JPH0983062A

JPH0983062A - 半導体光素子およびその製造方法

Info

Publication number: JPH0983062A
Application number: JP23374995A
Authority: JP
Inventors: Mitsushi Yamada; 光志山田
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1995-09-12
Filing date: 1995-09-12
Publication date: 1997-03-28

Abstract

(57)【要約】【課題】導波光に対し透明な窓領域を素子端部に有
し、かつ、製造が容易な半導体光素子を提供する。【解決手段】表面に半導体光素子の素子長と実質的に
同一な長さＬの凹領域１３が形成され、かつ、該長さ方
向の延長上において該凹領域１３に連なる凸領域１５に
端面が形成されている半導体基板１１を具える。さら
に、この半導体基板１１の前記凹領域１３上および前記
端面が形成された凸領域１５部分上にわたって形成さ
れ、下側クラッド層１７、活性層１９および上側クラッ
ド層２１を含む導波構造２７を具える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、導波光に対し透
明な窓領域を素子端部に有する半導体光素子とその製造
方法とに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の素子として例えば文献Ｉ
（エスヒ゜ーアイイー(SPIE) Vol.1219,pp.117-125）に開示のも
のがあった。この素子は、文献Ｉの例えばFig.1 に開示
のように、ｐ−ＧａＡｓ基板上に２本の平行なリッジを
有したブロッキング層を具え、さらにこのブロッキング
層上に下側クラッド層、ガイド層、活性層、コンファイ
ンメント(confinement) 層、バッファ層で構成された発
光領域と、上側クラッド層と、コンタクト層とを、この
順に具えたものであった。ただし発光領域は、その全長
が素子長より短くなっており、かつ、その両端部が上側
クラッド層により覆われている。この発光領域の両端部
を覆っている上側クラッド層部分が窓領域として機能す
る（文献ＩのFig.3 ）。また、この半導体光素子は以下
の様に製造される。先ず、ＧａＡｓ基板上に第１回目の
結晶成長によりブロッキング層が形成される。次に第２
回目の結晶成長により下側クラッド層、ガイド層、活性
層、コンファインメント(confinement) 層、バッファ層
が順次に形成される。そして、この第２回目の結晶成長
により形成された各層が上記発光領域の大きさになるよ
うエッチング加工される。次に、このエッチングの済ん
だ試料上に第３回目の結晶成長により上側クラッド層お
よびコンタク層が順次に形成される。その後、電極付け
等が行なわれて素子が得られる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記文
献の素子では下側クラッド層、ガイド層、活性層、コン
ファインメント(confinement) 層、バッファ層それぞれ
を素子全長より短くなるよう加工することで発光領域を
規定し、そしてこの発光領域の両端部を覆った上側クラ
ッド層部分で窓領域を構成する構造となっているので、
以下の様な問題点があった。

【０００４】（１）素子の製造に当たって結晶成長回数
が多い。

【０００５】（２）素子の製造プロセスが複雑である。

【０００６】（３）第２回目の結晶成長により下側クラ
ッド層、ガイド層、活性層、コンファインメント(confi
nement) 層、バッファ層を形成した後、これらを発光領
域の形状となるようにエッチング加工する必要があるた
め、試料を成長室から取り出す必要がある。ここで、バ
ッファ層はこの場合ＧａＡｌＡｓ層で構成されているた
め酸化のし易いＧａＡｌＡｓが大気中に露出されること
になる。このため、第３回目の結晶成長において高品位
の結晶成長をすることが一般に難しい。

【０００７】

【課題を解決するための手段】そこで、この出願の第一
発明によれば、導波光に対し透明な窓領域を素子端部に
有する半導体光素子において、表面に半導体光素子の素
子長と実質的に同一な長さの凹領域が形成されかつ該長
さ方向の延長上において該凹領域に連なる凸領域に端面
が形成されている半導体基板と、該半導体基板の前記凹
領域上および前記端面が形成された凸領域部分上にわた
って形成され、活性層および上側クラッド層と必要に応
じ形成される下側クラッド層とを含む導波構造とを具え
たことを特徴とする。

【０００８】またこの出願の第二発明によれば、導波光
に対し透明な窓領域を素子端部に有する半導体光素子に
おいて、表面に半導体光素子の素子長と実質的に同一な
長さの凸領域が形成されかつ該長さ方向の延長上におい
て該凸領域に連なる凹領域に端面が形成されている半導
体基板と、該半導体基板の前記凸領域上および前記端面
が形成された凹領域部分上にわたって形成され、活性層
および上側クラッド層と必要に応じ形成される下側クラ
ッド層とを含む導波構造とを具えたことを特徴とする。

