JPH0992683A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0992683A
JPH0992683A JP7246157A JP24615795A JPH0992683A JP H0992683 A JPH0992683 A JP H0992683A JP 7246157 A JP7246157 A JP 7246157A JP 24615795 A JP24615795 A JP 24615795A JP H0992683 A JPH0992683 A JP H0992683A
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flexible substrate
semiconductor device
lead
anisotropic conductive
conductive resin
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JP7246157A
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Masanori Iijima
真紀 飯島
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明はフレキシブル基板に対し異方性導電性
樹脂を用いて半導体素子を実装する構成の半導体装置に
関し、異方性導電性樹脂を用いた構成であっても半導体
素子とフレキシブル基板との電気的接続を確実に行うこ
とを目的とする。 【解決手段】フレキシブル基板２２に形成されたリード
２６に、異方性導電性樹脂２３を用いて半導体チップ２
１をフリップチップボンディグした構成を有する半導体
装置において、前記フレキシブル基板２２の背面で、前
記フリップチップボンディグを行うボンディングエリア
と対向する部位を少なくとも含む範囲に補強部材２７を
配設する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係り、
特にフレキシブル基板に対し異方性導電性樹脂を用いて
半導体素子を実装する構成の半導体装置に関する。近
年、例えば携帯電話等の電子機器においては小型薄型化
が要求されている。また、これらの電子機器に配設され
る基板は、可撓性を有することにより組み込み性の良好
なフレキシブル基板が用いられており、半導体装置はフ
レキシブル基板上に配設された構成とされている。
【０００２】よって、電子機器の小型化を図るために
は、半導体装置の小型化を図ると共に、半導体装置をフ
レキシブル基板に実装する際の実装密度の向上を図るこ
とが重要となる。
【０００３】
【従来の技術】図１１は、従来の半導体装置１を示して
いる。同図に示す半導体装置１は、半導体チップ２（半
導体素子）をフレキシブル基板３に搭載した構成とされ
ている。フレキシブル基板３のチップ搭載面には所定の
パターンでリード４が形成されており、半導体チップ２
に形成されている電極パッド５とリードとはワイヤ６に
より接続された構成とされている。
【０００４】また、半導体チップ２は電極パッド５が形
成されている上面に電子回路が形成されているため、こ
の回路形成面を保護するため、またワイヤ６を保護する
ために封止樹脂７が配設されている。一般にフレキシブ
ル基板３に配設された半導体チップ２を保護する封止樹
脂７は、形成が容易でまた安価に形成を行いうるポッテ
ィング法を用いて形成される。
【０００５】しかるに、図１１に示される半導体装置１
は、半導体チップ２とフレキシブル基板３との接続をワ
イヤ６を用いて行っているため、必然的に半導体チップ
２の外周部分にワイヤ６を配設するためのボンディング
エリア（図中、矢印Ａで示すエリア）が必要となる。こ
のボンディングエリアは、半導体チップ２の外周部分に
２〜３ｍｍ程度必要となる。
【０００６】このように、従来の半導体装置１では、半
導体チップ２とフレキシブル基板３とをワイヤ６で接続
することにより半導体チップ２の外周部分にボンディン
グエリアが必要となり、これに起因して半導体装置１の
小型化を図ることができないという問題点があった。
【０００７】更に、従来の半導体装置１では、半導体チ
ップ２を保護する封止樹脂７をポッティング法を用いて
形成していたため、封止樹脂７の配設領域が広くなって
しまう。即ち、封止樹脂７を滴下するポッティング法で
は、封止樹脂７がフレキシブル基板３上で広がる傾向が
あり、よって封止樹脂７の配設領域が広くなってしま
う。従って、これによっても半導体装置１が大型化して
しまうという問題点があった。
【０００８】そこで、上記の問題点を解決する半導体装
置として、図１２に示されるように異方性導電性樹脂１
