JPH05343292A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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JPH05343292A
JPH05343292A JP4173780A JP17378092A JPH05343292A JP H05343292 A JPH05343292 A JP H05343292A JP 4173780 A JP4173780 A JP 4173780A JP 17378092 A JP17378092 A JP 17378092A JP H05343292 A JPH05343292 A JP H05343292A
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JP
Japan
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optical system
exposure light
reticle
projection optical
pattern
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JP4173780A
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Masahiro Nakagawa
正弘 中川
Tadashi Nagayama
匡 長山
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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Publication of JPH05343292A publication Critical patent/JPH05343292A/ja
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 投影光学系の歪曲収差を高精度に計測する。 【構成】 レチクルR及び投影光学系PLを透過した露
光光によりステージ基板21上の十字形パターンWMを
照明し、この十字形パターンWM及びレチクルR上の計
測用マークRMの像を観察光学系VF等を介して撮像素
子40で観察する。照明光学系11,17,19の中
に、露光光の主光線の光軸AXに対する傾斜角を補正す
るための傾斜角補正光学系12を配置して、十字形パタ
ーンWMに対する露光光のテレセントリック性を保証す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば投影光学系の歪
曲収差の計測機構を備えた露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等をフォト
リソグラフィー技術を用いて製造する際に、レチクルの
パターンを投影光学系を介してウエハ上に転写する投影
露光装置が使用されている。斯かる投影露光装置の重要
な性能の1つに重ね合わせ精度があり、この重ね合わせ
精度に影響を与える主要な要素が投影光学系の倍率誤差
及び歪曲収差である。例えば超LSI等に用いられるパ
ターンの線幅は年々微細化され、ウエハ上での重ね合わ
せ精度の向上に対する要求も強まっている。従って、投
影光学系の倍率誤差及び歪曲収差を所定の範囲内に保つ
必要性も高まっている。
【0003】これに関して、レチクルと投影光学系との
間の距離及び投影光学系内部の各レンズエレメントの相
対位置が変化しなければ、倍率誤差及び歪曲収差に基づ
く重ね合わせ誤差は一定であり、このような重ね合わせ
誤差はシステマティックな誤差と言える。そして、例え
ば長時間に亘る露光光の吸収等により投影光学系内部の
各レンズエレメントの相対位置等が変化すると、倍率誤
差及び歪曲収差が変化する虞があるので、随時投影光学
系の倍率誤差及び歪曲収差の状態を計測できる機構が開
発されている(例えば特開昭59−94032号公報参
照)。なお、倍率誤差は歪曲収差の計測機構により同時
に計測できる。
【0004】従来の歪曲収差の計測機構は、歪曲収差計
測用の多数のマークが形成されたレチクルとウエハステ
ージ側に形成された計測用パターンとを用い、ウエハス
テージを移動させて投影光学系の露光領域内でその計測
用パターンを2次元的に移動させるものである。そし
て、この計測用パターンを露光光と同じ波長の光で照明
し、この計測用パターンの投影光学系による共役像がそ
れらレチクル側の計測用のマークと合致するときのウエ
ハステージの各2次元座標を検出する。この検出された
2次元座標と、レチクルの計測用のマークの2次元座標
