JPH0985026A - フィルターの製造方法 - Google Patents
フィルターの製造方法Info
- Publication number
- JPH0985026A JPH0985026A JP25077595A JP25077595A JPH0985026A JP H0985026 A JPH0985026 A JP H0985026A JP 25077595 A JP25077595 A JP 25077595A JP 25077595 A JP25077595 A JP 25077595A JP H0985026 A JPH0985026 A JP H0985026A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- porous body
- filter
- discharge plasma
- inert gas
- Prior art date
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- Pending
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- Filtering Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 再利用の出来るフィルターを提供する。
【構成】 フィルターを構成する3次元網目状多孔体に
親水性を与えることにおって、フィルターに付着した汚
れを水洗によって容易に除去出来、再利用が可能とな
る。親水性の付与は、対向する電極の少なくとも一方の
対向面に固体誘電体を設置し、該電極と該固体誘電体の
間又は該固体誘電体同志の対向面間に連通気孔を有する
3次元網目状多孔体を配置し、処理用ガスと不活性ガス
の混合気体又は不活性ガスの大気圧近傍の圧力下で該多
孔体表面に放電プラズマを接触させて行う。処理用ガス
は、酸素、二酸化硫黄等から選ばれる。放電プラズマ処
理を行った後に、3次元網目状多孔体を親水性モノマー
の溶液に浸漬し、該多孔体表面に親水性高分子鎖をグラ
フト共重合させてもよい。
親水性を与えることにおって、フィルターに付着した汚
れを水洗によって容易に除去出来、再利用が可能とな
る。親水性の付与は、対向する電極の少なくとも一方の
対向面に固体誘電体を設置し、該電極と該固体誘電体の
間又は該固体誘電体同志の対向面間に連通気孔を有する
3次元網目状多孔体を配置し、処理用ガスと不活性ガス
の混合気体又は不活性ガスの大気圧近傍の圧力下で該多
孔体表面に放電プラズマを接触させて行う。処理用ガス
は、酸素、二酸化硫黄等から選ばれる。放電プラズマ処
理を行った後に、3次元網目状多孔体を親水性モノマー
の溶液に浸漬し、該多孔体表面に親水性高分子鎖をグラ
フト共重合させてもよい。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、フィルターの製造
方法に関する。
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、換気に対する需要と関心が高まっ
ており、換気装置の普及が急速に進んでいる。台所、換
気通気口等に設置する換気装置は、油煙等による機器の
汚れ防止、塵芥の混入防止のためフィルターを装着する
タイプが主流となっている。上記フィルターは、ポリエ
ステル等の繊維を不織布状に形成したものが一般的であ
った。特開平6−63328号公報には、油捕集効率の
向上とフィルター交換間隔を長くすることを目的とし、
目の粗さの異なる不織布を積層して用いた換気装置用フ
ィルターが開示されている。しかし、上記換気装置用フ
ィルターは、一定の汚れを付着させた後に交換すること
を前提としており、使い捨てされるものであった。
ており、換気装置の普及が急速に進んでいる。台所、換
気通気口等に設置する換気装置は、油煙等による機器の
汚れ防止、塵芥の混入防止のためフィルターを装着する
タイプが主流となっている。上記フィルターは、ポリエ
ステル等の繊維を不織布状に形成したものが一般的であ
った。特開平6−63328号公報には、油捕集効率の
向上とフィルター交換間隔を長くすることを目的とし、
目の粗さの異なる不織布を積層して用いた換気装置用フ
ィルターが開示されている。しかし、上記換気装置用フ
ィルターは、一定の汚れを付着させた後に交換すること
を前提としており、使い捨てされるものであった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を鑑み、フィルターを構成する3次元網目状多孔体に親
水性を与えることによって、フィルターに付着した汚れ
を水洗によって容易に除去出来、再利用可能なフィルタ
ーの製造方法を与える。
を鑑み、フィルターを構成する3次元網目状多孔体に親
水性を与えることによって、フィルターに付着した汚れ
を水洗によって容易に除去出来、再利用可能なフィルタ
ーの製造方法を与える。
【0004】
【0005】本発明の請求項1記載の発明(以下、本発
明1という。)における上記3次元網目状多孔体に親水
性を与える方法は、対向する電極の少なくとも一方の対
向面に固体誘電体を設置し、該電極と該固体誘電体の間
又は該固体誘電体同志の対向面間に連通気孔を有する3
次元網目状多孔体を配置し、処理用ガスと不活性ガスの
混合気体又は不活性ガスの大気圧近傍の圧力下で該多孔
体に放電プラズマ処理を行うことによる。
明1という。)における上記3次元網目状多孔体に親水
性を与える方法は、対向する電極の少なくとも一方の対
向面に固体誘電体を設置し、該電極と該固体誘電体の間
又は該固体誘電体同志の対向面間に連通気孔を有する3
次元網目状多孔体を配置し、処理用ガスと不活性ガスの
混合気体又は不活性ガスの大気圧近傍の圧力下で該多孔
体に放電プラズマ処理を行うことによる。
【0006】上記プラズマ処理によって、3次元網目状
多孔体に放電プラズマが接触し、該多孔体に親水性を与
える官能基が形成される。
多孔体に放電プラズマが接触し、該多孔体に親水性を与
える官能基が形成される。