１を用いた半導体装置１０が提案されている。尚、図１
２において、図１１に示した半導体装置１と対応する構
成については同一符号を附している。
【０００９】同図に示される半導体装置１０は、半導体
チップ１２の下面に形成された電極パッドにバンプ１３
が形成されており、またフレキシブル基板３に形成され
たリード４はバンプ１３と対向するよう、換言すれば半
導体チップ１２の下部まで延出するよう構成されてい
る。
【００１０】また、異方性導電性樹脂１１は、可撓性を
有する絶縁性樹脂の内部に導電性材料よりなる導電性フ
ィラー（粒子）を分散状態で混入した構成とされてお
り、圧縮変形することにより導電性フィラーが電気的に
接続し、これにより圧縮方向に導電性が生じる特性を有
している。この異方性導電性樹脂１１は、半導体チップ
１２とフレキシブル基板３との間に配設されている。
【００１１】従って、フレキシブル基板３の半導体チッ
プ搭載位置に異方性導電性樹脂１１を塗布し、半導体チ
ップ１２を異方性導電性樹脂１１の上部に搭載した上で
フレキシブル基板３に押圧することにより、異方性導電
性樹脂１１を介してリード４とバンプ１３とは導通する
（この導通部を、図１２に参照符号１４で示す）。これ
により、半導体チップ１２とフレキシブル基板３とを電
気的に接続することができる。
【００１２】また、半導体チップ１２の電子回路が形成
された面（電極パッドが形成された面）は、異方性導電
性樹脂１１と対向することになり、従って上記構成では
特に封止樹脂７を設けなくても電子回路は異方性導電性
樹脂１１により保護される構成となる。
【００１３】よって、異方性導電性樹脂１１を用いた半
導体装置１０によれば、ワイヤ６及び封止樹脂７を設け
る必要がなくなるため、図１１に示す半導体装置１に比
べて小型化を図ることができる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、図１２
に示される半導体装置１０によれば装置の小型化を図る
ことができる。しかるに、この半導体装置１０では、バ
ンプ１３とリード４との間で接続不良が発生し易いとい
う問題点があった。以下、この理由について図１３乃至
図１５を用いて説明する。
【００１５】図１３は、異方性導電性樹脂１１がチップ
搭載位置に配設されたフレキシブル基板３に半導体チッ
プ１２を載置した状態を示している。この状態より、図
示されるように治具１５を用いて半導体チップ１２をフ
レキシブル基板３に向け押圧し、バンプ１３とリード４
との対向する領域（以下、ボンディングエリアという）
における異方性導電性樹脂１１に導電性（図中、上下方
向に対する導電性）を持たせる。
【００１６】図１４は、治具１５を用いて半導体チップ
１２をフレキシブル基板３に向け押圧した状態を示して
いる。同図に示されるように、治具１５は下動すること
により半導体チップ１２をフレキシブル基板３に向け押
圧する。これにより、バンプ１３は異方性導電性樹脂１
１に含まれる導電性フィラーを介在させた状態でリード
４に当接し電気的導通が図られる。またこの際、治具１
５の押圧力によりリード４及びフレキシブル基板３を構
成するベースフイルム１６は共に下方に向け変形する
（ベースフイルム１６の変形部を参照符号１７で示
す）。
【００１７】続いて、治具１５を上動させることによ
り、治具１５を用いたバンプ１３とリード４の接続処理
は終了するが、この際、従来の構成の半導体装置１０で
はリード４が変形したままの状態で維持され（この状態
を図１５に示す）、治具１５を離間させてもリード４が
押圧処理を行う前の直線状態に戻らない現象が多々発生
した。
【００１８】このようにリード４が変形したままの状態
では、リード４とバンプ１３との離間距離が大きくなっ
てしまい、リード４とバンプ１３との間で異方性導電性
樹脂１１が導電性を有するに足る所定の押圧力を発生さ
せることができなくなる。よって、図１２に示される構
成の半導体装置１０では、バンプ１３とリード４との間
で電気的な接続不良が発生し易くなる。
【００１９】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、異方性導電性樹脂を用いた構成であっても半導体
素子とフレキシブル基板との電気的接続を確実に行いう
る半導体装置を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、下記の手段を講じたことを特徴とするも
のである。請求項１記載の発明では、フレキシブル基板
に形成されたリードに、異方性導電性樹脂を用いて半導
体素子をフリップチップボンディグした構成を有する半
導体装置において、前記フレキシブル基板の背面で、前
記フリップチップボンディグを行うボンディングエリア
