JPH0992706A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH0992706A JPH0992706A JP24484395A JP24484395A JPH0992706A JP H0992706 A JPH0992706 A JP H0992706A JP 24484395 A JP24484395 A JP 24484395A JP 24484395 A JP24484395 A JP 24484395A JP H0992706 A JPH0992706 A JP H0992706A
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- Japan
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- heater block
- substrate
- reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電極交換時に基板台を容易に交換ができるよ
うにし、作業性の向上と低コスト化を図る。 【構成】 真空排気口２と反応ガス導入管５を有する反
応室１と、反応室１内で基板１０を載置する基板台９
と、基板台９を加熱するヒータブロック１１と、基板台
９に対して対向位置に配置され高周波電力が供給される
高周波電極３とを備えたプラズマＣＶＤ装置において、
ヒータブロック１１と基板台９の接触部分のどちから一
方あるいは両方の接触面をブラスト処理により粗面１７
とし、あるいは絶縁膜１８を形成し、又は基板台９とヒ
ータブロック１１の間に異種金属板１９を介装すること
により、焼き付きを防止し、基板台９をヒータブロック
１１から容易に取り外せるようにした。
うにし、作業性の向上と低コスト化を図る。 【構成】 真空排気口２と反応ガス導入管５を有する反
応室１と、反応室１内で基板１０を載置する基板台９
と、基板台９を加熱するヒータブロック１１と、基板台
９に対して対向位置に配置され高周波電力が供給される
高周波電極３とを備えたプラズマＣＶＤ装置において、
ヒータブロック１１と基板台９の接触部分のどちから一
方あるいは両方の接触面をブラスト処理により粗面１７
とし、あるいは絶縁膜１８を形成し、又は基板台９とヒ
ータブロック１１の間に異種金属板１９を介装すること
により、焼き付きを防止し、基板台９をヒータブロック
１１から容易に取り外せるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体工業等における
薄膜形成工程に利用されるプラズマＣＶＤ装置に関する
ものである。
薄膜形成工程に利用されるプラズマＣＶＤ装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置は、ＳｉＮ（窒化珪
素）、ＳｉＯ2 （酸化珪素）及びＳｉＯＮ（酸窒化珪
素）のような物質を堆積することができ、半導体におい
ては層間絶縁膜や保護膜等の形成に利用されている。
素）、ＳｉＯ2 （酸化珪素）及びＳｉＯＮ（酸窒化珪
素）のような物質を堆積することができ、半導体におい
ては層間絶縁膜や保護膜等の形成に利用されている。
【０００３】以下、従来例のプラズマＣＶＤ装置を用い
てＳｉＮ膜を堆積する場合について図２を参照しながら
説明する。
てＳｉＮ膜を堆積する場合について図２を参照しながら
説明する。
【０００４】図２において、反応室２１は真空排気口２
２を有しかつ接地されている。２３は電極で、高周波発
振器２４からの電力がマッチングチューナー２４ａ、高
周波電力供給部２４ｂを通って供給される。電極２３は
反応ガス導入管２５から供給された反応ガスを反応室２
１内に分散させて供給するためのガス流出孔２６を有す
る。２７は反応室２１と電極２３を絶縁するための絶縁
リングである。２８は反応ガス導入管２５と電極２３と
を絶縁するための絶縁管である。２９は基板３０を載置
し、かつ基板３０を加熱するためのヒータブロックであ
り、ヒータ及び熱電対（図示せず）が埋め込まれてい
る。ヒータブロック２９の材質は耐食性を考慮し、アル
ミニウム（Ａ５０５２）にて構成されている。ヒータブ
ロック２９は接地されている。３１はヒータブロック２
