JPH0991621A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH0991621A JPH0991621A JP25087195A JP25087195A JPH0991621A JP H0991621 A JPH0991621 A JP H0991621A JP 25087195 A JP25087195 A JP 25087195A JP 25087195 A JP25087195 A JP 25087195A JP H0991621 A JPH0991621 A JP H0991621A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐蝕性を向上させた薄膜磁気ヘッド及びその
製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る薄膜磁気ヘッド１０は、薄
膜コイル５２によって巻回された書き込み磁極５４と、
上部シールド膜５６及び下部シールド膜５８によって挟
持された磁気抵抗効果型素子６０と、記録媒体６２から
浮上した状態で書き込み磁極５４及び磁気抵抗効果型素
子６０を記録媒体６２に対向させる浮上面６４とを備え
ている。そして、書き込み磁極５４、上部シールド膜５
６及び下部シールド膜５８のそれぞれの先端が浮上面６
４から後退してなる凹部１４，１６，１８を設けてい
る。
製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る薄膜磁気ヘッド１０は、薄
膜コイル５２によって巻回された書き込み磁極５４と、
上部シールド膜５６及び下部シールド膜５８によって挟
持された磁気抵抗効果型素子６０と、記録媒体６２から
浮上した状態で書き込み磁極５４及び磁気抵抗効果型素
子６０を記録媒体６２に対向させる浮上面６４とを備え
ている。そして、書き込み磁極５４、上部シールド膜５
６及び下部シールド膜５８のそれぞれの先端が浮上面６
４から後退してなる凹部１４，１６，１８を設けてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に対
して、書き込み磁極によって情報を記録し、磁気抵抗効
果型素子によって情報を再生する、薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法に関する。
して、書き込み磁極によって情報を記録し、磁気抵抗効
果型素子によって情報を再生する、薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３及び図４は従来の薄膜磁気ヘッドを
示し、図３は全体断面図であり、図４は図３の部分拡大
図である。以下、これらの図面に基づき説明する。
示し、図３は全体断面図であり、図４は図３の部分拡大
図である。以下、これらの図面に基づき説明する。
【０００３】薄膜磁気ヘッド５０は、薄膜コイル５２に
よって巻回された書き込み磁極５４と、上部シールド膜
５６及び下部シールド膜５８によって挟持された磁気抵
抗効果型素子６０と、記録媒体６２から浮上した状態で
書き込み磁極５４及び磁気抵抗効果型素子６０を記録媒
体６２に対向させる浮上面６４とを備えている。
よって巻回された書き込み磁極５４と、上部シールド膜
５６及び下部シールド膜５８によって挟持された磁気抵
抗効果型素子６０と、記録媒体６２から浮上した状態で
書き込み磁極５４及び磁気抵抗効果型素子６０を記録媒
体６２に対向させる浮上面６４とを備えている。
【０００４】基板７０上には、アルミナ保護膜７２、下
部シールド膜５８、隣接バイアス層７４、磁気抵抗効果
型素子６０、ギャップ絶縁層７６、上部シールド膜５
６、ギャップ絶縁層７８、薄膜コイル５２及びコイル絶
縁膜８０、書き込み磁極５４、アルミナ保護膜８２が、
この順に積層されている。積層方法としては、通常の成
膜技術及びフォトリソグラフィ技術を用いている。
部シールド膜５８、隣接バイアス層７４、磁気抵抗効果
型素子６０、ギャップ絶縁層７６、上部シールド膜５
６、ギャップ絶縁層７８、薄膜コイル５２及びコイル絶
縁膜８０、書き込み磁極５４、アルミナ保護膜８２が、
この順に積層されている。積層方法としては、通常の成
膜技術及びフォトリソグラフィ技術を用いている。
【０００５】以下に、各層の材料を例示する。基板７０
