JPH10104563A - Ｔｆｔ基板の検査方法、検査装置および検査装置の制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＴＦＴ基板に透明基板を貼り合せ液晶を注入
する前のＴＦＴ基板の状態での検査が可能な検査方法、
検査装置および検査装置の制御方法を提供すること。 【解決手段】 ＴＦＴ基板１の画素電極１０に対して微
小間隔をおいて対向配置される複数の対向電極２０と、
ＴＦＴ基板１の駆動による各画素電極１０の電位の変化
に応じた複数の対向電極２０の電荷の変化量を検出する
ための電荷検出部３７とを含む検査モジュール２と、検
出された複数の電荷の変化量を連続的に読出して各画素
電極の良否を判定するためのデータ処理部６とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＦＴ液晶パネル
を検査するための検査方法、検査装置および検査装置の
制御方法に関し、特に、液晶を注入する前のＴＦＴ基板
を検査するための検査方法、検査装置および検査装置の
制御方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶ディスプレイパネルは、パー
ソナルコンピュータ、ワードプロセッサあるいは液晶テ
レビ等に使用され、その需要は急速に高まっている。そ
れに伴って、液晶ディスプレイパネルを低コストでしか
も短時間で検査できる検査装置に対する要望も高まって
いる。

【０００３】薄膜トランジスタを用いたＴＦＴ（Thin F
ilm Transistor）液晶ディスプレイパネルは、ＴＦＴ基
板を製造後、ＴＦＴ基板上にスペーサを介して透明電極
を形成した透明基板を配置し、ＴＦＴ基板と透明基板と
の間に形成された空間に液晶を注入して製造される。

【０００４】従来は、ＴＦＴ液晶ディスプレイパネルを
検査する方法として、ＴＦＴ基板に透明基板を貼り合
せ、液晶を注入してＴＦＴ液晶ディスプレイパネルが完
成した後に、ＴＦＴ液晶ディスプレイパネル全体を点灯
させたり、特定パターンを表示して各画素の光のオンオ
フを目視または画像処理によって判断する方法が一般的
であった。

【０００５】しかし、この検査方法では、不良パネルに
対してもＴＦＴ基板に透明基板を貼り合せて液晶を注入
しなければならず、コストが大幅にかかるため、ＴＦＴ
基板の状態で検査する方法が種々開発されている。

【０００６】その１つとして、各画素電極を駆動したと
きの補助容量線Ｃｓの電位を測定することによって各画
素電極の良否を判定する方法がある。

【０００７】また、特開平５−２４０８００号公報に開
示された発明は、電気光学素子を用いる方法をとってお
り、ＴＦＴ液晶ディスプレイパネル基板を駆動し、画素
電極の電位を電気光学素子を通して測定することによっ
て各画素電極の検査が行なわれる。

【０００８】さらには、特開平６−２７４９４号公報に
開示された発明は、画素電極に対して非接触でプローブ
を配置し、画素電極とプローブ間の静電容量を介して電
位の変化を検出することによって各画素電極の良否を判
定している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述した、各画素電極
を駆動させ、Ｃｓの電位を測定する方法では、ゲート配
線、ソース配線を電気的に短絡しているショートリング
を分断し、各ゲート配線、各ソース配線ごとに信号を入
力する必要がある。ショートリングはＴＦＴ基板の静電
破壊を予防するために設けられているものであり、分断
してしまうと検査後の工程においてＴＦＴ基板が静電破
壊によって不良となるおそれがある。したがって、ショ
ートリングを残したまま検査できることが望ましい。

【００１０】特開平５−２４０８００号公報の場合、検
査対象となる液晶ディスプレイ基板の上面に微小間隔を
おいて対向配置された反射型の液晶の点灯輝度をＣＣＤ
カメラによって撮像することによって各画素電極の電位
を測定するが、反射型の液晶を用いることによって誤差
要因が増加する、反射型の液晶の表面に傷がつきやすい
等の欠点がある。また、画素電極に加える電圧を大きく
しないと検査しにくいため、実際に使用するのに近い条
件で検査することができないという問題点もある。

【００１１】特開平６−２７４９４号公報の場合、各画
素電極にプローブを非接触で配置し、それぞれの画素電
極とプローブ間の電位の変化を測定しており、ＴＦＴ液
晶ディスプレイの高精細化に伴う画素数の増加により、
検査時間が莫大になってしまうという問題点がある。

【００１２】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであり、請求項１〜３に記載の発明の目的
は、ＴＦＴ基板に透明基板を貼り合せて液晶を注入する
前のＴＦＴ基板の状態で検査が可能であり、検査精度が
高く、検査時間の短縮化が可能な検査方法を提供するこ
とである。

【００１３】請求項４〜１０に記載の発明の目的は、Ｔ
ＦＴ基板に透明基板を貼り合せて液晶を注入する前のＴ
ＦＴ基板の状態で検査が可能であり、検査精度が高く、
検査時間の短縮化が可能な検査装置を提供することであ
る。

【００１４】請求項１１または１２に記載の発明の目的
は、検査の精度を高くすることが可能なＴＦＴ基板の検
査装置の制御方法を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載のＴＦＴ
基板の検査方法は、対向電極をＴＦＴ基板の画素電極に
対して微小間隔をおいて対向配置させるステップと、Ｔ
ＦＴ基板の駆動による画素電極の電位の変化に応じた対
向電極の電荷の変化量を検出するステップとを含む。

【００１６】ＴＦＴ基板の駆動による画素電極の電位の
変化に応じた対向電極の電荷の変化量を検出するため、
ＴＦＴ基板に透明基板を貼り合せて液晶を注入する前の
ＴＦＴ基板の状態での検査が可能となる。

【００１７】請求項２に記載のＴＦＴ基板の検査方法
は、複数の対向電極をＴＦＴ基板の画素電極に対して微
小間隔をおいて対向配置させるステップと、ＴＦＴ基板
の駆動による各画素電極の電位の変化に応じた複数の対
向電極の電荷の変化量を検出するステップと、検出され
た複数の電荷の変化量を連続的に読出して各画素電極の
良否を判定するステップとを含む。

【００１８】ＴＦＴ基板の駆動による各画素電極の電位
の変化に応じた複数の対向電極の電荷の変化量を連続的
に読出すので、ＴＦＴ基板に透明基板を貼り合せて液晶
を注入する前のＴＦＴ基板の状態での検査が可能であ
り、検査精度が高く、検査時間の短縮化が可能となる。

【００１９】請求項３に記載のＴＦＴ基板の検査方法
は、請求項２記載のＴＦＴ基板の検査方法であって、複
数の対向電極の電荷の変化量を検出するステップは、複
数の対向電極に第１の所定の電位を与えるステップと、
各画素電極の電位を第２の所定の電位に変化させるステ
ップと、複数の対向電極の電荷の変化量を検出するステ
ップとを含む。