９を固定するための固定板であり、反応室２１内を真空
に保つためにヒータブロック２９の貫通部にＯリング３
２が取付けられている。また、電極２３、絶縁リング２
７、固定板３１にも反応室２１内の真空を保つＯリング
（図示せず）が設けられている。３３はＯリング３２が
２００°Ｃ以上に加熱されないように固定板３１に設け
られた冷却水を流す水冷溝である。
２を有しかつ接地されている。２３は電極で、高周波発
振器２４からの電力がマッチングチューナー２４ａ、高
周波電力供給部２４ｂを通って供給される。電極２３は
反応ガス導入管２５から供給された反応ガスを反応室２
１内に分散させて供給するためのガス流出孔２６を有す
る。２７は反応室２１と電極２３を絶縁するための絶縁
リングである。２８は反応ガス導入管２５と電極２３と
を絶縁するための絶縁管である。２９は基板３０を載置
し、かつ基板３０を加熱するためのヒータブロックであ
り、ヒータ及び熱電対（図示せず）が埋め込まれてい
る。ヒータブロック２９の材質は耐食性を考慮し、アル
ミニウム（Ａ５０５２）にて構成されている。ヒータブ
ロック２９は接地されている。３１はヒータブロック２
９を固定するための固定板であり、反応室２１内を真空
に保つためにヒータブロック２９の貫通部にＯリング３
２が取付けられている。また、電極２３、絶縁リング２
７、固定板３１にも反応室２１内の真空を保つＯリング
（図示せず）が設けられている。３３はＯリング３２が
２００°Ｃ以上に加熱されないように固定板３１に設け
られた冷却水を流す水冷溝である。
【０００５】次に、以上の構成のプラズマＣＶＤ装置の
動作について説明する。基板３０をヒータブロック２９
で約３５０°Ｃに加熱し、反応室２１にはガス流出孔２
６からＳｉＨ4 （モノシラン）ガスを１５０ｓｃｃｍ、
Ｎ2 ガスを３０００ｓｃｃｍ、ＮＨ3 （アンモニア）ガ
スを１００ｓｃｃｍ流した状態で、反応室２１を約２Ｔ
ｏｒｒの真空に保持する。電極２３には１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力が４００Ｗ印加され、電極２３とヒータ
ブロック２９間でプラズマ放電を起こす。反応室２１中
の反応ガスとしてのＳｉＨ4 ガス、Ｎ2 ガス、ＮＨ3 ガ
スは、プラズマエネルギーにより分離され、基板３０上
にＳｉＮ膜を堆積する。
動作について説明する。基板３０をヒータブロック２９
で約３５０°Ｃに加熱し、反応室２１にはガス流出孔２
６からＳｉＨ4 （モノシラン）ガスを１５０ｓｃｃｍ、
Ｎ2 ガスを３０００ｓｃｃｍ、ＮＨ3 （アンモニア）ガ
スを１００ｓｃｃｍ流した状態で、反応室２１を約２Ｔ
ｏｒｒの真空に保持する。電極２３には１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力が４００Ｗ印加され、電極２３とヒータ
ブロック２９間でプラズマ放電を起こす。反応室２１中
の反応ガスとしてのＳｉＨ4 ガス、Ｎ2 ガス、ＮＨ3 ガ
スは、プラズマエネルギーにより分離され、基板３０上
にＳｉＮ膜を堆積する。
【０００６】さらに、膜堆積した基板３０を搬出した
後、反応室２１をプラズマクリーニングにより反応室中
に堆積した膜を除去する。クリーニング条件として、Ｓ
Ｆ6 （六フッ化硫黄）ガスを３００ｓｃｃｍ、Ｏ2 （酸
素）ガスを１５０ｓｃｃｍを流した状態で、反応室２１
を約０．５Ｔｏｒｒに保ち、電極２３に１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を５００Ｗ印加する。以上の条件で膜堆
積と反応室２１のクリーニングを行なう。
後、反応室２１をプラズマクリーニングにより反応室中
に堆積した膜を除去する。クリーニング条件として、Ｓ
Ｆ6 （六フッ化硫黄）ガスを３００ｓｃｃｍ、Ｏ2 （酸
素）ガスを１５０ｓｃｃｍを流した状態で、反応室２１
を約０．５Ｔｏｒｒに保ち、電極２３に１３．５６ＭＨ
ｚの高周波電力を５００Ｗ印加する。以上の条件で膜堆
積と反応室２１のクリーニングを行なう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成で
はプラズマによるダメージ、あるいはクリーニング時の
フッ素ラジカルによる腐蝕により、１０，０００枚処理
するごとに電極２３及びヒータブロック２９を新品に交
