JPH0990435A - 光学デバイス - Google Patents
光学デバイスInfo
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- JPH0990435A JPH0990435A JP7250979A JP25097995A JPH0990435A JP H0990435 A JPH0990435 A JP H0990435A JP 7250979 A JP7250979 A JP 7250979A JP 25097995 A JP25097995 A JP 25097995A JP H0990435 A JPH0990435 A JP H0990435A
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- ito electrode
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- cell
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸化還元反応する反応物質を含む反応溶液
が、2以上の透明電極を備えたセル内に満たされ、上記
反応物質の酸化還元反応によって光透過率の制御を行う
光学デバイスについて、各透明電極間の隙間からの光の
漏れを無くし、光学デバイス全体にわたって光透過率の
制御を良好に行うことができるようにする。 【解決手段】 セルに設けられる各透明電極を、絶縁膜
によって互いに絶縁すると共に、セルの厚み方向から見
たときに各透明電極の間に隙間が生じないように、各透
明電極をセルの厚み方向から見たときに互いに重なり合
うように形成する。
が、2以上の透明電極を備えたセル内に満たされ、上記
反応物質の酸化還元反応によって光透過率の制御を行う
光学デバイスについて、各透明電極間の隙間からの光の
漏れを無くし、光学デバイス全体にわたって光透過率の
制御を良好に行うことができるようにする。 【解決手段】 セルに設けられる各透明電極を、絶縁膜
によって互いに絶縁すると共に、セルの厚み方向から見
たときに各透明電極の間に隙間が生じないように、各透
明電極をセルの厚み方向から見たときに互いに重なり合
うように形成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、可逆的に酸化還元
反応する反応物質を含む反応溶液がセル内に満たされ、
このセル内の反応物質の酸化還元反応によって光透過率
の制御を行う光学デバイスに関する。
反応する反応物質を含む反応溶液がセル内に満たされ、
このセル内の反応物質の酸化還元反応によって光透過率
の制御を行う光学デバイスに関する。
【0002】
【従来の技術】光学機器等に使用される光量調節用のデ
バイスとして、酸化還元反応を利用した光学デバイスが
知られている。
バイスとして、酸化還元反応を利用した光学デバイスが
知られている。
【0003】この光学デバイスは、内面に電極が設けら
れたセルの内部に、可逆的に酸化還元反応する反応物質
を含む反応溶液が満たされたものである。そして、この
光学デバイスは、セル内の反応物質の酸化還元反応によ
って光透過率の制御を行う。ここで、セルの内面に設け
られる電極には、通常、透明な導電性物質である酸化イ
ンジウムスズからなる透明電極(以下、ITO電極と称
する。)が用いられる。
れたセルの内部に、可逆的に酸化還元反応する反応物質
を含む反応溶液が満たされたものである。そして、この
光学デバイスは、セル内の反応物質の酸化還元反応によ
って光透過率の制御を行う。ここで、セルの内面に設け
られる電極には、通常、透明な導電性物質である酸化イ
ンジウムスズからなる透明電極(以下、ITO電極と称
する。)が用いられる。
【0004】このような光学デバイスのセルは、例え
ば、図4に示すように、電極が形成された円盤状の透明
な第1の基板11と、円盤状の透明な第2の基板12
と、第1の基板11と第2の基板12の間に配される環
状のスペーサー13とから構成される。そして、第1の
基板11及び第2の基板12はスペーサー13を介して
対向するように配され、第1の基板11、第2の基板1
2及びスペーサー13によって密閉されたセル構造が形
成される。そして、第1の基板11、第2の基板12及
びスペーサー13によって密閉された部分に、可逆的に
酸化還元反応する反応物質を含む反応溶液が満たされ
る。
ば、図4に示すように、電極が形成された円盤状の透明
な第1の基板11と、円盤状の透明な第2の基板12
と、第1の基板11と第2の基板12の間に配される環
状のスペーサー13とから構成される。そして、第1の