【0007】本発明のフィルターを構成する3次元網目
状多孔体(以下、単に多孔体という。)は、有機高分子
化合物、金属、セラミック等の材質を、繊維を編む、成
型加工して不織布状にする等の手段によって形成したも
のを用いることが出来る。可とう性があって施工の容易
な有機高分子化合物が好ましい。上記有機高分子化合物
としては、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹
脂、ポリアミド系樹脂等が挙げられる。
状多孔体(以下、単に多孔体という。)は、有機高分子
化合物、金属、セラミック等の材質を、繊維を編む、成
型加工して不織布状にする等の手段によって形成したも
のを用いることが出来る。可とう性があって施工の容易
な有機高分子化合物が好ましい。上記有機高分子化合物
としては、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹
脂、ポリアミド系樹脂等が挙げられる。
【0008】以下、プラズマ処理について述べる。
【0009】上記不活性ガスとしては、ヘリウム、ネオ
ン、アルゴン、キセノン等の希ガスが好ましい。これら
は単独でも混合して用いてもよい。ヘリウムは準安定状
態の寿命が長いため、処理用ガスと不活性ガスを励起す
るのに有利である。ヘリウム以外の上記不活性ガスを用
いる場合は、放電プラズマ処理を安定して行うために、
2体積%以下の有機化合物気体を混合することが好まし
い。
ン、アルゴン、キセノン等の希ガスが好ましい。これら
は単独でも混合して用いてもよい。ヘリウムは準安定状
態の寿命が長いため、処理用ガスと不活性ガスを励起す
るのに有利である。ヘリウム以外の上記不活性ガスを用
いる場合は、放電プラズマ処理を安定して行うために、
2体積%以下の有機化合物気体を混合することが好まし
い。
【0010】上記処理用ガスとしては、酸素、窒素、硫
黄のうち1種以上の元素を含有する気体を用いることが
出来る。上記酸素元素を含有する気体としては、酸素、
オゾン、水、一酸化炭素、二酸化炭素、一酸化窒素、二
酸化窒素等の気体が挙げられる。これらの気体を混合し
て用いてもよい。さらに、酸素元素を含有する気体に対
して、50体積%を超えない範囲でフッ素元素含有気体
を混合することによって、多孔体の親水化を促進するこ
とが出来る。上記フッ素元素含有気体としては、四フッ
化炭素、六フッ化炭素、六フッ化プロピレン等のフッ化
炭化水素ガス、一塩素化三フッ素化炭素ガス等のハロゲ
ン化炭素ガス、六フッ化硫黄等のフッ化硫黄化合物等が
挙げられる。四フッ化炭素、六フッ化炭素、六フッ化プ
ロピレンは、フッ化水素等の有害ガスの発生が起こらな
いため好ましい。
黄のうち1種以上の元素を含有する気体を用いることが
出来る。上記酸素元素を含有する気体としては、酸素、
オゾン、水、一酸化炭素、二酸化炭素、一酸化窒素、二
酸化窒素等の気体が挙げられる。これらの気体を混合し
て用いてもよい。さらに、酸素元素を含有する気体に対
して、50体積%を超えない範囲でフッ素元素含有気体
を混合することによって、多孔体の親水化を促進するこ
とが出来る。上記フッ素元素含有気体としては、四フッ
化炭素、六フッ化炭素、六フッ化プロピレン等のフッ化
炭化水素ガス、一塩素化三フッ素化炭素ガス等のハロゲ
ン化炭素ガス、六フッ化硫黄等のフッ化硫黄化合物等が
挙げられる。四フッ化炭素、六フッ化炭素、六フッ化プ
ロピレンは、フッ化水素等の有害ガスの発生が起こらな
いため好ましい。
【0011】上記窒素元素を含有する気体としては、窒
素、アンモニア等の気体、これらと水素の混合気体等が
挙げられる。上記混合気体を用いる場合の組成は、十分
な親水性を得るために、〔N〕/(〔N〕+〔H〕)は
0.25以上であることが好ましく、さらに好ましくは
0.5〜1である。ただし、〔N〕、〔H〕は混合気体
中のN又はHの組成比である。
素、アンモニア等の気体、これらと水素の混合気体等が
挙げられる。上記混合気体を用いる場合の組成は、十分
な親水性を得るために、〔N〕/(〔N〕+〔H〕)は
0.25以上であることが好ましく、さらに好ましくは
0.5〜1である。ただし、〔N〕、〔H〕は混合気体
中のN又はHの組成比である。
【0012】上記硫黄元素を含有する気体としては、二
酸化硫黄、三酸化硫黄等の気体が挙げられる。これらの
気体を混合して用いてもよい。上記二酸化硫黄気体は硫
酸の蒸気を発生させて得てもよい。
酸化硫黄、三酸化硫黄等の気体が挙げられる。これらの
気体を混合して用いてもよい。上記二酸化硫黄気体は硫
酸の蒸気を発生させて得てもよい。
【0013】上記処理用ガスと不活性ガスの混合割合は
使用するガスの種類によって決定されるが、処理用ガス
気体の濃度が10体積%を越えると、電圧を印加しても
均一な放電プラズマが発生し難くなるので0.01〜1
0体積%が好ましく、より好ましくは0.01〜5体積
%である。。
使用するガスの種類によって決定されるが、処理用ガス
気体の濃度が10体積%を越えると、電圧を印加しても
均一な放電プラズマが発生し難くなるので0.01〜1
0体積%が好ましく、より好ましくは0.01〜5体積
%である。。
【0014】上記大気圧近傍の圧力下とは、100〜8
00Torrの圧力下を指す。圧力調整が容易で、装置
が簡便になる700〜780Torrの範囲が好まし
い。
00Torrの圧力下を指す。圧力調整が容易で、装置
が簡便になる700〜780Torrの範囲が好まし
い。
【0015】上記プラズマ処理は、対向する電極、該電
極の少なくとも一方の対向面に設置された固体誘電体、
該金属電極間の空間であるプラズマ発生部、上記処理用
ガスと不活性ガスの混合気体を該プラズマ発生部に供給
する管から構成される装置中で行われる。
極の少なくとも一方の対向面に設置された固体誘電体、
該金属電極間の空間であるプラズマ発生部、上記処理用
ガスと不活性ガスの混合気体を該プラズマ発生部に供給
する管から構成される装置中で行われる。
【0016】上記電極としては、銅、アルミニウム等の
金属単体、ステンレス、真鍮等の合金、金属間化合物等
