JPH098639A - Output buffer circuit - Google Patents
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- JPH098639A JPH098639A JP7154490A JP15449095A JPH098639A JP H098639 A JPH098639 A JP H098639A JP 7154490 A JP7154490 A JP 7154490A JP 15449095 A JP15449095 A JP 15449095A JP H098639 A JPH098639 A JP H098639A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電源−接地間の貫通電流を抑制し、ノイズの
発生を低減することのできる出力バッファ回路を提供す
る。
【構成】 並列接続された出力トランジスタ11〜14
及び15〜18の各入力端子間に抵抗19〜24を介し
た回路で、出力トランジスタ11〜14及び15〜18
の入力端子にトランジスタ31〜34及び35〜38を
接続し、初段の出力トランジスタ11,15の入力端子
にトランジスタ39,40を挿入する。この構成によ
り、各出力トランジスタ11〜14,15〜18がスイ
ッチング動作をするとき、遮断状態に切り替わる側の出
力トランジスタは、その入力信号は抵抗の影響を受けな
くなり、入力信号の遅延が生じず、導通状態に切り替わ
る側の出力トランジスタよりも速く動作するため、出力
トランジスタ11〜14と15〜18との双方が同時に
導通状態になることを防ぎ、貫通電流を抑え、ノイズの
低減を図ることができる。
(57) [Summary] [Object] To provide an output buffer circuit capable of suppressing a shoot-through current between a power supply and a ground and reducing generation of noise. [Configuration] Output transistors 11 to 14 connected in parallel
And the output transistors 11 to 14 and 15 to 18 in a circuit in which resistors 19 to 24 are interposed between the input terminals of
Transistors 31 to 34 and 35 to 38 are connected to the input terminals of, and transistors 39 and 40 are inserted into the input terminals of the output transistors 11 and 15 of the first stage. With this configuration, when each of the output transistors 11 to 14 and 15 to 18 performs a switching operation, the input signal of the output transistor that is switched to the cutoff state is not affected by the resistance, and the input signal is not delayed, Since it operates faster than the output transistor on the side that switches to the conductive state, it is possible to prevent both of the output transistors 11 to 14 and 15 to 18 from being in the conductive state at the same time, suppress the through current, and reduce noise. .
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は半導体集積回路におけ
る出力バッファ回路に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an output buffer circuit in a semiconductor integrated circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、半導体集積回路は電子機器等の誤
動作の原因ともなるノイズの低減化の対策が行われてい
るが、電子機器等の省電力化に伴いより低ノイズな回路
の実現が必要となっている。以下、従来の出力バッファ
回路について説明する。2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor integrated circuits have been subjected to measures for reducing noise that causes malfunctions of electronic devices and the like. However, with the power saving of electronic devices and the like, it is possible to realize circuits with lower noise. Is needed. The conventional output buffer circuit will be described below.
【0003】図4は従来の出力バッファ回路の回路図を
示す。図4において、VDDは正電源、VSSは接地、1,
2は第1,第2の信号入力端子、3は信号出力端子、1
1〜14はPチャネルMOSトランジスタ(以下「PM
OS」という)、15〜18はNチャネルMOSトラン
ジスタ(以下「NMOS」という)、19〜24は抵抗
である。FIG. 4 shows a circuit diagram of a conventional output buffer circuit. In FIG. 4, V DD is a positive power supply, V SS is ground, 1,
2 is a first and second signal input terminal, 3 is a signal output terminal, 1
1 to 14 are P-channel MOS transistors (hereinafter "PM
15 to 18 are N channel MOS transistors (hereinafter referred to as "NMOS"), and 19 to 24 are resistors.
【0004】この従来の出力バッファ回路は、PMOS
11〜14の並列回路と、NMOS15〜18の並列回
路と、抵抗19〜21で構成される第1の信号遅延用回
路網と、抵抗22〜24で構成される第2の信号遅延用
回路網とを備えている。PMOS11〜14の並列回路
は、正電源VDDと信号出力端子3との間に接続し、NM
OS15〜18の並列回路は、接地VSSと信号出力端子
3との間に接続している。抵抗19〜21で構成される
第1の信号遅延用回路網は、第1の信号入力端子1から
PMOS11〜14の各制御端子へ至る経路に設けら
れ、第1の信号入力端子1からPMOS11〜14の各
制御端子へ至る経路の信号伝達時間を異ならせるもので
ある。抵抗22〜24で構成される第2の信号遅延用回
路網は、第2の信号入力端子2からNMOS15〜18
の各制御端子へ至る経路に設けられ、第2の信号入力端
子2からNMOS15〜18の各制御端子へ至る経路の
信号伝達時間を異ならせるものである。This conventional output buffer circuit is a PMOS
11-14 parallel circuit, NMOS15-18 parallel circuit, first signal delay circuit network composed of resistors 19-21, and second signal delay circuit network composed of resistors 22-24. It has and. The parallel circuit of the PMOSs 11 to 14 is connected between the positive power source V DD and the signal output terminal 3, and
The parallel circuit of the OSs 15 to 18 is connected between the ground V SS and the signal output terminal 3. The first signal delay circuit network including the resistors 19 to 21 is provided in a path from the first signal input terminal 1 to each control terminal of the PMOSs 11 to 14, and the first signal input terminal 1 to the PMOSs 11 to 14 is provided. The signal transmission time of the route to each control terminal of 14 is made different. A second signal delay circuit network composed of resistors 22 to 24 is provided from the second signal input terminal 2 to the NMOSs 15 to 18.
The signal transmission time of the path extending from the second signal input terminal 2 to the control terminals of the NMOSs 15 to 18 is different.
【0005】以上のように構成された従来の出力バッフ
ァ回路について、以下その動作を説明する。まず、第
1,第2の信号入力端子1,2にそれぞれハイレベル
(以下「Hレベル」という)の信号が入力されたとする
と、PMOS11〜14は遮断状態になり導通しない。
一方、NMOS15〜18は導通状態になり、電流は信
号出力端子3からNMOS15〜18を通って接地に流
れ、信号出力端子3と接地間の電位が同じになる。その
結果、信号出力端子3にはローレベル(以下「Lレベ
ル」という)の信号が出力される。The operation of the conventional output buffer circuit configured as described above will be described below. First, if high-level (hereinafter referred to as "H level") signals are input to the first and second signal input terminals 1 and 2, the PMOSs 11 to 14 are cut off and are not conducted.
