JPH10104644A - 液晶表示装置用基板 - Google Patents
液晶表示装置用基板Info
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- JPH10104644A JPH10104644A JP8260471A JP26047196A JPH10104644A JP H10104644 A JPH10104644 A JP H10104644A JP 8260471 A JP8260471 A JP 8260471A JP 26047196 A JP26047196 A JP 26047196A JP H10104644 A JPH10104644 A JP H10104644A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 同一基板上に電極の交差部を設けずに水平に
櫛歯型電極を構成する。 【解決手段】 第1の基板上に設ける第1の電極からな
る信号電極と、信号電極に接続する第1の櫛歯型電極8
と、第2の基板上に設ける第2の電極からなるデーター
電極とデーター電極に接続する第2の櫛歯型電極11
と、第1の基板と第2の基板間に液晶層とを有し、第1
の櫛歯型電極あるいは第2の櫛歯型電極の少なくとも一
方の電極が突起部上に設け、液晶層を介して信号電極と
データー電極の交差する部分を有する。
櫛歯型電極を構成する。 【解決手段】 第1の基板上に設ける第1の電極からな
る信号電極と、信号電極に接続する第1の櫛歯型電極8
と、第2の基板上に設ける第2の電極からなるデーター
電極とデーター電極に接続する第2の櫛歯型電極11
と、第1の基板と第2の基板間に液晶層とを有し、第1
の櫛歯型電極あるいは第2の櫛歯型電極の少なくとも一
方の電極が突起部上に設け、液晶層を介して信号電極と
データー電極の交差する部分を有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は第1の基板上に設け
る第1の櫛歯型電極と第2の基板上に設ける第2の櫛歯
型電極を有し、第1の櫛歯型電極あるいは第2の櫛歯型
電極のいずれかあるいは両方の電極を突起部上に設け、
第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極の水平方向の電界
により液晶層を制御するための液晶表示装置の構造に関
するものである。さらに第1の基板上の信号電極と第1
の櫛歯型電極の間に薄膜ダイオードあるいは薄膜トラン
ジスターからなる非線形抵抗素子を有し、第1の櫛歯型
電極が、信号電極あるいは,非線形抵抗素子より突出し
ており、第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極の水平方
向の電界により液晶層を制御するための液晶表示装置に
関するものである。
る第1の櫛歯型電極と第2の基板上に設ける第2の櫛歯
型電極を有し、第1の櫛歯型電極あるいは第2の櫛歯型
電極のいずれかあるいは両方の電極を突起部上に設け、
第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極の水平方向の電界
により液晶層を制御するための液晶表示装置の構造に関
するものである。さらに第1の基板上の信号電極と第1
の櫛歯型電極の間に薄膜ダイオードあるいは薄膜トラン
ジスターからなる非線形抵抗素子を有し、第1の櫛歯型
電極が、信号電極あるいは,非線形抵抗素子より突出し
ており、第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極の水平方
向の電界により液晶層を制御するための液晶表示装置に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶パネルを用いた液晶表示装置
の表示容量は、大容量化の一途をたどっている。そし
て、単純マトリクス構成の液晶表示装置にマルチプレク
ス駆動を用いる手段は、高時分割化するに従ってコント
ラストの低下あるいは応答速度の低下が生じ、200本
程度の走査線を有する場合では、充分なコントラストを
得ることが難しくなる。
の表示容量は、大容量化の一途をたどっている。そし
て、単純マトリクス構成の液晶表示装置にマルチプレク
ス駆動を用いる手段は、高時分割化するに従ってコント
ラストの低下あるいは応答速度の低下が生じ、200本
程度の走査線を有する場合では、充分なコントラストを
得ることが難しくなる。
【0003】そこで、このような欠点を除去するため
に、個々の画素にスイッチング素子を設けるアクティブ
マトリクスの液晶表示パネルが採用されている。このア
クティブマトリクスの液晶表示パネルには、大別すると
薄膜トランジスタを用いる三端子系と、非線系抵抗素子
を用いる二端子系とがある。これらのうち構造や製造方
法が簡単な点で、二端子系が優れている。
に、個々の画素にスイッチング素子を設けるアクティブ
マトリクスの液晶表示パネルが採用されている。このア
クティブマトリクスの液晶表示パネルには、大別すると
薄膜トランジスタを用いる三端子系と、非線系抵抗素子
を用いる二端子系とがある。これらのうち構造や製造方
法が簡単な点で、二端子系が優れている。
【0004】この二端子系のスイッチング素子として
は、ダイオード型や、バリスタ型や、薄膜ダイオード
(TFD)型などが開発されている。このうちTFD型
は、とくに構造が簡単で、そのうえ製造工程が短いとい
う特徴を備えている。
は、ダイオード型や、バリスタ型や、薄膜ダイオード
(TFD)型などが開発されている。このうちTFD型
は、とくに構造が簡単で、そのうえ製造工程が短いとい
う特徴を備えている。
【0005】さらに液晶表示パネルは、高密度でしかも
高精細化が要求され、スイッチング素子の占有面積を小
さくする必要がある。その微細化の手段としては、半導
体製造技術であるフォトリソグラフィー技術とエッチン
グ技術とがある。しかしながら、大面積で微細加工を行
いしかも低コストを実現するには、非常に困難な技術で
ある。
高精細化が要求され、スイッチング素子の占有面積を小
さくする必要がある。その微細化の手段としては、半導
体製造技術であるフォトリソグラフィー技術とエッチン
グ技術とがある。しかしながら、大面積で微細加工を行
いしかも低コストを実現するには、非常に困難な技術で
ある。
【0006】従来技術においては、大面積で微細化加工
が可能でしかもコスト低減に有効な薄膜ダイオード素子
(TFD)構造を、図7と図8を用いて説明する。図7
は非線形抵抗素子を用いる液晶表示装置の画素部を示す
平面図である。さらに図8は図7の平面図におけるA−
A線での断面を示す断面図である。以下、図7と図8と
を交互に用いて従来技術を説明する。
が可能でしかもコスト低減に有効な薄膜ダイオード素子
(TFD)構造を、図7と図8を用いて説明する。図7
は非線形抵抗素子を用いる液晶表示装置の画素部を示す
平面図である。さらに図8は図7の平面図におけるA−
A線での断面を示す断面図である。以下、図7と図8と
を交互に用いて従来技術を説明する。
【0007】第1の基板1上には、第1の電極であるタ
ンタル(Ta)膜32からなる信号電極4と信号電極4
に接続する張り出し部3を設ける。さらに信号電極4と
張り出し部3上には、非線形抵抗層6としてタンタル膜
32の陽極酸化膜である酸化タンタル膜(Ta2 O5 )
を設ける。
ンタル(Ta)膜32からなる信号電極4と信号電極4
に接続する張り出し部3を設ける。さらに信号電極4と
張り出し部3上には、非線形抵抗層6としてタンタル膜
32の陽極酸化膜である酸化タンタル膜(Ta2 O5 )
を設ける。
【0008】さらに透明導電性膜である酸化インジウム
スズ膜(ITO)からなる表示電極61を設ける。さら
に表示電極61に接続部70により接続し、張り出し部
3上の非線形抵抗層6と重なり合う第3の電極7を設け
る。このITO膜からなる第3の電極7と非線形抵抗層
6と第1の電極からなる張り出し部3により非線形抵抗
