JPH0992978A - コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板 - Google Patents
コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板Info
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- JPH0992978A JPH0992978A JP7267650A JP26765095A JPH0992978A JP H0992978 A JPH0992978 A JP H0992978A JP 7267650 A JP7267650 A JP 7267650A JP 26765095 A JP26765095 A JP 26765095A JP H0992978 A JPH0992978 A JP H0992978A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コンデンサを内蔵したガラスセラミック基
板、特にガラスセラミック絶縁層、コンデンサ用電極、
その他の回路用配線等を同時焼成して得るコンデンサ内
蔵ガラスセラミック基板に係り、焼成時に絶縁体材料成
分の誘電体層中への拡散を確実に抑制して、高誘電率で
誘電損失の少ないコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板
を安価に提供する。 【解決手段】 ガラスセラミック絶縁層、コンデンサ用
電極、その他の回路用配線等を同時焼成して得るコンデ
ンサ内蔵ガラスセラミック基板において、コンデンサ電
極とガラスセラミック絶縁層との間にガラス成分の拡散
を抑制するアルミナ、マグネシア、ジルコニア、チタニ
ア、カルシアから選択される1種以上の耐火物からなる
バリア層を形成したことを特徴とする。
板、特にガラスセラミック絶縁層、コンデンサ用電極、
その他の回路用配線等を同時焼成して得るコンデンサ内
蔵ガラスセラミック基板に係り、焼成時に絶縁体材料成
分の誘電体層中への拡散を確実に抑制して、高誘電率で
誘電損失の少ないコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板
を安価に提供する。 【解決手段】 ガラスセラミック絶縁層、コンデンサ用
電極、その他の回路用配線等を同時焼成して得るコンデ
ンサ内蔵ガラスセラミック基板において、コンデンサ電
極とガラスセラミック絶縁層との間にガラス成分の拡散
を抑制するアルミナ、マグネシア、ジルコニア、チタニ
ア、カルシアから選択される1種以上の耐火物からなる
バリア層を形成したことを特徴とする。
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、コンデンサを内蔵
したガラスセラミック基板、特にガラスセラミック絶縁
層、コンデンサ用電極、その他の回路用配線等を同時焼
成して得るコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板に関す
る。
したガラスセラミック基板、特にガラスセラミック絶縁
層、コンデンサ用電極、その他の回路用配線等を同時焼
成して得るコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板に関す
る。
【0002】
【従来の技術】ガラス粉末とセラミックフィラーの混合
物から作製したグリーンシートにAgペースト、コンデ
ンサペーストを用いて所定のパターンを形成し、複数枚
積層して800〜1000℃で焼成して得られるコンデ
ンサ内蔵ガラスセラミック基板(多層配線基板)があ
る。このようなコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板
は、リード付きコンデンサやチップコンデンサを、基板
上に半田付けしたものに比べて小型高密度化が可能なた
め、電子機器の小型化に貢献するものと期待されてい
る。
物から作製したグリーンシートにAgペースト、コンデ
ンサペーストを用いて所定のパターンを形成し、複数枚
積層して800〜1000℃で焼成して得られるコンデ
ンサ内蔵ガラスセラミック基板(多層配線基板)があ
る。このようなコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板
は、リード付きコンデンサやチップコンデンサを、基板
上に半田付けしたものに比べて小型高密度化が可能なた
め、電子機器の小型化に貢献するものと期待されてい
る。
【0003】従来、コンデンサ内蔵のセラミック多層配
線基板においては、そのコンデンサに用いる材料とし
て、低温焼成可能な鉛ペロブスカイト系複合材料を主成