【００２０】請求項４に記載のＴＦＴ基板の検査装置
は、ＴＦＴ基板の画素電極に対して微小間隔をおいて対
向配置される対向電極と、ＴＦＴ基板の駆動による画素
電極の電位の変化に応じた対向電極の電荷の変化量を検
出するための検出手段とを含む。

【００２１】検査手段は、ＴＦＴ基板の駆動による画素
電極の電位の変化に応じた対向電極の電荷の変化量を検
出するので、ＴＦＴ基板に透明基板を貼り合せて液晶を
注入する前のＴＦＴ基板の状態での検査が可能となる。

【００２２】請求項５に記載のＴＦＴ基板の検査装置
は、ＴＦＴ基板の画素電極に対して微小間隔をおいて対
向配置される複数の対向電極と、ＴＦＴ基板の駆動によ
る各画素電極の電位の変化に応じた複数の対向電極の電
荷の変化量を検出するための検出手段と、検出手段によ
って検出された複数の電荷の変化量を連続的に読出して
各画素電極の良否を判定するためのデータ処理手段とを
含む。

【００２３】データ処理手段は、検出された複数の電荷
の変化量を連続的に読出して各画素電極の良否を判定す
るので、ＴＦＴ基板に透明基板を貼り合せて液晶を注入
する前のＴＦＴ基板の状態での検査が可能となり、検査
精度が高く、検査時間の短縮化が可能となる。

【００２４】請求項６に記載のＴＦＴ基板の検査装置
は、請求項５記載のＴＦＴ基板の検査装置であって、複
数の対向電極は１次元に配列されてなる。

【００２５】１次元に配列されてなる対向電極を一方向
に移動しながら検査することにより、検査時間の短縮化
を図っている。

【００２６】請求項７に記載のＴＦＴ基板の検査装置
は、請求項５記載のＴＦＴ基板の検査装置であって、複
数の対向電極は２次元に配列されてなる。

【００２７】２次元に配列されてなる複数の対向電極の
全体の大きさをＴＦＴ基板の画素電極の全体の大きさよ
りも大きくすることによって、移動せずに一度に検査が
可能となる。

【００２８】請求項８に記載のＴＦＴ基板の検査装置
は、請求項５〜７のいずれかに記載のＴＦＴ基板の検査
装置であって、複数の対向電極の各々が画素電極の１つ
に対応する。

【００２９】請求項９に記載のＴＦＴ基板の検査装置
は、請求項５〜７のいずれかに記載のＴＦＴ基板の検査
装置であって、複数の対向電極の複数個が画素電極の１
つに対応する。

【００３０】複数の対向電極の中の複数個が画素電極の
１つに対応するため、対向電極の複数個の電荷の変化量
を総合的に判定することによって、より検査精度が高し
ている。

【００３１】請求項１０に記載のＴＦＴ基板の検査装置
は、請求項５〜９のいずれかに記載のＴＦＴ基板の検査
装置であって、検出手段は、複数の対向電極のそれぞれ
と所定電圧との間のスイッチングを行なうための第１の
スイッチング手段と、電荷の変化量を検出するための電
荷変化量検出手段と、複数の対向電極のそれぞれと電荷
変化量検出手段との間のスイッチングを行なうための第
２のスイッチング手段とを含む。

【００３２】請求項１１記載の発明は、ＴＦＴ基板の画
素電極に対して微小間隔をおいて対向配置させる複数の
対向電極と、複数の対向電極のそれぞれと所定電圧との
間のスイッチングを行なうための第１のスイッチング手
段と、電荷の変化量を検出するための電荷変化量検出手
段と、複数の対向電極のそれぞれと電荷変化量検出手段
との間のスイッチングを行なうための第２のスイッチン
グ手段とを含むＴＦＴ基板の検査装置の制御方法であっ
て、第２のスイッチング手段をオフするためのステップ
と、第１のスイッチング手段をオンした後オフするため
のステップと、ＴＦＴ基板を駆動して画素電極の電位を
変化させるためのステップと、第２のスイッチング手段
をオンするためのステップと、電荷変化量検出手段が対
向電極の電荷の変化量を検出するためのステップとを含
む。

【００３３】第２のスイッチング手段をオフし、第１の
スイッチング手段をオンした後オフすることによって対
向電極の電位を所定の電位とし、画素電極の電位の変化
に応じた対向電極の電荷の変化量を検出することによっ
て、検査精度を高くしている。

【００３４】請求項１２に記載のＴＦＴ基板の検査装置
の制御方法は、請求項１１記載のＴＦＴ基板の検査装置
の制御方法であって、対向電極の電荷変化量検出手段に
対する電位はその絶対値が所定値以上の負の値である。

【００３５】対向電極の電荷変化量検出手段に対する電
位を負の値にすることよって、常に対向電極から電子が
送出されるようになる。したがって対向電極からの電荷
を正しく転送することが可能となる。

【００３６】

【発明の実施の形態】

［実施の形態１］本発明の実施の形態１として、検査モ
ジュールの対向電極が２次元に配列された２次元エリア
センサである場合について図面を参照しながら以下に説
明する。

【００３７】（検査装置全体のシステム構成）図１は、
本発明の実施の形態１における検査装置の主要部および
検査対象となるＴＦＴ基板の概略構成図である。検査装
置は、複数の対向電極２０、電荷結合素子３０、シフト
ゲート３５および電荷検出部３７を含む検査モジュール
２と、リセット雑音を抑制するためのＣＤＳ（相関二重
サンプリング）４とＡ／Ｄ変換器５と、データ処理部６
とを含む。

【００３８】検査モジュール２の対向電極２０は、検査
対象であるＴＦＴ基板１の上面に配置された画素電極１
０との間に微小間隔を置いて対向配置される。検査モジ
ュール２の下面に配置された複数の対向電極２０は、そ
れぞれの対向電極２０に対応する画素電極１０の電位の
変化によって生じた対向電極２０上の電荷の変化量が電
荷結合素子３０を介して転送され、電荷検出部３７によ
って連続信号として出力される。検査モジュール２の動
作および動作原理の詳細な説明は後述する。

【００３９】検査モジュール２からの出力信号は、ＣＤ
Ｓ４によってリセット雑音を抑制される。そして、ＣＤ
Ｓ４から出力された信号は、Ａ／Ｄ変換器５によってデ
ジタル信号に変換され、各対向電極２０からの電荷の出
力量が検出される。データ処理部６は、Ａ／Ｄ変換器５
からの出力信号を読出すことによって、各対向電極２０
に対応する画素電極１０の電位の変化量に換算し、２次
元データ処理を行なうことによって各画素電極１０の動
作の検査を行なう。

