JPH10101337A - Ｂｉ系酸化物超電導体製造用の仮焼粉 - Google Patents
Ｂｉ系酸化物超電導体製造用の仮焼粉Info
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- JPH10101337A JPH10101337A JP8279888A JP27988896A JPH10101337A JP H10101337 A JPH10101337 A JP H10101337A JP 8279888 A JP8279888 A JP 8279888A JP 27988896 A JP27988896 A JP 27988896A JP H10101337 A JPH10101337 A JP H10101337A
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Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い臨界電流密度を有するＢｉ系酸化物超電
導体材料を得ることができる仮焼粉を得る。 【解決手段】 焼結によってＢｉ−２２２３相のＢｉ系
酸化物焼結体を製造するための仮焼粉であって，平均粒
径が５μｍ以下のＢｉ−２２１２相の結晶と平均粒径が
３μｍ以下の前記の両相以外の相（不純物相と呼ぶ）と
からなり，且つその仮焼粉全体の成分組成がＢｉ−２２
２３相の結晶の成分組成と実質的に同じであるＢｉ系酸
化物超電導体製造用の仮焼粉。
導体材料を得ることができる仮焼粉を得る。 【解決手段】 焼結によってＢｉ−２２２３相のＢｉ系
酸化物焼結体を製造するための仮焼粉であって，平均粒
径が５μｍ以下のＢｉ−２２１２相の結晶と平均粒径が
３μｍ以下の前記の両相以外の相（不純物相と呼ぶ）と
からなり，且つその仮焼粉全体の成分組成がＢｉ−２２
２３相の結晶の成分組成と実質的に同じであるＢｉ系酸
化物超電導体製造用の仮焼粉。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，臨界電流密度が高
いＢｉ系酸化物超電導体を製造できる仮焼粉に関する。
いＢｉ系酸化物超電導体を製造できる仮焼粉に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｂｉ系酸化物超電導体は，これまでのと
ころ他の系統の酸化物超電導体に比較すると，高い臨界
電流密度のものが得られると報告されている。しかし，
電流リードへ適用する場合の大電流化のためには，３０
００Ａ／ｃｍ2以上の高い臨界電流密度が要求される
が，この要求を安定して満足するには至っていない。
ころ他の系統の酸化物超電導体に比較すると，高い臨界
電流密度のものが得られると報告されている。しかし，
電流リードへ適用する場合の大電流化のためには，３０
００Ａ／ｃｍ2以上の高い臨界電流密度が要求される
が，この要求を安定して満足するには至っていない。
【０００３】一般に酸化物超電導体の臨界電流密度はそ
の製造工程によって特性が大きく左右することが知られ
ている。例えば「粉体および粉末冶金」３５（１９８
８），Ｐ１０２０，または「粉体および粉末冶金」３９
（１９９２），Ｐ３７８には，原料粉を焼結して超電導
焼結体を製造するさいに，中間圧縮工程を挿入すると臨
界電流密度が大きく向上すると報告されている。
の製造工程によって特性が大きく左右することが知られ
ている。例えば「粉体および粉末冶金」３５（１９８
８），Ｐ１０２０，または「粉体および粉末冶金」３９
（１９９２），Ｐ３７８には，原料粉を焼結して超電導
焼結体を製造するさいに，中間圧縮工程を挿入すると臨
界電流密度が大きく向上すると報告されている。
【０００４】しかし，焼結に適用する原料粉（仮焼粉）
