JPH10104662A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画素電極の薄膜トランジスタのソース電極に
対するコンタクトを良好にする。 【解決手段】 ゲート信号線は、電気抵抗率の小さな材
料の表面にその材料の酸化膜が形成された２層構造から
なるとともに、ドレイン信号線は、融点が１５００℃以
上の金属またはその合金からなる１層構造からなり、か
つ、その膜自体の膜応力が±３００ＭＰａ以下となって
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に、アクティブ・マトリックス型と称される液晶
表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブ・マトリックス型の液晶表示
装置は、液晶を介して互いに対向配置される透明基板の
うち一方の液晶側の面に、ｘ方向に延在しかつｙ方向に
並設されたゲート信号線と、これらゲート信号線に絶縁
されてｙ方向に延在しかつｘ方向に並設されたドレイン
信号線とを備え、これら各信号線で囲まれた矩形状の領
域を画素領域として構成されている。

【０００３】そして、これら各画素領域には、ゲート信
号線に供給される走査信号（電圧）によってオンする薄
膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレ
イン信号線に供給される映像信号（電圧）が印加される
画素電極とを備えている。

【０００４】そして、これら各画素領域には、ゲート信
号線に供給される走査信号（電圧）によってオンする薄
膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレ
イン信号線に供給される映像信号（電圧）が印加される
たとえばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）からなる画素電極
とを備えている。

【０００５】さらには、前記薄膜トランジスタがオフし
た場合に、該画素電極に比較的長く映像信号を保持させ
るため、該薄膜トランジスタを駆動するゲート信号線と
隣接する他のゲート信号線と該画素電極との間に付加容
量素子が形成されている。

【０００６】このような構成において、ゲート信号線は
特にその電気的抵抗値を小さくすることが要求される。
該ゲート信号線へ供給されるゲート信号の遅延によっ
て、いわゆる横スメアが発生するのを防止できるからで
ある。

【０００７】このため、該ゲート信号線を形成する材料
はＡｌあるいはその合金が用いられ、しかも、このゲー
ト信号線が薄膜トランジスタおよびドレイン信号線より
も下層に位置づけて配置される場合、絶縁膜を通してヒ
ロック（突起）が発生して他の信号線等と短絡してしま
うことから、その表面をいわゆる陽極化成して陽極化成
膜（Ａｌ酸化膜）を形成するものが知られている。

【０００８】さらに、このような構成において、そのド
レイン信号線の材料としてＡｌあるいはその合金を用い
る構成が試みられている。ドレイン信号線が、ゲート信
号線および薄膜トランジスタよりも上層に配置される場
合、これらゲート信号線および薄膜トランジスタによっ
て形成される段差を乗り越える際の段切れを、その低応
力およびカバレージ性によって充分に回避できるからで
ある。

【０００９】しかし、このようにＡｌあるいはその合金
によって構成されたドレイン線は、通常、薄膜トランジ
スタのドレイン電極と一体に形成され、このドレイン電
極を一体に形成したドレイン信号線は、該薄膜トランジ
スタの半導体層と良好な接続を図るためにも、その下層
にＣｒ層を配置させた積層構造として形成する必要があ
る。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】この場合、次の２つの
問題点が見出されることが解明された。

【００１１】まず、その一つとして、薄膜トランジスタ
のソース電極は、ドレイン信号線と同一の材料で、かつ
ドレイン信号線の形成と同時に形成されることが通常で
あり、また、ゲート信号線あるいはドレイン信号線の存
在に規制されずに画素電極をできるだけ大きな面積で形
成して加工率を向上させるために、該画素電極を該各信
号線を被って形成される保護膜上に形成する場合を考え
ると、前記ドレイン信号の画素電極との接続を図る部分
が上層のＡｌあるいはその合金であるために、それらの
コンタクトが良好にとれないという問題が残存されてい
た。

【００１２】次に、表面が陽極化成されたゲート信号線
に画素電極の延在部を直接重畳させて付加容量を形成し
た場合、その延在部の該ゲート信号線に対するカバレー
ジが良好でないことから、ドレイン信号線の形成と同時
に該ドレイン信号線と同一の材料からなる導電膜をさら
に重畳させて形成することが考えられるが、該導電膜の
下層のＣｒが画素電極であるＩＴＯを介してゲート信号
線の表面の陽極化成膜をクラックさせてしまうという問
題が残存されていた。