On the other hand, the NMOSs 15 to 18 become conductive, current flows from the signal output terminal 3 to the ground through the NMOSs 15 to 18, and the potential between the signal output terminal 3 and the ground becomes the same. As a result, a low level (hereinafter referred to as "L level") signal is output to the signal output terminal 3.
【0006】また、逆に第1,第2の信号入力端子1,
2にそれぞれLレベルの信号が入力されたとすると、N
MOS15〜18は遮断状態になり導通しない。一方、
PMOS11〜14は導通状態になり、電流は正電源V
DDからPMOS11〜14を通って信号出力端子3に流
れ、信号出力端子3と正電源VDD間の電位が同じにな
る。その結果、信号出力端子3にはHレベルの信号が出
力される。On the contrary, the first and second signal input terminals 1,
If L level signals are input to 2 respectively, N
The MOSs 15 to 18 are cut off and do not conduct. on the other hand,
The PMOS 11 to 14 become conductive, and the current is the positive power supply V
It flows from DD to the signal output terminal 3 through the PMOSs 11 to 14, and the potential between the signal output terminal 3 and the positive power supply V DD becomes the same. As a result, an H level signal is output to the signal output terminal 3.
【0007】この従来の出力バッファ回路では、PMO
S11〜14、NMOS15〜18が並列に接続され、
それぞれの制御端子間に抵抗(19〜24)を介してあ
ることによって、それぞれのトランジスタの制御端子に
伝わる信号に遅延が生じ、それぞれのトランジスタに入
力される信号に時間差が生じ、トランジスタのスイッチ
ングのタイミングをずらしている。これにより入力信号
変化時の急激な電流の変化を抑え、急激な電流の変化に
よって発生する出力波形や電源ラインに乗るノイズを低
減している。In this conventional output buffer circuit, the PMO
S11 to 14 and NMOS 15 to 18 are connected in parallel,
Since the resistors (19 to 24) are provided between the respective control terminals, a signal transmitted to the control terminals of the respective transistors is delayed, a time difference is generated in the signals input to the respective transistors, and the switching of the transistors is delayed. Timing is staggered. This suppresses a sudden change in current when the input signal changes, and reduces output waveforms and noise on the power supply line generated by the sudden change in current.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、入力信号の変化を早く受けるトランジス
タと遅く受けるトランジスタとのスイッチングのタイミ
ングのズレにより、PMOS11〜14、NMOS15
〜18の双方のいずれかのトランジスタがともに導通状
態になる状態があり、それにより電源−接地間に貫通電
流が流れ、その貫通電流がノイズを発生させるという問
題があった。However, in the above-described conventional structure, the PMOS 11 to 14 and the NMOS 15 are affected by the switching timing difference between the transistor that receives the change of the input signal early and the transistor that receives the change of the input signal late.
There is a problem that any one of the transistors Nos. 1 to 18 is in a conductive state, which causes a through current to flow between the power supply and ground, and the through current causes noise.
【0009】この発明は上記従来の問題点を解決するも
ので、電源−接地間の貫通電流を抑制し、ノイズの発生
を低減することのできる出力バッファ回路を提供するこ
とを目的とする。The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide an output buffer circuit capable of suppressing the through current between the power supply and the ground and reducing the generation of noise.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の出力バッ
ファ回路は、電流吐き出し用電源と信号出力端子との間
に接続した複数の電流吐き出し用出力トランジスタの並
列回路と、電流引き込み用電源と信号出力端子との間に
接続した複数の電流引き込み用出力トランジスタの並列
回路と、第1の信号入力端子から複数の電流吐き出し用
出力トランジスタの各制御端子へ至る経路に設けられ第
1の信号入力端子から複数の電流吐き出し用出力トラン
ジスタの各制御端子へ至る経路の信号伝達時間を異なら
せる第1の信号遅延用回路網と、第2の信号入力端子か
ら複数の電流引き込み用出力トランジスタの各制御端子
へ至る経路に設けられ第2の信号入力端子から複数の電
流引き込み用出力トランジスタの各制御端子へ至る経路
の信号伝達時間を異ならせる第2の信号遅延用回路網
と、第1の信号入力端子と第1の信号遅延用回路網の始
端との間に挿入されて複数の電流吐き出し用出力トラン
ジスタを導通させる極性の入力信号を第1の信号遅延用
回路網の始端に供給する第1の順次導通制御用トランジ
スタと、第1の信号入力端子と複数の電流吐き出し用出
力トランジスタの各制御端子との間に挿入されて複数の
電流吐き出し用出力トランジスタを遮断させる極性の入
力信号を第1の信号遅延用回路網をバイパスして複数の
電流吐き出し用出力トランジスタの制御端子に直接供給
する第1の同時遮断制御用トランジスタ群と、第2の信
号入力端子と第2の信号遅延用回路網の始端との間に挿
入されて複数の電流引き込み用出力トランジスタを導通
させる極性の入力信号を第2の信号遅延用回路網の始端
に供給する第2の順次導通制御用トランジスタと、第2
の信号入力端子と複数の電流引き込み用出力トランジス
タの制御端子との間に挿入されて複数の電流引き込み用
出力トランジスタを遮断させる極性の入力信号を第2の
信号遅延用回路網をバイパスして複数の電流引き込み用
出力トランジスタの制御端子に直接供給する第2の同時
遮断制御用トランジスタ群とを備えている。According to a first aspect of the present invention, there is provided an output buffer circuit comprising a parallel circuit of a plurality of current source output transistors connected between a current source power source and a signal output terminal, and a current source power source. A parallel circuit of a plurality of current drawing output transistors connected between the signal output terminal and a first signal input provided on a path from the first signal input terminal to each control terminal of the plurality of current discharging output transistors A first signal delay circuit network that makes the signal transmission time of a path from a terminal to each control terminal of a plurality of current source output transistors different, and each control of a plurality of current source output transistors from a second signal input terminal The signal transmission time of the path provided from the second signal input terminal to each control terminal of the plurality of current drawing output transistors provided on the path to the terminal An input signal of a polarity inserted between the first signal input terminal and the start end of the first signal delay circuit for turning on the second signal delay circuit to be turned on. Is inserted between the first signal input terminal and each control terminal of the plurality of current discharging output transistors. A first simultaneous cutoff control transistor group for directly supplying an input signal having a polarity for cutting off the current discharge output transistor to the control terminals of the plurality of current discharge output transistors by bypassing the first signal delay circuit network. , An input signal having a polarity which is inserted between the second signal input terminal and the start end of the second signal delay circuit network and makes the plurality of current drawing output transistors conductive. A second sequential conduction control transistor for supplying a start of use circuitry second
A plurality of input signals having polarities that are inserted between the signal input terminal of the control circuit and the control terminals of the plurality of current drawing output transistors and cut off the plurality of current drawing output transistors by bypassing the second signal delay circuit network. And a second simultaneous cutoff control transistor group which is directly supplied to the control terminal of the current drawing output transistor.