からなるものが挙げられる。上記電極の構造は、平行平
板型、円筒対向平板型、球対向平板型、双曲面対向平板
型、同軸円筒型、複数の細線と平板からなる構造等が挙
げられる。
金属単体、ステンレス、真鍮等の合金、金属間化合物等
からなるものが挙げられる。上記電極の構造は、平行平
板型、円筒対向平板型、球対向平板型、双曲面対向平板
型、同軸円筒型、複数の細線と平板からなる構造等が挙
げられる。
【0017】上記固体誘電体は、一対の対向する電極に
おいて、一方の電極のもう一方に対向する面を完全に覆
うように、密着させて設置する。覆われていない部位が
あると、そこからアーク放電が生じ、好ましくない。上
記固体誘電体としては、ポリテトラフルオロエチレン、
ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック、二酸化
珪素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化
チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物
等が挙げられる。
おいて、一方の電極のもう一方に対向する面を完全に覆
うように、密着させて設置する。覆われていない部位が
あると、そこからアーク放電が生じ、好ましくない。上
記固体誘電体としては、ポリテトラフルオロエチレン、
ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック、二酸化
珪素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化
チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物
等が挙げられる。
【0018】上記固体誘電体の形状は、シート状でもフ
ィルム状でもよいが、厚みが0.05〜4mmであるこ
とが好ましい。厚すぎると放電プラズマを発生するのに
高電圧を要し、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起こ
りアーク放電が発生するためである。
ィルム状でもよいが、厚みが0.05〜4mmであるこ
とが好ましい。厚すぎると放電プラズマを発生するのに
高電圧を要し、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起こ
りアーク放電が発生するためである。
【0019】上記多孔体は、対向する上記電極と上記固
体誘電体の間又は該固体誘電体同志の対向面間の空間で
あるプラズマ発生部に配置される。発生した放電プラズ
マに接触した部分に処理がなされるが、連通気孔を有す
る3次元網目状多孔体であるので、表面のみならず孔内
部にもプラズマが接触して処理がなされる。添付した図
面の例では、多孔体と固体誘電体が接触しているため、
この接触部分には処理がなされない。多孔体の全部に処
理を施したい場合は、上記空間に多孔体を浮かせて設置
する必要がある。
体誘電体の間又は該固体誘電体同志の対向面間の空間で
あるプラズマ発生部に配置される。発生した放電プラズ
マに接触した部分に処理がなされるが、連通気孔を有す
る3次元網目状多孔体であるので、表面のみならず孔内
部にもプラズマが接触して処理がなされる。添付した図
面の例では、多孔体と固体誘電体が接触しているため、
この接触部分には処理がなされない。多孔体の全部に処
理を施したい場合は、上記空間に多孔体を浮かせて設置
する必要がある。
【0020】上記電極間の距離は、固体誘電体の厚さ、
多孔体の厚さ、印加電圧の大きさ、混合気体の流量等に
よって適宜決定されるが、1〜30mmであることが好
ましい。1mm未満では、使用するガスに無駄が生じる
ため適当でない。30mmを超えると、均一な放電プラ
ズマを発生させることが困難である。
多孔体の厚さ、印加電圧の大きさ、混合気体の流量等に
よって適宜決定されるが、1〜30mmであることが好
ましい。1mm未満では、使用するガスに無駄が生じる
ため適当でない。30mmを超えると、均一な放電プラ
ズマを発生させることが困難である。
【0021】上記放電プラズマの発生は、上記電極間に
電圧を印加することによって行われる。電圧は適宜決め
られるが、印加した際に電界強度が1〜40kV/cm
となるようにすることが好ましい。1kV/cm未満で
あると処理に時間がかかりすぎ、40kV/cmを超え
るとアーク放電が発生するためである。上記電圧印加に
必要な電源部は特に限定されないが、多孔体の耐熱性が
低い場合は、周波数が5〜30kHzであることが好ま
しい。
電圧を印加することによって行われる。電圧は適宜決め
られるが、印加した際に電界強度が1〜40kV/cm
となるようにすることが好ましい。1kV/cm未満で
あると処理に時間がかかりすぎ、40kV/cmを超え
るとアーク放電が発生するためである。上記電圧印加に
必要な電源部は特に限定されないが、多孔体の耐熱性が
低い場合は、周波数が5〜30kHzであることが好ま
しい。
【0022】上記放電プラズマ処理は、処理用ガスと不
活性ガスの混合気体中で行われる。上記混合気体はプラ
ズマ発生部に均一に供給されなければならない。不活性
ガスは処理用ガスに比較して軽いので、供給時に不均一
になることを避けるような装置の工夫がされていること
が好ましい。添付した図面に示した例では、処理用ガス
は導入管から多孔構造をもつ電極を通って供給される。
不活性ガスは、上記処理用ガスとは別の導入管からプラ
ズマ発生部に供給される。気体を均一に供給可能であれ
ば、このような構造に限定されず、気体を攪拌又は高速
で吹き付ける等の手段を用いてもよい。
活性ガスの混合気体中で行われる。上記混合気体はプラ
ズマ発生部に均一に供給されなければならない。不活性
ガスは処理用ガスに比較して軽いので、供給時に不均一
になることを避けるような装置の工夫がされていること
が好ましい。添付した図面に示した例では、処理用ガス
は導入管から多孔構造をもつ電極を通って供給される。
不活性ガスは、上記処理用ガスとは別の導入管からプラ
