JPH10104595A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
表示装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH10104595A JPH10104595A JP8258057A JP25805796A JPH10104595A JP H10104595 A JPH10104595 A JP H10104595A JP 8258057 A JP8258057 A JP 8258057A JP 25805796 A JP25805796 A JP 25805796A JP H10104595 A JPH10104595 A JP H10104595A
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- JP
- Japan
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- electrode
- source
- gate electrode
- film
- semiconductor layer
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- Pending
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＴＦＴを構成するゲート配線またはソース配
線の低反射化を図る。 【解決手段】 ソース・ドレイン電極５と半導体層６と
ゲート電極７を少なくとも有し、それぞれが絶縁膜３を
介して形成されて成る順スタガ型ＴＦＴにおいて、露出
したゲート配線及びソース配線の表面に電着法によって
順次反射防止膜１０を形成する。画素電極４をパターン
形成し、ソース・ドレイン電極５をパターン形成し、半
導体層構成膜６を介してゲート電極７をパターン形成
し、前記ゲート電極７パターンをマスクとして前記半導
体層構成膜の不要部をエッチング除去し、前記エッチン
グにて露出したソース電極と前記ゲート電極にそれぞれ
反射防止処理を施す。
線の低反射化を図る。 【解決手段】 ソース・ドレイン電極５と半導体層６と
ゲート電極７を少なくとも有し、それぞれが絶縁膜３を
介して形成されて成る順スタガ型ＴＦＴにおいて、露出
したゲート配線及びソース配線の表面に電着法によって
順次反射防止膜１０を形成する。画素電極４をパターン
形成し、ソース・ドレイン電極５をパターン形成し、半
導体層構成膜６を介してゲート電極７をパターン形成
し、前記ゲート電極７パターンをマスクとして前記半導
体層構成膜の不要部をエッチング除去し、前記エッチン
グにて露出したソース電極と前記ゲート電極にそれぞれ
反射防止処理を施す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品のアレイ
及び製法に関するものである。さらに詳しくは、表示装
置を構成する薄膜トランジスタアレイ（以下ＴＦＴ）の
表面に、ブラックマトリックス（以下ＢＭ）を直接配し
た構成のＴＦＴアレイ及びその製造方法に関する。
及び製法に関するものである。さらに詳しくは、表示装
置を構成する薄膜トランジスタアレイ（以下ＴＦＴ）の
表面に、ブラックマトリックス（以下ＢＭ）を直接配し
た構成のＴＦＴアレイ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの分野における先行例として
は、例えば特開平７−４５８３６号公報または特開平７
−６４１１２号公報等に記載があるように、絶縁性透明
基板１上に遮光膜２をパターン形成し、次に基板全面に
層間絶縁膜３を形成する（図３ａ）。次に、画素電極
４、ソース・ドレイン電極５を順次パターン形成する
（図３ｂ）。次に、半導体層構成膜６及びゲート電極膜
７を積層製膜する（図３ｃ）。次に、フォトリソグラフ
ィによりゲート電極７をエッチングした後、前記ゲート
電極７下以外の半導体層構成膜６をエッチング除去し、
ＴＦＴアレイ８ａを完成させる（図３ｄ）。
は、例えば特開平７−４５８３６号公報または特開平７
−６４１１２号公報等に記載があるように、絶縁性透明
基板１上に遮光膜２をパターン形成し、次に基板全面に
層間絶縁膜３を形成する（図３ａ）。次に、画素電極
４、ソース・ドレイン電極５を順次パターン形成する
（図３ｂ）。次に、半導体層構成膜６及びゲート電極膜
７を積層製膜する（図３ｃ）。次に、フォトリソグラフ
ィによりゲート電極７をエッチングした後、前記ゲート
電極７下以外の半導体層構成膜６をエッチング除去し、
ＴＦＴアレイ８ａを完成させる（図３ｄ）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の構成によれば、
ゲート電極は通常低抵抗であるアルミニウムまたはアル
ミニウム合金が用いられる。しかしながら、アルミニウ
ム配線を用いたＴＦＴで表示装置を構成した場合のコン
トラスト比は、アルミニウムの光反射率が約９０％と大
きいため、液晶表示装置の正面から入射した光が反射し
て、実質的に黒の輝度を増加させ、実験的に作成したア
ルミニウムのない液晶表示装置のコントラスト比に比べ
て大幅に劣化する課題がある。
ゲート電極は通常低抵抗であるアルミニウムまたはアル
ミニウム合金が用いられる。しかしながら、アルミニウ
ム配線を用いたＴＦＴで表示装置を構成した場合のコン
トラスト比は、アルミニウムの光反射率が約９０％と大
きいため、液晶表示装置の正面から入射した光が反射し
て、実質的に黒の輝度を増加させ、実験的に作成したア
ルミニウムのない液晶表示装置のコントラスト比に比べ
て大幅に劣化する課題がある。
【０００４】本発明は、上記従来の課題を克服するた
め、コントラスト比が高く、表面反射率が小さく、見易
い表示特性を得る表示装置及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
め、コントラスト比が高く、表面反射率が小さく、見易