はアルミナ・チタン・カーバイドである。書き込み磁極
５４、上部シールド膜５６及び下部シールド膜５８はＮ
ｉＦｅである。磁気抵抗効果型素子６０は、ＮｉＦｅ、
ＮｉＣｏ、パーマロイ等からなり、例えば抵抗加熱蒸
着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、めっき法により
0.01〜0.1 μｍの厚さで形成される。隣接バイアス層７
４はＣｏＺｒＭｏである。ギャップ絶縁層７６，７８は
アルミナである。
はアルミナ・チタン・カーバイドである。書き込み磁極
５４、上部シールド膜５６及び下部シールド膜５８はＮ
ｉＦｅである。磁気抵抗効果型素子６０は、ＮｉＦｅ、
ＮｉＣｏ、パーマロイ等からなり、例えば抵抗加熱蒸
着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、めっき法により
0.01〜0.1 μｍの厚さで形成される。隣接バイアス層７
４はＣｏＺｒＭｏである。ギャップ絶縁層７６，７８は
アルミナである。
【０００６】浮上面６４側は、所定高さまでラップされ
（ラップ工程）、保護膜８４が被着される。保護膜８４
は、例えばスパッタカーボン膜であり、耐摩耗性を向上
させるとともに、酸化・腐食を抑える。ラップ工程で
は、浮上面６４側が研削用溶液及び洗浄用溶液中に浸漬
される。
（ラップ工程）、保護膜８４が被着される。保護膜８４
は、例えばスパッタカーボン膜であり、耐摩耗性を向上
させるとともに、酸化・腐食を抑える。ラップ工程で
は、浮上面６４側が研削用溶液及び洗浄用溶液中に浸漬
される。
【０００７】ところで、書き込み磁極５４、上部シール
ド膜５６及び下部シールド膜５８周辺のギャップ絶縁層
７６，７８及びアルミナ保護膜７２，８２は、特に界面
においてピンボール等の多い悪い膜質となりやすい。そ
のため、ラップ工程において、ギャップ絶縁層７８等
は、研削用溶液が浸透しやすく、これにより溶解するこ
とも多かった。したがって、図４に示すように、書き込
み磁極５４等がギャップ絶縁層７８及びアルミナ保護膜
８２等よりも幾分突出した形状となることから、書き込
み磁極５４について言えば側面５４１，５４２が生じる
ことになる。
ド膜５６及び下部シールド膜５８周辺のギャップ絶縁層
７６，７８及びアルミナ保護膜７２，８２は、特に界面
においてピンボール等の多い悪い膜質となりやすい。そ
のため、ラップ工程において、ギャップ絶縁層７８等
は、研削用溶液が浸透しやすく、これにより溶解するこ
とも多かった。したがって、図４に示すように、書き込
み磁極５４等がギャップ絶縁層７８及びアルミナ保護膜
８２等よりも幾分突出した形状となることから、書き込
み磁極５４について言えば側面５４１，５４２が生じる
ことになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、側面５
４１，５４２は、格子欠陥等が多くイオン化しやすいた
め、他種金属との間の電池作用によって腐食しやすい。
また、側面５４１，５４２は、保護膜８４で覆いにく
い。このように、従来の薄膜磁気ヘッド５０では耐蝕性
に問題があった。
４１，５４２は、格子欠陥等が多くイオン化しやすいた
め、他種金属との間の電池作用によって腐食しやすい。
また、側面５４１，５４２は、保護膜８４で覆いにく
い。このように、従来の薄膜磁気ヘッド５０では耐蝕性
に問題があった。
【０００９】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、耐蝕性を向上
させた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供すること
にある。
させた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドは、薄膜コイルによって巻回された書き込み磁極
と、上部シールド膜及び下部シールド膜によって挟持さ
れた磁気抵抗効果型素子と、記録媒体から浮上した状態
で前記書き込み磁極及び前記磁気抵抗効果型素子を当該
記録媒体に対向させる浮上面とを備えている。そして、
前記書き込み磁極、前記上部シールド膜及び前記下部シ
ールド膜のそれぞれの先端が前記浮上面から後退してな
る凹部を設けたことを特徴としている。
ッドは、薄膜コイルによって巻回された書き込み磁極
と、上部シールド膜及び下部シールド膜によって挟持さ