【０００９】また、この出願の第三発明によれば、導波
光に対し透明な窓領域を素子端部に有する半導体光素子
を製造する方法において、半導体基板に、半導体光素子
の素子長と実質的に同一な長さの凹領域または半導体光
素子の素子長と実質的に同一な長さの凸領域を形成する
工程と、該凹領域または凸領域の形成が済んだ半導体基
板上に下側クラッド層、活性層および上側クラッド層を
含む半導体層を積層する工程と（ただし、下側クラッド
層は必要に応じ形成されるものとする）、該半導体層の
積層が済んだ試料を、前記凹領域または凸領域より所定
寸法外側において分断して端面を得る工程とを含むこと
を特徴とする。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの出願の
各発明の実施の形態について説明する。しかしながら、
説明に用いる各図はこの発明を理解出来る程度に各構成
成分の寸法、形状および配置関係を概略的に示してある
にすぎない。また、各図において同様な構成成分につい
ては同一の番号を付して示してある。

【００１１】１．第一発明およびその製法例（第三発
明）の実施の形態先ず、第一発明および第三発明の実施の形態について図
１〜図４を参照して説明する。いずれの図も第三発明の
製造方法により第一発明の半導体光素子を製造する一形
態を説明するための工程図である。

【００１２】まず、半導体基板としての例えばｎ−Ｇａ
Ａｓ基板１１上に例えばＳｉＯ₂ 膜を蒸着し（図示せ
ず）、さらにこのＳｉＯ₂ 膜を、これが後述の凹領域形
成のためのマスクとなるようにフォトリソグラフィ技術
およびエッチング技術により加工する（図示せず）。そ
して、このｎ−ＧａＡｓ基板１１の上記マスクから露出
する部分を所定量エッチングして、このｎ−ＧａＡｓ基
板１１に半導体光素子の素子長と実質的に同一な長さの
凹領域１３を形成する。図１（Ａ）および（Ｂ）はこの
ように形成した凹領域１３の説明図であり、特に（Ａ）
は基板全体での様子を示した斜視図、（Ｂ）はその一部
（（Ａ）図のＰ部分）を拡大して示した斜視図である。
この図１（Ｂ）においては凹領域１３における素子長と
実質的に同一な長さは、Ｌを付した長さであり、例えば
約５００μｍとしている。また、凹領域１３における段
差ｄ_e を例えば２μｍとしている。なお、凹領域１３は
Ｌ方向と直交する方向では凹部が連続した状態としてい
るが（図１（Ａ）参照）、これに限られない。また、Ｌ
方向において並ぶそれぞれの凹領域１３の間の凸領域１
５の長さＭは、所望とする窓領域の長さの約２倍の長さ
としている。詳細は後述するが後にこの凸領域１５の中
央においてウエハをへき開することで個々の光素子およ
び各素子における所望の窓領域が得られるからである。
この例の場合では、凸領域１５の長さＭは約４０μｍと
している。

【００１３】次に、凹領域１３形成時に用いたマスクを
除去する。その後、この基板上に例えばＭＯＣＶＤ装置
を用いてｎ−ＧａＡｌＡｓ下側クラッド層１７（例えば
厚さ４μｍ）、アンドープＧａＡｌＡｓ活性層１９、ｐ
−ＧａＡｌＡｓ上側クラッド層２１（例えば厚さ２μ
ｍ）、ｐ⁺ −ＧａＡｓコンタクト層２３（例えば厚さ
０．２μｍ）を順次成長する（図２（Ａ））。なお、こ
の例の場合、光素子を導波する光（導波光）のフォトン
エネルギーに対してＧａＡｓ基板のバンドギャップエネ
ルギーが小さい場合に相当する（基板が導波光を吸収す
る場合に相当する）ので、下側クラッド層１７が必要で
あることから、下側クラッド層を形成している。この下
側クラッド層１７および上側クラッド層２１それぞれの
膜厚は、導波構造が成立するよう基本的な設計条件を満
足していれば任意好適な膜厚（通常は少なくとも１μｍ
程度）とできる。しかし、この第一発明では下側クラッ
ド層１７の膜厚ｄ_s は、詳細は後述するが、凹領域１３
における段差ｄ_e や、当該光素子を導波する光の素子端
面でのビーム直径ｄ_w を考慮した所定の厚さ（後述の
（１）式を満足する厚さ）とするのが良い。

