JPH0567929B2 - - Google Patents
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- JPH0567929B2 JPH0567929B2 JP59281855A JP28185584A JPH0567929B2 JP H0567929 B2 JPH0567929 B2 JP H0567929B2 JP 59281855 A JP59281855 A JP 59281855A JP 28185584 A JP28185584 A JP 28185584A JP H0567929 B2 JPH0567929 B2 JP H0567929B2
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
- G02B6/2804—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光導波路結合器に関し特に波長選択導
波路結合器に関する。
波路結合器に関する。
従来の技術とその問題点
伝播定数が整合するような寸法とされた2本の
単一モード光導波路をエバネツセントフイールド
が相当量重畳するよう充分接近して互いに並んで
在させると、2本の導波路間で光パワーの結合が
起ることが知られている。一方の導波路に入射さ
れたパワーは一定の距離の後には1回の移行によ
り略完全に他方の導波路に移行する。この距離の
2倍ではパワーは第1の導波路に移行して戻る。
この距離の3倍ではパワーは第2の導波路に2回
目の移行を行ない、以下同様に続く。パワーが一
方の導波路から他方の導波路へ一回移行するのに
必要な距離は波長から完全に独立ではないが、光
通信での実用の大部分の場合に波長から略独立し
た結合器が製造可能である程度に弱くしか波長に
依存しない。
単一モード光導波路をエバネツセントフイールド
が相当量重畳するよう充分接近して互いに並んで
在させると、2本の導波路間で光パワーの結合が
起ることが知られている。一方の導波路に入射さ
れたパワーは一定の距離の後には1回の移行によ
り略完全に他方の導波路に移行する。この距離の
2倍ではパワーは第1の導波路に移行して戻る。
この距離の3倍ではパワーは第2の導波路に2回
目の移行を行ない、以下同様に続く。パワーが一
方の導波路から他方の導波路へ一回移行するのに
必要な距離は波長から完全に独立ではないが、光
通信での実用の大部分の場合に波長から略独立し
た結合器が製造可能である程度に弱くしか波長に
依存しない。
本発明の概括的な目的は、波長選択性を強化し
た光導波路結合器を提供するにある。
た光導波路結合器を提供するにある。
問題点を解決するための手段
上記の目的のため以下に示す如く光導波路結合
器の構成は、1組の減結合領域を介在せしめて結
合器を1組の結合領域に分割することによりはる
かに波長依存性が強くなるよう変更されている。
器の構成は、1組の減結合領域を介在せしめて結
合器を1組の結合領域に分割することによりはる
かに波長依存性が強くなるよう変更されている。
本発明によれば、第1及び第2の単一モード光
導波路には1組の同等の減結合領域が介在する1
組の同等の結合領域が設けられ、各結合領域で導
波路は伝播定数が整合するような寸法とされ所望
の光結合が起るのに必要なだけエバネツセントフ
イールドが重畳するよう充分に接近して互いに並
んで延在され、各減結合領域では2つの導波路は
異なる光路長を有し、結合領域の合計の長さは各
介在減結合領域の光路長の差により2つの導波路
間で2πラジアンの整数倍の相対的位相差が起こ
る少なくとも1つの波長に対し結合領域が協働し
て光パワーの一方の導波路から他方の導波路への
略完全な移行を起こさせるような長さである。波
長選択光導波路結合器が提供される。
導波路には1組の同等の減結合領域が介在する1
組の同等の結合領域が設けられ、各結合領域で導
波路は伝播定数が整合するような寸法とされ所望
の光結合が起るのに必要なだけエバネツセントフ
イールドが重畳するよう充分に接近して互いに並
んで延在され、各減結合領域では2つの導波路は
異なる光路長を有し、結合領域の合計の長さは各
介在減結合領域の光路長の差により2つの導波路
間で2πラジアンの整数倍の相対的位相差が起こ
る少なくとも1つの波長に対し結合領域が協働し
て光パワーの一方の導波路から他方の導波路への
略完全な移行を起こさせるような長さである。波
長選択光導波路結合器が提供される。
本発明によれば大略単一モード光導波路方向性
結合器は、結合器の2本の導波路が光結合されず
異なる光路長を有する1組の同等の減結合区画が
介在する幾つかの同等の区画に結合領域を分割す
ることで波長選択性を強化される。
結合器は、結合器の2本の導波路が光結合されず
異なる光路長を有する1組の同等の減結合区画が
介在する幾つかの同等の区画に結合領域を分割す
ることで波長選択性を強化される。
作 用
第1図では1対の光導波路は10及び11で示
されている。2本の導波路は所定のM個の同等の
結合領域12において光結合され、M個の結合領
域には(M−1)個の減結合領域13が介装され
