JPH0995743A - 溶製金属系材料の製造方法及び溶製金属系材料並びに電子ビ−ム溶解設備 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 溶製鋳塊の純度、特に結晶粒界における純度
を向上させ、溶製鋳塊の加工性の向上を図り、均質な組
織を持つ金属又はその合金の鋳塊を工業的規模で安定し
て製造する手段を確立する。 【解決手段】 電子ビーム溶解法によりモリブデン、タ
ングステンを含む高融点金属等の鋳塊を溶製する溶製金
属系材料の製造方法であって、電子ビーム溶解設備のメ
ルトチャンバ１０内に、高融点金属等よりも酸素、窒
素、水素等の炉内不純物ガス成分との親和力が強い高親
和性金属からなる溶湯プール１８を形成し、炉内不純物
ガス成分を固溶除去する工程と、炉内不純物ガス成分を
溶湯プール１８で固溶除去したメルトチャンバ１０内
で、高融点金属を原料として含む原料電極１２を供給し
つつ、原料電極１２に電子ビーム１４を照射して原料電
極１２の一部を連続的に溶解する工程と、そして、溶解
した原料溶湯をルツボ状装置１１内に鋳込んで連続的に
凝固させると共に、鋳塊１５として下方に沈下させる工
程とを備えて構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、ニオブ、モリブデ
ン、タングステン、タンタル等の高融点金属又はその合
金（以下、「高融点金属等」という）の鋳塊を高純度で
溶製する溶製金属系材料の製造方法及び該製造方法によ
って製造された溶製金属系材料並びに該製造方法を実施
する電子ビーム溶解設備に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子ビーム溶解法は、真空中において加
速した電子を原料電極である金属又はその合金に衝突さ
せ加速電子の持っている運動エネルギーを熱エネルギー
に変換することで、原料電極を溶解し所要形状の鋳塊に
鋳造する溶解法の一つである。

【０００３】この溶解法は、主にチタン、高純度合金、
高融点金属又はその合金の鋳塊の製造に用いられてお
り、その優れた高純度化作用から高性能、高品質の機能
性材料の製造に有用な手段として近年注目を集めてい
る。

【０００４】図２は、従来の電子ビーム溶解法の典型例
を示す概略説明図である。

【０００５】図２で示すように、従来の電子ビーム溶解
設備は、メルトチャンバ２０と、メルトチャンバ２０内
に設置された水冷式クルーシブル２１と、水平方向（又
は垂直方向）に原料電極２２を送り出す図示されていな
いフィーダと、原料電極２２の先端部に電子ビーム２４
を照射して溶解させる電子銃２３と、溶解した原料溶湯
を受け入れる湯溜め２６とを備えている。湯溜め２６か
ら溢れ出た原料溶湯は、水冷式クルーシブル２１の頂部
の中央部で受け入れると共に冷却して連続的に凝固さ
せ、凝固した被溶解金属又はその合金は鋳塊として下方
に沈下させられる。湯溜め２６としては、水冷式ハース
又はポット等が用いられる。また、原料電極２２は、図
３に示されているように、Ｔｉ製の缶３０に供試スクラ
ップ原料３１を充填したものが用いられ、Ｔｉ製の缶ご
と溶解される。なお、Ｔｉ製の缶は熔接すると酸化する
ため、熔接せずにコーナ部をかしめて作成されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、製品対
象となる金属又はその合金の中で特に高融点金属等の鋳
塊の製造に際しては、これらの固有の物性、性質及び溶
解鋳造条件等の原因による、凝固時における結晶粒内及
び特に結晶粒界に酸素、窒素、水素等の不純物ガス成分
の偏析がみられ、これが、鋳塊の後工程時（鍛造、圧延
他）において塑性加工性に悪影響を及ぼしていることが
既に判明している。

【０００７】また、モリブデン、タングステンの鋳塊
は、粉末冶金の技術を用いても製造されている。

【０００８】しかしながら、粉末冶金で製造した高融点
金属等は、（ｉ）材料中の空隙率のため真比重にならな
い、（ｉｉ）これらは、スパッタリング用ターゲット、
真空用炉材等の様に真空中で使用されることが多いが、
この時に材料からガス放出がある等、多くの問題が指摘
されていた。