素子9を構成する。
スズ膜(ITO)からなる表示電極61を設ける。さら
に表示電極61に接続部70により接続し、張り出し部
3上の非線形抵抗層6と重なり合う第3の電極7を設け
る。このITO膜からなる第3の電極7と非線形抵抗層
6と第1の電極からなる張り出し部3により非線形抵抗
素子9を構成する。
【0009】さらにまた液晶表示装置を構成するために
第1の基板1と対向して設ける第2の基板63上には、
第1の基板1に形成する表示電極61の隙間からの光の
漏れを防止するために、クロム膜からなるブラックマト
リクス64を設けてある。
第1の基板1と対向して設ける第2の基板63上には、
第1の基板1に形成する表示電極61の隙間からの光の
漏れを防止するために、クロム膜からなるブラックマト
リクス64を設けてある。
【0010】さらに第2の基板63には、表示電極61
と対向するように透明導電性膜である酸化インジウムス
ズ膜(ITO)からなる対向電極66を、ブラックマト
リクス64と接触して短絡しないように、ポリイミド樹
脂からなる絶縁膜65を介して設ける。さらにまた、対
向電極66には、外部回路の信号を印加するための走査
電極(図示せず)を接続している。
と対向するように透明導電性膜である酸化インジウムス
ズ膜(ITO)からなる対向電極66を、ブラックマト
リクス64と接触して短絡しないように、ポリイミド樹
脂からなる絶縁膜65を介して設ける。さらにまた、対
向電極66には、外部回路の信号を印加するための走査
電極(図示せず)を接続している。
【0011】表示電極61は、液晶68を介して対向電
極66と重なり合うように配置することにより、液晶表
示装置の表示画素部となる。さらに第1の基板1と第2
の基板63とは、液晶68の分子を規則的に並べるため
の処理層として、それぞれ配向膜67、67を設ける。
極66と重なり合うように配置することにより、液晶表
示装置の表示画素部となる。さらに第1の基板1と第2
の基板63とは、液晶68の分子を規則的に並べるため
の処理層として、それぞれ配向膜67、67を設ける。
【0012】さらにスペーサー(図示せず)によって、
第1の基板1と第2の基板63とを所定の間隙寸法をも
って対向させ、第1の基板1と第2の基板63との間に
は、液晶68を封入している。
第1の基板1と第2の基板63とを所定の間隙寸法をも
って対向させ、第1の基板1と第2の基板63との間に
は、液晶68を封入している。
【0013】さらに第1の基板1上に偏光板69を設
け、さらに第2の基板63上に偏光板69と光源部(図
示せず)を設ける。液晶表示装置は自己発光しないた
め、外部の光源である光源部が必要となる。そして液晶
表示装置は、この光源部からの光を利用し、さらに液晶
68の光学特性変化を利用して所定の表示を行う。
け、さらに第2の基板63上に偏光板69と光源部(図
示せず)を設ける。液晶表示装置は自己発光しないた
め、外部の光源である光源部が必要となる。そして液晶
表示装置は、この光源部からの光を利用し、さらに液晶
68の光学特性変化を利用して所定の表示を行う。
【0014】このように第1の基板1上の表示電極61
と第2の基板63上の対向電極66とは、液晶68を介
して対向している。この表示電極61と対向電極66と
の間に電圧を印加し液晶68の光学変化を起こし、偏光
板69を利用し、表示に利用する。
と第2の基板63上の対向電極66とは、液晶68を介
して対向している。この表示電極61と対向電極66と
の間に電圧を印加し液晶68の光学変化を起こし、偏光
板69を利用し、表示に利用する。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】ところで液晶表示装置
を見る方向によりコントラストの表示品質が変化する、
いわゆる表示品質の視野角依存性が発生する。この視野
角依存性現象は、液晶層の分子の方向と観察者の見る方
向の関係により発生する。この視野角依存性を改善する
手段として、位相補償板を利用し、液晶表示装置の分子
の方向の位相差を補正する手段や、あるいは分子の配向
方向を工夫する手段がある。
を見る方向によりコントラストの表示品質が変化する、
いわゆる表示品質の視野角依存性が発生する。この視野
角依存性現象は、液晶層の分子の方向と観察者の見る方
向の関係により発生する。この視野角依存性を改善する
手段として、位相補償板を利用し、液晶表示装置の分子
の方向の位相差を補正する手段や、あるいは分子の配向
方向を工夫する手段がある。
【0016】しかし位相補償板を利用する場合は、視野
角依存性の改善が小さい。また分子の配向方向を工夫す
る手段は、分子の配向安定性が良くない。そのためアク
ティブ基板あるいはパッシブ基板上に1組あるいは複数
組みの櫛歯型電極を設け、この櫛歯型電極間に電圧を印
加して液晶分子の方向を制御する手段がある。
角依存性の改善が小さい。また分子の配向方向を工夫す
る手段は、分子の配向安定性が良くない。そのためアク
ティブ基板あるいはパッシブ基板上に1組あるいは複数
組みの櫛歯型電極を設け、この櫛歯型電極間に電圧を印
加して液晶分子の方向を制御する手段がある。
【0017】この手段を図9を用いて説明する。第1の
基板上に第1の櫛歯型電極14と第2の櫛歯型電極16
を一定の間隙を設けて配置する。第1の櫛歯型電極14
と第2の櫛歯型電極16の間に小さい電圧が印加すると
液晶分子71は、図9に示すように第1の櫛歯型電極1
4と第2の櫛歯型電極16の間に水平になる。大きな電
圧が印加すると液晶分子72は第1の櫛歯型電極14と
第2の櫛歯型電極16と45゜の角度を保ち回転する。
基板上に第1の櫛歯型電極14と第2の櫛歯型電極16
を一定の間隙を設けて配置する。第1の櫛歯型電極14
と第2の櫛歯型電極16の間に小さい電圧が印加すると
液晶分子71は、図9に示すように第1の櫛歯型電極1
4と第2の櫛歯型電極16の間に水平になる。大きな電
圧が印加すると液晶分子72は第1の櫛歯型電極14と
第2の櫛歯型電極16と45゜の角度を保ち回転する。
【0018】液晶分子71と液晶分子72は、第1の基
板1とのほとんどプレチルトをもたず第1の基板に平行
な動きをする。しかしこの櫛歯電極を有する手段を2端
子型非線形抵抗素子を利用するアクティブ基板に用いる
ときには、第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極の2種
類の電極が相互に交差する必要がある。
板1とのほとんどプレチルトをもたず第1の基板に平行
な動きをする。しかしこの櫛歯電極を有する手段を2端
子型非線形抵抗素子を利用するアクティブ基板に用いる
ときには、第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極の2種
類の電極が相互に交差する必要がある。
【0019】一般的な三端子素子に比較して、二端子型
非線形抵抗素子の場合には、図7と図8に示すように電
極の交差がない。そのため交差部での電気的短絡がな
く、優れている点とにて上げられる反面、櫛歯型電極を
有する構造は形成しにくい。そのため櫛歯型電極を工夫
して第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極を上下の基板
に設け、さらに櫛歯型電極を基板上の突起部に形成する
ものである。
非線形抵抗素子の場合には、図7と図8に示すように電
極の交差がない。そのため交差部での電気的短絡がな
く、優れている点とにて上げられる反面、櫛歯型電極を
有する構造は形成しにくい。そのため櫛歯型電極を工夫
して第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極を上下の基板
に設け、さらに櫛歯型電極を基板上の突起部に形成する
ものである。
【0020】さらに三端子素子を構成する電極の一部を
上下の基板に分離して形成する場合においても、上下の
基板に櫛歯型電極を分離し、かつ櫛歯型電極を突起部に
形成する。
上下の基板に分離して形成する場合においても、上下の