の組織状態が超電導焼結体の臨界電流密度に及ぼす影響
については未知なところがあった。このようなことか
ら，本発明者らは仮焼粉の組織状態と焼結体の臨界電流
密度（Ｊｃ）との関係について研究し，その成果の一部
を既に特願平７−２９９３１３号（平成７年１０月２５
日出願）に記載した。これによると，Ｊｃ＝５０００Ａ
／ｃｍ2 のＢｉ系酸化物超電導体が得られることが確認
できた。
の組織状態が超電導焼結体の臨界電流密度に及ぼす影響
については未知なところがあった。このようなことか
ら，本発明者らは仮焼粉の組織状態と焼結体の臨界電流
密度（Ｊｃ）との関係について研究し，その成果の一部
を既に特願平７−２９９３１３号（平成７年１０月２５
日出願）に記載した。これによると，Ｊｃ＝５０００Ａ
／ｃｍ2 のＢｉ系酸化物超電導体が得られることが確認
できた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は，前記
特願平７−２９９３１３号に提案した発明を一層発展さ
せ，焼結体において更に高いＪｃが安定して得られる仮
焼粉を提供しようとするものである。
特願平７−２９９３１３号に提案した発明を一層発展さ
せ，焼結体において更に高いＪｃが安定して得られる仮
焼粉を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，焼結に
よってＢｉ−２２２３相のＢｉ系酸化物焼結体を製造す
るための仮焼粉であって，平均粒径が５μｍ以下のＢｉ
−２２１２相の結晶と平均粒径が３μｍ以下の前記の両
相以外の相（不純物相と呼ぶ）とからなり，且つその仮
焼粉全体の成分組成がＢｉ−２２２３相の結晶の成分組
成と実質的に同じである仮焼粉を提供する。ここで，両
相以外の相（不純物相）とはＢｉ−２２２３相でもＢｉ
−２２１２相でもなく，Ｃａ2ＰｂＯ4 および／または
ＣｕＯを含む酸化物からなる相であり，またＢｉ−２２
０１相でもない。この不純物相とＢｉ−２２１２相の量
比は，仮焼粉全体の成分組成がＢｉ−２２２３相の結晶
と同じ成分組成となるようなものである。
よってＢｉ−２２２３相のＢｉ系酸化物焼結体を製造す
るための仮焼粉であって，平均粒径が５μｍ以下のＢｉ
−２２１２相の結晶と平均粒径が３μｍ以下の前記の両
相以外の相（不純物相と呼ぶ）とからなり，且つその仮
焼粉全体の成分組成がＢｉ−２２２３相の結晶の成分組
成と実質的に同じである仮焼粉を提供する。ここで，両
相以外の相（不純物相）とはＢｉ−２２２３相でもＢｉ
−２２１２相でもなく，Ｃａ2ＰｂＯ4 および／または
ＣｕＯを含む酸化物からなる相であり，またＢｉ−２２
０１相でもない。この不純物相とＢｉ−２２１２相の量
比は，仮焼粉全体の成分組成がＢｉ−２２２３相の結晶
と同じ成分組成となるようなものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明者らは，先の特願平７−２
９９３１３号の仮焼粉を提案した後も研究を続けたが，
仮焼粉の組織状態をさらに適正にすればさらに高いＪｃ
のＢｉ系酸化物超電導体が得られることを知った。すな
わち，焼結によってＢｉ−２２２３相となるが，仮焼粉
中にはＢｉ−２２２３相もＢｉ−２２０１相もなく（Ｘ
ＲＤで検出できず），平均粒径が５μｍ以下のＢｉ−２
２１２相と平均粒径が３μｍ以下の不純物相を，Ｂｉ−
２２２３相の結晶組成となるような量比で含有した組織
状態の場合に，これを焼結すれば，一層高いＪｃが得ら
れることを新たに知見した。
９９３１３号の仮焼粉を提案した後も研究を続けたが，
仮焼粉の組織状態をさらに適正にすればさらに高いＪｃ
のＢｉ系酸化物超電導体が得られることを知った。すな
わち，焼結によってＢｉ−２２２３相となるが，仮焼粉