【０００９】そこで本発明の目的は、電子ビーム溶解法
における上述の問題を解決するために溶製鋳塊の純度、
特に結晶粒界における純度を向上させ、溶製鋳塊の加工
性の向上を図り、均質な組織を持つ金属又はその合金の
鋳塊を工業的規模で安定して製造する手段を確立するこ
とである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成すべく様々な観点に立って数多くの実験を行いつつ
鋭意研究を重ねてきた結果、本発明を完成したのであ
る。

【００１１】すなわち、請求項１に記載の本発明は、電
子ビーム溶解法により高融点金属等の鋳塊を高純度で溶
製する溶製金属系材料の製造方法であって、電子ビーム
溶解設備のメルトチャンバ内に、高融点金属等よりも酸
素、窒素、水素等の炉内不純物ガス成分（以下、「炉内
不純物ガス成分」という）との親和力が強い溶融したＴ
ｉ、Ｚｒ等の高親和性金属（以下、「高親和性金属」と
いう）を溜めた溶湯プールを形成し、炉内不純物ガス成
分を固溶除去する工程と、炉内不純物ガス成分を溶湯プ
ールにより固溶除去したメルトチャンバ内で、高融点金
属を原料として含む原料電極を供給しつつ、原料電極に
電子ビームを照射して原料電極の一部を連続的に溶解す
る工程と、そして、溶解した原料溶湯をルツボ状装置内
に鋳込んで連続的に凝固させると共に、鋳塊として下方
に沈下させる工程とを備えて構成されている。

【００１２】好ましい具体例においては、原料電極が還
元剤としてのＴｉＨ_２又はＴｉを含んでなり、それによ
り、製造された鋳塊の加工性を劣化させる結晶粒界及び
結晶粒内の炉内不純物ガス成分を除去する。

【００１３】請求項３に記載の本発明は、電子ビーム溶
解設備のメルトチャンバ内に、高融点金属又はその合金
よりも炉内不純物ガス成分との親和力が強い溶融した高
親和性金属を溜めた溶湯プールを形成し、炉内不純物ガ
ス成分を固溶除去し、炉内不純物ガス成分を溶湯プール
により固溶除去したメルトチャンバ内で、高融点金属を
原料として含む原料電極を供給しつつ、原料電極に電子
ビームを照射して原料電極の一部を連続的に溶解し、そ
して、溶解した原料溶湯をルツボ状装置内に鋳込んで連
続的に凝固させると共に、鋳塊として下方に沈下させる
ことにより溶製される高融点金属又はその合金からなる
溶製金属系材料に係る。

【００１４】請求項４に記載の本発明は、高融点金属等
の鋳塊を高純度での溶製を可能とする電子ビーム溶解設
備であって、メルトチャンバと、メルトチャンバ内に配
置され、高融点金属等よりも炉内不純物ガス成分との親
和力が強い高親和性金属からなる溶湯を溜めておく炉内
不純物ガス成分を固溶除去する溶湯プールと、炉内不純
物ガス成分を溶湯プールにより固溶除去したメルトチャ
ンバ内に、高融点金属を原料として含む原料電極を供給
する手段と、原料電極に電子ビームを照射して原料電極
の一部を連続的に溶解する電子銃と、そして、溶解した
原料溶湯を頂部に受け入れると共に冷却して連続的に凝
固させ、凝固した高融点金属等を鋳塊として下方に沈下
させることができるルツボ状装置とを備えて構成されて
なる。

【００１５】メルトチャンバ内に配置された溶湯プール
には、高融点金属等よりも炉内不純物ガス成分との親和
力が強い高親和性金属からなる溶湯が溜められているた
め、酸素、窒素、水素等の炉内不純物ガス成分は高親和
性溶湯内に固溶除去される。その結果、メルトチャンバ
内には、炉内不純物ガス成分そのものの存在が少なくな
る。このような雰囲気内で、電子ビーム溶解法により高
融点金属等の鋳塊を溶製すると、溶製された鋳塊には炉
内不純物ガス成分の偏析が減少し、従って、結晶粒界及
び結晶粒内における純度が向上した高純度の高融点金属
等の鋳塊が溶製される。これにより、製造された鋳塊は
加工性が向上し、また、均質な組織を持つこととなる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の溶製
金属系材料の製造方法及び溶製金属系材料並びに電子ビ
ーム溶解設備について詳細に説明する。

