JPH0990330A - 液晶表示装置の製法 - Google Patents
液晶表示装置の製法Info
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- JPH0990330A JPH0990330A JP24166995A JP24166995A JPH0990330A JP H0990330 A JPH0990330 A JP H0990330A JP 24166995 A JP24166995 A JP 24166995A JP 24166995 A JP24166995 A JP 24166995A JP H0990330 A JPH0990330 A JP H0990330A
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 処理中のエッチングされる膜の膜厚、または
成膜する膜厚を所望の膜厚に保つことができる液晶表示
装置の製法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板５の中央部に形成した成膜部
分にドライエッチングする液晶表示装置の製法であっ
て、前記ガラス基板の周縁部に前記成膜部分の成膜条件
と同一の成膜条件によって成膜した膜厚測定専用パター
ンを設け、前記専用パターンの反射率または偏光率を測
定しつつ当該専用パターンを前記成膜部分と同時にドラ
イエッチングし、前記専用パターンの反射率または偏光
率の測定信号の変化によってドライエッチングの処理厚
さをモニタし、前記専用パターンの厚さがドライエッチ
ングの所定厚さに達したとき、ドライエッチングのため
のＲＦ放電を停止することを特徴とする。
成膜する膜厚を所望の膜厚に保つことができる液晶表示
装置の製法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板５の中央部に形成した成膜部
分にドライエッチングする液晶表示装置の製法であっ
て、前記ガラス基板の周縁部に前記成膜部分の成膜条件
と同一の成膜条件によって成膜した膜厚測定専用パター
ンを設け、前記専用パターンの反射率または偏光率を測
定しつつ当該専用パターンを前記成膜部分と同時にドラ
イエッチングし、前記専用パターンの反射率または偏光
率の測定信号の変化によってドライエッチングの処理厚
さをモニタし、前記専用パターンの厚さがドライエッチ
ングの所定厚さに達したとき、ドライエッチングのため
のＲＦ放電を停止することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置の製法
に関する。さらに詳しくは、ドライエッチングまたは成
膜を用いる液晶表示装置の製法に関する。
に関する。さらに詳しくは、ドライエッチングまたは成
膜を用いる液晶表示装置の製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より液晶表示装置として、薄膜トラ
ンジスタを複数個アレイ状に配列するものが用いられて
いる。この薄膜トランジスタの製造工程の中には、ドラ
イエッチングと成膜とがあるが、従来のドライエッチン
グおよび成膜はつぎのようにして行なわれている。
ンジスタを複数個アレイ状に配列するものが用いられて
いる。この薄膜トランジスタの製造工程の中には、ドラ
イエッチングと成膜とがあるが、従来のドライエッチン
グおよび成膜はつぎのようにして行なわれている。
【０００３】従来のドライエッチングに用いられるエッ
チング装置の一例の概略断面図を図５に示す。上部電極
１と下部電極２に挟まれた領域には処理室がもうけられ
ている。この処理室にはＳＦ6またはＣＦ4などのエッチ
ングガスが導入されており、処理室には、ＲＦ発振器１
３によってＲＦ高周波の電磁場がかけられている。電極
板３と電極板４に電圧をかけることによって、プラスに
帯電したイオン６をガラス基板５上に引き込み、化学的
にガラス基板５上の膜を分解する。電極板３、４の温度
は、温度調節器７で制御され、それによって上部電極１
および下部電極２に供給する電圧が制御されている。処
理室内の圧力は、真空ポンプ８で高真空にすることによ
り、調節を行なっている。
チング装置の一例の概略断面図を図５に示す。上部電極
１と下部電極２に挟まれた領域には処理室がもうけられ
ている。この処理室にはＳＦ6またはＣＦ4などのエッチ
ングガスが導入されており、処理室には、ＲＦ発振器１
３によってＲＦ高周波の電磁場がかけられている。電極
板３と電極板４に電圧をかけることによって、プラスに
帯電したイオン６をガラス基板５上に引き込み、化学的
にガラス基板５上の膜を分解する。電極板３、４の温度
は、温度調節器７で制御され、それによって上部電極１
および下部電極２に供給する電圧が制御されている。処
理室内の圧力は、真空ポンプ８で高真空にすることによ
り、調節を行なっている。
【０００４】つぎに成膜について説明する。図６は成膜
装置の処理室の断面図を示している。図６に示されるよ
うに、電極９および１０のあいだの処理室には反応ガス
（イオン６）が導入されており、処理室にはＲＦ発振器
１３によってＲＦ高周波の電磁場がかけられている。こ
のようにすることにより、化学的にガラス基板５上に膜
を生成する。
装置の処理室の断面図を示している。図６に示されるよ
うに、電極９および１０のあいだの処理室には反応ガス
（イオン６）が導入されており、処理室にはＲＦ発振器
１３によってＲＦ高周波の電磁場がかけられている。こ
のようにすることにより、化学的にガラス基板５上に膜
を生成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記従来のエッチング