【００１３】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたものであり、その目的は、画素電極の薄膜トランジ
スタのソース電極に対するコンタクトを良好にできる液
晶表示装置を提供することにある。

【００１４】また、本発明の他の目的は、耐圧の充分な
付加容量を得ることのできる液晶表示装置を提供するこ
とにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。

【００１６】手段１．液晶を介して互いに対向配置され
る透明基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ
方向に延在しかつｙ方向に並設されたゲート信号線と、
これらゲート信号線に絶縁されｙ方向に延在しかつｘ方
向に並設されたドレイン信号線とを備え、これらゲート
信号線およびドレイン信号線に囲まれた各画素領域に、
前記ゲート信号線に供給される走査信号によってオンさ
れる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジ
スタを介して前記ドレイン信号線に供給される映像信号
が印加される画像電極とを備える液晶表示装置におい
て、前記ゲート信号線は、電気抵抗率の小さな材料の表
面にその材料の酸化膜が形成された２層構造からなると
ともに、前記ドレイン信号線は、融点が１５００℃以上
の金属またはその合金からなる１層構造からなり、か
つ、その膜自体の膜応力が±３００ＭＰａ以下であるこ
とを特徴とするものである。

【００１７】このように構成した液晶表示装置は、その
ドレイン信号線が上述の材料から選定され、それらの材
料としてはたとえばＣｒとＭｏとの合金があり、この合
金は、Ａｌと同様にカバレージ性に優れた特性を有する
ばかりか、ＩＴＯからなる画素電極と極めてコンタクト
性が良好であることか確認されている。

【００１８】勿論、ドレイン信号線をＩＴＯと、Ｃｒと
Ｍｏ合金との積層としても良く、この場合、ソース電極
もＩＴＯとＣｒ−Ｍｏ合金と積層となり、したがって画
素ＩＴＯとソース電極ＩＴＯのコンタクトは良好とな
る。

【００１９】手段２．液晶を介して互いに対向配置され
る透明基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ
方向に延在しかつｙ方向に並設されたゲート信号線と、
これらゲート信号線に絶縁されｙ方向に延在しかつｘ方
向に並設されたドレイン信号線とを備え、これらゲート
信号線およびドレイン信号線に囲まれた各画素領域に、
前記ゲート信号線に供給される走査信号によってオンさ
れる薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジ
スタを介して前記ドレイン信号線に供給される映像信号
が印加される画像電極と、前記薄膜トランジスタをオン
するゲート信号線とは異なる隣接のゲート信号線に誘電
体膜を介して前記画素電極の一部が重畳されて形成され
る付加容量素子とを備える液晶表示装置において、前記
ゲート信号線は、電気抵抗率の小さな材料の表面にその
材料の酸化膜が形成された２層構造からなり、かつ、前
記ドレイン信号線は、融点が１５００℃以上の金属また
はその合金からなる１層構造からなり、その膜自体の膜
応力が±３００ＭＰａ以下であるとともに、前記付加容
量素子における少なくとも前記画素電極のゲート信号線
における乗り越え部に導体膜が形成され、この導体膜は
前記ドレイン信号線と同材料からなることを特徴とする
ものである。

【００２０】このように構成した液晶表示装置は、その
付加容量素子における少なくとも前記画素電極のゲート
信号線における乗り越え部に形成される導体膜は前記ド
レイン信号線と同材料のもので構成され、該材料として
たとえばＣｒとＭｏとの合金があり、この合金は、Ａｌ
と同様にカバレージ性に優れた特性を有するばかりか、
ＩＴＯからなる画素電極を介してゲート信号線の表面の
酸化膜をクラックさせてしまうことが全くないことが確
認されている。このため、付加容量素子の耐圧を向上さ
せることができるようになる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の各実施例について図面を用いて説明をする。

【００２２】〔実施例１〕まず、本発明によるアクティ
ブ・マトリックス液晶表示装置において、液晶を介して
互いに対向配置される透明ガラス基板のうち一方の透明
ガラス基板１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在され
かつｙ方向に並設されるゲート信号線２と、これらゲー
ト信号線２と絶縁されｙ方向に延在されかつｘ方向に並
設されるドレイン信号線４とがあり、これらゲート信号
線２とドレイン信号線４とで囲まれた矩形状の領域が画
素領域として形成されるようになっている。