【0011】請求項2記載の出力バッファ回路は、請求
項1記載の出力バッファ回路において、第1および第2
の信号遅延用回路網は、それぞれ第1および第2信号遅
延用抵抗回路網からなる。請求項3記載の出力バッファ
回路は、請求項2記載の出力バッファ回路において、複
数の電流吐き出し用出力トランジスタおよび複数の電流
引き込み用出力トランジスタがそれぞれMOS型電界効
果トランジスタからなり、第1の信号遅延用抵抗回路網
は、複数の電流吐き出し用出力トランジスタのゲート電
極間を接続する第1の抵抗体膜からなり、第1の抵抗体
膜を複数の電流吐き出し用出力トランジスタのゲート電
極と同一材料で形成し、第2の信号遅延用抵抗回路網
は、複数の電流引き込み用出力トランジスタのゲート電
極間を接続する第2の抵抗体膜からなり、第2の抵抗体
膜を複数の電流引き込み用出力トランジスタのゲート電
極と同一材料で形成している。An output buffer circuit according to a second aspect of the present invention is the output buffer circuit according to the first aspect, further comprising:
The signal delay circuit network includes a first and a second signal delay resistance circuit network, respectively. According to a third aspect of the present invention, in the output buffer circuit according to the second aspect, the plurality of current source output transistors and the plurality of current source output transistors each comprise a MOS field effect transistor, and the first signal delay circuit is provided. The resistance circuit network for use includes a first resistor film that connects between the gate electrodes of the plurality of current source output transistors, and the first resistor film is made of the same material as the gate electrodes of the plurality of current source output transistors. The second resistor circuit network for signal delay is formed of a second resistor film that connects the gate electrodes of a plurality of current drawing output transistors, and the second resistor film forms a plurality of current drawing outputs. It is formed of the same material as the gate electrode of the transistor.
【0012】[0012]
【作用】この構成によって、第1・第2の同時遮断制御
用トランジスタ群が、電流吐き出し用・電流引き込み用
出力トランジスタが遮断状態に切り替わるときだけ、第
1・第2の信号遅延用回路網を介さず入力信号を電流吐
き出し用・電流引き込み用出力トランジスタの制御端子
に伝えるバイパスの役割をするため、電流吐き出し用・
電流引き込み用出力トランジスタが遮断状態に変わる時
間が速くなり、電流吐き出し用および電流引き込み用出
力トランジスタの双方が同時に導通状態になることを防
ぎ、貫通電流によるノイズの発生を低減することができ
る。なお、電流吐き出し用・電流引き込み用出力トラン
ジスタが導通状態に切り替わるときには、第1・第2の
順次導通制御用トランジスタが導通し、入力信号は第1
・第2の信号遅延用回路網を介して電流吐き出し用・電
流引き込み用出力トランジスタの制御端子に入力し、電
流吐き出し用・電流引き込み用出力トランジスタは入力
側最初段から最終段に近いトランジスタほど導通状態に
切り替わるタイミングが遅くなる。With this configuration, the first and second simultaneous interruption control transistor groups operate the first and second signal delay circuits only when the current source / current pull-in output transistors are switched to the interruption state. For bypassing the input signal without passing through it, it acts as a bypass for transmitting to the control terminal of the output transistor for current sinking and current sinking.
The time for the current drawing output transistor to switch to the cutoff state is shortened, it is possible to prevent both the current drawing output transistor and the current drawing output transistor from becoming conductive at the same time, and it is possible to reduce the occurrence of noise due to a through current. When the current source / current source output transistors are switched to the conductive state, the first / second sequential conduction control transistors are conductive and the input signal is the first signal.
-Input to the control terminal of the output transistor for current discharge / current draw through the second signal delay circuit, and the output transistor for current discharge / current draw is closer to the transistor closer to the last stage from the input side. The timing to switch to the state is delayed.
【0013】[0013]
【実施例】以下、この発明の一実施例について、図面を
参照しながら説明する。図1はこの発明の一実施例の出
力バッファ回路の回路図である。図1において、VDDは
正電源(電流吐き出し用電源)、VSSは接地(電流引き
込み用電源)、1は第1の信号入力端子、2は第2の信
号入力端子、3は信号出力端子、11〜14はPMOS
(電流吐き出し用出力トランジスタ)、15〜18はN
MOS(電流引き込み用出力トランジスタ)、19〜2
1は第1の信号遅延用(抵抗)回路網を構成する抵抗、
22〜24は第2の信号遅延用(抵抗)回路網を構成す
る抵抗であり、これらは従来例の構成と同じである。3
1〜34はPMOS(第1の同時遮断制御用トランジス
タ)、35〜38はNMOS(第2の同時遮断制御用ト
ランジスタ)、39はNMOS(第1の順次導通制御用
トランジスタ)、40はPMOS(第2の順次導通制御
用トランジスタ)である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of an output buffer circuit according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, V DD is a positive power supply (power supply for discharging current), V SS is ground (power supply for drawing current), 1 is a first signal input terminal, 2 is a second signal input terminal, and 3 is a signal output terminal. 11 to 14 are PMOS
(Output transistor for discharging current) 15 to 18 are N
MOS (current drawing output transistor), 19-2
1 is a resistor that constitutes the first (delay) circuit for signal delay,
Numerals 22 to 24 are resistors constituting the second signal delay (resistive) circuit network, and these are the same as the configuration of the conventional example. 3
1 to 34 are PMOSs (first simultaneous cutoff control transistors), 35 to 38 are NMOSs (second simultaneous cutoff control transistors), 39 is an NMOS (first sequential conduction control transistor), and 40 is a PMOS (transistor). Second sequential conduction control transistor).