【００１４】次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、
ストライプ方向が上記長さＬの方向で幅が約２μｍの例
えばＳｉＯ₂ からなるストライプ状のマスク２５を、ｐ
⁺ −ＧａＡｓコンタクト層２３上に形成する（図２
（Ｂ））。

【００１５】次に、ストライプ状のマスク２５から露出
している部分を、ドライエッチング法あるいはウエット
エッチング法により、アンドープＧａＡｌＡｓ活性層１
９表面に至るまでエッチングし、導波構造としての導波
路ストライプ２７（幅約３μｍ）を形成する（図３
（Ａ））。

【００１６】次に、図３（Ｂ）に示したように、導波路
ストライプ２７の両脇を例えばポリイミドなどの絶縁体
２９で覆う（ただし、図３（Ｂ）では絶縁体の一部のみ
示している。）。次に、上側オーミックコンタクト電極
３１および上側ボンディング電極３３をそれぞれ公知の
方法により形成する。

【００１７】次に、へき開可能な厚さまで基板１１の裏
面を研磨し、次いで、この研磨面に下側オーミックコン
タクト電極３５および下側ボンディング電極３７をそれ
ぞれ公知の方法により形成する。

【００１８】次に、この試料を前記凹領域１３に対し所
定寸法だけ前記素子長Ｌの方向における外側で分断して
端面を得ることを行なう。ここでは、隣接する凹領域１
３の間の凸領域１５の長さ方向の中央にて（図３（Ｂ）
中にＩ−Ｉ線をそれぞれ付した部分にて）へき開して端
面を得ると共に、チップ化を行なう。

【００１９】以上の工程により、第一発明の一形態であ
る半導体光素子４０が完成する（図４（Ａ））。すなわ
ち、表面に半導体光素子の素子長と実質的に同一な長さ
Ｌの凹領域１３が形成され、かつ、該長さ方向の延長上
において該凹領域１３に連なる凸領域１５（ここでは凹
領域１３の両側の各凸領域）に端面が形成されている半
導体基板１１と、該半導体基板１１の前記凹領域１１上
および前記端面が形成された凸領域部分上にわたって形
成され、下側クラッド層、活性層および上側クラッド層
とを含む導波構造２７とを具えた半導体光素子４０が得
られる。この半導体光素子４０においては、凸領域１５
上に窓領域４１が構成される。

【００２０】次に、凸領域４１上に窓領域４１が構成さ
れることの理解を深めるため、上記半導体光素子４０の
動作を説明する。この説明を図４（Ｂ）および（Ｃ）を
参照して行なう。ここで、図４（Ｂ）は図４（Ａ）にお
けるII−II線に沿った断面図、図４（Ｃ）は図４（Ａ）
におけるIII −III 線に沿った断面図である。

【００２１】図４（Ｂ）、図４（Ｃ）いずれにおいても
図中の点線Ｑ１またはＱ２は、導波光のおおよそのフィ
ールド分布を示している。この光素子４０では、上側、
下側の各オミックコンタクト電極３１、３５間に電流を
流した場合、活性層１９内での誘導放出作用によりＡＳ
Ｅ（アンプリファイド・スポンティニアス・エミッショ
ン）光が生じる。そして、この光素子４０の凹領域１３
上部分では、水平及び垂直方向ともに屈折率閉じ込め構
造になっているので導波モードは図４（Ｃ）中の点線Ｑ
２で囲まれた領域に閉じ込められる。これに対して、こ
の光素子４０の凸領域１５上部分では水平及び垂直方向
ともに屈折率閉じ込め構造になっていないので、導波光
は伝搬するに従って、広がっていく。この光は端面に反
射して戻ってくるが、更に広がるので、活性層１７にフ
ィードバックされる成分は非常に小さい。従ってこの光
素子４０においては凸領域１５上に窓領域４１が構成さ
れることが分かる。

【００２２】なお、凹領域１３における段差をｄ_e と
し、下側クラッド層１７の膜厚をｄ_sとし、凸領域１５
において広がりながら伝搬する光の、素子端面でのビー
ムの直径をｄ_w とすると、それらを以下の関係にするの
が望ましい。

