JPH1010590A - 光分波合波素子 - Google Patents
光分波合波素子Info
- Publication number
- JPH1010590A JPH1010590A JP8178525A JP17852596A JPH1010590A JP H1010590 A JPH1010590 A JP H1010590A JP 8178525 A JP8178525 A JP 8178525A JP 17852596 A JP17852596 A JP 17852596A JP H1010590 A JPH1010590 A JP H1010590A
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- JP
- Japan
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- layer
- wavelength
- refractive index
- diffraction grating
- waveguide
- Prior art date
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- Pending
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低消費電力で、しかも波長分解能の高い、波
長制御機能付きの基板型のＡＤＭ素子を得る。 【解決手段】 中央部において上部・下部の導波路１
２、１４を分離層１３を挟んで２階建構造に重ね合わ
せ、この中央部において分離層１３と上部導波路１４と
の間に屈折率の周期的変化による回折格子２１を形成す
るとともに、この回折格子２１の部分で、上部・下部の
導波路１２、１４をＭＱＷ構造とし、この回折格子２１
の部分の両端でリッジ部に凹部２７を設け、表面に設け
た電極２４に電圧印加することによって形成する電界を
凹部２７でアイソレートして導波路１２、１４のＭＱＷ
構造部分に集中させてその屈折率を効率よく変化させ、
ＡＤＤ＆ＤＲＯＰする波長を任意に制御するとともに低
消費電力化を図る。
長制御機能付きの基板型のＡＤＭ素子を得る。 【解決手段】 中央部において上部・下部の導波路１
２、１４を分離層１３を挟んで２階建構造に重ね合わ
せ、この中央部において分離層１３と上部導波路１４と
の間に屈折率の周期的変化による回折格子２１を形成す
るとともに、この回折格子２１の部分で、上部・下部の
導波路１２、１４をＭＱＷ構造とし、この回折格子２１
の部分の両端でリッジ部に凹部２７を設け、表面に設け
た電極２４に電圧印加することによって形成する電界を
凹部２７でアイソレートして導波路１２、１４のＭＱＷ
構造部分に集中させてその屈折率を効率よく変化させ、
ＡＤＤ＆ＤＲＯＰする波長を任意に制御するとともに低
消費電力化を図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＷＤＭ（wavele
ngth division multiplex）光伝送システム等に好適
な、光導波路から特定波長の光を取り出したり付加した
りする光分波合波素子に関し、とくに、ＡＤＭ（Add an
d Drop wavelength Multiplexer）と呼ばれる光分波合
波素子の改良に関する。
ngth division multiplex）光伝送システム等に好適
な、光導波路から特定波長の光を取り出したり付加した
りする光分波合波素子に関し、とくに、ＡＤＭ（Add an
d Drop wavelength Multiplexer）と呼ばれる光分波合
波素子の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】光導波路から特定波長の光を取り出した
り付加したりする光分波合波素子としては、従来より、
誘電体多層膜によるフィルター方式のデバイスが用いら
れてきている。このフィルター方式の光分波合波素子
は、隣接する波長ピーク間隔が２０ｎｍ程度と広い場合
に好適である。
り付加したりする光分波合波素子としては、従来より、
誘電体多層膜によるフィルター方式のデバイスが用いら
れてきている。このフィルター方式の光分波合波素子
は、隣接する波長ピーク間隔が２０ｎｍ程度と広い場合
に好適である。
【０００３】ところが、ＷＤＭ技術により、限られた波