れた磁気抵抗効果型素子と、記録媒体から浮上した状態
で前記書き込み磁極及び前記磁気抵抗効果型素子を当該
記録媒体に対向させる浮上面とを備えている。そして、
前記書き込み磁極、前記上部シールド膜及び前記下部シ
ールド膜のそれぞれの先端が前記浮上面から後退してな
る凹部を設けたことを特徴としている。
【００１１】凹部の深さは２〜10nmとしてもよく、書き
込み磁極、上部シールド膜及び下部シールド膜はニッケ
ル−鉄合金膜としてもよい。
込み磁極、上部シールド膜及び下部シールド膜はニッケ
ル−鉄合金膜としてもよい。
【００１２】凹部は、浮上面側を逆スパッタリング法を
用いてエッチングする方法や、中性乃至弱酸性の研削用
溶液を用いて浮上面側を研削する方法によって形成でき
る。
用いてエッチングする方法や、中性乃至弱酸性の研削用
溶液を用いて浮上面側を研削する方法によって形成でき
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１及び図２は本発明に係る薄膜
磁気ヘッドの一実施形態を示し、図１は全体断面図であ
り、図２は図１の部分拡大図である。以下、これらの図
面に基づき説明する。ただし、図３及び図４と同一部分
は同一符号を付すことにより重複説明を省略する。
磁気ヘッドの一実施形態を示し、図１は全体断面図であ
り、図２は図１の部分拡大図である。以下、これらの図
面に基づき説明する。ただし、図３及び図４と同一部分
は同一符号を付すことにより重複説明を省略する。
【００１４】本発明に係る薄膜磁気ヘッド１０は、薄膜
コイル５２によって巻回された書き込み磁極５４と、上
部シールド膜５６及び下部シールド膜５８によって挟持
された磁気抵抗効果型素子６０と、記録媒体６２から浮
上した状態で書き込み磁極５４及び磁気抵抗効果型素子
６０を記録媒体６２に対向させる浮上面６４とを備えて
いる。そして、書き込み磁極５４、上部シールド膜５６
及び下部シールド膜５８のそれぞれの先端が浮上面６４
から後退してなる凹部１４，１６，１８を設けている。
コイル５２によって巻回された書き込み磁極５４と、上
部シールド膜５６及び下部シールド膜５８によって挟持
された磁気抵抗効果型素子６０と、記録媒体６２から浮
上した状態で書き込み磁極５４及び磁気抵抗効果型素子
６０を記録媒体６２に対向させる浮上面６４とを備えて
いる。そして、書き込み磁極５４、上部シールド膜５６
及び下部シールド膜５８のそれぞれの先端が浮上面６４
から後退してなる凹部１４，１６，１８を設けている。
【００１５】書き込み磁極５４、上部シールド膜５６及
び下部シールド膜５８の先端から浮上面６４までの距
離、すなわち凹部１４，１６，１８の深さは、２〜10nm
とすることが好ましい。以下に、その理由を説明する。
び下部シールド膜５８の先端から浮上面６４までの距
離、すなわち凹部１４，１６，１８の深さは、２〜10nm
とすることが好ましい。以下に、その理由を説明する。
【００１６】高密度化磁気ヘッドの記録密度とディスク
−ヘッドインターフェースのスペーシングには相関性が
あり、スペーシングが小さいほど高密度化対応になる。
例えば、数100Mb/sq.inch の高密度化磁気ヘッドでは80
nm程度のスペーシングが要求され、数Gb/sq.inchの高密
度化磁気ヘッドでは50nm程度のスペーシングが要求され
る。このように、磁気特性上からはできる限り狭いスペ
ーシングが要求されるので、凹部１４，…の深さが10nm
以上の場合は、高密度化対応としての動作が困難となる
おそれがある。一方、書き込み磁極５４等の腐食の観点
からは、凹部１４，…の深さが2nm 以上あれば問題のな
いことが確認された。これにより、凹部１４，…の深さ
は、2nm から10nmとすることが好ましい。
−ヘッドインターフェースのスペーシングには相関性が
あり、スペーシングが小さいほど高密度化対応になる。
例えば、数100Mb/sq.inch の高密度化磁気ヘッドでは80
nm程度のスペーシングが要求され、数Gb/sq.inchの高密
度化磁気ヘッドでは50nm程度のスペーシングが要求され
る。このように、磁気特性上からはできる限り狭いスペ
ーシングが要求されるので、凹部１４，…の深さが10nm
以上の場合は、高密度化対応としての動作が困難となる
おそれがある。一方、書き込み磁極５４等の腐食の観点
からは、凹部１４，…の深さが2nm 以上あれば問題のな