基板11及び第2の基板12はスペーサー13を介して
対向するように配され、第1の基板11、第2の基板1
2及びスペーサー13によって密閉されたセル構造が形
成される。そして、第1の基板11、第2の基板12及
びスペーサー13によって密閉された部分に、可逆的に
酸化還元反応する反応物質を含む反応溶液が満たされ
る。
【0005】このようなセルの第1の基板11には、電
極として、第1のITO電極14及び第2のITO電極
15と、銀板電極16とが、第2の基板12に対向する
ように、第1の基板11の主面上に形成されている。こ
こで、第1のITO電極14は、第1の基板11の主面
の中心に略円盤状に形成され、第2のITO電極15
は、第1のITO電極14を囲むように略環状に形成さ
れ、銀板電極16は、第2のITO電極15の外側に略
環状に形成される。そして、第1のITO電極14から
は、第2のITO電極15及び銀板電極16と導電しな
いようにセルの外部に至る配線17が導出されており、
第2のITO電極15からは、第1のITO電極14及
び銀板電極16と導電しないようにセルの外部に至る配
線18が導出されており、銀板電極16からは、第1の
ITO電極14及び第2のITO電極15と導電しない
ようにセルの外部に至る配線19が導出されている。
極として、第1のITO電極14及び第2のITO電極
15と、銀板電極16とが、第2の基板12に対向する
ように、第1の基板11の主面上に形成されている。こ
こで、第1のITO電極14は、第1の基板11の主面
の中心に略円盤状に形成され、第2のITO電極15
は、第1のITO電極14を囲むように略環状に形成さ
れ、銀板電極16は、第2のITO電極15の外側に略
環状に形成される。そして、第1のITO電極14から
は、第2のITO電極15及び銀板電極16と導電しな
いようにセルの外部に至る配線17が導出されており、
第2のITO電極15からは、第1のITO電極14及
び銀板電極16と導電しないようにセルの外部に至る配
線18が導出されており、銀板電極16からは、第1の
ITO電極14及び第2のITO電極15と導電しない
ようにセルの外部に至る配線19が導出されている。
【0006】そして、第1の基板11、第2の基板12
及びスペーサー13に囲まれた部分には、可逆的に酸化
還元反応する反応物質であるAgClを含んだ反応溶液
が封入される。
及びスペーサー13に囲まれた部分には、可逆的に酸化
還元反応する反応物質であるAgClを含んだ反応溶液
が封入される。
【0007】このような光学デバイスで光透過率を制御
する際は、ITO電極14,15と銀板電極16との間
に電位差を生じさせることにより、反応溶液中で酸化還
元反応を起こしてAgを析出させたり溶解させたりす
る。すなわち、光透過率を低下させるときには酸化還元
反応によってAgをITO電極14,15上に析出し、
光透過率を上昇させるときには酸化還元反応によってA
gを溶解する。
する際は、ITO電極14,15と銀板電極16との間
に電位差を生じさせることにより、反応溶液中で酸化還
元反応を起こしてAgを析出させたり溶解させたりす
る。すなわち、光透過率を低下させるときには酸化還元
反応によってAgをITO電極14,15上に析出し、
光透過率を上昇させるときには酸化還元反応によってA
gを溶解する。
【0008】このとき、第1のITO電極14と銀板電
極16との間の電位差と、第2のITO電極15と銀板
電極16との間の電位差とを変えることにより、第1の
ITO電極14上において析出又は溶解するAgの量
と、第2のITO電極15上において析出又は溶解する
Agの量とを変えることができる。すなわち、この光学
デバイスでは、第1のITO電極14の部分と、第2の
ITO電極15の部分とで光透過率が異なるように制御
することができる。
極16との間の電位差と、第2のITO電極15と銀板
電極16との間の電位差とを変えることにより、第1の
ITO電極14上において析出又は溶解するAgの量
と、第2のITO電極15上において析出又は溶解する
Agの量とを変えることができる。すなわち、この光学
デバイスでは、第1のITO電極14の部分と、第2の
ITO電極15の部分とで光透過率が異なるように制御
することができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な光学デバイスでは、第1のITO電極と第2のITO
電極とが導通しないように、第1のITO電極と第2の
ITO電極との間にギャップを設ける必要があった。す
なわち、従来の光学デバイスでは、基板上の同一平面上