【００４０】（検査対象、検査工程）図２は、本発明の
実施の形態１における検査装置で検査されるＴＦＴ基板
１の拡大図を示している。液晶表示パネルに使用される
ＴＦＴ基板１は、図２に示すように走査線として機能す
るゲート配線１１が複数本平行に形成され、それらのゲ
ート配線１１と直交するように信号線として機能するソ
ース配線１２が複数本平行に形成される。両配線１１、
１２が交差する位置の近傍には薄膜トランジスタ１３が
形成され、この薄膜トランジスタ１３には画素電極１０
が接続されている。

【００４１】本発明の実施の形態１における検査装置
は、画素電極１０の電位の変化に対応する対向電極２０
の電荷の変化量を測定し、その値によって検査を行な
う。ＴＦＴ基板１の配線、画素電極および薄膜トランジ
スタの構造はいずれも種々の構造が知られているが、い
ずれの種類の構造であっても本発明の実施の形態１にお
ける検査装置で検査することが可能である。

【００４２】また検査を行なう工程についても、ＴＦＴ
基板１に薄膜トランジスタ１３および画素電極１０が形
成されており、薄膜トランジスタ１３が動作する状態で
あれば、ガラス基板と貼り合せるまでのどの工程であっ
ても検査を行なうことが可能である。

【００４３】図２におけるショートリング１４、１５
は、それぞれゲート配線１１、ソース配線１２を電気的
に接続するものであり、ＴＦＴ基板１に悪影響を及ぼす
静電気を防止するために設けられている。これらのショ
ートリング１４と１５とは、ＴＦＴ基板１の製造段階で
は形成されているものの、ＴＦＴ基板１の製造後にＴＦ
Ｔ基板１と反対側の透明基板を貼り合せて、液晶を注入
して液晶表示パネルを製造する後工程の段階において切
断除去されるものである。

【００４４】本発明の実施の形態１における検査装置
は、液晶表示パネルを組立てた後の点灯検査と電気的に
ほぼ同じ条件で検査するため、液晶表示パネルの組立後
の点灯検査と同様に、実装ドライバを用いて液晶表示パ
ネルと同じ点灯条件でパネルを駆動することによっても
検査が行なえる。また、ショートリング１４と１５とが
残っている状態であっても、特開平６−８２８３６号公
報に開示された駆動方法でパネルを駆動することによっ
ても検査が行なえる。

【００４５】（検査モジュールの基本構成）次に、検査
モジュール２の電気的な特性について説明する。

【００４６】図３は、検査モジュール２の対向電極２０
から電荷結合素子３０に電荷を転送する回路を示す図で
ある。図３に示す回路を対向電極部と呼ぶことにする。

【００４７】各対向電極部は、対向電極２０、対向電極
の電圧設定用配線（対向電圧設定用配線）４０、対向電
極の電圧設定用回路（対向電圧設定用ＭＯＳＦＥＴ（Me
talOxide Semiconductor Field Effect Transistor
））４１、シフトゲート３５、および電荷結合素子３
０を含む。対向電極２０と、対向配置されたＴＦＴ基板
１の画素電極１０との間に容量成分が形成される。この
対向電極２０と画素電極１０との間で形成されたコンデ
ンサを介して検査が行なわれる。なお、容量成分とし
て、空気等の気体または水、アルコールもしくは液晶等
の液体または絶縁シート等の固体を用いることができ
る。検査素子２を移動させながら検査を行なう場合に、
容量成分として空気層を用いることが考えられる。この
場合、画素電極１０と対向電極２０との間の静電容量を
液晶パネル組立後の状態と同じにしようとすると、液晶
の比誘電率が空気より数倍大きいため、画素電極１０と
対向電極２０との間隔を液晶パネル組立後の間隔の数分
の１にする必要があり、検査モジュール２の位置制御が
非常に難しくなる。そのため、検査モジュール２の位置
制御が可能な程度に間隔を広げ、その分だけ静電容量が
小さくなった状態で検査を行なう方が望ましい。また、
空気層の代わりに液晶より比誘電率の大きな液体層を用
いて、その分だけ画素電極１０と対向電極２０との間隔
を広げることも可能である。

【００４８】対向電極２０は、対向電圧設定用配線４０
とスイッチング素子を介して接続されている。本実施の
形態では、スイッチング素子として対向電圧設定用ＭＯ
ＳＦＥＴ４１を用いるが、他のスイッチング素子であっ
てもよい。対向電圧設定用ＭＯＳＦＥＴ４１がオンにな
ると、対向電極２０は対向電圧設定用配線４０と同じ電
位になる。つまり、対向電圧設定用配線４０に、対向電
圧２０の電位として設定したい電位の信号を入力してお
くと、対向電圧設定用ＭＯＳＦＥＴ４１をオンにするこ
とによって、対向電極２０の電位を自由に設定すること
ができる。

【００４９】対向電極２０と電荷結合素子３０とは、シ
フトゲート３５を介して接続されている。シフトゲート
３５がオンになると、対向電極２０と電荷結合素子３０
との電位差に応じた電荷が電荷結合素子３０へ送出され
る。この送出された電荷は、電荷結合素子３０によって
順次転送され、電荷検出部３７より連続信号として出力
される。対向電圧設定用ＭＯＳＦＥＴ４１とシフトゲー
ト３５とがともにオフのときには、対向電極２０上の電
荷は一定に保たれる。そのため画素電極１０の電位が変
化すると、その変化量の分だけ対向電極２０の電位も変
化する。

【００５０】なお、図４に示すように、対向電圧設定用
配線４０と対向電圧設定用ＭＯＳＦＥＴ４１との機能
を、電荷結合素子３０とシフトゲート３５とが併せ持つ
ことによって、対向電圧設定用配線４０と対向電圧設定
用ＭＯＳＦＥＴ４１とを省略することも可能である。

【００５１】（検査素子下面の概略構成）図５は、検査
モジュール２が２次元エリアセンサである場合の検査モ
ジュール２の下面のセンサ部３の概略構成を示す。検査
モジュールセンサ部３は、対向電極２０、電荷結合素子
３０、垂直転送部３１、水平転送部３２、シフトゲート
３５、電荷検出部３７、対向電圧設定用配線４０、およ
び対向電圧設定用ＭＯＳＦＥＴ４１を含む。

【００５２】対向電圧設定用配線４０と電荷結合素子の
垂直転送部３１とが複数本平行に形成されている。ま
た、対向電圧設定用配線４０と垂直転送部３１とは、図
５に示すように交互に並んでおり、その間には複数の対
向電極２０が並んでいる。それぞれの対向電極２０は、
対向電圧設定用ＭＯＳＦＥＴ４１を介して対向電圧設定
用配線４０と接続されており、さらにシフトゲート３５
を介して垂直転送部３１と接続されている。