【００２３】すなわち、これら各画素領域がマトリック
ス状に多数配置されることによって、それらの集合体が
表示部を構成するようになっている。

【００２４】そして、これら各画素領域には、その中央
部を除く周辺部の領域の一部に薄膜トランジスタＴＦ
Ｔ、および付加容量素子Ｃａｄｄが形成され、また中央
部の領域のほとんどの部分には画素電極７が形成されて
いる。

【００２５】このように構成される各画素領域は、液晶
を介して他方の対向する透明ガラス基板の該液晶側に形
成された共通画素電極（各画素領域に共通な透明電極）
とで画素を構成するようになっている。

【００２６】すなわち、上述した各画素領域において、
その画素領域を画する一方のゲート信号線２に走査信号
が供給されることによって、対応する薄膜トランジスタ
ＴＦＴがオンし、このオンされた薄膜トランジスタＴＦ
Ｔを介してドレイン信号線４から供給される映像信号が
画素電極７に供給され、前記共通画素電極との間に電界
を生じさせるようになっている。これによって該画素電
極７と共通画素電極との間の液晶はその光透過特性が制
御されるようになっている。

【００２７】この場合、該画素領域を画する他方のゲー
ト信号線２と画素電極７との間には前記付加容量素子Ｃ
ａｄｄが形成されており、この付加容量素子Ｃａｄｄに
よって、前記一方のゲート信号線２への走査信号の供給
がなされなくなって薄膜トランジスタＴＦＴがオフして
も、前記画素電極７に印加された映像信号は前記共通画
素電極との間で比較的長く保持されるようになってい
る。

【００２８】次に、上述した各構成部材を詳細に説明す
る。

【００２９】ゲート信号線２ 図２は、透明ガラス基板１の液晶側に形成された各構成
部材の平面図を示すものであり、このうちゲート信号２
は図中ｘ方向に延在されて形成されている。

【００３０】該ゲート信号線２は、透明ガラス基板１の
表面に直接形成され、図中、その上側にある画素領域と
下側にある画素領域の間を走行しており、前記各画素領
域はそれぞれの全体のうちの約半分が図示されたものと
なっている。

【００３１】そして、このゲート信号線２は、その一部
において、図中上側にある画素領域内に形成される薄膜
トランジスタＴＦＴのゲート電極２Ａを兼ねて形成され
るようになっており、該一部はゲート信号線２を図中上
側に若干延在させた部分として形成されている。

【００３２】このゲート信号線２はＡｌあるいはその合
金（たとえばＡｌ−Ｔｉ−Ｔａ）によって形成され、そ
の電気的抵抗の値が小さいことから、表示上のいわゆる
横スミアの発生を防止できるようになっている。

【００３３】そして、該ゲート信号線２は、図２のI−I
線における断面図である図１に示すように、その側面が
透明基板１側に末広がり状となるテーパが形成され、こ
の結果、断面における形状が台形をなす構成となってい
る。後の工程で形成されるドレイン信号線４等のように
該ゲート信号線２を乗り越えて形成される場合に、該ド
レイン信号線４等が段切れを起して断線してしまうのを
極力防止せんがためである。

【００３４】また、後述する絶縁膜３Ａを通して該ゲー
ト信号線２と交差させて形成するドレイン信号線４との
間に短絡の原因となるいわゆるヒロック（突起）の発生
を防止するために、該ゲート信号線２の表面（側面をも
含む）には陽極化成によって陽極化成膜２Ｏ（Ａｌ酸化
膜）が形成されている。

【００３５】この実施例の場合、陽極化成前のゲート信
号線２の厚さは約３００ｎｍとなっており、陽極化成に
よって形成される陽極化成膜２Ｏは約１５０ｎｍとなっ
ている。これにより、残り厚さ約１５０ｎｍのＡｌある
いはその合金が信号線本来の機能を有するようになって
いる。

【００３６】なお、ゲート信号線２の表面に形成された
陽極化成膜２Ｏは、この実施例では、ヒロック防止の機
能の他に、薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域において
は後述の絶縁膜３Ａとともにゲート絶縁膜として、ドレ
イン信号線４との交差部においては層間絶縁膜として、
付加容量素子Ｃａｄｄの形成領域においては誘電体膜と
しての機能を有するようになっている。

