JPH10104660A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ドレイン信号線の断線を防止する。 【解決手段】 画素電極とコンタクトの良好なコンタク
ト用導電層が設けられ、このコンタクト用導電層の一端
部に薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を兼ねる絶縁膜に
形成されたコンタクトホールを通して該薄膜トランジス
タのソース電極が接続されているとともに、前記コンタ
クト用導電層の他端部に保護膜および絶縁膜に形成され
たコンタクトホールを通して前記画素電極が接続され、
かつ、前記ドレイン信号線は、少なくとも異なる金属の
２層構造からなり、その下層は前記コンタクト用導電層
とコンタクトの良好な材料で構成されているとともに、
他の層はカバレージの良好な材料で構成されている

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に、アクティブ・マトリックス型と称される液晶
表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブ・マトリックス型の液晶表示
装置は、液晶を介して互いに対向配置される透明基板の
うち一方の液晶側の面に、ｘ方向に延在しかつｙ方向に
並設されたゲート信号線と、これらゲート信号線に絶縁
されてｙ方向に延在しかつｘ方向に並設されたドレイン
信号線とを備え、これら各信号線で囲まれた矩形状の領
域を画素領域として構成されている。

【０００３】そして、これら各画素領域には、ゲート信
号線に供給される走査信号（電圧）によってオンする薄
膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレ
イン信号線に供給される映像信号（電圧）が印加される
たとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）からなる画素電極
とを備えている。

【０００４】そして、このような液晶表示装置は、その
画素領域の開口率の向上を図るために、種々の構成が工
夫されている。

【０００５】そのうち、薄膜トランジスタへの液晶の直
接の接触を避けるために設けられる保護膜の上面に画素
電極を形成する構成のものが知られるに至っている。

【０００６】このようにすれば、ゲート信号線あるいは
ドレイン信号線の存在に規制されることなく、該画素電
極を大きく形成できるからである。

【０００７】この場合、該画素電極は、保護膜の下層に
位置づけられる薄膜トランジスタのソース電極と接続さ
せなければならないことから、該保護膜に形成したコン
タクトホールを介して該ソース電極との接続を図る構成
を必然的に採用せざるを得なくなる。

【０００８】そして、該コンタクトホールにおいて、ソ
ース電極に対する画素電極の良好なコンタクトが必要と
される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】この場合、薄膜トラン
ジスタのソース電極は、製造工数の増大を抑制するた
め、ドレイン信号線（ドレイン電極をも含む）と同一の
材料として同時に形成することが通常なされることか
ら、この場合のドレイン信号線の材料として、画素電極
とのコンタクト性の良好なものが考慮される。

【００１０】この結果、少なくともＡｌあるいはその合
金はその選定外となり、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏあるいはそれ
らの合金が好適な材料となる。また、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ
は半導体層とのコンタクトも良好であることから薄膜ト
ランジスタの各電極としても好適な材料となる。

【００１１】しかし、このようにＣｒ、Ｔｉ、Ｍｏある
いはそれらの合金をドレイン信号線（薄膜トランジスタ
のドレイン・ソース電極）の材料とした場合、このドレ
イン信号線は、たとえばこれと交差するゲート信号線に
よって形成される段差の乗り越え部で段切れが生じ易
く、該ドレイン線の断線が発生し易いという問題が指摘
されるに至った。

【００１２】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、ドレイン信号線の断線を
防止できる液晶表示装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００１４】すなわち、液晶を介して互いに対向配置さ
れる透明基板のうち一方の液晶側の面の各画素領域に、
ゲート信号線に供給される走査信号によってオンする薄
膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレ
イン信号線に供給される映像信号が印加される画素電極
とを備え、前記画素電極は保護膜上に形成されていると
ともに、この保護膜の下層に位置づけられる薄膜トラン
ジスタのソース電極と接続され、かつこのソース電極は
ドレイン信号線と同一の材料で形成されている液晶表示
装置において、前記画素電極とコンタクトの良好なコン
タクト用導電層が設けられ、このコンタクト用導電層の
一端部に前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を兼ねる
絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通して該薄膜ト
ランジスタのソース電極が接続されているとともに、前
記コンタクト用導電層の他端部に前記保護膜および絶縁
膜に形成されたコンタクトホールを通して前記画素電極
が接続され、かつ、前記ドレイン信号線は、少なくとも
異なる金属の２層構造からなり、その下層は前記コンタ
クト用導電層とコンタクトの良好な材料で構成されてい
るとともに、他の層はカバレージの良好な材料で構成さ
れていることを特徴とするものである。