に独立した複数の透明電極を形成しているが、このよう
に同一平面上に独立した複数の透明電極を形成する際に
は、各透明電極間に平面方向のギャップを設ける必要が
あった。
な光学デバイスでは、第1のITO電極と第2のITO
電極とが導通しないように、第1のITO電極と第2の
ITO電極との間にギャップを設ける必要があった。す
なわち、従来の光学デバイスでは、基板上の同一平面上
に独立した複数の透明電極を形成しているが、このよう
に同一平面上に独立した複数の透明電極を形成する際に
は、各透明電極間に平面方向のギャップを設ける必要が
あった。
【0010】そして、このようなギャップが存在する
と、ギャップ上では反応物質の析出や溶解が起こらない
ため、ギャップ部分については光透過率の制御は行われ
ないこととなる。したがって、従来の光学デバイスで
は、このようなギャップから光が漏れてしまい、光透過
率の制御を十分に行うことができなかった。
と、ギャップ上では反応物質の析出や溶解が起こらない
ため、ギャップ部分については光透過率の制御は行われ
ないこととなる。したがって、従来の光学デバイスで
は、このようなギャップから光が漏れてしまい、光透過
率の制御を十分に行うことができなかった。
【0011】また、従来の光学デバイスには、このよう
なギャップからの光の漏れを無くすために、ギャップ部
分からの光を遮る遮光膜を基板上に形成したものもあ
る。しかし、このような遮光膜を用いると、遮光膜のた
めに光学デバイスを透過した画像に乱れが生じてしまう
という問題があった。
なギャップからの光の漏れを無くすために、ギャップ部
分からの光を遮る遮光膜を基板上に形成したものもあ
る。しかし、このような遮光膜を用いると、遮光膜のた
めに光学デバイスを透過した画像に乱れが生じてしまう
という問題があった。
【0012】そこで本発明は、このような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、基板上に遮光膜を形成す
ることなく、光学デバイス全体にわたって光透過率の制
御を良好に行うことができる光学デバイスを提供するこ
とを目的としている。
鑑みて提案されたものであり、基板上に遮光膜を形成す
ることなく、光学デバイス全体にわたって光透過率の制
御を良好に行うことができる光学デバイスを提供するこ
とを目的としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに完成された本発明に係る光学デバイスは、酸化還元
反応する反応物質を含む反応溶液が、2以上の透明電極
を備えたセル内に満たされ、上記反応物質の酸化還元反
応によって光透過率の制御を行う光学デバイスであっ
て、上記セルに設けられた各透明電極が絶縁膜によって
互いに絶縁されていることを特徴とするものである。こ
こで、各透明電極は、各透明電極をセルの厚み方向から
見たときに、互いに接するように形成されいるか、或い
は、少なくとも一部が互いに重なり合うように形成され
ていることが好ましい。
めに完成された本発明に係る光学デバイスは、酸化還元
反応する反応物質を含む反応溶液が、2以上の透明電極
を備えたセル内に満たされ、上記反応物質の酸化還元反
応によって光透過率の制御を行う光学デバイスであっ
て、上記セルに設けられた各透明電極が絶縁膜によって
互いに絶縁されていることを特徴とするものである。こ
こで、各透明電極は、各透明電極をセルの厚み方向から
見たときに、互いに接するように形成されいるか、或い
は、少なくとも一部が互いに重なり合うように形成され
ていることが好ましい。
【0014】このような光学デバイスでは、セルに設け
られた各透明電極が絶縁膜によって互いに絶縁されてい
るので、各透明電極間に平面方向のギャップを設ける必
要がない。したがって、本発明に係る光学デバイスで
は、各透明電極間における平面方向のギャップを無く
し、各透明電極間のギャップからの光の漏れを無くすこ
とができる。
られた各透明電極が絶縁膜によって互いに絶縁されてい
るので、各透明電極間に平面方向のギャップを設ける必
要がない。したがって、本発明に係る光学デバイスで
は、各透明電極間における平面方向のギャップを無く
し、各透明電極間のギャップからの光の漏れを無くすこ
とができる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した具体的な
実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。なお、本発明は以下の例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、形状や材質等を