と対向する部位を少なくとも含む範囲に、補強部材を配
設したことを特徴とするものである。
【００２１】また、請求項２記載の発明では、前記請求
項１記載の半導体装置において、前記補強板を導電性材
料により構成することにより、信号線或いは電源線とし
て用いたことを特徴とするものである。
【００２２】また、請求項３記載の発明では、フレキシ
ブル基板に形成されたリードに、異方性導電性樹脂を用
いて半導体素子をフリップチップボンディグした構成を
有する半導体装置において、前記リードを前記フリップ
チップボンディグを行うボンディングエリアよりも前記
半導体素子の内側に向け延出させたことを特徴とするも
のである。
【００２３】更に、請求項４記載の発明では、前記請求
項３記載の半導体装置において、前記リードのボンディ
ングエリアからの延出量を０．０５ｍｍ以上としたこと
を特徴とするものである。
【００２４】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項１記載の発明によれば、フレキシブル基板の背面
でフリップチップボンディグを行うボンディングエリア
と対向する部位を少なくとも含む範囲に補強部材を配設
したことにより、半導体素子をフレキシブル基板に押圧
した際、フレキシブル基板及びこれに配設されたリード
に変形が発生するのを防止することができる。よって、
異方性導電性樹脂を用いて半導体素子とリードとの電気
的接続を確実に行うことができる。
【００２５】また、請求項２記載の発明によれば、前記
補強板を導電性材料により構成し、これを信号線或いは
電源線として用いることにより、上記の請求項１に係る
作用に加え、配線の実装密度を向上させることができ
る。また、請求項３及び４記載の発明によれば、リード
をフリップチップボンディグを行うボンディングエリア
よりも半導体素子の内側に向け延出させたことにより、
半導体素子をフレキシブル基板に押圧した際、フレキシ
ブル基板に配設されたリードに変形が発生しても、この
変形の発生位置はリードの端部より内側に位置した部分
となる。よって、リードは変形部位の両端部分が支持さ
れた構成となり、変形部位における元の状態復元しよう
とする力（反発力）を増大させることができる。これに
より、上記の押圧を解除した時点で、リードは反発力に
より元の状態に弾性復元するため、半導体素子とリード
との電気的接続を確実に行うことができる。尚、上記反
発力は、特にリードのボンディングエリアからの延出量
を０．０５ｍｍ以上とした時に有効に作用する。
【００２６】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面と共に説明する。図１及び図２は、本発明の第１実
施例である半導体装置２０を示している。各図に示され
る半導体装置２０は、大略すると半導体チップ２１（半
導体素子），フレキシブル基板２２，及び異方性導電性
樹脂２３等により構成されており、例えば携帯電話等の
小型化が望まれている電子機器に搭載されるものであ
る。
【００２７】半導体チップ２１は下面が所定の電子回路
が形成された回路形成面とされており、またこの回路形
成面には電極パッド（図示せず）が設けられている。こ
の電極パッドにはバンプ２４が形成されている。バンプ
２４は例えば金バンプであり、予め半導体チップ２１に
形成されている。
【００２８】尚、バンプ２４は金バンプに限定されるも
のではなく、バンプの材料としてははんだ，銀，銅，ア
ルミニウム等を用いてもよい。また、バンプ２４の形成
方法も特に限定されるものではなく、転写法，メッキ
法，スタッドバンプ法等の種々の形成方法の適用が考え
られる。
【００２９】また、フレキシブル基板２２はポリイミ
ド，ポリエステル等よりなるベースフィルム２５に、銅
箔により所定のリード２６，配線（図示せず），及び本
実施例の要部となる補強板２７（補強部材）を形成した
構成とされている。ベースフィルム２５は可撓性を有し
ており、従ってフレキシブル基板２２は小型化が望まれ
ている携帯電話等の電子機器用の基板として適してい
る。
【００３０】また、リード２６は半導体チップ２１が搭
載された状態で半導体チップ２１に形成されたバンプ２
４と対向するように、換言すれば半導体チップ２１の下
部まで延出するよう構成されている。尚、上記のように
銅よりなるリード２６の上面には、金よりなるバンプ２
４との接合性を向上させる点より、ニッケル及び金メッ
キが施されている。
【００３１】また、補強板２７はフレキシブル基板２２
の背面に形成されており、またその形成位置はバンプ２
４とリード２６とがフリップチップボンディグされる領
域（以下、ボンディングエリアという）と対向する部位
を少なくとも含む範囲に選定されている。尚、メッキ工
程を簡単化する点より、リード２６と同様に補強板２７
