JPH0997930A - 熱電冷却モジュール及びその製造方法 - Google Patents

熱電冷却モジュール及びその製造方法

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JPH0997930A
JPH0997930A JP8136886A JP13688696A JPH0997930A JP H0997930 A JPH0997930 A JP H0997930A JP 8136886 A JP8136886 A JP 8136886A JP 13688696 A JP13688696 A JP 13688696A JP H0997930 A JPH0997930 A JP H0997930A
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heat
electrode
absorbing
insulating substrate
side insulating
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JP8136886A
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Yuji Iwata
田 裕 司 岩
Yoshiyasu Sasa
々 宜 靖 佐
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Aisin Corp
Original Assignee
Aisin Seiki Co Ltd
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/13—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/20—Arrangements for cooling
    • H10W40/28—Arrangements for cooling comprising Peltier coolers

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱電冷却効率が高く、構造が単純で生産性に
優れ、小型化が可能な熱電冷却モジュールを提供するこ
と。 【解決手段】 放熱側絶縁基板１０、放熱側絶縁基板１
０に複数個設けられた貫通孔１９にそれぞれ挿入され一
端面に放熱フィン形状部１１ａを有する放熱電極１１、
で構成される放熱部２１と、吸熱側絶縁基板１４、吸熱
側絶縁基板１４に複数個設けられた貫通孔２０にそれぞ
れ挿入され一端面が被冷却体に直接当接された吸熱電極
１５、で構成される吸熱部２２と、放熱部２１と吸熱部
２２との間にＰ型半導体１２とＮ型半導体１３とが交互
に配列され、Ｐ型半導体１２及びＮ型半導体１３と放熱
電極１１との界面で放熱し、Ｐ型半導体１２及びＮ型半
導体１３と吸熱電極１５との界面で吸熱する熱電変換部
２３と、を有する熱電冷却モジュールとしたこと。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ペルチェ効果を利
用して被冷却体を冷却する熱電冷却モジュールに関し、
特にＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ Ｕｎｉ
ｔ）等の電子部品の冷却あるいは温度制御を目的とした
熱電冷却モジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、従来の電子部品の冷却に用いら
れる熱電冷却モジュールは、図５に示すように構成され
ている。これは、放熱側絶縁基板５３の図示下方に形成
された放熱側電極５４と吸熱側絶縁基板５５の図示上方
に形成された吸熱側電極５６との間にＮ型半導体５１と
Ｐ型半導体５２とを交互に挟み込むように配置し、Ｎ型
熱電半導体素子５１とＰ型熱電半導体素子５２を電気的
に直列に接続して通電することによってペルチェ効果を
生ぜしめ、放熱側電極５４とＮ型半導体素子５１或いは
Ｐ型半導体素子５２との界面で放熱を行い、吸熱側電極
