ＩｎＰ系のＬＤを用いた場合、ＬＤのサブマウン
ト５とサーミスタのサプマウント６の材質はともにＡｌ
Ｎ（窒化アルミニウム）を用いることが効果的である。
ＡｌＮのサブキヤリアを用いる理由は、ＩｎＰとＡｌＮ
の線膨張係数はそれぞれ、４．５×１０-6／Ｋおよび
４．６×１０-6／Ｋと極めて近いため、温度変化に対し
てＬＤ２に与える応力が小さいためである。サーミスタ
３のサプマウント６にＡｌＮを用いる理由は、ＬＤ２と
同じ材質を用いることで熱抵抗も等しくするためであ
る。実際、この組み合わせでは、ＬＤ２を定常状態（Ｃ
Ｗ動作）で使用した場合、レンズ系に悪影響を与えるこ
となくＬＤ２の温度変動は０．００５°Ｃ以下に抑えら
れていることが確認できた。この方法では、サプマウン
ト５、６に同一材料を用いるためコスト的にも有利であ
る。
なく、ＬＤ共振器内の熱分布がほぼ均一な場合、ＬＤ２
とサーミスタ３のサブマウント５、６に同じ材質を用い
ると有利である。たとえば、半導体レーザにＩｎＧａＡ
ｓＰ／ＩｎＰ系のＬＤを用いた場合、ＬＤのサブマウン
ト５とサーミスタのサプマウント６の材質はともにＡｌ
Ｎ（窒化アルミニウム）を用いることが効果的である。
ＡｌＮのサブキヤリアを用いる理由は、ＩｎＰとＡｌＮ
の線膨張係数はそれぞれ、４．５×１０-6／Ｋおよび
４．６×１０-6／Ｋと極めて近いため、温度変化に対し
てＬＤ２に与える応力が小さいためである。サーミスタ
３のサプマウント６にＡｌＮを用いる理由は、ＬＤ２と
同じ材質を用いることで熱抵抗も等しくするためであ
る。実際、この組み合わせでは、ＬＤ２を定常状態（Ｃ
Ｗ動作）で使用した場合、レンズ系に悪影響を与えるこ
となくＬＤ２の温度変動は０．００５°Ｃ以下に抑えら
れていることが確認できた。この方法では、サプマウン
ト５、６に同一材料を用いるためコスト的にも有利であ
る。
【００２０】第３の実施例 ＬＤ２の動作電力が比較的大きい場合（たとえば変調度
が大きいＬＤ等）あるいはＬＤ共振器内の熱分布が時間
的に変動する場合（たとえば高速に波長可変する多電極
構造の波長可変ＬＤ等）では、ＬＤ２とサーミスタ３の
間の熱抵抗をできるだけ小さくする必要があるため、サ
ーミスタ３のサブマウント６はＬＤ２のサブマウント５
以上に低熱抵抗の構造を選ぶと効果的である。たとえ
ば、半導体レーザにＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰを用いた場
合、ＬＤ２のサプマウント５にはＡｌＮ（窒化アルミニ
ウム）を、サーミスタ３のサブマウント６の材質はダイ
ヤモンドを用いることが効果的である。ＡｌＮのサブキ
ヤリアを用いる理由は、上記したように、ＩｎＰとＡｌ
Ｎの線膨張係数は極めて近いため、温度変化に対してＬ
Ｄ２に与える応力が小さいためである。サーミスタ３の
サブマウント６にダイヤモンドを用いる理由は、ＡｌＮ
よりも熱抵抗が小さいためである。実際、この組み合わ
せでは、ＬＤ２をマーク率５０％、変調度０．８で変調
した場合、レンズ系に悪影響を与えることなくＬＤ２の
温度変動は０．０１°Ｃ以下に抑えられていることが確
認できた。
が大きいＬＤ等）あるいはＬＤ共振器内の熱分布が時間
的に変動する場合（たとえば高速に波長可変する多電極
構造の波長可変ＬＤ等）では、ＬＤ２とサーミスタ３の
間の熱抵抗をできるだけ小さくする必要があるため、サ
ーミスタ３のサブマウント６はＬＤ２のサブマウント５
以上に低熱抵抗の構造を選ぶと効果的である。たとえ
ば、半導体レーザにＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰを用いた場
合、ＬＤ２のサプマウント５にはＡｌＮ（窒化アルミニ
ウム）を、サーミスタ３のサブマウント６の材質はダイ
ヤモンドを用いることが効果的である。ＡｌＮのサブキ
ヤリアを用いる理由は、上記したように、ＩｎＰとＡｌ
Ｎの線膨張係数は極めて近いため、温度変化に対してＬ
Ｄ２に与える応力が小さいためである。サーミスタ３の
サブマウント６にダイヤモンドを用いる理由は、ＡｌＮ
よりも熱抵抗が小さいためである。実際、この組み合わ
せでは、ＬＤ２をマーク率５０％、変調度０．８で変調
した場合、レンズ系に悪影響を与えることなくＬＤ２の
温度変動は０．０１°Ｃ以下に抑えられていることが確
認できた。
【００２１】
【発明の効果】本発明の効果は以下の通りである。 （１）ＬＤチップ等の発光デバイスの温度制御機構の最
適な設置を、他の実装工程を犠牲にすることなく行え
る。 （２）ＣＷ動作に最適なＬＤ等の発光デバイスの温度制
御ができる。 （３）動作電力の時間変動の大きいＬＤ等の発光デバイ
スに対しても、適した温度制御ができる。
適な設置を、他の実装工程を犠牲にすることなく行え
る。 （２）ＣＷ動作に最適なＬＤ等の発光デバイスの温度制
御ができる。 （３）動作電力の時間変動の大きいＬＤ等の発光デバイ
スに対しても、適した温度制御ができる。
【図１】本発明の実施例を説明する部分横断面模式図。
【図２】本発明の実施例を説明する平面模式図。
【図３】本発明の実施例を説明する全体的な縦断面模式
図。
図。
【図４】従来例を説明する全体的な縦断面模式図。
【図５】従来例を説明する平面模式図。
１、１０１ ヒートシンク（ステム） ２、１０２ ＬＤチップ ３、１０３ サーミスタ ４ サーミスタ用サブマウントの表面上のパターン電
極 ５、１０５ ＬＤ用サブマウント ６ サーミスタ用サブマウント ７ ＬＤ用アロイ電極 ９、１０９ フォトディテクタ １０、１１０ 第１レンズ（ボールレンズ） １１ 第１レンズホルダ １２ ペルチェ素子 １３、１１３ パッケ―ジカバー １４、１１４ 第２レンズ（ロッドレンズ） １５ 第２レンズカバー １６、１１６ 光ファイバ １７ フェルール １８、１１８ リード １０３ａ ボンディングワイヤ