に投影光学系の投影倍率を乗じて得られた2次元座標と
の差が歪曲収差である。
【0005】この場合、そのウエハステージ側の計測用
パターンの照明法には、照明光学系よりレチクルに向け
て照射される露光光を用いる第1方式、露光光をライト
ガイド等を介してウエハステージの内部に導き、この露
光光でウエハステージ側から照明する第2方式及び計測
用の顕微鏡からの照明光で独立に照明する第3方式があ
る。本願では、その第1方式でそのウエハステージ側の
計測用パターンを照明する場合を扱う。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】一般に、投影露光装置
においては、投影光学系は少なくともウエハ側にはテレ
セントリックである。しかしながら、そのように照明光
学系からレチクル側に照射された露光光を用いて投影光
学系を介してウエハステージ側の計測用パターンを照明
する場合には、この計測用パターンに対する露光光のテ
レセントリック性が投影光学系の露光領域の全体では必
ずしも保証されていない不都合がある。従って、そのウ
エハステージ側の計測用パターンの投影光学系による共
役像に非対称性又は歪等が生じ、この共役像のレチクル
上での位置計測に誤差が生じる虞がある。
【0007】本発明は斯かる点に鑑み、投影光学系の歪
曲収差をより高精度に計測できる露光装置を提供するこ
とを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明による露光装置
は、例えば図1に示す如く、露光光を発生する光源
(1)と、その露光光を集光してマスクRを照明する照
明光学系(8,11,17,19)と、そのマスクRの
パターンをその露光光のもとでステージ(20)上の感
光基板Wに転写する投影光学系PLと、その照明光学系
によりそのマスクRに照射されるその露光光の主光線の
その照明光学系の光軸AXに対する傾斜角を部分的に補
正する傾斜補正手段(13,14)と、この傾斜補正手
段によりその主光線の傾斜角が補正されたその露光光に
よって照明されたそのマスクR上の第1マークRMとそ
の傾斜補正手段によりその主光線の傾斜角が補正された
その露光光によってそのマスクR及びその投影光学系P
Lを介して照明されたそのステージ(20)上の第2マ
ークWMとの各マーク像の位置関係を検出する撮像手段
(31,32,40)と、この撮像手段により検出され
た各マーク像の位置関係に応じてその投影光学系PLの
結像特性を制御する結像特性制御手段(7,29)とを
有するものである。
【0009】
【作用】斯かる本発明によれば、その傾斜補正手段(1
3,14)によりそのマスクRに照射される露光光の主
光線のその照明光学系の光軸AXに対する傾斜角を部分
的に補正することができる。そこで、ステージ(20)
上に形成された第2マークWMをその投影光学系PLを
介して照明する露光光が、現在のその第2マークWMの
位置でテレセントリックになるように、その傾斜補正手
段(13,14)で調整する。これにより、その第2マ
ークWMが投影光学系PLの露光領域内のどの位置に移
動しても、常にその第2マークWMに対する露光光のテ
レセントリック性を保証することができ、歪曲収差を高
精度に計測することができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明による露光装置の第1実施例に
つき図1を参照して説明する。本実施例は、投影光学系
の歪曲収差計測機構を有する縮小投影型の露光装置(ス
テッパー)に本発明を適用したものである。
【0011】図1は本例の露光装置の全体の構成を示
し、この図1において、1は水銀ランプである。水銀ラ
ンプ1からの露光光ILは楕円鏡2で焦光され、ミラー
3で反射された後に、インプットレンズ4でほぼ平行光
束に変換される。楕円鏡2とミラー3との間にシャッタ
ー5が配置され、駆動モーター6によりそのシャッター
5を閉じることにより、露光光ILのインプットレンズ
4に対する供給を停止することができる。7は装置全体
の動作を制御する主制御系を示し、主制御系7が駆動モ
ーター6の動作を制御する。なお、水銀ランプ1の他
に、KrFエキシマレーザー等のパルスレーザー光源又
はその他の光源が使用されている。
【0012】シャッター5が開状態の場合には、インプ
ットレンズ4から射出された露光光ILは、オプティカ
ルインテグレータとしてのフライアイレンズ8に入射
し、フライアイレンズ8の射出側(レチクルR側)の焦
平面に多数の2次光源が形成される。この2次光源の形
成面には可変開口絞り9が配置され、主制御系7は、駆
動装置10を介してその可変開口絞り9の開口部の形状
を転写対象のレチクルに応じた形状に設定する。ウエハ