ズマ発生部に供給される。気体を均一に供給可能であれ
ば、このような構造に限定されず、気体を攪拌又は高速
で吹き付ける等の手段を用いてもよい。
【0023】上記放電プラズマ処理が行われる装置は、
処理用ガスおよび不活性ガスの導入管、過剰な気体の排
出口を備えた容器中にある。上記容器の材質は、ガラ
ス、電極と絶縁のとれたステンレス、アルミニウム等の
金属等が挙げられる。
処理用ガスおよび不活性ガスの導入管、過剰な気体の排
出口を備えた容器中にある。上記容器の材質は、ガラ
ス、電極と絶縁のとれたステンレス、アルミニウム等の
金属等が挙げられる。
【0024】上記放電プラズマ処理は、多孔体を加熱ま
たは冷却して行ってもよいが、室温下で充分可能であ
る。
たは冷却して行ってもよいが、室温下で充分可能であ
る。
【0025】上記放電プラズマ処理に要する時間は、印
加電圧の大きさおよび使用される混合気体によって適宜
決定される。
加電圧の大きさおよび使用される混合気体によって適宜
決定される。
【0026】本発明の請求項3記載の発明(以下、本発
明2という。)における上記3次元網目状多孔体に親水
性を与える方法は、以下の工程による。 (1)対向する電極の少なくとも一方の対向面に固体誘
電体を設置し、該電極と該固体誘電体の間又は該固体誘
電体同志の対向面間に連通気孔を有する3次元網目状多
孔体を配置し、処理用ガスと不活性ガスの混合気体又は
不活性ガスの大気圧近傍の圧力下で該多孔体に放電プラ
ズマ処理を行う。 (2)上記処理の施された多孔体を親水性モノマーの溶
液に浸漬し、該多孔体に親水性高分子鎖をグラフト共重
合させる。
明2という。)における上記3次元網目状多孔体に親水
性を与える方法は、以下の工程による。 (1)対向する電極の少なくとも一方の対向面に固体誘
電体を設置し、該電極と該固体誘電体の間又は該固体誘
電体同志の対向面間に連通気孔を有する3次元網目状多
孔体を配置し、処理用ガスと不活性ガスの混合気体又は
不活性ガスの大気圧近傍の圧力下で該多孔体に放電プラ
ズマ処理を行う。 (2)上記処理の施された多孔体を親水性モノマーの溶
液に浸漬し、該多孔体に親水性高分子鎖をグラフト共重
合させる。
【0027】上記工程(1)によって、多孔体表面に放
電プラズマが接触し、該多孔体表面に工程(2)で行わ
れるグラフト反応の開始点となる過酸化基、チオール基
等の官能基又はラジカルが形成される。
電プラズマが接触し、該多孔体表面に工程(2)で行わ
れるグラフト反応の開始点となる過酸化基、チオール基
等の官能基又はラジカルが形成される。
【0028】上記工程(1)のプラズマ処理は、以下で
述べる点以外は本発明1と同様である。
述べる点以外は本発明1と同様である。
【0029】上記プラズマ処理における処理用ガスとし
ては、以下に挙げる気体を用いることが出来る。これら
は、単独でも混合して用いてもよい。グラフト重合の開
始点となる過酸化基を形成させるものとしては、酸素、
オゾン、水、一酸化炭素、二酸化炭素、一酸化窒素、二
酸化窒素等の気体が挙げられる。グラフト重合の開始点
となるチオール基を形成させるものとしては、二酸化硫
黄又は三酸化硫黄等の気体が挙げられる。
ては、以下に挙げる気体を用いることが出来る。これら
は、単独でも混合して用いてもよい。グラフト重合の開
始点となる過酸化基を形成させるものとしては、酸素、
オゾン、水、一酸化炭素、二酸化炭素、一酸化窒素、二
酸化窒素等の気体が挙げられる。グラフト重合の開始点
となるチオール基を形成させるものとしては、二酸化硫
黄又は三酸化硫黄等の気体が挙げられる。
【0030】上記処理用ガスと不活性ガスの混合割合は
使用するガスの種類によって決定されるが、処理用ガス
気体の濃度が10体積%を越えると、電圧を印加しても
均一な放電プラズマが発生し難くなるので0.01〜1
0体積%が好ましく、より好ましくは0.01〜5体積
%である。
使用するガスの種類によって決定されるが、処理用ガス
気体の濃度が10体積%を越えると、電圧を印加しても
均一な放電プラズマが発生し難くなるので0.01〜1
0体積%が好ましく、より好ましくは0.01〜5体積
%である。
【0031】上記放電プラズマ処理に要する時間は、印
加電圧の大きさおよび使用される混合気体によって適宜
決定される。ラジカル、過酸化基は短時間の処理によっ
て形成可能である。ヘリウムガスの雰囲気中の場合で
は、15秒間の処理でラジカル、過酸化基が形成されて
いる。チオール基を多く形成させるためには、処理時間
を長くすることが好ましい。
加電圧の大きさおよび使用される混合気体によって適宜
決定される。ラジカル、過酸化基は短時間の処理によっ
て形成可能である。ヘリウムガスの雰囲気中の場合で
は、15秒間の処理でラジカル、過酸化基が形成されて
いる。チオール基を多く形成させるためには、処理時間
を長くすることが好ましい。
【0032】工程(2)は、上記工程(1)によって形
成されたラジカル、過酸化基、チオール基等をグラフト
反応の開始点として、多孔体に親水性モノマーのグラフ
ト共重合を行わせるものである。材料に直接親水性基を
付与させた場合は、親水性基の層が薄く耐久性の確保が
困難である。これに対して、本発明2により形成された
親水性高分子鎖においては、親水性を与える部位がグラ
フト共重合鎖に結合しているので、耐久性に優れる。
成されたラジカル、過酸化基、チオール基等をグラフト
反応の開始点として、多孔体に親水性モノマーのグラフ
ト共重合を行わせるものである。材料に直接親水性基を
付与させた場合は、親水性基の層が薄く耐久性の確保が
困難である。これに対して、本発明2により形成された
親水性高分子鎖においては、親水性を与える部位がグラ
フト共重合鎖に結合しているので、耐久性に優れる。
【0033】上記放電プラズマ処理を施された多孔体
は、親水性モノマーの溶液に浸漬される。上記親水性モ
ノマーは、不飽和結合部位と親水性を有する部位を持つ
ものが好ましい。上記親水性を有する部位としては、水
酸基、スルホン酸基、スルホン酸塩基、1級若しくは2
級又は3級アミノ基、アミド基、4級アンモニウム塩