【0014】この実施例の出力バッファ回路は、従来例
同様、PMOS11〜14の並列回路と、NMOS15
〜18の並列回路と、抵抗19〜21で構成される第1
の信号遅延用回路網と、抵抗22〜24で構成される第
2の信号遅延用回路網とを備えている。PMOS11〜
14の並列回路は、正電源VDDと信号出力端子3との間
に接続し、NMOS15〜18の並列回路は、接地VSS
と信号出力端子3との間に接続している。抵抗19〜2
1で構成される第1の信号遅延用回路網は、第1の信号
入力端子1からPMOS11〜14の各制御端子へ至る
経路に設けられ、第1の信号入力端子1からPMOS1
1〜14の各制御端子へ至る経路の信号伝達時間を異な
らせるものである。抵抗22〜24で構成される第2の
信号遅延用回路網は、第2の信号入力端子2からNMO
S15〜18の各制御端子へ至る経路に設けられ、第2
の信号入力端子2からNMOS15〜18の各制御端子
へ至る経路の信号伝達時間を異ならせるものである。The output buffer circuit of this embodiment is similar to the conventional example in that a parallel circuit of PMOSs 11 to 14 and an NMOS 15 are provided.
No. 1 to No. 18 parallel circuit and resistors 19 to 21
And a second signal delay circuit network composed of resistors 22 to 24. PMOS 11-
The parallel circuit of 14 is connected between the positive power supply V DD and the signal output terminal 3, and the parallel circuit of the NMOS 15 to 18 is connected to the ground V SS.
And the signal output terminal 3 are connected. Resistance 19-2
The first signal delay circuit network configured by 1 is provided in a path from the first signal input terminal 1 to the control terminals of the PMOSs 11 to 14, and the first signal input terminal 1 to the PMOS 1
The signal transmission times of the paths to the control terminals 1 to 14 are made different. The second signal delay circuit network composed of the resistors 22 to 24 is connected from the second signal input terminal 2 to the NMO.
It is provided on the route to each control terminal of S15-18, and the second
The signal transmission time of the path from the signal input terminal 2 to the control terminals of the NMOSs 15 to 18 is made different.
【0015】さらに、この実施例では、NMOS39
と、PMOS31〜34と、PMOS40と、NMOS
35〜38とを設けている。NMOS39は、第1の信
号入力端子1と第1の信号遅延用回路網の始端との間に
挿入され、PMOS11〜14を導通させる極性の入力
信号を第1の信号遅延用回路網の始端に供給する。PM
OS31〜34は、第1の信号入力端子1とPMOS1
1〜14の各制御端子との間に挿入されてPMOS11
〜14を遮断させる極性の入力信号を第1の信号遅延用
回路網をバイパスしてPMOS11〜14の制御端子に
直接供給する。PMOS40は、第2の信号入力端子2
と第2の信号遅延用回路網の始端との間に挿入され、N
MOS15〜18を導通させる極性の入力信号を第2の
信号遅延用回路網の始端に供給する。NMOS35〜3
8は、第2の信号入力端子2とNMOS15〜18の制
御端子との間に挿入され、NMOS15〜18を遮断さ
せる極性の入力信号を第2の信号遅延用回路網をバイパ
スしてNMOS15〜18の制御端子に直接供給する。Further, in this embodiment, the NMOS 39
, PMOS 31-34, PMOS 40, NMOS
35-38 are provided. The NMOS 39 is inserted between the first signal input terminal 1 and the start end of the first signal delay circuit network, and supplies an input signal having a polarity for making the PMOSs 11 to 14 conductive to the start end of the first signal delay circuit network. Supply. PM
The OSs 31 to 34 have the first signal input terminal 1 and the PMOS 1
1 to 14 are inserted between the control terminals and the PMOS 11
An input signal having a polarity that cuts off .about.14 is bypassed through the first signal delay circuit network and directly supplied to the control terminals of the PMOSs 11-14. The PMOS 40 has a second signal input terminal 2
Is inserted between the start end of the second signal delay network and N
An input signal having a polarity for turning on the MOSs 15 to 18 is supplied to the starting end of the second signal delay circuit network. NMOS 35-3
A reference numeral 8 is inserted between the second signal input terminal 2 and the control terminals of the NMOSs 15 to 18 and bypasses the second signal delay circuit network for an input signal having a polarity for cutting off the NMOSs 15 to 18 so as to bypass the NMOSs 15 to 18. Supply directly to the control terminal of.
【0016】したがって、PMOS31〜34は、出力
トランジスタのPMOS11〜14が遮断状態に切り替
わるときの入力信号を与える役割をし、NMOS39
は、PMOS11〜14が導通状態に切り替わるときの
入力信号を与える役割をする。また、NMOS35〜3
8は、出力トランジスタのNMOS15〜18が遮断状
態に切り替わるときの入力信号を与える役割をし、PM
OS40は、NMOS15〜18が導通状態に切り替わ
るときの入力信号を与える役割をする。Therefore, the PMOSs 31 to 34 play a role of giving an input signal when the PMOSs 11 to 14 of the output transistors are switched to the cutoff state, and the NMOS 39.
Serves to provide an input signal when the PMOSs 11 to 14 switch to the conductive state. Also, NMOS 35-3
8 serves to provide an input signal when the NMOS transistors 15 to 18 of the output transistors are switched to the cutoff state, and PM
The OS 40 plays a role of supplying an input signal when the NMOSs 15 to 18 are switched to the conductive state.