【００１５】このように構成した液晶表示装置は、特
に、画素電極とコンタクトの良好なコンタクト用導電層
を別個に設け、このコンタクト用導電層を介することに
よって該画素電極と薄膜トランジスタのソース電極との
接続を図っている。

【００１６】そして、ドレイン信号線と同材料からなる
ソース電極は、少なくとも異なる金属の２層構造からな
り、その下層は前記コンタクト用導電層とコンタクトの
良好な材料から構成されていることから、該コンタクト
用導電層に対するソース電極のコンタクトの信頼性をも
図ることができるようになる。

【００１７】一方、該ソース電極と同材料からなるドレ
イン信号線は、その下層を除く他の層はカバレージの良
好な材料から構成されているため、段差の乗り越え部に
おける断線の発生を抑制させることができるようにな
る。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の各実施例について図面を用いて説明をする。

【００１９】〔実施例１〕まず、本発明によるアクティ
ブ・マトリックス液晶表示装置において、液晶を介して
互いに対向配置される透明ガラス基板のうち一方の透明
ガラス基板１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在され
かつｙ方向に並設されるゲート信号線２と、これらゲー
ト信号線２と絶縁されｙ方向に延在されかつｘ方向に並
設されるドレイン信号線６とがあり、これらゲート信号
線２とドレイン信号線６とで囲まれた矩形状の領域が画
素領域として形成されるようになっている。

【００２０】すなわち、これら各画素領域がマトリック
ス状に多数配置されることによって、それらの集合体が
表示部を構成するようになっている。

【００２１】そして、これら各画素領域には、その中央
部を除く周辺部の領域の一部に薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ、および付加容量素子Ｃａｄｄが形成され、また中央
部の領域のほとんどの部分には画素電極１０が形成され
ている。

【００２２】このように構成される各画素領域は、液晶
を介して他方の対向する透明ガラス基板の該液晶側に形
成された共通画素電極（各画素領域に共通な透明電極）
とで画素を構成するようになっている。

【００２３】すなわち、上述した各画素領域において、
その画素領域を画する一方のゲート信号線２に走査信号
が供給されることによって、対応する薄膜トランジスタ
ＴＦＴがオンし、このオンされた薄膜トランジスタＴＦ
Ｔを介してドレイン信号線６から供給される映像信号が
画素電極１０に供給され、前記共通画素電極との間に電
界を生じさせるようになっている。これによって該画素
電極１０と共通画素電極との間の液晶はその光透過特性
が制御されるようになっている。

【００２４】この場合、該画素領域を画する他方のゲー
ト信号線２と画素電極１０との間には前記付加容量素子
Ｃａｄｄが形成されており、この付加容量素子ｃａｄｄ
によって、前記一方のゲート信号線２への走査信号の供
給がなされなくなって薄膜トランジスタＴＦＴがオフし
ても、前記画素電極１０に印加された映像信号は前記共
通画素電極との間で比較的長く保持されるようになって
いる。

【００２５】次に、上述した各構成部材を詳細に説明す
る。

【００２６】ゲート信号線２ 図２は、透明ガラス基板１の液晶側に形成された各構成
部材の平面図を示すものであり、このうちゲート信号２
は図中ｘ方向に延在されて形成されている。なお、図２
におけるI−I線の断面図は図１に示している。