い表示特性を得る表示装置及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は配線電極材の反射防止処理に、電着法によ
り暗色膜を形成した表示装置、及び当該表示装置を達成
するため、画素電極をパターン形成する工程と、ソース
・ドレイン電極をパターン形成する工程と、半導体層、
絶縁膜を順次被着する工程と、ゲート電極をパターン形
成する工程と、前記半導体層、絶縁膜の不要部をエッチ
ング除去する工程と、前記ゲート電極の表面または、前
記ゲート電極とエッチング後に露出した前記ソース電極
の両方の表面に反射防止処理を施す工程とを有する製造
方法である。
め、本発明は配線電極材の反射防止処理に、電着法によ
り暗色膜を形成した表示装置、及び当該表示装置を達成
するため、画素電極をパターン形成する工程と、ソース
・ドレイン電極をパターン形成する工程と、半導体層、
絶縁膜を順次被着する工程と、ゲート電極をパターン形
成する工程と、前記半導体層、絶縁膜の不要部をエッチ
ング除去する工程と、前記ゲート電極の表面または、前
記ゲート電極とエッチング後に露出した前記ソース電極
の両方の表面に反射防止処理を施す工程とを有する製造
方法である。
【０００６】電着法によれば、黒色顔料または有色顔料
を複数種混合し無彩色とした顔料と高分子樹脂を有する
塗料にＴＦＴアレイを浸漬し、ソース電極もしくはゲー
ト電極に陽極を印加することで、陽極上に顔料含有樹脂
粒子が析出して反射防止膜となる。
を複数種混合し無彩色とした顔料と高分子樹脂を有する
塗料にＴＦＴアレイを浸漬し、ソース電極もしくはゲー
ト電極に陽極を印加することで、陽極上に顔料含有樹脂
粒子が析出して反射防止膜となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下実施の形態により具体的に本
発明を説明する。
発明を説明する。
【０００８】本発明は絶縁性透明基板１上に遮光膜２を
パターン形成し、次に基板全面に層間絶縁膜３を形成す
る（図１ａ）。次に、画素電極４、ソース・ドレイン電
極５を順次パターン形成する（図１ｂ）。次に、半導体
層構成膜６及びゲート電極膜７を積層製膜する（図１
ｃ）。次に、一般的なポジレジストを用いてゲート電極
膜７をパターン形成した後、前記ゲート電極下以外の半
導体層構成膜６をエッチング除去する。これによってソ
ース・ドレイン電極膜５は露出し、導電膜面が得られ
る。そして、ゲート電極膜７のポジレジストを除去する
ことで導電膜面を露出させる（図１ｄ）。
パターン形成し、次に基板全面に層間絶縁膜３を形成す
る（図１ａ）。次に、画素電極４、ソース・ドレイン電
極５を順次パターン形成する（図１ｂ）。次に、半導体
層構成膜６及びゲート電極膜７を積層製膜する（図１
ｃ）。次に、一般的なポジレジストを用いてゲート電極
膜７をパターン形成した後、前記ゲート電極下以外の半
導体層構成膜６をエッチング除去する。これによってソ
ース・ドレイン電極膜５は露出し、導電膜面が得られ
る。そして、ゲート電極膜７のポジレジストを除去する
ことで導電膜面を露出させる（図１ｄ）。
【０００９】次に、黒色顔料（例えばカーボンブラッ
ク）と、架橋性高分子樹脂（例えばメラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、アクリレート樹脂等）とを有する電着塗料９
を入れた電着槽にＴＦＴアレイ８ａを浸漬し、ソース電
極５もしくはゲート電極７に陽極を印加することで、陽
極上に黒色含有樹脂粒子を析出させて反射防止膜を設け
る（図２）。その後、析出した電着塗装膜を乾燥により
熱架橋させ、焼成・非導電化させて反射防止膜１０を得
る。この様にしてＴＦＴアレイ８ｂを完成させる（図１
ｅ）。
ク）と、架橋性高分子樹脂（例えばメラミン樹脂、エポ
キシ樹脂、アクリレート樹脂等）とを有する電着塗料９
を入れた電着槽にＴＦＴアレイ８ａを浸漬し、ソース電
極５もしくはゲート電極７に陽極を印加することで、陽
極上に黒色含有樹脂粒子を析出させて反射防止膜を設け
る（図２）。その後、析出した電着塗装膜を乾燥により
熱架橋させ、焼成・非導電化させて反射防止膜１０を得
る。この様にしてＴＦＴアレイ８ｂを完成させる（図１
ｅ）。
【００１０】なお、本実施例では反射防止膜形成工程に
於いてレジスト保護膜は設けていないが、必要に応じて
画素電極を保護するも良い。また、電着塗料に黒色顔料
を用いているが、有色顔料を複数種混合し無彩色化した
顔料等低反射率が得られるならばその限りでない。
於いてレジスト保護膜は設けていないが、必要に応じて
画素電極を保護するも良い。また、電着塗料に黒色顔料
を用いているが、有色顔料を複数種混合し無彩色化した
顔料等低反射率が得られるならばその限りでない。
【００１１】
【発明の効果】本発明によると、ゲート配線電極及びソ
ース配線電極の側壁を含む露出部全面に反射防止処理を
施すことができる。その結果、ゲート電極やソース電極
からの光の反射を低減する効果を有し、これを用いた液
晶表示装置はコントラスト比の低下がない。そして、表
面反射が小さく、見やすい表示特性を得ることができる
効果を有する。これら効果を持って表示画質の向上効果
を得ることができる。
ース配線電極の側壁を含む露出部全面に反射防止処理を
施すことができる。その結果、ゲート電極やソース電極
からの光の反射を低減する効果を有し、これを用いた液
晶表示装置はコントラスト比の低下がない。そして、表
面反射が小さく、見やすい表示特性を得ることができる
効果を有する。これら効果を持って表示画質の向上効果
を得ることができる。
【図１】本発明のＴＦＴアレイ工程断面図
【図２】本発明の電着塗装概念図
【図３】従来法のＴＦＴアレイ工程断面図
【符号の説明】 １ 透明基板 ２ 遮光膜 ３ 層間絶縁膜 ４ 画素電極 ５ ソース・ドレイン電極 ６ 半導体層構成膜 ７ ゲート電極 ８ ＴＦＴアレイ ９ 電着塗料 １０ 反射防止膜
Claims (3)
- 【請求項１】配線電極材の表面に、電着法により顔料を
付着させ、反射防止膜を形成したことを特徴とする表示