基板に櫛歯型電極を分離し、かつ櫛歯型電極を突起部に
形成する。
【0021】本発明の目的は、櫛歯型電極を利用し視野
角依存性を改善する手段を二端子型あるいは、三端子型
非線形抵抗素子を有するアクテイブ基板あるいは、非線
形抵抗素子のないパッシブ基板に採用する場合に、同一
基板上に電極の交差部を設けずに水平に櫛歯型電極を構
成することを可能とする液晶表示装置用基板を提供する
ことである。
角依存性を改善する手段を二端子型あるいは、三端子型
非線形抵抗素子を有するアクテイブ基板あるいは、非線
形抵抗素子のないパッシブ基板に採用する場合に、同一
基板上に電極の交差部を設けずに水平に櫛歯型電極を構
成することを可能とする液晶表示装置用基板を提供する
ことである。
【0022】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の液晶表示装置用板は、下記記載の構成を採
用する。
に、本発明の液晶表示装置用板は、下記記載の構成を採
用する。
【0023】本発明の液晶表示装置用基板は、第1の基
板上に設ける第1の電極からなる信号電極と、信号電極
に接続する第1の櫛歯型電極と、第2の基板上に設ける
第2の電極からなるデーター電極とデーター電極に接続
する第2の櫛歯型電極と、第1の基板と第2の基板間に
液晶層とを有し、第1の櫛歯型電極あるいは第2の櫛歯
型電極の少なくとも一方の電極が突起部上に設けられて
おり、液晶層を介して信号電極とデーター電極の交差す
る部分を有する。
板上に設ける第1の電極からなる信号電極と、信号電極
に接続する第1の櫛歯型電極と、第2の基板上に設ける
第2の電極からなるデーター電極とデーター電極に接続
する第2の櫛歯型電極と、第1の基板と第2の基板間に
液晶層とを有し、第1の櫛歯型電極あるいは第2の櫛歯
型電極の少なくとも一方の電極が突起部上に設けられて
おり、液晶層を介して信号電極とデーター電極の交差す
る部分を有する。
【0024】本発明の液晶表示装置用基板は、第1の基
板上に設ける第1の電極からなる信号電極と、信号電極
に接続する第1の櫛歯型電極と、第2の基板上に設ける
第2の電極からなるデーター電極とデーター電極に接続
する第2の櫛歯型電極と、第1の基板と第2の基板間に
液晶層とを有し、第1の櫛歯型電極あるいは第2の櫛歯
型電極の少なくとも一方の電極が突起部上に設けられて
おり、第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極がお互いに
横方向にずれており、液晶層を介して信号電極とデータ
ー電極の交差する部分を有する。
板上に設ける第1の電極からなる信号電極と、信号電極
に接続する第1の櫛歯型電極と、第2の基板上に設ける
第2の電極からなるデーター電極とデーター電極に接続
する第2の櫛歯型電極と、第1の基板と第2の基板間に
液晶層とを有し、第1の櫛歯型電極あるいは第2の櫛歯
型電極の少なくとも一方の電極が突起部上に設けられて
おり、第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極がお互いに
横方向にずれており、液晶層を介して信号電極とデータ
ー電極の交差する部分を有する。
【0025】本発明の液晶表示装置用基板は、第1の基
板上に設ける第1の電極からなる信号電極と、信号電極
に接続する第1の櫛歯型電極と、第2の基板上に設ける
第2の電極からなるデーター電極とデーター電極に接続
する第2の櫛歯型電極と、第1の基板と第2の基板間に
液晶層とを有し、第1の櫛歯型電極あるいは第2の櫛歯
型電極が突起部上に設けられており、第1の櫛歯型電極
と第2の櫛歯型電極がお互いに水平方向に対向し、さら
に液晶層を介して信号電極とデーター電極の交差する部
分を有する。
板上に設ける第1の電極からなる信号電極と、信号電極
に接続する第1の櫛歯型電極と、第2の基板上に設ける
第2の電極からなるデーター電極とデーター電極に接続
する第2の櫛歯型電極と、第1の基板と第2の基板間に
液晶層とを有し、第1の櫛歯型電極あるいは第2の櫛歯
型電極が突起部上に設けられており、第1の櫛歯型電極
と第2の櫛歯型電極がお互いに水平方向に対向し、さら
に液晶層を介して信号電極とデーター電極の交差する部
分を有する。
【0026】本発明の液晶表示装置用基板は、第1の基
板上に設ける第1の電極からなる信号電極と、信号電極
と非線形抵抗素子を介して接続する第1の櫛歯型電極
と、第2の基板上に設ける第2の電極からなるデーター
電極とデーター電極に接続する第2の櫛歯型電極と、第
1の基板と第2の基板間に液晶層とを有し、第1の櫛歯
型電極あるいは第2の櫛歯型電極の少なくとも一方の電
極が突起部上に設けられており、液晶層を介して信号電
極とデーター電極の交差する部分を有する。
板上に設ける第1の電極からなる信号電極と、信号電極
と非線形抵抗素子を介して接続する第1の櫛歯型電極
と、第2の基板上に設ける第2の電極からなるデーター
電極とデーター電極に接続する第2の櫛歯型電極と、第
1の基板と第2の基板間に液晶層とを有し、第1の櫛歯
型電極あるいは第2の櫛歯型電極の少なくとも一方の電
極が突起部上に設けられており、液晶層を介して信号電
極とデーター電極の交差する部分を有する。
【0027】本発明の液晶表示装置用基板は、第1の基
板上に設ける第1の電極からなる信号電極と、信号電極
と非線形抵抗素子を介して接続する第1の櫛歯型電極
と、第2の基板上に設ける第2の電極からなるデーター
電極とデーター電極に接続する第2の櫛歯型電極と、第
1の基板と第2の基板間に液晶層とを有し、第1の櫛歯
型電極が突起部上に設けてあり、かつ信号電極と非線形
抵抗素子より液晶層に突出しており、液晶層を介して信
号電極とデーター電極の交差する部分を有する。
板上に設ける第1の電極からなる信号電極と、信号電極
と非線形抵抗素子を介して接続する第1の櫛歯型電極
と、第2の基板上に設ける第2の電極からなるデーター
電極とデーター電極に接続する第2の櫛歯型電極と、第
1の基板と第2の基板間に液晶層とを有し、第1の櫛歯
型電極が突起部上に設けてあり、かつ信号電極と非線形
抵抗素子より液晶層に突出しており、液晶層を介して信
号電極とデーター電極の交差する部分を有する。
【0028】本発明の液晶表示装置用基板は、第1の基
板上に設ける第1の電極からなる信号電極と、信号電極
と非線形抵抗素子を介して接続する第1の櫛歯型電極
と、第2の基板上に設ける第2の電極からなるデーター
電極とデーター電極に接続する第2の櫛歯型電極と、第
1の基板と第2の基板間に液晶層とを有し、第1の櫛歯
型電極が突起部上に設けてあり、かつ信号電極と非線形
抵抗素子より液晶層に突出しており、データー電極に接
続する第2の櫛歯型電極も突起部上の設けられており、
第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極が水平方向に配置
され、さらに液晶層を介して信号電極とデーター電極の
交差する部分を有する。
板上に設ける第1の電極からなる信号電極と、信号電極
と非線形抵抗素子を介して接続する第1の櫛歯型電極
と、第2の基板上に設ける第2の電極からなるデーター
電極とデーター電極に接続する第2の櫛歯型電極と、第
1の基板と第2の基板間に液晶層とを有し、第1の櫛歯
型電極が突起部上に設けてあり、かつ信号電極と非線形
抵抗素子より液晶層に突出しており、データー電極に接
続する第2の櫛歯型電極も突起部上の設けられており、
第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極が水平方向に配置
され、さらに液晶層を介して信号電極とデーター電極の
交差する部分を有する。
【0029】本発明の液晶表示装置用基板は、第1の基
板上に設ける第1の電極からなる信号電極と、信号電極
と非線形抵抗素子を介して接続する第1の櫛歯型電極
と、第2の基板上に設ける第2の電極からなるデーター
電極とデーター電極に接続する第2の櫛歯型電極と、第
1の基板と第2の基板間に液晶層とを有し、非線形抵抗