【００２３】ｄ_s ＝２×ｄｅ≧ｄｗ・・・（１）こうすると、窓領域４１において導波光が基板１１に達
することが実質的に起きないので（図４（Ｂ）のＱ１の
下方境界と基板１１との関係参照）、導波光が基板１１
で吸収されることを防止できるからである。したがっ
て、上記の光素子４０の例でいえば、一般に凸領域１５
の長さＭは数十μｍ（この例では約２０μｍ）に設定さ
れ、そのときの光の広がりは数μｍから１０μｍ程度で
あるから、上記ｄ_w を例えばｄ_w ＝４μｍとすれば
（１）式より、ｄ_s ＝４μｍ以上、ｄｅ＝２μｍ以上と
するのが好適ということになる。

【００２４】もちろん、基板１１による導波光の吸収が
多少あっても良い場合は、基本的な導波構造が成立する
範囲において上記ｄ_s はもう少し薄くとも良い。

【００２５】また、もし、導波光のフォトンエネルギー
に対して半導体基板のバンドギャップエネルギーが大き
い場合（基板が導波光を吸収しない場合）は、原理的に
は下側クラッド層がなくても良いといえる。例えば、Ｉ
ｎＰ基板を用いて半導体光素子を構成する場合等がこの
例に当たる。その場合は、以下の（２）式を満足するよ
うに凹領域１３の段差ｄ_e を決めるのが良い。こうする
と、凹領域１３の端部から出た導波光のビームの上半分
が凸領域１５における活性層部分に至ることがないから
である。この場合、半導体基板としてＧａＡｓを用いる
場合に比べ、凹領域の段差ｄ_e は半分で良くなることが
分かる。

【００２６】ｄ_e ≧ｄ_w ／２・・・（２）もちろんこの場合も、凹領域１３の端部から出た導波光
のビームの上半分が凸領域１５における活性層部分に多
少至っても良いとしたなら、段差ｄ_e は、段差を利用し
て窓領域を構成するという本発明の目的が得られる範囲
でもう少し浅くとも良い。

【００２７】以上の説明から明らかなように、この第一
発明およびその製法（第三発明）によれば、基板に予め
凹凸構造を設けたことにより、以下の効果が得られる。
（１）．窓構造を形成するためだけの特別な結晶成長工
程が不要である。したがって、結晶成長工程は導波構造
を得るための１回の結晶成長工程で済む。（２）．Ｇａ
ＡｌＡｓ上への再成長工程が含まれないので、プロセス
中の表面酸化の問題から開放されることになり、プロセ
スの簡略化、歩留りの向上、信頼性の向上などが図れ
る。

【００２８】２．第二発明およびその製法例（第三発
明）の実施の形態次に、第二発明および第三発明の実施の形態について説
明する。この第二発明の第一発明との相違点は、第一発
明が凹凸における凸領域上に窓領域を構成していたのに
対し第二発明が凹凸における凹領域に窓領域を形成する
点である。以下、相違点について主に説明する。この説
明を図５を参照して行なう。ここでこの図５は図１と同
様な表記方法で示した斜視図である。

【００２９】この場合は、ｎ−ＧａＡｓ基板１１に半導
体光素子の素子長と実質的に同一な長さＬの凸領域５１
を形成する。この長さＬを例えば約５００μｍとする。
またこの凸領域５１の段差Ｌ_e は例えば２μｍとする。
また、Ｌ方向に連続する多数の凸領域５１の間の凹領域
５３の長さＮは、所望とする窓領域の長さの約２倍の長
さとする。上記凸領域５１は、公知のリソグラフィ技術
及びエッチング技術により、半導体基板１１に長さＮの
凹領域５３をピッチＬで形成することにより得られる。
その後は、第一発明の半導体光素子４０を製造した手順
と同様な手順で下側クラッド層（ただし、これは必要に
応じである。）、活性層および上側クラッド層等の各半
導体層の成長、導波路ストライプの形成、電極の形成、
へき開き（ただし、へき開位置は凹領域５３の中央部分
となる）を行なえば良い。このようにして第二発明の一
形態の半導体光素子６０が得られる（図６（Ａ）参
照）。すなわち、表面に半導体光素子の素子長と実質的
に同一な長さＬの凸領域５１が形成され、かつ、該長さ
方向の延長上において該凸領域５１に連なる凹領域５３
（ここでは凸領域５１の両側の各凹領域）に端面が形成
されている半導体基板１１と、該半導体基板１１の前記
凸領域５１上および前記端面が形成された凸領域部分上
にわたって形成され、下側クラッド層、活性層および上
側クラッド層を含む導波構造２７を具えた半導体光素子
６０が得られる。この半導体光素子６０においては、凹
領域５３上に窓領域６１が構成される。