分としたものについて数々の研究が行われている。その
代表的なものとして、例えばPb(Mg1/3 Nb2/3 )
O3 、Pb(Fe1/2 Nb1/2 )O3 、Pb(Fe2/3
W1/3 )O3 等の材料があり、それらの誘電率は単独で
は各々12000、24000、20000と高い値が
得られている。
線基板においては、そのコンデンサに用いる材料とし
て、低温焼成可能な鉛ペロブスカイト系複合材料を主成
分としたものについて数々の研究が行われている。その
代表的なものとして、例えばPb(Mg1/3 Nb2/3 )
O3 、Pb(Fe1/2 Nb1/2 )O3 、Pb(Fe2/3
W1/3 )O3 等の材料があり、それらの誘電率は単独で
は各々12000、24000、20000と高い値が
得られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の鉛ペロブスカイト系複合材料をガラスセラミック基
板に内蔵すると、焼成時に酸化硼素やシリカなどのガラ
ス成分の誘電体層中への拡散がおこり、焼成後のコンデ
ンサが所望の誘電特性を満たさないことがあった。例え
ば、鉛ペロブスカイト系複合材料Pb(Mg1/3 Nb
2/3 )O3 の誘電率は単独では上記のように12000
であるが、低温焼成基板に内蔵すると30程度に低下し
てしまう。
来の鉛ペロブスカイト系複合材料をガラスセラミック基
板に内蔵すると、焼成時に酸化硼素やシリカなどのガラ
ス成分の誘電体層中への拡散がおこり、焼成後のコンデ
ンサが所望の誘電特性を満たさないことがあった。例え
ば、鉛ペロブスカイト系複合材料Pb(Mg1/3 Nb
2/3 )O3 の誘電率は単独では上記のように12000
であるが、低温焼成基板に内蔵すると30程度に低下し
てしまう。
【0005】これを改善する方法として、従来コンデン
サ用電極とガラスセラミック絶縁層との間にバリア層を
印刷等により設けて拡散を抑制する方法が提案されてい
る。例えば、誘電体組成とは異なる誘電材料からなる中
間層を設けてバリア層とする方法(例えば特開平1−2
62695号公報参照)や、金属中間層を設ける方法
(例えば特開昭62−265795号公報参照)があ
る。また、電極層にガラス粉を添加することにより、拡
散を抑制する方法(例えば特開平7−111225号公
報参照)もある。
サ用電極とガラスセラミック絶縁層との間にバリア層を
印刷等により設けて拡散を抑制する方法が提案されてい
る。例えば、誘電体組成とは異なる誘電材料からなる中
間層を設けてバリア層とする方法(例えば特開平1−2
62695号公報参照)や、金属中間層を設ける方法
(例えば特開昭62−265795号公報参照)があ
る。また、電極層にガラス粉を添加することにより、拡
散を抑制する方法(例えば特開平7−111225号公
報参照)もある。
【0006】ところが、上記従来のものは、焼成時にガ
ラスセラミックよりなる絶縁体材料成分、特にガラス成
分の誘電体層中への拡散を必ずしも良好に抑制すること
ができず、高誘電率で誘電損失の少ないコンデンサ内蔵
のセラミック基板を得ることは困難であったり、バリア
層の形成にコストが嵩んだり、あるいは電極層に添加物
を加えることによってコンデンサの電気的特性が変化し
てしまう等の問題があった。
ラスセラミックよりなる絶縁体材料成分、特にガラス成
分の誘電体層中への拡散を必ずしも良好に抑制すること
ができず、高誘電率で誘電損失の少ないコンデンサ内蔵
のセラミック基板を得ることは困難であったり、バリア
層の形成にコストが嵩んだり、あるいは電極層に添加物
を加えることによってコンデンサの電気的特性が変化し
てしまう等の問題があった。
【0007】本発明は上記の問題点に鑑みて提案された
もので、焼成時に絶縁体材料成分の誘電体層中への拡散
を確実に抑制することのできるバリア層を備え、高誘電
率で誘電損失の少ないコンデンサ内蔵のガラスセラミッ
ク多層配線基板を安価に提供することを目的とする。
もので、焼成時に絶縁体材料成分の誘電体層中への拡散
を確実に抑制することのできるバリア層を備え、高誘電
率で誘電損失の少ないコンデンサ内蔵のガラスセラミッ
ク多層配線基板を安価に提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明によるコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板
は、以下の構成としたものである。即ち、ガラスセラミ
ック絶縁層、コンデンサ用電極、その他の回路用配線を
同時焼成して得るコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板
において、コンデンサ電極とガラスセラミック絶縁層の
間にガラス成分の拡散を抑制するアルミナ、マグネシ