素子と第1の櫛歯型電極が自己整合する突起部上に設け
られており、データー電極に接続する第2の櫛歯型電極
も突起部上に設けられており、第1の櫛歯型電極と第2
の櫛歯型電極が水平方向に配置され、さらに液晶層を介
して信号電極とデーター電極の交差する部分を有する。
板上に設ける第1の電極からなる信号電極と、信号電極
と非線形抵抗素子を介して接続する第1の櫛歯型電極
と、第2の基板上に設ける第2の電極からなるデーター
電極とデーター電極に接続する第2の櫛歯型電極と、第
1の基板と第2の基板間に液晶層とを有し、非線形抵抗
素子と第1の櫛歯型電極が自己整合する突起部上に設け
られており、データー電極に接続する第2の櫛歯型電極
も突起部上に設けられており、第1の櫛歯型電極と第2
の櫛歯型電極が水平方向に配置され、さらに液晶層を介
して信号電極とデーター電極の交差する部分を有する。
【0030】第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極を水
平に配置することが重要である。そのため、第1の基板
上に設ける第1の櫛歯型電極を突起部上に設ける。これ
により、第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極は水平方
向の近い配置とすることができる。
平に配置することが重要である。そのため、第1の基板
上に設ける第1の櫛歯型電極を突起部上に設ける。これ
により、第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極は水平方
向の近い配置とすることができる。
【0031】さらに本発明の液晶表示装置用基板は、第
1の基板上に設ける第1の櫛歯型電極と第2の基板上に
設ける第2の櫛歯型電極を両方とも突起部上に設けるこ
とにより両櫛歯型電極を水平に設けることが簡単にでき
る。
1の基板上に設ける第1の櫛歯型電極と第2の基板上に
設ける第2の櫛歯型電極を両方とも突起部上に設けるこ
とにより両櫛歯型電極を水平に設けることが簡単にでき
る。
【0032】また第1の櫛歯型電極あるいは第2の櫛歯
型電極を突起部上の設けることにより液晶分子と第1の
基板あるいは液晶分子と第2の基板との相互作用が減少
し、第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極の間の液晶分
子を小さな電圧で回転することができる。そのためたと
えば駆動能力の小さな非線形抵抗素子を用いる場合にお
いても、充分良好な表示が可能となる。
型電極を突起部上の設けることにより液晶分子と第1の
基板あるいは液晶分子と第2の基板との相互作用が減少
し、第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極の間の液晶分
子を小さな電圧で回転することができる。そのためたと
えば駆動能力の小さな非線形抵抗素子を用いる場合にお
いても、充分良好な表示が可能となる。
【0033】さらに第1の基板上に設ける信号電極と第
1の櫛歯型電極の間に非線形抵抗素子を配置し、第2の
基板上にデーター電極と第2の櫛歯型電極を設けること
により、信号電極とデーター電極の交差は同一基板上で
は回避することができる。さらに第1の櫛歯型電極、あ
るいは第2の櫛歯型電極の一方、あるいは両方を突起部
上に設けることにより、櫛歯型電極を水平方向に配置す
ることが可能となり、液晶層に水平方向の電圧を有効に
印加することができる
1の櫛歯型電極の間に非線形抵抗素子を配置し、第2の
基板上にデーター電極と第2の櫛歯型電極を設けること
により、信号電極とデーター電極の交差は同一基板上で
は回避することができる。さらに第1の櫛歯型電極、あ
るいは第2の櫛歯型電極の一方、あるいは両方を突起部
上に設けることにより、櫛歯型電極を水平方向に配置す
ることが可能となり、液晶層に水平方向の電圧を有効に
印加することができる
【0034】また第1の基板上に設けるソース電極とデ
ーター電極と、データー電極に接続する第1の櫛歯型電
極と、半導体層と半導体層上に設けるゲート絶縁膜と、
対向電極上に設け、ゲート絶縁膜に対向する部分に設け
るゲート電極と、ゲート電極に平行するデーター電極と
データー電極に接続する第2の櫛歯型電極を設けること
よりなる三端子型非線形抵抗素子の場合においても、二
端子型非線形抵抗素子と同様に、同一基板上での交差部
がない。さらに第1の櫛歯型電極あるいは第2の櫛歯型
電極のいずれか一方、あるいは両方を突起部上に設ける
ことにより交差部を設けることなく液晶層に水平方向の
電圧を有効に印加するこができる。
ーター電極と、データー電極に接続する第1の櫛歯型電
極と、半導体層と半導体層上に設けるゲート絶縁膜と、
対向電極上に設け、ゲート絶縁膜に対向する部分に設け
るゲート電極と、ゲート電極に平行するデーター電極と
データー電極に接続する第2の櫛歯型電極を設けること
よりなる三端子型非線形抵抗素子の場合においても、二
端子型非線形抵抗素子と同様に、同一基板上での交差部
がない。さらに第1の櫛歯型電極あるいは第2の櫛歯型
電極のいずれか一方、あるいは両方を突起部上に設ける
ことにより交差部を設けることなく液晶層に水平方向の
電圧を有効に印加するこができる。
【0035】さらに第1の基板上に設ける信号電極ある
いは非線形抵抗層と第1の櫛歯型電極と同一辺にて絶縁
膜、あるいは基板が加工され、少なくとも第1の櫛歯型
電極が突起部上に設けてある。そのため、簡単に、第1
の櫛歯型電極を突起部上に設けることができる。あるい
は第2の基板上に設けるデーター電極とデーター電極に
接続する第2の櫛歯型電極と同一辺にて絶縁膜あるいは
基板が加工され少なくとも第2の櫛歯型電極が突起部上
に設けてある。そのため、簡単に第2の櫛歯型電極を突
起部上に設けることができる。
いは非線形抵抗層と第1の櫛歯型電極と同一辺にて絶縁
膜、あるいは基板が加工され、少なくとも第1の櫛歯型
電極が突起部上に設けてある。そのため、簡単に、第1
の櫛歯型電極を突起部上に設けることができる。あるい
は第2の基板上に設けるデーター電極とデーター電極に
接続する第2の櫛歯型電極と同一辺にて絶縁膜あるいは
基板が加工され少なくとも第2の櫛歯型電極が突起部上
に設けてある。そのため、簡単に第2の櫛歯型電極を突
起部上に設けることができる。
【0036】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施するための最
良の形態における液晶表示装置用基板の構成を、図面を
使用して説明する。はじめに本発明の第1の実施形態に
おける液晶表示装置用基板の構成を、図1と図2とを用
いて説明する。図1は本発明の第1の実施形態における
る液晶表示装置用基板の非線形抵抗素子の周囲を示す平
面図である。図2は図1の平面図のB−B線における断
面を示す断面図である。以下図1と図2とを交互に用い
て本発明の第1の実施形態を説明する。
良の形態における液晶表示装置用基板の構成を、図面を
使用して説明する。はじめに本発明の第1の実施形態に
おける液晶表示装置用基板の構成を、図1と図2とを用
いて説明する。図1は本発明の第1の実施形態における
る液晶表示装置用基板の非線形抵抗素子の周囲を示す平
面図である。図2は図1の平面図のB−B線における断
面を示す断面図である。以下図1と図2とを交互に用い
て本発明の第1の実施形態を説明する。
【0037】透明絶縁性基板のガラスからなる第1の基
板1上に、膜厚1.5μmのポリイミド樹脂からなる突
起部3を設ける。第1の基板1上に第1の電極であるク
ロム膜(Cr)からなる信号電極4と、突起部3上に信
号電極4に接続する第1の櫛歯型電極5を設ける。すな
わち、第1の櫛歯型電極5は、突起部3上に設けてある
ため、第1の基板1より凸になっている。
板1上に、膜厚1.5μmのポリイミド樹脂からなる突
起部3を設ける。第1の基板1上に第1の電極であるク
ロム膜(Cr)からなる信号電極4と、突起部3上に信
号電極4に接続する第1の櫛歯型電極5を設ける。すな
わち、第1の櫛歯型電極5は、突起部3上に設けてある