中にはＢｉ−２２２３相もＢｉ−２２０１相もなく（Ｘ
ＲＤで検出できず），平均粒径が５μｍ以下のＢｉ−２
２１２相と平均粒径が３μｍ以下の不純物相を，Ｂｉ−
２２２３相の結晶組成となるような量比で含有した組織
状態の場合に，これを焼結すれば，一層高いＪｃが得ら
れることを新たに知見した。
【０００８】Ｂｉ−２２２３相の結晶は代表的には次の
(1) 式で表されるものであり，超電導特性を示す。 Ｂｉa −Ｐｂb −Ｓｒc −Ｃａd −Ｃｕ3 −Ｏx ・・・(1) ただし，(1) 式中の各成分のモル数ａ〜ｘは，Ｃｕのモ
ル数を３として標準化したとき，次の値を有する， １．２０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．８０ １．２０≦ｃ≦３．００ １．２０≦ｄ≦３．００ ９．００≦ｘ≦１０．００
(1) 式で表されるものであり，超電導特性を示す。 Ｂｉa −Ｐｂb −Ｓｒc −Ｃａd −Ｃｕ3 −Ｏx ・・・(1) ただし，(1) 式中の各成分のモル数ａ〜ｘは，Ｃｕのモ
ル数を３として標準化したとき，次の値を有する， １．２０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．８０ １．２０≦ｃ≦３．００ １．２０≦ｄ≦３．００ ９．００≦ｘ≦１０．００
【０００９】またＢｉ−２２１２相の結晶は代表的には
(2) 式で表されるものであり，Ｂｉ−２２２３相よりも
低い温度で超電導性を示す。 Ｂｉa −Ｐｂb −Ｓｒc −Ｃａd −Ｃｕ2 −Ｏx ・・・(2) ただし，(2) 式中の各成分のモル数ａ〜ｘは，Ｃｕのモ
ル数を２として標準化したとき， １．５０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．０５ １．５０≦ｃ≦２．５０ ０．５０≦ｄ≦１．５０ ７．０≦ｘ≦８．０ の値を有する。
(2) 式で表されるものであり，Ｂｉ−２２２３相よりも
低い温度で超電導性を示す。 Ｂｉa −Ｐｂb −Ｓｒc −Ｃａd −Ｃｕ2 −Ｏx ・・・(2) ただし，(2) 式中の各成分のモル数ａ〜ｘは，Ｃｕのモ
ル数を２として標準化したとき， １．５０≦ａ≦２．５０ ０≦ｂ≦０．０５ １．５０≦ｃ≦２．５０ ０．５０≦ｄ≦１．５０ ７．０≦ｘ≦８．０ の値を有する。
【００１０】本発明に従う仮焼粉は，(2) 式の２２１２
相の結晶と不純物相の結晶からなる全体の成分組成が
(1) 式のＢｉ−２２２３相の結晶と同じ成分組成を有す
るような量比で２２１２相と不純物相を含むものであ
る。不純物相としてはＣａ2ＰｂＯ4 および／またはＣ
ｕＯの存在が認められ，Ｂｉ−２２０１相は実質的に含
まれていない。そして，平均粒径が５μｍ以下の微細な
２２１２相の結晶と，平均粒径が３μｍ以下の微細な不
純物相の結晶が均一に分散した状態にあり，このことが
高いＪｃを得るうえで必要である。
相の結晶と不純物相の結晶からなる全体の成分組成が
(1) 式のＢｉ−２２２３相の結晶と同じ成分組成を有す
るような量比で２２１２相と不純物相を含むものであ
る。不純物相としてはＣａ2ＰｂＯ4 および／またはＣ
ｕＯの存在が認められ，Ｂｉ−２２０１相は実質的に含
まれていない。そして，平均粒径が５μｍ以下の微細な
２２１２相の結晶と，平均粒径が３μｍ以下の微細な不
純物相の結晶が均一に分散した状態にあり，このことが
高いＪｃを得るうえで必要である。
【００１１】一般にＢｉ−２２２３相焼結体は多結晶体
であるがために結晶粒界が多く存在し，粒界間の弱結合
により超電導電流が阻害される結果，臨界電流密度（Ｊ
ｃ）が２５００Ａ／ｃｍ2 程度しか得られていなかった
と考えられる。しかし，同じ多結晶体であるＡｇシース
線材では数万Ａ／ｃｍ2 以上のＪｃが得られている。し
