JPH0786687A - 半導体レーザ装置、その製造方法及び半導体レーザ用ウエハ - Google Patents
半導体レーザ装置、その製造方法及び半導体レーザ用ウエハInfo
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- JPH0786687A JPH0786687A JP22577693A JP22577693A JPH0786687A JP H0786687 A JPH0786687 A JP H0786687A JP 22577693 A JP22577693 A JP 22577693A JP 22577693 A JP22577693 A JP 22577693A JP H0786687 A JPH0786687 A JP H0786687A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 へき開端面の形成時に発生するへき開ずれに
よる段差で、半導体レーザの特性が悪くなるのを防止で
きる半導体レーザ用ウエハを得る。 【構成】 裏面からへき開用の刃を押し合ててへき開す
る場合に対応したウエハとして、活性層を含むＡｌＧａ
Ａｓ層９より下に、ＧａＡｓ層１６のＧａＡｓよりもへ
き開段差の入りやすい材料の層としてＡｌＧａＡｓ層１
５を設ける。そして、エッチングによって形成される素
子分離溝２の深さは、ＡｌＧａＡｓ層１５よりも深くす
る。 【効果】 素子分離溝２の隅から発生するへき開段差
は、活性層を含む層９より下のＡｌＧａＡｓ層１５に集
中するため、リッジ１１あるいは発光部１２にかかるよ
うなへき開段差の発生を防止することができる。
よる段差で、半導体レーザの特性が悪くなるのを防止で
きる半導体レーザ用ウエハを得る。 【構成】 裏面からへき開用の刃を押し合ててへき開す
る場合に対応したウエハとして、活性層を含むＡｌＧａ
Ａｓ層９より下に、ＧａＡｓ層１６のＧａＡｓよりもへ
き開段差の入りやすい材料の層としてＡｌＧａＡｓ層１
５を設ける。そして、エッチングによって形成される素
子分離溝２の深さは、ＡｌＧａＡｓ層１５よりも深くす
る。 【効果】 素子分離溝２の隅から発生するへき開段差
は、活性層を含む層９より下のＡｌＧａＡｓ層１５に集
中するため、リッジ１１あるいは発光部１２にかかるよ
うなへき開段差の発生を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、へき開端面を有する
半導体レーザを製造するための半導体ウエハ及びそれに
よって製造される半導体レーザに関し、特にへき開用の
刃を押し当ててへき開端面を形成する際に発生する段差
の発生部位の制御が可能な半導体レーザ製造用の半導体
ウエハ及びそれにより製造される半導体レーザに関する
ものである。
半導体レーザを製造するための半導体ウエハ及びそれに
よって製造される半導体レーザに関し、特にへき開用の
刃を押し当ててへき開端面を形成する際に発生する段差
の発生部位の制御が可能な半導体レーザ製造用の半導体
ウエハ及びそれにより製造される半導体レーザに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の半導体レーザのへき開端面
を示す側面図であり、へき開した際にへき開端面に発生
する段差の例を示したものである。図において、１ａは
半導体レーザに使用されるチップが複数形成された半導
体ウエハをバー状にへき開したもの、２は素子を分離す
るために設けられウエハ表面から発光部より下まで彫ら
れた素子分離溝、３は素子を分離するためのウエハ裏面
側の素子分離溝、７は半導体ウエハをへき開することに
よってできたへき開端面、８はＧａＡｓ基板、９はＧａ
Ａｓ基板８の上に形成され、活性層を含むＡｌＧａＡｓ
層、１０は活性層を含むＡｌＧａＡｓ層９の上に形成さ
れたＧａＡｓ層、１１はＡｌＧａＡｓ層９に形成された
リッジ、１２はレーザ光線を照射する発光部、１３ａ〜
１３ｃはへき開端面７にできたへき開段差である。
を示す側面図であり、へき開した際にへき開端面に発生
する段差の例を示したものである。図において、１ａは
半導体レーザに使用されるチップが複数形成された半導
体ウエハをバー状にへき開したもの、２は素子を分離す
るために設けられウエハ表面から発光部より下まで彫ら
れた素子分離溝、３は素子を分離するためのウエハ裏面
側の素子分離溝、７は半導体ウエハをへき開することに
よってできたへき開端面、８はＧａＡｓ基板、９はＧａ
Ａｓ基板８の上に形成され、活性層を含むＡｌＧａＡｓ
層、１０は活性層を含むＡｌＧａＡｓ層９の上に形成さ
れたＧａＡｓ層、１１はＡｌＧａＡｓ層９に形成された
リッジ、１２はレーザ光線を照射する発光部、１３ａ〜
１３ｃはへき開端面７にできたへき開段差である。
【０００３】半導体レーザは、バー状にへき開されたも
の１ａを素子分離溝２で切離されて１個の半導体レーザ
となる。そして、ＧａＡｓ層１０の表面に形成される電
極とＧａＡｓ基板８の裏面に形成される電極との間に電
流を流すことによって、発光部１２よりレーザ光線を照
射する。
の１ａを素子分離溝２で切離されて１個の半導体レーザ
となる。そして、ＧａＡｓ層１０の表面に形成される電
極とＧａＡｓ基板８の裏面に形成される電極との間に電
流を流すことによって、発光部１２よりレーザ光線を照
射する。
【０００４】次に、従来の半導体レーザのへき開方法及
びその方法によってできるへき開段差の発生例について
図６を用いて説明する。図６は半導体ウエハ１のへき開
工程を示す斜視図である。へき開端面を形成するには、
図６のように、例えば半導体ウエハ１の表面のへき開ラ
イン４に沿ってへき開用刃５（例えばカミソリやメスの
刃、または専用のへき開装置の刃であってもよい）を押
しあてて、へき開用刃５を支点として半導体ウエハ１を
上に折り曲げるような力を加え、半導体ウエハ１をバー
状の半導体ウエハ１ａにへき開する。このときできたへ
き開面が例えば図４に示したへき開端面７となる。
びその方法によってできるへき開段差の発生例について
図６を用いて説明する。図６は半導体ウエハ１のへき開
工程を示す斜視図である。へき開端面を形成するには、