【００１７】図１は本発明に係わる電子ビーム溶解設備
の一具体例の概略説明図である。

【００１８】図１に示されているように、本発明に係わ
る電子ビーム溶解設備は、従来の電子ビーム溶解設備と
同様に、メルトチャンバ１０と、メルトチャンバ１０内
に設置された水冷式クルーシブル１１と、水平方向（又
は垂直方向）に原料電極１２を送り出す図示されていな
いフィーダと、原料電極１２の先端部に電子ビーム１４
を照射して溶解させる電子銃１３と、溶解した原料溶湯
を受け入れる湯溜め１６とを備えている。

【００１９】本発明に係わる電子ビーム溶解設備のメル
トチャンバ１０内には、さらに、水冷式クルーシブル１
１に隣接して溶湯プール１８が設置されており、その上
方に電子ビーム１４を照射する電子銃１９が設けられて
いる。溶湯プール１８には、電子銃１９の電子ビーム１
４が照射され、高融点金属等よりも炉内不純物ガス成分
との親和力が強いＴｉ，Ｚｒなどの高親和性金属からな
る溶湯が溜められている。溶湯プール１８に入れておく
高親和性金属の量は、例えば、Ｔｉの場合、溶解すべき
金属１０ｋｇに対し５００ｇとなっている。Ｔｉとして
は、ＪＩＳ１種、ＪＩＳ２種のいずれも使用することが
できる。溶湯プール１８は、ボタン形状をなす直径５０
〜３００ｃｍ、高さ５０〜２００ｃｍの水冷銅鋳型で、
水冷式ハース又はポットからなる湯溜め１６とほぼ同一
レベルに設置される。

【００２０】炉内不純物ガス成分は、溶湯プール１８に
溜められた高親和性金属からなる溶湯内に固溶除去さ
れ、メルトチャンバ１０内には、炉内不純物ガス成分そ
のもの存在が少なくなる。このような雰囲気内で、電子
ビーム溶解法により高融点金属等の鋳塊を溶製すると、
溶製された鋳塊には酸素、窒素、水素等の炉内不純物ガ
ス成分がなくなり、従って、結晶粒界及び結晶粒内の純
度が向上した高純度の鋳塊が溶製される。これにより、
鋳塊は、その加工性が向上し、均質な組織を持つことと
なる。

【００２１】原料電極１２を水平方向に送り出しなが
ら、電子銃１３の電子ビーム１４を照射すると、原料電
極１２はその先端部から溶解して湯溜め１６上に垂れ落
ち溶湯状態で精製される。湯溜め１６の湯口１６ａから
溢れ出た原料溶湯は、水冷式クルーシブル１１の頂部の
中央部で受け入れられる。この原料溶湯は、冷却されて
連続的に凝固させられ、さらに、凝固した高融点金属等
は、鋳塊１５として下方に沈下させられる。湯溜め１６
としては、水冷式ハース又はポット等が用いられる。ま
た、原料電極１２は、従来の電子ビーム溶解法と同様に
Ｔｉ製の缶３０に供試スクラップ原料３１を充填したも
のが用いられ、Ｔｉ製の缶３０ごと溶解される（図３参
照）。

【００２２】図示されているように、原料電極１２を水
平方向に送り出しながら原料電極１２を溶解する場合に
は、水冷式ハース又はポット等の湯溜め１６を使用する
が、原料電極１２を垂直方向に送り出す方式の場合に
は、湯溜め１６を省略することができる。

【００２３】こうして製造された鋳塊は、結晶粒界にお
ける純度が向上するため加工性が向上し、また、均質な
組織を持っていることは既に述べた通りである。更に、
鋳造された鋳塊は、鍛造加工、圧延加工、押し出し加
工、スエジ加工、機械加工等の単一加工又は２種類以上
の組み合わせにより、所定の棒、パイプ、板、塊の形状
に加工される。