いことが確認された。これにより、凹部１４，…の深さ
は、2nm から10nmとすることが好ましい。
【００１７】次に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施形態を説明する。
方法の一実施形態を説明する。
【００１８】本実施形態の製造方法は、薄膜磁気ヘッド
１０のラップ工程において、浮上面６４側を逆スパッタ
リング法を用いてエッチングすることにより、凹部１
４，１６，１８を形成するものである。この逆スパッタ
リング処理の条件は、例えばバイアス電圧が−50Ｖ〜−
10Ｖであり、時間は10分程度である。書き込み磁極５
４、上部シールド膜５６及び下部シールド膜５８（Ｎｉ
Ｆｅ）と、ギャップ絶縁層７６，７８及びアルミナ保護
膜７２，８２（アルミナ）とは、材料の違いによりエッ
チングレートに差が生ずる。その結果、書き込み磁極５
４等は数ｎｍの深さのエッチングであるのに対し、ギャ
ップ絶縁層７８等は一桁小さい深さのエッチングとなっ
た。これにより、凹部１４，１６，１８が形成されるの
で、図４に示すような書き込み磁極５４の側面５４１，
５４２が生じることがなく、しかも書き込み磁極５４等
が保護膜８４によって充分に被覆される。
１０のラップ工程において、浮上面６４側を逆スパッタ
リング法を用いてエッチングすることにより、凹部１
４，１６，１８を形成するものである。この逆スパッタ
リング処理の条件は、例えばバイアス電圧が−50Ｖ〜−
10Ｖであり、時間は10分程度である。書き込み磁極５
４、上部シールド膜５６及び下部シールド膜５８（Ｎｉ
Ｆｅ）と、ギャップ絶縁層７６，７８及びアルミナ保護
膜７２，８２（アルミナ）とは、材料の違いによりエッ
チングレートに差が生ずる。その結果、書き込み磁極５
４等は数ｎｍの深さのエッチングであるのに対し、ギャ
ップ絶縁層７８等は一桁小さい深さのエッチングとなっ
た。これにより、凹部１４，１６，１８が形成されるの
で、図４に示すような書き込み磁極５４の側面５４１，
５４２が生じることがなく、しかも書き込み磁極５４等
が保護膜８４によって充分に被覆される。
【００１９】次に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法の他の実施形態を説明する。
方法の他の実施形態を説明する。
【００２０】本実施形態の製造方法は、薄膜磁気ヘッド
１０のラップ工程において、中性乃至弱酸性の研削用溶
液を用いて浮上面６４側を研削することにより、凹部１
４，１６，１８を形成するものである。本発明者は、ア
ルカリ性の研削用溶液を用いて浮上面６４側を研削した
場合に、ギャップ絶縁層７８等の溶解性が著しいことを
確認した。そこで、中性乃至弱酸性の研削用溶液を用い
たところ、ギャップ絶縁層７８等の溶解性が抑えられ、
むしろ書き込み磁極５４の溶解性が促進された。その結
果、前述の実施形態と同じように、凹部１４，１６，１
８が形成された。なお、洗浄工程においても、中性乃至
弱酸性溶液を用いることが好ましい。
１０のラップ工程において、中性乃至弱酸性の研削用溶
液を用いて浮上面６４側を研削することにより、凹部１
４，１６，１８を形成するものである。本発明者は、ア
ルカリ性の研削用溶液を用いて浮上面６４側を研削した
場合に、ギャップ絶縁層７８等の溶解性が著しいことを
確認した。そこで、中性乃至弱酸性の研削用溶液を用い
たところ、ギャップ絶縁層７８等の溶解性が抑えられ、
むしろ書き込み磁極５４の溶解性が促進された。その結
果、前述の実施形態と同じように、凹部１４，１６，１
８が形成された。なお、洗浄工程においても、中性乃至
弱酸性溶液を用いることが好ましい。
【００２１】
【発明の効果】本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、
書き込み磁極、上部シールド膜及び下部シールド膜のそ
れぞれの先端が浮上面から後退してなる凹部を設けたこ
とにより、書き込み磁極等の腐食しやすい側面の露出を
防ぐことができるばかりか、書き込み磁極等を保護膜で
完全に被覆できるので、耐蝕性を向上できる。
書き込み磁極、上部シールド膜及び下部シールド膜のそ
れぞれの先端が浮上面から後退してなる凹部を設けたこ
とにより、書き込み磁極等の腐食しやすい側面の露出を
防ぐことができるばかりか、書き込み磁極等を保護膜で
完全に被覆できるので、耐蝕性を向上できる。