基、カルボン酸基、カルボン酸塩基等の親水性基、ポリ
エチレングリコール鎖等が挙げられる。上記モノマーと
しては、アクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド、
メタクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、
アクリル酸ナトリウム、メタクリル酸ナトリウム、アク
リル酸カリウム、メタクリル酸カリウム、スチレンスル
ホン酸ナトリウム、アリルアルコール、アリルアミン、
ポリエチレングリコールジメタクリル酸エステル、ポリ
エチレングリコールジアクリル酸エステル等が挙げられ
る。上記モノマーは、単独または混合して用いられる。
は、親水性モノマーの溶液に浸漬される。上記親水性モ
ノマーは、不飽和結合部位と親水性を有する部位を持つ
ものが好ましい。上記親水性を有する部位としては、水
酸基、スルホン酸基、スルホン酸塩基、1級若しくは2
級又は3級アミノ基、アミド基、4級アンモニウム塩
基、カルボン酸基、カルボン酸塩基等の親水性基、ポリ
エチレングリコール鎖等が挙げられる。上記モノマーと
しては、アクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド、
メタクリルアミド、N,N−ジメチルアクリルアミド、
アクリル酸ナトリウム、メタクリル酸ナトリウム、アク
リル酸カリウム、メタクリル酸カリウム、スチレンスル
ホン酸ナトリウム、アリルアルコール、アリルアミン、
ポリエチレングリコールジメタクリル酸エステル、ポリ
エチレングリコールジアクリル酸エステル等が挙げられ
る。上記モノマーは、単独または混合して用いられる。
【0034】上記親水性モノマーは溶媒に溶解させて、
親水性モノマーの溶液として用いられる。上記溶媒とし
ては、メタノール、エタノール、アセトン等の有機溶
媒、水等が挙げられる。上記溶媒は、単独又は混合して
用いられる。
親水性モノマーの溶液として用いられる。上記溶媒とし
ては、メタノール、エタノール、アセトン等の有機溶
媒、水等が挙げられる。上記溶媒は、単独又は混合して
用いられる。
【0035】上記親水性モノマー溶液の濃度は、用いら
れる親水性モノマーの種類によって異なるが、効率のよ
い反応を行うという観点から、5〜30重量%が好まし
い。濃度が高すぎると未反応モノマーが溶液中に残存
し、濃度が低すぎると反応に要する時間が長くなるため
である。
れる親水性モノマーの種類によって異なるが、効率のよ
い反応を行うという観点から、5〜30重量%が好まし
い。濃度が高すぎると未反応モノマーが溶液中に残存
し、濃度が低すぎると反応に要する時間が長くなるため
である。
【0036】上記多孔体に親水性高分子鎖をグラフト共
重合させる方法は、特に限定されないが、該多孔体を浸
漬した親水性モノマーのラジカル重合を開始させ、成長
鎖末端のラジカルと該多孔体のチオール基を反応させて
グラフト共重合体を生成する方法、該多孔体を浸漬した
親水性モノマー溶液にレドックス開始剤を添加して該多
孔体のチオール基と反応させ、該チオール基を開始点と
するレドックス重合によって親水性モノマーをグラフト
共重合させる方法、多孔体に形成されたラジカルからグ
ラフト重合を開始させる方法、過酸化基をモノマー溶液
中で熱分解してラジカルを発生させ、これを開始点とし
てグラフト重合させる方法等が挙げられる。
重合させる方法は、特に限定されないが、該多孔体を浸
漬した親水性モノマーのラジカル重合を開始させ、成長
鎖末端のラジカルと該多孔体のチオール基を反応させて
グラフト共重合体を生成する方法、該多孔体を浸漬した
親水性モノマー溶液にレドックス開始剤を添加して該多
孔体のチオール基と反応させ、該チオール基を開始点と
するレドックス重合によって親水性モノマーをグラフト
共重合させる方法、多孔体に形成されたラジカルからグ
ラフト重合を開始させる方法、過酸化基をモノマー溶液
中で熱分解してラジカルを発生させ、これを開始点とし
てグラフト重合させる方法等が挙げられる。
【0037】上記親水性高分子をグラフト共重合させた
後に、上記多孔体に未反応の親水性モノマー、該親水性
モノマーのホモポリマー等が付着している場合、水、有
機溶媒等を用いて多孔体の洗浄を行い、これらの付着物
を除去することが好ましい。
後に、上記多孔体に未反応の親水性モノマー、該親水性
モノマーのホモポリマー等が付着している場合、水、有
機溶媒等を用いて多孔体の洗浄を行い、これらの付着物
を除去することが好ましい。
【0038】
【実施例】以下に実施例を挙げて、本発明をさらに詳し
く説明する。
く説明する。
【0039】実施例1 添付した図面の装置(パイレックスガラス製、容量:5
L)において、上部電極4(ステンレス(SUS30
4)製、大きさ:φ120mm、φ1mmの孔が1cm
間隔で配設)と下部電極5(アルミニウム製、大きさ:
φ100mm)の電極間距離10mmの空間中の下部電
極上に、固体誘電体として二酸化チタン焼結体(大き
さ:φ120mm、厚み:2mm)を設置し、この上に
多孔体としてポリエステル製の不織布(日本バイリーン
社製、品晩:PS/150、大きさ:φ100mm)を
配置した。油回転ポンプで装置内が1Torrになるま
で排気を行った。次にヘリウムガスを流量500scc
mでガス導入管9から装置内が757Torrになるま
で導入した。電極に15kHz:3.1kVの電圧を1
5秒間印加してプラズマを発生させ、上記ポリエステル
製の不織布に放電プラズマ処理を行った。
L)において、上部電極4(ステンレス(SUS30
4)製、大きさ:φ120mm、φ1mmの孔が1cm
間隔で配設)と下部電極5(アルミニウム製、大きさ:
φ100mm)の電極間距離10mmの空間中の下部電
極上に、固体誘電体として二酸化チタン焼結体(大き
さ:φ120mm、厚み:2mm)を設置し、この上に
多孔体としてポリエステル製の不織布(日本バイリーン
社製、品晩:PS/150、大きさ:φ100mm)を
配置した。油回転ポンプで装置内が1Torrになるま