任意に変更することが可能であることは言うまでもな
い。
実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。なお、本発明は以下の例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、形状や材質等を
任意に変更することが可能であることは言うまでもな
い。
【0016】本実施の形態に係る光学デバイスは、可逆
的に酸化還元反応する反応物質を含む反応溶液が、内面
に電極が設けられたセル内に満たされてなるものであ
る。そして、この光学デバイスは、セル内の反応物質の
酸化還元反応によって光透過率の制御を行う。
的に酸化還元反応する反応物質を含む反応溶液が、内面
に電極が設けられたセル内に満たされてなるものであ
る。そして、この光学デバイスは、セル内の反応物質の
酸化還元反応によって光透過率の制御を行う。
【0017】この光学デバイスのセルは、図1に示すよ
うに、電極が形成された略円盤状のBK−7等の光学ガ
ラスからなる透明な第1の基板1と、略円盤状のBK−
7等の光学ガラスからなる透明な第2の基板2と、第1
の基板1と第2の基板2の間に配される環状のスペーサ
ー3とから構成される。そして、第1の基板1及び第2
の基板2はスペーサー3を介して対向するように配さ
れ、第1の基板1、第2の基板2及びスペーサー3によ
って密閉されたセル構造が形成される。そして、第1の
基板1、第2の基板2及びスペーサー3によって密閉さ
れた部分に、可逆的に酸化還元反応する反応物質を含む
反応溶液が満たされる。
うに、電極が形成された略円盤状のBK−7等の光学ガ
ラスからなる透明な第1の基板1と、略円盤状のBK−
7等の光学ガラスからなる透明な第2の基板2と、第1
の基板1と第2の基板2の間に配される環状のスペーサ
ー3とから構成される。そして、第1の基板1及び第2
の基板2はスペーサー3を介して対向するように配さ
れ、第1の基板1、第2の基板2及びスペーサー3によ
って密閉されたセル構造が形成される。そして、第1の
基板1、第2の基板2及びスペーサー3によって密閉さ
れた部分に、可逆的に酸化還元反応する反応物質を含む
反応溶液が満たされる。
【0018】このようなセルの第1の基板1の主面上に
は、電極として、透明な導電性物質である酸化インジウ
ムスズからなるITO電極4と、銀板電極5とが、第2
の基板2に対向するように形成されている。ここで、I
TO電極4は、第1の基板1の主面の中心に略円盤状に
露出するように形成された第1のITO電極4aと、第
1のITO電極4aの周囲に略環状に露出するように形
成された第2のITO電極4bとからなり、第1のIT
O電極4aと第2のITO電極4bとは、SiO2 等の
絶縁膜6によって絶縁されている。
は、電極として、透明な導電性物質である酸化インジウ
ムスズからなるITO電極4と、銀板電極5とが、第2
の基板2に対向するように形成されている。ここで、I
TO電極4は、第1の基板1の主面の中心に略円盤状に
露出するように形成された第1のITO電極4aと、第
1のITO電極4aの周囲に略環状に露出するように形
成された第2のITO電極4bとからなり、第1のIT
O電極4aと第2のITO電極4bとは、SiO2 等の
絶縁膜6によって絶縁されている。
【0019】なお、本実施の形態では、第1の基板1の
主面に形成される透明電極としてITO電極4、すなわ
ち酸化インジウムスズからなる電極を用いたが、この電
極は透明な導電性物質からなるものであればよく、酸化
インジウムスズからなる電極に限られるものではない。
主面に形成される透明電極としてITO電極4、すなわ
ち酸化インジウムスズからなる電極を用いたが、この電
極は透明な導電性物質からなるものであればよく、酸化
インジウムスズからなる電極に限られるものではない。
【0020】このような電極が形成された第1の基板に
ついて、電極が形成された側から見た平面図を図2に示
すと共に、図2の破線A−Bにおける断面図を図3に示
す。
ついて、電極が形成された側から見た平面図を図2に示
すと共に、図2の破線A−Bにおける断面図を図3に示
す。
【0021】図2及び図3に示すように、第1のITO
電極4aは、第1の基板1の主面の中心に略円盤状に露
出するように形成され、第2のITO電極4bは、第1
のITO電極4aの周囲に略環状に露出するように形成
され、銀板電極5は、第2のITO電極4bの外側に略
環状に露出するように形成されている。ここで、第1の
ITO電極4aと第2のITO電極4bは、これらの電
極をセルの厚み方向から見たときに第1のITO電極4