極 ５、１０５ ＬＤ用サブマウント ６ サーミスタ用サブマウント ７ ＬＤ用アロイ電極 ９、１０９ フォトディテクタ １０、１１０ 第１レンズ（ボールレンズ） １１ 第１レンズホルダ １２ ペルチェ素子 １３、１１３ パッケ―ジカバー １４、１１４ 第２レンズ（ロッドレンズ） １５ 第２レンズカバー １６、１１６ 光ファイバ １７ フェルール １８、１１８ リード １０３ａ ボンディングワイヤ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/02
Claims (4)
- 【請求項１】半導体レーザ等の発光デバイスを光ファイ
バ等の伝送路に結合させるための手段と、該発光デバイ
スの光出力を制御する手段と、該発光デバイスの動作温
度を制御する手段からなる光モジュールであって、ヒー
トシンク上にサブマウントを介して該発光デバイスが配
置され、前記発光デバイスの動作温度を制御する手段
が、多電極薄造を有する温度センサと、表面に多電極薄
造を有する該温度センサのためのパターン電極が形成さ
れ且つ前記サブマウントと同等以上の熱伝導性を有する
熱抵抗部材と、前記温度センサの指示値をもとに前記発
光デバイスの温度を制御する冷却手段とから成り、該熱
抵抗部材上に、前記温度センサが前記サブマウントに近
接して前記ヒートシンク上の熱抵抗部材に配置されてい
ることを特徴とする光モジュール。 - 【請求項２】前記発光デバイスの主たる構成元素がＩｎ
Ｐであり、該発光デバイスを配置する前記サプマウント
と前記温度センサを配置する熱抵抗部材がともにＡｌＮ
（窒化アルミニウム）から成ることを特徴とする請求項
１記載の光モジュール。 - 【請求項３】前記発光デバイスの主たる構成元素がＩｎ
Ｐであり、該発光デバイスを配置するサブマウントがＡ
ｌＮ（窒化アルミニウム）から成り、前記温度センサを
配置する熱抵抗部材がダイヤモンドからなることを特徴
とする請求項１記載の光モジュール。 - 【請求項４】請求項１、２又は３記載の光モジュールで
用いられる温度センサ用サブマウントであって、表面に
多電極薄造を有する温度センサのためのパターン電極が
形成され、且つ発光デバイス用サブマウントと同等以上
の熱伝導性を有する熱抵抗部材から形成されていること
を特徴とするサブマウント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7258104A JPH0983046A (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 光モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7258104A JPH0983046A (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 光モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0983046A true JPH0983046A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17315562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7258104A Pending JPH0983046A (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 光モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0983046A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232679A (ja) * | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Hitachi Ltd | 半導体レーザモジュールおよび光伝送システム |
| CN117111235A (zh) * | 2023-10-17 | 2023-11-24 | 成都光创联科技有限公司 | 光器件高低温功率跌落的补偿系统、制作及补偿方法 |
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1995
- 1995-09-11 JP JP7258104A patent/JPH0983046A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09232679A (ja) * | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Hitachi Ltd | 半導体レーザモジュールおよび光伝送システム |
| CN117111235A (zh) * | 2023-10-17 | 2023-11-24 | 成都光创联科技有限公司 | 光器件高低温功率跌落的补偿系统、制作及补偿方法 |
| CN117111235B (zh) * | 2023-10-17 | 2023-12-19 | 成都光创联科技有限公司 | 光器件高低温功率跌落的补偿系统、制作及补偿方法 |
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