たがって，粒界の性状を改善すればバルク体でもＪｃを
高めることができる筈である。この粒界の性状をバルク
体において改善するには，仮焼粉中にはＢｉ−２２２３
相はなく，焼結の過程でＢｉ−２２２３相がこの相以外
のものから成長し，成長し終えたところでは，Ｂｉ−２
２２３相以外の相は粒界に実質上存在しないことが肝要
であると考えられる。本発明の仮焼粉はこれを実現する
ものであり，これにより，後記の実施例に示すように非
常に高いＪｃをもつバルク体を得ることができる。
であるがために結晶粒界が多く存在し，粒界間の弱結合
により超電導電流が阻害される結果，臨界電流密度（Ｊ
ｃ）が２５００Ａ／ｃｍ2 程度しか得られていなかった
と考えられる。しかし，同じ多結晶体であるＡｇシース
線材では数万Ａ／ｃｍ2 以上のＪｃが得られている。し
たがって，粒界の性状を改善すればバルク体でもＪｃを
高めることができる筈である。この粒界の性状をバルク
体において改善するには，仮焼粉中にはＢｉ−２２２３
相はなく，焼結の過程でＢｉ−２２２３相がこの相以外
のものから成長し，成長し終えたところでは，Ｂｉ−２
２２３相以外の相は粒界に実質上存在しないことが肝要
であると考えられる。本発明の仮焼粉はこれを実現する
ものであり，これにより，後記の実施例に示すように非
常に高いＪｃをもつバルク体を得ることができる。
【００１２】多結晶バルク体超電導物質を得るための焼
結原料の仮焼粉を製造するには，一般に，超電導物質の
成分組成に対応した原料物質を調合（各成分の混合）ま
たは共沈によって調整し，これを仮焼したうえで粉砕
し，粒度調整するという工程を経る。Ｂｉ−２２２３相
多結晶バルク体の場合にも同様であり，そのための仮焼
粉の製造は「混合または共沈による原料調整」→「仮
焼」→「粉砕」→（仮焼→粉砕）→「粒度調整」→「不
純物除去」→「仮焼粉完成」という工程を経る（カッコ
内は必要回数繰り返すことを意味する）。
結原料の仮焼粉を製造するには，一般に，超電導物質の
成分組成に対応した原料物質を調合（各成分の混合）ま
たは共沈によって調整し，これを仮焼したうえで粉砕
し，粒度調整するという工程を経る。Ｂｉ−２２２３相
多結晶バルク体の場合にも同様であり，そのための仮焼
粉の製造は「混合または共沈による原料調整」→「仮
焼」→「粉砕」→（仮焼→粉砕）→「粒度調整」→「不
純物除去」→「仮焼粉完成」という工程を経る（カッコ
内は必要回数繰り返すことを意味する）。
【００１３】得られた仮焼粉を多結晶バルク体とするに
は，該仮焼粉を必要形状に成形し，この成形品を焼結す
ることが行われるが，焼結品を中間圧縮し，焼結すると
いう工程を繰り返すことも行われる。また，後記実施例
に示すように銀シース内に本発明の仮焼粉を充填して焼
成および圧延（線引きを含む）を行うと，よりＪｃの高
いものを得ることができる。
は，該仮焼粉を必要形状に成形し，この成形品を焼結す
ることが行われるが，焼結品を中間圧縮し，焼結すると
いう工程を繰り返すことも行われる。また，後記実施例
に示すように銀シース内に本発明の仮焼粉を充填して焼
成および圧延（線引きを含む）を行うと，よりＪｃの高
いものを得ることができる。
【００１４】本発明の仮焼粉を製造するには，前記の仮
焼粉の製造過程において，仮焼工程および粉砕工程の条
件を適切に調節すればよい。以下に，実施例によってこ
れを説明する。
焼粉の製造過程において，仮焼工程および粉砕工程の条
件を適切に調節すればよい。以下に，実施例によってこ
れを説明する。
【００１５】
【実施例】以下の実施例において，仮焼粉組成はいずれ
もＢｉ1.85Ｐｂ0.35Ｓｒ1.90Ｃａ2.05Ｃｕ3.05ＯX であ
る。また仮焼粉製造の仮焼雰囲気は大気中とし，完成仮
焼粉の平均粒径は５μｍ以下である。仮焼と粉砕は，い