５６とＮ型半導体素子５１或いはＰ型半導体素子５２と
の界面で吸熱を行うものである。放熱側絶縁基板５３の
図示上部には放熱フィン５７が配置されており、放熱側
電極５４とＮ型半導体素子５１あるいはＰ型半導体素子
５２との界面で発生した熱は、放熱側絶縁基板５３を介
して放熱フィン５７に伝わり、この放熱フィン５７から
外部に熱が放出される。また、吸熱側絶縁基板５５の図
示下部には被吸熱用の電子部品５８が位置し、この電子
部品５８が発生する熱を吸熱側絶縁基板５５を通して吸
熱する。このようにして電子部品５８から発生する熱を
奪い、電子部品を実質的に冷却する機能を有するもので
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのような構
成の熱電冷却モジュールでは放熱側絶縁基板上に放熱フ
ィンを取りつける構成のために煩雑な作業が必要であ
り、製造コストを下げるのは困難であった。また放熱側
電極とＮ型半導体或いはＰ型半導体との界面で発生した
熱は、放熱側絶縁基板を介して放熱フィンに熱伝導され
る構成であるが、一般に絶縁物質は熱伝導性も悪く、こ
のため放熱フィンに充分熱が伝わらない可能性があり、
熱電冷却効率を低下させる恐れもある。また放熱側絶縁
基板及び、放熱フィンが放熱側絶縁基板に固定される部
分である放熱フィン基部（図５における符号５９）は、
放熱にそれほど寄与しない部分であるにもかかわらず、
スペース的に熱電冷却モジュールのかなりの部分を占め
ており、この部分の存在が熱電冷却モジュールの小型化
を困難なものとしている。また、被吸熱用の電子部品が
発生する熱は吸熱側絶縁基板を介して吸熱側電極へと熱
伝導する構成であるが、上述したように絶縁物質は一般
的に熱伝導性も悪く、このため電子部品から発生した熱
を充分奪うことができず 熱電冷却効率を低下させる恐
れがある。このような問題点を解決するために、例えば
特開平１−２０５４５１号公報、また特開平２−１０３
９６９号公報、また特開平３−２６３３８２号公報に示
されているような、電極が熱交換器の機能を有する熱電
冷却装置が考案されているが、構造が複雑でかつ製造工
程が煩雑であるとともに、いずれも流体の冷却を目的と
した熱電冷却装置であるため、電子部品を直接冷却でき
ないという問題がある。
【０００４】故に、本発明は、上記従来の問題点を解決
すべくなされたものであり、熱電冷却効率が高く、構造
が単純で生産性に優れ、電子部品を直接冷却する熱電冷
却モジュール構造の実現を、技術的課題とするものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記技術的課題を解決す
るために、本発明の請求項１において講じた技術的手段
は、吸熱電極と、Ｐ型熱電半導体素子と、放熱電極と、
Ｎ型熱電半導体素子とを前記の順番に複数組電気的に直
列接続し、通電することにより前記吸熱電極で吸熱し前
記放熱電極で放熱するペルチェ効果を利用して電子部品
を冷却する熱電冷却モジュールにおいて、前記熱電冷却
モジュールは、放熱側絶縁基板と、前記放熱側絶縁基板
に複数個設けられた貫通孔にそれぞれ挿入固定され且つ
一端面に放熱用のフィン形状部を有する前記放熱電極
と、で構成される放熱部と、吸熱側絶縁基板と、前記吸
熱側絶縁基板に複数個設けられた貫通孔にそれぞれ挿入
固定されかつ一端面が被冷却体に直接当接された前記吸
熱電極と、で構成される吸熱部と、前記放熱部と前記吸
熱部との間に交互に配列される前記Ｐ型半導体素子と前
記Ｎ型半導体素子とからなり、通電することにより前記
Ｐ型半導体素子及び前記Ｎ型半導体素子と前記放熱電極
との界面において放熱し、前記Ｐ型半導体素子及び前記
Ｎ型半導体素子と前記吸熱電極との界面において吸熱す
る熱電変換部と、を有することを特徴とする、熱電冷却
モジュールとしたことである。
【０００６】上記技術的手段によれば、放熱電極はその
一端面に放熱用のフィン形状部を有している。このため
放熱電極自身が外部に放熱するために、新たに放熱器を
設ける必要がなく、製造コストを大幅に下げることが可