【００３７】薄膜トランジスタＴＦＴ 前記透明ガラス基板１上の一部の領域であって、ゲート
信号線２と一体に形成された前記ゲート電極２Ａに重畳
するようにして絶縁膜３Ａと半導体層３Ｂとの順次積層
体３が形成されている。

【００３８】該絶縁膜３Ａは前記陽極化成膜２Ｏととも
にゲート絶縁膜として機能し、また、半導体層３Ｂは不
純物を故意にドープしていないいわゆるｉ型半導体層か
らなっている。

【００３９】この絶縁膜３Ａと半導体層３Ｂからなる積
層体３は、同一のフォトマスク工程で一括に選択エッチ
ングすることによって形成され、その際に用いるエッチ
ングガスとしてＳＦ₆を用いることで、半導体層３Ｂの
エッチングスピードが絶縁膜３Ａのそれよりも大きくな
り、該積層体３の側面にはなだらかなテーパが形成され
るようになる。

【００４０】そして、この半導体層３Ｂの表面にはドレ
イン電極４Ｄとソース電極４Ｓとが互いに離間されて形
成され、このドレイン電極４Ｄとソース電極４Ｓは、そ
の形成領域における該半導体層３Ｂの表面にたとえば高
濃度のｎ型不純物をドープしたコンタクト層が介在され
て形成されている。

【００４１】この場合、前記ｉ型の半導体層３Ｂの表面
にｎ型不純物をドープした層を形成し、さらに、ドレイ
ン電極４Ｄとソース電極４Ｓとを形成した後、このドレ
イン電極４Ｄとソース電極４Ｓとをマスクにしてｎ型不
純物をドープした層をエッチングすることによって上記
構成を得ることができる。

【００４２】このように構成された薄膜トランジスタＴ
ＦＴは、ゲート信号線２から走査信号がゲート電極２Ａ
に供給されると、ゲート絶縁膜を介してｉ型の半導体層
３Ｂにチャネル層が形成され、このチャネル層を介して
ドレイン電極４Ｄおよびソース電極４Ｓとの間が導通す
るようになる、いわゆるＭＩＳ型トランジスタとなって
いる。

【００４３】なお、ＭＩＳ型トランジスタのドレイン電
極４Ｄおよびソース電極４Ｓの称呼は、本来その間のバ
イアス極性によって決定されるもので、この液晶表示装
置の回路ではその極性が動作中反転するようになり、そ
の称呼は動作中入れ替わるものとなる。しかし、この実
施例では、説明の便宜上画素電極７と接続される側をソ
ース電極４Ｓと固定して表現している。

【００４４】そして、該ドレイン電極４Ｄは、後述で明
らかになるようにドレイン信号線４と一体に形成される
ように構成され、また、ソース電極４Ｓにおいても該ド
レイン電極４Ｄと同一の材料で、かつ同一の工程で形成
されるようになっている。

【００４５】ドレイン信号線４ ドレイン信号線４は前記積層体３に跨って形成され、図
２においては画素領域の左側をｙ方向に走行して示され
ている。そして、ドレイン信号線４の一部は、図中右側
にある画素領域内に形成される薄膜トランジスタＴＦＴ
のドレイン電極４Ｄを兼ねて形成され、該一部はドレイ
ン信号線４を図中右側に若干延在させた部分として形成
されている。

【００４６】そして、このドレイン信号線４は、Ｃｒ
（５０ｗｔ％）とＭｏとの合金から構成されている。Ｃ
ｒのみの材料でドレイン信号線を形成した場合と比べ
て、そのドレイン信号線４の膜応力を極めて小さくでき
るようになる。

【００４７】したがって、ゲート信号線２と交差して形
成されるドレイン信号線４の該ゲート信号線２の乗り越
え部においては、該膜応力が発生しないことから、いわ
ゆる段切れを回避することができるようになる。この場
合、それら各信号線の層間絶縁膜はゲート信号線の表面
に形成された陽極化成膜２Ｏのみとなることから段差は
小さく、該段切れ防止を効果ならしめることになる。

【００４８】また、ドレイン信号線４は、上述したよう
に薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極４Ｄと一体に
形成されていることから、該薄膜トランジスタＴＦＴの
前記積層体３を乗り越える構成となるが、該積層体３は
上述したようにその側面にテーパが形成されていること
から、その段切れを回避することができるようになって
いる。