長帯、たとえば１．５５μｍ帯の中で８波、１６波ある
いは６４波と多重化しようとすると、必然的に隣接する
波長間隔が狭くなる。実際のＷＤＭ光伝送システムで
は、隣接する波長ピーク間隔が２ｎｍ程度ときわめて狭
い。このような場合、従来のフィルター方式の光分波合
波素子は不適なものとなっている。
長帯、たとえば１．５５μｍ帯の中で８波、１６波ある
いは６４波と多重化しようとすると、必然的に隣接する
波長間隔が狭くなる。実際のＷＤＭ光伝送システムで
は、隣接する波長ピーク間隔が２ｎｍ程度ときわめて狭
い。このような場合、従来のフィルター方式の光分波合
波素子は不適なものとなっている。
【０００４】そこで、周期的な屈折率変化による１次の
回折格子を設けて、これによるブラッグ反射を利用する
基板型のＡＤＭ素子などが提案されている（M
回折格子を設けて、これによるブラッグ反射を利用する
基板型のＡＤＭ素子などが提案されている（M
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板型ＡＤＭ素子では、ＡＤＤ＆ＤＲＯＰする波長を任
意にチューニングすることができないという問題があ
る。すなわち、ＡＤＤ＆ＤＲＯＰする波長は、１次の回
折格子の格子間隔（屈折率変化の周期）とコア・クラッ
ド間の屈折率差で決まるブラッグ反射によって決まる
が、屈折率変化の周期構造や屈折率差はデバイスをいっ
たん作ってしまえば固定のものとなり、結局、ＡＤＤ＆
ＤＲＯＰする波長が固定化されてしまうからである。
基板型ＡＤＭ素子では、ＡＤＤ＆ＤＲＯＰする波長を任
意にチューニングすることができないという問題があ
る。すなわち、ＡＤＤ＆ＤＲＯＰする波長は、１次の回
折格子の格子間隔（屈折率変化の周期）とコア・クラッ
ド間の屈折率差で決まるブラッグ反射によって決まる
が、屈折率変化の周期構造や屈折率差はデバイスをいっ
たん作ってしまえば固定のものとなり、結局、ＡＤＤ＆
ＤＲＯＰする波長が固定化されてしまうからである。
【０００６】なお、屈折率差は、電界を加えて変化させ
ることも考えられるが、単に電界を加えるだけでは効率
よく屈折率を変えることは難しく、波長チューニングを
低消費電力で行なうことはできない。
ることも考えられるが、単に電界を加えるだけでは効率
よく屈折率を変えることは難しく、波長チューニングを
低消費電力で行なうことはできない。
【０００７】この発明は、上記に鑑み、１個の素子でＡ
ＤＤ＆ＤＲＯＰする波長を任意に、しかも低消費電力
で、チューニングできるように改善した、光分波合波素
子を提供することを目的とする。
ＤＤ＆ＤＲＯＰする波長を任意に、しかも低消費電力
で、チューニングできるように改善した、光分波合波素
子を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明による光分波合波素子においては、半導体
基板上に低屈折率の分離層を挟んで上下に形成された多
重量子井戸構造の導波路層と、該導波路層の光伝搬方向
に沿って形成された１次の回折格子と、電界印加用電極
と、電界をアイソレートするための上記上部導波路層に
設けられた凹部とが備えられることが特徴となってい
る。
め、この発明による光分波合波素子においては、半導体
基板上に低屈折率の分離層を挟んで上下に形成された多
重量子井戸構造の導波路層と、該導波路層の光伝搬方向
に沿って形成された１次の回折格子と、電界印加用電極
と、電界をアイソレートするための上記上部導波路層に
設けられた凹部とが備えられることが特徴となってい
る。
【０００９】電極に電圧を加えると電界が形成されて、
多重量子井戸構造の導波路層の等価屈折率が大きく変わ
る。上部導波路層には凹部が設けられていて、この凹部
により電界がアイソレートされる。そのため、電圧印加
により形成される電界は、不要な部分に形成されずに、
屈折率を変える必要のある回折格子付近の多重量子井戸
構造導波路層部分にのみ集中して効率よく形成される。
その結果、低電圧でも屈折率を大きく変化させることが
でき、回折格子の周期と導波路の等価屈折率により決ま
るＡＤＤ＆ＤＲＯＰする波長のコントロールを低消費電
力で行なうことが可能となる。
多重量子井戸構造の導波路層の等価屈折率が大きく変わ
る。上部導波路層には凹部が設けられていて、この凹部
により電界がアイソレートされる。そのため、電圧印加
により形成される電界は、不要な部分に形成されずに、