装置による液晶表示装置の製法においては、処理中にガ
ラス基板上の膜厚を測定し、所望の膜厚でドライエッチ
ングを止めることはできない。そのため、製品となるデ
バイス基板以外のモニタ基板を用意し、モニタ基板によ
って定期的にエッチングレートを測定し、そのエッチン
グレートから計算することにより所望のエッチング量に
かかる時間を算出し、ドライエッチングを行なってい
る。したがって、時間がかかるという問題がある。しか
も、エッチングレートを測定したモニタ基板は、デバイ
ス基板とはエッチングする領域の成膜パターンが異なる
のでデバイス基板に所望の膜厚の膜を残すことができな
いという問題がある。
装置による液晶表示装置の製法においては、処理中にガ
ラス基板上の膜厚を測定し、所望の膜厚でドライエッチ
ングを止めることはできない。そのため、製品となるデ
バイス基板以外のモニタ基板を用意し、モニタ基板によ
って定期的にエッチングレートを測定し、そのエッチン
グレートから計算することにより所望のエッチング量に
かかる時間を算出し、ドライエッチングを行なってい
る。したがって、時間がかかるという問題がある。しか
も、エッチングレートを測定したモニタ基板は、デバイ
ス基板とはエッチングする領域の成膜パターンが異なる
のでデバイス基板に所望の膜厚の膜を残すことができな
いという問題がある。
【０００６】また、基板のパターンの面積やパターンの
粗密状態により、エッチングのされ方が微妙に異なり、
基板間に対して均一にエッチングできない。
粗密状態により、エッチングのされ方が微妙に異なり、
基板間に対して均一にエッチングできない。
【０００７】さらにガラス基板上に成膜される膜も基板
間でまったく同じ膜厚で成膜されることはなく、初期の
膜厚が異なるために、エッチングを時間設定によって行
うばあい、エッチングの後の膜厚は微妙に異なってしま
う。また、ガラス基板が大型になると、基板面内の膜厚
の均一性がわるくなるため、所望の膜厚に対する面内の
ドライエッチング後の膜厚のばらつきも大きくなる。
間でまったく同じ膜厚で成膜されることはなく、初期の
膜厚が異なるために、エッチングを時間設定によって行
うばあい、エッチングの後の膜厚は微妙に異なってしま
う。また、ガラス基板が大型になると、基板面内の膜厚
の均一性がわるくなるため、所望の膜厚に対する面内の
ドライエッチング後の膜厚のばらつきも大きくなる。
【０００８】また、前記従来の成膜装置による液晶表示
装置の製法では、処理中にガラス基板上の膜厚を測定し
て所望の膜厚で成膜を止めることはできない。そのた
め、特開平３−２２６５７３号公報に示されるように、
エッチング装置と同様にデバイス基板以外にモニタ基板
を用意し、モニタ基板によって定期的に成膜レートを測
定している。そして、その成膜レートからの計算により
所望の成膜量にかかる時間を算出し、成膜を行ってい
る。しかし、成膜レートを測定したモニタ基板とは異な
り、パターンつきのため成膜される領域が異なるデバイ
ス基板を所望の膜厚にすることは困難である。
装置の製法では、処理中にガラス基板上の膜厚を測定し
て所望の膜厚で成膜を止めることはできない。そのた
め、特開平３−２２６５７３号公報に示されるように、
エッチング装置と同様にデバイス基板以外にモニタ基板
を用意し、モニタ基板によって定期的に成膜レートを測
定している。そして、その成膜レートからの計算により
所望の成膜量にかかる時間を算出し、成膜を行ってい
る。しかし、成膜レートを測定したモニタ基板とは異な
り、パターンつきのため成膜される領域が異なるデバイ
ス基板を所望の膜厚にすることは困難である。
【０００９】本発明はこのような問題を解決し、処理中
にエッチングされる膜の膜厚、または成膜する膜厚を所
望の膜厚に保つことができる液晶表示装置の製法を提供
することを目的とする。
にエッチングされる膜の膜厚、または成膜する膜厚を所
望の膜厚に保つことができる液晶表示装置の製法を提供
することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
製法は、ガラス基板の中央部に形成した成膜部分にドラ
イエッチングする液晶表示装置の製法であって、前記ガ
ラス基板の周縁部に前記成膜部分の成膜条件と同一の成
膜条件によって成膜した膜厚測定専用パターンを設け、
前記専用パターンの反射率または偏光率を測定しつつ当
該専用パターンを前記成膜部分と同時にドライエッチン
グし、前記専用パターンの反射率または偏光率の測定信
号の変化によってドライエッチングの処理厚さをモニタ
し、前記専用パターンの厚さがドライエッチングの所定
厚さに達したとき、ドライエッチングのためのＲＦ放電
を停止することを特徴とする。
製法は、ガラス基板の中央部に形成した成膜部分にドラ
イエッチングする液晶表示装置の製法であって、前記ガ
ラス基板の周縁部に前記成膜部分の成膜条件と同一の成
膜条件によって成膜した膜厚測定専用パターンを設け、
前記専用パターンの反射率または偏光率を測定しつつ当
該専用パターンを前記成膜部分と同時にドライエッチン
グし、前記専用パターンの反射率または偏光率の測定信
号の変化によってドライエッチングの処理厚さをモニタ
し、前記専用パターンの厚さがドライエッチングの所定
厚さに達したとき、ドライエッチングのためのＲＦ放電
を停止することを特徴とする。
【００１１】本発明の液晶表示装置の製法は、前記膜厚
測定専用パターンを前記ガラス基板の４隅に設けること
が、面内の均一性のばらつきへの考慮や、ガラス基板の
中央部に作成するデバイスの大型化のため好ましい。
測定専用パターンを前記ガラス基板の４隅に設けること
が、面内の均一性のばらつきへの考慮や、ガラス基板の