【００２４】

【実施例】本発明に係る溶製金属系材料の製造方法の効
果を実施例によって、さらに、具体的に説明する。

【００２５】図１に示した電子ビーム溶解設備を使用
し、本発明に係る溶製金属系材料の製造方法に従ってタ
ングステン鋳塊を製造した。ここでは、その代表例とし
て直径６０ｍｍのタングステン鋳塊の製造について説明
する（表１及び表２は左右方向に連続すべきもので、２
つの表を合わせることにより、１つの表を形成する）。
表１及び表２に供試タングステンスクラップ原料及び製
造された鋳塊の分析結果を示した。原料電極１２として
は、図３に示すようなＴｉ製缶に供試タングステンスク
ラップ原料を充填したものを用い、Ｔｉ製缶ごと溶解し
た。なお、Ｔｉ製缶は熔接すると酸化するため、熔接せ
ずにコーナ部をかしめて作成した。

【００２６】表３に、タングステン鋳塊の溶解鋳造条件
を示した。

【００２７】電子ビーム溶解設備としては、電子銃２基
を装備した４００ｋｗの出力のＥＢ炉を使用した。

【００２８】図示されていないフイーダにより原料電極
１２を水平方向に送り出しながら、原料電極１２の先端
部に電子銃１３からの電子ビーム１４を照射した。これ
によって、原料電極１２を水冷式ハースからなる湯溜め
１６に溶解し、溶融状態にて精製し、さらに、湯溜め１
６から溢れ出た原料溶湯を、水冷式クルーシブル１１内
で電子ビーム１４によって溶湯溜まり１７を形成してい
る鋳塊１５頂部に鋳造し鋳塊とした。

【００２９】メルトチャンバ１０内には、さらに、湯溜
め１６とほぼ同一レベルに且つ水冷式クルーシブル１１
に隣接して溶融したＴｉを溜めた溶湯プール１８を設置
した。溶湯プール１８には、電子銃１９からの電子ビー
ム１４を照射して、内部に溜められたＴｉを溶融状態に
維持した。Ｔｉは、タングステンよりも酸素、窒素など
の炉内不純物ガス成分との親和力が強いため、メルトチ
ャンバ１０内のこれら炉内不純物ガス成分を捕捉して炉
内不純物ガス成分の量を減少させる。

【００３０】溶湯プール１８に入れておく高親和性金属
の量は、溶解すべきタングステン１０ｋｇに対しＴｉが
５００ｇの割合で装填した。溶湯プール１８は、ボタン
形状をなす直径２００ｃｍ、高さ１００ｃｍの水冷銅鋳
型のものを使用した。

【００３１】溶解中のＥＢ（電子銃）出力、熔内圧力、
鋳造速度及びＥＢ原単位は表３に示した通りであった。

【００３２】

【比較例】比較例として、図２に示された電子ビーム溶
解設備を用いて従来の電子ビーム溶解法を実施した。

【００３３】その際、図１で示したような高融点金属等
よりも炉内不純物ガス成分との親和力が強い、高親和性
金属からなる溶湯プールを炉内に設置しなかったことを
強調しておく。

【００３４】表４に、比較例であるタングステン鋳塊の
溶解鋳造条件を示した。供試タングステンスクラップ
（Ｗスクラップ）原料は、表１の最上行に示したものと
同じものを使用した。

【００３５】図２に示された電子ビーム溶解設備も、電
子銃２基を装備した４００ｋｗの出力のＥＢ炉を使用し
た。

【００３６】図示されていないフイーダにより原料電極
２２を水平方向に送り出しながら、その先端部を電子銃
２３の電子ビーム２４によって溶解し、湯溜め２６であ
る水冷式ハース内に溶融状態にて精製し、水冷式クルー
シブル２１内で電子ビーム２４によって溶湯溜まり２７
を形成している鋳塊２５の頂部に鋳造し鋳塊とした。溶
解中のＥＢ（電子銃）出力、熔内圧力、鋳造速度及びＥ
Ｂ原単位は表４に示した通りであった。

【００３７】

【本発明及び比較例の実施結果】本発明に係る溶製金属
系材料の製造方法及び従来の電子ビーム溶解法を実施す
ることによって得られたタングステン鋳塊の化学分析試
験及び機械特性試験の結果を、表１及び表２に供試原料
の分析値と併せて示した。