Wへの露光時には、可変開口絞り9の開口部、即ち2次
光源より射出された露光光ILは、第1リレーレンズ1
1、レチクルブラインド15、第2リレーレンズ17、
ミラー18及び主コンデンサーレンズ19を経て適度に
集光されてほぼ均一な照度でレチクルRを照明する。
【0013】レチクルブラインド15とレチクルRのパ
ターン形成面とは共役であり、レチクルブラインド15
の開口部によりレチクルRの照明視野が設定される。ま
た、歪曲収差の計測時には、レチクルブラインド15の
第1リレーレンズ11側の直前に傾斜角補正光学系12
が配置される。この傾斜角補正光学系12は、2枚の偏
角プリズム13及び14を照明光学系の光軸AXに沿っ
て配置して構成され、これら偏角プリズム13及び14
の光軸AXの回りの相対的な回転角を変えることによ
り、後続のレチクルブラインド15の開口部を通る露光
光の主光線の光軸AXに対する傾斜角を調整することが
できる。また、偏角プリズム13及び14を一体として
光軸AXの回りに回転することにより、その露光光の主
光線を光軸AXの回りに回転することができる。主制御
系7は、駆動装置16を介してレチクルブラインド15
の開口部の位置及び大きさ、偏角プリズム13及び14
の相対的な回転角並びに偏角プリズム13及び14の一
体的な回転角を所定の状態に設定する。
【0014】本例のレチクルRのパターン領域にはマト
リックス状に多数の矩形枠状の計測用マークRMが形成
されている。これら計測用マークRMは投影光学系PL
の歪曲収差の計測に使用される。ウエハWへの露光時に
は、レチクルRのパターン領域を通過した露光光IL
は、投影光学系PLによりウエハW上のショット領域に
集束され、これによりレチクルRのパターンがウエハW
のそのショット領域に所定の縮小倍率で転写される。投
影光学系PLのフーリエ変換面(瞳面)はフライアイレ
ンズ8の2次光源形成面と共役である。また、ウエハW
はウエハステージ20上に保持され、ウエハステージ2
0は、投影光学系PLの光軸に垂直な面(XY平面)内
でウエハWを2次元的に位置決めするXYステージ及び
投影光学系PLの光軸に平行な方向(Z方向)にウエハ
Wを位置決めするZステージ等より構成されている。
【0015】ウエハステージ20上のウエハWの近傍に
は光透過性のステージ基板21が取り付けられ、ステー
ジ基板21の表面はウエハWの露光面と同じ高さに設定
されている。そして、ステージ基板21上には歪曲収差
計測用の十字形パターンWMが形成されている。後述の
ように、十字形パターンWMはレチクルRの計測用マー
クRMの近傍を透過し投影光学系PLを介して照射され
る露光光により照明される。
【0016】また、ウエハステージ20上にはレーザー
干渉計24のレーザービームを反射するための移動ミラ
ー23が固定され、レーザー干渉計24はウエハステー
ジ20中のXYステージの2次元座標を計測する。主制
御系7は、レーザー干渉計24により計測された2次元
座標をモニターしつつ駆動装置25を介してウエハステ
ージ20の位置決めを行う。26は焦点検出系の照射光
学系、27は焦点検出系の受光光学系を示し、照射光学
系26は投影光学系PLの露光領域内の所定位置に例え
ばスリットパターンの像を斜めに投影し、受光光学系2
7はそのスリットパターンの像を例えば振動スリット板
上に再結像する。この振動スリット板の背面には受光素
子が配置され、この受光素子の検出信号をその振動スリ
ット板の駆動信号で同期整流することにより、その投影
光学系PLの露光領域内の物体が投影光学系PLの焦点
面に合致したときに所定レベルとなる焦点信号が得られ
る。主制御系7は、その焦点信号が所定レベルになるよ
うに駆動装置25を介してウエハステージ20中のZス
テージの動作を制御する。これによりオートフォーカス
制御が行われる。
【0017】投影光学系PLの瞳面には可変開口絞り2
8が設けられ、主制御系7がその可変開口絞り28の開
口状態を設定する。更に、主制御系7は駆動装置29を
介して、レチクルRの投影光学系PLの光軸に垂直な面
に対する傾斜角を微調整する。この微調整により投影光
学系PLの歪曲収差の状態を或る程度調整することがで
きる。その他に、例えば投影光学系PLの所定の空気室
の圧力を調整する機構又は投影光学系PLを構成するレ
ンズ群の間隔を調整する機構等を設けてもよい。これら
の機構を介して主制御系7は、投影光学系PLの倍率誤
差、歪曲収差等の結像特性を所定の範囲内で調整するこ
とができる。
【0018】また、投影光学系PLの歪曲収差の計測時
には、投影光学系PLの露光領域内にステージ基板21
の十字形パターンWMが配置される。そして、その十字
形パターンWMに共役な位置のレチクルR上の計測用マ