ずれも仮焼→粉砕→仮焼→粉砕の二回繰返しを行った。
各実施例では，仮焼粉の製造工程のうち，仮焼温度，粉
砕雰囲気，粉砕粒径を変化させた。
もＢｉ1.85Ｐｂ0.35Ｓｒ1.90Ｃａ2.05Ｃｕ3.05ＯX であ
る。また仮焼粉製造の仮焼雰囲気は大気中とし，完成仮
焼粉の平均粒径は５μｍ以下である。仮焼と粉砕は，い
ずれも仮焼→粉砕→仮焼→粉砕の二回繰返しを行った。
各実施例では，仮焼粉の製造工程のうち，仮焼温度，粉
砕雰囲気，粉砕粒径を変化させた。
【００１６】〔実施例１〕Ｂｉ1.85Ｐｂ0.35Ｓｒ1.90Ｃ
ａ2.05Ｃｕ3.05ＯX に調整した原料を８１５℃仮焼→大
気中粉砕→８１５℃仮焼→大気中粉砕→粒度調整の工程
を経て平均粒径が２.５μｍの仮焼粉を得た。この仮焼
粉をＸＲＤで確認したところ，Ｂｉ−２２１２相の結晶
と，Ｃａ2ＰｂＯ4 およびＣｕＯの相が確認された。Ｂ
ｉ−２２２３相およびＢｉ−２２０１相は確認されなか
った。
ａ2.05Ｃｕ3.05ＯX に調整した原料を８１５℃仮焼→大
気中粉砕→８１５℃仮焼→大気中粉砕→粒度調整の工程
を経て平均粒径が２.５μｍの仮焼粉を得た。この仮焼
粉をＸＲＤで確認したところ，Ｂｉ−２２１２相の結晶
と，Ｃａ2ＰｂＯ4 およびＣｕＯの相が確認された。Ｂ
ｉ−２２２３相およびＢｉ−２２０１相は確認されなか
った。
【００１７】この仮焼粉を加圧成形（圧力：３.０ｔ／
ｃｍ2）したのち，８５０℃焼結→中間圧縮→８５０℃
焼結→中間圧縮→８５０℃焼結の工程を経て焼結体を得
た。中間圧縮はいずれもＣＩＰ装置（冷間等方圧縮装
置）で３.０ｔ／ｃｍ2の圧力を加えた。
ｃｍ2）したのち，８５０℃焼結→中間圧縮→８５０℃
焼結→中間圧縮→８５０℃焼結の工程を経て焼結体を得
た。中間圧縮はいずれもＣＩＰ装置（冷間等方圧縮装
置）で３.０ｔ／ｃｍ2の圧力を加えた。
【００１８】得られた焼結体から短冊状の試料を切り出
し，銀電極を設置し，４端子法により７７Ｋ（ケルビ
ン）で臨界電流密度（Ｊｃ）を測定したところ，５５０
０Ａ／ｃｍ2 であった。
し，銀電極を設置し，４端子法により７７Ｋ（ケルビ
ン）で臨界電流密度（Ｊｃ）を測定したところ，５５０
０Ａ／ｃｍ2 であった。
【００１９】〔実施例２〕仮焼粉製造時の粉砕工程を，
雰囲気中に水分を含まない乾燥雰囲気とした以外は，実
施例１を繰り返した。得られた焼結体のＪｃは６５００
Ａ／ｃｍ2 を示した。
雰囲気中に水分を含まない乾燥雰囲気とした以外は，実
施例１を繰り返した。得られた焼結体のＪｃは６５００
Ａ／ｃｍ2 を示した。
【００２０】〔実施例３〕仮焼粉製造時の粉砕工程を，
雰囲気中に水分を含まない乾燥雰囲気とした以外は，実
施例１と同様にして仮焼粉を製造した。この仮焼粉を，
外径４ｍｍ，内径２ｍｍで長さ１００ｍｍの銀パイプ
（シース）に充填して外径が２ｍｍになるまで線引き
し，電気炉で８００℃×５時間で仮焼したあと，この銀
シースを厚さ１〜０.５ｍｍのテープに圧延し，８４０
℃×３０時間の焼成を行い，次いで厚さ０.２ｍｍの最
終厚みに圧延した。この圧延材を８４０℃×４０時間の
焼成を行った。得られた試料のＪｃは９０００Ａ／ｃｍ
2 の値を示した。
雰囲気中に水分を含まない乾燥雰囲気とした以外は，実
施例１と同様にして仮焼粉を製造した。この仮焼粉を，
外径４ｍｍ，内径２ｍｍで長さ１００ｍｍの銀パイプ
（シース）に充填して外径が２ｍｍになるまで線引き
し，電気炉で８００℃×５時間で仮焼したあと，この銀
シースを厚さ１〜０.５ｍｍのテープに圧延し，８４０
℃×３０時間の焼成を行い，次いで厚さ０.２ｍｍの最
終厚みに圧延した。この圧延材を８４０℃×４０時間の
焼成を行った。得られた試料のＪｃは９０００Ａ／ｃｍ
2 の値を示した。
【００２１】〔実施例４〕実施例１と同じ製法で作製し