換する必要があった。しかしながら、上記のような構成
では、ヒータブロック２９内にヒータが埋め込まれてお
り、コストがかかり、交換の際の作業に時間がかかると
いう問題があった。
はプラズマによるダメージ、あるいはクリーニング時の
フッ素ラジカルによる腐蝕により、１０，０００枚処理
するごとに電極２３及びヒータブロック２９を新品に交
換する必要があった。しかしながら、上記のような構成
では、ヒータブロック２９内にヒータが埋め込まれてお
り、コストがかかり、交換の際の作業に時間がかかると
いう問題があった。
【０００８】また、この問題を解決する手段として、ヒ
ータブロック２９の上に基板台を載せる方法があるが、
加熱温度が４００°Ｃ（基板台を載置した場合、基板上
で同じ温度を得るためには高く設定する必要がある）と
高いため、ヒータブロック２９と基板台が焼き付き、取
外しが困難となるという問題がある。
ータブロック２９の上に基板台を載せる方法があるが、
加熱温度が４００°Ｃ（基板台を載置した場合、基板上
で同じ温度を得るためには高く設定する必要がある）と
高いため、ヒータブロック２９と基板台が焼き付き、取
外しが困難となるという問題がある。
【０００９】本発明は、上記従来の問題点に鑑み、電極
交換時に基板台を容易に交換ができるようにし、作業性
を向上するとともに低コスト化を図ることができるプラ
ズマＣＶＤ装置を提供することを目的としている。
交換時に基板台を容易に交換ができるようにし、作業性
を向上するとともに低コスト化を図ることができるプラ
ズマＣＶＤ装置を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマＣＶＤ
装置は、真空排気口と反応ガス導入口を有する反応室
と、反応室内で基板を載置する基板台と、基板台を加熱
するヒータブロックと、基板台に対して対向位置に配置
され高周波電力が供給される電極とを備えたプラズマＣ
ＶＤ装置において、基板台とヒータブロックが接触する
部分のどちらか一方あるいは両方の接触面がブラスト処
理により粗面化されていることを特徴とする。
装置は、真空排気口と反応ガス導入口を有する反応室
と、反応室内で基板を載置する基板台と、基板台を加熱
するヒータブロックと、基板台に対して対向位置に配置
され高周波電力が供給される電極とを備えたプラズマＣ
ＶＤ装置において、基板台とヒータブロックが接触する
部分のどちらか一方あるいは両方の接触面がブラスト処
理により粗面化されていることを特徴とする。
【００１１】好適には、ブラスト処理表面の粗さは、中
心線平均粗さＲａが５μｍ以上である。
心線平均粗さＲａが５μｍ以上である。
【００１２】また、粗面とする代わりに、基板台とヒー
タブロックが接触する部分のどちらか一方あるいは両方
の接触面に絶縁膜を形成してもよい。
タブロックが接触する部分のどちらか一方あるいは両方
の接触面に絶縁膜を形成してもよい。
【００１３】好適には、絶縁膜は酸化アルミニウム（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）、特に１〜１５μｍのアルマイト処理により
形成された膜から成る。
ｌ2 Ｏ3 ）、特に１〜１５μｍのアルマイト処理により
形成された膜から成る。
【００１４】また、基板台とヒータブロックの間に、基
板台とヒータブロックとは異なった材質の金属板を介装
してもよい。
板台とヒータブロックとは異なった材質の金属板を介装
してもよい。
【００１５】
【作用】本発明の上記構成によれば、ヒータブロックと
基板台の接触部分のどちらか一方あるいは両方の接触面
がブラスト処理により粗面化され、あるいは絶縁膜が形
成され、又は基板台とヒータブロックの間に異種金属が
介装されていることにより、焼き付くことがなく、取外
しが容易となり、作業性が向上する。
基板台の接触部分のどちらか一方あるいは両方の接触面
がブラスト処理により粗面化され、あるいは絶縁膜が形
成され、又は基板台とヒータブロックの間に異種金属が
介装されていることにより、焼き付くことがなく、取外
しが容易となり、作業性が向上する。
【００１６】
【実施例】以下、本発明のプラズマＣＶＤ装置の第１実
施例について、図１を参照して説明する。
施例について、図１を参照して説明する。