屈折率を変える必要のある回折格子付近の多重量子井戸
構造導波路層部分にのみ集中して効率よく形成される。
その結果、低電圧でも屈折率を大きく変化させることが
でき、回折格子の周期と導波路の等価屈折率により決ま
るＡＤＤ＆ＤＲＯＰする波長のコントロールを低消費電
力で行なうことが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】つぎに、この発明の実施の形態に
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１におい
て、ｎ−ＩｎＰ基板１１上に溝を作った上で、高屈折率
のＩｎＧａＡｓＰ層１２、低屈折率のＩｎＰ層１３、高
屈折率のＩｎＧａＡｓＰ層１４が順次形成され、さらに
ＩｎＧａＡｓＰ層１４上に低屈折率のＩｎＰ層１５と高
屈折率のＩｎＧａＡｓＰ層１６とを重ねたリッジ部が作
られている。下部ＩｎＧａＡｓＰ層１２は上記の溝によ
りリブ型導波路となっており、上部ＩｎＧａＡｓＰ層１
４はその上のリッジ部によってリッジ型導波路となって
いる。
ついて図面を参照しながら詳細に説明する。図１におい
て、ｎ−ＩｎＰ基板１１上に溝を作った上で、高屈折率
のＩｎＧａＡｓＰ層１２、低屈折率のＩｎＰ層１３、高
屈折率のＩｎＧａＡｓＰ層１４が順次形成され、さらに
ＩｎＧａＡｓＰ層１４上に低屈折率のＩｎＰ層１５と高
屈折率のＩｎＧａＡｓＰ層１６とを重ねたリッジ部が作
られている。下部ＩｎＧａＡｓＰ層１２は上記の溝によ
りリブ型導波路となっており、上部ＩｎＧａＡｓＰ層１
４はその上のリッジ部によってリッジ型導波路となって
いる。
【００１１】これら導波路は中央部において相互に重な
るよう曲げられており、この重なり部では図２に示すよ
うに分離層（ＩｎＰ層）１３を挟んだ２階建構造のフィ
ルタ領域となっている。フィルタ領域に連続する導波路
は、入出力ポート３１と３２の間、入出力ポート３３と
３４の間を空間的に隔てるために曲げられている。この
ように、導波路は、端から端へ、順に曲がり部、フィル
タ部、曲がり部となって連続している。
るよう曲げられており、この重なり部では図２に示すよ
うに分離層（ＩｎＰ層）１３を挟んだ２階建構造のフィ
ルタ領域となっている。フィルタ領域に連続する導波路
は、入出力ポート３１と３２の間、入出力ポート３３と
３４の間を空間的に隔てるために曲げられている。この
ように、導波路は、端から端へ、順に曲がり部、フィル
タ部、曲がり部となって連続している。
【００１２】このフィルタ部において、分離層１３と上
部導波路層１４との間に、光波の伝搬方向に沿って屈折
率変化の周期構造による１次の回折格子２１が形成され
ている。なお、この１次の回折格子２１は、上部または
下部導波路層１２、１４と結合し、これらの層１２、１
４における光波の伝搬方向に沿っていればよいので、分
離層１３と下部導波路層１２との間、あるいは、下部導
波路層１２と基板１１との間、上部導波路層１４と低屈
折率層１５との間に形成することも可能である。ただ、
導波路層１２、１４を伝搬する光波の回折格子２１との
結合効率の点で、分離層１３と上部導波路層１４との間
か、分離層１３と下部導波路層１２との間が望ましい。
そして、この回折格子２１の部分では、上部、下部導波
路とも図３に示すように多重量子井戸（ＭＱＷ）層２
２、２３となっている。さらにこの回折格子２１の部分
においてリッジ部を覆うように電極２４が設けられてい
る。この電極２４はワイヤボンディング用パッド２５と
一体に連続している。ｎ−ＩｎＰ基板１１の裏面全面に
は上記の電極２４と対をなす電極２６が設けられてい
る。
部導波路層１４との間に、光波の伝搬方向に沿って屈折
率変化の周期構造による１次の回折格子２１が形成され
ている。なお、この１次の回折格子２１は、上部または
下部導波路層１２、１４と結合し、これらの層１２、１
４における光波の伝搬方向に沿っていればよいので、分
離層１３と下部導波路層１２との間、あるいは、下部導
波路層１２と基板１１との間、上部導波路層１４と低屈
折率層１５との間に形成することも可能である。ただ、
導波路層１２、１４を伝搬する光波の回折格子２１との
結合効率の点で、分離層１３と上部導波路層１４との間
か、分離層１３と下部導波路層１２との間が望ましい。
そして、この回折格子２１の部分では、上部、下部導波
路とも図３に示すように多重量子井戸（ＭＱＷ）層２
２、２３となっている。さらにこの回折格子２１の部分