【0017】以上のように構成されるこの実施例の出力
バッファ回路について、以下、その動作を説明する。最
初に、初期状態として第1,第2の信号入力端子1,2
にLレベルの信号が入力されているとし、PMOS11
〜14は遮断状態、NMOS15〜18は導通状態、P
MOS31〜34,40は導通状態、NMOS35〜3
9は遮断状態で、信号出力端子3にはLレベルの信号が
出力されているとする。The operation of the output buffer circuit of this embodiment having the above structure will be described below. First, as the initial state, the first and second signal input terminals 1 and 2 are
If an L level signal is input to the
To 14 are cut off, NMOSs 15 to 18 are conductive, P
MOS 31-34, 40 are conductive, NMOS 35-3
It is assumed that 9 is in a cutoff state and an L level signal is output to the signal output terminal 3.
【0018】まず、図1の第1,第2の信号入力端子
1,2にHレベルの信号が入力されるとすると、PMO
S31〜34,40が遮断状態となり、NMOS35〜
39が導通状態となる。このとき、出力トランジスタで
あるPMOS11〜14,NMOS15〜18のそれぞ
れの制御端子にはLレベルの信号が入力される。その結
果、信号出力端子3にはHレベルの信号が出力される。
このとき、PMOS11〜14の制御端子に入る信号は
抵抗19〜21によって遅延が生じ、最終段(出力側)
に近いトランジスタほど導通状態に切り替わるタイミン
グが遅くなる。このため、並列接続されたPMOS11
〜14は最初段から最終段へ徐々に導通状態に切り替わ
っていく。一方、NMOS15〜18の制御端子に入る
信号は、NMOS35〜38により入力されるので、抵
抗22〜24の影響を受けない。このため、NMOS1
5〜18は最初に信号が入った時点でほぼ同時に遮断状
態に切り替わる。First, assuming that an H level signal is input to the first and second signal input terminals 1 and 2 of FIG.
S31 to 34 and 40 are turned off, and NMOS 35 to
39 becomes conductive. At this time, an L level signal is input to the respective control terminals of the output transistors PMOS 11 to 14 and NMOS 15 to 18. As a result, an H level signal is output to the signal output terminal 3.
At this time, the signals entering the control terminals of the PMOSs 11 to 14 are delayed by the resistors 19 to 21, and the final stage (output side)
The closer the transistor is, the later the timing of switching to the conductive state. Therefore, the PMOS 11 connected in parallel is
-14 gradually switches to the conductive state from the first stage to the last stage. On the other hand, the signals input to the control terminals of the NMOSs 15 to 18 are not affected by the resistors 22 to 24 because they are input by the NMOSs 35 to 38. Therefore, NMOS1
5 to 18 are switched to the cutoff state almost at the same time when the signal is first input.
【0019】また、逆に第1,第2の信号入力端子1,
2にLレベルの信号が入力されたときも同様に、まずP
MOS31〜34,40が導通状態となり、NMOS3
5〜39が遮断状態となる。このとき、出力トランジス
タであるPMOS11〜14,NMOS15〜18のそ
れぞれの制御端子にはHレベルの信号が入力される。そ
の結果、信号出力端子3にはLレベルの信号が出力され
る。このとき、NMOS15〜18の制御端子に入る信
号は抵抗22〜24によって遅延が生じ、最終段(出力
側)に近いトランジスタほど導通状態に切り替わるタイ
ミングが遅くなる。このため、並列接続されたNMOS
15〜18は最初段から最終段へ徐々に導通状態に切り
替わっていく。一方、PMOS11〜14の制御端子に
入る信号は、PMOS31〜34により入力されるの
で、抵抗19〜21の影響を受けない。このため、PM
OS11〜14は最初に信号が入った時点でほぼ同時に
遮断状態に切り替わる。On the contrary, the first and second signal input terminals 1,
Similarly, when an L level signal is input to 2,
The MOS31 to 34, 40 are turned on, and the NMOS3
5 to 39 are cut off. At this time, an H level signal is input to the respective control terminals of the output transistors PMOS 11 to 14 and NMOS 15 to 18. As a result, an L level signal is output to the signal output terminal 3. At this time, the signals that enter the control terminals of the NMOSs 15 to 18 are delayed by the resistors 22 to 24, and the closer to the final stage (output side) the transistor is, the later the timing of switching to the conductive state is delayed. Therefore, NMOSs connected in parallel
In Nos. 15 to 18, the conductive state is gradually switched from the first stage to the last stage. On the other hand, the signals that enter the control terminals of the PMOSs 11 to 14 are not affected by the resistors 19 to 21 because they are input by the PMOSs 31 to 34. Therefore, PM
The OSs 11 to 14 are switched to the cutoff state almost at the same time when the signal is first input.
【0020】図2は、従来の出力バッファ回路とこの実
施例の出力バッファ回路の個々の出力トランジスタの動
作波形を比較したものである。まず、図2(a),
(b)は、従来の出力バッファ回路の並列に接続した個
々の出力トランジスタの出力電流と時間の関係、電源
(VDD)−接地(VSS)間を流れる貫通電流と時間の関
係を表した図であり、図2(c),(d)は、この実施
例の出力バッファ回路の並列に接続した個々の出力トラ
ンジスタの出力電流と時間の関係、電源(VDD)−接地
(VSS)間を流れる貫通電流と時間の関係を表した図で
ある。ここで、NMOS15〜18が遮断状態に切り替
わり、PMOS11〜14が導通状態に切り替わる場
合、NMOS15〜18を「遮断側出力トランジス
タ」、PMOS11〜14を「導通側出力トランジス
タ」と言い、また、PMOS11〜14が遮断状態に切
り替わり、NMOS15〜18が導通状態に切り替わる
場合、PMOS11〜14を「遮断側出力トランジス
タ」、NMOS15〜18を「導通側出力トランジス
タ」と言う。FIG. 2 compares the operation waveforms of the individual output transistors of the conventional output buffer circuit and the output buffer circuit of this embodiment. First, FIG.