【００１７】図１において、反応室１は真空排気口２を
有しかつ接地されている。３は電極で、高周波発振器４
からの電力がマッチングチューナー４ａ、高周波電力供
給部４ｂを通って供給される。電極３は反応ガス導入管
５から供給された反応ガスを反応室１内に分散させて供
給するためのガス流出孔６を有する。７は反応室１と電
極３を絶縁するための絶縁リングである。８は反応ガス
導入管５と電極３とを絶縁するための絶縁管である。９
は基板１０を載置するための基板台であり、材質はアル
ミニウム（Ａ５０５２）である。１１は、基板１０を加
熱するためのヒータブロックであり、ヒータ及び熱電対
（図示せず）が埋め込まれている。ヒータブロック１１
の材質は耐食性を考慮し、アルミニウム（Ａ５０５２）
にて構成されている。ヒータブロック１１は接地されて
いる。基板台９とヒータブロック１１はねじ１２にて固
定されている。１３はねじ１２部分での異常放電を防止
するためのアルミナからなるリング状の絶縁板である。
１４はヒータブロック１１を固定するための固定板であ
り、反応室１内を真空に保つためにヒータブロック１１
の貫通部にＯリング１５が取付けられている。また、反
応室１内の真空を保つために電極３、絶縁リング７、固
定板１４にもＯリング（図示せず）が設けられている。
１６はＯリング１５が２００°Ｃ以上に加熱されないよ
うに固定板１４に設けられた冷却水を流すための水冷溝
である。１７は基板台９の下表面を２５０μｍ粒径のブ
ラスト処理により粗面化した粗面を示し、中心線平均あ
らさＲａは８μｍとされている。
有しかつ接地されている。３は電極で、高周波発振器４
からの電力がマッチングチューナー４ａ、高周波電力供
給部４ｂを通って供給される。電極３は反応ガス導入管
５から供給された反応ガスを反応室１内に分散させて供
給するためのガス流出孔６を有する。７は反応室１と電
極３を絶縁するための絶縁リングである。８は反応ガス
導入管５と電極３とを絶縁するための絶縁管である。９
は基板１０を載置するための基板台であり、材質はアル
ミニウム（Ａ５０５２）である。１１は、基板１０を加
熱するためのヒータブロックであり、ヒータ及び熱電対
（図示せず）が埋め込まれている。ヒータブロック１１
の材質は耐食性を考慮し、アルミニウム（Ａ５０５２）
にて構成されている。ヒータブロック１１は接地されて
いる。基板台９とヒータブロック１１はねじ１２にて固
定されている。１３はねじ１２部分での異常放電を防止
するためのアルミナからなるリング状の絶縁板である。
１４はヒータブロック１１を固定するための固定板であ
り、反応室１内を真空に保つためにヒータブロック１１
の貫通部にＯリング１５が取付けられている。また、反
応室１内の真空を保つために電極３、絶縁リング７、固
定板１４にもＯリング（図示せず）が設けられている。
１６はＯリング１５が２００°Ｃ以上に加熱されないよ
うに固定板１４に設けられた冷却水を流すための水冷溝
である。１７は基板台９の下表面を２５０μｍ粒径のブ
ラスト処理により粗面化した粗面を示し、中心線平均あ
らさＲａは８μｍとされている。
【００１８】次に、以上の構成のプラズマＣＶＤ装置の
動作について説明する。基板１０をヒータブロック１１
で約４１０°Ｃ（基板台９上に基板１０が載るため基板
１０を約３５０°Ｃにするためには温度を上げる必要が
ある。）に加熱し、反応室１にはガス流出孔６からＳｉ
Ｈ4 （モノシラン）ガスを１５０ｓｃｃｍ、Ｎ2 ガスを
３０００ｓｃｃｍ、ＮＨ3 （アンモニア）ガスを１００
ｓｃｃｍ流した状態で、反応室１を約２Ｔｏｒｒの真空
に保持する。電極３には１３．５６ＭＨｚの高周波電力
が４００Ｗ印加され、電極３とヒータブロック１１上の
基板台９間でプラズマ放電を起こす。反応室１中の反応
ガスとしてのＳｉＨ4 ガス、Ｎ2 ガス、ＮＨ3 ガスは、
プラズマエネルギーにより分離され、基板１０上にＳｉ
Ｎ膜を堆積する。
動作について説明する。基板１０をヒータブロック１１
で約４１０°Ｃ（基板台９上に基板１０が載るため基板
１０を約３５０°Ｃにするためには温度を上げる必要が
ある。）に加熱し、反応室１にはガス流出孔６からＳｉ
Ｈ4 （モノシラン）ガスを１５０ｓｃｃｍ、Ｎ2 ガスを
３０００ｓｃｃｍ、ＮＨ3 （アンモニア）ガスを１００
ｓｃｃｍ流した状態で、反応室１を約２Ｔｏｒｒの真空