【００２７】該ゲート信号線２は、透明ガラス基板１の
表面に直接形成され、図中、その上側にある画素領域と
下側にある画素領域の間を走行しており、前記各画素領
域はそれぞれの全体のうちの約半分が図示されたものと
なっている。

【００２８】そして、このゲート信号線２は、その一部
において、図中上側にある画素領域内に形成される薄膜
トランジスタＴＦＴのゲート電極２Ａを兼ねて形成され
るようになっており、該一部はゲート信号線２を図中上
側に若干延在させた部分として形成されている。

【００２９】また、ゲート信号線２およびこのゲート信
号線２と一体に形成された前記ゲート電極２Ａは、この
実施例では、特に、ＣｒあるいはこのＣｒを主成分とす
る合金からなる材料で形成されている。Ｃｒを主成分と
する合金としては、ＣｒとＭｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔｉ等の金
属からなる合金が好適となる。

【００３０】ゲート信号線２としてたとえばＡｌあるい
はこのＡｌを主成分とする合金をも考えられるが、絶縁
膜４を通して該ゲート信号線２と交差させて形成する後
述のドレイン信号線６との間に短絡の原因となるいわゆ
るヒロック（突起）が生じ易いことから、この実施例で
はこのような弊害を回避した構成となっている。

【００３１】コンタクト用導電層３ この実施例において特に形成される構成部材であり、薄
膜トランジスタＴＦＴのソース電極６Ｓと画素電極１０
との接続を図るための介在層として機能するようになっ
ている。このコンタクト用導電層３の効果は、他の構成
部材（ソース電極６Ｓおよび画素電極１０）との関係で
発揮されるものであることから、該他の構成部材の説明
の項において後述する。

【００３２】そして、このコンタクト用導電層３は、製
造方法の工程を増大させない趣旨から、前記ゲート信号
線２と同一の材料、すなわち、ＣｒあるいはこのＣｒを
主成分とする合金から構成され、かつ該ゲート信号線と
同一の工程で形成するようになっている。

【００３３】絶縁膜４ 透明ガラス基板１の表面には、前記ゲート信号線２およ
びコンタクト用導電層３をも含んでその全域にたとえば
シリコン窒化膜からなる絶縁膜４が形成されている。

【００３４】この絶縁膜４は、薄膜トランジスタＴＦＴ
の形成領域においてはゲート絶縁膜として、また、付加
容量素子Ｃａｄｄの形成領域においては誘電体膜とし
て、さらには、後述するドレイン信号線 の前記ゲート
信号線２との交差領域においては該ドレイン信号線６に
対する層間絶縁膜としての機能を有するようになってい
る。

【００３５】薄膜トランジスタＴＦＴ 前記絶縁膜４の表面の一部の領域であって、ゲート信号
線２と一体に形成された前記ゲート電極２Ａに重畳する
領域に半導体層５が形成されている。

【００３６】この半導体層５は不純物を故意にドープし
ていないいわゆるｉ型半導体層からなっている。

【００３７】そして、この半導体層の表面にはドレイン
電極６Ｄとソース電極６Ｓとが互いに離間されて形成さ
れ、このドレイン電極６Ｄとソース電極６Ｓは、その形
成領域における該半導体層５との界面にたとえば高濃度
のｎ型不純物をドープしたコンタクト層が介在されて形
成されている。

【００３８】この場合、ｉ型の前記半導体層５の表面に
ｎ型不純物をドープした層を形成し、さらに、ドレイン
電極６Ｄとソース電極６Ｓとを形成した後、このドレイ
ン電極６Ｄとソース電極６Ｓとをマスクにしてｎ型不純
物をドープした層をエッチングすることによって上記構
成を得ることができる。

【００３９】このように構成された薄膜トランジスタＴ
ＦＴは、ゲート信号線２から走査信号がゲート電極２Ａ
に供給されると、ゲート絶縁膜（絶縁膜４の一部）を介
してｉ型の半導体層５にチャネル層が形成され、このチ
ャネル層を介してドレイン電極６Ｄおよびソース電極６
Ｓとの間が導通するようになる、いわゆるＭＩＳ型トラ
ンジスタとなっている。