能になるとともに、放熱電極とＰ型あるいはＮ型熱電素
子との界面で発生した熱が放熱側絶縁基板を介さずに直
接放熱電極のフィン形状の部分から排熱されるために、
放熱効率が向上し、高効率の熱電冷却モジュールとする
ことが可能となる。また放熱電極は、放熱側絶縁基板に
複数個設けられた貫通孔に挿入固定されている構成のた
め、放熱に寄与しない無駄な空間的スペースを極力省く
ことができ、熱電冷却モジュールの小型化が可能とな
る。また吸熱電極が直接被吸熱部品と接触しているた
め、被吸熱電子部品により発生する熱が吸熱側絶縁基板
を介さず直接吸熱電極へ伝導されるために吸熱効率が向
上し、高効率の熱電冷却モジュールが可能となる。また
放熱側絶縁基板と放熱電極を放熱部として、吸熱側絶縁
基板と吸熱電極を吸熱部として一体に構成しているた
め、これらを製造する場合において製造工程が簡単とな
り、生産性の向上を図ることができる。
【０００７】上記技術的手段を解決するにあたって、本
発明の請求項２において講じた技術的手段のように、前
記被冷却体は、温度安定性が必要な電子部品であること
が好ましい。電子部品は、温度による影響がその性能に
顕著に現れることが多いので、本発明のように電子部品
に吸熱電極を直接当接することにより、電子部品の発熱
に対して冷却を促進し、電子部品を常に一定の温度に保
ち、その性能を維持することができる。
【０００８】より好ましくは、本発明の請求項３におい
て講じた技術的手段のように、前記電子部品は、ＣＰ
Ｕ、ＭＰＵ、トランジスタ、ＩＣ、半導体レーザ、発光
ダイオード、ＣＣＤ、発振回路であることが好ましい。
これらは電子部品の中でもその性能の温度依存性が大き
い。従って、これらに吸熱電極を直接当接することによ
り、これらの発熱に対して直接冷却と行い、常に一定の
温度に保つことによってその性能を維持することができ
る。
【０００９】上記技術的課題を解決するために、本発明
の請求項４において講じた技術的手段は、吸熱電極と、
Ｐ型熱電半導体素子と、放熱電極と、Ｎ型熱電半導体素
子とを前記の順番に複数組電気的に直列接続し、通電す
ることにより前記吸熱電極で吸熱し前記放熱電極で放熱
するペルチェ効果を利用して電子部品を冷却する熱電冷
却モジュールの製造方法において、放熱側絶縁基板に設
けられた複数個の貫通孔に放熱フィン形状部を有する放
熱電極を挿入固定して放熱部を作製する放熱部作製工程
と、吸熱側絶縁基板に設けられた複数個の貫通孔に吸熱
電極を挿入固定して吸熱部を作製する吸熱部作製工程
と、Ｐ型半導体の一端面とＮ型半導体の一端面を前記放
熱部に接合し、前記Ｐ型半導体の他端面と前記Ｎ型半導
体の他端面を吸熱部に接合する接合工程と、を有するこ
とを特徴とする、熱電冷却モジュールの製造方法とした
ことである。
【００１０】上記技術的手段によれば、放熱側絶縁基板
と放熱電極とを一体に形成する放熱部作製工程、吸熱側
絶縁基板と吸熱電極とを一体に形成する吸熱部作製工
程、放熱部と吸熱部とに熱電半導体素子を接合する接合
工程からなる熱電冷却モジュールの製造方法とした。こ
のため熱電冷却モジュールの製造工程が非常に簡単とな
り、生産性に優れた熱電冷却モジュールの製造が可能に
なる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図面に基づいて説明する。
【００１２】図１は本実施形態例における熱電冷却モジ
ュール１の部分断面図である。図１において、１０はセ
ラミック製の放熱側絶縁基板である。１１は銅製の放熱
電極であり、放熱側絶縁基板１０に複数個設けられた貫
通孔１９にその一部が挿入され、接着剤等で固定されて
いる。放熱電極１１は、その一端面側に放熱フィン形状
部１１ａを有している。この放熱側絶縁基板１０、放熱
電極１１により、放熱部２１が構成される。
【００１３】１４はセラミック製の吸熱側絶縁基板であ
る。１５は銅製の吸熱電極であり、吸熱側絶縁基板１４
に複数個設けられた貫通孔２０にその一部が挿入され、
接着剤等で固定されている。この吸熱側絶縁基板１４、
吸熱電極１５により、吸熱部２２が構成される。
【００１４】これら両絶縁基板１０及び１４の間には、