の上面にニッケル及び金メッキを施してもよい。
【００３２】異方性導電性樹脂２３は、可撓性を有する
絶縁性樹脂の内部に導電性を有する導電性フィラー（図
中、黒丸で示す）を分散状態で混入した構成とされてお
り、圧縮変形することにより導電性フィラーが電気的に
接続し、これにより圧縮方向に導電性が生じる特性を有
している。この異方性導電性樹脂２３は、半導体チップ
２１とフレキシブル基板２２との間に介装されている。
【００３３】続いて、本実施例における半導体装置２０
において、半導体チップ２１を異方性導電性樹脂２３を
介してフレキシブル基板２２に接続する処理について図
３及び図４を用いて説明する。半導体チップ２１をフレ
キシブル基板２２に接続するには、先ずフレキシブル基
板２２の半導体チップ搭載位置に異方性導電性樹脂２３
を塗布する。この異方性導電性樹脂２３を塗布する方法
としては、例えばスクリーン印刷法を利用することが考
えられる。
【００３４】上記のようにフレキシブル基板２２の半導
体チップ搭載位置に異方性導電性樹脂２３が塗布される
と、半導体チップ２１を異方性導電性樹脂２３上の半導
体チップ搭載位置に載置する。図３は、半導体チップ２
１を異方性導電性樹脂２３上の所定位置に載置した状態
を示している。この状態で、半導体チップ２１に形成さ
れているバンプ２４とフレキシブル基板２２に形成され
たリード２６は互いに対向している。しかるに、まだ半
導体チップ２１をフレキシブル基板２２に向け押圧する
処理を行っていないため、図３に示す状態ではバンプ２
４とリード２６は電気的に接続された状態とはなってい
ない。
【００３５】続いて、図４に示されるように、治具２８
を用いて半導体チップ２１をフレキシブル基板２２に向
け押圧する。治具２８は、上記したボンディングエリア
を押圧するよう構成されている。ここで、本実施例に係
る半導体装置２０は、フレキシブル基板２２の背面でバ
ンプ２４とリード２６とがフリップチップボンディグさ
れるボンディングエリアと対向する部位に補強板２７が
配設されている。従って、治具２８により半導体チップ
２１がフレキシブル基板２２に向け押圧されても、リー
ド２６及びベースフィルム２５は補強板２７により補強
されているため変形することはない。
【００３６】よって、異方性導電性樹脂２３はバンプ２
４とリード２６との間で確実に押圧されることによりフ
リップチップボンディングが行われ、これにより半導体
素子２１とフレキシブル基板２２との電気的接続を確実
に行うことができる。尚、図中２９で示すのは、導電性
フィラーによりバンプ２４とリード２６とが電気的に導
通された導通部である。
【００３７】また、半導体チップ２１の電子回路面は、
異方性導電性樹脂２３と対向することになり、従って本
実施例に係る構成でも特に封止樹脂７（図１１参照）を
設けなくても電子回路を異方性導電性樹脂２３により保
護することができる。よって、本実施例に係る半導体装
置２０によれば、装置の小型化を図りつつ、かつ半導体
素子２１とフレキシブル基板２２との電気的接続を確実
に行うことが可能となる。
【００３８】一方、上記のように補強板２７はリード２
６と同様に銅箔で形成されているため配線として用いる
ことができる。よって、補強板２７を信号線或いは電源
線として用いることにより、フレキシブル基板２２の配
線密度を向上させることができる。これにより、フレキ
シブル基板２２自体の小型化を図ることができ、これが
配設される電子機器の小型化に寄与することができる。
【００３９】尚、上記した実施例では補強板２７を略リ
ード２６と等しい構成とした例を示したが、補強板２７
を銅箔以外の別個の材料により構成してもよい。この場
合、補強板２７をフレキシブル基板２７に固定するのに
は、例えば接着剤を用いて固定する方法が考えられる。
【００４０】また、上記のように補強板２７を別個の部
材により構成することにより、その厚さを任意に設定す
ることができる。このため、押圧処理時にリード２６及
びベースフィルム２５を変形させないための強度を容易
に補強板２７に持たせることができる。
【００４１】続いて、本発明の第２実施例について説明
する。図５及び図６は本発明の第２実施例である半導体
装置３０を示している。尚、図５及び図６において、図
１及び図２に示した第１実施例に係る半導体装置２０と
同一構成については同一符号を附してその説明を省略す
る。
【００４２】本実施例に係る半導体装置３０は、第１実
施例に係る半導体装置２０で設けられていた補強板２７
を取り除くと共に、フレキシブル基板３１に形成される
リード３２をフリップチップボンディグを行うボンディ
ングエリアよりも半導体チップ２１の内側に向け長く延
出させた構成としたことを特徴とする。
【００４３】具体的には、図６に示されるように、リー