aと第2のITO電極4bとの間に平面方向のギャップ
ができないように、セルの厚み方向から見たときに互い
に重なり合うように形成されている。そして、これらの
第1のITO電極4aと第2のITO電極4bとの間に
は絶縁膜6が配され、この絶縁膜6によって第1のIT
O電極4aと第2のITO電極4bとが絶縁されてい
る。
電極4aは、第1の基板1の主面の中心に略円盤状に露
出するように形成され、第2のITO電極4bは、第1
のITO電極4aの周囲に略環状に露出するように形成
され、銀板電極5は、第2のITO電極4bの外側に略
環状に露出するように形成されている。ここで、第1の
ITO電極4aと第2のITO電極4bは、これらの電
極をセルの厚み方向から見たときに第1のITO電極4
aと第2のITO電極4bとの間に平面方向のギャップ
ができないように、セルの厚み方向から見たときに互い
に重なり合うように形成されている。そして、これらの
第1のITO電極4aと第2のITO電極4bとの間に
は絶縁膜6が配され、この絶縁膜6によって第1のIT
O電極4aと第2のITO電極4bとが絶縁されてい
る。
【0022】ここで、第1のITO電極4aと第2のI
TO電極4bとの重なりは、当然のことながら、第1の
ITO電極4aと第2のITO電極4bとが全て重なっ
てしまっては2つのITO電極を設けた意味がなくなっ
てしまうため好ましくない。そこで、第1のITO電極
4aと第2のITO電極4bは、第1のITO電極4a
と第2のITO電極4bの両方が表面に露出するように
形成される。
TO電極4bとの重なりは、当然のことながら、第1の
ITO電極4aと第2のITO電極4bとが全て重なっ
てしまっては2つのITO電極を設けた意味がなくなっ
てしまうため好ましくない。そこで、第1のITO電極
4aと第2のITO電極4bは、第1のITO電極4a
と第2のITO電極4bの両方が表面に露出するように
形成される。
【0023】このように、第1のITO電極4aと第2
のITO電極4bを、第1のITO電極4aと第2のI
TO電極4bとの間に平面方向のギャップができないよ
うに形成することにより、第1のITO電極4aと第2
のITO電極4bとの間のギャップから光が漏れるよう
なことがなくなる。したがって、この光学デバイスで
は、第1のITO電極4aと第2のITO電極4bとの
間のギャップからの光の漏れを遮るための遮光膜が不要
となる。そして、この光学デバイスでは、第1のITO
電極4aと第2のITO電極4bとの間に平面方向のギ
ャップが無く遮光膜が不要であるため、遮光膜のために
光学デバイスを透過した画像に乱れが生じてしまうよう
なことがない。また、この光学デバイスでは、遮光膜が
不要であるため、薄膜工程は電極の形成だけでよい。す
なわち、この光学デバイスでは、薄膜工程を基板の一方
の主面に対してだけ施せばよく、薄膜工程におけるパタ
ーンニングを非常に精度良く行うことができる。
のITO電極4bを、第1のITO電極4aと第2のI
TO電極4bとの間に平面方向のギャップができないよ
うに形成することにより、第1のITO電極4aと第2
のITO電極4bとの間のギャップから光が漏れるよう
なことがなくなる。したがって、この光学デバイスで
は、第1のITO電極4aと第2のITO電極4bとの
間のギャップからの光の漏れを遮るための遮光膜が不要
となる。そして、この光学デバイスでは、第1のITO
電極4aと第2のITO電極4bとの間に平面方向のギ
ャップが無く遮光膜が不要であるため、遮光膜のために
光学デバイスを透過した画像に乱れが生じてしまうよう
なことがない。また、この光学デバイスでは、遮光膜が
不要であるため、薄膜工程は電極の形成だけでよい。す
なわち、この光学デバイスでは、薄膜工程を基板の一方
の主面に対してだけ施せばよく、薄膜工程におけるパタ
ーンニングを非常に精度良く行うことができる。
【0024】なお、本実施の形態では、第1のITO電
極4aと第2のITO電極4bをセルの厚み方向から見
たときに互いに重なり合うように形成したが、第1のI
TO電極4aと第2のITO電極4bは、セルの厚み方
向から見たときに第1のITO電極4aと第2のITO
電極4bとの間に平面方向のギャップができないように
形成されていればよく、互いに重なり合っていなくても
よい。すなわち、第1のITO電極4aと第2のITO
電極4bは、セルの厚み方向から見たときに第1のIT
O電極4aと第2のITO電極4bとが互いに接するよ
うに形成されていてもよい。
極4aと第2のITO電極4bをセルの厚み方向から見
たときに互いに重なり合うように形成したが、第1のI
TO電極4aと第2のITO電極4bは、セルの厚み方