ア、ジルコニア、チタニア、カルシアから選択される1
種以上の耐火物からなるバリア層を形成したことを特徴
とする。
めに本発明によるコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板
は、以下の構成としたものである。即ち、ガラスセラミ
ック絶縁層、コンデンサ用電極、その他の回路用配線を
同時焼成して得るコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板
において、コンデンサ電極とガラスセラミック絶縁層の
間にガラス成分の拡散を抑制するアルミナ、マグネシ
ア、ジルコニア、チタニア、カルシアから選択される1
種以上の耐火物からなるバリア層を形成したことを特徴
とする。
【0009】
【作用】上記のようにコンデンサ電極とガラスセラミッ
ク絶縁層の間に、アルミナ等の耐火物からなるバリア層
を形成したことによって、焼成時にガラス成分の誘電体
層中への拡散が抑制され、該誘電体層の誘電率の低下が
防止されて高誘電率で誘電特性の優れたコンデンサ内蔵
ガラスセラミック基板を提供することが可能となる。
ク絶縁層の間に、アルミナ等の耐火物からなるバリア層
を形成したことによって、焼成時にガラス成分の誘電体
層中への拡散が抑制され、該誘電体層の誘電率の低下が
防止されて高誘電率で誘電特性の優れたコンデンサ内蔵
ガラスセラミック基板を提供することが可能となる。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は本発明によるコンデンサ内
蔵ガラスセラミック基板(多層配線基板)の具体的な構
成の一例を示す焼成後の断面図である。図において、1
はガラスセラミックよりなる絶縁層、2はコンデンサで
ある。そのコンデンサ2は一対の電極21と、その両電
極21・21間に介在させた誘電体層22とよりなる。
3は上記各電極21に導電接続させたビア導体、4はバ
リア層である。
蔵ガラスセラミック基板(多層配線基板)の具体的な構
成の一例を示す焼成後の断面図である。図において、1
はガラスセラミックよりなる絶縁層、2はコンデンサで
ある。そのコンデンサ2は一対の電極21と、その両電
極21・21間に介在させた誘電体層22とよりなる。
3は上記各電極21に導電接続させたビア導体、4はバ
リア層である。
【0011】上記のようなコンデンサを内蔵したガラス
セラミック多層配線基板を製造するに当たっては、例え
ば絶縁層1を構成する複数枚のガラスセラミックグリー
ンシートに予めコンデンサ2の電極21や誘電体層22
およびバリア層4やビア導体3さらに必要に応じて図に
省略した所望の配線パターン等を形成した後、それらの
ガラスセラミックグリーンシートを積層して焼成する。
この場合、コンデンサ2は、例えばセラミックグリーン
シート上にバリア層4と電極21とを順に印刷等で形成
した後に、その上に誘電体層22となる誘電体ペースト
を印刷等で形成し、さらにその上に電極21とバリア層
4を順に印刷等して形成する。またビア導体3は、ビア
孔を形成した後に導体ペーストを充填して形成すればよ
い。
セラミック多層配線基板を製造するに当たっては、例え
ば絶縁層1を構成する複数枚のガラスセラミックグリー
ンシートに予めコンデンサ2の電極21や誘電体層22
およびバリア層4やビア導体3さらに必要に応じて図に
省略した所望の配線パターン等を形成した後、それらの
ガラスセラミックグリーンシートを積層して焼成する。
この場合、コンデンサ2は、例えばセラミックグリーン
シート上にバリア層4と電極21とを順に印刷等で形成
した後に、その上に誘電体層22となる誘電体ペースト
を印刷等で形成し、さらにその上に電極21とバリア層
4を順に印刷等して形成する。またビア導体3は、ビア
孔を形成した後に導体ペーストを充填して形成すればよ
い。
【0012】上記のガラスセラミックグリーンシートに
用いるガラスセラミック粉末としては、例えば1100
℃以下で充分に焼結するものを用いればよく、その材質
は適宜であり、ガラス粉末としては、例えば酸化鉛、酸
化亜鉛、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物
等を含有するアルミノ硼珪酸ガラスで軟化点が600〜
800℃の非晶質ガラス粉末、あるいは600〜110
0℃で結晶化する結晶化ガラス等が使用できる。又これ
にアルミナ、ジルコン、ムライト、コージェライト、ア
ノーサイト、シリカ等のセラミックフィラーを混合して
もよい。その場合の混合比率は、ガラスセラミック基板
の坑折強度、誘電率、緻密性等の性能を勘案して適宜調
整すればよく、一般的に重量比で約1:1が好ましい。
用いるガラスセラミック粉末としては、例えば1100
℃以下で充分に焼結するものを用いればよく、その材質