Ｐ型熱電半導体素子１２とＮ型熱電半導体素子１３が配
列されている。Ｐ型熱電半導体素子１２及びＮ型熱電半
導体素子１３は、それぞれその一端面が放熱電極１１に
当接し、他端面が吸熱電極１５に当接している。複数の
吸熱電極１５のうち、端部に位置する吸熱電極１５ａに
は、Ｐ型熱電半導体素子１２あるいはＮ型熱電半導体素
子１３が１つだけ当接している。その他の吸熱電極１５
及び放熱電極１１には、Ｐ型熱電半導体素子１２及びＮ
型熱電半導体素子１３がそれぞれ１つずつ当接してい
る。１つの放熱電極１１に当接しているＰ型熱電半導体
素子１２とＮ型半導体素子１３は、それぞれ別の吸熱電
極１５に他端面で当接するように配置されている。また
１つの吸熱電極１５に当接しているＰ型熱電半導体素子
１２とＮ型半導体素子１３は、それぞれ別の放熱電極１
１に他端面で当接するように配置されている。このよう
に配置することにより、吸熱電極１５、Ｐ型熱電半導体
素子１２、放熱電極１１、Ｎ型半導体素子１３が、この
順で繰り返し、電気的に直列に接続されることになる。
１６、１７は、熱電冷却モジュール１に電流を供給する
ために端部に位置する吸熱電極１５ａにはんだ付けされ
たリード線である。このＰ型熱電半導体素子１２、Ｎ型
熱電半導体素子１３、リード線１６、１７により、熱電
変換部２３が構成される。１８は被吸熱電子部品であ
り、主に、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏ
ｒ Ｕｎｉｔ）、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓ
ｏｒ Ｕｎｉｔ）、トランジスタ、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒ
ａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）、半導体レーザ、発光ダイ
オード、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ−ｃｏｕｐｌｅｄ ｄｅ
ｖｉｃｅ）等である。
【００１５】このように構成された熱電変換モジュール
において、リード線１６、１７の間に直流電圧を印加す
れば、電流は吸熱電極１５、Ｐ型半導体素子１２、放熱
電極１１、Ｎ型半導体素子１３の順に流れる。このとき
ペルチェ効果によりＰ型熱電半導体素子１２及びＮ型熱
電半導体素子１３と銅製の放熱電極１１との界面Ａで発
熱が生じ、Ｐ型熱電半導体素子１２及びＮ型熱電半導体
素子１３と銅製吸熱電極１５との界面Ｂで吸熱が生じ
る。界面Ａで発生した熱は銅製の放熱電極１１へ伝導
し、放熱フィン形状部１１ａより空気中へ排熱される。
一方、被吸熱電子部品１８から発生した熱は直接銅製の
吸熱電極１５へ伝導し、吸熱される。従来例を示す図５
と本実施例を比較すると、従来例において、放熱電極で
発生した熱は、放熱側絶縁基板を介して放熱フィンに伝
達されて外部に放熱される構成であるために、熱伝導性
が悪い放熱側絶縁基板が熱抵抗となり、放熱効率が悪く
なるのに対し、本実施例においては、放熱電極で発生し
た熱は、直接放熱電極の一端にある放熱フィン形状部に
伝達されるために熱抵抗となるものは介在しておらず、
従って放熱効率は極めて向上する。また、従来例におい
て、被吸熱電子部品から発生した熱は、吸熱側絶縁基板
を介して吸熱電極で吸熱される構成であるために、熱伝
導性が悪い吸熱側絶縁基板が熱抵抗となり、吸熱効率が
悪くなるのに対し、本実施例において、被吸熱用電子部
品で発生した熱は、直接吸熱電極に接しているため熱抵
抗となるものは介在しておらず、従って吸熱効率は極め
て向上する。
【００１６】尚、本実施例において、放熱電極１１と吸
熱電極１５を銅材で形成したもので示したが、熱伝導が
良好な電気伝導材であれば銅材以外のものを用いてもよ
い。また、放熱側基板１０と吸熱側基板１４をセラミッ
ク材で形成したもので示したが、熱伝導が良好な絶縁材
であればセラミック材以外のものを用いてもよい。
【００１７】次に、本発明の製造方法の一例を説明す
る。