向から見たときに第1のITO電極4aと第2のITO
電極4bとの間に平面方向のギャップができないように
形成されていればよく、互いに重なり合っていなくても
よい。すなわち、第1のITO電極4aと第2のITO
電極4bは、セルの厚み方向から見たときに第1のIT
O電極4aと第2のITO電極4bとが互いに接するよ
うに形成されていてもよい。
【0025】そして、これらの電極からは、外部接続用
の配線が、各電極が互いに導電しないように導出されて
いる。すなわち、第1のITO電極4aから、第2のI
TO電極4b及び銀板電極5と導電しないように、絶縁
膜6を介して第2のITO電極4bの下を通り、セルの
外部に至る配線7aが導出されており、また、第2のI
TO電極4bから、第1のITO電極4a及び銀板電極
5と導電しないようにセルの外部に至る配線7bが導出
されており、また、銀板電極5から、第1のITO電極
4a及び第2のITO電極4bと導電しないようにセル
の外部に至る配線7cが導出されている。
の配線が、各電極が互いに導電しないように導出されて
いる。すなわち、第1のITO電極4aから、第2のI
TO電極4b及び銀板電極5と導電しないように、絶縁
膜6を介して第2のITO電極4bの下を通り、セルの
外部に至る配線7aが導出されており、また、第2のI
TO電極4bから、第1のITO電極4a及び銀板電極
5と導電しないようにセルの外部に至る配線7bが導出
されており、また、銀板電極5から、第1のITO電極
4a及び第2のITO電極4bと導電しないようにセル
の外部に至る配線7cが導出されている。
【0026】そして、第1の基板1、第2の基板2及び
スペーサー3に囲まれた部分には、可逆的に酸化還元反
応する反応物質であるAgClを含んだ反応溶液が封入
される。なお、反応物質はAgClに限られるものでは
なく、酸化還元反応によってITO電極4の表面上で析
出と溶解を繰り返すことができる物質であればよく、一
般にエレクトロクロミック材料として知られているもの
が全て使用可能である。
スペーサー3に囲まれた部分には、可逆的に酸化還元反
応する反応物質であるAgClを含んだ反応溶液が封入
される。なお、反応物質はAgClに限られるものでは
なく、酸化還元反応によってITO電極4の表面上で析
出と溶解を繰り返すことができる物質であればよく、一
般にエレクトロクロミック材料として知られているもの
が全て使用可能である。
【0027】このような光学デバイスで光透過率を制御
する際は、ITO電極4と銀板電極5との間に電位差を
生じさせることにより、反応溶液中で酸化還元反応を起
こしてAgを析出させたり溶解させたりする。すなわ
ち、光透過率を低下させるときには酸化還元反応によっ
てAgをITO電極4上に析出し、光透過率を上昇させ
るときには酸化還元反応によってAgを溶解する。
する際は、ITO電極4と銀板電極5との間に電位差を
生じさせることにより、反応溶液中で酸化還元反応を起
こしてAgを析出させたり溶解させたりする。すなわ
ち、光透過率を低下させるときには酸化還元反応によっ
てAgをITO電極4上に析出し、光透過率を上昇させ
るときには酸化還元反応によってAgを溶解する。
【0028】このとき、第1のITO電極4aと銀板電
極5との間の電位差と、第2のITO電極4bと銀板電
極5との間の電位差とを変えることにより、第1のIT
O電極4a上において析出又は溶解するAgの量と、第
2のITO電極4b上において析出又は溶解するAgの
量とを変えることができる。すなわち、この光学デバイ
スでは、第1のITO電極4aが露出している部分と、
第2のITO電極4bが露出している部分とで、光透過
率が異なるように制御することができる。なお、この光
学デバイスでは、ITO電極として第1のITO電極4
aと第2のITO電極4bの2つのITO電極を設け
て、第1のITO電極4aの部分と、第2のITO電極
4bの部分とで光透過率が異なるように制御できるよう
にしたが、このような光透過率の制御をより細かく行い
たいときには、ITO電極の数を増やせばよい。
極5との間の電位差と、第2のITO電極4bと銀板電
極5との間の電位差とを変えることにより、第1のIT
O電極4a上において析出又は溶解するAgの量と、第
2のITO電極4b上において析出又は溶解するAgの
量とを変えることができる。すなわち、この光学デバイ
スでは、第1のITO電極4aが露出している部分と、
第2のITO電極4bが露出している部分とで、光透過
率が異なるように制御することができる。なお、この光
学デバイスでは、ITO電極として第1のITO電極4
aと第2のITO電極4bの2つのITO電極を設け