ークRMの上方には、ビームスプリッター31及び第1
対物レンズ32よりなる観察光学系VFが、投影光学系
PLの光軸に垂直な面内で移動自在に配置される。ウエ
ハステージ20中のXYステージを移動させて十字形パ
ターンWMを移動させるのに対応して、主制御系7は駆
動装置30を介してその観察光学系VFをレチクルRの
上方で移動させる。
【0019】この歪曲収差の計測時には、傾斜角補正光
学系12で主光線の光軸AXに対する傾斜角が補正され
てレチクルブラインド15の開口部から射出された露光
光は、第2リレーレンズ17、ミラー18、主コンデン
サーレンズ19及びビームスプリッター31を経てその
計測用マークRMの近傍に照射され、この計測用マーク
RMの近傍を透過した露光光が投影光学系PLを介して
ステージ基板21上の十字形パターンWMを照明する。
この十字形パターンWMから反射された露光光は、投影
光学系PL及びレチクルRの計測用マークRMを透過し
てビームスプリッター31に入射する。並行してレチク
ルRの計測用マークRMそのものから反射された露光光
もビームスプリッター31に入射する。
【0020】ビームスプリッター31で反射された計測
用マークRMからの露光光及び十字形パターンWMから
の露光光は、第1対物レンズ32を経た後に光路長補正
手段33を経てビームスプリッター34に入射する。光
路長補正手段33は駆動装置30を介して主制御系7か
ら供給される制御信号に応じて、観察光学系VFの移動
量を相殺するように内部を通過する露光光の光路長を補
正する。ビームスプリッター34で反射された露光光
は、第2対物レンズ35により集束されて、レチクルR
のパターン形成面と共役な面P1上に計測用マークRM
及び十字形パターンWMの像が結像される。これらの像
からの露光光は更に、第1リレーレンズ36、光軸補正
手段37、可変開口絞り38及び第2リレーレンズ39
により2次元CCDよりなる撮像素子40の撮像面に集
束され、この撮像素子40の撮像面に計測用マークRM
及び十字形パターンWMの像が結像される。
【0021】この場合、光軸補正手段37は、傾斜角補
正光学系12により傾斜されてレチクルRに入射する十
字形パターンWMの像の露光光の主光線のレチクルRに
対する傾斜角を補正し、可変開口絞り38は投影素子4
0へ入射する計測用マークRM、十字形パターンWM各
像の光束の状態を決定し、第2リレーレンズ38は光軸
方向に移動して計測用マークRM、十字形パターンWM
各像の合焦を行う。主制御系7は駆動装置41を介して
光軸補正手段37の補正動作、可変開口絞り38の開口
部の形状及び第2リレーレンズ39の移動位置の制御を
行う。傾斜角補正光学系12の駆動は、レチクル上の各
計測位置ごとに予め定められた補正プログラムに従って
行われる。可変開口絞り38の開口部の形状を決定する
にあたっては、投影光学系PLの瞳面の可変開口絞り2
8の開口部の形状に連動して調整してもよいが、可変開
口絞り38の開口部の形状を独立に設定してもよい。第
2リレーレンズ39の位置移動をするにあたっては、ま
ずビームスプリッター34を透過した露光光をフォーカ
ス検出手段42で受光する。このフォーカス検出手段4
2は、2次元CCD撮像素子40の撮像面上における計
測用マークRMの像及び十字形パターンWMの像のレチ
クルR上の計測位置におけるレチクル厚のバラツキによ
って生じる合焦ズレを検出し、この検出した合焦状態の
情報を主制御系7に供給するもので、この情報から主制
御系7は駆動装置41を介して第2リレーレンズ39の
移動による合焦補正をする。こうした、3つの補正作業
により、計測マークRM、十字形パターンWMの像の光
束のケラレをなくし、結像特性を最適化し、デフォーカ
スによる計測マークRM像と十字形パターンWM像のC
CD上での位置ずれを防ぐといったことが出来るので後
述の歪曲収差計測時の検出誤差をより小さく出来る。
【0022】次に、投影光学系PLの歪曲収差計測時の
動作につき詳細に説明する。この場合にはレチクルブラ
インド15の直前に傾斜角補正光学系12が配置される
と共に、レチクルブラインド15の開口部の位置がレチ
クルR上の計測対象の計測用マークRMの共役位置の近
傍に設定され、そのレチクルブラインド15の開口部の
大きさはその計測用マークRMの近傍の所定領域だけを
照明する程度の大きさに設定される。そして、その計測
用マークRMの近傍を透過した後に投影光学系PLを介
してステージ基板21上の十字形パターンWM上に照射
される露光光の主光線がそのステージ基板21に対して
垂直になるように、その傾斜角補正光学系12により露
光光の主光線の傾斜角が調整される。その傾斜角補正光
学系12における傾斜角の調整状態は、例えば予めレチ
クルR上の計測座標に対応して主制御系7の内部の記憶