【００５３】対向電圧設定用配線４０は、すべて電気的
に接続されており、等しい電位に保たれている。垂直転
送部３１は、電荷結合素子の水平転送部３２に接続され
ており、電荷は対向電極２０から垂直転送部３１と水平
転送部３２とを介して転送され、その電荷量は電荷検出
部３７によって検出される。

【００５４】（画素と対向電極との対応）図６は、画素
電極１０と対向電極２０との対応関係を表わす図であ
る。（ａ）は、画素電極１０の中の１つが対向電極２０
の複数に対応している。１つの画素電極１０に対応する
複数の対向電極２０から得られた値を総合して、対応す
る画素電極１０の電位の変化量を計算によって求める。
また、（ｂ）は、画素電極１０と対向電極２０とが１対
１に対応しており、各対向電極２０から得られた値によ
って対応する画素電極１０の電位の変化量が求まる。本
実施の形態によれば、（ａ）または（ｂ）のいずれの場
合でも検査を行なうことができる。

【００５５】（検査原理）図７を参照しながら、画素電
極１０の電位が変化したときの電荷の変化量を測定する
方法について説明する。ここで、画素電極１０と対向電
極２０との間に形成されたコンデンサの静電容量をＣと
する。また、測定の間は、対向電圧設定用配線４０は電
位Ｖｃ０で一定に保たれており、電荷結合素子３０は電
位Ｖｃ２で一定に保たれているものとする。

【００５６】まず、（ａ）に示すように、対向電圧設定
用ＭＯＳＦＥＴ４１をオンにし、シフトゲート３５をオ
フにしておく。このとき、対向電極２０の電位は対向電
圧設定用配線４０の電位Ｖｃ０と等しくなる。

【００５７】次に、（ｂ）に示すように、対向電圧設定
用ＭＯＳＦＥＴ４１をオフにする。このときの画素電極
１０の電位をＶｄ０とする。

【００５８】（ｃ）は、画素電極１０の電位がＶｄ０か
らＶｄ１に変化した状態を示している。対向電極設定用
ＭＯＳＦＥＴ４１とシフトゲート３５とがともにオフで
あるので、対向電極２０上の電荷の量が一定に保持され
る。このため、画素電極１０と対向電極２０との間の電
位差は一定に保たれる。画素電極１０の電位がＶｄ０か
らＶｄ１に変化すると、対向電極２０の電位は次式のよ
うに変化する。

【００５９】 Ｖｃ１＝Ｖｃ０＋（Ｖｄ１−Ｖｄ０） …（１） 次に、（ｄ）に示すように、シフトゲート３５をオンに
する。対向電極２０の電位が電荷結合素子３０の電位Ｖ
ｃ２に等しくなるため、（２）式に示す電荷が電荷結合
素子３０に送出される。

【００６０】 Ｑ＝Ｃ（Ｖｃ１−Ｖｃ２）＝Ｃ（Ｖｃ０−Ｖｃ２＋Ｖｄ１−Ｖｄ０）…（２） このとき、ＴＦＴ基板１上の画素の薄膜トランジスタ１
３がオフになっていると、画素電極１０上の電荷の量が
一定に保持されているので、画素電極１０の電位は
（３）式に示す値に変化している。

【００６１】 Ｖｄ２＝Ｖｄ１＋（Ｖｃ２−Ｖｃ１） 以上の過程により、（ｂ）で対向電圧設定用ＭＯＳＦＥＴ４１をオフにしてか ら、（ｄ）でシフトゲートをオンにするまでの間に、画素電極１０の電位が変化 した量（Ｖｄ１−Ｖｄ０）に応じた電荷が対向電極２０から電荷結合素子３０へ と送出される。 …（３） 次に、（ｅ）に示すように、対向電極設定用ＭＯＳＦＥ
Ｔ４１とシフトゲート３５とをともにオフにする。この
とき、電荷結合素子３０において各対向電極２０の電荷
が順次転送される。転送された電荷は電荷検出部３７か
ら連続信号として出力され、ＣＤＳ４によりリセット雑
音が抑圧され、Ａ／Ｄ変換器５によりデジタル信号に変
換される。そして、各対向電極２０ごとの電荷の流出量
Ｑが次式によって求められる。

【００６２】 Ｑ＝Ｃ（Ｖｃ１−Ｖｃ２）＝Ｃ（Ｖｃ０−Ｖｃ２＋Ｖｄ１−Ｖｄ０）…（４） したがって、画素電極の電位の変化量は次式のようにな
る。

【００６３】 Ｖｄ１−Ｖｄ０＝Ｑ／Ｃ＋（Ｖｃ２−Ｖｃ０） …（５） Ｑ，Ｃ，Ｖｃ２およびＶｃ０の値は既知であるから、電
位の変化量は計算によって求めることができる。データ
処理部６において、対向電極２０に対応する画素電極１
０の電位の変化量を計算によって求め、正常な場合の値
と比較することにより、良否の判定を行なう。なお、電
荷結合素子３０は、電荷として電子しか転送することが
できないため、Ｑが負の値をとるようにＶｃ０とＶｃ２
との値を設定する必要がある。すなわち、 Ｑ＝Ｃ（Ｖｃ１−Ｖｃ２）＝Ｃ（Ｖｃ０−Ｖｃ２＋Ｖｄ１−Ｖｄ０）＜０ …（６） であるから、 Ｖｃ０−Ｖｃ２＜Ｖｄ０−Ｖｄ１ …（７） を常に満たすように、Ｖｄ０とＶｄ１との変化の範囲を
考慮した上で、対向電極設定用配線４０と電荷結合素子
３０との電位を設定する。

【００６４】（駆動方法および検査結果）次に、実際に
ＴＦＴ基板および検査モジュールを駆動して各画素の検
査を行なう場合の検査方法の詳細について説明する。

【００６５】図８および図９を用いて、ＴＦＴ基板１お
よび検査モジュール２の駆動信号の変化と画素電極１０
および対向電極２０の電位の変化とを説明する。図８に
示すＴＦＴ基板１の駆動信号は、ＴＦＴ基板１のゲート
信号Ｖｇ（ｔ）がハイレベルとなる直前にソース信号Ｖ
ｓ（ｔ）の電圧が変化しており、この駆動方法ではオン
不良のみが欠陥として検出される。また、図９に示すＴ
ＦＴ基板１の駆動信号は、ＴＦＴ基板１のゲート信号Ｖ
ｇ（ｔ）がハイレベルとなる直後にソース信号Ｖｓ
（ｔ）の電圧が変化しており、この駆動方法ではオン不
良およびオフ不良ともに欠陥として検出される。