【００２２】また、従来、書き込み磁極等が突出してい
るため、ディスクインターフェースでのヘッドクラッシ
ュにより書き込み磁極等が摩耗していたが、このような
こともなくなり、記録特性等の劣化を抑えることができ
る。
るため、ディスクインターフェースでのヘッドクラッシ
ュにより書き込み磁極等が摩耗していたが、このような
こともなくなり、記録特性等の劣化を抑えることができ
る。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施形態を示
す全体断面図である。
す全体断面図である。
【図２】図１の部分拡大図である。
【図３】従来の薄膜磁気ヘッドを示す全体断面図であ
る。
る。
【図４】図３の部分拡大図である。
１０ 薄膜磁気ヘッド １４，１６，１８ 凹部 ５２ 薄膜コイル ５４ 書き込み磁極 ５６ 上部シールド膜 ５８ 下部シールド膜 ６０ 磁気抵抗効果型素子 ６２ 記録媒体 ６４ 浮上面
Claims (5)
- 【請求項１】 薄膜コイルによって巻回された書き込み
磁極と、上部シールド膜及び下部シールド膜によって挟
持された磁気抵抗効果型素子と、記録媒体から浮上した
状態で前記書き込み磁極及び前記磁気抵抗効果型素子を
当該記録媒体に対向させる浮上面とを備えた薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、 前記書き込み磁極、前記上部シールド膜及び前記下部シ
ールド膜のそれぞれの先端が前記浮上面から後退してな
る凹部を設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記書き込み磁極、前記上部シールド膜
及び前記下部シールド膜のそれぞれの先端が、前記浮上
面から２〜10nm後退していることを特徴とする請求項１
記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記書き込み磁極、前記上部シールド膜
及び前記下部シールド膜が、ニッケル−鉄合金膜である
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記浮上面側を逆スパッタリング法を用いてエッチ
ングすることにより、前記凹部を形成することを特徴と
する薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおい
て、中性乃至弱酸性の研削用溶液を用いて前記浮上面側
を研削することにより、前記凹部を形成することを特徴
とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25087195A JPH0991621A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25087195A JPH0991621A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0991621A true JPH0991621A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17214255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25087195A Pending JPH0991621A (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0991621A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07153022A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-06-16 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
-
1995
- 1995-09-28 JP JP25087195A patent/JPH0991621A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07153022A (ja) * | 1993-11-26 | 1995-06-16 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990316 |