【００４０】なお、ＭＩＳ型トランジスタのドレイン電
極６Ｄおよびソース電極６Ｓの称呼は、本来その間のバ
イアス極性によって決定されるもので、この液晶表示装
置の回路ではその極性が動作中反転するようになり、そ
の称呼は動作中入れ替わるものとなる。しかし、この実
施例では、説明の便宜上画素電極１０と接続される側を
ソース電極６Ｓと固定して表現している。

【００４１】そして、該ドレイン電極６Ｄは、後述で明
らかになるようにドレイン信号線６と一体に形成される
ように構成され、また、ソース電極６Ｓにおいても該ド
レイン電極６Ｄと同一の材料で形成され、かつ同一の工
程で形成されるようになっている。

【００４２】ドレイン信号線６ ドレイン信号線６は前記絶縁膜４の上に形成され、図２
においては画素領域の左側をｙ方向に走行して示されて
いる。そして、ドレイン信号線６の一部は、図中右側に
ある画素領域内に形成される薄膜トランジスタＴＦＴの
ドレイン電極６Ｄを兼ねて形成され、該一部はドレイン
信号線６を図中右側に若干延在させた部分として形成さ
れている。

【００４３】そして、このドレイン信号線６は、この実
施例では特に、積層構造の信号線として形成され、その
絶縁膜側の下層においては、たとえばゲート信号線と同
一の材料、すなわちＣｒあるいはそれを主成分とする合
金等からなる金属層６Ｂで構成され、その上層において
は、たとえばＡｌ−Ｓｉ、あるいはＡｌ−Ｔｉ−Ｔａ等
のＡｌ合金等からなる金属層６Ｃで構成されている。

【００４４】このような積層構造からなるドレイン信号
線６は、その下層および上層は全く同一のパターンから
なるものであり、したがって、同一のフォトレジストで
連続してエッチングすることで形成することができる。
または、ＡｌのかわりにＩＴＯを用いても良い。

【００４５】薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極６Ｓ
は、上述したように、このドレイン信号線６（ドレイン
電極６Ｄ）と同一の工程で形成されることから、ドレイ
ン信号線６と同一の材料からなる積層構造として形成さ
れている。

【００４６】そして、この場合のソース電極６Ｓは、絶
縁膜４の下層に位置づけられている前記コンタクト用導
電層３を一旦介して後述の画素電極１０に接続されるよ
うになっている。

【００４７】すなわち、前記絶縁膜４の形成の後にコン
タクト用導電層３の薄膜トランジスタＴＦＴ側の一端部
を露出させるコンタクトホール７Ｈが予め設けられてお
り、ソース電極６Ｓはこのコンタクトホール７Ｈを充分
に被うようにして延在されて形成されている。

【００４８】ここで、積層構造からなるソース電極６Ｓ
は、その下層の金属層６Ｂがコンタクト用導電層３と同
一であることから、該コンタクト用導電層３との接続を
良好にすることができるようになる。

【００４９】また、ソース電極６Ｓは、その上層の金属
層６ＣがＡｌあるいはその合金で形成されていることか
ら、いわゆるカバレージ特性に優れるようになり、前記
コンタクトホール７Ｈに急峻な段差が生じていても充分
なカバレージを図ることができるようになる。

【００５０】このことは、ドレイン信号線６においても
同様の効果が得られ、たとえばこれと交差するゲート信
号線２によって形成される段差の乗り越え部における段
切れを防止できるようになる。

【００５１】保護膜８ このようにドレイン信号線６が形成された絶縁膜４の上
面の全域には該ドレイン信号線６をも含んでたとえばシ
リコン窒化膜からなる保護膜８が形成されている。