図６のように、例えば半導体ウエハ１の表面のへき開ラ
イン４に沿ってへき開用刃５（例えばカミソリやメスの
刃、または専用のへき開装置の刃であってもよい）を押
しあてて、へき開用刃５を支点として半導体ウエハ１を
上に折り曲げるような力を加え、半導体ウエハ１をバー
状の半導体ウエハ１ａにへき開する。このときできたへ
き開面が例えば図４に示したへき開端面７となる。
【０００５】図７は、図６に示した半導体ウエハをへき
開してできたバー状のものを示す斜視図である。図にお
いて、１ａが図６に示した半導体ウエハ１をへき開して
できたバー状のもの、７ａ，７ｂは半導体ウエハ１側に
できたへき開端面及びバー状のもの１ａ側のへき開端面
であり、その他図６と同一符号のものは図６に示したも
のに相当する部分を示す。
開してできたバー状のものを示す斜視図である。図にお
いて、１ａが図６に示した半導体ウエハ１をへき開して
できたバー状のもの、７ａ，７ｂは半導体ウエハ１側に
できたへき開端面及びバー状のもの１ａ側のへき開端面
であり、その他図６と同一符号のものは図６に示したも
のに相当する部分を示す。
【０００６】へき開が完全であれば、へき開端面７ａ，
７ｂにへき開段差は発生しないが、応力集中部を起点と
した方位ずれなどがあると、図４に示すような階段状の
へき開段差１３ａ〜１３ｃが発生する。
７ｂにへき開段差は発生しないが、応力集中部を起点と
した方位ずれなどがあると、図４に示すような階段状の
へき開段差１３ａ〜１３ｃが発生する。
【０００７】なお、図５は半導体ウエハ１の裏面からへ
き開用刃５を押しあててへき開した場合の例である。図
５において、１ａは半導体レーザに使用されるチップが
複数形成された半導体ウエハをバー状にへき開したも
の、１４ａ，１４ｂはへき開端面７にできたへき開段差
であり、その他図４と同一符号のものは図４に示したも
のに相当する部分である。
き開用刃５を押しあててへき開した場合の例である。図
５において、１ａは半導体レーザに使用されるチップが
複数形成された半導体ウエハをバー状にへき開したも
の、１４ａ，１４ｂはへき開端面７にできたへき開段差
であり、その他図４と同一符号のものは図４に示したも
のに相当する部分である。
【０００８】図４において、へき開用刃５を押しあてた
のと反対側（この場合は裏面）の素子分離溝３を起点と
して裏面に平行な方向にへき開段差１３ａ〜１３ｃが発
生し、幾本かは表面の応力集中部（表面の素子分離溝ク
ラック、あるいは結晶欠陥部、素子分離溝のエッチング
の際のエッチング端の微細な凹凸部など）を終点とし
て、裏面に垂直な方向へ延びるへき開段差１３ｂ，１３
ｃとなる。この時、場合によってはリッジ１１あるいは
発光部１２を横切るようなへき開段差１３ｃが発生す
る。リッジ１１あるいは発光部１２を横切るようなへき
開段差１３ｃは、半導体レーザの特性を劣化させるが、
このような段差が発生するかしないかは、裏面あるいは
表面の応力集中部の有無や、へき開の際の力のかかり具
合によって決まる。そのため、現在の半導体ウエハにお
いて上記の方法によってへき開する場合、へき開段差１
３ｃの発生を防ぐことは困難である。
のと反対側（この場合は裏面）の素子分離溝３を起点と
して裏面に平行な方向にへき開段差１３ａ〜１３ｃが発
生し、幾本かは表面の応力集中部（表面の素子分離溝ク
ラック、あるいは結晶欠陥部、素子分離溝のエッチング
の際のエッチング端の微細な凹凸部など）を終点とし
て、裏面に垂直な方向へ延びるへき開段差１３ｂ，１３
ｃとなる。この時、場合によってはリッジ１１あるいは
発光部１２を横切るようなへき開段差１３ｃが発生す
る。リッジ１１あるいは発光部１２を横切るようなへき
開段差１３ｃは、半導体レーザの特性を劣化させるが、
このような段差が発生するかしないかは、裏面あるいは
表面の応力集中部の有無や、へき開の際の力のかかり具
合によって決まる。そのため、現在の半導体ウエハにお
いて上記の方法によってへき開する場合、へき開段差１
３ｃの発生を防ぐことは困難である。
【０００９】また図５においては、表面の素子分離溝２
を起点として表面（あるいは裏面）に垂直な方向のへき
開段差１４ａおよび表面の素子分離溝２を起点として、
ＡｌＧａＡｓ層９に沿ったへき開段差１４ｂが発生す
る。ＡｌＧａＡｓ層９に沿って発生するへき開段差１４
ｂはＧａＡｓ基板８，ＡｌＧａＡｓ層９，ＧａＡｓ層１
０にまたがって、波状に発生する。このＡｌＧａＡｓ層
９に沿ったへき開段差１４ｂが発光部１２にかかった場
合、半導体レーザの特性を劣化させるが、その発生を未
然に防ぐことは困難である。
を起点として表面（あるいは裏面）に垂直な方向のへき
開段差１４ａおよび表面の素子分離溝２を起点として、
ＡｌＧａＡｓ層９に沿ったへき開段差１４ｂが発生す
る。ＡｌＧａＡｓ層９に沿って発生するへき開段差１４
ｂはＧａＡｓ基板８，ＡｌＧａＡｓ層９，ＧａＡｓ層１
０にまたがって、波状に発生する。このＡｌＧａＡｓ層
９に沿ったへき開段差１４ｂが発光部１２にかかった場
合、半導体レーザの特性を劣化させるが、その発生を未
然に防ぐことは困難である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザは
以上のように構成されているので、へき開によって、半
導体レーザのへき開端面を形成する際に、リッジ１１あ
るいは発光部１２にへき開段差が発生する場合があり、
半導体レーザの特性を劣化させてしまうという問題点が
あった。
以上のように構成されているので、へき開によって、半
導体レーザのへき開端面を形成する際に、リッジ１１あ
るいは発光部１２にへき開段差が発生する場合があり、
半導体レーザの特性を劣化させてしまうという問題点が
あった。
【００１１】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、へき開段差がリッジあるいは発
光部に発生するのを防止し、半導体レーザの特性の劣化
を防ぐことを目的とする。
ためになされたもので、へき開段差がリッジあるいは発
光部に発生するのを防止し、半導体レーザの特性の劣化