に保持する。電極３には１３．５６ＭＨｚの高周波電力
が４００Ｗ印加され、電極３とヒータブロック１１上の
基板台９間でプラズマ放電を起こす。反応室１中の反応
ガスとしてのＳｉＨ4 ガス、Ｎ2 ガス、ＮＨ3 ガスは、
プラズマエネルギーにより分離され、基板１０上にＳｉ
Ｎ膜を堆積する。
【００１９】さらに、膜堆積した基板１０を搬出した
後、反応室１をプラズマクリーニングにより反応室中に
堆積した膜を除去する。クリーニング条件として、ＳＦ
6 （六フッ化硫黄）ガスを３００ｓｃｃｍ、Ｏ2 （酸
素）ガスを１５０ｓｃｃｍを流した状態で、反応室１を
約０．５Ｔｏｒｒに保ち、電極３に１３．５６ＭＨｚの
高周波電力を５００Ｗ印加する。以上の条件で膜堆積と
反応室１のクリーニングを行なう。１０，０００枚処理
した後、基板台９とヒータブロック１１の焼き付き状態
を確認した結果、基板台９とヒータブロック１１は焼き
付くことなく、容易に基板台９を交換することができ
た。
後、反応室１をプラズマクリーニングにより反応室中に
堆積した膜を除去する。クリーニング条件として、ＳＦ
6 （六フッ化硫黄）ガスを３００ｓｃｃｍ、Ｏ2 （酸
素）ガスを１５０ｓｃｃｍを流した状態で、反応室１を
約０．５Ｔｏｒｒに保ち、電極３に１３．５６ＭＨｚの
高周波電力を５００Ｗ印加する。以上の条件で膜堆積と
反応室１のクリーニングを行なう。１０，０００枚処理
した後、基板台９とヒータブロック１１の焼き付き状態
を確認した結果、基板台９とヒータブロック１１は焼き
付くことなく、容易に基板台９を交換することができ
た。
【００２０】以上のように本実施例によれば、基板台９
とヒータブロック１１の接触面の基板台９側の表面をブ
ラスト処理により粗面化することにより、基板台９とヒ
ータブロック１１は焼き付くことなく、容易に基板台９
を交換することができ、電極交換時にヒータブロックを
取り外すことなく、基板台９だけの交換で済み、作業性
向上・低コスト化につながる。
とヒータブロック１１の接触面の基板台９側の表面をブ
ラスト処理により粗面化することにより、基板台９とヒ
ータブロック１１は焼き付くことなく、容易に基板台９
を交換することができ、電極交換時にヒータブロックを
取り外すことなく、基板台９だけの交換で済み、作業性
向上・低コスト化につながる。
【００２１】次に、本発明の第２実施例のプラズマＣＶ
Ｄ装置について説明する。全体的な装置構成は、図１と
同じであり、異なる点は、基板台９表面の粗面１７の代
わりに、アルマイト処理を行い、Ａｌ2 Ｏ3 （酸化アル
ミニム）膜を１０μｍ堆積した点にある。
Ｄ装置について説明する。全体的な装置構成は、図１と
同じであり、異なる点は、基板台９表面の粗面１７の代
わりに、アルマイト処理を行い、Ａｌ2 Ｏ3 （酸化アル
ミニム）膜を１０μｍ堆積した点にある。
【００２２】以上のように構成されたプラズマＣＶＤ装
置について、第１実施例と同じ条件で処理した場合につ
いて説明する。同じ条件で、膜堆積と反応室１のクリー
ニングを行い、１０，０００枚処理した後、基板台９と
ヒータブロック１１は全く焼き付くことなく、容易に基
板台９を交換することができた。
置について、第１実施例と同じ条件で処理した場合につ
いて説明する。同じ条件で、膜堆積と反応室１のクリー
ニングを行い、１０，０００枚処理した後、基板台９と
ヒータブロック１１は全く焼き付くことなく、容易に基
板台９を交換することができた。
【００２３】以上のように本実施例によれば、基板台９
とヒータブロック１１の接触面の基板台９側の表面をア
ルマイト処理することにより、基板台９とヒータブロッ
ク１１は全く焼き付くことなく、容易に基板台９を交換
することができ、電極交換時にヒータブロックを取り外
すことなく、基板台９だけの交換で済み、作業性向上・
低コスト化につながる。
とヒータブロック１１の接触面の基板台９側の表面をア
ルマイト処理することにより、基板台９とヒータブロッ
ク１１は全く焼き付くことなく、容易に基板台９を交換
することができ、電極交換時にヒータブロックを取り外
すことなく、基板台９だけの交換で済み、作業性向上・
低コスト化につながる。
【００２４】次に、本発明の第３実施例のプラズマＣＶ
Ｄ装置について説明する。全体的な装置構成は、図１と
同じであり、異なる点は、基板台９表面の粗面１７の代