【００４９】また、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電
極４Ｓは、上述したように、このドレイン信号線４（ド
レイン電極４Ｄ）と同一の工程で形成されることから、
ドレイン信号線４と同一の材料で形成されている。

【００５０】なお、このソース電極４Ｓは、後の説明で
明らかになるように、画素電極７とコンタクトを介して
接続されるように構成されるため、該画素電極７の形成
領域にまで若干延在されてコンタクト形成領域が確保さ
れるようになっている。

【００５１】保護膜６ このようにドレイン信号線４が形成された透明ガラス基
板１の上面の全域には該ドレイン信号線４をも含んでた
とえばシリコン窒化膜からなる保護膜６が形成されてい
る。

【００５２】そして、この保護膜６には、コンタクトホ
ール６Ｈが形成され、このコンタクトホール６Ｈによっ
て薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極４Ｓの前記延在
部の一部が露呈されるようになっている。このコンタク
トホール６Ｈを介して後述する画素電極７がソース電極
４Ｓの延在部の一部に接続されひいては薄膜トランジス
タＴＦＴのソース電極４Ｓに接続されるように構成され
るようになっている。

【００５３】ここで、保護膜６はそれを上層と下層とに
区分けしたとすると、上層のエッチングレートが下層の
それよりも大きくなるように形成されており、これによ
り前記コンタクトホール６Ｈの段差は滑らかな形状に形
成されるようになっている。このコンタクトホール６Ｈ
によって、前記画素電極７は段切れを起すことなくソー
ス電極４Ｓに接続されるようにするためである。

【００５４】また、図示していないが、前記保護膜６
は、前記コンタクトホール６Ｈの形成の際に、ゲート信
号線２の延在方向の一端部およびドレイン信号線４の延
在方向の一端部をそれぞれ露呈させる開口部が形成さ
れ、この開口部において外部端子が形成されるように構
成されている。

【００５５】画素電極７ 前記保護膜６の上面にはたとえばＩＴＯ（Indium-Tin-O
xide）からなる画素電極７が形成されている。これによ
り、該画素電極７は、ゲート信号線２あるいはドレイン
信号線４の存在に規制されることなく、その面積を大き
くでき、ひいては開口率を向上させることができるよう
になる。

【００５６】そして、この画素電極７は少なくとも前記
コンタクトホール７Ｈが形成された部分を被って形成さ
れ、これにより、該画素電極７は該コンタクトホール７
Ｈから露呈された前記ソース電極４Ｓの一部に接続され
て構成されている。

【００５７】この場合、上述したように、保護膜６に形
成されているコンタクトホール７Ｈは、その段差が滑ら
かな形状に形成されていることから、画素電極７は段切
れを起すことなくソース電極４Ｓに接続されるようにな
る。

【００５８】ここで、ソース電極４Ｓは、その材料が上
述のようにＣｒとＭｏとの合金で構成され、この金属は
ＩＴＯとのコンタクト性が良好であることが認められて
いることから、画素電極７とのコンタクトを良好に図れ
るようになる。

【００５９】図３は、前記コンタクトホール７Ｈにおけ
るコンタクト面積に対するコンタクト抵抗を示したグラ
フである。同図から明らかなように、画素電極７に対す
るソース電極４Ｓのコンタクト抵抗は、たとえば該ソー
ス電極４ＳがＣｒのみからなる材料の場合と比較して大
幅に小さくなることが確認される。

【００６０】そして、画素電極７は、その画素電極７に
対応する薄膜トランジスタＴＦＴをオンさせるためのゲ
ート信号線２とは他の隣接するゲート信号線２の一部に
前記保護膜６を介して重畳され、この重畳部において付
加容量素子Ｃａｄｄを構成するようになっている（図２
においては、ゲート信号線２の下側に位置づけられる画
素領域の画素電極７が該ゲート信号線２に重畳されて形
成されていることを示している）。

【００６１】付加容量素子Ｃａｄｄ ゲート信号線２の画素電極７との重畳領域において一方
の電極を形成し、また、画素電極７のゲート信号線２と
の重畳領域において他方の電極を形成し、ゲート信号線
２の表面に形成された陽極化成膜２Ｏと保護膜６とが誘
電体膜としての機能を有するようになっている。

【００６２】このように構成された液晶表示装置は、そ
のドレイン信号線４の材料としてＣｒとＭｏとの合金で
形成され、この合金は、Ａｌと同様にカバレージ性に優
れた特性を有するばかりか、ＩＴＯからなる画素電極７
と極めてコンタクト性が良好になる。