【００１８】まず、図２（ａ）〜（ｄ）に放熱部作製工
程を示す。図２（ａ）において、セラミック材あるいは
ポリイミド系樹脂等の絶縁材料で形成された放熱側絶縁
基板１０には、複数の貫通孔１９が形成されている。こ
の放熱側絶縁基板１０に設けられた複数の貫通孔１９
に、図２（ｂ）に示すような放熱電極１１の挿入部１１
ｂを図２（ｃ）に示す如き挿入し、接着剤等で固定して
放熱部を作製する。このようにして作製した放熱部の部
分断面図を図２（ｄ）に示す。図２（ｄ）に示すよう
に、放熱電極１１は、放熱側絶縁基板１０から突出した
放熱フィン形状部１１ａを持ち、この１１ａの部分が放
熱器としての機能を有するものである。また放熱側絶縁
基板１０の図示下側は貫通孔１９から放熱電極の挿入部
１１ｂが露出しており、この露出している金属面に、後
述する接合工程にてＰ型熱電半導体素子及びＮ型熱電半
導体素子が接合される。
【００１９】次に、図３（ａ）〜（ｄ）に吸熱部作製工
程を示す。図３（ａ）において、セラミック材あるいは
ポリイミド系樹脂等の絶縁材料で形成された吸熱側絶縁
基板１４には、複数の貫通孔２０が形成されている。こ
の吸熱側絶縁基板１４に設けられた複数の貫通孔２０
に、図３（ｂ）に示すような金属製の吸熱電極１５の挿
入部１５ｂを図３（ｃ）の如く挿入し、接着剤等で固定
して吸熱部を作製する。このようにして作製した吸熱部
の部分断面図を図３（ｄ）に示す。図３（ｄ）に示すよ
うに、吸熱電極１５は、吸熱側基板１４の図示上下面か
ら露出しており、図示上面に露出した金属面には後述す
る接合工程にてＰ型熱電半導体素子及びＮ型熱電半導体
素子が接合され、図示下面に露出した金属面には、被吸
熱体である電子部品が直接当接する。
【００２０】次に、図４に接合工程を示す。図４（ａ）
に示すように吸熱側絶縁基板１４の図示上面に露出した
吸熱電極１５の金属面上に治具を用いてＮ型半導体素子
１３とＰ型半導体素子１２を交互に配置し、はんだ付け
等により吸熱電極１５に接合する。次に、図４（ｂ）に
示すように、放熱側絶縁基板１０の図示下面に露出した
放熱電極１１の金属面に、吸熱側絶縁基板上に一端面が
接合されたＮ型半導体素子１３とＰ型半導体素子１２と
をはんだ付け等により接合する。このようにして熱電冷
却モジュールを作製する。このような製造方法をとるこ
とにより、高効率な熱電冷却モジュールを簡単に製造す
ることが可能になり、生産性の向上が図れる。
【００２１】
【発明の効果】請求項１の発明は、以下の如く効果を有
する。
【００２２】放熱電極が放熱器の機能を有しているの
で、新たに放熱器の配置が必要なくなり、製造コストを
大幅に下げることが可能になる。また、放熱電極と放熱
側絶縁基板が一体に、吸熱電極と吸熱側絶縁基板とが一
体に形成されているために、生産性に優れており、また
無駄な空間的スペースを省くことができ、熱電冷却モジ
ュールの小型化が可能となる。また、放熱電極が放熱器
の機能を有しているため、放熱電極とＰ型あるいはＮ型
半導体素子との界面で発生した熱が放熱側絶縁基板を介
さずとも放熱電極から排熱されるので、放熱効率が向上
し、高効率の熱電冷却モジュールが可能となる。また吸
熱電極が直接被吸熱電子部品と接触しているので、被吸
熱電子部品から発生した熱は吸熱側絶縁基板を介さずと
も吸熱電極に伝導されるので、吸熱効率が向上し、高効
率の熱電冷却モジュールが可能となる。
【００２３】請求項２の発明は、以下の如く効果を有す
る。
【００２４】電子部品に吸熱電極を直接当接することに
より、温度依存性の著しい電子部品の発熱に対する冷却
効果を促進し、電子部品を常に一定の温度に維持し、そ
の性能を維持することができる。
【００２５】請求項３の発明は、以下の如く効果を有す
る。
【００２６】電子部品の中でも、特に温度依存性の著し
いＣＰＵ、ＭＰＵ、トランジスタ、ＩＣ、半導体レー
ザ、発光ダイオード、ＣＣＤ、発振回路を被冷却体とし
て吸熱電極に直接当接させることにより、これらの発熱
に対する冷却効果を促進し、その性能を維持することが
できる。
【００２７】請求項４の発明は、以下の如く効果を有す
る。
【００２８】熱電冷却モジュールの製造方法を、放熱側