ため、第1の基板1より凸になっている。
【0038】さらに第1の基板1に対向する第2の基板
2上には、膜厚2.0μmのポリイミド樹脂からなる突
起部7を設ける。第2の基板2上に第2の電極であるク
ロム膜(Cr)からなるデーター電極6と、突起部7上
にデーター電極6に接続する第2の櫛歯型電極8を設け
る。
2上には、膜厚2.0μmのポリイミド樹脂からなる突
起部7を設ける。第2の基板2上に第2の電極であるク
ロム膜(Cr)からなるデーター電極6と、突起部7上
にデーター電極6に接続する第2の櫛歯型電極8を設け
る。
【0039】図2に示すよに、第1の櫛歯型電極5と第
2の櫛歯型電極8は、お互いに第1の基板1、あるいは
第2の基板2より突出し、6μmのギャップ10により
水平方向に配置する。第1の櫛歯型電極5と第2の櫛歯
型電極8の間に電圧を印加し液晶層9を電圧に対して可
変し光学変化させ表示に利用する。第1の基板1上に信
号電極4と第2の基板2上のデーター電極6は、液晶層
9と介して交差している。すなわち、同一基板での交差
がない。
2の櫛歯型電極8は、お互いに第1の基板1、あるいは
第2の基板2より突出し、6μmのギャップ10により
水平方向に配置する。第1の櫛歯型電極5と第2の櫛歯
型電極8の間に電圧を印加し液晶層9を電圧に対して可
変し光学変化させ表示に利用する。第1の基板1上に信
号電極4と第2の基板2上のデーター電極6は、液晶層
9と介して交差している。すなわち、同一基板での交差
がない。
【0040】さらに突起部3と突起部7上に第1の櫛歯
型電極5と第2の櫛歯型電極8を設けることにより、同
一基板上に櫛歯型電極を設けていなくとも、第1の櫛歯
型電極5と第2の櫛歯型電極8は水平方向に設けること
ができる。さらに第1の櫛歯型電極5、あるいは第2の
櫛歯型電極8を基板上に突出することにより液晶分子と
基板との相互作用を弱めることが可能となり小さな電圧
で大ききな液晶分子の変形ができる。そのため、第1の
実施形態に示す、非線形抵抗素子を信号電極4と第1の
櫛歯型電極5の間に設けていない、いわゆるパッシブマ
トリクス手段においては、有効な手段である。
型電極5と第2の櫛歯型電極8を設けることにより、同
一基板上に櫛歯型電極を設けていなくとも、第1の櫛歯
型電極5と第2の櫛歯型電極8は水平方向に設けること
ができる。さらに第1の櫛歯型電極5、あるいは第2の
櫛歯型電極8を基板上に突出することにより液晶分子と
基板との相互作用を弱めることが可能となり小さな電圧
で大ききな液晶分子の変形ができる。そのため、第1の
実施形態に示す、非線形抵抗素子を信号電極4と第1の
櫛歯型電極5の間に設けていない、いわゆるパッシブマ
トリクス手段においては、有効な手段である。
【0041】つぎに本発明の第2の実施形態における液
晶表示装置用基板の構成を、図3と図4とを用いて説明
する。第2の実施形態においては、二端子型非線形抵抗
素子(TFD素子)の場合に関して説明する。図3は第
2の実施形態における液晶表示装置用基板の一部を拡大
する平面図である。図4は図3の平面図のC−C線の相
当する部分における断面図である。以下、図3と図4と
を交互に用いて本発明の第2の実施形態を説明する。
晶表示装置用基板の構成を、図3と図4とを用いて説明
する。第2の実施形態においては、二端子型非線形抵抗
素子(TFD素子)の場合に関して説明する。図3は第
2の実施形態における液晶表示装置用基板の一部を拡大
する平面図である。図4は図3の平面図のC−C線の相
当する部分における断面図である。以下、図3と図4と
を交互に用いて本発明の第2の実施形態を説明する。
【0042】第2の実施形態においては、第1の基板1
の信号電極4と第1の櫛歯型電極5との間に2つの第1
の非線形抵抗素子24と第2の非線形抵抗素子25を設
ける実施形態に関して説明する。
の信号電極4と第1の櫛歯型電極5との間に2つの第1
の非線形抵抗素子24と第2の非線形抵抗素子25を設
ける実施形態に関して説明する。
【0043】透明絶縁性基板のガラスからなる第1の基
板1上に、前面に2μmの膜厚であるポリイミド樹脂3
1を設ける。さらにポリイミド樹脂31上には、第1の
電極であるタンタル膜(Ta)からなる島状の下電極2
1と下電極21上に設ける第1の電極の陽極酸化膜であ
る酸化タンタル膜(Ta2 O5 )からなる非線形抵抗層
26を設ける。
板1上に、前面に2μmの膜厚であるポリイミド樹脂3
1を設ける。さらにポリイミド樹脂31上には、第1の
電極であるタンタル膜(Ta)からなる島状の下電極2
1と下電極21上に設ける第1の電極の陽極酸化膜であ
る酸化タンタル膜(Ta2 O5 )からなる非線形抵抗層
26を設ける。
【0044】さらにポリイミド樹脂31上には、モリブ
デン(Mo)膜からなる信号電極4と、この信号電極4
に接続し、しかも島状の下電極21上の非線形抵抗層2
6と重なり合う第1の上電極23と、第1の櫛歯型電極
5と第1の櫛歯型電極5に接続し、しかも島状の下電極
21上の非線形抵抗層26と重なり合う第2の上電極2
4とを設ける。
デン(Mo)膜からなる信号電極4と、この信号電極4
に接続し、しかも島状の下電極21上の非線形抵抗層2
6と重なり合う第1の上電極23と、第1の櫛歯型電極
5と第1の櫛歯型電極5に接続し、しかも島状の下電極
21上の非線形抵抗層26と重なり合う第2の上電極2
4とを設ける。
【0045】以上説明するように、信号電極4と第1の
櫛歯型電極5との間には、第1の非線形抵抗素子25と
第2の非線形抵抗素子24とを有する。さらに信号電極
4と第1の非線形抵抗素子24と第2の非線形抵抗素子
25上と周囲と、第1の櫛歯型電極5上とには、酸化タ
ンタル膜(Ta2 O5 )からなる保護用絶縁膜28を設
ける。第1の基板1上のポリイミド樹脂31の形状は、
保護用絶縁膜28と自己整合する。
櫛歯型電極5との間には、第1の非線形抵抗素子25と
第2の非線形抵抗素子24とを有する。さらに信号電極
4と第1の非線形抵抗素子24と第2の非線形抵抗素子
25上と周囲と、第1の櫛歯型電極5上とには、酸化タ
ンタル膜(Ta2 O5 )からなる保護用絶縁膜28を設
ける。第1の基板1上のポリイミド樹脂31の形状は、
保護用絶縁膜28と自己整合する。
【0046】以上に示す構成により、第1の基板1上に
は、突起部31が信号電極4と非線形抵抗素子24、2
5と第1の櫛歯型電極5の下部に設けることができる。
は、突起部31が信号電極4と非線形抵抗素子24、2
5と第1の櫛歯型電極5の下部に設けることができる。
【0047】さらに第1の基板1に対向する第2の基板
2上には、膜厚3.0μmのポリイミド樹脂からなる突
起部7を設ける。第2の基板2上に第2の電極であるク
ロム膜(Cr)からなるデーター電極6を設ける。さら
にチタン(Ti)膜からなる第2の櫛歯型電極8を突起
部7上に設け、第2の電極6と第2の櫛歯型電極8とは
接続部27により相互に接続する。
2上には、膜厚3.0μmのポリイミド樹脂からなる突
起部7を設ける。第2の基板2上に第2の電極であるク
ロム膜(Cr)からなるデーター電極6を設ける。さら
にチタン(Ti)膜からなる第2の櫛歯型電極8を突起
部7上に設け、第2の電極6と第2の櫛歯型電極8とは
接続部27により相互に接続する。
【0048】図2に示すよに、第1の櫛歯型電極5と第
2の櫛歯型電極8は、お互いに第1の基板1あるいは第
2の基板2より突出し、8μmのギャップ10により水
平方向に配置する。第1の櫛歯型電極5と第2の櫛歯型
電極8の間に電圧を印加し液晶層9を電圧に対して可変
し光学変化させ表示に利用する。
2の櫛歯型電極8は、お互いに第1の基板1あるいは第
2の基板2より突出し、8μmのギャップ10により水
平方向に配置する。第1の櫛歯型電極5と第2の櫛歯型
電極8の間に電圧を印加し液晶層9を電圧に対して可変
し光学変化させ表示に利用する。
【0049】第1の基板1上に信号電極4と第2の基板
2上のデーター電極6は液晶層9と介して交差してい
る。すなわち、同一基板での交差がない。さらに第1の