手段に記憶しておく。
【0023】その状態で、主制御系7は撮像手段40を
介してレチクルR上の計測用マークRMの像とステージ
基板21上の十字形パターンWMの像との位置関係を検
出する。同様に、主制御系7はステージ基板21上の十
字形パターンWMを投影光学系PLの露光領域内で2次
元的に移動させて、レチクルR上の多数の計測用マーク
RMの像とその十字形パターンWMの像との位置関係を
それぞれ検出する。これにより投影光学系PLの歪曲収
差の状態が分かるので、主制御系7は例えば駆動装置2
9を介してレチクルRの傾斜角を調整して投影光学系P
Lの歪曲収差の状態を所定の状態に調整する。こうし
て、歪曲収差計測は完了するが、更に計測誤差を防止す
る方法として、上記各計測マークRM像と十字形パター
ンWM像との撮像手段40上での位置ズレを検出する際
に、この撮像手段40上での十字形パターンWM像の絶
対位置をも検出しておき、この位置情報を主制御系7に
記憶させる。
【0024】また、図1において、44はライトガイド
を示し、このライトガイド44の一端はシャッター5の
近傍に配置され、ライトガイド44の他端がウエハステ
ージ20の中に収納されている。シャッター5が閉じて
いる状態では、シャッター5で反射された露光光ILが
集光レンズ43によりライトガイド44の一方の端面に
集束され、ウエハステージ20中のライトガイド44の
他方の端面から露光光が射出される。この射出された露
光光は集光レンズ45によりほぼ平行光束に変換された
後に、ミラー46で反射されてステージ基板21上の開
口マーク22を底面側から鉛直上方に照明する。この2
2は照野を決めるものである。そこで、ウエハステージ
20を移動させて、この開口マーク22を上記計測マー
クRMの投影光学系PLを介した共役位置近傍にて発光
させると、ステージ基板21に対して垂直に射出したこ
の開口マーク22からの露光光は投影光学系PLを介し
てその共役位置にあるレチクルR上の計測用マークRM
を透過照明する。こうして照明されて計測マークRMか
ら射出する光束の主光線は計測マークRMからの反射光
と違って、前出の十字形パターンWMの主光線とレチク
ルR上を射出する際にその傾斜角が一致することにな
る。この計測マークRM像の撮像手段40での位置を検
出し、先ほど記憶した十字形パターンWM像の位置との
差が求める検出値である。こうした検出方法をすること
で、前出のフォーカス検出手段42や合焦機構である第
2リレーレンズ39の移動の誤差による合焦不足があっ
ても検出精度の低下を防止できる。
【0025】次に、図1の第1実施例における傾斜角補
正光学系12と同様に露光光の主光線の傾斜角を補正で
きる光学系の他の例を図2を参照して説明する。先ず、
図2(a)はフィールドレンズを用いて露光光の主光線
の傾斜角を補正する例を示す。この図2(a)におい
て、レチクルブラインド15の開口部の第1リレーレン
ズ11側の直前に、レチクルR上の計測用マークRMの
計測領域をカバーできる視野を有するフィールドレンズ
47を配置する。通常の露光時にはそのフィールドレン
ズ47は取り外しておく。また、投影光学系の歪曲収差
の計測時には、レチクルブラインド15の開口部が移動
するのに対応して、そのフィールドレンズ47をそのレ
チクルブラインド15の直前で2次元的に移動させる。
【0026】また、図2(b)はフライアイレンズ8の
2次光源形成面上の可変開口絞り9を用いて露光光の主
光線の傾斜角を補正する例を示す。この場合、可変開口
絞り9の開口部を小さく絞った状態で、その開口部を2
次元的に移動させると、図1のレチクルR上に照射され
る露光光が平行光束になり、且つこの平行光束の投影光
学系PLの光軸に対する傾斜角が全体として補正され
る。
【0027】また、図2(c)は2枚の平行平板ガラス
を用いる例を示し、この図2(c)において、可変開口
絞り9と第1リレーレンズ11との間に光軸に沿って、
図2(c)の紙面に垂直な軸48aを中心として回転自
在に配置された第1の平行平板ガラス48と、図2
(c)の紙面に平行な軸49aを中心として回転自在に
配置された第2の平行平板ガラス49とを設ける。2枚
の平行平板ガラス48及び49の回転角を調整すること
により、レチクルブラインド15の開口部から射出され
る露光光の主光線の傾斜角を任意に調整することができ
る。
【0028】次に、図1に対応する部分に同一符号を付
して示す図3を参照して本発明の第2実施例につき説明
する。図3は本例の投影露光装置の主要部を示し、この
図3において、ステージ基板21上の十字形パターンW
Mの下方に順に、第2対物レンズ55、図3の紙面に垂
直な軸を中心に回転自在の第2平行平板ガラス54及び