は適宜であり、ガラス粉末としては、例えば酸化鉛、酸
化亜鉛、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物
等を含有するアルミノ硼珪酸ガラスで軟化点が600〜
800℃の非晶質ガラス粉末、あるいは600〜110
0℃で結晶化する結晶化ガラス等が使用できる。又これ
にアルミナ、ジルコン、ムライト、コージェライト、ア
ノーサイト、シリカ等のセラミックフィラーを混合して
もよい。その場合の混合比率は、ガラスセラミック基板
の坑折強度、誘電率、緻密性等の性能を勘案して適宜調
整すればよく、一般的に重量比で約1:1が好ましい。
【0013】上記のガラスセラミックグリーンシート
は、ガラスセラミック粉末をスラリーに調整後、ドクタ
ーブレード等を用いてシート状に形成するもので、その
厚さは、作成すべき基板の焼成後の厚さを勘案して適宜
設定すればよく、例えば30〜200μm程度に成形す
る。また上記のスラリーに調整するには、ガラスセラミ
ック粉末にバインダや可塑剤および溶剤を加えて、ボー
ルミルやアトライタ等で混合して得ればよい。そのバイ
ンダとしては、例えばポリビニルブチラール、メタアク
リルポリマ、アクリルポリマ等を使用することができ
る。また可塑剤としてはフタル酸の誘導体等を、また溶
剤としてはアルコール類、ケトン類、塩素系有機溶剤等
をそれぞれ使用することができる。
は、ガラスセラミック粉末をスラリーに調整後、ドクタ
ーブレード等を用いてシート状に形成するもので、その
厚さは、作成すべき基板の焼成後の厚さを勘案して適宜
設定すればよく、例えば30〜200μm程度に成形す
る。また上記のスラリーに調整するには、ガラスセラミ
ック粉末にバインダや可塑剤および溶剤を加えて、ボー
ルミルやアトライタ等で混合して得ればよい。そのバイ
ンダとしては、例えばポリビニルブチラール、メタアク
リルポリマ、アクリルポリマ等を使用することができ
る。また可塑剤としてはフタル酸の誘導体等を、また溶
剤としてはアルコール類、ケトン類、塩素系有機溶剤等
をそれぞれ使用することができる。
【0014】上記のようにして作成したガラスセラミッ
クグリーンシートには、前述のように予めコンデンサ2
の電極21や誘電体層22およびビア導体3さらに必要
に応じて図に省略した所望の配線パターン等を形成する
もので、特に本発明においてはコンデンサ電極21とガ
ラスセラミック絶縁層1との間にバリア層4を形成する
ようにしたものである。
クグリーンシートには、前述のように予めコンデンサ2
の電極21や誘電体層22およびビア導体3さらに必要
に応じて図に省略した所望の配線パターン等を形成する
もので、特に本発明においてはコンデンサ電極21とガ
ラスセラミック絶縁層1との間にバリア層4を形成する
ようにしたものである。
【0015】そのバリア層4としては、前述のようにア
ルミナ、マグネシア、ジルコニア、チタニア、カルシア
の耐火物粉末から選択される1種以上の粉末を用いるも
ので、その粉末に例えばバインダを混練してペーストを
作製し、コンデンサ電極と絶縁層との間に印刷等するこ
とでバリア層を形成する。あるいは上記のようなペース
トに限らず、前記の耐火物粉末を含有するグリーンシー
トを電極層と絶縁層の間に挟んでバリア層を形成するこ
ともできる。
ルミナ、マグネシア、ジルコニア、チタニア、カルシア
の耐火物粉末から選択される1種以上の粉末を用いるも
ので、その粉末に例えばバインダを混練してペーストを
作製し、コンデンサ電極と絶縁層との間に印刷等するこ
とでバリア層を形成する。あるいは上記のようなペース
トに限らず、前記の耐火物粉末を含有するグリーンシー
トを電極層と絶縁層の間に挟んでバリア層を形成するこ
ともできる。
【0016】上記の耐火物粉末の粒径は、例えばスクリ
ーン印刷する際にスクリーンを容易に通過できればよ
く、平均粒径は1〜5μm程度が好ましい。その耐火物
粉末をペーストもしくはグリーンシートにするには、該
粉末100重量部をビヒクル20〜30重量部に混ぜ、
スリーロールミル等で混合する。ビヒクルの組成は特に
限定されないが、例えばエチルセルロース4〜8wt%
のターピネオール溶液が使用できる。ペーストとする場
合の粘度は、200〜300Pa・Sとすれば印刷に好
適である。
ーン印刷する際にスクリーンを容易に通過できればよ
く、平均粒径は1〜5μm程度が好ましい。その耐火物
粉末をペーストもしくはグリーンシートにするには、該
粉末100重量部をビヒクル20〜30重量部に混ぜ、
スリーロールミル等で混合する。ビヒクルの組成は特に
限定されないが、例えばエチルセルロース4〜8wt%
のターピネオール溶液が使用できる。ペーストとする場
合の粘度は、200〜300Pa・Sとすれば印刷に好
適である。
【0017】一方、コンデンサ2の誘電体層22を形成