基板1上の信号電極4上と第1の非線形抵抗素子24と
第2の非線形抵抗素子25上とその周囲と、第1の櫛歯
型電極5上には、保護用絶縁膜28を設けているため、
信号電極4とデーター電極6との電気的短絡は発生しな
い。
2上のデーター電極6は液晶層9と介して交差してい
る。すなわち、同一基板での交差がない。さらに第1の
基板1上の信号電極4上と第1の非線形抵抗素子24と
第2の非線形抵抗素子25上とその周囲と、第1の櫛歯
型電極5上には、保護用絶縁膜28を設けているため、
信号電極4とデーター電極6との電気的短絡は発生しな
い。
【0050】さらに突起部3、7上に第1の櫛歯型電極
5と第2の櫛歯型電極8を設けることにより、同一基板
上に櫛歯型電極を設けていなくとも、第1の櫛歯型電極
5と第2の櫛歯型電極8は水平方向に設けることができ
る。さらに第1の櫛歯型電極5、あるいは第2の櫛歯型
電極8を基板上に突出することにより液晶分子と基板と
の相互作用を弱めることが可能となり小さな電圧で大き
きな液晶分子の変形ができる。
5と第2の櫛歯型電極8を設けることにより、同一基板
上に櫛歯型電極を設けていなくとも、第1の櫛歯型電極
5と第2の櫛歯型電極8は水平方向に設けることができ
る。さらに第1の櫛歯型電極5、あるいは第2の櫛歯型
電極8を基板上に突出することにより液晶分子と基板と
の相互作用を弱めることが可能となり小さな電圧で大き
きな液晶分子の変形ができる。
【0051】さらに本発明の第2の実施形態において
は、データー電極6と第2の櫛歯型電極8の段差を設け
ており、第1の櫛歯型電極5と第2の櫛歯型電極8をほ
ぼ水平に配置すると同時に、信号電極4とデーター電極
6との電気的短絡を防止することができる。そのため、
信号電極4と第1の櫛歯型電極5との間に非線形抵抗素
子24、25を設ける、表示品質に優れる、いわゆるア
クティブマトリクス型の液晶表示装置用基板において有
効である。
は、データー電極6と第2の櫛歯型電極8の段差を設け
ており、第1の櫛歯型電極5と第2の櫛歯型電極8をほ
ぼ水平に配置すると同時に、信号電極4とデーター電極
6との電気的短絡を防止することができる。そのため、
信号電極4と第1の櫛歯型電極5との間に非線形抵抗素
子24、25を設ける、表示品質に優れる、いわゆるア
クティブマトリクス型の液晶表示装置用基板において有
効である。
【0052】つぎに本発明の第3の実施形態における液
晶表示装置用基板の構成を、図5と図6とを用いて説明
する。図5は第3の実施形態における液晶表示装置用基
板の一部を拡大する平面図である。図6は図5の平面図
のD−D線の相当する部分における断面図である。以
下、図5と図6とを交互に用いて本発明の第3の実施形
態を説明する。
晶表示装置用基板の構成を、図5と図6とを用いて説明
する。図5は第3の実施形態における液晶表示装置用基
板の一部を拡大する平面図である。図6は図5の平面図
のD−D線の相当する部分における断面図である。以
下、図5と図6とを交互に用いて本発明の第3の実施形
態を説明する。
【0053】第3の実施形態の液晶表示装置用基板にお
いては、ソース電極41とドレイン電極42と半導体層
44と半導体層43と第1のゲート絶縁膜45と第2の
ゲート絶縁膜47とゲート電極46からなる三端子型の
非線形抵抗素子として薄膜トランジスター(TFT)を
有する実施形態を説明する。
いては、ソース電極41とドレイン電極42と半導体層
44と半導体層43と第1のゲート絶縁膜45と第2の
ゲート絶縁膜47とゲート電極46からなる三端子型の
非線形抵抗素子として薄膜トランジスター(TFT)を
有する実施形態を説明する。
【0054】第1の基板1上には回転塗布法により設け
る酸化シリコン(SiO2 )からなる突起部31を設け
る。第1の基板1上には、クロム(Cr)膜からなる信
号電極4と信号電極4に接続するソース電極41と第1
の櫛歯型電極5に接続するドレイン電極42とを設け
る。第1の櫛歯型電極5は、突起部31上に設ける。
る酸化シリコン(SiO2 )からなる突起部31を設け
る。第1の基板1上には、クロム(Cr)膜からなる信
号電極4と信号電極4に接続するソース電極41と第1
の櫛歯型電極5に接続するドレイン電極42とを設け
る。第1の櫛歯型電極5は、突起部31上に設ける。
【0055】ソース電極41とドレイン電極42上には
不純物イオンを含むアモルファスシリコン(a−Si)
膜44を設ける。さらに不純物イオンを含まないアモル
ファスシリコン(a−Si)膜43を設ける。さらにア
モルファスシリコン43上には、ゲート絶縁膜45を設
ける。
不純物イオンを含むアモルファスシリコン(a−Si)
膜44を設ける。さらに不純物イオンを含まないアモル
ファスシリコン(a−Si)膜43を設ける。さらにア
モルファスシリコン43上には、ゲート絶縁膜45を設
ける。
【0056】以上に示すように、薄膜トランジスターと
薄膜トランジスターに接続する信号電極4は第1の基板
1上に設ける。また第1の櫛歯型電極4は突起部31上
に設けてあるため第1の基板1上では、第1の櫛歯型電
極4のみ突出している。
薄膜トランジスターに接続する信号電極4は第1の基板
1上に設ける。また第1の櫛歯型電極4は突起部31上
に設けてあるため第1の基板1上では、第1の櫛歯型電
極4のみ突出している。
【0057】さらに第1の基板1に対向する第2の基板
2上には、膜厚1.5μmの厚さのカラーフィルター5
1を設ける。カラーフィルター51は、赤(R)と緑
(G)と青(B)からなる。カラーフィルター51上に
は膜厚3.0μmのポリイミド樹脂からなる突起部7を
設ける。突起部7上にはモリブデン(Mo)膜からなる
ゲート電極48、46と、ゲート電極上には窒化シリコ
ン(SiNx)膜からなる第2のゲート絶縁膜47とデ
ーター電極6とデーター電極6に接続する第2の櫛歯型
電極8とを設ける。
2上には、膜厚1.5μmの厚さのカラーフィルター5
1を設ける。カラーフィルター51は、赤(R)と緑
(G)と青(B)からなる。カラーフィルター51上に
は膜厚3.0μmのポリイミド樹脂からなる突起部7を
設ける。突起部7上にはモリブデン(Mo)膜からなる
ゲート電極48、46と、ゲート電極上には窒化シリコ
ン(SiNx)膜からなる第2のゲート絶縁膜47とデ
ーター電極6とデーター電極6に接続する第2の櫛歯型
電極8とを設ける。
【0058】第1の基板1上の信号電極4と、第2の基
板2上のゲート電極48は、交差部49により液晶層9
を介して交差し、第1の基板1上の信号電極4とデータ
ー電極6は液晶層9を介して交差する。そのため同一基
板内での電極の交差がない。さらに第1の基板1上の突
起部31上に第1の櫛歯型電極5を設け、第2の基板2
上の突起部7上に第2の櫛歯型電極8を設けることによ
りほぼ水平に第1の櫛歯型電極5と第2の櫛歯型電極8
を配置することができる。
板2上のゲート電極48は、交差部49により液晶層9
を介して交差し、第1の基板1上の信号電極4とデータ
ー電極6は液晶層9を介して交差する。そのため同一基
板内での電極の交差がない。さらに第1の基板1上の突
起部31上に第1の櫛歯型電極5を設け、第2の基板2
上の突起部7上に第2の櫛歯型電極8を設けることによ
りほぼ水平に第1の櫛歯型電極5と第2の櫛歯型電極8
を配置することができる。
【0059】さらに第2の基板2上のゲート電極48と
データー電極6と第2の櫛歯型電極上には第2のゲート
絶縁膜である窒化シリコン(SiNx)膜を設けること
により、薄膜トランジスターの特性向上と同時に第1の
基板1上の電極と第2の基板2上の電極の電気的短絡を
防止できる。
データー電極6と第2の櫛歯型電極上には第2のゲート
絶縁膜である窒化シリコン(SiNx)膜を設けること
により、薄膜トランジスターの特性向上と同時に第1の
基板1上の電極と第2の基板2上の電極の電気的短絡を
防止できる。
【0060】さらに第1の基板1上の薄膜トランジスタ
ーを第1の櫛歯型電極5より凹部に設けている。そのた
め、薄膜トランジスターの電界による液晶層9への影響