【００６６】このようにＴＦＴ基板１を駆動する複数の
信号を用いることによって、欠陥の種類も判定すること
ができる。本実施の形態における検査装置では、ＴＦＴ
基板１をＴＦＴ液晶ディスプレイパネルと電気的にほぼ
等価な状態で検査を行なうため、欠陥を検出するための
駆動信号としてＴＦＴ液晶ディスプレイパネルの検査用
の信号をそのまま用いることができる。ＴＦＴ液晶ディ
スプレイパネルの検査用の駆動信号および検査の方法と
しては、特開平６−８２８３６号公報に開示された方法
が適用できる。

【００６７】まず、図８を用いて説明する。（ａ）は、
ＴＦＴ基板１のゲート配線１１およびソース配線１２の
駆動信号Ｖｇ（ｔ）とＶｓ（ｔ）との信号の変化を示
す。ゲート信号Ｖｇ（ｔ）は一定の周期でハイレベルと
ロウレベルを繰返す。ゲート信号Ｖｇ（ｔ）がハイレベ
ルのとき、薄膜トランジスタ１３がオンになり、ソース
配線１２の電位Ｖｓ（ｔ）が画素電極１０に書込まれ
る。ゲート信号Ｖｇ（ｔ）の立上がり直前にソース信号
Ｖｓ（ｔ）の電位が変化する。

【００６８】（ｂ）は、対向電圧設定用ＭＯＳＦＥＴ４
１のゲート電極４４（図３参照）に入力される駆動信号
Ｖｓ１（ｔ）を示す。駆動信号Ｖｓ１（ｔ）がハイレベ
ルのときに、対向電圧設定用ＭＯＳＦＥＴ４１がオンと
なり、対向電極２０の電位はＶｃ０となる。

【００６９】（ｃ）は、シフトゲート電極３６（図３参
照）に入力される駆動信号Ｖｓ２（ｔ）を示す。駆動信
号Ｖｓ２（ｔ）がハイレベルになると、シフトゲート３
５がオンとなり、対向電極２０と電荷結合素子３０の電
位差に応じた量の電荷が、対向電極２０から電荷結合素
子３０へ送出される。

【００７０】（ｄ）および（ｅ）は画素電極１０が正常
に動作している場合の画素電極１０の電位Ｖｄ（ｔ）お
よび対向電極２０の電位Ｖｃ（ｔ）の変化を示す。ま
た、（ｆ）および（ｇ）は電極１０がオン不良の場合の
画素電極１０の電位Ｖｄ（ｔ）および対向電極２０の電
位Ｖｃ（ｔ）の変化を示す。さらに、（ｈ）および
（ｉ）は画素電極１０がオフ不良の場合の画素電極１０
の電位Ｖｄ（ｔ）および対向電極２０の電位Ｖｃ（ｔ）
の変化を示す。実施の形態１における検査装置は、他の
種類の点欠陥や線欠陥なども検出することができるが、
一例として画素電極１０のオン不良とオフ不良との２種
類の欠陥について説明する。

【００７１】まず、ゲート信号Ｖｇ（ｔ）の１回目の立
上がりの直前にＶｓ１（ｔ）をハイレベルにする。ゲー
ト信号Ｖｇ（ｔ）がハイレベルになることにより画素電
極１０にソース信号の電位Ｖｓ（ｔ）＝＋Ｖｓが書込ま
れ、Ｖｄ（ｔ）＝＋Ｖｓとなる。このとき、対向電極２
０の電位はＶｃ０に保持される。

【００７２】ゲート信号Ｖｇ（ｔ）の２回目の立上がり
の直前に、Ｖｓ１（ｔ）をロウレベルにし、ゲート信号
Ｖｇ（ｔ）の２回目の立下がりの直後に、シフトゲート
電極３６に入力される駆動信号Ｖｓ２（ｔ）をハイレベ
ルにする。Ｖｓ１（ｔ）をロウレベルにしてから、Ｖｓ
２（ｔ）をハイレベルにするまでの間に変化した画素電
極１０の電位の変化量に応じた電荷が電荷結合素子３０
に送出される。

【００７３】ゲート信号Ｖｇ（ｔ）がハイレベルになる
ことにより、画素電極１０にソース信号の電位Ｖｓ
（ｔ）＝−Ｖｓが書込まれ、画素電極１０の電位はＶｄ
（ｔ）＝−Ｖｓに変化する。画素電極１０が正常な場合
には、（ｄ）に示すように画素電極１０の電位の変化量
は−２Ｖｓであり、次式に示す量の電子が電荷結合素子
３０に送出される。

【００７４】 −Ｑ＝−ＣΔＶ１＝Ｃ（Ｖｃ０＋Ｖｃ２−２Ｖｓ） …（８） 画素電極１０がオン不良の場合には、（ｆ）に示すよう
に、画素電極１０の電位の電荷量は−２Ｖｓを下回るた
め、電荷結合素子３０に送出される電子−Ｑが少なくな
り、（ｇ）に示すようにΔＶ１′がΔＶ１より小さくな
る。画素電極１０がオフ不良の場合には、（ｈ）に示す
ように、画素電極１０の電位の変化量はほぼ−２Ｖｓと
なるため画素電極１０が欠陥として検出されない。

【００７５】以上のように１回目の測定が行なわれる
が、次にソース信号の位相が１８０°ずれた位置で２回
目の測定が以下のように行なわれる。

【００７６】ゲート信号Ｖｇ（ｔ）の４回目の立上がり
の直前に、Ｖｓ１（ｔ）をハイレベルにする。

【００７７】ゲート信号Ｖｇ（ｔ）がハイレベルになる
ことにより画素電極１０にソース信号の電位Ｖｓ（ｔ）
＝−Ｖｓが書込まれ、Ｖｄ（ｔ）＝−Ｖｓとなる。この
とき、対向電極２０の電位はＶｃ０に保持される。

【００７８】ゲート信号Ｖｇの５回目の立上がりの直前
に、Ｖｓ１（ｔ）をロウレベルにし、ゲート信号Ｖｇ
（ｔ）の５回目の立下がりの直後に、シフトゲート電極
３６に入力される駆動信号Ｖｓ２（ｔ）をハイレベルに
する。Ｖｓ１（ｔ）をロウレベルにしてから、Ｖｓ２
（ｔ）をハイレベルにするまでの間に変化した画素電極
１０の電位の変化量に応じた電荷が電荷結合素子３０に
送出される。

【００７９】ゲート信号Ｖｇ（ｔ）がハイレベルになる
ことにより、画素電極１０にソース信号の電位Ｖｓ
（ｔ）＝＋Ｖｓが書込まれ、画素電極１０の電位はＶｄ
（ｔ）＝＋Ｖｓに変化する。画素電極１０が正常な場合
には、（ｄ）に示すように画素電極１０の電位の変化量
は＋２Ｖｓであり、次式に示す量の電子が電荷結合素子
３０に送出される。