する誘電体ペーストとしては、前述のような鉛ペロブス
カイト系複合材料を主成分としたもの等を用いることが
できる。それらの材料を上記の耐火物粉末と同様の要領
でペースト状にすればよい。またコンデンサ2の電極2
1やビア導体3および配線パターン等を形成する導体ペ
ーストとしてはAg粉末等を用い、その粉末を上記と同
様の要領でペースト状にすればよい。
する誘電体ペーストとしては、前述のような鉛ペロブス
カイト系複合材料を主成分としたもの等を用いることが
できる。それらの材料を上記の耐火物粉末と同様の要領
でペースト状にすればよい。またコンデンサ2の電極2
1やビア導体3および配線パターン等を形成する導体ペ
ーストとしてはAg粉末等を用い、その粉末を上記と同
様の要領でペースト状にすればよい。
【0018】なお、前記バリア層4の厚さは、あまり薄
いと、前記のガラス成分の拡散抑制効果が少なく、あま
り厚いと、表面に凹凸がでてしまうので、8〜20μm
程度が望ましい。またコンデンサ電極21を形成する導
体ペーストの厚さは、7〜15μm程度とすればよい。
さらに誘電体層22を形成する誘電体ペーストの厚さ
は、あまり薄いとショートしてしまい、あまり厚いと表
面に凹凸がでてしまうので、30〜40μm程度が望ま
しい。
いと、前記のガラス成分の拡散抑制効果が少なく、あま
り厚いと、表面に凹凸がでてしまうので、8〜20μm
程度が望ましい。またコンデンサ電極21を形成する導
体ペーストの厚さは、7〜15μm程度とすればよい。
さらに誘電体層22を形成する誘電体ペーストの厚さ
は、あまり薄いとショートしてしまい、あまり厚いと表
面に凹凸がでてしまうので、30〜40μm程度が望ま
しい。
【0019】次に、上記のようにして予めコンデンサ2
やバリア層4およびビア導体3や配線パターン等を形成
したガラスセラミックグリーンシートを複数枚積層した
後、ホットプレス機等で一体化して焼成する。そのとき
のホットプレス機等による圧力は、例えば50〜300
kg/cm2 、温度は60〜90℃程度とする。また焼
成は、例えば450〜600℃程度に加熱してバインダ
等の有機物を除去した後、1100℃以下、例えば80
0から1000℃で行えばよい。
やバリア層4およびビア導体3や配線パターン等を形成
したガラスセラミックグリーンシートを複数枚積層した
後、ホットプレス機等で一体化して焼成する。そのとき
のホットプレス機等による圧力は、例えば50〜300
kg/cm2 、温度は60〜90℃程度とする。また焼
成は、例えば450〜600℃程度に加熱してバインダ
等の有機物を除去した後、1100℃以下、例えば80
0から1000℃で行えばよい。
【0020】
【実施例】以下、本発明によるコンデンサ内蔵ガラスセ
ラミック基板(多層配線基板)の具体的な実施例につい
て説明する。
ラミック基板(多層配線基板)の具体的な実施例につい
て説明する。
【0021】〔実施例〕前記図1に示すようなコンデン
サ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を作製するに当た
り、ガラスセラミックグリーンシートを形成するための
ガラスセラミック粉末として、下記表1に示す組成のガ
ラス粉末(平均粒径2.2μm)と、アルミナ粉末(平
均粒径1.7μm)を50:50の比率で混合した。
サ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を作製するに当た
り、ガラスセラミックグリーンシートを形成するための
ガラスセラミック粉末として、下記表1に示す組成のガ
ラス粉末(平均粒径2.2μm)と、アルミナ粉末(平
均粒径1.7μm)を50:50の比率で混合した。
【0022】
【0023】上記の混合粉末100重量部に対して、ボ
リビニルブチラール9重量部、フタル酸ジイソブチル7
重量部、オレイン酸1重量部、イソプロピルアルコール
40重量部、トリクロロエタン20重量部を加えてボー
ルミルで24時間混合してスラリーを製作した。そのス
ラリーをドクターブレード法でシート状に成形してガラ
スセラミックグリーンシートを作製した。そのガラスセ
ラミックグリーンシートの厚さは232μmであった。
リビニルブチラール9重量部、フタル酸ジイソブチル7
重量部、オレイン酸1重量部、イソプロピルアルコール
40重量部、トリクロロエタン20重量部を加えてボー
ルミルで24時間混合してスラリーを製作した。そのス
ラリーをドクターブレード法でシート状に成形してガラ
スセラミックグリーンシートを作製した。そのガラスセ
ラミックグリーンシートの厚さは232μmであった。
【0024】一方、バリア層4を形成するための耐火物
粉末としては、平均粒径0.8μmのアルミナ(住友化
学製AKP−15)、平均粒径1.2μmのマグネシ