ド３２はボンディングエリア（矢印ＢＡで示す）よりも
矢印Ｌで示す分だけ半導体チップ２１の内側に向け延出
させた構成とされている。この構成とすることによって
もリード２６及びベースフィルム２５に発生する変形を
軽減でき、半導体素子２１とフレキシブル基板３１との
電気的接続を確実に行うことが可能となる。以下、図７
及び図８を用いてこの理由について説明する。
【００４４】本実施例における半導体装置３０におい
て、半導体チップ２１を異方性導電性樹脂２３を介して
フレキシブル基板３１に接続するには、第１実施例と同
様に先ずフレキシブル基板３１の半導体チップ搭載位置
に異方性導電性樹脂２３を塗布した上で、異方性導電性
樹脂２３上の半導体チップ搭載位置に半導体チップ２１
を載置する。
【００４５】続いて、図７に示されるように、治具２８
を用いて半導体チップ２１をフレキシブル基板３１に向
け押圧する。ここで、本実施例に係る半導体装置３０
は、リード３２がボンディングエリア（ＢＡ）よりも半
導体チップ２１の内側に向け寸法（Ｌ）だけ長く延出し
た構成とされている。この構成では、半導体チップ２１
をフレキシブル基板３１に押圧した際、フレキシブル基
板３１に配設されたリード３２に変形が発生しても、こ
の変形の発生位置（以下、変形部３２ａという）はリー
ド３２の端部３２ｂより内側に位置した部分となる。
【００４６】よってこの押圧状態において、変形部３２
ａはその両端に位置する端部３２ｂ，３２ｃにより支持
された構成（両端支持梁と同様な構成）となり、変形部
３２ａにおける元の状態復元しようとする力（反発力）
を増大させることができる。これに対し、図４に示した
従来構成の半導体装置１０では、リード４は片持ち梁と
同様な構成であり、元の状態復元しようとする反発力は
小さくなる。
【００４７】従って、本実施例に係る半導体装置３０で
は、押圧を解除した時点でリード３２は反発力により元
の状態に弾性復元する（図８は、リード３２が元の状態
に弾性復元した状態を示している）。このように、リー
ド３２が元の状態に弾性復元することにより、異方性導
電性樹脂２３はバンプ２４とリード３２との間で確実に
押圧され、これにより半導体素子２１とフレキシブル基
板３１との電気的接続を確実に行うことができる。本発
明者の実験では、上記反発力は特にリードのボンディン
グエリアからの延出量を０．０５ｍｍ以上とした時に有
効に発生する。
【００４８】尚、異方性導電性樹脂２３を用いて半導体
チップ２１をフレキシブル基板２２，３１に接続する構
成では、異方性導電性樹脂２３をフレキシブル基板２
２，３１の半導体チップ搭載位置に精度良く塗布する必
要があると共に、半導体チップ２１を異方性導電性樹脂
２３が塗布されたフレキシブル基板２２，３１に精度良
く搭載する必要がある。
【００４９】このため、上記した各実施例では、図９に
示すように４個の位置決めマーク３３ａ，３３ｂ，３４
ａ，３４ｂを用いて異方性導電性樹脂２３の塗布及び半
導体チップ２１の搭載処理を行っている。以下、これに
ついて説明する。前記したように、異方性導電性樹脂２
３をフレキシブル基板２２，３１の所定位置に塗布する
のにはスクリーン印刷法が用いられており、よって精度
良く異方性導電性樹脂２３を塗布するにはスクリーン印
刷用マスクをフレキシブル基板２２，３１に精度良く装
着する必要がある。スクリーン印刷用マスク（図示せ
ず）には位置決め用のマーク（位置決め孔）が予め設け
られており、本実施例では４個ある位置決めマーク３３
ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂの内、対角位置に配設され
た２個の位置決めマーク３３ａ，３３ｂがこの位置決め
孔に対応するよう構成されている。
【００５０】従って、位置決めマーク３３ａ，３３ｂを
基準としてスクリーン印刷用マスクを位置決めすること
により、異方性導電性樹脂２３をフレキシブル基板２
２，３１の所定位置に精度良く塗布することができる。
しかるに、異方性導電性樹脂２３をフレキシブル基板２
２，３１に塗布することにより、位置決めマーク３３
ａ，３３ｂにもスクリーン印刷用マスクに形成された位
置決め孔を介して異方性導電性樹脂２３が塗布される
（図９は位置決めマーク３３ａ，３３ｂに異方性導電性
樹脂２３が塗布された状態を示している）。このため、
位置決めマーク３３ａ，３３ｂを半導体チップ２１の位
置決めのマークとして用いることはできない。
【００５１】しかるに、本実施例では４個ある位置決め
マーク３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂが形成されてい
るため、残る２個の位置決めマーク３４ａ，３４ｂを用
いて半導体チップ２１の位置決めを行うことが可能であ