(B) represents the relationship between the output current and time of each output transistor connected in parallel in the conventional output buffer circuit, and the relationship between the through current flowing between the power supply (V DD ) and the ground (V SS ) and the time. FIGS. 2 (c) and 2 (d) show the relationship between the output current and time of each output transistor connected in parallel in the output buffer circuit of this embodiment, power supply (V DD ) -ground (V SS ). It is a figure showing the relation between the penetration current which flows between and time. Here, when the NMOSs 15 to 18 are switched to the cutoff state and the PMOSs 11 to 14 are switched to the conductive state, the NMOSs 15 to 18 are referred to as “blocking side output transistors”, the PMOSs 11 to 14 are referred to as “conduction side output transistors”, and the PMOSs 11 to When 14 switches to the cutoff state and NMOSs 15 to 18 switch to the conductive state, the PMOSs 11 to 14 are referred to as “blocking side output transistors” and the NMOSs 15 to 18 are referred to as “conduction side output transistors”.
【0021】図2(a),(b)に示す従来の出力バッ
ファ回路では、遮断側出力トランジスタおよび導通側出
力トランジスタはどちらもに抵抗による切り替わりのタ
イミングにズレがあるために、早い時間に導通状態に切
り替わる導通側出力トランジスタと遅い時間に遮断状態
に切り替わる遮断側出力トランジスタとの間で同時に導
通状態になる時間が長くなり、電源−接地間に流れる貫
通電流の量が多くなる。一方、図2(c),(d)に示
すこの実施例の出力バッファ回路では、導通側出力トラ
ンジスタには抵抗による導通状態への切り替わりのタイ
ミングにズレがあるが、遮断側出力トランジスタは抵抗
を介さないため切り替わりのタイミングにズレがなくほ
ぼ同時に遮断状態へ切り替わる。このため、導通側と遮
断側の両出力トランジスタが同時に導通状態になる時間
がほぼなくなり、電源−接地間に流れる貫通電流の量を
少なくすることができる。In the conventional output buffer circuit shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b), since both the cutoff side output transistor and the conduction side output transistor are deviated in the timing of switching due to the resistance, they are conducted in an early time. The time during which the conducting-side output transistor that switches to the state and the blocking-side output transistor that switches to the blocking state at a later time are simultaneously in the conducting state becomes longer, and the amount of through current flowing between the power supply and ground increases. On the other hand, in the output buffer circuit of this embodiment shown in FIGS. 2 (c) and 2 (d), the conduction side output transistor has a deviation in the timing of switching to the conduction state by the resistance, but the cutoff side output transistor has the resistance. Since there is no intervention, there is no deviation in the switching timing, and switching to the cutoff state occurs almost at the same time. Therefore, there is almost no time during which both the conduction-side output transistor and the cut-off-side output transistor are in the conduction state at the same time, and the amount of through current flowing between the power supply and the ground can be reduced.
【0022】図3はこの実施例におけるPMOS11〜
14,NMOS15〜18からなる出力トランジスタ部
のマスクレイアウト図であり、50はポリシリコン(第
1,第2の抵抗体膜)であり、出力トランジスタの制御
端子(ゲート電極)および制御端子間の抵抗として用い
られる。図3に示すように、並列に接続する出力トラン
ジスタの制御端子間の配線に制御端子を構成するポリシ
リコン50を使用し、各出力トランジスタの制御端子間
をポリシリコン50で直列に接続したような構成にして
いる。この構成により、図1で示した抵抗19〜24
は、ポリシリコン50のシート抵抗によって構成するこ
とができるため、レイアウト上面積を小さくすることが
できる。FIG. 3 shows PMOSs 11 to 11 in this embodiment.
FIG. 19 is a mask layout diagram of an output transistor section composed of 14, NMOSs 15 to 18, 50 is polysilicon (first and second resistor films), and a control terminal (gate electrode) of the output transistor and a resistance between the control terminals. Used as. As shown in FIG. 3, polysilicon 50 forming a control terminal is used for the wiring between the control terminals of the output transistors connected in parallel, and the control terminals of the output transistors are connected in series with the polysilicon 50. It is configured. With this configuration, the resistors 19 to 24 shown in FIG.
Can be configured by the sheet resistance of the polysilicon 50, so that the area on the layout can be reduced.
【0023】以上のようにこの実施例によれば、PMO
S11〜14の各制御端子にPMOS31〜34を接続
し、最初段のPMOS11の制御端子にNMOS39を
接続し、NMOS15〜18の各制御端子にNMOS3
5〜38を接続し、最初段のNMOS15の制御端子に
PMOS40を接続した構成によって、PMOS11〜
14,NMOS15〜18の出力トランジスタが遮断状
態に切り替わるときのタイミングのズレを無くし、導通
状態に切り替わるときだけタイミングのズレが生じるよ
うにしたことにより、PMOS11〜14、NMOS1
5〜18の双方が同時に導通状態になることを防ぎ、貫
通電流によるノイズの発生を最小限に抑えることができ
る。As described above, according to this embodiment, the PMO
The PMOSs 31 to 34 are connected to the control terminals of S11 to 14, the NMOS 39 is connected to the control terminal of the first-stage PMOS 11, and the NMOS 3 is connected to the control terminals of the NMOS 15 to 18.
5 to 38 are connected, and PMOS 40 is connected to the control terminal of the first-stage NMOS 15
14, by eliminating the timing deviation when the output transistors of the NMOSs 15 to 18 are switched to the cutoff state and generating the timing deviation only when the output transistors are switched to the conductive state.
It is possible to prevent both of 5 to 18 from becoming conductive at the same time, and to suppress the generation of noise due to a through current.