わりに、基板台９表面とヒータブロック１１の間に異種
金属板１９を介装した点にある。異種金属の材質はニッ
ケルから成り、厚さは２ｍｍとした。
Ｄ装置について説明する。全体的な装置構成は、図１と
同じであり、異なる点は、基板台９表面の粗面１７の代
わりに、基板台９表面とヒータブロック１１の間に異種
金属板１９を介装した点にある。異種金属の材質はニッ
ケルから成り、厚さは２ｍｍとした。
【００２５】以上のように本実施例によれば、基板台９
とヒータブロック１１の間に異種金属板１９を介在した
ことにより、基板台９とヒータブロック１１は全く焼き
付くことなく、容易に基板台９を交換することができ、
電極交換時にヒータブロックを取り外すことなく、基板
台９だけの交換で済み、作業性向上・低コスト化につな
がる。
とヒータブロック１１の間に異種金属板１９を介在した
ことにより、基板台９とヒータブロック１１は全く焼き
付くことなく、容易に基板台９を交換することができ、
電極交換時にヒータブロックを取り外すことなく、基板
台９だけの交換で済み、作業性向上・低コスト化につな
がる。
【００２６】なお、第１実施例においては、基板台９側
の接触面をブラスト処理したが、ヒータブロック１１
側、あるいは基板台９とヒータブロック１１の両接触面
をブラスト処理した場合も同じ効果が得られる。また、
ブラスト処理を２５０μｍの粒径で処理し、Ｒａを８μ
ｍとしたが、実験によりＲａが５μｍ以上であれば同様
の効果があることが分かった。
の接触面をブラスト処理したが、ヒータブロック１１
側、あるいは基板台９とヒータブロック１１の両接触面
をブラスト処理した場合も同じ効果が得られる。また、
ブラスト処理を２５０μｍの粒径で処理し、Ｒａを８μ
ｍとしたが、実験によりＲａが５μｍ以上であれば同様
の効果があることが分かった。
【００２７】また、第２実施例において、基板台９側の
接触面をアルマイト処理したが、ヒータブロック１１
側、あるいは基板台９とヒータブロック１１の両接触面
をアルマイト処理した場合も同じ効果が得られる。ま
た、アルマイト処理の膜厚を１０μｍとしたが、膜厚が
１μｍ以上あれば同様の効果がある。また、膜厚が厚け
れば厚いほど効果がある。ただし、Ａｌ2 Ｏ3 の膜厚が
１５μｍ以上であれば、アルミニウムとＡｌ2 Ｏ3 の熱
膨張差からアルマイト面に割れが発生し、成膜時のダス
トとなる問題がある。
接触面をアルマイト処理したが、ヒータブロック１１
側、あるいは基板台９とヒータブロック１１の両接触面
をアルマイト処理した場合も同じ効果が得られる。ま
た、アルマイト処理の膜厚を１０μｍとしたが、膜厚が
１μｍ以上あれば同様の効果がある。また、膜厚が厚け
れば厚いほど効果がある。ただし、Ａｌ2 Ｏ3 の膜厚が
１５μｍ以上であれば、アルミニウムとＡｌ2 Ｏ3 の熱
膨張差からアルマイト面に割れが発生し、成膜時のダス
トとなる問題がある。
【００２８】また、第２実施例では、アルマイト処理に
よりＡｌ2 Ｏ3 膜を堆積したが、溶射、メッキ等他の方
法により堆積しても同様の効果が得られる。また、熱伝
導性がよいことからアルマイト処理によりＡｌ2 Ｏ3 膜
を堆積したが、他の絶縁膜でも同様の効果が得られる。
よりＡｌ2 Ｏ3 膜を堆積したが、溶射、メッキ等他の方
法により堆積しても同様の効果が得られる。また、熱伝
導性がよいことからアルマイト処理によりＡｌ2 Ｏ3 膜
を堆積したが、他の絶縁膜でも同様の効果が得られる。
【００２９】また、第３実施例において、異種金属をニ
ッケルとしたが、異種金属であれば同様の効果が得ら
れ、特にモネル、インコネル、チタン等の耐食性のある
異種金属板であればなお良い。
ッケルとしたが、異種金属であれば同様の効果が得ら
れ、特にモネル、インコネル、チタン等の耐食性のある
異種金属板であればなお良い。
【００３０】
【発明の効果】本発明のプラズマＣＶＤ装置によれば、
以上の説明から明らかなように、ヒータブロックと基板
台の接触部分のどちから一方あるいは両方の接触面がブ
ラスト処理により粗面化され、あるいは絶縁膜が形成さ
れ、又は基板台とヒータブロックの間に異種金属が介装
されていることにより、焼き付くことがなく、基板台を
ヒータブロックから容易に取り外すことができ、その結
果電極交換時にヒータブロックを取り外すことなく、基