中央部に作成するデバイスの大型化のため好ましい。
【００１２】本発明の液晶表示装置の製法は、前記膜厚
測定専用パターンを前記ガラス基板端より１０ｍｍ以内
の周縁部に設けることが、ガラス基板端より１０ｍｍ以
内のガラス基板の中央部にデバイスを作成し、デバイス
を大型化するため好ましい。
測定専用パターンを前記ガラス基板端より１０ｍｍ以内
の周縁部に設けることが、ガラス基板端より１０ｍｍ以
内のガラス基板の中央部にデバイスを作成し、デバイス
を大型化するため好ましい。
【００１３】本発明の液晶表示装置の製法は、ガラス基
板の中央部に形成した成膜部分にドライエッチングする
製法であって、前記ガラス基板の周縁部に前記成膜部分
の成膜条件と同一の成膜条件によって成膜した膜厚測定
専用パターンを設け、前記専用パターンの透過率を測定
しつつ当該専用パターンを前記成膜部分と同時にドライ
エッチングし、前記専用パターンの透過率の測定信号の
変化によってドライエッチングの処理厚さをモニタし、
前記専用パターンの厚さがドライエッチングの所定厚さ
に達したとき、ドライエッチングのためのＲＦ放電を停
止することを特徴とする。
板の中央部に形成した成膜部分にドライエッチングする
製法であって、前記ガラス基板の周縁部に前記成膜部分
の成膜条件と同一の成膜条件によって成膜した膜厚測定
専用パターンを設け、前記専用パターンの透過率を測定
しつつ当該専用パターンを前記成膜部分と同時にドライ
エッチングし、前記専用パターンの透過率の測定信号の
変化によってドライエッチングの処理厚さをモニタし、
前記専用パターンの厚さがドライエッチングの所定厚さ
に達したとき、ドライエッチングのためのＲＦ放電を停
止することを特徴とする。
【００１４】本発明の液晶表示装置の製法は、前記膜厚
測定専用パターンを前記ガラス基板の４隅に設けること
が、面内の均一性のばらつきへの考慮やガラス基板の中
央部に作成するデバイスの大型化のため好ましい。
測定専用パターンを前記ガラス基板の４隅に設けること
が、面内の均一性のばらつきへの考慮やガラス基板の中
央部に作成するデバイスの大型化のため好ましい。
【００１５】本発明の液晶表示装置の製法は、前記膜厚
測定専用パターンを前記ガラス基板端より１０ｍｍ以内
の周縁部に設けることが、ガラス基板端より１０ｍｍ以
内のガラス基板の中央部にデバイスを作成し、デバイス
を大型化するため好ましい。
測定専用パターンを前記ガラス基板端より１０ｍｍ以内
の周縁部に設けることが、ガラス基板端より１０ｍｍ以
内のガラス基板の中央部にデバイスを作成し、デバイス
を大型化するため好ましい。
【００１６】本発明の液晶表示装置の製法は、ガラス基
板の中央部に形成した成膜部分に成膜する製法であっ
て、前記ガラス基板の周縁部に前記成膜部分の成膜条件
と同一の成膜条件によって成膜した膜厚測定専用パター
ンを設け、前記専用パターンの反射率または偏光率を測
定しつつ当該専用パターンを前記成膜部分と同時に成膜
し、前記専用パターンの反射率または偏光率の測定信号
の変化によって成膜の処理厚さをモニタし、前記専用パ
ターンの厚さが成膜の所定厚さに達したとき、成膜のた
めのＲＦ放電を停止することを特徴とする。
板の中央部に形成した成膜部分に成膜する製法であっ
て、前記ガラス基板の周縁部に前記成膜部分の成膜条件
と同一の成膜条件によって成膜した膜厚測定専用パター
ンを設け、前記専用パターンの反射率または偏光率を測
定しつつ当該専用パターンを前記成膜部分と同時に成膜
し、前記専用パターンの反射率または偏光率の測定信号
の変化によって成膜の処理厚さをモニタし、前記専用パ
ターンの厚さが成膜の所定厚さに達したとき、成膜のた
めのＲＦ放電を停止することを特徴とする。
【００１７】本発明の液晶表示装置の製法は、前記膜厚
測定専用パターンを前記ガラス基板の４隅に設けること
が、面内の均一性のばらつきへの考慮やガラス基板の中
央部に作成するデバイスの大型化のため好ましい。
測定専用パターンを前記ガラス基板の４隅に設けること
が、面内の均一性のばらつきへの考慮やガラス基板の中
央部に作成するデバイスの大型化のため好ましい。
【００１８】本発明の液晶表示装置の製法は、前記膜厚
測定専用パターンを前記ガラス基板端より１０ｍｍ以内
の周縁部に設けることが、ガラス基板端より１０ｍｍ以
内のガラス基板の中央部にデバイスを作成し、デバイス
を大型化するため好ましい。
測定専用パターンを前記ガラス基板端より１０ｍｍ以内
の周縁部に設けることが、ガラス基板端より１０ｍｍ以
内のガラス基板の中央部にデバイスを作成し、デバイス
を大型化するため好ましい。
【００１９】本発明の液晶表示装置の製法は、ガラス基
板の中央部に形成した成膜部分に成膜する製法であっ
て、前記ガラス基板の周縁部に前記成膜部分の成膜条件
と同一の成膜条件によって成膜した膜厚測定専用パター
ンを設け、前記専用パターンの透過率を測定しつつ当該
専用パターンを前記成膜部分と同時に成膜し、前記専用
パターンの透過率の測定信号の変化によって成膜の処理
厚さをモニタし、前記専用パターンの厚さが成膜の所定
厚さに達したとき、成膜のためのＲＦ放電を停止するこ
とを特徴とする。
板の中央部に形成した成膜部分に成膜する製法であっ
て、前記ガラス基板の周縁部に前記成膜部分の成膜条件
と同一の成膜条件によって成膜した膜厚測定専用パター
ンを設け、前記専用パターンの透過率を測定しつつ当該
専用パターンを前記成膜部分と同時に成膜し、前記専用
パターンの透過率の測定信号の変化によって成膜の処理
厚さをモニタし、前記専用パターンの厚さが成膜の所定
厚さに達したとき、成膜のためのＲＦ放電を停止するこ
とを特徴とする。
【００２０】本発明の液晶表示装置の製法は、前記膜厚