第2傾斜ミラー53を配置する。また、第2傾斜ミラー
53に対して楔形になるように第1傾斜ミラー52を配
置し、この第1傾斜ミラー52の上に図3の紙面に平行
な軸を中心として回転自在な第1平行平板ガラス51及
び第1対物レンズ50を配置する。主制御系7は駆動装
置56を介して2枚の平行平板ガラス51及び54の回
転角を調整する。
【0029】そして、投影光学系PLの歪曲収差の計測
時には、レチクルブラインド15の開口部を小さく絞り
その開口部の位置をずらすことにより、露光光でレチク
ルR上の計測対象とする計測用マークRMに隣接する領
域を照明する。これにより、レチクルR及び投影光学系
PLを介した露光光でステージ基板21上の十字形パタ
ーンWMに隣接する領域が照明される。そのステージ基
板21上の照射領域からの露光光を第1対物レンズ5
0、第1平行平板ガラス51、第1傾斜ミラー52、第
2傾斜ミラー53、第2平行平板ガラス54及び第2対
物レンズ55を介してステージ基板21上の十字形パタ
ーンWMに照射する。ステージ基板21上の露光光の照
射領域とその十字形パターンWMの形成領域とは共役で
ある。
【0030】この場合、2枚の平行平板ガラス51及び
54の回転角をそれぞれ調整することにより、十字形パ
ターンWMを底部から照明する露光光の主光線の投影光
学系PLの光軸に対する傾斜角を0にして、ステージ基
板21の十字形パターンWMに対する露光光のテレセン
トリック性を保証することができる。また、ステージ基
板21上の十字形パターンWM及びレチクルR上の計測
用マークRMの像は観察光学系VFを介して第1実施例
と同様に撮像することができる。
【0031】次に、図3に対応する部分に同一符号を付
して示す図4を参照して本発明の第3実施例につき説明
する。図4は本例の投影露光装置の要部を示し、この図
4において、ステージ基板21上には歪曲収差計測用の
マークは形成しない。そして、ウエハステージ20の内
部において、ステージ基板21の底部に順に第1対物レ
ンズ58、図4の紙面に垂直な軸を中心に回転自在な平
行平板ガラス54、図4の紙面に平行な軸を中心に回転
自在な平行平板ガラス51、第2対物レンズ57及び反
射板59を配置し、この反射板59上に歪曲収差計測用
の十字形パターンWMを形成する。第1対物レンズ58
及び第2対物レンズ57によりステージ基板21の上面
と反射板59の表面とは共役である。
【0032】図4において、投影光学系PLの歪曲収差
の計測時には、レチクルブラインド15の開口部を小さ
く絞りその開口部の位置をずらすことにより、露光光で
レチクルR上の計測対象とする計測用マークRMの近傍
の領域を照明する。これにより、レチクルR及び投影光
学系PLを介した露光光でステージ基板21上の対応す
る領域が照明される。そのステージ基板21上の照射領
域からの露光光を第1対物レンズ58、平行平板ガラス
54、平行平板ガラス51及び第2対物レンズ57を介
して反射板59上の十字形パターンWMに照射する。主
制御系7が駆動装置56を介して2枚の平行平板ガラス
54及び51の回転角を調整することにより、十字形パ
ターンWMに対する露光光のテレセントリック性を保証
することができる。
【0033】更に、反射板59上の十字形パターンWM
の像はステージ基板21上にリレーされた後に、レチク
ルR上にリレーされる。そして、反射板59上の十字形
パターンWM及びレチクルR上の計測用マークRMの像
は観察光学系VFを介して第1実施例と同様に撮像する
ことができる。
【0034】次に、図5を参照して本発明の第4実施例
につき説明する。図5(a)は本例のレチクルRの平面
図であり、この図5(a)において、図1の観察光学系
VFに相当する2個の観察光学系VFA及びVFBがレ
チクルRの上方に配置されている。一方の観察光学系V
FAはビームスプリッター31A及び第1対物レンズ3
2Aより構成され、他方の観察光学系VFBもビームス
プリッター31B及び第1対物レンズ32Bより構成さ
れている。また、観察光学系VFA及びVFBにはそれ
ぞれ図1の光学系33〜40,42が付属している。こ
のように観察光学系を複数用いることにより、歪曲収差
の計測効率を高めることができる。
【0035】ただし、本例では観察光学系VFAの光軸
と観察光学系VFBの光軸とをレチクルRに平行な方向
に可変の長さLだけ離した状態で、それら観察光学系V
FA及びVFBを移動させる。図5(b)は本例のレチ
クルRの側面図であり、それら観察光学系VFA及びV
FBの光軸を離すことにより、ビームスプリッター31
A及び31Bからの反射光ILA及びILBがそれぞれ
他方の観察光学系のノイズとなることが防止され、測定
精度を高めることができる。なお、複数の観察光学系V