板台だけを交換すれば良く、作業性が向上するとともに
低コスト化を図ることができる。
以上の説明から明らかなように、ヒータブロックと基板
台の接触部分のどちから一方あるいは両方の接触面がブ
ラスト処理により粗面化され、あるいは絶縁膜が形成さ
れ、又は基板台とヒータブロックの間に異種金属が介装
されていることにより、焼き付くことがなく、基板台を
ヒータブロックから容易に取り外すことができ、その結
果電極交換時にヒータブロックを取り外すことなく、基
板台だけを交換すれば良く、作業性が向上するとともに
低コスト化を図ることができる。
【図１】本発明のプラズマＣＶＤ装置の一実施例の縦断
面図である。
面図である。
【図２】従来例のプラズマＣＶＤ装置の縦断面図であ
る。
る。
１ 反応室 ２ 真空排気口 ４ 高周波発振器 ５ 反応ガス導入管 ９ 基板台 １０ 基板 １１ ヒータブロック １７ 粗面 １８ 絶縁膜 １９ 異種金属板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新井 康司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 澤田 和幸 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 真空排気口と反応ガス導入口を有する反
応室と、反応室内で基板を載置する基板台と、基板台を
加熱するヒータブロックと、基板台に対して対向位置に
配置され高周波電力が供給される電極とを備えたプラズ
マＣＶＤ装置において、基板台とヒータブロックが接触
する部分のどちらか一方あるいは両方の接触面がブラス
ト処理により粗面化されていることを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 ブラスト処理表面の粗さが、中心線平均
粗さＲａが５μｍ以上であることを特徴とする請求項１
記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 真空排気口と反応ガス導入口を有する反
応室と、反応室内で基板を載置する基板台と、基板台を
加熱するヒータブロックと、基板台に対して対向位置に
配置され高周波電力が供給される電極とを備えたプラズ
マＣＶＤ装置において、基板台とヒータブロックが接触
する部分のどちらか一方あるいは両方の接触面に絶縁膜
が形成されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装
置。 - 【請求項４】 絶縁膜が酸化アルミニウム（Ａｌ
2 Ｏ3 ）から成ることを特徴とする請求項３記載のプラ
ズマＣＶＤ装置。 - 【請求項５】 絶縁膜が１〜１５μｍのアルマイト処理
により形成された膜から成ることを特徴とする請求項４
記載のプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項６】 真空排気口と反応ガス導入口を有する反
応室と、反応室内で基板を載置する基板台と、基板台を
加熱するヒータブロックと、基板台に対して対向位置に
配置され高周波電力が供給される電極とを備えたプラズ
マＣＶＤ装置において、基板台とヒータブロックの間
に、基板台とヒータブロックとは異なった材質の金属板
が介装されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24484395A JP3863582B2 (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24484395A JP3863582B2 (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992706A true JPH0992706A (ja) | 1997-04-04 |
| JP3863582B2 JP3863582B2 (ja) | 2006-12-27 |
Family
ID=17124804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24484395A Expired - Lifetime JP3863582B2 (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3863582B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021963A (ja) * | 2006-06-16 | 2008-01-31 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及び熱処理装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62104661A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-15 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 中空カムシヤフトの製造方法 |
| JPH05211136A (ja) * | 1990-07-20 | 1993-08-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JPH0653174A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JPH06244143A (ja) * | 1993-02-15 | 1994-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JPH07176603A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-14 | Nissin Electric Co Ltd | 基板保持装置 |
| JPH08330387A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-12-13 | Nec Corp | 半導体用製造装置 |
-
1995
- 1995-09-22 JP JP24484395A patent/JP3863582B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62104661A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-15 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 中空カムシヤフトの製造方法 |
| JPH05211136A (ja) * | 1990-07-20 | 1993-08-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JPH0653174A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-02-25 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JPH06244143A (ja) * | 1993-02-15 | 1994-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JPH07176603A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-14 | Nissin Electric Co Ltd | 基板保持装置 |
| JPH08330387A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-12-13 | Nec Corp | 半導体用製造装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021963A (ja) * | 2006-06-16 | 2008-01-31 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及び熱処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3863582B2 (ja) | 2006-12-27 |
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