においてリッジ部を覆うように電極２４が設けられてい
る。この電極２４はワイヤボンディング用パッド２５と
一体に連続している。ｎ−ＩｎＰ基板１１の裏面全面に
は上記の電極２４と対をなす電極２６が設けられてい
る。
【００１３】そして、リッジ部には、図３にも示すよう
に、回折格子２１が設けられたフィルタ部と曲がり部と
の間で、電界アイソレート用の凹部２７が設けられてい
る。この凹部２７は、たとえばＲＩＥ（リアクティブイ
オンエッチング）法などのドライエッチングにより設け
られ、深さが上部導波路（ＭＱＷ層２３、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層１４）に到達するほどとし、その間隔は２μｍ以下
とする。なお、この凹部２７は最後に素子全体をカバー
する樹脂（ポリイミド等）により埋められるが、空気層
のままでもよい。
に、回折格子２１が設けられたフィルタ部と曲がり部と
の間で、電界アイソレート用の凹部２７が設けられてい
る。この凹部２７は、たとえばＲＩＥ（リアクティブイ
オンエッチング）法などのドライエッチングにより設け
られ、深さが上部導波路（ＭＱＷ層２３、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層１４）に到達するほどとし、その間隔は２μｍ以下
とする。なお、この凹部２７は最後に素子全体をカバー
する樹脂（ポリイミド等）により埋められるが、空気層
のままでもよい。
【００１４】このフィルタ部の多重量子井戸層２２、２
３は、たとえば厚さ８〜１０ｎｍのＩｎＰ障壁層（組成
波長０．９１μｍ）と井戸層（組成波長１．３μｍ；
１．３μｍ帯用、１．６５μｍ；１．５５μｍ帯用）と
を１０周期程重ねた多層膜からなる。これを作るには、
溝の設けられたｎ−ＩｎＰ基板１１の全面に有機金属気
相成長（ＭＯＣＶＤ）法により障壁層と井戸層とを交互
に成長させて多層膜２２を形成した後、フィルタ部以外
の曲がり部の多層膜２２を除去してその除去した部分に
ＩｎＧａＡｓＰ層１２を形成して埋め込むという、いわ
ゆるバットジョイント法などを採用できる。この多層膜
とＩｎＧａＡｓＰ層１２とが並んでいる表面を平坦にし
た後、その上の全面にＩｎＰ層（分離層）１３を設け、
さらにそのＩｎＰ層１３の全面に、上記と同様にバット
ジョイント法などにより上部の多重量子井戸層２３とＩ
ｎＧａＡｓＰ層１４とを設ける。すなわち、ＩｎＰ層１
３の全面に、障壁層と井戸層とを交互に成長させて多層
膜２３を作り、この多層膜２３をフィルタ部のみ残して
除去し、除去した部分をＩｎＧａＡｓＰ層１４で埋め
る。
３は、たとえば厚さ８〜１０ｎｍのＩｎＰ障壁層（組成
波長０．９１μｍ）と井戸層（組成波長１．３μｍ；
１．３μｍ帯用、１．６５μｍ；１．５５μｍ帯用）と
を１０周期程重ねた多層膜からなる。これを作るには、
溝の設けられたｎ−ＩｎＰ基板１１の全面に有機金属気
相成長（ＭＯＣＶＤ）法により障壁層と井戸層とを交互
に成長させて多層膜２２を形成した後、フィルタ部以外
の曲がり部の多層膜２２を除去してその除去した部分に
ＩｎＧａＡｓＰ層１２を形成して埋め込むという、いわ
ゆるバットジョイント法などを採用できる。この多層膜
とＩｎＧａＡｓＰ層１２とが並んでいる表面を平坦にし
た後、その上の全面にＩｎＰ層（分離層）１３を設け、
さらにそのＩｎＰ層１３の全面に、上記と同様にバット
ジョイント法などにより上部の多重量子井戸層２３とＩ
ｎＧａＡｓＰ層１４とを設ける。すなわち、ＩｎＰ層１
３の全面に、障壁層と井戸層とを交互に成長させて多層
膜２３を作り、この多層膜２３をフィルタ部のみ残して
除去し、除去した部分をＩｎＧａＡｓＰ層１４で埋め
る。
【００１５】ポート３１から波長λ１、λ２、…、λ
ｋ、…、λｎを入射すると、ポート３２より波長λｋを
取り出す（ＤＲＯＰ）ことができ、またポート３４から
入射した波長λｋ’を付加（ＡＤＤ）してポート３３か
ら波長λ１、λ２、…、λｋ’、…、λｎをすることが
できる。このＡＤＤ＆ＤＲＯＰする波長λｋは、λｋ＝
２・Λ・ｎｅｆｆで定まる。ここで、Λは１次の回折格
子のピッチ（屈折率変化の周期）であり、ｎｅｆｆは導
波路（ＭＱＷ層２２、２３）の等価屈折率である。
ｋ、…、λｎを入射すると、ポート３２より波長λｋを
取り出す（ＤＲＯＰ）ことができ、またポート３４から
入射した波長λｋ’を付加（ＡＤＤ）してポート３３か