を防ぐことを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る半導体
レーザ用ウエハは、半導体基板の表面に積層された複数
の半導体層を有し、これを第１の方向に走るへき開ライ
ンと第２の方向に走る素子分離溝とに沿って切り離すこ
とにより複数の半導体レーザ装置に分離される半導体レ
ーザ用ウエハにおいて、前記複数の半導体層は、前記へ
き開ラインに沿ったへき開端面において発光部を規定す
る活性層を含む層と、前記活性層を含む層と前記半導体
基板との間に、前記活性層を含む層の側に他の前記半導
体層を挟んで設けられ、該他の半導体層の材質よりもへ
き開ずれによって発生する段差の入りやすい材質の層と
を備え、前記素子分離溝は前記半導体基板の表面側から
少なくとも前記段差の入りやすい材質の層に到達する深
さを有することを特徴とする。
レーザ用ウエハは、半導体基板の表面に積層された複数
の半導体層を有し、これを第１の方向に走るへき開ライ
ンと第２の方向に走る素子分離溝とに沿って切り離すこ
とにより複数の半導体レーザ装置に分離される半導体レ
ーザ用ウエハにおいて、前記複数の半導体層は、前記へ
き開ラインに沿ったへき開端面において発光部を規定す
る活性層を含む層と、前記活性層を含む層と前記半導体
基板との間に、前記活性層を含む層の側に他の前記半導
体層を挟んで設けられ、該他の半導体層の材質よりもへ
き開ずれによって発生する段差の入りやすい材質の層と
を備え、前記素子分離溝は前記半導体基板の表面側から
少なくとも前記段差の入りやすい材質の層に到達する深
さを有することを特徴とする。
【００１３】第２の発明に係る半導体レーザ装置の製造
方法は、第１の発明の半導体レーザ用ウエハを用いる半
導体レーザ装置の製造方法において、前記半導体レーザ
用ウエハを準備する工程と、前記半導体レーザ用ウエハ
の裏面側にへき開用刃を押し当てて、該へき開用刃を支
点として前記半導体レーザ用ウエハを半導体基板の裏面
側へ向けて折り曲げることによって、前記へき開ライン
に沿ってへき開する工程と、前記素子分離溝に沿って半
導体レーザ装置を分離する工程とを備えて構成されてい
る。
方法は、第１の発明の半導体レーザ用ウエハを用いる半
導体レーザ装置の製造方法において、前記半導体レーザ
用ウエハを準備する工程と、前記半導体レーザ用ウエハ
の裏面側にへき開用刃を押し当てて、該へき開用刃を支
点として前記半導体レーザ用ウエハを半導体基板の裏面
側へ向けて折り曲げることによって、前記へき開ライン
に沿ってへき開する工程と、前記素子分離溝に沿って半
導体レーザ装置を分離する工程とを備えて構成されてい
る。
【００１４】第３の発明に係る半導体レーザ装置は、第
１の発明の半導体レーザ用ウエハを前記へき開ラインに
沿ってへき開し、前記素子分離溝に沿って分離すること
によって得られる半導体レーザ装置であって、前記活性
層を含む層は、前記へき開端面に前記発光部を有し、前
記半導体基板の裏面に形成された第１の電極と、前記複
数の半導体層の上に形成された第２の電極とを備え、前
記第１の電極と前記第２の電極との間に電流を流すこと
によって前記発光部からレーザ光線を照射することを特
徴とする。
１の発明の半導体レーザ用ウエハを前記へき開ラインに
沿ってへき開し、前記素子分離溝に沿って分離すること
によって得られる半導体レーザ装置であって、前記活性
層を含む層は、前記へき開端面に前記発光部を有し、前
記半導体基板の裏面に形成された第１の電極と、前記複
数の半導体層の上に形成された第２の電極とを備え、前
記第１の電極と前記第２の電極との間に電流を流すこと
によって前記発光部からレーザ光線を照射することを特
徴とする。
【００１５】第４の発明に係る半導体レーザ用ウエハ
は、半導体基板の表面及び裏面に積層された複数の半導
体層を有し、これを第１の方向に走るへき開ラインと第
２の方向に走る素子分離溝とに沿って切り離すことによ
り複数の半導体レーザ装置に分離される半導体レーザ用
ウエハにおいて、前記複数の半導体層は、前記半導体基
板の表面側に設けられ、前記へき開ラインに沿ったへき
開端面において発光部を規定する活性層を含む層と、前
記半導体基板の裏面側に設けられ、前記半導体基板の材
質よりもへき開ずれによって発生する段差の入りやすい
材質の層とを備えて構成されている。
は、半導体基板の表面及び裏面に積層された複数の半導
体層を有し、これを第１の方向に走るへき開ラインと第
２の方向に走る素子分離溝とに沿って切り離すことによ
り複数の半導体レーザ装置に分離される半導体レーザ用
ウエハにおいて、前記複数の半導体層は、前記半導体基
板の表面側に設けられ、前記へき開ラインに沿ったへき
開端面において発光部を規定する活性層を含む層と、前
記半導体基板の裏面側に設けられ、前記半導体基板の材
質よりもへき開ずれによって発生する段差の入りやすい
材質の層とを備えて構成されている。
【００１６】第５の発明に係る半導体レーザ装置の製造
方法は、第４の発明の半導体レーザ用ウエハを用いる半
導体レーザ装置の製造方法であって、前記半導体レーザ
用ウエハを準備する工程と、前記半導体レーザ用ウエハ
の表面側にへき開用刃を押し当てて、該へき開用刃を支
点として前記半導体レーザ用ウエハを半導体基板の表面
側へ向けて折り曲げることによって、前記へき開ライン
に沿ってへき開する工程と、前記素子分離溝に沿って半
導体レーザ装置を分離する工程とを備えて構成されてい
る。
方法は、第４の発明の半導体レーザ用ウエハを用いる半
導体レーザ装置の製造方法であって、前記半導体レーザ
用ウエハを準備する工程と、前記半導体レーザ用ウエハ
の表面側にへき開用刃を押し当てて、該へき開用刃を支
点として前記半導体レーザ用ウエハを半導体基板の表面
側へ向けて折り曲げることによって、前記へき開ライン
に沿ってへき開する工程と、前記素子分離溝に沿って半
導体レーザ装置を分離する工程とを備えて構成されてい
る。
【００１７】第６の発明に係る半導体レーザ装置は、第
４の発明の半導体レーザ用ウエハを前記へき開ラインに
沿ってへき開し、前記素子分離溝に沿って分離すること
によって得られる半導体レーザ装置であって、前記活性