た仮焼粉を，有機バインダーと有機溶剤を混合してなる
ビヒクルに，仮焼粉：ビヒクル＝３：１の重量比で混合
し，この混合物を３本ロールにより混練してビヒクル中
に仮焼粉を均一に分散させることにより，超電導ペース
トを得た。この超電導ペーストをスクリーン印刷法によ
りＭｇＯ多結晶基板上に膜厚５０μｍの厚膜を形成し，
この厚膜付基板を８５０℃×５０時間の熱処理を行っ
た。得られた超電導膜のＪｃは５２００Ａ／ｃｍ2 の値
を示した。
た仮焼粉を，有機バインダーと有機溶剤を混合してなる
ビヒクルに，仮焼粉：ビヒクル＝３：１の重量比で混合
し，この混合物を３本ロールにより混練してビヒクル中
に仮焼粉を均一に分散させることにより，超電導ペース
トを得た。この超電導ペーストをスクリーン印刷法によ
りＭｇＯ多結晶基板上に膜厚５０μｍの厚膜を形成し，
この厚膜付基板を８５０℃×５０時間の熱処理を行っ
た。得られた超電導膜のＪｃは５２００Ａ／ｃｍ2 の値
を示した。
【００２２】〔比較例１〕仮焼粉製造時の焼成工程を，
焼成温度８５０℃とした以外は，実施例１と同様にして
平均粒径３μｍ以下の仮焼粉を得た。この仮焼粉をＸＲ
Ｄで確認したところ，Ｂ−２２１２相，Ｃａ2ＰｂＯ4
およびＣｕＯの相に加えて，Ｂｉ−２２２３相が確認さ
れた。この仮焼粉を用いて実施例１と同様にして焼結体
を製造し，実施例１と同様にしてＪｃを測定したとこ
ろ，Ｊｃ＝１５００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。
焼成温度８５０℃とした以外は，実施例１と同様にして
平均粒径３μｍ以下の仮焼粉を得た。この仮焼粉をＸＲ
Ｄで確認したところ，Ｂ−２２１２相，Ｃａ2ＰｂＯ4
およびＣｕＯの相に加えて，Ｂｉ−２２２３相が確認さ
れた。この仮焼粉を用いて実施例１と同様にして焼結体
を製造し，実施例１と同様にしてＪｃを測定したとこ
ろ，Ｊｃ＝１５００Ａ／ｃｍ2 の値を示した。
【００２３】〔比較例２〕仮焼粉製造時の焼成工程を，
焼成温度７８０℃とした以外は，実施例１と同様にして
平均粒径３μｍ以下の仮焼粉を得た。この仮焼粉をＸＲ
Ｄで確認したところ，Ｂ−２２１２相，Ｃａ2ＰｂＯ4
およびＣｕＯの相に加えて，Ｂｉ−２２０１相が確認さ
れた。この仮焼粉を用いて実施例１と同様にして焼結体
を製造し，試料を切り出して実施例１と同様にしてＪｃ
を測定したところ，Ｊｃ＝２５００Ａ／ｃｍ2 の値を示
した。
焼成温度７８０℃とした以外は，実施例１と同様にして
平均粒径３μｍ以下の仮焼粉を得た。この仮焼粉をＸＲ
Ｄで確認したところ，Ｂ−２２１２相，Ｃａ2ＰｂＯ4
およびＣｕＯの相に加えて，Ｂｉ−２２０１相が確認さ
れた。この仮焼粉を用いて実施例１と同様にして焼結体
を製造し，試料を切り出して実施例１と同様にしてＪｃ
を測定したところ，Ｊｃ＝２５００Ａ／ｃｍ2 の値を示
した。
【００２４】〔比較例３〕比較例２で得られた仮焼粉を
用いて，実施例３と同一条件で超電導銀テープを作製
し，そのＪｃを測定したところ４５００Ａ／ｃｍ2 の値
を示した。
用いて，実施例３と同一条件で超電導銀テープを作製
し，そのＪｃを測定したところ４５００Ａ／ｃｍ2 の値
を示した。
【００２５】〔比較例４〕比較例２で得られた仮焼粉を
用いて，実施例４と同一条件で超電導膜を作製し，その
Ｊｃを測定したところ２３００Ａ／ｃｍ2 の値を示し
た。
用いて，実施例４と同一条件で超電導膜を作製し，その
Ｊｃを測定したところ２３００Ａ／ｃｍ2 の値を示し
た。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように，本発明に従う仮焼
粉はＢｉ系酸化物超電導体のＪｃを高めることができ，
また，高いＪｃをもつ超電導体を安定して製造すること