ら波長λ１、λ２、…、λｋ’、…、λｎをすることが
できる。このＡＤＤ＆ＤＲＯＰする波長λｋは、λｋ＝
２・Λ・ｎｅｆｆで定まる。ここで、Λは１次の回折格
子のピッチ（屈折率変化の周期）であり、ｎｅｆｆは導
波路（ＭＱＷ層２２、２３）の等価屈折率である。
【００１６】電極２４・２６間に電圧を印加して電界を
形成すると、ＭＱＷ層２２、２３に大きな屈折率変化を
起こすことができる。この場合、電極２４に印加された
電圧により形成される電界は、凹部２７によりアイソレ
ートされ、回折格子２１が形成されたフィルタ部にのみ
集中する。そのため、低電圧で効率よくＭＱＷ層２２、
２３に屈折率変化を生じさせることができる。
形成すると、ＭＱＷ層２２、２３に大きな屈折率変化を
起こすことができる。この場合、電極２４に印加された
電圧により形成される電界は、凹部２７によりアイソレ
ートされ、回折格子２１が形成されたフィルタ部にのみ
集中する。そのため、低電圧で効率よくＭＱＷ層２２、
２３に屈折率変化を生じさせることができる。
【００１７】たとえばＭＱＷ層２２、２３の等価屈折率
が３．２５〜３．３０とすると、±２Ｖ〜±５Ｖ程度の
印加電圧変化により、ＡＤＤ＆ＤＲＯＰする波長を±５
ｎｍ〜±１０ｎｍ程変化させることができる。すなわ
ち、印加電圧を変化させることにより、５波〜１０波の
中から任意の波長を取り出し、あるいは付加することが
できるとともに、その電圧は低いものでよいので低消費
電力化を図ることができる。
が３．２５〜３．３０とすると、±２Ｖ〜±５Ｖ程度の
印加電圧変化により、ＡＤＤ＆ＤＲＯＰする波長を±５
ｎｍ〜±１０ｎｍ程変化させることができる。すなわ
ち、印加電圧を変化させることにより、５波〜１０波の
中から任意の波長を取り出し、あるいは付加することが
できるとともに、その電圧は低いものでよいので低消費
電力化を図ることができる。
【００１８】この場合、リッジ部の一部が凹部２７で途
切れることになるが、伝搬する光はその導波モードに何
らの影響も受けない。そのため、電界のみをアイソレー
トし、光の伝搬には何らの支障もないものとなってい
る。
切れることになるが、伝搬する光はその導波モードに何
らの影響も受けない。そのため、電界のみをアイソレー
トし、光の伝搬には何らの支障もないものとなってい
る。
【００１９】なお、上記では、バットジョイント法によ
りＭＱＷ層２２、２３を形成したが、中央のフィルタ部
以外の曲がり部では、等価的組成波長が導波波長よりも
十分に短くて低損失な導波路となっていればよいので、
選択成長法などの種々の作製方法を採用することができ
る。選択成長法によると作製が容易であり、その場合、
全面にＭＱＷ構造の多層膜を設け、中央のフィルタ部で
等価的組成波長が長く、それ以外の曲がり部では等価的
組成波長が短くなるようにする。これには、ＭＯＣＶＤ
法において成長を阻害するマスク（たとえば二酸化珪素
膜など）を設けておくと、そのマスクの周辺（マスクに
覆われていない部分）に成長が阻害された成分が集中的
に成長するという特性を利用する。すなわち、適当なパ
ターンのマスクを使用することにより中央のフィルタ部
のみＭＯＣＶＤ法の成長阻害領域としてその等価的組成
波長が長波長になるようにするのである。
りＭＱＷ層２２、２３を形成したが、中央のフィルタ部
以外の曲がり部では、等価的組成波長が導波波長よりも
十分に短くて低損失な導波路となっていればよいので、
選択成長法などの種々の作製方法を採用することができ
る。選択成長法によると作製が容易であり、その場合、
全面にＭＱＷ構造の多層膜を設け、中央のフィルタ部で
等価的組成波長が長く、それ以外の曲がり部では等価的
組成波長が短くなるようにする。これには、ＭＯＣＶＤ
法において成長を阻害するマスク（たとえば二酸化珪素
膜など）を設けておくと、そのマスクの周辺（マスクに
覆われていない部分）に成長が阻害された成分が集中的
に成長するという特性を利用する。すなわち、適当なパ
ターンのマスクを使用することにより中央のフィルタ部
のみＭＯＣＶＤ法の成長阻害領域としてその等価的組成
波長が長波長になるようにするのである。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のＡＤＭ
素子によれば、回折格子部分のＭＱＷ構造導波路に集中
して電界が形成されるようにしてこの導波路で大きな屈
折率変化を起こすようにしたので、低い電圧印加により