測定専用パターンを前記ガラス基板の４隅に設けること
が、面内の均一性のばらつきへの考慮やガラス基板の中
央部に作成するデバイスの大型化のため好ましい。
測定専用パターンを前記ガラス基板の４隅に設けること
が、面内の均一性のばらつきへの考慮やガラス基板の中
央部に作成するデバイスの大型化のため好ましい。
【００２１】本発明の液晶表示装置の製法は、前記膜厚
測定専用パターンを前記ガラス基板端より１０ｍｍ以内
の周縁部に設けることが、ガラス基板端より１０ｍｍ以
内のガラス基板の中央部にデバイスを作成し、デバイス
を大型化するため好ましい。
測定専用パターンを前記ガラス基板端より１０ｍｍ以内
の周縁部に設けることが、ガラス基板端より１０ｍｍ以
内のガラス基板の中央部にデバイスを作成し、デバイス
を大型化するため好ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】つぎに、図面を参照しながら本発
明の液晶表示装置の製法の一実施例を説明する。
明の液晶表示装置の製法の一実施例を説明する。
【００２３】［実施例１］図１は本発明の液晶表示装置
の製法の一実施例に用いるエッチング装置の処理室の断
面説明図であり、図３は基板上の膜厚測定専用パターン
の例を示す図である。図１において、１１は反射率測定
器であり、１４は制御装置であり、１７は画素１個分の
ドライエッチングパターンである。また、図５と同じも
のには、同じ記号を付している。
の製法の一実施例に用いるエッチング装置の処理室の断
面説明図であり、図３は基板上の膜厚測定専用パターン
の例を示す図である。図１において、１１は反射率測定
器であり、１４は制御装置であり、１７は画素１個分の
ドライエッチングパターンである。また、図５と同じも
のには、同じ記号を付している。
【００２４】本実施例では、液晶表示装置がたとえば薄
膜トランジスタであるばあいについて説明する。
膜トランジスタであるばあいについて説明する。
【００２５】まず、図３（ａ）に示されるように、ガラ
ス基板５の４隅に膜厚測定専用パターン１５を形成す
る。本発明では、ガラス基板端より１０ｍｍ以内のガラ
ス基板の中央部にデバイスを作成し、デバイスを大型化
するので、ガラス基板５の端から１０ｍｍの周縁部に膜
厚測定専用パターン１５を形成するのが好ましい。この
膜厚測定専用パターン１５は、その拡大説明図が図３
（ｃ）に示されるように、図３（ｂ）に示される画素部
分１６の成膜パターンと比較したばあい、中央の画素１
個分のドライエッチングパターンに対して画素部分１６
の成膜パターンとの粗密状態が等しくなるように、すな
わち、同一面積内の画素１個分のドライエッチングパタ
ーン１７の数が等しくなるように形成されている。その
形成方法は、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ（化学蒸
着、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）、または、ＰＶＤ（物理蒸着、ｐｈｙｓｉｃａｌ
ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などである。
ス基板５の４隅に膜厚測定専用パターン１５を形成す
る。本発明では、ガラス基板端より１０ｍｍ以内のガラ
ス基板の中央部にデバイスを作成し、デバイスを大型化
するので、ガラス基板５の端から１０ｍｍの周縁部に膜
厚測定専用パターン１５を形成するのが好ましい。この
膜厚測定専用パターン１５は、その拡大説明図が図３
（ｃ）に示されるように、図３（ｂ）に示される画素部
分１６の成膜パターンと比較したばあい、中央の画素１
個分のドライエッチングパターンに対して画素部分１６
の成膜パターンとの粗密状態が等しくなるように、すな
わち、同一面積内の画素１個分のドライエッチングパタ
ーン１７の数が等しくなるように形成されている。その
形成方法は、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ（化学蒸
着、ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）、または、ＰＶＤ（物理蒸着、ｐｈｙｓｉｃａｌ
ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などである。
【００２６】そののち、あらかじめ、Ｃｒからなる金属
膜、ＳｉＮからなる絶縁膜、ＩＴＯ膜、およびアモルフ
ァスシリコン（以下、ａ−Ｓｉという）膜などが形成さ
れたガラス基板５を下部電極２側の電極板４に設置し、
さらに膜厚測定専用パターン１５の位置に反射率測定器
１１の発光部からの光が当たるように、かつ膜厚測定専
用パターン１５からの反射光が反射率測定器１１の受光
部に受光されるように反射率測定器１１を設置する。
膜、ＳｉＮからなる絶縁膜、ＩＴＯ膜、およびアモルフ
ァスシリコン（以下、ａ−Ｓｉという）膜などが形成さ
れたガラス基板５を下部電極２側の電極板４に設置し、
さらに膜厚測定専用パターン１５の位置に反射率測定器
１１の発光部からの光が当たるように、かつ膜厚測定専
用パターン１５からの反射光が反射率測定器１１の受光
部に受光されるように反射率測定器１１を設置する。
【００２７】つぎに、上部電極１と下部電極２にはさま
れた処理室にたとえば、ＳＦ6、ＣＦ4などのガスを導入
する。上部電極１と下部電極２にはＲＦ発振器１３から
ＲＦ高周波の電磁場がかけられている。処理室に導入さ
れたガスは、帯電されて分解されることでイオン６とし
てプラスに帯電される。プラスに帯電されたイオン６
は、前述のような膜が形成されたガラス基板５の表面側