ができる。
粉はＢｉ系酸化物超電導体のＪｃを高めることができ，
また，高いＪｃをもつ超電導体を安定して製造すること
ができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉澤 秀二 東京都千代田区丸の内１丁目８番２号 同 和鉱業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 焼結によってＢｉ−２２２３相のＢｉ系
酸化物焼結体を製造するための仮焼粉であって，平均粒
径が５μｍ以下のＢｉ−２２１２相の結晶と平均粒径が
３μｍ以下の前記の両相以外の相（不純物相と呼ぶ）と
からなり，且つその仮焼粉全体の成分組成がＢｉ−２２
２３相の結晶の成分組成と実質的に同じであるＢｉ系酸
化物超電導体製造用の仮焼粉。 - 【請求項２】 不純物相はＣａ2ＰｂＯ4 および／また
はＣｕＯを含みＢｉ−２２０１相を含まない請求項１に
記載の仮焼粉。 - 【請求項３】 仮焼粉のＢｉ−２２１２相と不純物相と
の量比は，仮焼粉全体の成分組成がＢｉ−２２２３相の
結晶と同じ成分組成となるようなものである請求項１ま
たは２に記載の仮焼粉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8279888A JPH10101337A (ja) | 1996-10-02 | 1996-10-02 | Ｂｉ系酸化物超電導体製造用の仮焼粉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8279888A JPH10101337A (ja) | 1996-10-02 | 1996-10-02 | Ｂｉ系酸化物超電導体製造用の仮焼粉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10101337A true JPH10101337A (ja) | 1998-04-21 |
Family
ID=17617333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8279888A Pending JPH10101337A (ja) | 1996-10-02 | 1996-10-02 | Ｂｉ系酸化物超電導体製造用の仮焼粉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10101337A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007026773A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導線材およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-10-02 JP JP8279888A patent/JPH10101337A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007026773A (ja) * | 2005-07-13 | 2007-02-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導線材およびその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040316 |
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| A02 | Decision of refusal |
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