【００５２】そして、この保護膜８には、その下層に位
置づけられる絶縁膜４とともに、コンタクトホール９Ｈ
が形成され、このコンタクトホール９Ｈによって前記コ
ンタクト用導電膜３の前記ソース電極６Ｓと接続される
側とは反対側の他端部の一部が露呈されるようになって
いる。このコンタクトホール９Ｈを介して後述する画素
電極１０が該コンタクト用導電膜３に接続され、ひいて
は薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極６Ｓに接続され
るように構成されるようになっている。

【００５３】ここで、保護膜８はそれを上層と下層とに
区分けした場合、その上層のエッチングレートが下層の
それよりも大きくなるように形成されており、これによ
り前記コンタクトホール９Ｈの段差は滑らかな形状に形
成されるようになっている。このコンタクトホール９Ｈ
によって、前記画素電極１０は段切れを起すことなくコ
ンタクト用導電膜３に接続されるようにするためであ
る。

【００５４】このように、本実施例における液晶表示装
置は、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極６Ｓと画素
電極１０との接続にあって前記コンタクトホール７Ｈの
他にコンタクトホール９Ｈをも形成しなければならない
構成となるが、該画素電極１０を保護膜８の上面に位置
づけて得られる開口率の増大からみれば、それに占める
面積は微々たるものとなる。

【００５５】なお、、図示していないが、前記保護膜８
は、前記コンタクトホール９Ｈの形成の際に、ゲート信
号線２の延在方向の一端部およびドレイン信号線６の延
在方向の一端部をそれぞれ露呈させる開口部が形成さ
れ、この開口部において外部端子が形成されるように構
成されている。

【００５６】画素電極１０ 前記保護膜８の上面にはたとえばＩＴＯ（Indium-Tin-O
xide）からなる画素電極１０が形成されている。

【００５７】そして、この画素電極１０は少なくとも前
記コンタクトホール９Ｈが形成された部分を被って形成
され、これにより、該画素電極１０は該コンタクトホー
ル９Ｈから露呈されたコンタクト用導電膜３に接続され
て構成されている。

【００５８】この場合、上述したように、保護膜８に形
成されているコンタクトホール９Ｈは、その段差が滑ら
かな形状に形成されていることから、画素電極１０は段
切れを起すことなくコンタクト用導電膜３に接続される
ようになる。

【００５９】ここで、コンタクト用導電膜３は、その材
料が上述のようにＣｒあるいはその合金で構成され、こ
の金属はＩＴＯとのコンタクト性が良好であることが認
められていることから、画素電極１０とのコンタクトが
良好に図れるようになる。

【００６０】そして、画素電極１０は、その画素電極１
０に対応する薄膜トランジスタＴＦＴをオンさせるため
のゲート信号線２とは異なり、隣接する他のゲート信号
線２の一部に前記絶縁膜４および保護膜８を介して重畳
され、この重畳部において付加容量素子Ｃａｄｄを構成
するようになっている（図２においては、ゲート信号線
２の下側に位置づけられる画素電極１０が該ゲート信号
線２に重畳されて形成されていることを示している）。

【００６１】付加容量素子Ｃａｄｄ ゲート信号線２は、その画素電極１０との重畳領域にお
いて、一方の電極を形成し、また、画素電極１０は、そ
のゲート信号線２との重畳領域において、他方の電極を
形成し、これら各電極によって挟持された絶縁膜４およ
び保護膜８が誘電体膜としての機能を有するようになっ
ている。

【００６２】以上説明したように、上述した液晶表示装
置によれば、特に、画素電極１０とコンタクトの良好な
コンタクト用導電層３を別個に設け、このコンタクト用
導電層３を介することによって該画素電極１０と薄膜ト
ランジスタＴＦＴのソース電極６Ｓとの接続を図ってい
る。

【００６３】そして、ドレイン信号線６と同材料からな
るソース電極６Ｓは、少なくとも異なる金属の２層構造
からなり、その下層は前記コンタクト用導電層３とコン
タクトの良好な材料から構成されていることから、該コ
ンタクト用導電層３に対するソース電極６Ｓのコンタク
トの信頼性を図ることができるようになる。