【００３０】次に、凹領域５３上に窓領域６１が構成さ
れることの理解を深めるため、上記半導体光素子６０の
動作を説明する。この説明を図６（Ｂ）および（Ｃ）を
参照して行なう。ここで、図６（Ｂ）は図６（Ａ）にお
けるIV−IV線に沿った断面図、図６（Ｃ）は図６（Ａ）
におけるＶ−Ｖ線に沿った断面図である。

【００３１】図６（Ｂ）、図６（Ｃ）いずれにおいても
図中の点線Ｑ１またはＱ２は、導波光のおおよそのフィ
ールド分布を示している。この光素子６０では、凸部５
１上の部分すなわちＶ−Ｖ線の断面部分などでは点線Ｑ
２に囲まれている領域に導波モードは閉じ込められる
（図６（Ｃ）参照）。

【００３２】これに対し、この光素子６０の凹領域５３
部分すなわちIV−IV線の断面部分などでは、水平方向に
は閉じ込めがあるが、垂直方向には閉じ込めが無いの
で、第一発明の実施の形態において説明したと同様な現
象が起きるので窓構造としての作用が得られる。したが
って、この第二発明およびその製法においても、上述の
第一発明の実施の形態と同様な効果が得られる。

【００３３】なお、この第二発明の場合も、下側クラッ
ド層（必要に応じ形成する場合）および上側クラッド層
のそれぞれの膜厚は、導波構造が成立するよう基本的な
設計条件を満足していれば任意好適な膜厚（通常は少な
くとも１μｍ程度）とできる。しかし、この第二発明で
は上側クラッド層２１の膜厚ｄ_s は、上側クラッド層の
厚さをｄ_u 、凸領域５１における段差をｄ_e 、素子端面
でのビームの直径をｄ _w とした場合、以下の（３）式を
満たすのが良い。こうするとビームは上側クラッド層２
１内を導波するので窓領域途中でビームが空気に出るこ
とを防止できるからである（図６（Ｂ）参照）。

【００３４】ｄ_u −ｄ_e ≧ｄ_w ／２・・・（３）３．他の実施の形態上述の各実施の形態における凹領域や凸領域の長さ、用
いた基板、基板の導電型は上記例に限られない。また、
素子内にグレーティング構造を内蔵させたりして、ＤＦ
ＢレーザあるいはＤＢＲレーザ構造にしたり、あるい
は、ＤＦＢレーザと変調器を内蔵させ、端面での反射を
抑制するのにもこの出願の各発明は有効である。図７に
は第一発明の形態であってＤＢＲ領域７１をさらに直列
に具えた構成例を示す。この図７の例からも理解される
ように、この出願の各発明においては凹領域に連なる凸
領域（凸領域に連なる凹領域）とは凹領域（凸領域）の
片側のみにに連なる場合も含むものとする。

【００３５】また、素子両端面にＡＲコーティングを施
して、半導体光変調器や、半導体光増幅器として用いる
場合にもこの出願の各発明は適用される。

【００３６】

【発明の効果】上述した説明から明らかなように、この
出願の各発明によれば半導体基板に設けた所定の凹領域
よび凸領域における段差を利用して窓領域を構成してい
るので：窓構造を形成するためだけの特別な結晶成長工程を
不要にできる。したがって、結晶成長工程は導波構造を
得るための１回の結晶成長工程で済む。：ＧａＡｌＡ
ｓ上への再成長工程が含まれないので、プロセス中の表
面酸化の問題から開放されることになり、プロセスの簡
略化、歩留りの向上、信頼性の向上などが図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第一および第三発明の実施の形態の説明図であ
る。