に引き込まれ、化学的にガラス基板５上に形成された膜
を分解する。このようにして、ＳｉＮ膜やａ−Ｓｉ膜に
エッチングがなされる。
れた処理室にたとえば、ＳＦ6、ＣＦ4などのガスを導入
する。上部電極１と下部電極２にはＲＦ発振器１３から
ＲＦ高周波の電磁場がかけられている。処理室に導入さ
れたガスは、帯電されて分解されることでイオン６とし
てプラスに帯電される。プラスに帯電されたイオン６
は、前述のような膜が形成されたガラス基板５の表面側
に引き込まれ、化学的にガラス基板５上に形成された膜
を分解する。このようにして、ＳｉＮ膜やａ−Ｓｉ膜に
エッチングがなされる。
【００２８】反射率測定器１１の発光部からの光は、ま
ず、膜厚測定用パターン１５の中央画素１個分のドライ
エッチングパターン１７に当てられ、反射率測定器１１
の受光部で反射率が測定される。あらかじめ膜厚に対す
る反射率の換算式を設定しておき、所望の膜厚に対する
反射率にならなければ、所望の膜厚ではないので、処理
がつづけられる。これらの動作が所望の膜厚がえられる
まで繰り返される。
ず、膜厚測定用パターン１５の中央画素１個分のドライ
エッチングパターン１７に当てられ、反射率測定器１１
の受光部で反射率が測定される。あらかじめ膜厚に対す
る反射率の換算式を設定しておき、所望の膜厚に対する
反射率にならなければ、所望の膜厚ではないので、処理
がつづけられる。これらの動作が所望の膜厚がえられる
まで繰り返される。
【００２９】反射率測定器１１からの信号が、ＲＦ発振
器１３にフィードバックされるように、反射率測定器１
１とＲＦ発振器１３は制御装置１４を介して接続されて
おり、あらかじめ設定しておいた所望の膜厚に対する反
射率と同じ電気信号の大きさになると、ＲＦ放電を止め
るように制御装置１４が設定されている。ＲＦ放電が止
まるとエッチングが完了する。
器１３にフィードバックされるように、反射率測定器１
１とＲＦ発振器１３は制御装置１４を介して接続されて
おり、あらかじめ設定しておいた所望の膜厚に対する反
射率と同じ電気信号の大きさになると、ＲＦ放電を止め
るように制御装置１４が設定されている。ＲＦ放電が止
まるとエッチングが完了する。
【００３０】本実施例では、膜厚測定専用パターンに光
をあてて反射率測定器１１で測定を行なうので、ガラス
基板上のパターンが変化しても、その変化に対応して精
度よくガラス基板上に所望の膜厚をうることができる。
をあてて反射率測定器１１で測定を行なうので、ガラス
基板上のパターンが変化しても、その変化に対応して精
度よくガラス基板上に所望の膜厚をうることができる。
【００３１】本実施例においては、膜厚の測定を反射率
測定器を用いて行ったが、反射率測定器に代えて偏光率
測定器を用いてもよい。そのばあいにも反射率測定器を
用いるばあいと同様に、ガラス基板５に設けられた膜厚
測定専用パターン１５の中央の画素１個分のドライエッ
チングパターン１７に偏光率測定器の発光部からの光が
当るように、かつ膜厚測定専用パターン１５の中央の画
素１個分のドライエッチングパターン１７からの反射光
が偏光率測定器１１の受光部に受光されるような位置に
膜厚測定専用パターン１５が設置される。
測定器を用いて行ったが、反射率測定器に代えて偏光率
測定器を用いてもよい。そのばあいにも反射率測定器を
用いるばあいと同様に、ガラス基板５に設けられた膜厚
測定専用パターン１５の中央の画素１個分のドライエッ
チングパターン１７に偏光率測定器の発光部からの光が
当るように、かつ膜厚測定専用パターン１５の中央の画
素１個分のドライエッチングパターン１７からの反射光
が偏光率測定器１１の受光部に受光されるような位置に
膜厚測定専用パターン１５が設置される。
【００３２】［実施例２］つぎに本発明の液晶表示装置
の製法の他の実施例を図２および図４を参照しながら説
明する。図２は本発明の液晶表示装置の製法の他の実施
例に用いる成膜装置であり、図４は基板上の膜厚測定専
用パターンの他の例を示す図であり、図４（ａ）は膜厚
測定専用パターンが設けられた基板の平面図であり、図
４（ｂ）は図４（ａ）の画素部分１６の成膜パターンの
拡大図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）の膜厚測定専用
パターン１５の拡大図である。本実施例においても、液
晶表示装置が薄膜トランジスタであるばあいについて説
明する。
の製法の他の実施例を図２および図４を参照しながら説
明する。図２は本発明の液晶表示装置の製法の他の実施
例に用いる成膜装置であり、図４は基板上の膜厚測定専
用パターンの他の例を示す図であり、図４（ａ）は膜厚
測定専用パターンが設けられた基板の平面図であり、図
４（ｂ）は図４（ａ）の画素部分１６の成膜パターンの
拡大図であり、図４（ｃ）は図４（ａ）の膜厚測定専用
パターン１５の拡大図である。本実施例においても、液
晶表示装置が薄膜トランジスタであるばあいについて説
明する。
【００３３】まず、ガラス基板５の４隅に膜厚測定専用
パターン１５を形成する。ガラス基板端より１０ｍｍ以
内のガラス基板の中央部にデバイスを作成し、デバイス
を大型化するために、ガラス基板５の端から１０ｍｍ以
内の周縁部に膜厚測定専用パターン１５を形成するのが
好ましい。図４（ｃ）にその拡大図が示される膜厚測定
専用パターン１５は、画素部分１６の成膜パターンと比
較したばあいに、基板の下地のパターン（図４（ｂ）参
照）の種類と、パターン間との粗密状態が等しくなるよ
うに、すなわち、同一面積内の下地パターンの種類の数
が等しくなるように形成されている。その形成方法は、
実施例１のばあいと同様であるが、下地の種類が複数パ
ターンあるばあいには、それぞれの種類を形成する工程