層を含む層は、前記へき開端面に前記発光部を有し、前
記段差の入りやすい材質の層の裏面に形成された第１の
電極と、前記複数の半導体層の上に形成された第２の電
極とを備え、前記第１の電極と前記第２の電極との間に
電流を流すことによって前記発光部からレーザ光線を照
射することを特徴とする。
４の発明の半導体レーザ用ウエハを前記へき開ラインに
沿ってへき開し、前記素子分離溝に沿って分離すること
によって得られる半導体レーザ装置であって、前記活性
層を含む層は、前記へき開端面に前記発光部を有し、前
記段差の入りやすい材質の層の裏面に形成された第１の
電極と、前記複数の半導体層の上に形成された第２の電
極とを備え、前記第１の電極と前記第２の電極との間に
電流を流すことによって前記発光部からレーザ光線を照
射することを特徴とする。
【００１８】
【作用】第１の発明における段差の入りやすい材質の層
は、例えば半導体レーザ用ウエハが半導体基板の裏面側
に押し当てた刃を支点としてへき開された場合には素子
分離溝の隅からへき開ずれによる段差が入りやすいの
で、へき開端面の断面を伝って活性層を含む層に向かっ
て延びようとするへき開段差をその層内に誘導し、その
層からさらに活性層の方へ延びるのを防止することがで
きる。
は、例えば半導体レーザ用ウエハが半導体基板の裏面側
に押し当てた刃を支点としてへき開された場合には素子
分離溝の隅からへき開ずれによる段差が入りやすいの
で、へき開端面の断面を伝って活性層を含む層に向かっ
て延びようとするへき開段差をその層内に誘導し、その
層からさらに活性層の方へ延びるのを防止することがで
きる。
【００１９】第２の発明におけるへき開する工程は、半
導体レーザ用ウエハの裏面側にへき開用刃を押し当て
て、該へき開用刃を支点として半導体レーザ用ウエハを
半導体基板の裏面側へ向けて折り曲げるが、その際素子
分離溝の隅からへき開ずれによる段差が入りやすいの
で、へき開端面の断面を伝って活性層を含む層に向かっ
て延びようとするへき開段差を段差の入りやすい材質の
層内に誘導し、その層からさらに活性層の方へ延びるの
を防止しつつへき開を行うことができる。
導体レーザ用ウエハの裏面側にへき開用刃を押し当て
て、該へき開用刃を支点として半導体レーザ用ウエハを
半導体基板の裏面側へ向けて折り曲げるが、その際素子
分離溝の隅からへき開ずれによる段差が入りやすいの
で、へき開端面の断面を伝って活性層を含む層に向かっ
て延びようとするへき開段差を段差の入りやすい材質の
層内に誘導し、その層からさらに活性層の方へ延びるの
を防止しつつへき開を行うことができる。
【００２０】第３の発明における発光部は、活性層を含
む層に設けられ、例えば半導体レーザ用ウエハが半導体
基板の裏面側に押し当てた刃を支点としてへき開された
場合には素子分離溝の隅からへき開ずれによる段差が入
りやすいので、へき開端面の断面を伝って活性層を含む
層に向かって延びようとするへき開段差をへき開段差の
入りやすい層内に誘導し、その層からさらに活性層の方
へ延びないため、へき開段差から防護されている。そし
て、へき開段差の入りやすい層を通して第１及び第２の
電極間に流れる電流によって発光部からレーザ光線を照
射することができる。
む層に設けられ、例えば半導体レーザ用ウエハが半導体
基板の裏面側に押し当てた刃を支点としてへき開された
場合には素子分離溝の隅からへき開ずれによる段差が入
りやすいので、へき開端面の断面を伝って活性層を含む
層に向かって延びようとするへき開段差をへき開段差の
入りやすい層内に誘導し、その層からさらに活性層の方
へ延びないため、へき開段差から防護されている。そし
て、へき開段差の入りやすい層を通して第１及び第２の
電極間に流れる電流によって発光部からレーザ光線を照
射することができる。
【００２１】第４の発明における段差の入りやすい材質
の層は、例えば半導体レーザ用ウエハが半導体基板の表
面側に押し当てた刃を支点としてへき開された場合には
半導体基板の裏面側からへき開ずれによる段差が入りや
すいので、半導体基板の裏面からへき開端面の断面を伝
って活性層を含む層に向かって延びようとするへき開段
差をその層内に集中し、その層からさらに活性層の方へ
延びるのを防止することができる。
の層は、例えば半導体レーザ用ウエハが半導体基板の表
面側に押し当てた刃を支点としてへき開された場合には
半導体基板の裏面側からへき開ずれによる段差が入りや
すいので、半導体基板の裏面からへき開端面の断面を伝
って活性層を含む層に向かって延びようとするへき開段
差をその層内に集中し、その層からさらに活性層の方へ
延びるのを防止することができる。
【００２２】第５の発明におけるへき開する工程は、半
導体レーザ用ウエハの表面側にへき開用刃を押し当て
て、該へき開用刃を支点として半導体レーザ用ウエハを
その表面側へ向けて折り曲げるが、その際半導体基板の
裏面側からへき開ずれによる段差が入りやすいので、へ
き開端面の断面を伝って活性層を含む層に向かって延び
ようとするへき開段差を段差の入りやすい材質の層内に
集中し、その層からさらに活性層の方へ延びるのを防止
しつつへき開を行うことができる。
導体レーザ用ウエハの表面側にへき開用刃を押し当て
て、該へき開用刃を支点として半導体レーザ用ウエハを
その表面側へ向けて折り曲げるが、その際半導体基板の
裏面側からへき開ずれによる段差が入りやすいので、へ
き開端面の断面を伝って活性層を含む層に向かって延び
ようとするへき開段差を段差の入りやすい材質の層内に
集中し、その層からさらに活性層の方へ延びるのを防止
しつつへき開を行うことができる。
【００２３】第６の発明における発光部は、活性層を含
む層に設けられ、例えば半導体レーザ用ウエハが半導体
基板の裏面側に押し当てた刃を支点としてへき開された
場合には素子分離溝の隅からへき開ずれによる段差が入
りやすいので、へき開端面の断面を伝って活性層を含む
層に向かって延びようとするへき開段差をへき開段差の
入りやすい層内に集中し、その層からさらに活性層の方
へ延びないため、へき開段差から防護されている。そし
て、へき開段差の入りやすい層を通して第１及び第２の
電極間に流れる電流によって発光部からレーザ光線を照