る。よって、４個の位置決めマーク３３ａ，３３ｂ，３
４ａ，３４ｂを上記のように選択的に用いてスクリーン
印刷用マスク及び半導体チップ２１の位置決め処理を行
うことにより、異方性導電性樹脂２３の塗布及び半導体
チップ２１の位置決め処理を確実かつ正確に行うことが
できる。
【００５２】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、下記の種々
の効果を実現することができる。請求項１記載の発明に
よれば、半導体素子をフレキシブル基板に押圧した際に
フレキシブル基板及びこれに配設されたリードに変形が
発生するのを防止することができ、よって異方性導電性
樹脂を用いて半導体素子とリードとの電気的接続を確実
に行うことができる。
【００５３】また、請求項２記載の発明によれば、前記
補強板を導電性材料により構成し、これを信号線或いは
電源線として用いることにより、上記の請求項１に係る
作用に加え、配線の実装密度を向上させることができ
る。また、請求項３及び４記載の発明によれば、半導体
素子をフレキシブル基板に押圧した際フレキシブル基板
に配設されたリードに変形が発生しても、この変形の発
生位置はリードの端部より内側に位置した部分となり、
よって変形部位における元の状態復元しようとする力
（反発力）を増大させることができる。これにより、上
記の押圧を解除した時点でリードは反発力により元の状
態に弾性復元するため、半導体素子とリードとの電気的
接続を確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例である半導体装置の構成図
である。
【図２】本発明の第１実施例である半導体装置の外観図
である。
【図３】本発明の第１実施例である半導体装置を示して
おり、押圧処理を行う前の状態を示す図である。
【図４】本発明の第１実施例である半導体装置を示して
おり、押圧処理を実施している状態を示す図である。
【図５】本発明の第２実施例である半導体装置の構成図
である。
【図６】本発明の第２実施例である半導体装置の要部を
拡大して示す図である。
【図７】本発明の第２実施例である半導体装置を示して
おり、押圧処理を実施している状態を示す図である。
【図８】本発明の第２実施例である半導体装置を示して
おり、押圧処理が終了した状態を示す図である。
【図９】位置決め方法を説明するための図である。
【図１０】位置決め方法を説明するための図である。
【図１１】従来の半導体装置の一例を示す構成図であ
る。
【図１２】従来の半導体装置の一例を示す構成図であ
る。
【図１３】図１２に示す半導体装置において、押圧処理
を実施する状態を示す図である。
【図１４】従来の半導体装置の問題点を説明するための
図である。
【図１５】従来の半導体装置の問題点を説明するための
図である。
【符号の説明】
２０，３０ 半導体装置 ２１ 半導体チップ ２２，３１ フレキシブル基板 ２３ 異方性導電性樹脂 ２４ バンプ ２５ ベースフィルム ２６，３２ リード ２７ 補強板 ２８ 治具 ３２ａ 変形部 ３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂ 位置決めマーク

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フレキシブル基板に形成されたリード
    に、異方性導電性樹脂を用いて半導体素子をフリップチ
    ップボンディグした構成を有する半導体装置において、 前記フレキシブル基板の背面で、前記フリップチップボ
    ンディグを行うボンディングエリアと対向する部位を少
    なくとも含む範囲に、補強部材を配設したことを特徴と
    する半導体装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記補強板を導電性材料により構成することにより、信
    号線或いは電源線として用いたことを特徴とする半導体
    装置。
  3. 【請求項３】 フレキシブル基板に形成されたリード
    に、異方性導電性樹脂を用いて半導体素子をフリップチ
    ップボンディグした構成を有する半導体装置において、 前記リードを前記フリップチップボンディグを行うボン
    ディングエリアよりも前記半導体素子の内側に向け延出
    させたことを特徴とする半導体装置。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置において、 前記リードのボンディングエリアからの延出量を０．０
    ５ｍｍ以上としたことを特徴とする半導体装置。
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