において写真製版におけるレジストマスクで必要部分を
開けたり不必要部分を覆ったりして形成する。ガラス基
板５を電極９側に設置し、さらに膜厚測定専用パターン
１５の位置に反射率測定器１１の発光部からの光が当た
るように、かつ膜厚測定専用パターン１５からの反射光
が反射率測定器１１の受光部に受光されるように反射率
測定器１１を設置する。
パターン１５を形成する。ガラス基板端より１０ｍｍ以
内のガラス基板の中央部にデバイスを作成し、デバイス
を大型化するために、ガラス基板５の端から１０ｍｍ以
内の周縁部に膜厚測定専用パターン１５を形成するのが
好ましい。図４（ｃ）にその拡大図が示される膜厚測定
専用パターン１５は、画素部分１６の成膜パターンと比
較したばあいに、基板の下地のパターン（図４（ｂ）参
照）の種類と、パターン間との粗密状態が等しくなるよ
うに、すなわち、同一面積内の下地パターンの種類の数
が等しくなるように形成されている。その形成方法は、
実施例１のばあいと同様であるが、下地の種類が複数パ
ターンあるばあいには、それぞれの種類を形成する工程
において写真製版におけるレジストマスクで必要部分を
開けたり不必要部分を覆ったりして形成する。ガラス基
板５を電極９側に設置し、さらに膜厚測定専用パターン
１５の位置に反射率測定器１１の発光部からの光が当た
るように、かつ膜厚測定専用パターン１５からの反射光
が反射率測定器１１の受光部に受光されるように反射率
測定器１１を設置する。
【００３４】つぎに、成膜が行われる処理室にたとえ
ば、Ｈ2、ＳｉＨ4などのガスを導入する。処理室の中に
は電極９と電極１０が設置されており、電極９と電極１
０にはＲＦ発振器１３からＲＦ高周波の電磁場がかけら
れている。処理室に導入されたガスは、帯電されて分解
されることでイオン６としてプラスに帯電される。プラ
スに帯電されたイオン６は、ガラス基板５の表面側に引
き込まれ、ガラス基板５上にＳｉＮ膜、およびａ−Ｓｉ
膜などとして成膜される。
ば、Ｈ2、ＳｉＨ4などのガスを導入する。処理室の中に
は電極９と電極１０が設置されており、電極９と電極１
０にはＲＦ発振器１３からＲＦ高周波の電磁場がかけら
れている。処理室に導入されたガスは、帯電されて分解
されることでイオン６としてプラスに帯電される。プラ
スに帯電されたイオン６は、ガラス基板５の表面側に引
き込まれ、ガラス基板５上にＳｉＮ膜、およびａ−Ｓｉ
膜などとして成膜される。
【００３５】反射率測定器１１の発光部からの光は、ま
ず、膜厚測定用パターン１５の一下地パターン１８に当
てられ、反射率測定器１１の受光部で反射率が測定され
る。また、別の反射率測定器１１ａの発光部からの光
は、膜厚測定用パターン１５の別下地パターン１８ａに
当てられ、反射率が測定される。この両者ともが、あら
かじめそれぞれの下地に対する膜厚の反射率の換算式を
設定しておき、それぞれが所望の膜厚に対する反射率に
ならなければ、所望の膜厚ではないので、処理がつづけ
られる。これらの動作が所望の膜厚がえられるまで繰り
返される。
ず、膜厚測定用パターン１５の一下地パターン１８に当
てられ、反射率測定器１１の受光部で反射率が測定され
る。また、別の反射率測定器１１ａの発光部からの光
は、膜厚測定用パターン１５の別下地パターン１８ａに
当てられ、反射率が測定される。この両者ともが、あら
かじめそれぞれの下地に対する膜厚の反射率の換算式を
設定しておき、それぞれが所望の膜厚に対する反射率に
ならなければ、所望の膜厚ではないので、処理がつづけ
られる。これらの動作が所望の膜厚がえられるまで繰り
返される。
【００３６】反射率測定器１１からの信号が、ＲＦ発振
器１３にフィードバックされるように、反射率測定器１
１とＲＦ発振器１３は制御装置１４を介して接続されて
おり、あらかじめ設定しておいた所望の膜厚に対する反
射率と同じ電気信号の大きさになると、ＲＦ放電を止め
るように制御装置１４が設定されている。ＲＦ放電が止
まると、成膜が完了する。
器１３にフィードバックされるように、反射率測定器１
１とＲＦ発振器１３は制御装置１４を介して接続されて
おり、あらかじめ設定しておいた所望の膜厚に対する反
射率と同じ電気信号の大きさになると、ＲＦ放電を止め
るように制御装置１４が設定されている。ＲＦ放電が止
まると、成膜が完了する。
【００３７】本実施例においては、膜厚の測定を反射率
測定器を用いて行ったが、反射率測定器に代えて偏光率
測定器を用いてもよい。そのばあいにも反射率測定器を
用いるばあいと同様に、ガラス基板５に設けられた膜厚
測定専用パターン１５の一下地パターン１８と別下地パ
ターン１８ａに偏光率測定器の発光部からの光が当るよ
うに、かつ膜厚測定専用パターン１５の一下地パターン
１８と別下地パターン１８ａからの反射光が偏光率測定
器１１の受光部に受光されるような位置に膜厚測定専用
パターン１５が設置されている。このようにすること
で、本実施例２と同様の効果をうることができる。
測定器を用いて行ったが、反射率測定器に代えて偏光率
測定器を用いてもよい。そのばあいにも反射率測定器を
用いるばあいと同様に、ガラス基板５に設けられた膜厚
測定専用パターン１５の一下地パターン１８と別下地パ
ターン１８ａに偏光率測定器の発光部からの光が当るよ
うに、かつ膜厚測定専用パターン１５の一下地パターン
１８と別下地パターン１８ａからの反射光が偏光率測定
器１１の受光部に受光されるような位置に膜厚測定専用
パターン１５が設置されている。このようにすること
で、本実施例２と同様の効果をうることができる。
【００３８】また、前述の実施例においては、液晶表示
装置として薄膜トランジスタを複数個配列するものを用
いたが、たとえば、ＴＦＴなどを用いない従来の液晶表