で排気を行った。次にヘリウムガスを流量500scc
mでガス導入管9から装置内が757Torrになるま
で導入した。電極に15kHz:3.1kVの電圧を1
5秒間印加してプラズマを発生させ、上記ポリエステル
製の不織布に放電プラズマ処理を行った。
【0040】実施例2 以下の点を変えて、実施例1と同様に放電プラズマ処理
を行った。電極間距離を10mmの空間中に固体誘電体
として石英ガラス(大きさ:120mm×120mm、
厚み:2mm)を設置した。ヘリウムガスを流量995
sccmでガス導入管9から、二酸化硫黄気体を流量5
sccmでガス導入管8から多孔構造の上部電極4を介
して導入して(装置内の気体の組成は、0.5体積%二
酸化硫黄/ヘリウムである。)、電極に2.8kVの電
圧を15秒間印加してプラズマを発生させた。
を行った。電極間距離を10mmの空間中に固体誘電体
として石英ガラス(大きさ:120mm×120mm、
厚み:2mm)を設置した。ヘリウムガスを流量995
sccmでガス導入管9から、二酸化硫黄気体を流量5
sccmでガス導入管8から多孔構造の上部電極4を介
して導入して(装置内の気体の組成は、0.5体積%二
酸化硫黄/ヘリウムである。)、電極に2.8kVの電
圧を15秒間印加してプラズマを発生させた。
【0041】実施例3 以下の点を変えて、実施例1と同様に放電プラズマ処理
を行った。電極間距離を9mmとして、この電極空間中
に固体誘電体として8重量%の酸化イットリウムで部分
安定化されたジルコニウムの溶射膜(大きさ:φ120
mm、厚み:500μm)を設置した。ヘリウムガスを
流量990sccmでガス導入管9から、酸素気体を流
量10sccmでガス導入管8から多孔構造の上部電極
4を介して導入して(装置内の気体の組成は、1体積%
酸素/ヘリウムである。)、電極に4.1kVの電圧を
15秒間印加してプラズマを発生させた。
を行った。電極間距離を9mmとして、この電極空間中
に固体誘電体として8重量%の酸化イットリウムで部分
安定化されたジルコニウムの溶射膜(大きさ:φ120
mm、厚み:500μm)を設置した。ヘリウムガスを
流量990sccmでガス導入管9から、酸素気体を流
量10sccmでガス導入管8から多孔構造の上部電極
4を介して導入して(装置内の気体の組成は、1体積%
酸素/ヘリウムである。)、電極に4.1kVの電圧を
15秒間印加してプラズマを発生させた。
【0042】実施例4 以下の点を変えて、実施例1と同様に放電プラズマ処理
を行った。電極間距離を9mmとして、この電極空間中
に固体誘電体としてポリテトラフルオロエチレン(大き
さ:120mm×120mm、厚み:1mm)を設置し
た。ヘリウムガスを流量990sccmでガス導入管9
から、窒素気体を流量10sccmでガス導入管8から
多孔構造の上部電極4を介して導入して(装置内の気体
の組成は、1体積%窒素/ヘリウムである。)、電極に
3.8kVの電圧を15秒間印加してプラズマを発生さ
せた。
を行った。電極間距離を9mmとして、この電極空間中
に固体誘電体としてポリテトラフルオロエチレン(大き
さ:120mm×120mm、厚み:1mm)を設置し
た。ヘリウムガスを流量990sccmでガス導入管9
から、窒素気体を流量10sccmでガス導入管8から
多孔構造の上部電極4を介して導入して(装置内の気体
の組成は、1体積%窒素/ヘリウムである。)、電極に
3.8kVの電圧を15秒間印加してプラズマを発生さ
せた。
【0043】実施例5 <工程(1)>実施例1に記載の方法によって放電プラ
ズマ処理を行った。 <工程(2)>工程(1)によって得られた不織布を脱
気した10重量%スチレンスルホン酸ナトリウム水溶液
に浸漬して、50℃に保って2時間静置して反応を行わ
せた。次に、上記不織布を溶液から取り出し、温水中で
超音波洗浄を行って処理品を得た。処理品をX線光電子
分光法(XPS)で分析したところ、スルホン酸基に由
来する硫黄のピークが確認された。
ズマ処理を行った。 <工程(2)>工程(1)によって得られた不織布を脱
気した10重量%スチレンスルホン酸ナトリウム水溶液
に浸漬して、50℃に保って2時間静置して反応を行わ
せた。次に、上記不織布を溶液から取り出し、温水中で
超音波洗浄を行って処理品を得た。処理品をX線光電子
分光法(XPS)で分析したところ、スルホン酸基に由
来する硫黄のピークが確認された。
【0044】実施例6 <工程(1)>電極に電圧を印加した時間を1分間に変
えた以外は、実施例2に記載の方法によって放電プラズ
マ処理を行った。 <工程(2)>上記放電プラズマ処理を施した不織布を
流水を用いて1分間洗浄を行った。洗浄後、上記不織布
を脱気した10重量%アクリルアミド水溶液に浸漬し
て、70℃に保って4時間静置して反応を行わせた。次
に、上記不織布を溶液から取り出し、温水中で超音波洗
浄を行って処理品を得た。処理品をX線光電子分光法
(XPS)で分析したところ、アクリルアミドに由来す
るアミド基のピークがC1sのスペクトルに確認され
た。
えた以外は、実施例2に記載の方法によって放電プラズ
マ処理を行った。 <工程(2)>上記放電プラズマ処理を施した不織布を
流水を用いて1分間洗浄を行った。洗浄後、上記不織布
を脱気した10重量%アクリルアミド水溶液に浸漬し
て、70℃に保って4時間静置して反応を行わせた。次
に、上記不織布を溶液から取り出し、温水中で超音波洗
浄を行って処理品を得た。処理品をX線光電子分光法
(XPS)で分析したところ、アクリルアミドに由来す
るアミド基のピークがC1sのスペクトルに確認され
た。
【0045】実施例7 <工程(1)>以下の点を変えた以外は、実施例6に記
載の方法によって放電プラズマ処理を行った。ヘリウム
ガスを流量990sccmでガス導入管9から、酸素気
体を流量10sccmでガス導入管8から多孔構造の上
部電極4を介して導入して(装置内の気体の組成は、1
体積%酸素/ヘリウムである。)、電極に4.1kVの
電圧を15秒間印加してプラズマを発生させた。 <工程(2)>上記放電プラズマ処理を施した不織布を