ア、平均粒径0.9μmのジルコニア、平均粒径1.5
μmのチタニア、平均粒径1.3μmのカルシアを各々
単独で用い、それぞれエチルセルロース6wt%のター
ピネオール溶液とともにスリーロールミルで混練して5
種類の耐火物ペーストを作製した。
粉末としては、平均粒径0.8μmのアルミナ(住友化
学製AKP−15)、平均粒径1.2μmのマグネシ
ア、平均粒径0.9μmのジルコニア、平均粒径1.5
μmのチタニア、平均粒径1.3μmのカルシアを各々
単独で用い、それぞれエチルセルロース6wt%のター
ピネオール溶液とともにスリーロールミルで混練して5
種類の耐火物ペーストを作製した。
【0025】またコンデンサ2の電極21を形成するた
めの導体ペーストとしては、平均粒径2μmの粒状Ag
粉100重量部を、エチルセルロース8wt%のターピ
ネオール溶液20重量部とともにスリーロールミルで混
練したものを用いた。さらにコンデンサ2の誘電体層2
2を形成するための誘電体ペーストとしては、平均粒径
0.3μmのPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 粉末100
重量部をエチルセルロース8wt%のターピネオール溶
液30重量部とともにスリーロールミルで混練したもの
を用いた。
めの導体ペーストとしては、平均粒径2μmの粒状Ag
粉100重量部を、エチルセルロース8wt%のターピ
ネオール溶液20重量部とともにスリーロールミルで混
練したものを用いた。さらにコンデンサ2の誘電体層2
2を形成するための誘電体ペーストとしては、平均粒径
0.3μmのPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 粉末100
重量部をエチルセルロース8wt%のターピネオール溶
液30重量部とともにスリーロールミルで混練したもの
を用いた。
【0026】そして上記の耐火物ペーストおよび導体ペ
ーストや誘電体ペーストを、それぞれ印刷等で所望の厚
さに形成することによってバリア層4およびコンデンサ
2の電極21と誘電体層22を形成した。なおバリア層
4は前記5種類の耐火物ペーストを用いることによって
基板毎に材質を異ならせた。またバリア層4およびコン
デンサ電極21の厚さはそれぞれ10μmとし、誘電体
層22の厚さは30μmに形成した。
ーストや誘電体ペーストを、それぞれ印刷等で所望の厚
さに形成することによってバリア層4およびコンデンサ
2の電極21と誘電体層22を形成した。なおバリア層
4は前記5種類の耐火物ペーストを用いることによって
基板毎に材質を異ならせた。またバリア層4およびコン
デンサ電極21の厚さはそれぞれ10μmとし、誘電体
層22の厚さは30μmに形成した。
【0027】さらに、ビア導体4は、ガラスセラミック
グリーンシートに形成した直径100μmのスルーホー
ルに導体ペーストを充填して形成した。その導体ペース
トとしては、平均粒径10μmのAg粉末100重量部
を、エチルセルロース5%のターピネオール溶液11重
量部とともにスリーロールミルで混合したものを用い
た。
グリーンシートに形成した直径100μmのスルーホー
ルに導体ペーストを充填して形成した。その導体ペース
トとしては、平均粒径10μmのAg粉末100重量部
を、エチルセルロース5%のターピネオール溶液11重
量部とともにスリーロールミルで混合したものを用い
た。
【0028】上記のようにして基板毎に材質の異なるバ
リア層4を有するコンデンサ2やビア導体3を形成した
複数枚のガラスセラミックグリーンシートを互いに積層
し、その積層体を150kg/cm2 、85℃の条件で
加圧成形した。次いで、500℃で3時間保持してバイ
ンダを除去した後、875℃の空気中で20分間焼成し
て実施例1〜5の5種類のコンデンサ内蔵ガラスセラミ
ック基板を作製した。そして、それらの基板に内蔵した
コンデンサの誘電特性を調べた。
リア層4を有するコンデンサ2やビア導体3を形成した
複数枚のガラスセラミックグリーンシートを互いに積層
し、その積層体を150kg/cm2 、85℃の条件で
加圧成形した。次いで、500℃で3時間保持してバイ
ンダを除去した後、875℃の空気中で20分間焼成し
て実施例1〜5の5種類のコンデンサ内蔵ガラスセラミ
ック基板を作製した。そして、それらの基板に内蔵した
コンデンサの誘電特性を調べた。
【0029】〔比較例〕また上記の実施例に対する比較
例1として、バリア層を設けない以外は上記と同様の要
領でコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板を作製し、そ
の基板に内蔵したコンデンサの誘電特性を調べた。また
比較例2として前記各実施例においてコンデンサ2の誘