示装置のパッシブ型液晶表示装置のクロス電極、ＭＩＭ
（ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｍｅｔａｌ）型ダ
イオードなどを用いるばあいにも前述の各実施例は適用
可能である。
装置として薄膜トランジスタを複数個配列するものを用
いたが、たとえば、ＴＦＴなどを用いない従来の液晶表
示装置のパッシブ型液晶表示装置のクロス電極、ＭＩＭ
（ｍｅｔａｌ−ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｍｅｔａｌ）型ダ
イオードなどを用いるばあいにも前述の各実施例は適用
可能である。
【００３９】
【発明の効果】本発明の液晶表示装置の製法によれば、
パターンの異なるガラス基板に対してもガラス基板上の
膜のエッチングの途中、エッチングの前後、および成膜
中、成膜の前後の膜厚を測定することができる。したが
って、様々な装置に用いられる様々な基板上の膜のばら
つきや下地の膜の複数化に対してもプロセスパラメータ
の最適化にともなう変更を行うことができ、装置の処理
における安全性および再現性が向上する。
パターンの異なるガラス基板に対してもガラス基板上の
膜のエッチングの途中、エッチングの前後、および成膜
中、成膜の前後の膜厚を測定することができる。したが
って、様々な装置に用いられる様々な基板上の膜のばら
つきや下地の膜の複数化に対してもプロセスパラメータ
の最適化にともなう変更を行うことができ、装置の処理
における安全性および再現性が向上する。
【図１】本発明の液晶表示装置の製法の一実施例に用い
るエッチング装置の処理室の断面説明図である。
るエッチング装置の処理室の断面説明図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の製法の他の実施例に用
いる成膜装置の処理室の断面説明図である。
いる成膜装置の処理室の断面説明図である。
【図３】ガラス基板上の膜厚測定専用パターンの一例を
示す図である。
示す図である。
【図４】ガラス基板上の膜厚測定専用パターンの他の例
を示す図である。
を示す図である。
【図５】従来の液晶表示装置の製法の一例に用いるエッ
チング装置の処理室の断面説明図である。
チング装置の処理室の断面説明図である。
【図６】従来の液晶表示装置の製法の一例に用いる成膜
装置の処理室の断面説明図である。
装置の処理室の断面説明図である。
５ ガラス基板 １１ 反射率測定器 １５ 膜厚測定専用パターン １６ 画素部分 １７ 中央の画素１個分のドライエッチングパターン １８ 一下地パターン １８ａ 別下地パターン
Claims (12)
- 【請求項１】 ガラス基板の中央部に形成した成膜部分
にドライエッチングする液晶表示装置の製法であって、
前記ガラス基板の周縁部に前記成膜部分の成膜条件と同
一の成膜条件によって成膜した膜厚測定専用パターンを
設け、前記専用パターンの反射率または偏光率を測定し
つつ当該専用パターンを前記成膜部分と同時にドライエ
ッチングし、前記専用パターンの反射率または偏光率の
測定信号の変化によってドライエッチングの処理厚さを
モニタし、前記専用パターンの厚さがドライエッチング
の所定厚さに達したとき、ドライエッチングのためのＲ
Ｆ放電を停止することを特徴とする液晶表示装置の製
法。 - 【請求項２】 前記膜厚測定専用パターンを前記ガラス
基板の４隅に設ける請求項１記載の液晶表示装置の製
法。 - 【請求項３】 前記膜厚測定専用パターンを前記ガラス
基板端より１０ｍｍ以内の周縁部に設ける請求項１記載
の液晶表示装置の製法。 - 【請求項４】 ガラス基板の中央部に形成した成膜部分
にドライエッチングする製法であって、前記ガラス基板
の周縁部に前記成膜部分の成膜条件と同一の成膜条件に
よって成膜した膜厚測定専用パターンを設け、前記専用
パターンの透過率を測定しつつ当該専用パターンを前記
成膜部分と同時にドライエッチングし、前記専用パター
ンの透過率の測定信号の変化によってドライエッチング
の処理厚さをモニタし、前記専用パターンの厚さがドラ
イエッチングの所定厚さに達したとき、ドライエッチン
グのためのＲＦ放電を停止することを特徴とする液晶表
示装置の製法。 - 【請求項５】 前記膜厚測定専用パターンを前記ガラス
基板の４隅に設ける請求項４記載の液晶表示装置の製
法。 - 【請求項６】 前記膜厚測定専用パターンを前記ガラス
基板端より１０ｍｍ以内の周縁部に設ける請求項４記載
の液晶表示装置の製法。 - 【請求項７】 ガラス基板の中央部に形成した成膜部分
に成膜する製法であって、前記ガラス基板の周縁部に前
記成膜部分の成膜条件と同一の成膜条件によって成膜し
た膜厚測定専用パターンを設け、前記専用パターンの反
射率または偏光率を測定しつつ当該専用パターンを前記
成膜部分と同時に成膜し、前記専用パターンの反射率ま
たは偏光率の測定信号の変化によって成膜の処理厚さを
モニタし、前記専用パターンの厚さが成膜の所定厚さに
達したとき、成膜のためのＲＦ放電を停止することを特
徴とする液晶表示装置の製法。 - 【請求項８】 前記膜厚測定専用パターンを前記ガラス
基板の４隅に設ける請求項７記載の液晶表示装置の製
法。 - 【請求項９】 前記膜厚測定専用パターンを前記ガラス
基板端より１０ｍｍ以内の周縁部に設ける請求項７記載
の液晶表示装置の製法。 - 【請求項１０】 ガラス基板の中央部に形成した成膜部
分に成膜する製法であって、前記ガラス基板の周縁部に
前記成膜部分の成膜条件と同一の成膜条件によって成膜
した膜厚測定専用パターンを設け、前記専用パターンの
透過率を測定しつつ当該専用パターンを前記成膜部分と