【００８０】 −Ｑ＝−ＣΔＶ２＝Ｃ（Ｖｃ０＋Ｖｃ２＋２Ｖｓ） …（９） 画素電極１０がオン不良の場合には、（ｆ）に示すよう
に、画素電極１０の電位の変化量は＋２Ｖｓを下回るた
め、電荷結合素子３０に送出される電子−Ｑが多くな
り、（ｇ）に示すようにΔＶ２′がΔＶ２より大きくな
る。画素電極１０がオフ不良の場合には、（ｈ）に示す
ように、画素電極１０の電位の変化量はほぼ＋２Ｖｓと
なるため、欠陥として検出されない。

【００８１】次に図９を用いて説明する。（ａ）は、Ｔ
ＦＴ基板１のゲート配線１１およびソース配線１２の駆
動信号Ｖｇ（ｔ）とＶｓ（ｔ）との信号の変化を示す。
ゲート信号Ｖｇ（ｔ）は一定の周期でハイレベルとロウ
レベルとを繰返す。ゲート信号Ｖｇ（ｔ）がハイレベル
のとき、薄膜トランジスタ１３がオンになり、ソース配
線１２の電位Ｖｓ（ｔ）が画素電極１０に書込まれる。
ゲート信号Ｖｇ（ｔ）の立下がりの直後にソース信号Ｖ
ｓ（ｔ）の電位が変化する。ソース信号Ｖｓ（ｔ）の電
位は、ゲート信号Ｖｇ（ｔ）がハイレベルとなるごと
に、＋Ｖｓと−Ｖｓとの電位を繰返す。

【００８２】（ｂ）は、対向電圧設定用ＭＯＳＦＥＴ４
１のゲート電極４４に入力される駆動信号Ｖｓ１（ｔ）
を示す。駆動信号Ｖｓ１（ｔ）がハイレベルのときに、
対向電圧設定用ＭＯＳＦＥＴ４１はオンとなり、対向電
極２０の電位はＶｃ０となる。

【００８３】（ｃ）は、シフトゲート電極３６に入力さ
れる駆動信号Ｖｓ２（ｔ）を示す。駆動信号Ｖｓ２
（ｔ）がハイレベルになるとシフトゲート３５がオンと
なり、対向電極２０と電荷結合素子３０の電位差に応じ
た量の電荷が対向電極２０から電荷結合素子３０へ送出
される。

【００８４】（ｄ）および（ｅ）は、画素電極１０が正
常に動作している場合の画素電極１０の電位Ｖｄ（ｔ）
および対向電極２０の電位Ｖｃ（ｔ）の変化を示す。ま
た、（ｆ）および（ｇ）は画素電極１０がオン不良の場
合の画素電極１０の電位Ｖｄ（ｔ）および対向電極２０
の電位Ｖｃ（ｔ）の変化を示す。さらに、（ｈ）および
（ｉ）は画素電極１０がオフ不良の場合の画素電極１０
の電位Ｖｄ（ｔ）および対向電極２０の電位Ｖｃ（ｔ）
の変化を示す。まず、ゲート信号Ｖｇ（ｔ）の１回目の
立上がりの直前にＶｓ１（ｔ）をハイレベルにする。

【００８５】ゲート信号Ｖｇ（ｔ）がハイレベルになる
ことにより画素電極１０にソース信号の電位Ｖｓ（ｔ）
＝＋Ｖｓが書込まれ、Ｖｄ（ｔ）＝＋Ｖｓとなる。この
とき、対向電極２０の電位はＶｃ０に保持される。

【００８６】ゲート信号Ｖｇ（ｔ）の２回目の立上がり
の直前に、Ｖｓ１（ｔ）をロウレベルにし、ゲート信号
Ｖｇ（ｔ）の２回目の立下がりの直後に、シフトゲート
電極３６に入力される駆動信号Ｖｓ２（ｔ）をハイレベ
ルにする。Ｖｓ１（ｔ）をロウレベルにしてからＶｓ２
（ｔ）をハイレベルにするまでの間に変化した画素電極
１０の電位の変化量に応じた電荷が電荷結合素子３０に
送出される。

【００８７】ゲート信号Ｖｇ（ｔ）がハイレベルになる
ことにより、画素電極１０にソース信号の電位Ｖｓ
（ｔ）＝−Ｖｓが書込まれ、画素電極１０の電位はＶｄ
（ｔ）＝−Ｖｓに変化する。画素電極１０が正常な場合
には、（ｄ）に示すように、画素電極１０の電位の変化
量は−２Ｖｓであり、（８）式に示す量の電子が電荷結
合素子３０に送出される。画素電極１０がオン不良の場
合には、（ｆ）に示すように、画素電極１０の電位の変
化量は−２Ｖｓを下回るため、電荷結合素子３０に送出
される電子−Ｑが少なくなり、（ｇ）に示すようにΔＶ
１′がΔＶ１より小さくなる。画素電極１０がオフ不良
の場合には、（ｈ）に示すように、画素電極１０の電位
の変化量は−２Ｖｓを下回るため、電荷結合素子３０に
送出される電子−Ｑが少なくなり、（ｉ）に示すように
ΔＶ１″がΔＶ１より小さくなる。

【００８８】以上のようにして１回目の測定が行なわれ
るが、次にソース信号の位相が１８０°ずれた位置で２
回目の測定を以下のように行なう。

【００８９】ゲート信号Ｖｇ（ｔ）の４回目の立上がり
の直前に、Ｖｓ１（ｔ）をハイレベルにする。

【００９０】ゲート信号Ｖｇ（ｔ）がハイレベルになる
ことにより画素電極１０にソース信号の電位Ｖｓ（ｔ）
−Ｖｓが書込まれ、Ｖｄ（ｔ）＝−Ｖｓとなる。このと
き、対向電極２０の電位はＶｃ０に保持される。

【００９１】ゲート信号Ｖｇ（ｔ）の５回目の立上がり
の直前に、Ｖｓ１（ｔ）をロウレベルにし、ゲート信号
Ｖｇ（ｔ）の５回目の立下がりの直後に、シフトゲート
電極３６に入力される駆動信号Ｖｓ２（ｔ）をハイレベ
ルにする。Ｖｓ１（ｔ）をロウレベルにしてから、Ｖｓ
２（ｔ）をハイレベルにするまでの間に変化した画素電
極１０の電位の変化量に応じた電荷が電荷結合素子３０
に送出される。