【００６３】〔実施例２〕図４および図５は、本発明に
よる液晶表示装置の他の実施例を示す構成図である。

【００６４】上述した実施例１の構成と異なる部分のみ
を以下に説明する。

【００６５】画素電極７ 画素電極７は、透明ガラス基板１の表面に直接形成され
ている。すなわち、実施例１の場合に示すように保護膜
６の上面に形成されているのとは異なり、ゲート信号線
２と同層に形成されている。

【００６６】画素電極７は、陽極化成されたゲート信号
線２の形成の後に形成され、その薄膜トランジスタＴＦ
Ｔの形成領域の近傍においては該薄膜トランジスタＴＦ
Ｔのソース電極４Ｓとのコンタクトをとるための延在部
を備えるとともに、該薄膜トランジスタＴＦＴをオンさ
せるためのゲート信号線２と隣接する他のゲート信号線
２と重畳させるための延在部７Ａを備えたものとなって
いる。

【００６７】画素電極７のゲート信号線２と重畳させる
ための延在部７Ａは、後述する付加容量素子Ｃａｄｄの
一方の電極を構成するようになっている。

【００６８】薄膜トランジスタＴＦＴ 薄膜トランジスタＴＦＴのそれ自体の構成は実施例１と
相違はないが、それを構成する絶縁膜３Ａと半導体層３
Ｂとの積層体３のパターンが異なっている。絶縁膜３Ａ
と半導体層３Ｂとの積層体３は、ゲート信号線２に対す
るドレイン信号線２の交差部にまで、延在されて形成さ
れ、ゲート信号線２の表面に形成された陽極化成膜２Ｏ
とともに層間絶縁膜を構成するようになっている。

【００６９】ドレイン信号線４ ドレイン信号線４それ自体は実施例１の場合と相違はな
いが、それと同時に形成する薄膜トランジスタＴＦＴの
ソース電極４Ｓは、その延在部が画素電極７にまで及ん
で形成され、この時点で該画素電極７との接続がなされ
るようになっている。

【００７０】上述のように、ソース電極４ＳはＣｒとＭ
ｏの合金からなり、この合金はＩＴＯからなる画素電極
７と良好なコンタクトが図れることが確認されている。

【００７１】付加容量素子Ｃａｄｄ 表面が陽極化成されたゲート信号線２に画素電極７の延
在部が重畳されて構成されている。

【００７２】この付加容量素子Ｃａｄｄは、前記ゲート
信号線２を一方の電極、該画素電極７の延在部を他方の
電極、それらの電極に挟持されたゲート信号線２上の陽
極化成膜２Ｏを誘電体膜として構成されている。

【００７３】そして、この場合、この後の工程でドレイ
ン信号線４が形成されることから、このドレイン信号線
４の形成を利用して、該付加容量素子Ｃａｄｄの他方の
電極、すなわち画素電極７の延在部７Ａにおいて、前記
ドレイン信号線４と同一の材料からなる導電膜１０が形
成され、この導体膜１０によって該画素電極７の延在部
におけるゲート信号線２へのカバレージを補強する構造
となっている。

【００７４】すなわち、ゲート信号線２に重畳させて形
成する画素電極７の延在部は、その材料がＩＴＯである
ことから、ゲート信号線２の表面に形成された陽極化成
膜２Ｏに対してのカバレージ性が良好でないのを、前記
導電膜１０によって補強するようになっている。

【００７５】この場合、導電膜１０は、上述したように
ＣｒおよびＭｏから構成されていることから、その膜応
力は極めて小さく、したがって、ＩＴＯを介してゲート
信号線２の表面に形成された陽極化成膜２に亀裂、ピン
ホール、あるいは剥離等を生じせしめることがなくなる
という効果を奏するようになる。

【００７６】また、この導電膜１０は画素電極７の延在
部７Ａに重畳させることで充分となることから、付加容
量素子Ｃａｄｄの占有面積を画素の極小化にともなって
小さくすることができる効果を奏するようになる。

【００７７】保護膜６ 液晶の薄膜トランジスタＴＦＴへの直接の接触を防止し
かつ各信号線の材料による該液晶への汚染を防止するた
めの保護膜６は、前記画素電極７の周辺を除く中央部の
大部分を露呈させた開口を備えて形成されている。