脱気した10重量%アクリル酸水溶液に浸漬して、50
℃に保って2時間静置して反応を行わせた。次に、上記
不織布を溶液から取り出し、温水中で超音波洗浄を行っ
て処理品を得た。処理品をX線光電子分光法(XPS)
で分析したところ、アクリル酸に由来するカルボキシル
基のピークがC1sのスペクトルに確認された。
載の方法によって放電プラズマ処理を行った。ヘリウム
ガスを流量990sccmでガス導入管9から、酸素気
体を流量10sccmでガス導入管8から多孔構造の上
部電極4を介して導入して(装置内の気体の組成は、1
体積%酸素/ヘリウムである。)、電極に4.1kVの
電圧を15秒間印加してプラズマを発生させた。 <工程(2)>上記放電プラズマ処理を施した不織布を
脱気した10重量%アクリル酸水溶液に浸漬して、50
℃に保って2時間静置して反応を行わせた。次に、上記
不織布を溶液から取り出し、温水中で超音波洗浄を行っ
て処理品を得た。処理品をX線光電子分光法(XPS)
で分析したところ、アクリル酸に由来するカルボキシル
基のピークがC1sのスペクトルに確認された。
【0046】実施例8 <工程(1)>以下の点を変えた以外は、実施例4に記
載の方法によって放電プラズマ処理を行った。ヘリウム
ガスを流量990sccmでガス導入管9から、窒素気
体を流量10sccmでガス導入管8から多孔構造の上
部電極4を介して導入して(装置内の気体の組成は、1
体積%窒素/ヘリウムである。)、電極に4.1kVの
電圧を1分間印加してプラズマを発生させた。 <工程(2)>上記放電プラズマ処理を施した不織布を
流水を用いて1分間洗浄を行った。洗浄後、上記不織布
を脱気した10重量%N,N−ジメチルアクリルアミド
水溶液に浸漬して、開始剤として硝酸二アンモニウムセ
リウム(IV)を加え、30℃に保って2時間静置して
反応を行わせた。次に、上記不織布を溶液から取り出
し、温水中で超音波洗浄を行って処理品を得た。処理品
をX線光電子分光法(XPS)で分析したところ、N,
N−ジメチルアクリルアミドに由来するアミド基のピー
クがC1sのスペクトルに確認された。
載の方法によって放電プラズマ処理を行った。ヘリウム
ガスを流量990sccmでガス導入管9から、窒素気
体を流量10sccmでガス導入管8から多孔構造の上
部電極4を介して導入して(装置内の気体の組成は、1
体積%窒素/ヘリウムである。)、電極に4.1kVの
電圧を1分間印加してプラズマを発生させた。 <工程(2)>上記放電プラズマ処理を施した不織布を
流水を用いて1分間洗浄を行った。洗浄後、上記不織布
を脱気した10重量%N,N−ジメチルアクリルアミド
水溶液に浸漬して、開始剤として硝酸二アンモニウムセ
リウム(IV)を加え、30℃に保って2時間静置して
反応を行わせた。次に、上記不織布を溶液から取り出
し、温水中で超音波洗浄を行って処理品を得た。処理品
をX線光電子分光法(XPS)で分析したところ、N,
N−ジメチルアクリルアミドに由来するアミド基のピー
クがC1sのスペクトルに確認された。
【0047】比較例 実施例1〜8と同様のポリエステル製不織布を、処理を
行わずに用いた。
行わずに用いた。
【0048】<再利用実験>カーボンブラック300g
が分散している1リットルの純水中に、被処理不織布を
5分間浸漬した。上記浸漬によってカーボンブラックの
付着した不織布を60℃で1時間乾燥した後に、純水中
に30分間浸漬した。水に浸漬することによって不織布
から除去されたカーボンブラックの量を示すものとし
て、浸漬後の水の透過率を測定した。同様の工程を透過
率が50%以上になるまで繰り返した。不織布の表面が
親水化されていれば、カーボンブラックは水に浸漬する
だけで容易に除去され、浸漬後の水中に分散する。水の
透過率が50%以下である場合はカーボンブラックが不
織布表面から充分に除去されているものとして、これを
容易に洗浄が可能な回数とした。これらの結果を実施例
の条件とともに、表1に示す。
が分散している1リットルの純水中に、被処理不織布を
5分間浸漬した。上記浸漬によってカーボンブラックの
付着した不織布を60℃で1時間乾燥した後に、純水中
に30分間浸漬した。水に浸漬することによって不織布
から除去されたカーボンブラックの量を示すものとし
て、浸漬後の水の透過率を測定した。同様の工程を透過
率が50%以上になるまで繰り返した。不織布の表面が
親水化されていれば、カーボンブラックは水に浸漬する
だけで容易に除去され、浸漬後の水中に分散する。水の
透過率が50%以下である場合はカーボンブラックが不
織布表面から充分に除去されているものとして、これを
容易に洗浄が可能な回数とした。これらの結果を実施例
の条件とともに、表1に示す。
【0049】
【表1】
【0050】
【発明の効果】本発明のにおいては、フィルターを構成
する3次元網目状多孔体に親水性基を形成させること又
は親水性モノマーをグラフト重合させることによって、
上記多孔体に親水性能を与えることが出来る。親水性表
面を有するフィルターは汚れを水洗によって簡単に落と
すことが出来るため、従来使い捨てされていたフィルタ
ーの再利用を可能とする。
する3次元網目状多孔体に親水性基を形成させること又
は親水性モノマーをグラフト重合させることによって、
上記多孔体に親水性能を与えることが出来る。親水性表
面を有するフィルターは汚れを水洗によって簡単に落と
すことが出来るため、従来使い捨てされていたフィルタ
ーの再利用を可能とする。
【0051】
【図1】 本発明の放電プラズマ処理装置の模式図
【符号の説明】 1 電源 2 パイレックスガラス製容器 3 放電プラズマ発生部 4 上部電極 5 下部電極 6 固体誘電体 7 3次元網目状多孔体 8 ガス導入管 9 ガス導入管 10 ガス排出口 11 排気口
【手続補正書】
【提出日】平成7年11月20日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0046
【補正方法】変更
【補正内容】
【0046】実施例8 <工程(1)>以下の点を変えた以外は、実施例4に記
載の方法によって放電プラズマ処理を行った。ヘリウム