射することができる。
む層に設けられ、例えば半導体レーザ用ウエハが半導体
基板の裏面側に押し当てた刃を支点としてへき開された
場合には素子分離溝の隅からへき開ずれによる段差が入
りやすいので、へき開端面の断面を伝って活性層を含む
層に向かって延びようとするへき開段差をへき開段差の
入りやすい層内に集中し、その層からさらに活性層の方
へ延びないため、へき開段差から防護されている。そし
て、へき開段差の入りやすい層を通して第１及び第２の
電極間に流れる電流によって発光部からレーザ光線を照
射することができる。
【００２４】
【実施例】以下、この発明の第１実施例について図１を
用いて説明する。図１はこの発明の第１実施例による半
導体レーザ用ウエハの構成を示す側面図である。また、
図１には、半導体ウエハの裏面にへき開用刃を押しあて
て、へき開用刃を支点として半導体ウエハを図の下方向
に折り曲げるような力を加え際、半導体レーザのへき開
端面に発生したへき開段差の例を示す。図において、１
ｃは半導体レーザに使用されるチップが複数形成された
半導体ウエハをバー状にへき開したもの、１４ｃ，１４
ｄはへき開端面７にできたへき開段差、１５はＧａＡｓ
基板８上に形成されたＡｌＧａＡｓ層、１６はＡｌＧａ
Ａｓ層１５上に形成されたＧａＡｓ層であり、図４と同
一符号で示したものは図４で示したものに相当する部分
を示す。ここで、ＧａＡｓ層１０の表面に形成される電
極とＧａＡｓ基板８の裏面に形成される電極との間に電
流を流してレーザ発振を行うが、図１に示したＧａＡｓ
層１０、ＡｌＧａＡｓ層９及びＧａＡｓ層１６によって
良好なレーザ光線を得ることができる。
用いて説明する。図１はこの発明の第１実施例による半
導体レーザ用ウエハの構成を示す側面図である。また、
図１には、半導体ウエハの裏面にへき開用刃を押しあて
て、へき開用刃を支点として半導体ウエハを図の下方向
に折り曲げるような力を加え際、半導体レーザのへき開
端面に発生したへき開段差の例を示す。図において、１
ｃは半導体レーザに使用されるチップが複数形成された
半導体ウエハをバー状にへき開したもの、１４ｃ，１４
ｄはへき開端面７にできたへき開段差、１５はＧａＡｓ
基板８上に形成されたＡｌＧａＡｓ層、１６はＡｌＧａ
Ａｓ層１５上に形成されたＧａＡｓ層であり、図４と同
一符号で示したものは図４で示したものに相当する部分
を示す。ここで、ＧａＡｓ層１０の表面に形成される電
極とＧａＡｓ基板８の裏面に形成される電極との間に電
流を流してレーザ発振を行うが、図１に示したＧａＡｓ
層１０、ＡｌＧａＡｓ層９及びＧａＡｓ層１６によって
良好なレーザ光線を得ることができる。
【００２５】図１に示した構造の半導体レーザ用ウエハ
をへき開した場合のへき開段差の発生について説明す
る。図１に示すように、活性層を含むＡｌＧａＡｓ層９
の下に、ＧａＡｓ層１６を挟んで、ＡｌＧａＡｓ層１５
を設ける。
をへき開した場合のへき開段差の発生について説明す
る。図１に示すように、活性層を含むＡｌＧａＡｓ層９
の下に、ＧａＡｓ層１６を挟んで、ＡｌＧａＡｓ層１５
を設ける。
【００２６】そして、表面の素子分離溝２をエッチング
により形成する際に、ＡｌＧａＡｓ層１５の下のＧａＡ
ｓ基板８までエッチングをする。次に、このウエハの裏
面からへき開用刃５を押しあてる方法でへき開すると、
ウエハ表面の素子分離溝２を起点として裏面に向かうへ
き開段差１４ｃと、表面の素子分離溝２を起点として、
ＡｌＧａＡｓ層１５に沿ったへき開段差１４ｄが発生す
る。
により形成する際に、ＡｌＧａＡｓ層１５の下のＧａＡ
ｓ基板８までエッチングをする。次に、このウエハの裏
面からへき開用刃５を押しあてる方法でへき開すると、
ウエハ表面の素子分離溝２を起点として裏面に向かうへ
き開段差１４ｃと、表面の素子分離溝２を起点として、
ＡｌＧａＡｓ層１５に沿ったへき開段差１４ｄが発生す
る。
【００２７】このように、活性層を含むＡｌＧａＡｓ層
９より下のＡｌＧａＡｓ層１５にへき開段差１４ｄを集
中させるようにすることによって、リッジ１１あるいは
発光部１２にへき開段差ができるのを防ぐことができ、
その結果、半導体レーザの特性劣化を防止することがで
きる。
９より下のＡｌＧａＡｓ層１５にへき開段差１４ｄを集
中させるようにすることによって、リッジ１１あるいは
発光部１２にへき開段差ができるのを防ぐことができ、
その結果、半導体レーザの特性劣化を防止することがで
きる。
【００２８】また、上記実施例では、表面の素子分離溝
２のエッチングの際に、へき開段差誘導用のＡｌＧａＡ
ｓ層１５の下までエッチングすることとしたが、図２に
示すように、ＡｌＧａＡｓ層１７の上端でエッチングを
とめてもよい。この場合、ＡｌＧａＡｓ層１７の組成を
素子分離溝２のエッチングに対しストッパーとなるよう
に選んでやれば、素子分離溝２の深さの制御が容易にな
る。この場合にもＡｌＧａＡｓ層１７にへき開段差１４
ｅを集中することができ、リッジ１１あるいは発光部１
２にへき開段差ができるのを防止する事ができる。
２のエッチングの際に、へき開段差誘導用のＡｌＧａＡ
ｓ層１５の下までエッチングすることとしたが、図２に
示すように、ＡｌＧａＡｓ層１７の上端でエッチングを
とめてもよい。この場合、ＡｌＧａＡｓ層１７の組成を
素子分離溝２のエッチングに対しストッパーとなるよう
に選んでやれば、素子分離溝２の深さの制御が容易にな
る。この場合にもＡｌＧａＡｓ層１７にへき開段差１４
ｅを集中することができ、リッジ１１あるいは発光部１
２にへき開段差ができるのを防止する事ができる。
【００２９】また、上記実施例において、ＡｌＧａＡｓ
層１７の組成を活性層を含むＡｌＧａＡｓ層９より、へ
き開段差の集中しやすい組成（例えばＡｌ組成比を高く
する）にしてやれば、更に効果的である。
層１７の組成を活性層を含むＡｌＧａＡｓ層９より、へ
き開段差の集中しやすい組成（例えばＡｌ組成比を高く
する）にしてやれば、更に効果的である。
【００３０】次に、この発明の第２実施例について図３
を用いて説明する。図３はこの発明の第２実施例による
半導体レーザ用ウエハの構成を示す側面図である。ま