【図２】第一および第三発明の実施の形態の図１に続く
説明図である。

【図３】第一および第三発明の実施の形態の図２に続く
説明図である。

【図４】第一および第三発明の実施の形態の図３に続く
説明図である。

【図５】第二および第三発明の実施の形態の説明図であ
る。

【図６】第二および第三発明の実施の形態の図５に続く
説明図である。

【図７】他の実施の形態の説明図である。

【符号の説明】

１１：半導体基板１３：素子長と実質的に同一な長さの凹領域１５：凸領域１７：下側クラッド層１９：活性層２１：上側クラッド層２３：コンタクト層２７：導波構造４０：第一発明の実施の形態の半導体光素子４１：窓領域５１：素子長と実質的に同一な長さの凸領域５３：凹領域６０：第二発明の実施の一形態の半導体光素子６１：窓領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導波光に対し透明な窓領域を素子端部に
有する半導体光素子において、表面に半導体光素子の素子長と実質的に同一な長さの凹
領域が形成され、かつ、該長さ方向の延長上において該
凹領域に連なる凸領域に端面が形成されている半導体基
板と、該半導体基板の前記凹領域上および前記端面が形成され
た凸領域部分上にわたって形成され、活性層および上側
クラッド層と必要に応じ形成される下側クラッド層とを
含む導波構造とを具えたことを特徴とする半導体光素
子。
【請求項２】請求項１に記載の半導体光素子におい
て、前記下側クラッド層の厚さをｄ_s 、前記凹領域および凸
領域間の段差をｄ_e 、導波光の素子端面におけるビーム
直径をｄ_w とそれぞれしたとき、以下の（１）式または（２）式を満たすように前記ｄ_s
またはｄ_e を設定してあることを特徴とする半導体光素
子（ただし、（１）式は導波光のフォトンエネルギーに
対して半導体基板のバンドギャップエネルギーが小さい
場合に適用し、（２）式は導波光のフォトンエネルギー
に対して半導体基板のバンドギャップエネルギーが大き
い場合に適用する。）。ｄ_s ＝２×ｄ_e ≧ｄ_w ・・・（１）ｄ_e ≧ｄ_w ／２・・・（２）
【請求項３】導波光に対し透明な窓領域を素子端部に
有する半導体光素子において、表面に半導体光素子の素子長と実質的に同一な長さの凸
領域が形成され、かつ、該長さ方向の延長上において該
凸領域に連なる凹領域に端面が形成されている半導体基
板と、該半導体基板の前記凸領域上および前記端面が形成され
た凹領域部分上にわたって形成され、活性層および上側
クラッド層と必要に応じ形成される下側クラッド層とを
含む導波構造とを具えたことを特徴とする半導体光素
子。
【請求項４】請求項３に記載の半導体光素子におい
て、前記上側クラッド層の厚さをｄ_u 、前記凹領域および凸
領域間の段差をｄ_e 、導波光の発光端面におけるビーム
直径をｄ_w とそれぞれしたとき、以下の（３）式を満たすように前記ｄ_u を設定してある
ことを特徴とする半導体光素子。ｄ_u −ｄ_e ≧ｄ_w ／２・・・（３）
【請求項５】導波光に対し透明な窓領域を素子端部に
有する半導体光素子を製造する方法において、半導体基板に、半導体光素子の素子長と実質的に同一な
長さの凹領域または半導体光素子の素子長と実質的に同
一な長さの凸領域を形成する工程と、該凹領域または凸領域の形成が済んだ半導体基板上に下
側クラッド層、活性層および上側クラッド層とを含む半
導体層を積層する工程と（ただし、下側クラッド層は必
要に応じ形成されるものとする）、該半導体層の積層が済んだ試料を、前記凹領域または凸
領域に対し所定寸法だけ前記素子長の方向における外側
で分断して端面を得る工程とを含むことを特徴とする半
導体光素子の製造方法。
【請求項６】請求項５に記載の半導体光素子の製造方
法において、（Ｉ）．前記半導体基板に前記凹領域を形成する場合
は、前記下側クラッド層の厚さをｄ_s 、前記凹領域により生
じる段差をｄ_e 、導波光の素子端面におけるビーム直径
をｄ_w とそれぞれしたとき、以下の（１）式または
（２）式を満たすように前記ｄ_s またはｄ_e を設定し
（ただし、（１）式は導波光のフォトンエネルギーに対
して半導体基板のバンドギャップエネルギーが小さい場
合に適用し、（２）式は導波光のフォトンエネルギーに
対して半導体基板のバンドギャップエネルギーが大きい
場合に適用する。）、（II）．前記半導体基板に前記凸領域を形成する場合
は、前記上側クラッド層の厚さをｄ_u 、前記凸領域により生
じる段差をｄ_e 、導波光の発光端面におけるビーム直径
をｄ_w とそれぞれしたとき、以下の（３）式を満たすよ
うに前記ｄ_u を設定することを特徴とする半導体光素子
の製造方法。ｄ_s ＝２×ｄ_e ≧ｄ_w ・・・（１）ｄ_e ≧ｄ_w ／２・・・（２）ｄ_u −ｄ_e ≧ｄ_w ／２・・・（３）