が小さくなり、良好な表示品質を得ることができる。
ーを第1の櫛歯型電極5より凹部に設けている。そのた
め、薄膜トランジスターの電界による液晶層9への影響
が小さくなり、良好な表示品質を得ることができる。
【0061】なお本発明の第2の実施形態の説明におい
ては、非線形抵抗素子として2個の非線形抵抗素子を設
ける例を示したが、1個あるいはさらに複数個を設ける
場合においても本発明の手段を採用することは有効であ
る。
ては、非線形抵抗素子として2個の非線形抵抗素子を設
ける例を示したが、1個あるいはさらに複数個を設ける
場合においても本発明の手段を採用することは有効であ
る。
【0062】さらに第2の実施形態の説明においては、
非線形抵抗層として下電極の陽極酸化膜を用いる例に関
して説明したが、窒化シリコン(SiNx)膜、あるい
は炭素(C)膜を真空スパタリング法により形成する方
法を用いることにより簡単にしかも陽極酸化用電極を用
いることなく下電極上に非線形抵抗層を設けることがで
きる。
非線形抵抗層として下電極の陽極酸化膜を用いる例に関
して説明したが、窒化シリコン(SiNx)膜、あるい
は炭素(C)膜を真空スパタリング法により形成する方
法を用いることにより簡単にしかも陽極酸化用電極を用
いることなく下電極上に非線形抵抗層を設けることがで
きる。
【0063】なお本発明の実施形態の説明においては、
第1の基板上の突起部と第2の基板上の突起部を両方設
ける実施形態あるいは片方に設ける実施形態を示したが
各第1のから第3の実施形態において両方、あるいは片
方に設ける場合においても、本発明の手段を採用するこ
とは有効である。
第1の基板上の突起部と第2の基板上の突起部を両方設
ける実施形態あるいは片方に設ける実施形態を示したが
各第1のから第3の実施形態において両方、あるいは片
方に設ける場合においても、本発明の手段を採用するこ
とは有効である。
【0064】さらに第1の実施形態と第2の実施形態に
おいてはカラーフィルターを設けていな場合に関して示
したが、第3の実施形態と同様にカラーフィルターを設
ける場合においても、本発明の手段を採用することは有
効である。
おいてはカラーフィルターを設けていな場合に関して示
したが、第3の実施形態と同様にカラーフィルターを設
ける場合においても、本発明の手段を採用することは有
効である。
【0065】さらに第1の実施形態から第3の実施形態
においたは、突起部の側壁形状を急峻に図示している
が、テーパー形状あるいは、階段的形状の場合において
も本発明の手段を採用することは当然有効である。
においたは、突起部の側壁形状を急峻に図示している
が、テーパー形状あるいは、階段的形状の場合において
も本発明の手段を採用することは当然有効である。
【0066】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明の
液晶表示装置用基板の構成を用いることにより、同一基
板内での電極の交差を行うことなく、第1の櫛歯型電極
と第2の櫛歯型電極をほぼ水平に配置することができ
る。
液晶表示装置用基板の構成を用いることにより、同一基
板内での電極の交差を行うことなく、第1の櫛歯型電極
と第2の櫛歯型電極をほぼ水平に配置することができ
る。
【0067】さらに信号電極と第1の櫛歯型電極の間に
非線形抵抗素子を配置し、非線形抵抗素子と第1の櫛歯
型電極とで段差を設けることにより非線形抵抗素子の電
界の影響を低減し良好な表示品質を得ることができる。
さらにまた第1の基板あるいは第2の基板上の突起部を
上層の構成膜と自己整合する形状とすることにより、パ
ターン形成するためのフォトリソグラフィー工程の短縮
が可能となる。
非線形抵抗素子を配置し、非線形抵抗素子と第1の櫛歯
型電極とで段差を設けることにより非線形抵抗素子の電
界の影響を低減し良好な表示品質を得ることができる。
さらにまた第1の基板あるいは第2の基板上の突起部を
上層の構成膜と自己整合する形状とすることにより、パ
ターン形成するためのフォトリソグラフィー工程の短縮
が可能となる。
【図1】本発明の実施形態における液晶表示装置用基板
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図2】本発明の実施形態における液晶表示装置用基板
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図3】本発明の実施形態における液晶表示装置用基板
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図4】本発明の実施形態における液晶表示装置用基板
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図5】本発明の実施形態における液晶表示装置用基板
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図6】本発明の実施形態における液晶表示装置用基板
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図7】従来技術における液晶表示装置を示す平面図で
ある。
ある。
【図8】従来技術における液晶表示装置を示す断面図で
ある。
ある。
【図9】櫛歯型電極を用いる液晶表示装置を示す平面図
である。
である。
1 第1の基板 2 第2の電極 4 信号電極 5 第1櫛歯型電極 6 データー電極 8 第2の櫛歯型電極
Claims (11)
- 【請求項1】 第1の基板上に設ける第1の電極からな
る信号電極と、信号電極に接続する第1の櫛歯型電極
と、第2の基板上に設ける第2の電極からなるデーター
電極とデーター電極に接続する第2の櫛歯型電極と、第
1の基板と第2の基板間に液晶層とを有し、第1の櫛歯
型電極あるいは第2の櫛歯型電極の少なくとも一方の電
極を突起部上に設け、液晶層を介して信号電極とデータ
ー電極の交差する部分を有することを特徴とする液晶表
示装置用基板。 - 【請求項2】 第1の基板上に設ける第1の電極からな
る信号電極と、信号電極に接続する第1の櫛歯型電極
と、第2の基板上に設ける第2の電極からなるデーター
電極とデーター電極に接続する第2の櫛歯型電極と、第
1の基板と第2の基板間に液晶層とを有し、第1の櫛歯
型電極あるいは第2の櫛歯型電極の少なくとも一方の電
極を突起部上に設け、第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型
電極とはお互いに横方向にずれており、液晶層を介して
信号電極とデーター電極の交差する部分を有することを
特徴とする液晶表示装置用基板。 - 【請求項3】 第1の基板上に設ける第1の電極からな
る信号電極と、信号電極に接続する第1の櫛歯型電極
と、第2の基板上に設ける第2の電極からなるデーター
電極とデーター電極に接続する第2の櫛歯型電極と、第
1の基板と第2の基板間に液晶層とを有し、第1の櫛歯
型電極あるいは第2の櫛歯型電極を突起部上に設け、第
1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極とはお互いに水平方
向に対向し、さらに液晶層を介して信号電極とデーター
電極の交差する部分を有することを特徴とする液晶表示
装置用基板。 - 【請求項4】 第1の基板上に設ける第1の電極からな
る信号電極と、信号電極と非線形抵抗素子を介して接続
する第1の櫛歯型電極と、第2の基板上に設ける第2の
電極からなるデーター電極とデーター電極に接続する第
2の櫛歯型電極と、第1の基板と第2の基板間に液晶層
とを有し、第1の櫛歯型電極あるいは第2の櫛歯型電極
の少なくとも一方の電極を突起部上に設け、液晶層を介
して信号電極とデーター電極の交差する部分を有するこ
とを特徴とする液晶表示装置用基板。 - 【請求項5】 第1の基板上に設ける第1の電極からな
る信号電極と、信号電極と非線形抵抗素子を介して接続
する第1の櫛歯型電極と、第2の基板上に設ける第2の