た、図３には、半導体ウエハの表面にへき開用刃を押し
あてて、へき開用刃を支点として半導体ウエハを図の上
方向に折り曲げるような力を加え際、半導体レーザのへ
き開端面に発生したへき開段差の例を示してある。図に
おいて、１ｅは半導体レーザに使用されるチップが複数
形成された半導体ウエハをバー状にへき開したもの、１
９はＧａＡｓ基板８裏面側に形成されたＡｌＧａＡｓ層
であり、図４と同一符号で示したものは図４で示したも
のに相当する部分を示す。ここで、ＧａＡｓ層１０の表
面に形成される電極とＡｌＧａＡｓ層１９の裏面に形成
される電極との間に電流を流してレーザ発振を行うが、
図３に示したＧａＡｓ層１０、ＡｌＧａＡｓ層９及びＧ
ａＡｓ基板８によって良好なレーザ光線を得ることがで
きる。
を用いて説明する。図３はこの発明の第２実施例による
半導体レーザ用ウエハの構成を示す側面図である。ま
た、図３には、半導体ウエハの表面にへき開用刃を押し
あてて、へき開用刃を支点として半導体ウエハを図の上
方向に折り曲げるような力を加え際、半導体レーザのへ
き開端面に発生したへき開段差の例を示してある。図に
おいて、１ｅは半導体レーザに使用されるチップが複数
形成された半導体ウエハをバー状にへき開したもの、１
９はＧａＡｓ基板８裏面側に形成されたＡｌＧａＡｓ層
であり、図４と同一符号で示したものは図４で示したも
のに相当する部分を示す。ここで、ＧａＡｓ層１０の表
面に形成される電極とＡｌＧａＡｓ層１９の裏面に形成
される電極との間に電流を流してレーザ発振を行うが、
図３に示したＧａＡｓ層１０、ＡｌＧａＡｓ層９及びＧ
ａＡｓ基板８によって良好なレーザ光線を得ることがで
きる。
【００３１】図３に示した構造の半導体レーザ用ウエハ
をへき開した場合のへき開段差の発生について説明す
る。図３に示すように、半導体ウエハ１の裏面側にＡｌ
ＧａＡｓ層１９を形成する。次に、裏面側の素子分離溝
３を、ＡｌＧａＡｓ層１９をちょうど切断するような深
さかそれより浅くエッチングして形成する。このウエハ
を表面からへき開用刃５を押し合てる方法でへき開する
と、裏面の素子分離溝３を起点として、裏面側のＡｌＧ
ａＡｓ層１９に沿ってへき開段差１３ｄが発生する。
をへき開した場合のへき開段差の発生について説明す
る。図３に示すように、半導体ウエハ１の裏面側にＡｌ
ＧａＡｓ層１９を形成する。次に、裏面側の素子分離溝
３を、ＡｌＧａＡｓ層１９をちょうど切断するような深
さかそれより浅くエッチングして形成する。このウエハ
を表面からへき開用刃５を押し合てる方法でへき開する
と、裏面の素子分離溝３を起点として、裏面側のＡｌＧ
ａＡｓ層１９に沿ってへき開段差１３ｄが発生する。
【００３２】このように、裏面側のＡｌＧａＡｓ層１９
にへき開段差を集中させるようにしたので、へき開段差
がＧａＡｓ基板８からリッジ１１あるいは発光部１２に
かかるように延びるのを防ぐことができ、その結果、半
導体レーザの特性劣化を防止することができる。
にへき開段差を集中させるようにしたので、へき開段差
がＧａＡｓ基板８からリッジ１１あるいは発光部１２に
かかるように延びるのを防ぐことができ、その結果、半
導体レーザの特性劣化を防止することができる。
【００３３】なお、上記実施例では、ＧａＡｓ基板８の
裏面に導電性のＡｌＧａＡｓ層１９を設け、そのままＡ
ｌＧａＡｓ層１９に電極を形成することができる構成と
したが、ＧａＡｓ基板８の裏面に形成する層は不導体で
あってもよく、その場合にはへき開後にその層を除去す
ればよい。
裏面に導電性のＡｌＧａＡｓ層１９を設け、そのままＡ
ｌＧａＡｓ層１９に電極を形成することができる構成と
したが、ＧａＡｓ基板８の裏面に形成する層は不導体で
あってもよく、その場合にはへき開後にその層を除去す
ればよい。
【００３４】また、上記実施例では、へき開段差誘導用
のＡｌＧａＡｓ層１９の組成をＡｌＧａＡｓとしたが、
ＧａＡｓ層よりへき開段差の入りやすい他の材料であっ
てもよい。
のＡｌＧａＡｓ層１９の組成をＡｌＧａＡｓとしたが、
ＧａＡｓ層よりへき開段差の入りやすい他の材料であっ
てもよい。
【００３５】また、活性層を含む層９の上下に設けられ
た層がＧａＡｓ層以外の場合であっても、その層の材質
よりもへき開段差の入りやすい材料であればよく、上記
実施例と同様の効果を奏する。
た層がＧａＡｓ層以外の場合であっても、その層の材質
よりもへき開段差の入りやすい材料であればよく、上記
実施例と同様の効果を奏する。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明の半
導体レーザ用ウエハによれば、活性層を含む層と半導体
基板との間に、活性層を含む層の側に他の半導体層を挟
んで設けられ、該他の半導体層の材質よりもへき開ずれ
によって発生する段差の入りやすい材質の層を備え、素
子分離溝は半導体基板の表面側から少なくとも段差の入
りやすい材質の層に到達する深さを有するので、素子分
離溝から活性層を含む層に向かって延びるへき開段差を
段差の入りやすい材質の層に集中させて活性層を含む層
にある発光部にへき開段差が発生しないようにでき、半
導体レーザ特性の劣化を防ぐことができるという効果が
ある。
導体レーザ用ウエハによれば、活性層を含む層と半導体
基板との間に、活性層を含む層の側に他の半導体層を挟
んで設けられ、該他の半導体層の材質よりもへき開ずれ
によって発生する段差の入りやすい材質の層を備え、素
子分離溝は半導体基板の表面側から少なくとも段差の入
りやすい材質の層に到達する深さを有するので、素子分
離溝から活性層を含む層に向かって延びるへき開段差を
段差の入りやすい材質の層に集中させて活性層を含む層
にある発光部にへき開段差が発生しないようにでき、半
導体レーザ特性の劣化を防ぐことができるという効果が
ある。
【００３７】請求項２記載の発明の半導体レーザ装置の
製造方法によれば、請求項１記載の半導体レーザ用ウエ
ハの裏面側にへき開用刃を押し当てて、該へき開用刃を
支点として半導体レーザ用ウエハを半導体基板の裏面側
へ向けて折り曲げることによって、前記へき開ラインに
沿ってへき開する工程を備えているので、素子分離溝か
ら活性層を含む層に向かって延びるへき開段差を段差の