て、第1のITO電極4aの部分と、第2のITO電極
4bの部分とで光透過率が異なるように制御できるよう
にしたが、このような光透過率の制御をより細かく行い
たいときには、ITO電極の数を増やせばよい。
【0029】なお、以上のような光学デバイスにおい
て、第1の基板1や第2の基板2の主面は平面である必
要はなく、光学デバイスがレンズとしても機能するよう
に、第1の基板1や第2の基板2の主面は曲面とされて
いてもよい。
て、第1の基板1や第2の基板2の主面は平面である必
要はなく、光学デバイスがレンズとしても機能するよう
に、第1の基板1や第2の基板2の主面は曲面とされて
いてもよい。
【0030】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る光学デバイスでは、セルに設けられた各透明電極
間における平面方向のギャップを無くし、各透明電極間
のギャップからの光の漏れを無くすことができる。した
がって、この光学デバイスでは、遮光膜を形成すること
なく、光学デバイス全体にわたって光透過率の制御を良
好に行うことができる。
に係る光学デバイスでは、セルに設けられた各透明電極
間における平面方向のギャップを無くし、各透明電極間
のギャップからの光の漏れを無くすことができる。した
がって、この光学デバイスでは、遮光膜を形成すること
なく、光学デバイス全体にわたって光透過率の制御を良
好に行うことができる。
【図1】本発明を適用した光学デバイスのセルの一構成
例を一部を切り欠いて示す斜視図である。
例を一部を切り欠いて示す斜視図である。
【図2】図1に示す光学デバイスの第1の基板の平面図
である。
である。
【図3】図1に示す光学デバイスの第1の基板の断面図
である。
である。
【図4】従来の光学デバイスのセルの一構成例を一部を
切り欠いて示す斜視図である。
切り欠いて示す斜視図である。
1 第1の基板 2 第2の基板 3 スペーサー 4 ITO電極 4a 第1のITO電極 4b 第2のITO電極 5 銀板電極 6 絶縁膜
Claims (4)
- 【請求項1】 酸化還元反応する反応物質を含む反応溶
液が、2以上の透明電極を備えたセル内に満たされ、上
記反応物質の酸化還元反応によって光透過率の制御を行
う光学デバイスにおいて、 上記セルに設けられた各透明電極が絶縁膜によって互い
に絶縁されていることを特徴とする光学デバイス。 - 【請求項2】 前記各透明電極が、各透明電極をセルの
厚み方向から見たときに少なくとも一部が互いに重なり
合うように形成されていることを特徴とする請求項1記
載の光学デバイス。 - 【請求項3】 前記各透明電極が、各透明電極をセルの
厚み方向から見たときに互いに接するように形成されて
いることを特徴とする請求項1記載の光学デバイス。 - 【請求項4】 前記セルが曲面を有しており、レンズと
して機能することを特徴とする請求項1記載の光学デバ
イス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7250979A JPH0990435A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 光学デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7250979A JPH0990435A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 光学デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0990435A true JPH0990435A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17215876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7250979A Withdrawn JPH0990435A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 光学デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0990435A (ja) |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP7250979A patent/JPH0990435A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021203 |