【００６４】一方、該ソース電極６Ｓと同材料からなる
ドレイン信号線６は、その下層を除く他の層はカバレー
ジの良好な材料から構成されているため、段差の乗り越
え部における断線の発生を抑制させることができるよう
になる。

【００６５】〔実施例２〕図４および図５は、本発明に
よる液晶表示装置の他の実施例を示す構成図である。

【００６６】上述した実施例１の構成と異なる部分のみ
を以下に説明する。

【００６７】コンタクト用導電膜３ この実施例においては、実施例１に示したようにゲート
信号線２と同時に形成するコンタクト用導電膜３は存在
せず、それと同一の機能を有するコンタクト用導電膜３
が絶縁膜４上に形成されている。

【００６８】すなわち、積層構造からなる薄膜トランジ
スタＴＦＴのソース電極６Ｓのうち、その下層に位置づ
けられるＣｒあるいはその合金からなる金属層６Ｂを、
該ソース電極６Ｓの本来の形成領域からさらに延在さ
せ、この延在された層に該コンタクト用導電膜３として
の機能を持たせるようにしている（このため、上層のＡ
ｌあるいはその合金からなる金属層６Ｃは、ソース電極
６Ｓの本来の形成領域にのみ形成されている）。

【００６９】この実施例におけるコンタクト用導電膜３
も、実施例１に示したコンタクト用導電膜３の材料、す
なわちＣｒあるいはその合金からなっていることから、
該コンタクト用導電膜３に対する画素電極の良好なコン
タクトが図れるようになる。

【００７０】そして、薄膜トランジスタＴＦＴのソース
電極６Ｓの前記コンタクト用導電膜３に対するスルホー
ル接続をする必要がないことから、実施例１と比較して
製造工程の低減を図ることができるとともに開口率の向
上が図れるようになる。

【００７１】ドレイン信号線６ 薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極６Ｓと同時に形成
するドレイン信号線６は、該ソース電極６Ｓが上述した
構成となっていることから、その積層構造をそれぞれ異
なるフォトレジストで形成することになる。

【００７２】すなわち、下層のＣｒおよびその合金から
なる金属層６Ｂを、その層と一体に前記コンタクト用導
電膜３をも形成するパターンで形成し、その後、前記コ
ンタクト用導電膜３の部分を除いたパターンで上層のＡ
ｌおよびその合金からなる金属層６Ｃを形成する。

【００７３】〔実施例３〕図５は、本発明による液晶表
示装置の他の実施例を示す構成図である。

【００７４】上述した実施例１の構成と異なる部分のみ
を以下に説明する。

【００７５】導体膜１２ この導体膜１２は、Ｃｒあるいはその合金から構成さ
れ、ゲート信号線と同材料であって、かつ該ゲート信号
線と同一の構成で形成されるようになっている。

【００７６】この導体膜１２は、後述のように薄膜トラ
ンジスタＴＦＴを構成する絶縁膜４（ゲート絶縁絶縁
膜）と半導体層５との同一パターンからなる積層体の下
層にその一端が位置づけられ、画素電極１０とのコンタ
クト領域にまで及んで形成されたものとなっている。

【００７７】この導体膜１２の効果については後述す
る。

【００７８】薄膜トランジスタＴＦＴ この薄膜トランジスタＴＦＴを構成する絶縁膜４（ゲー
ト絶縁膜）と半導体層５の順次積層体は、必要な領域に
島状に一括して形成され（同一のフォトマスク工程で形
成され）、このため、前記絶縁膜４は、他の実施例とは
異なり、該半導体層５の形成領域以外の領域にまで延在
されて形成されていないものとなっている。