効率よくブラッグ波長を任意に制御でき、ＷＤＭ光伝送
システムにおいて、低消費電力で任意波長の光信号の付
加あるいは取り出しを行なうことができるようになり、
ＷＤＭ光伝送システムでの非常に大きな効果が得られ
る。
素子によれば、回折格子部分のＭＱＷ構造導波路に集中
して電界が形成されるようにしてこの導波路で大きな屈
折率変化を起こすようにしたので、低い電圧印加により
効率よくブラッグ波長を任意に制御でき、ＷＤＭ光伝送
システムにおいて、低消費電力で任意波長の光信号の付
加あるいは取り出しを行なうことができるようになり、
ＷＤＭ光伝送システムでの非常に大きな効果が得られ
る。
【図１】この発明の実施の形態を示す概略斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ’線断面図。
【図３】図１のＢ−Ｂ’線断面図。
【符号の説明】 １１ 基板 １２、１４ 高屈折率層 １３ 低屈折率層 １５、１６ リッジ部 ２１ 回折格子 ２２、２３ 多重量子井戸層 ２４、２６ 電極 ２５ パッド ２７ 電界アイソレート用凹部 ３１〜３４ ポート
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上に低屈折率の分離層を挟ん
で上下に形成された多重量子井戸構造の導波路層と、該
導波路層の光伝搬方向に沿って形成された１次の回折格
子と、電界印加用電極と、電界をアイソレートするため
の上記上部導波路層に設けられた凹部とを備えることを
特徴とする光分波合波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8178525A JPH1010590A (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | 光分波合波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8178525A JPH1010590A (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | 光分波合波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1010590A true JPH1010590A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=16050004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8178525A Pending JPH1010590A (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | 光分波合波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1010590A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004045709A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Nec Corp | 結合光導波路 |
| JP2025512850A (ja) * | 2022-04-14 | 2025-04-22 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 光フェーズドアレイ、レーザ装置、およびその動作方法 |
-
1996
- 1996-06-19 JP JP8178525A patent/JPH1010590A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004045709A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Nec Corp | 結合光導波路 |
| JP2025512850A (ja) * | 2022-04-14 | 2025-04-22 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 光フェーズドアレイ、レーザ装置、およびその動作方法 |
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