【００７８】このように構成した液晶表示装置は、その
付加容量素子Ｃａｄｄにおける少なくとも前記画素電極
７のゲート信号線２における乗り越え部に形成される導
体膜１０は前記ドレイン信号線４と同材料のＣｒとＭｏ
との合金で形成され、この合金は、Ａｌと同様にカバレ
ージ性に優れた特性を有するばかりか、ＩＴＯからなる
画素電極７を介してゲート信号線２の表面の陽極化成膜
をクラックさせてしまうことが全くないことが確認され
ている。このため、付加容量素子Ｃａｄｄの耐圧を向上
させることができるようになる。

【００７９】上述した各実施例では、ドレイン信号線４
の材料としてＣｒとＭｏとの合金を用いたものである
が、これに限定されることはないことはいうまでもな
い。融点が１５００℃以上の金属またはその合金からな
り、かつ、その膜自体の膜応力が±３００ＭＰａ以下で
ある材料ならば適用することができる。

【００８０】また、上述した各実施例では、ドレイン信
号線は単層構造として示したものであるが、その上層を
Ａｌあるいはその合金又はＩＴＯとする２層構造として
形成しても同様の効果を得ることができる。

【００８１】さらに、上述した各実施例では、画素電極
とこの画素電極と液晶を介して他の透明ガラス基板側に
対向配置される共通画素電極との間に電界を生じせしめ
て該液晶の光透過率を制御させる、いわゆる縦電界方式
の液晶表示装置について説明したものである。

【００８２】しかし、この液晶表示装置に限定されるこ
となく、画素電極が形成されている同一の透明ガラス基
板に該画素電極と隣接させて基準電極を設け、これら画
素電極と基準電極との間に前記透明ガラス基板とほぼ平
行に電界を生じせしめて、その間の液晶の光透過率を制
御させる、いわゆる横電界方式の液晶表示装置について
も適用できることはいうまでもない。

【００８３】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、画素電極の薄膜ト
ランジスタのソース電極に対するコンタクトを良好にす
ることができる。また、耐圧の充分な付加容量を得るこ
とができるようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す断
面図であり、図２のI−I線における断面を示す図であ
る。