電体層22に用いたPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 粉末
をペーストにはせずに粉末のままでプレスして焼成し、
その焼成体の誘電特性を調べた。以上の結果を下記表2
にまとめて示す。なお、表2中の誘電率εおよび誘電損
失tanδは、1kHz、室温での測定値である。
例1として、バリア層を設けない以外は上記と同様の要
領でコンデンサ内蔵ガラスセラミック基板を作製し、そ
の基板に内蔵したコンデンサの誘電特性を調べた。また
比較例2として前記各実施例においてコンデンサ2の誘
電体層22に用いたPb(Mg1/3 Nb2/3 )O3 粉末
をペーストにはせずに粉末のままでプレスして焼成し、
その焼成体の誘電特性を調べた。以上の結果を下記表2
にまとめて示す。なお、表2中の誘電率εおよび誘電損
失tanδは、1kHz、室温での測定値である。
【0030】
【0031】上記表2に示した結果から、比較例1のよ
うにバリア層を用いない場合は、ガラス成分の誘電体層
中への拡散によって誘電率は大幅に低下してしまうのに
対し、本発明による実施例1〜5のようにバリア層を形
成した場合には、拡散が抑制され、誘電率は5000以
上に向上し、良好な誘電特性を示している。
うにバリア層を用いない場合は、ガラス成分の誘電体層
中への拡散によって誘電率は大幅に低下してしまうのに
対し、本発明による実施例1〜5のようにバリア層を形
成した場合には、拡散が抑制され、誘電率は5000以
上に向上し、良好な誘電特性を示している。
【0032】
【発明の効果】以上のように本発明によるコンデンサ内
蔵ガラスセラミック基板は、ガラスセラミック絶縁層と
コンデンサ電極との間に、アルミナ、マグネシア、ジル
コニア、チタニア、カルシアから選択される1種以上の
耐火物粉末を含むバリア層を設けることによって、焼成
時の絶縁体材料成分の誘電体層中への拡散を抑制するこ
とができ、誘電率が高くかつ誘電損失の低いコンデンサ
にすることができる。また前記従来のようにバリア層と
して誘電材料を用いた層や、金属層を形成するよりも安
価な耐火物粉末を用いることができるので、コストの低
減が図れる。また前記従来のように電極層にガラス粉等
を添加するものに比べ電極の電気抵抗値を下げることが
でき、良好な電気特性が得られる等の効果がある。
蔵ガラスセラミック基板は、ガラスセラミック絶縁層と
コンデンサ電極との間に、アルミナ、マグネシア、ジル
コニア、チタニア、カルシアから選択される1種以上の
耐火物粉末を含むバリア層を設けることによって、焼成
時の絶縁体材料成分の誘電体層中への拡散を抑制するこ
とができ、誘電率が高くかつ誘電損失の低いコンデンサ
にすることができる。また前記従来のようにバリア層と
して誘電材料を用いた層や、金属層を形成するよりも安
価な耐火物粉末を用いることができるので、コストの低
減が図れる。また前記従来のように電極層にガラス粉等
を添加するものに比べ電極の電気抵抗値を下げることが
でき、良好な電気特性が得られる等の効果がある。
【図1】本発明によるコンデンサ内蔵ガラスセラミック
基板の構成例を示す断面図。
基板の構成例を示す断面図。
1 絶縁層 2 コンデンサ 21 コンデンサ用電極 22 誘電体層 3 ビア導体 4 バリア層
Claims (1)
- 【請求項1】 ガラスセラミック絶縁層、コンデンサ用
電極、その他の回路用配線等を同時焼成して得るコンデ
ンサ内蔵ガラスセラミック基板において、コンデンサ電
極とガラスセラミック絶縁層との間にガラス成分の拡散
を抑制するアルミナ、マグネシア、ジルコニア、チタニ
ア、カルシアから選択される1種以上の耐火物からなる
バリア層を形成したことを特徴とするコンデンサ内蔵ガ
ラスセラミック基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7267650A JPH0992978A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7267650A JPH0992978A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992978A true JPH0992978A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17447635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7267650A Withdrawn JPH0992978A (ja) | 1995-09-21 | 1995-09-21 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992978A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6241838B1 (en) | 1997-09-08 | 2001-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing a multi-layer ceramic substrate |