【００３８】初に、鋳塊の成分分析結果について比較し
てみると、溶解回数が、増えるとＮｂ，Ｔｉの含有量が
減少し、純度が向上している。溶解回数が２回及び３回
の本発明の実施例１及び実施例２は、原料タングステン
スクラップにおけるＮｂの含有量が２０ｐｐｍであった
ものが、それぞれ、７ｐｐｍ及び５ｐｐｍとなった。同
様に、Ｔｉでは、８ｐｐｍであったものが、それぞれ、
１．７ｐｐｍ及び０．７ｐｐｍとなった。同じ傾向は、
比較例においても現われている。

【００３９】次に、結晶粒界の酸素濃度について比較し
てみると、本発明の実施例１及び実施例２では、酸素濃
度が４．５ｐｐｍ及び４．２ｐｐｍであったのに対し、
同じ溶解回数の比較例３及び比較例４では、７．０ｐｐ
ｍ及び６．１ｐｐｍとなった。結晶粒界の酸素濃度が小
さいということは、当該部位での炉内不純物ガス成分の
偏析が少ないといことを意味するから、溶製された鋳塊
の加工性が向上する。実際、溶製された鋳塊の加工性の
指標となるＯ／Ｃ比（一般的に、この値が小さい程加工
性が良い）について見ると、実施例１及び実施例２で
は、０．４６及び０．４３であり、比較例３及び４の
０．７０及び０．６２に比較して大きく改善された。こ
のＯ／Ｃ比が０．５３を越えるものは、比較例１〜４の
引張強さ及び圧縮強度の欄に示したように、機械加工時
に割れが発生し加工ができない。

【００４０】鋳塊の加工性、特に、鍛造、圧延等の後加
工のし易さの指標である臨界３点曲げ角（一般的に、こ
の値が大きい程加工性が良い）について比較してみる
と、実施例１及び実施例２が４０度及び４８度であった
のに対し、比較例３及び比較例４では９度及び１２度で
あった。

【００４１】なお、原料電極にＴｉＨ_２及びＴｉを還元
剤として添加した実施例３は、同じ条件の比較例６と比
べて、結晶粒界の酸素濃度が２．６ｐｐｍから２．４ｐ
ｐｍに０．２ｐｐｍ減少し、Ｏ／Ｃ比が０．２９から
０．２４に０．０５減少した。その結果、臨界３点曲げ
角も、実施例３は７２度で比較例６の６５度より約１割
臨界３点曲げ角が大きくなった。なお、比較例５及び比
較例６は、本発明の実施例１及び実施例２に比較して、
結晶粒界の酸素濃度、Ｏ／Ｃ比及び臨界３点曲げ角のい
ずれにおいても遜色ない又は優れた数値となっている。
従って、加工性の点からは、原料電極にＴｉＨ_２及びＴ
ｉを還元剤として添加するものの方が、本発明のように
Ｔｉプールを配置して原料電極を溶解する方法に比べて
効果が顕著となっているが、実施例３及び比較例５及び
比較例６の鋳塊におけるＴｉの含有量はいずれも３０ｐ
ｐｍであり、タングステン鋳塊中にＴｉの酸化物が多量
に混在していることを示している。従って、純度の高い
タングステン鋳塊を得ようとする場合には、加工性より
も純度の方が優先するため実施例１及び実施例２の方が
好ましい。

【００４２】このように、従来法によるものは機械加工
時に割れが生じて加工不能とされていたものが、本発明
方法によるタングステン鋳塊ではそのような加工が可能
となったことが確認された。

【００４３】すなわち、本発明方法により製造したタン
グステン鋳塊は、以下のような加工が現実に可能であっ
た。直径６０ｍｍ、長さＬｍｍのタングステン鋳塊は押
出し加工用ビレットに機械加工し、さらに、１７００度
に加熱して押出し加工によって直径３０ｍｍ、長さＬｍ
ｍの形状に加工した。押出し加工用ビレットはタングス
テンの雰囲気汚染防止と保温のためにＮｂ等の他材料に
てキャンニングしてもよい。更に、押出し加工によって
直径３０ｍｍ、長さＬｍｍの形状に加工されたタングス
テンは、１３７０度に加熱し圧延加工によって幅３０ｍ
ｍ、厚み１０ｍｍの板に加工した。さらに、圧延加工さ
れたタングステンは、機械加工によって幅２５ｍｍ、厚
み５ｍｍの板に加工した。