入りやすい材質の層に集中させて活性層を含む層にある
発光部にへき開段差が発生しないようにでき、半導体レ
ーザ特性を劣化させずに容易に半導体レーザ装置を製造
することができるという効果がある。
製造方法によれば、請求項１記載の半導体レーザ用ウエ
ハの裏面側にへき開用刃を押し当てて、該へき開用刃を
支点として半導体レーザ用ウエハを半導体基板の裏面側
へ向けて折り曲げることによって、前記へき開ラインに
沿ってへき開する工程を備えているので、素子分離溝か
ら活性層を含む層に向かって延びるへき開段差を段差の
入りやすい材質の層に集中させて活性層を含む層にある
発光部にへき開段差が発生しないようにでき、半導体レ
ーザ特性を劣化させずに容易に半導体レーザ装置を製造
することができるという効果がある。
【００３８】請求項３記載の発明の半導体レーザ装置
は、請求項１記載の半導体レーザ用ウエハをへき開し、
素子分離溝に沿って分離することによって得られる半導
体レーザ装置であって、活性層を含む層は、へき開端面
に発光部を有しているので、発光部にへき開段差ができ
にくく、そのため半導体レーザ特性が良く、また、第１
の電極と第２の電極との間に電流を流すことによって発
光部からレーザ光線を照射させることができ、製造が容
易で特性の良い半導体レーザ装置を得られるという効果
がある。
は、請求項１記載の半導体レーザ用ウエハをへき開し、
素子分離溝に沿って分離することによって得られる半導
体レーザ装置であって、活性層を含む層は、へき開端面
に発光部を有しているので、発光部にへき開段差ができ
にくく、そのため半導体レーザ特性が良く、また、第１
の電極と第２の電極との間に電流を流すことによって発
光部からレーザ光線を照射させることができ、製造が容
易で特性の良い半導体レーザ装置を得られるという効果
がある。
【００３９】請求項４記載の発明の半導体レーザ用ウエ
ハによれば、半導体基板の裏面側に設けられ、半導体基
板の材質よりもへき開ずれによって発生する段差の入り
やすい材質の層を備えて構成されているので、へき開段
差を段差の入りやすい材質の層に集中させて活性層を含
む層にある発光部にへき開段差が発生しないようにで
き、容易に半導体レーザ特性の劣化を防ぐことができる
という効果がある。
ハによれば、半導体基板の裏面側に設けられ、半導体基
板の材質よりもへき開ずれによって発生する段差の入り
やすい材質の層を備えて構成されているので、へき開段
差を段差の入りやすい材質の層に集中させて活性層を含
む層にある発光部にへき開段差が発生しないようにで
き、容易に半導体レーザ特性の劣化を防ぐことができる
という効果がある。
【００４０】請求項５記載の発明の半導体レーザ装置の
製造方法によれば、請求項４記載の半導体レーザ用ウエ
ハの表面側にへき開用刃を押し当てて、該へき開用刃を
支点として半導体レーザ用ウエハを半導体基板の表面側
へ向けて折り曲げることによって、前記へき開ラインに
沿ってへき開する工程を備えて構成されているので、半
導体基板から活性層を含む層に向かって延びるへき開段
差を段差の入りやすい材質の層に集中させて活性層を含
む層にある発光部にへき開段差が発生しないようにで
き、半導体レーザ特性を劣化させずに容易に半導体レー
ザ装置を製造することができるという効果がある。
製造方法によれば、請求項４記載の半導体レーザ用ウエ
ハの表面側にへき開用刃を押し当てて、該へき開用刃を
支点として半導体レーザ用ウエハを半導体基板の表面側
へ向けて折り曲げることによって、前記へき開ラインに
沿ってへき開する工程を備えて構成されているので、半
導体基板から活性層を含む層に向かって延びるへき開段
差を段差の入りやすい材質の層に集中させて活性層を含
む層にある発光部にへき開段差が発生しないようにで
き、半導体レーザ特性を劣化させずに容易に半導体レー
ザ装置を製造することができるという効果がある。
【００４１】請求項６記載の発明の半導体レーザ装置に
よれば、請求項４記載の半導体レーザ用ウエハをへき開
し、素子分離溝に沿って分離することによって得られる
半導体レーザ装置であって、活性層を含む層は、へき開
端面に発光部を有しているので、発光部にへき開段差が
できにくく、そのため半導体レーザ特性が良く、また、
第１の電極と第２の電極との間に電流を流すことによっ
て発光部からレーザ光線を照射させることができ、製造
が容易で特性の良い半導体レーザ装置を得られるという
効果がある。
よれば、請求項４記載の半導体レーザ用ウエハをへき開
し、素子分離溝に沿って分離することによって得られる
半導体レーザ装置であって、活性層を含む層は、へき開
端面に発光部を有しているので、発光部にへき開段差が
できにくく、そのため半導体レーザ特性が良く、また、
第１の電極と第２の電極との間に電流を流すことによっ
て発光部からレーザ光線を照射させることができ、製造
が容易で特性の良い半導体レーザ装置を得られるという
効果がある。
【図１】この発明の第１実施例による半導体レーザ用ウ
エハの構成を示す側面図である。
エハの構成を示す側面図である。
【図２】この発明の第１実施例の他の態様による半導体
レーザ用ウエハの構成を示す側面図である。
レーザ用ウエハの構成を示す側面図である。
【図３】この発明の第２実施例による半導体レーザ用ウ
エハの構成を示す側面図である。
エハの構成を示す側面図である。
【図４】表面に支点を設けてへき開された従来の半導体
レーザ用ウエハの構成を示す側面図である。
レーザ用ウエハの構成を示す側面図である。
【図５】裏面を支点を設けてへき開された従来の半導体
レーザ用ウエハの構成を示す側面図である。
レーザ用ウエハの構成を示す側面図である。
【図６】従来の半導体レーザにおけるへき開方法の一工
程を示す斜視図である。
程を示す斜視図である。
【図７】従来の半導体レーザにおけるへき開方法の一工
程を示す斜視図である。
程を示す斜視図である。
１ 半導体レーザ用ウエハ ２，３ 素子分離溝 ４ へき開ライン ５ へき開用刃 １ａ〜１ｅ 半導体ウエハをバー状にへき開したもの ７，７ａ，７ｂ へき開端面 ８ ＧａＡｓ基板 ９ 活性層を含むＡｌＧａＡｓ層 １０，１６，１８ ＧａＡｓ層 １１ リッジ １２ 発光部 １３ａ〜１３ｄ へき開段差 １４ａ〜１４ｄ へき開段差 １７，１９ ＡｌＧａＡｓ層