【0024】なお、上記実施例では、出力トランジスタ
部には、PMOS11〜14、NMOS15〜18のそ
れぞれ4個のトランジスタを明示したが、このトランジ
スタは2個以上の複数個であればよく、また、PMO
S、NMOSの数は必ずしも一致しなくても良い。ま
た、上記実施例では、出力トランジスタの遮断側制御に
使ったPMOS31〜34,NMOS35〜38は、出
力トランジスタ部のPMOS11〜14,NMOS15
〜18と対になって同数であるが、必ずしも同数でなく
ても良い。In the above embodiment, the output transistors include four transistors, PMOS 11 to 14 and NMOS 15 to 18, respectively. However, the number of the transistors may be two or more. PMO
The numbers of S and NMOS need not necessarily match. Further, in the above embodiment, the PMOSs 31 to 34 and the NMOSs 35 to 38 used for controlling the cutoff side of the output transistors are the PMOSs 11 to 14 and the NMOS 15 of the output transistor section.
The number is the same as that of ~ 18, but not necessarily the same number.
【0025】[0025]
【発明の効果】この発明の出力バッファ回路は、第1の
信号入力端子と第1の信号遅延用回路網の始端との間に
挿入されて複数の電流吐き出し用出力トランジスタを導
通させる極性の入力信号を第1の信号遅延用回路網の始
端に供給する第1の順次導通制御用トランジスタと、第
1の信号入力端子と複数の電流吐き出し用出力トランジ
スタの各制御端子との間に挿入されて複数の電流吐き出
し用出力トランジスタを遮断させる極性の入力信号を第
1の信号遅延用回路網をバイパスして複数の電流吐き出
し用出力トランジスタの制御端子に直接供給する第1の
同時遮断制御用トランジスタ群と、第2の信号入力端子
と第2の信号遅延用回路網の始端との間に挿入されて複
数の電流引き込み用出力トランジスタを導通させる極性
の入力信号を第2の信号遅延用回路網の始端に供給する
第2の順次導通制御用トランジスタと、第2の信号入力
端子と複数の電流引き込み用出力トランジスタの制御端
子との間に挿入されて複数の電流引き込み用出力トラン
ジスタを遮断させる極性の入力信号を第2の信号遅延用
回路網をバイパスして複数の電流引き込み用出力トラン
ジスタの制御端子に直接供給する第2の同時遮断制御用
トランジスタ群とを設けたことにより、第1・第2の同
時遮断制御用トランジスタ群が、電流吐き出し用・電流
引き込み用出力トランジスタが遮断状態に切り替わると
きだけ、第1・第2の信号遅延用回路網を介さず入力信
号を電流吐き出し用・電流引き込み用出力トランジスタ
の制御端子に伝えるバイパスの役割をするため、電流吐
き出し用・電流引き込み用出力トランジスタが遮断状態
に変わる時間が速くなり、電流吐き出し用および電流引
き込み用出力トランジスタの双方が同時に導通状態にな
ることを防ぎ、貫通電流によるノイズの発生を低減する
ことができる。According to the output buffer circuit of the present invention, an input having a polarity which is inserted between the first signal input terminal and the starting end of the first signal delay circuit network and makes the plurality of current discharging output transistors conductive. A first sequential conduction control transistor for supplying a signal to the starting end of the first signal delay network; and a first signal input terminal and each control terminal of the plurality of current discharge output transistors. A first simultaneous cutoff control transistor group for supplying an input signal having a polarity for cutting off the plurality of current discharge output transistors, directly to the control terminals of the plurality of current discharge output transistors, bypassing the first signal delay circuit network. And an input signal having a polarity which is inserted between the second signal input terminal and the start end of the second signal delay circuit network to make the plurality of current drawing output transistors conductive. A plurality of current drawing outputs inserted between the second sequential conduction control transistor supplied to the beginning of the signal delay network and the second signal input terminal and the control terminals of the plurality of current drawing output transistors. By providing a second simultaneous cutoff control transistor group for supplying an input signal of a polarity for cutting off the transistor to the control terminals of the plurality of current drawing output transistors by bypassing the second signal delay circuit network. , The first and second simultaneous cutoff control transistor groups output the input signal without passing through the first and second signal delay circuit networks only when the current discharge / current draw output transistors switch to the cutoff state. In order to serve as a bypass for transmitting to the control terminal of the output / current sink output transistor, the output current / current sink output transistor Register time is faster to change the cut-off state, prevents both the output transistor for attracting and for the current source current is turned on at the same time, it is possible to reduce the generation of noise due to through current.
【図1】この発明の一実施例の出力バッファ回路の回路
図。FIG. 1 is a circuit diagram of an output buffer circuit according to an embodiment of the present invention.
【図2】この発明の一実施例と従来例における出力トラ
ンジスタの動作波形を比較するための図。FIG. 2 is a diagram for comparing operation waveforms of output transistors in an embodiment of the present invention and a conventional example.
【図3】この発明の一実施例における出力トランジスタ
部のマスクレイアウト図。FIG. 3 is a mask layout diagram of an output transistor section according to an embodiment of the present invention.
【図4】従来の出力バッファ回路の回路図。FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional output buffer circuit.