【００４４】この時、押出し加工、熱間圧延加工、機械
加工時にタングステンの結晶粒内及び粒界に加工割れが
生じなかった。なお、キャンニング材が残留したままの
押出し加工タングステンは、そのまま熱間圧延加工して
も良い。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、高融点金属等の結晶粒界における純度を上げ、鋳塊
の加工性の向上を図り、均質な組織を持つ鋳塊の溶製を
実現し、均質な組織を持つ金属又はその合金鋳塊を安定
して量産することが可能になるなど、産業上極めて有用
な効果がもたらされる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係わる電子ビーム溶解設備の一具体
例の概略説明図である。

【図２】 従来の電子ビーム溶解法の典型例を示す概略
説明図である。

【図３】 図２の電子ビーム溶解法に用いられる原料電
極の概略斜視図である。

【符号の説明】

１０ メルトチャンバ １１ 水冷式クルーシブル １２ 原料電極 １３ 電子銃 １４ 電子ビーム １５ 鋳塊 １６ 湯溜め １７ 溶湯溜まり １８ 溶湯プール １９ 電子銃 ３０ 缶 ３１ スクラップ原料

【表１】

【表２】

【表３】

【表４】

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子ビーム溶解法により高融点金属又は
   その合金の鋳塊を高純度で溶製する溶製金属系材料の製
   造方法であって、 電子ビーム溶解設備のメルトチャンバ内に、高融点金属
   又はその合金よりも炉内不純物ガス成分との親和力が強
   い溶融した高親和性金属を溜めた溶湯プールを形成し、
   炉内不純物ガス成分を固溶除去する工程と、 炉内不純物ガス成分を溶湯プールにより固溶除去したメ
   ルトチャンバ内で、高融点金属を原料として含む原料電
   極を供給しつつ、原料電極に電子ビームを照射して原料
   電極の一部を連続的に溶解する工程と、そして、 溶解した原料溶湯をルツボ状装置内に鋳込んで連続的に
   凝固させると共に、鋳塊として下方に沈下させる工程
   と、 を備えて構成されてなる溶製金属系材料の製造方法。
2. 【請求項２】 原料電極が還元剤としてのＴｉＨ_２又は
   Ｔｉを含んでなり、それにより、製造された鋳塊の加工
   性を劣化させる結晶粒界及び結晶粒内の炉内不純物ガス
   成分を除去する請求項１に記載の溶製金属系材料の製造
   方法。
3. 【請求項３】 電子ビーム溶解設備のメルトチャンバ内
   に、高融点金属又はその合金よりも炉内不純物ガス成分
   との親和力が強い溶融した高親和性金属を溜めた溶湯プ
   ールを形成し、炉内不純物ガス成分を固溶除去し、 炉内不純物ガス成分を溶湯プールにより固溶除去したメ
   ルトチャンバ内で、高融点金属を原料として含む原料電
   極を供給しつつ、原料電極に電子ビームを照射して原料
   電極の一部を連続的に溶解し、そして、 溶解した原料溶湯をルツボ状装置内に鋳込んで連続的に
   凝固させると共に、鋳塊として下方に沈下させることに
   より溶製される高融点金属又はその合金からなる溶製金
   属系材料。
4. 【請求項４】 高融点金属又はその合金の鋳塊を高純度
   での溶製を可能とする電子ビーム溶解設備であって、 メルトチャンバと、 前記メルトチャンバ内に配置され、高融点金属又はその
   合金よりも炉内不純物ガス成分との親和力が強い高親和
   性金属からなる溶湯を溜めておく炉内不純物ガス成分を
   固溶除去する溶湯プールと、 炉内不純物ガス成分を溶湯プールにより固溶除去したメ
   ルトチャンバ内に、高融点金属を原料として含む原料電
   極を供給する手段と、 前記原料電極に電子ビームを照射して原料電極の一部を
   連続的に溶解する電子銃と、そして、 溶解した原料溶湯を頂部に受け入れると共に冷却して連
   続的に凝固させ、凝固した高融点金属又はその合金を鋳
   塊として下方に沈下させることができるルツボ状装置
   と、 を備えて構成されてなる電子ビーム溶解設備。