同時に成膜し、前記専用パターンの透過率の測定信号の
変化によって成膜の処理厚さをモニタし、前記専用パタ
ーンの厚さが成膜の所定厚さに達したとき、成膜のため
のＲＦ放電を停止することを特徴とする液晶表示装置の
製法。 - 【請求項１１】 前記膜厚測定専用パターンを前記ガラ
ス基板の４隅に設ける請求項１０記載の液晶表示装置の
製法。 - 【請求項１２】 前記膜厚測定専用パターンを前記ガラ
ス基板端より１０ｍｍ以内の周縁部に設ける請求項１０
記載の液晶表示装置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24166995A JPH0990330A (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 液晶表示装置の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24166995A JPH0990330A (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 液晶表示装置の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0990330A true JPH0990330A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17077761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24166995A Pending JPH0990330A (ja) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | 液晶表示装置の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0990330A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6218198B1 (en) | 1997-02-28 | 2001-04-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for evaluating semiconductor film, and method for producing the semiconductor film |
| KR20140102913A (ko) * | 2013-02-15 | 2014-08-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판 및 그 제조방법 |
| CN109659249A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-04-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蚀刻终点监控装置及蚀刻终点监控方法 |
| CN109659262A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-04-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蚀刻监测装置及蚀刻监测方法 |
-
1995
- 1995-09-20 JP JP24166995A patent/JPH0990330A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6218198B1 (en) | 1997-02-28 | 2001-04-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for evaluating semiconductor film, and method for producing the semiconductor film |
| US6426791B2 (en) | 1997-02-28 | 2002-07-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for evaluating semiconductor film, and method for producing the semiconductor film |
| KR20140102913A (ko) * | 2013-02-15 | 2014-08-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판 및 그 제조방법 |
| CN109659249A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-04-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蚀刻终点监控装置及蚀刻终点监控方法 |
| CN109659262A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-04-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蚀刻监测装置及蚀刻监测方法 |
| CN109659262B (zh) * | 2018-12-21 | 2020-11-24 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蚀刻监测装置及蚀刻监测方法 |
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