1 第1の信号入力端子 2 第2の信号入力端子 3 信号出力端子 11,12,13,14,31,32,33,34,4
0 PチャネルMOSトランジスタ 15,16,17,18,35,36,37,38,3
9 NチャネルMOSトランジスタ 19,20,21,22,23,24 抵抗 50 ポリシリコン1 1st signal input terminal 2 2nd signal input terminal 3 Signal output terminal 11, 12, 13, 14, 31, 32, 33, 34, 4
0 P-channel MOS transistor 15, 16, 17, 18, 35, 36, 37, 38, 3
9 N-channel MOS transistor 19, 20, 21, 22, 23, 24 Resistance 50 Polysilicon
Claims (3)
間に接続した複数の電流吐き出し用出力トランジスタの
並列回路と、 電流引き込み用電源と前記信号出力端子との間に接続し
た複数の電流引き込み用出力トランジスタの並列回路
と、 第1の信号入力端子から前記複数の電流吐き出し用出力
トランジスタの各制御端子へ至る経路に設けられ前記第
1の信号入力端子から前記複数の電流吐き出し用出力ト
ランジスタの各制御端子へ至る経路の信号伝達時間を異
ならせる第1の信号遅延用回路網と、 第2の信号入力端子から前記複数の電流引き込み用出力
トランジスタの各制御端子へ至る経路に設けられ前記第
2の信号入力端子から前記複数の電流引き込み用出力ト
ランジスタの各制御端子へ至る経路の信号伝達時間を異
ならせる第2の信号遅延用回路網と、 前記第1の信号入力端子と前記第1の信号遅延用回路網
の始端との間に挿入されて前記複数の電流吐き出し用出
力トランジスタを導通させる極性の入力信号を前記第1
の信号遅延用回路網の始端に供給する第1の順次導通制
御用トランジスタと、 前記第1の信号入力端子と前記複数の電流吐き出し用出
力トランジスタの各制御端子との間に挿入されて前記複
数の電流吐き出し用出力トランジスタを遮断させる極性
の入力信号を前記第1の信号遅延用回路網をバイパスし
て前記複数の電流吐き出し用出力トランジスタの制御端
子に直接供給する第1の同時遮断制御用トランジスタ群
と、 前記第2の信号入力端子と前記第2の信号遅延用回路網
の始端との間に挿入されて前記複数の電流引き込み用出
力トランジスタを導通させる極性の入力信号を前記第2
の信号遅延用回路網の始端に供給する第2の順次導通制
御用トランジスタと、 前記第2の信号入力端子と前記複数の電流引き込み用出
力トランジスタの制御端子との間に挿入されて前記複数
の電流引き込み用出力トランジスタを遮断させる極性の
入力信号を前記第2の信号遅延用回路網をバイパスして
前記複数の電流引き込み用出力トランジスタの制御端子
に直接供給する第2の同時遮断制御用トランジスタ群と
を備えた出力バッファ回路。1. A parallel circuit of a plurality of current source output transistors connected between a current source and a signal output terminal, and a plurality of current source connected between a current source and a signal output terminal. Of the parallel output output transistors and a path from the first signal input terminal to the control terminals of the plurality of current output output transistors, and the plurality of current output output transistors are provided from the first signal input terminal. The first signal delay circuit network that makes the signal transmission time of the path to each control terminal different, and the path provided from the second signal input terminal to each control terminal of the plurality of current drawing output transistors are provided. A second signal that makes the signal transmission time of the path from the second signal input terminal to each control terminal of the plurality of current drawing output transistors different. A delay circuit; and an input signal having a polarity that is inserted between the first signal input terminal and the start end of the first signal delay circuit to turn on the plurality of current discharging output transistors. 1
A first sequential conduction control transistor to be supplied to the start end of the signal delay circuit network, and a plurality of the plurality of current conduction output control transistors inserted between the first signal input terminal and the control terminals of the plurality of current discharging output transistors. First simultaneous cut-off control transistor for supplying an input signal of a polarity for cutting off the current discharge output transistor of (3) directly to the control terminals of the plurality of current discharge output transistors by bypassing the first signal delay circuit network A group, and a second input signal having a polarity that is inserted between the second signal input terminal and the start end of the second signal delay network to make the plurality of current drawing output transistors conductive.
A second sequential conduction control transistor supplied to the beginning of the signal delay circuit network, and a plurality of the plurality of current conduction output transistors inserted between the second signal input terminal and the control terminals of the plurality of current drawing output transistors. A second simultaneous cutoff control transistor group for supplying an input signal having a polarity for cutting off the current drawing output transistor by bypassing the second signal delay circuit network and directly supplying it to the control terminals of the plurality of current drawing output transistors. And an output buffer circuit having.
それぞれ第1および第2信号遅延用抵抗回路網からなる
請求項1記載の出力バッファ回路。2. The first and second signal delay networks include:
An output buffer circuit as claimed in claim 1, each comprising a first and a second signal delay resistor network.
および複数の電流引き込み用出力トランジスタがそれぞ
れMOS型電界効果トランジスタからなり、第1の信号
遅延用抵抗回路網は、前記複数の電流吐き出し用出力ト
ランジスタのゲート電極間を接続する第1の抵抗体膜か
らなり、前記第1の抵抗体膜を前記複数の電流吐き出し
用出力トランジスタのゲート電極と同一材料で形成し、
第2の信号遅延用抵抗回路網は、前記複数の電流引き込
み用出力トランジスタのゲート電極間を接続する第2の
抵抗体膜からなり、前記第2の抵抗体膜を前記複数の電
流引き込み用出力トランジスタのゲート電極と同一材料
で形成した請求項2記載の出力バッファ回路。3. A plurality of current source output transistors and a plurality of current source output transistors each comprise a MOS field effect transistor, and a first signal delay resistor network includes a plurality of current source output transistors. A first resistor film that connects between the gate electrodes, and the first resistor film is formed of the same material as the gate electrodes of the plurality of current output output transistors,
The second signal delay resistor network is composed of a second resistor film connecting the gate electrodes of the plurality of current drawing output transistors, and the second resistor film is connected to the plurality of current drawing outputs. The output buffer circuit according to claim 2, wherein the output buffer circuit is formed of the same material as the gate electrode of the transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7154490A JPH098639A (en) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | Output buffer circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7154490A JPH098639A (en) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | Output buffer circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098639A true JPH098639A (en) | 1997-01-10 |
Family
ID=15585391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7154490A Pending JPH098639A (en) | 1995-06-21 | 1995-06-21 | Output buffer circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098639A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100505617B1 (en) * | 1998-08-28 | 2005-09-26 | 삼성전자주식회사 | Output buffer for semiconductor integrated circuits |
| US8138819B2 (en) | 2008-07-18 | 2012-03-20 | Denso Corporation | Driving transistor control circuit |
-
1995
- 1995-06-21 JP JP7154490A patent/JPH098639A/en active Pending
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| KR100505617B1 (en) * | 1998-08-28 | 2005-09-26 | 삼성전자주식회사 | Output buffer for semiconductor integrated circuits |
| US8138819B2 (en) | 2008-07-18 | 2012-03-20 | Denso Corporation | Driving transistor control circuit |
| US8310296B2 (en) | 2008-07-18 | 2012-11-13 | Denso Corporation | Driving transistor control circuit |
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