【００９２】ゲート信号Ｖｇ（ｔ）がハイレベルになる
ことにより、画素電極１０にソース信号の電位Ｖｓ
（ｔ）＝＋Ｖｓが書込まれ、画素電極１０の電位はＶｄ
（ｔ）＝＋Ｖｓに変化する。画素電極１０が正常な場合
には、（ｄ）に示すように画素電極１０の電位の変化量
は＋２Ｖｓであり、（９）式に示す量の電子が電荷結合
素子３０に送出される。画素電極１０がオン不良の場合
には、（ｆ）に示すように、画素電極１０の電位の変化
量は＋２Ｖｓを下回るため、電荷結合素子３０に送出さ
れる電子−Ｑが多くなり、（ｇ）に示すようにΔＶ２′
がΔＶ２より大きくなる。画素電極１０がオフ不良の場
合には、（ｈ）に示すように、画素電極１０の電位の変
化量は＋２Ｖｓを下回るため、電荷結合素子３０に送出
される電子−Ｑが多くなり、（ｉ）に示すようにΔＶ
２″がΔＶ２より大きくなる。

【００９３】以上のようにして、２回目の測定が行なわ
れる。このように、ソース信号の位相を１８０°ずらし
た位置で２回検査を行なうことによって、より正確に検
査を行なうことができる。

【００９４】（検査素子の半導体構造）図１０は、本実
施の形態における検査モジュールの対向電極部の断面構
造の一例を示している。検査モジュール２の対向電極部
は、対向電極電荷蓄積層２１、信号電荷転送層３３、転
送ゲート電極３４、シフトゲート３５、シフトゲート電
極３６、対向電圧設定用配線４０、対向電圧設定用ソー
ス４２、対向電圧設定用ゲート４３、対向電圧設定用ゲ
ート電極４４、チャネルストッパ５２、絶縁膜５３、お
よびパッシベーション膜５４を含む。これらは、ｎ型基
板５０の上にｐ型ウェル５１が形成されたシリコン基板
上に形成される。対向電極として機能する対向電極電荷
蓄積層２１は、ｎ型半導体層で構成されており、ｐ型半
導体層３５、４３および５１と絶縁膜５３とで囲まれて
いる。画素電極１０と対向配置された状態で容量成分を
介して検査を行なうため、検査時には対向電極電荷蓄積
層２１と画素電極１０との間にコンデンサが形成され
る。

【００９５】対向電圧設定用配線４０および対向電圧設
定用ＭＯＳＦＥＴ４１は、対向電極電荷蓄積層２１の隣
に形成されている。対向電圧設定用ＭＯＳＦＥＴ４１
は、対向電圧設定用ソース４２、対向電圧設定用ゲート
４３、ドレインである対向電極電荷蓄積層２１およびゲ
ート電極４４で構成される。

【００９６】シフトゲート３５は、ソースとして機能す
る対向電極電荷蓄積層２１、シフトゲート用ゲート３
８、ドレインとして機能する信号電荷転送層３３および
シフトゲート電極３６から構成され、対向電極電荷蓄積
層２１の隣に形成される。電荷結合素子３０は、信号電
荷転送層３３および転送ゲート電極３４から構成され
る。電荷結合素子３０に送出された電子を順次転送して
いくために転送ゲート電極３４は適切なタイミング信号
で駆動される。検査モジュール基板の表面はパッシベー
ション膜５４によって覆われている。

【００９７】また、検査モジュール２の対向電極部の構
造として、図１１または図１２に示すものを用いてもよ
い。図１１および図１２はともに、（ａ）が対向電極部
の断面構造を、（ｂ）が表面の電極の構造を示してい
る。図１１に示す対向電極部の構造は、対向電極２０が
検査モジュール２の表面に形成されている以外は図１０
に示す対向電極の構造と同じであるので、詳細な説明は
繰返さない。また、図１２に示す対向電極部の構造は、
対向電極２０と対向電圧設定用配線４０とが検査モジュ
ール２の表面に形成されている以外は図１０に示す対向
電極の構造と同じであるので、詳細な説明は繰返さな
い。対向電極２０は、対向電極電荷蓄積層２１と電気的
に接続した構造となっているが、図１１と図１２とでは
対向電極２０の表面積が異なっている。

【００９８】図１１に示す構造では、図１２に示す構造
の場合よりも対向電極２０の表面積が広くなっている。
このため、画素電極１０と対向電極２０との間に形成さ
れるコンデンサの対向電極２０側から見た静電容量を大
きくとることができる。図１２に示す構造では、対向電
圧設定用配線４０が検査モジュール２の表面に広がって
おり、対向電極２０の表面積が狭くなっている。このた
め、画素電極１０と対向電極２０との間に形成されるコ
ンデンサの対向電極側から見た静電容量が小さくなる。

【００９９】どちらの場合も、画素電極１０と対向電極
２０の間に形成されるコンデンサの画素電極１０側から
見た静電容量は同じであるが、対向電極２０側から見た
静電容量が異なるため、電荷結合素子３０に送出される
電荷の量が異なる。このように、対向電極２０の表面積
を変えることによって、電荷結合素子３０によって転送
される電荷の量が適切になるように調整することができ
る。

【０１００】以上説明したように、本実施の形態では以
下の効果を奏する。 （１） ＴＦＴ基板を貼り合せ液晶注入する前に、ＴＦ
Ｔ基板状態で検査することが可能となる。

【０１０１】（２） 対向電極の電荷の量を電荷結合素
子を用いて直接測定するため、電気光学素子を用いた検
査装置よりも精度よく測定することが可能となる。

【０１０２】（３） 各画素電極を１つずつプローブに
より駆動して検査する方法と比較して、ゲート配線とソ
ース配線とを電気的に短絡するショートリングを残した
ままＴＦＴ基板を検査することができるため、後工程に
おいてＴＦＴ基板が静電破壊することを防ぐことができ
る。また、ＴＦＴ基板の駆動と検査モジュールの駆動を
同期させることによって、検査の高速化が図れる。さら
に、検査モジュールには複数の対向電極が存在し、電荷
結合素子によって電荷の変化量を転送することによって
同時に複数の対向電極の電荷の変化量を測定できるた
め、検査の高速化が図れる。

【０１０３】（４） 画素電極の電位の変化量を測定す
る前に、検査モジュールの対向電極の電荷結合素子に対
する電位が負の十分大きな値になるように対向電極の電
位を設定してから測定を行なうことにより、常に対向電
極から電荷結合素子へ電子が送出される。電荷結合素子
は電子しか転送できないため、このように電荷を正しく
転送することが可能となる。

【０１０４】（５） 検査モジュールは半導体素子であ
るため、対向電極の位置および大きさの精度は非常に高
く、欠陥画素の検出の位置精度が高くなる。

【０１０５】［実施の形態２］図１３は、本発明の実施
の形態２における検査モジュールのセンサ部３′の概略
構成を示す。図５に示す実施の形態１における検査モジ
ュール２は２次元エリアセンサの場合についてであった
が、実施の形態２における検査モジュール３′は対向電
極２０が１次元に配列されている。その他の構成および
機能は実施の形態と同じであるので詳細な説明は繰返さ
ない。