【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す平
面図である。

【図３】本発明による液晶表示装置の効果を示す説明図
である。

【図４】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
平面図である。

【図５】図４のV−V線における断面図である。

【符号の説明】

ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、Ｃａｄｄ……付加容量素
子、２……ゲート信号線、３Ａ……絶縁膜、３Ｂ……半
導体層、４……ドレイン信号線、６……保護膜、７……
画素電極。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 液晶を介して互いに対向配置される透明
   基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ方向に
   延在しかつｙ方向に並設されたゲート信号線と、これら
   ゲート信号線に絶縁されｙ方向に延在しかつｘ方向に並
   設されたドレイン信号線とを備え、 これらゲート信号線およびドレイン信号線に囲まれた各
   画素領域に、前記ゲート信号線に供給される走査信号に
   よってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた
   薄膜トランジスタを介して前記ドレイン信号線に供給さ
   れる映像信号が印加される画像電極とを備える液晶表示
   装置において、 前記ゲート信号線は、電気抵抗率の小さな材料の表面に
   その材料の酸化膜が形成された２層構造からなるととも
   に、 前記ドレイン信号線は、融点が１５００℃以上の金属ま
   たはその合金からなる１層構造からなり、かつ、その膜
   自体の膜応力が±３００ＭＰａ以下であることを特徴と
   する液晶表示装置。
2. 【請求項２】 液晶を介して互いに対向配置される透明
   基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ方向に
   延在しかつｙ方向に並設されたゲート信号線と、これら
   ゲート信号線に絶縁されｙ方向に延在しかつｘ方向に並
   設されたドレイン信号線とを備え、 これらゲート信号線およびドレイン信号線に囲まれた各
   画素領域に、前記ゲート信号線に供給される走査信号に
   よってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた
   薄膜トランジスタを介して前記ドレイン信号線に供給さ
   れる映像信号が印加される画像電極とを備える液晶表示
   装置において、 前記ゲート信号線は、電気抵抗率の小さな材料の表面に
   その材料の酸化膜が形成された２層構造からなるととも
   に、 前記ドレイン信号線は、その上層をＡｌあるいはその合
   金とする２層構造からなり、その下層として融点が１５
   ００℃以上の金属またはその合金が用いられ、ドレイン
   信号線の膜自体の膜応力が±３００ＭＰａ以下であるこ
   とを特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】 画素電極はＩＴＯからなるとともに、ゲ
   ート信号線とともに透明基板の最下層に形成されている
   ことを特徴とする請求項１、２のうちいずれか記載の液
   晶表示装置。
4. 【請求項４】 画素電極はＩＴＯからなるとともに、薄
   膜トランジスタを液晶から保護する保護膜の上面に形成
   されていることを特徴とする請求項１、２のうちいずれ
   か記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 液晶を介して互いに対向配置される透明
   基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ方向に
   延在しかつｙ方向に並設されたゲート信号線と、これら
   ゲート信号線に絶縁されｙ方向に延在しかつｘ方向に並
   設されたドレイン信号線とを備え、 これらゲート信号線およびドレイン信号線に囲まれた各
   画素領域に、前記ゲート信号線に供給される走査信号に
   よってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた
   薄膜トランジスタを介して前記ドレイン信号線に供給さ
   れる映像信号が印加される画像電極と、前記薄膜トラン
   ジスタをオンするゲート信号線とは異なる隣接のゲート
   信号線に誘電体膜を介して前記画素電極の一部が重畳さ
   れて形成される付加容量素子とを備える液晶表示装置に
   おいて、 前記ゲート信号線は、電気抵抗率の小さな材料の表面に
   その材料の酸化膜が形成された２層構造からなり、か
   つ、前記ドレイン信号線は、融点が１５００℃以上の金
   属またはその合金からなる１層構造からなり、その膜自
   体の膜応力が±３００ＭＰａ以下であるとともに、 前記付加容量素子における少なくとも前記画素電極のゲ
   ート信号線における乗り越え部に導体膜が形成され、こ
   の導体膜は前記ドレイン信号線と同材料からなることを
   特徴とする液晶表示装置。
6. 【請求項６】 液晶を介して互いに対向配置される透明
   基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面に、ｘ方向に
   延在しかつｙ方向に並設されたゲート信号線と、これら
   ゲート信号線に絶縁されｙ方向に延在しかつｘ方向に並
   設されたドレイン信号線とを備え、 これらゲート信号線およびドレイン信号線に囲まれた各
   画素領域に、前記ゲート信号線に供給される走査信号に
   よってオンされる薄膜トランジスタと、このオンされた
   薄膜トランジスタを介して前記ドレイン信号線に供給さ
   れる映像信号が印加される画像電極と、前記薄膜トラン
   ジスタをオンするゲート信号線とは異なる隣接のゲート
   信号線に誘電体膜を介して前記画素電極の一部が重畳さ
   れて形成される付加容量素子とを備える液晶表示装置に
   おいて、 前記ゲート信号線は、電気抵抗率の小さな材料の表面に
   その材料の酸化膜が形成された２層構造からなり、か
   つ、前記ドレイン信号線はその上層がＡｌあるいはその
   合金とする２層構造からなり、その下層として融点が１
   ５００℃以上の金属またはその合金が用いられ、該ドレ
   イン信号線の膜自体の膜応力が±３００ＭＰａ以下であ
   るとともに、 前記付加容量素子における少なくとも前記画素電極のゲ
   ート信号線における乗り越え部に導体膜が形成され、こ
   の導体膜は前記ドレイン信号線と同材料からなることを
   特徴とする液晶表示装置。
7. 【請求項７】 ゲート信号線はＡｌあるいはその合金か
   らなるとともに、その表面は陽極酸化膜が形成されてい
   ることを特徴とする請求項１、２、５、６のうちいずれ
   か記載の液晶表示装置。
8. 【請求項８】 融点が１５００℃以上の金属またはその
   合金からなる１層構造からなり、その膜自体の膜応力が
   ±３００ＭＰａ以下である材料として、ＣｒととＭｏと
   の合金からななることを特徴とする請求項１、２、５、
   ６のうちいずれか記載の液晶表示装置。
9. 【請求項９】 前記透明基板上に画素電極と隣接されて
   基準電極が形成され、この画素電極と基準電極との間に
   該透明基板の表面とほぼ平行に電界を生じせしめ、これ
   ら各電極の間の液晶の光透過率を制御する液晶表示装置
   とすることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、
   ６、７、８のうちいずれか記載の液晶表示装置。