絶縁基板と放熱電極を一体に作製する放熱部作製工程、
吸熱側絶縁基板と吸熱電極を一体に作製する吸熱部作製
工程、放熱部と吸熱部にＰ型半導体素子及びＮ型半導体
素子を接合する接合工程からなる製造方法としたため、
製造工程が非常に簡単となり、高効率の熱電冷却モジュ
ールの生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例における熱電冷却モジュールの
部分断面図である。
【図２】本発明の実施例における熱電冷却モジュールの
製造方法のうち、放熱部の作製工程の説明図である。
【図３】本発明の実施例における熱電冷却モジュールの
製造方法のうち、吸熱部の作製工程の説明図である。
【図４】本発明の実施例における熱電冷却モジュールの
製造方法のうち、接合工程の説明図である。
【図５】従来例における熱電冷却モジュールの部分断面
図である。
【符号の説明】
１ 熱電冷却モジュール １０ 放熱側絶縁基板 １１ 放熱電極 １１ａ 放熱フィン形状部 １１ｂ 挿入部 １２ Ｐ型熱電半導体素子 １３ Ｎ型熱電半導体素子 １４ 吸熱側絶縁基板 １５ 吸熱電極 １５ａ 端部に位置する吸熱電極 １５ｂ 挿入部 １６、１７ リード線 １８ 被吸熱電子部品 １９、２０ 貫通孔 ２１ 放熱部 ２２ 吸熱部 ２３ 熱電変換部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 吸熱電極と、Ｐ型熱電半導体素子と、放
    熱電極と、Ｎ型熱電半導体素子とを前記の順番に複数組
    電気的に直列接続し、通電することにより前記吸熱電極
    で吸熱し前記放熱電極で放熱するペルチェ効果を利用し
    て電子部品を冷却する熱電冷却モジュールにおいて、 前記熱電冷却モジュールは、放熱側絶縁基板と、前記放
    熱側絶縁基板に複数個設けられた貫通孔にそれぞれ挿入
    固定され且つ一端面に放熱用のフィン形状部を有する前
    記放熱電極と、で構成される放熱部と、 吸熱側絶縁基板と、前記吸熱側絶縁基板に複数個設けら
    れた貫通孔にそれぞれ挿入固定されかつ一端面が被冷却
    体に直接当接された前記吸熱電極と、で構成される吸熱
    部と、 前記放熱部と前記吸熱部との間に交互に配列される前記
    Ｐ型半導体素子と前記Ｎ型半導体素子とからなり、通電
    することにより前記Ｐ型半導体素子及び前記Ｎ型半導体
    素子と前記放熱電極との界面において放熱し、前記Ｐ型
    半導体素子及び前記Ｎ型半導体素子と前記吸熱電極との
    界面において吸熱する熱電変換部と、 を有することを特徴とする、熱電冷却モジュール。
  2. 【請求項２】 前記被冷却体は、温度安定性が必要な電
    子部品であることを特徴とする請求項１に記載の熱電冷
    却モジュール。
  3. 【請求項３】 前記電子部品は、ＣＰＵ、ＭＰＵ、トラ
    ンジスタ、ＩＣ、半導体レーザ、発光ダイオード、ＣＣ
    Ｄ、発振回路であることを特徴とする請求項２に記載の
    熱電冷却モジュール。
  4. 【請求項４】 吸熱電極と、Ｐ型熱電半導体素子と、放
    熱電極と、Ｎ型熱電半導体素子とを前記の順番に複数組
    電気的に直列接続し、通電することにより前記吸熱電極
    で吸熱し前記放熱電極で放熱するペルチェ効果を利用し
    て電子部品を冷却する熱電冷却モジュールの製造方法に
    おいて、 放熱側絶縁基板に設けられた複数個の貫通孔に放熱フィ
    ン形状部を有する放熱電極を挿入固定して放熱部を作製
    する放熱部作製工程と、 吸熱側絶縁基板に設けられた複数個の貫通孔に吸熱電極
    を挿入固定して吸熱部を作製する吸熱部作製工程と、 Ｐ型半導体の一端面とＮ型半導体の一端面を前記放熱部
    に接合し、前記Ｐ型半導体の他端面と前記Ｎ型半導体の
    他端面を吸熱部に接合する接合工程と、を有することを
    特徴とする、熱電冷却モジュールの製造方法。
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