【００７９】この場合、ゲート絶縁膜は、その下層にお
いて前記導体膜１２の一端部のみが位置づけられるよう
にして形成されている。

【００８０】画素電極１０ 画素電極１０は透明基板１上に直接形成され、その一部
が前記導体膜１２の他端に重畳されて形成されている。

【００８１】薄膜トランジスタのソース電極６Ｓ ２層構造の積層体からなり、その下層はＣｒあるいはそ
の合金からなり、上層はＡｌあるいはその合金からなっ
ている。

【００８２】この場合、このソース電極６Ｓと同一の工
程で同時に形成されるドレイン信号線６も同一の材料か
らなる積層体で構成されている。

【００８３】そして、このソース電極６Ｓは、半導体層
５の上面からその側面、さらには絶縁膜４（ゲート絶縁
膜）の側面に沿って延在され前記導体膜１２の上面にま
で至っている。なお、この実施例では、該ソース電極６
Ｓの延在する端部は、前記導体膜１２の上の画素電極１
０に重畳されて形成されることによって、該ソース電極
６Ｓの画素電極１０に対する信頼性を確保するようにな
っている。

【００８４】このようなソース電極６Ｓの前記導体膜１
２を介した画素電極１０の接続構成にすることによっ
て、特に、島状に形成された絶縁膜４（ゲート絶縁膜）
の原因によって発生するソース電極６Ｄの断線を防止す
ることができるようになる。

【００８５】すなわち、画素電極１０を下層として薄膜
トランジスタＴＦＴを形成した場合、そのゲート絶縁膜
は、その周辺の一部を前記画素電極１０に重畳させて形
成するのが通常となる。この場合、この画素電極１０に
重畳されている部分のゲート絶縁膜は、その形成時にお
けるプラズマ水素の影響によって、その材料の異常成長
が見られ、その以上成長の部分において、後に形成する
ソース電極６Ｓの断線をもたらすことが確認されてい
る。

【００８６】ちなみに、このような欠点を解決させるた
め、ゲート絶縁膜４と半導体層５の積層体を画素電極１
０から離間させて形成させ、ソース電極６Ｓを該積層体
と画素電極１０との間に露呈されている透明基板１の上
を一旦這わせ、さらに画素電極１０上に重畳するように
延在させることが考えられる。しかし、このようにした
場合、該積層体を形成するための選択エッチングの際に
該透明基板１に抉れが生じ、この抉れの部分においてソ
ース電極６Ｓの断線が生じてしまうことから、本質的な
解決策とならないものとなる。

【００８７】本実施例に示した導体膜１２は、上述した
欠点を解決できる手段となるものであり、この導体膜１
２に重畳して形成されたゲート絶縁膜４に上述した異常
成長をもたらすようなことがなく、また、該積層体積層
体を形成するための選択エッチングの際に抉れを生じさ
せることもなくなる。

【００８８】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、ドレイン信号線の
断線を防止できるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す断
面図で、図２のI−I線における断面図に相当する。

【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す平
面図である。

【図３】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
断面図で、図４のIII−III線における断面図に相当す
る。