電極からなるデーター電極とデーター電極に接続する第
2の櫛歯型電極と、第1の基板と第2の基板間に液晶層
とを有し、第1の櫛歯型電極は突起部上に設け、しかも
信号電極と非線形抵抗素子より液晶層に突出しており、
液晶層を介して信号電極とデーター電極の交差する部分
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板。 - 【請求項6】 第1の基板上に設ける第1の電極からな
る信号電極と、信号電極と非線形抵抗素子を介して接続
する第1の櫛歯型電極と、第2の基板上に設ける第2の
電極からなるデーター電極とデーター電極に接続する第
2の櫛歯型電極と、第1の基板と第2の基板間に液晶層
とを有し第1の櫛歯型電極が突起部上に設け、かつ信号
電極と非線形抵抗素子より液晶層に突出しており、デー
ター電極に接続する第2の櫛歯型電極も突起部上に設け
られており、第1の櫛歯型電極と第2の櫛歯型電極が水
平方向に配置され、さらに液晶層を介して信号電極とデ
ーター電極の交差する部分を有することを特徴とする液
晶表示装置用基板。 - 【請求項7】 第1の基板上に設ける第1の電極からな
る信号電極と、信号電極と非線形抵抗素子を介して接続
する第1の櫛歯型電極と、第2の基板上に設ける第2の
電極からなるデーター電極とデーター電極に接続する第
2の櫛歯型電極と、第1の基板と第2の基板間に液晶層
とを有し、非線形抵抗素子と第1の電極が自己整合する
突起部上に設け、データー電極に接続する第2の櫛歯型
電極も突起部上の設けられており、第1の櫛歯型電極と
第2の櫛歯型電極が水平方向に配置され、さらに液晶層
を介して信号電極とデーター電極の交差する部分を有す
ることを特徴とする液晶表示装置用基板。 - 【請求項8】 信号電極と第1の櫛歯型電極間に設ける
非線形抵抗素子が第1の電極と第1の電極の陽極酸化膜
と第3の電極からなる薄膜ダイオードであることを特徴
とする請求項4、5、6、または7に記載の液晶表示装
置用基板。 - 【請求項9】 信号電極と第1の櫛歯型電極との間に設
ける非線形抵抗素子は、第1の電極と第1の電極の陽極
酸化膜と第3の電極からなる薄膜ダイオードであり、信
号電極と第1の櫛歯型電極の間には、複数の非線形抵抗
層を有することを特徴とする請求項4、5、6、または
7に記載の液晶表示装置用基板。 - 【請求項10】 信号電極と第1の櫛歯型電極との間に
設ける非線形抵抗素子は、第1の電極とシリコンあるい
は炭素を含む非線形抵抗層と第3の電極からなる薄膜ダ
イオードであることを特徴とする請求項4、5、6、ま
たは7に記載の液晶表示装置用基板。 - 【請求項11】 信号電極と第1の櫛歯型電極との間に
設ける非線形抵抗素子は、ソース電極とドレイン電極と
半導体層とゲート絶縁膜とゲート絶縁膜上に液晶層を介
して設けるゲート電極とからなる薄膜トランジスターで
あり、第1の櫛歯型電極は薄膜トランジスターのドレイ
ン電極に接続することを特徴とする請求項4、5、6、
または7に記載の液晶表示装置用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8260471A JPH10104644A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 液晶表示装置用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8260471A JPH10104644A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 液晶表示装置用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10104644A true JPH10104644A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17348417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8260471A Pending JPH10104644A (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 液晶表示装置用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10104644A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004184967A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Ind Technol Res Inst | 広視野角ディスプレイ装置とその製造方法 |
| JP2011133874A (ja) * | 2009-11-24 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP5297551B1 (ja) * | 2012-07-06 | 2013-09-25 | 株式会社東芝 | 液晶光学素子および画像表示装置 |
| CN111338106A (zh) * | 2020-03-05 | 2020-06-26 | 深圳市科创数字显示技术有限公司 | 硅基液晶空间光调制器及其制作方法与波长选择开关 |
| CN111338107A (zh) * | 2020-03-05 | 2020-06-26 | 深圳市科创数字显示技术有限公司 | 硅基液晶空间光调制器及其制作方法与波长选择开关 |
| CN115731854A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-03-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 驱动基板、显示面板、其制作方法及显示装置 |
-
1996
- 1996-10-01 JP JP8260471A patent/JPH10104644A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004184967A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Ind Technol Res Inst | 広視野角ディスプレイ装置とその製造方法 |
| JP2011133874A (ja) * | 2009-11-24 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP5297551B1 (ja) * | 2012-07-06 | 2013-09-25 | 株式会社東芝 | 液晶光学素子および画像表示装置 |
| CN111338106A (zh) * | 2020-03-05 | 2020-06-26 | 深圳市科创数字显示技术有限公司 | 硅基液晶空间光调制器及其制作方法与波长选择开关 |
| CN111338107A (zh) * | 2020-03-05 | 2020-06-26 | 深圳市科创数字显示技术有限公司 | 硅基液晶空间光调制器及其制作方法与波长选择开关 |
| CN111338106B (zh) * | 2020-03-05 | 2024-03-19 | 深圳市科创数字显示技术有限公司 | 硅基液晶空间光调制器及其制作方法与波长选择开关 |
| CN111338107B (zh) * | 2020-03-05 | 2024-03-19 | 深圳市科创数字显示技术有限公司 | 硅基液晶空间光调制器及其制作方法与波长选择开关 |
| CN115731854A (zh) * | 2022-11-24 | 2023-03-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 驱动基板、显示面板、其制作方法及显示装置 |
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