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板の表面に積層された複数の半
導体層を有し、これを第１の方向に走るへき開ラインと
第２の方向に走る素子分離溝とに沿って切り離すことに
より複数の半導体レーザ装置に分離される半導体レーザ
用ウエハにおいて、 前記複数の半導体層は、 前記へき開ラインに沿ったへき開端面において発光部を
規定する活性層を含む層と、 前記活性層を含む層と前記半導体基板との間に、前記活
性層を含む層の側に他の前記半導体層を挟んで設けら
れ、該他の半導体層の材質よりもへき開ずれによって発
生する段差の入りやすい材質の層とを備え、 前記素子分離溝は前記半導体基板の表面側から少なくと
も前記段差の入りやすい材質の層に到達する深さを有す
る、半導体レーザ用ウエハ。 - 【請求項２】 請求項１記載の前記半導体レーザ用ウエ
ハを用いる半導体レーザ装置の製造方法であって、 前記半導体レーザ用ウエハを準備する工程と、 前記半導体レーザ用ウエハの裏面側にへき開用刃を押し
当てて、該へき開用刃を支点として前記半導体レーザ用
ウエハを半導体基板の裏面側へ向けて折り曲げることに
よって、前記へき開ラインに沿ってへき開する工程と、 前記素子分離溝に沿って半導体レーザ装置を分離する工
程とを備える、半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の前記半導体レーザ用ウエ
ハを前記へき開ラインに沿ってへき開し、前記素子分離
溝に沿って分離することによって得られる半導体レーザ
装置であって、 前記活性層を含む層は、前記へき開端面に前記発光部を
有し、 前記半導体基板の裏面に形成された第１の電極と、 前記複数の半導体層の上に形成された第２の電極とを備
え、 前記第１の電極と前記第２の電極との間に電流を流すこ
とによって前記発光部からレーザ光線を照射する、半導
体レーザ装置。 - 【請求項４】 半導体基板の表面及び裏面に積層された
複数の半導体層を有し、これを第１の方向に走るへき開
ラインと第２の方向に走る素子分離溝とに沿って切り離
すことにより複数の半導体レーザ装置に分離される半導
体レーザ用ウエハにおいて、 前記複数の半導体層は、 前記半導体基板の表面側に設けられ、前記へき開ライン
に沿ったへき開端面において発光部を規定する活性層を
含む層と、 前記半導体基板の裏面側に設けられ、前記半導体基板の
材質よりもへき開ずれによって発生する段差の入りやす
い材質の層とを備える、半導体レーザ用ウエハ。 - 【請求項５】 請求項４記載の前記半導体レーザ用ウエ
ハを用いる半導体レーザ装置の製造方法であって、 前記半導体レーザ用ウエハを準備する工程と、 前記半導体レーザ用ウエハの表面側にへき開用刃を押し
当てて、該へき開用刃を支点として前記半導体レーザ用
ウエハを半導体基板の表面側へ向けて折り曲げることに
よって、前記へき開ラインに沿ってへき開する工程と、 前記素子分離溝に沿って半導体レーザ装置を分離する工
程とを備える、半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項４記載の前記半導体レーザ用ウエ
ハを前記へき開ラインに沿ってへき開し、前記素子分離
溝に沿って分離することによって得られる半導体レーザ
装置であって、 前記活性層を含む層は、前記へき開端面に前記発光部を
有し、 前記段差の入りやすい材質の層の裏面に形成された第１
の電極と、 前記複数の半導体層の上に形成された第２の電極とを備
え、 前記第１の電極と前記第２の電極との間に電流を流すこ
とによって前記発光部からレーザ光線を照射する、半導
体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22577693A JPH0786687A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 半導体レーザ装置、その製造方法及び半導体レーザ用ウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22577693A JPH0786687A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 半導体レーザ装置、その製造方法及び半導体レーザ用ウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786687A true JPH0786687A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16834618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22577693A Pending JPH0786687A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 半導体レーザ装置、その製造方法及び半導体レーザ用ウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786687A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7547587B2 (en) | 2007-10-31 | 2009-06-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing semiconductor light emitting device |
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1993
- 1993-09-10 JP JP22577693A patent/JPH0786687A/ja active Pending
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