【図４】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
平面図である。

【図５】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
断面図である。

【符号の説明】

３……コネクタ用導電膜、６Ｓ……ソース電極、１０…
…画素電極、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 伸之 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 斎藤 裕 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶を介して互いに対向配置される透明
   基板のうち一方の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信
   号線に供給される走査信号によってオンする薄膜トラン
   ジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号
   線に供給される映像信号が印加される画素電極とを備
   え、前記画素電極は保護膜上に形成されているととも
   に、この保護膜の下層に位置づけられる薄膜トランジス
   タのソース電極と接続され、かつこのソース電極はドレ
   イン信号線と同一の材料で形成されている液晶表示装置
   において、 前記画素電極とコンタクトの良好なコンタクト用導電層
   が設けられ、このコンタクト用導電層の一端部に前記薄
   膜トランジスタのゲート絶縁膜を兼ねる絶縁膜に形成さ
   れたコンタクトホールを通して該薄膜トランジスタのソ
   ース電極が接続されているとともに、前記コンタクト用
   導電層の他端部に前記保護膜および絶縁膜に形成された
   コンタクトホールを通して前記画素電極が接続され、か
   つ、前記ドレイン信号線は、少なくとも異なる金属の２
   層構造からなり、その下層は前記コンタクト用導電層と
   コンタクトの良好な材料で構成されているとともに、他
   の層はカバレージの良好な材料で構成されていることを
   特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 液晶を介して互いに対向配置される透明
   基板のうち一方の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信
   号線に供給される走査信号によってオンする薄膜トラン
   ジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号
   線に供給される映像信号が印加される画素電極とを備
   え、前記画素電極は保護膜上に形成されているととも
   に、この保護膜の下層に位置づけられる薄膜トランジス
   タのソース電極と接続され、かつこのソース電極はドレ
   イン信号線と同一の材料で形成されている液晶表示装置
   において、 前記画素電極とコンタクトの良好なコンタクト用導電層
   が設けられ、このコンタクト用導電層の一端部に前記薄
   膜トランジスタのゲート絶縁膜を兼ねる絶縁膜に形成さ
   れたコンタクトホールを通して該薄膜トランジスタのソ
   ース電極が接続され、かつ、前記ドレイン信号線は、少
   なくとも異なる金属の２層構造からなり、その下層は他
   の層よりも延在されて前記コンタクト用導電層を構成す
   るとともに、該他の層はカバレージの良好な材料で構成
   されていることを特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】 コンタクト用導電層は、ゲート信号線を
   構成する材料と同一であることを特徴とする請求項１、
   ２のうちいずれか記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 コンタクト用導電層は、Ｃｒ、Ｍｏ、
   Ｗ、Ｔｉ、Ｎｂ、あるいはそれらの合金で形成されてい
   ることを特徴とする請求項１、２、および３のうちいず
   れかに記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 積層構造からなるドレンイン信号線は、
   同一のフォトレジストを用いて形成されていることを特
   徴とする請求項１、２のうちいずれかに記載の液晶表示
   装置。
6. 【請求項６】 ドレイン信号線の下層は、Ｃｒ、Ｍｏ、
   Ｗ、Ｔｉ、Ｎｂ、あるいはそれらの合金で形成されてい
   ることを特徴とする請求項１、２のうちいずれかに記載
   の液晶表示装置。
7. 【請求項７】 ドレイン信号線の他の層は、Ａｌあるい
   はその合金で形成されていることを特徴とする請求項
   １、２のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
8. 【請求項８】 画素電極は、ＩＴＯで形成されているこ
   とを特徴とする請求項１、２のうちいずれかに記載の液
   晶表示装置。
9. 【請求項９】 液晶を介して互いに対向配置される透明
   基板のうち一方の液晶側の面の各画素領域に、ゲート信
   号線に供給される走査信号によってオンする薄膜トラン
   ジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号
   線に供給される映像信号が印加されるＩＴＯからなる画
   素電極とを備える液晶表示装置において、 少なくとも前記ゲート信号、画素電極あるいは薄膜トラ
   ンジスタを構成するゲート絶縁膜および半導体の積層体
   のうちの一方、画素電極あるいは薄膜トランジスタを構
   成するゲート絶縁膜および半導体の積層体のうちの他
   方、該画素電極にまで延在されて形成される前記薄膜ト
   ランジスタのソース電極とが順次積層される構成を備え
   るとともに、前記ゲート絶縁膜および半導体の積層体
   は、その必要領域に島状に形成され、 前記ソース電極は、Ｃｒもしくはその合金からなり、あ
   るいは積層体を構成しその下層にてＣｒもしくはその合
   金からなり、かつ、Ｃｒもしくはその合金からなる導体
   膜を介して前記画素電極に接続されるように構成されて
   いるとともに、前記導体膜は、該薄膜トランジスタを構
   成するゲート絶縁膜の下層として位置づけられ、前記ソ
   ース電極と接続される部分にて該ゲート絶縁膜から露出
   されていることを特徴とする液晶表示装置。
10. 【請求項１０】 導体膜は、ゲート信号線と同材料から
    なり、かつ該ゲート信号線と同一の工程で形成されるこ
    とを特徴とする請求項９記載の液晶表示装置。