【０１０６】検査モジュール３′は、ＴＦＴ基板上の縦
あるいは横１ラインの検査を行ない、次のラインに移動
して検査を行なう。この操作を繰返し行なうことによっ
て、ＴＦＴ基板全体の検査が可能となる。実施の形態１
と比較して、検査時間は余計にかかるが、検査モジュー
ル自体のコストを低減させることができる。その他の効
果は実施の形態１と同じであるので詳細な説明は繰返さ
ない。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１における検査装置の概略構成を示
すブロック図である。

【図２】実施の形態１における検査装置の検査対象であ
るＴＦＴ基板の平面図である。

【図３】検査モジュールの対向電極部の電気的な構成を
示す図である。

【図４】対向電圧設定用ＭＯＳＦＥＴの機能を電荷結合
素子およびシフトゲートによって代行する場合の検査モ
ジュールの対向電極部の電気的な構成を示す図である。

【図５】検査モジュールが２次元エリアセンサである場
合の検査モジュール下面のセンサ部の概略構成図であ
る。

【図６】ＴＦＴ基板の画素電極と検査モジュールの対向
電極の対応関係を表わす図である。

【図７】ＴＦＴ基板の画素電極と検査モジュールの対向
電極との制御方法を示す図である。

【図８】画素電極のオン不良の点欠陥を検出する場合の
駆動方法と画素電極および対向電極の電位の変化を示す
図である。

【図９】画素電極のオン不良およびオフ不良の点欠陥を
検出する場合の駆動方法と画素電極および対向電極の電
位の変化を示す図である。

【図１０】検査モジュールの対向電極部の構造の断面図
の一例を示す図である。

【図１１】対向電極の表面積を広くした場合の検査モジ
ュールの対向電極部の構造の断面図および平面図の一例
を示す図である。

【図１２】対向電極の表面積を狭くした場合の検査モジ
ュールの対向電極部の構造の断面図および平面図の一例
を示す図である。

【図１３】検査モジュールが１次元ラインセンサである
場合の検査モジュール下面のセンサ部の概略構成図であ
る。

【符号の説明】

１ ＴＦＴ基板 ２ 検査モジュール ４ 相関二重サンプリング ５ Ａ／Ｄ変換器 ６ データ処理部 １０ 画素電極 ２０ 対向電極 ３０ 電荷結合素子 ３５ シフトゲート ３７ 電荷検出部

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対向電極をＴＦＴ基板の画素電極に対し
   て微小間隔をおいて対向配置させるステップと、 前記ＴＦＴ基板の駆動による前記画素電極の電位の変化
   に応じた前記対向電極の電荷の変化量を検出するステッ
   プとを含むＴＦＴ基板の検査方法。
2. 【請求項２】 複数の対向電極をＴＦＴ基板の画素電極
   に対して微小間隔をおいて対向配置させるステップと、 前記ＴＦＴ基板の駆動による各画素電極の電位の変化に
   応じた前記複数の対向電極の電荷の変化量を検出するス
   テップと、 前記検出された複数の電荷の変化量を連続的に読出して
   前記各画素電極の良否を判定するステップとを含むＴＦ
   Ｔ基板の検査方法。
3. 【請求項３】 前記複数の対向電極の電荷の変化量を検
   出するステップは、 前記複数の対向電極に第１の所定の電位を与えるステッ
   プと、 前記各画素電極の電位を第２の所定の電位に変化させる
   ステップと、 前記複数の対向電極の電荷の変化量を検出するステップ
   とを含む、請求項２記載のＴＦＴ基板の検査方法。
4. 【請求項４】 ＴＦＴ基板の画素電極に対して微小間隔
   をおいて対向配置される対向電極と、 前記ＴＦＴ基板の駆動による前記画素電極の電位の変化
   に応じた前記対向電極の電荷の変化量を検出するための
   検出手段とを含むＴＦＴ基板の検査装置。
5. 【請求項５】 ＴＦＴ基板の画素電極に対して微小間隔
   をおいて対向配置される複数の対向電極と、 前記ＴＦＴ基板の駆動による各画素電極の電位の変化に
   応じた前記複数の対向電極の電荷の変化量を検出するた
   めの検出手段と、 前記検出手段によって検出された複数の電荷の変化量を
   連続的に読出して前記各画素電極の良否を判定するため
   のデータ処理手段とを含むＴＦＴ基板の検査装置。
6. 【請求項６】 前記複数の対向電極は１次元に配列され
   てなる、請求項５記載のＴＦＴ基板の検査装置。
7. 【請求項７】 前記複数の対向電極は２次元に配列され
   てなる、請求項５記載のＴＦＴ基板の検査装置。
8. 【請求項８】 前記複数の対向電極の各々が前記画素電
   極の１つに対応する、請求項５〜７のいずれかに記載の
   ＴＦＴ基板の検査装置。
9. 【請求項９】 前記複数の対向電極の複数個が前記画素
   電極の１つに対応する、請求項５〜７のいずれかに記載
   のＴＦＴ基板の検査装置。
10. 【請求項１０】 前記検出手段は、前記複数の対向電極
    のそれぞれと所定電圧との間のスイッチングを行なうた
    めの第１のスイッチング手段と、 電荷の変化量を検出するための電荷変化量検出手段と、 前記複数の対向電極のそれぞれと前記電荷変化量検出手
    段との間のスイッチングを行なうための第２のスイッチ
    ング手段とを含む請求項５〜９のいずれかに記載のＴＦ
    Ｔ基板の検査装置。
11. 【請求項１１】 ＴＦＴ基板の画素電極に対して微小間
    隔をおいて対向配置させる複数の対向電極と、前記複数
    の対向電極のそれぞれと所定電圧との間のスイッチング
    を行なうための第１のスイッチング手段と、電荷の変化
    量を検出するための電荷変化量検出手段と、前記複数の
    対向電極のそれぞれと前記電荷変化量検出手段との間の
    スイッチングを行なうための第２のスイッチング手段と
    を含むＴＦＴ基板の検査装置の制御方法であって、 前記第２のスイッチング手段をオフするステップと、 前記第１のスイッチング手段をオンした後オフするステ
    ップと、 前記ＴＦＴ基板を駆動して画素電極の電位を変化させる
    ステップと、 前記第２のスイッチング手段をオンするステップと、 前記電荷変化量検出手段が前記対向電極の電荷の変化量
    を検出するステップとを含むＴＦＴ基板の検査装置の制
    御方法。
12. 【請求項１２】 前記対向電極の電位変化量検出手段に
    対する電位はその絶対値が所定値以上の負の値である、
    請求項１１記載のＴＦＴ基板の検査装置の制御方法。