| KR100352780B1 (ko) * | 1998-01-06 | 2002-09-16 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 다층 세라믹 기판 및 그의 제조방법 |
| WO2003018509A1 (en) * | 2001-08-27 | 2003-03-06 | Motorola, Inc. | Enhanced ceramic layers for laminated ceramic devices |
| US7141129B2 (en) * | 2001-12-13 | 2006-11-28 | Harris Corporation | Electronic module including a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate with a capacitive structure embedded therein and related methods |
| JP2007201271A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Kyocera Corp | コンデンサ内蔵配線基板およびその製造方法 |
| KR100790695B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2008-01-02 | 삼성전기주식회사 | 전자부품 패키지용 세라믹 기판의 제조방법 |
| KR100790694B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2008-01-02 | 삼성전기주식회사 | 캐패시터 내장형 ltcc 기판 제조방법 |
| KR100811138B1 (ko) * | 2001-11-13 | 2008-03-07 | 오리온피디피주식회사 | 저온소성세라믹기판을 이용한 다층회로기판의 제조방법과 이에 의해 제조된 다층회로기판 |
| JP2012099861A (ja) * | 1999-09-02 | 2012-05-24 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
| US8717772B2 (en) | 1999-09-02 | 2014-05-06 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
| US8780573B2 (en) | 1999-09-02 | 2014-07-15 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
-
1995
- 1995-09-21 JP JP7267650A patent/JPH0992978A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8842440B2 (en) | 1999-09-02 | 2014-09-23 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board and method of manufacturing printed circuit board |
| US8830691B2 (en) | 1999-09-02 | 2014-09-09 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board and method of manufacturing printed circuit board |
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| JP2012099861A (ja) * | 1999-09-02 | 2012-05-24 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
| JP2012114457A (ja) * | 1999-09-02 | 2012-06-14 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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