FA,VFBの光軸をレチクルRに平行な方向にずらす
代わりに、それら観察光学系VFA,VFBの光軸を高
さ方向(投影光学系の光軸方向)にずらしてもよい。
【0036】また、複数の観察光学系間の反射光のノイ
ズを防止するためには、図6に示すようにビームスプリ
ッターとしてウェッジプリズム60A及び60Bを用い
るようにしてもよい。それらウェッジプリズム60A及
び60BのレチクルR側の面60Aa及び60Baをビ
ームスプリッター面とすることにより、反射光がそのま
ま他方の観察光学系に入射するのを防止することができ
る。
【0037】なお、本発明は上述実施例に限定されず本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得るこ
とは勿論である。
【0038】
【発明の効果】本発明によれば、露光光の主光線の照明
光学系の光軸に対する傾斜角を補正できるので、ステー
ジ上の第2マークに対する露光光のテレセントリック性
を保つことができる。従って、投影光学系の歪曲収差を
より高精度に計測できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による露光装置の第1実施例の全体を示
す一部断面図を含む構成図である。
【図2】第1実施例の変形例を示す要部の構成図であ
る。
【図3】本発明の第2実施例の要部を示す一部断面図を
含む構成図である。
【図4】本発明の第3実施例の要部を示す一部断面図を
含む構成図である。
【図5】(a)は本発明の第4実施例のレチクル近傍の
構成を示す平面図、(b)は図5(a)の側面図であ
る。
【図6】第4実施例の変形例の要部を示す側面図であ
る。
【符号の説明】
1 水銀ランプ 7 主制御系 8 フライアイレンズ 9 開口絞り 11 第1リレーレンズ 12 傾斜角補正光学系 15 レチクルブラインド 17 第2リレーレンズ 19 主コンデンサーレンズ R レチクル PL 投影光学系 W ウエハ RM 計測用マーク WM 十字形パターン 20 ウエハステージ 21 ステージ基板 VF 観察光学系 33 光路長補正手段 37 光軸補正手段

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 露光光を発生する光源と、 前記露光光を集光してマスクを照明する照明光学系と、 前記マスクのパターンを前記露光光のもとでステージ上
    の感光基板上に転写する投影光学系と、 前記照明光学系により前記マスクに照射される前記露光
    光の主光線の前記照明光学系の光軸に対する傾斜角を部
    分的に補正する傾斜補正手段と、 該傾斜補正手段により前記主光線の傾斜角が補正された
    前記露光光によって照明された前記マスク上の第1マー
    クと前記傾斜補正手段により前記主光線の傾斜角が補正
    された前記露光光によって前記マスク及び前記投影光学
    系を介して照明された前記ステージ上の第2マークとの
    各マーク像の位置関係を検出する撮像手段と、 該撮像手段により検出された各マーク像の位置関係に応
    じて前記投影光学系の結像特性を制御する結像特性制御
    手段とを有する事を特徴とする露光装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000019261A1 (en) * 1998-09-25 2000-04-06 Nikon Corporation Image formation position adjusting device, exposure system, image formation adjusting method and exposure method
JP2001237183A (ja) * 2000-01-20 2001-08-31 Asm Lithography Bv マイクロリソグラフィ投影装置
US6560044B2 (en) 2000-03-06 2003-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system in exposure apparatus
US6768546B2 (en) 1998-04-30 2004-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus and device manufacturing method using the same
WO2025229813A1 (ja) * 2024-05-02 2025-11-06 株式会社フジクラ 露光装置及び露光方法

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