装置。 - 【請求項２】ソース・ドレイン電極と半導体層とゲート
電極を少なくとも有し、それぞれが絶縁膜を介して形成
されて成る順スタガ型薄膜トランジスタをスイッチング
素子とし、露出したゲート配線またはソース配線の少な
くとも何れか一方の表面に、電着法によって反射防止処
理を施したことを特徴とする表示装置。 - 【請求項３】画素電極をパターン形成する工程と、ソー
ス・ドレイン電極をパターン形成する工程と、半導体
層、絶縁膜を順次被着する工程と、ゲート電極をパター
ン形成する工程と、前記半導体層、絶縁膜の不要部をエ
ッチング除去する工程と、前記ゲート電極の表面また
は、前記ゲート電極とエッチング後に露出した前記ソー
ス電極の両方の表面に反射防止処理を施す工程とを有す
る表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8258057A JPH10104595A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8258057A JPH10104595A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10104595A true JPH10104595A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17314944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8258057A Pending JPH10104595A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | 表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10104595A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100403150C (zh) * | 2004-03-03 | 2008-07-16 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 主动矩阵型液晶显示装置 |
| SG147270A1 (en) * | 2000-12-11 | 2008-11-28 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US7629618B2 (en) | 2000-12-21 | 2009-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2010250005A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2012230326A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Dainippon Printing Co Ltd | アクティブマトリックス基板及びアクティブマトリックス基板の製造方法、液晶表示装置 |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP8258057A patent/JPH10104595A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG147270A1 (en) * | 2000-12-11 | 2008-11-28 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US7459352B2 (en) | 2000-12-11 | 2008-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US9059216B2 (en) | 2000-12-11 | 2015-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US9666601B2 (en) | 2000-12-11 | 2017-05-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US10665610B2 (en) | 2000-12-11 | 2020-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
| US7629618B2 (en) | 2000-12-21 | 2009-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9231044B2 (en) | 2000-12-21 | 2016-01-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| US9793335B2 (en) | 2000-12-21 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| CN100403150C (zh) * | 2004-03-03 | 2008-07-16 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 主动矩阵型液晶显示装置 |
| JP2010250005A (ja) * | 2009-04-14 | 2010-11-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2012230326A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Dainippon Printing Co Ltd | アクティブマトリックス基板及びアクティブマトリックス基板の製造方法、液晶表示装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040302 |