ガスを流量990sccmでガス導入管9から、二酸化
硫黄気体を流量10sccmでガス導入管8から多孔構
造の上部電極4を介して導入して(装置内の気体の組成
は、1体積%二酸化硫黄/ヘリウムである。)、電極に
3.6kVの電圧を2分間印加してプラズマを発生させ
た。 <工程(2)>上記放電プラズマ処理を施した不織布を
流水を用いて1分間洗浄を行った。洗浄後、上記不織布
を脱気した10重量%N,N−ジメチルアクリルアミド
水溶液に浸漬して、開始剤として硝酸二アンモニウムセ
リウム(IV)を加え、30℃に保って2時間静置して
反応を行わせた。次に、上記不織布を溶液から取り出
し、温水中で超音波洗浄を行って処理品を得た。処理品
をX線光電子分光法(XPS)で分析したところ、N,
N−ジメチルアクリルアミドに由来するアミド基のピー
クがC1sのスペクトルに確認された。
載の方法によって放電プラズマ処理を行った。ヘリウム
ガスを流量990sccmでガス導入管9から、二酸化
硫黄気体を流量10sccmでガス導入管8から多孔構
造の上部電極4を介して導入して(装置内の気体の組成
は、1体積%二酸化硫黄/ヘリウムである。)、電極に
3.6kVの電圧を2分間印加してプラズマを発生させ
た。 <工程(2)>上記放電プラズマ処理を施した不織布を
流水を用いて1分間洗浄を行った。洗浄後、上記不織布
を脱気した10重量%N,N−ジメチルアクリルアミド
水溶液に浸漬して、開始剤として硝酸二アンモニウムセ
リウム(IV)を加え、30℃に保って2時間静置して
反応を行わせた。次に、上記不織布を溶液から取り出
し、温水中で超音波洗浄を行って処理品を得た。処理品
をX線光電子分光法(XPS)で分析したところ、N,
N−ジメチルアクリルアミドに由来するアミド基のピー
クがC1sのスペクトルに確認された。
Claims (3)
- 【請求項1】対向する電極の少なくとも一方の対向面に
固体誘電体を設置し、該電極と該固体誘電体の間又は該
固体誘電体同志の対向面間に連通気孔を有する3次元網
目状多孔体を配置し、処理用ガスと不活性ガスの混合気
体又は不活性ガスの大気圧近傍の圧力下で該多孔体に放
電プラズマ処理を行うことを特徴とするフィルターの製
造方法。 - 【請求項2】処理用ガスとして酸素、窒素、硫黄のうち
1種以上の元素を含有する気体を用い、該処理用ガスが
不活性ガスの0.01〜10体積%であることを特徴と
する請求項1記載のフィルターの製造方法。 - 【請求項3】請求項1の処理を行った後に、、3次元網
目状多孔体を親水性モノマーの溶液に浸漬し、該多孔体
に親水性高分子鎖をグラフト共重合させることを特徴と
するフィルターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25077595A JPH0985026A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | フィルターの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25077595A JPH0985026A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | フィルターの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0985026A true JPH0985026A (ja) | 1997-03-31 |
Family
ID=17212866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25077595A Pending JPH0985026A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | フィルターの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0985026A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006528549A (ja) * | 2003-07-11 | 2006-12-21 | リダル、インコーポレイテッド | 繊維濾材の製造方法 |
| JP2010087505A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Asml Netherlands Bv | 非接触洗浄のためのシステム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
| CN119455700A (zh) * | 2025-01-15 | 2025-02-18 | 浙江理工大学 | 一种等离子体表面修饰多孔聚四氟乙烯化学沉积双链季铵盐高分子合金膜的制备方法 |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP25077595A patent/JPH0985026A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006528549A (ja) * | 2003-07-11 | 2006-12-21 | リダル、インコーポレイテッド | 繊維濾材の製造方法 |
| JP2010087505A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-15 | Asml Netherlands Bv | 非接触洗浄のためのシステム、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 |
| CN119455700A (zh) * | 2025-01-15 | 2025-02-18 | 浙江理工大学 | 一种等离子体表面修饰多孔聚四氟乙烯化学沉积双链季铵盐高分子合金膜的制备方法 |
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