ている。第1図の場合にはM=5である。
されている。2本の導波路は所定のM個の同等の
結合領域12において光結合され、M個の結合領
域には(M−1)個の減結合領域13が介装され
ている。第1図の場合にはM=5である。
各結合領域12では2本の導波路の光伝播定数
は整合され、また2本の導波路はエバネツセント
フイールドが相当量重畳するよう充分接近され
る。よつて導波路はこれらの領域で光結合され
る。
は整合され、また2本の導波路はエバネツセント
フイールドが相当量重畳するよう充分接近され
る。よつて導波路はこれらの領域で光結合され
る。
介在する減結合領域では導波路間に略光結合が
ないことが必要である。これにはエバネツセント
フイールドが相当量重畳することがないよう導波
路を充分広く離間させるか、一方の導波路の光伝
播定数を他方の光伝播定数と大きく異なるよう導
波路の形状を変更するか、又は2つの方法を組み
合わせればよい。また減結合領域13内では、一
方の導波路の光路距離と他方の導波路の光路距離
とはnを整数として(2nπ+δ)の相対的位相差
が生じるよう差が付けられている。
ないことが必要である。これにはエバネツセント
フイールドが相当量重畳することがないよう導波
路を充分広く離間させるか、一方の導波路の光伝
播定数を他方の光伝播定数と大きく異なるよう導
波路の形状を変更するか、又は2つの方法を組み
合わせればよい。また減結合領域13内では、一
方の導波路の光路距離と他方の導波路の光路距離
とはnを整数として(2nπ+δ)の相対的位相差
が生じるよう差が付けられている。
δの値は波長に依存し、結合領域の数及び長さ
は、δがゼロである波長に対し結合領域の効果の
総計によりパアーが一方の導波路から他方の導波
路へ移行するよう選択されている。この状態は第
2図の左端に示されている。δの値がゼロと2π
の間となるよう波長を変えるとパワーの移行は不
完全になるか起らない。従つて結合領域を2つだ
け有する結合器ではδ=πの場合移行は起らな
い。グラフはδ=πの線に関し対称だから3つの
結合領域を有する結合器では移行が起らないδの
値が2つあり、一般にはM個の結合領域を有する
結合器では移行が起らないδの値は(M−1)個
ある。移行が起らないδの最小値はMの値が増大
するにつれ減少する。第2図のグラフは周期的な
形状を有すること鑑みれば、数個の区画を有する
結合器は第3図に示す如く一種の櫛形フイルター
となることがわかる。第3図からこの櫛の歯の幅
δλは結合器の区画の数Mが増加すると減少する
ことがわかる。櫛の歯は波長にして、減結合領域
の光路差に2πの位相増加をもたらす量だけ離間
している。ΔλMδλである。よつて結合器の
個々の通過帯域幅δλは区画数の増加により強化
され、また1つの減結合区画により得られる光路
差の増加によつても強化される。光路差が増加す
ると櫛の歯の間の波長間隔が減少するという副次
的な効果も生じる。
は、δがゼロである波長に対し結合領域の効果の
総計によりパアーが一方の導波路から他方の導波
路へ移行するよう選択されている。この状態は第
2図の左端に示されている。δの値がゼロと2π
の間となるよう波長を変えるとパワーの移行は不
完全になるか起らない。従つて結合領域を2つだ
け有する結合器ではδ=πの場合移行は起らな
い。グラフはδ=πの線に関し対称だから3つの
結合領域を有する結合器では移行が起らないδの
値が2つあり、一般にはM個の結合領域を有する
結合器では移行が起らないδの値は(M−1)個
ある。移行が起らないδの最小値はMの値が増大
するにつれ減少する。第2図のグラフは周期的な
形状を有すること鑑みれば、数個の区画を有する
結合器は第3図に示す如く一種の櫛形フイルター
となることがわかる。第3図からこの櫛の歯の幅
δλは結合器の区画の数Mが増加すると減少する
ことがわかる。櫛の歯は波長にして、減結合領域
の光路差に2πの位相増加をもたらす量だけ離間
している。ΔλMδλである。よつて結合器の
個々の通過帯域幅δλは区画数の増加により強化
され、また1つの減結合区画により得られる光路
差の増加によつても強化される。光路差が増加す
ると櫛の歯の間の波長間隔が減少するという副次
的な効果も生じる。
実施例
第4図を参照するに本発明によるスラブ導波路
結合器は、リン化インジウムに整合する半導体材
料ラテイスに構成される。この結合器は、1.3ミ
クロン程度の波長で動作するよう設計されてい
る。InP(屈折率〜3.209)の基層40には、約
3.296の屈折率を有するよう組成が選択されエピ
タキシヤル的に成長された厚さ0.6ミクロンの
InGaAsPの層41が設けられる。(リン化インジ
ウムと整合する4成分ラテイスの組成はしばしば
放出波長により引用される。層41の材料は1.03
ミクロンの放出波長を有する。)層41はInPの
別の層42により被覆される。基層40及び2つ
のエピタキシヤル層41及び42は協働して第1
の光導波路を形成する。層42の厚さは1ミクロ
ンであるが、別のエピタキシヤル層44が成長さ
れる前に装置全幅に亘り延在する深さ0.07ミクロ
ンの浅い凹部43が頂面に選択的に食刻される。
層44はInGaAsPの層であるがその組成は層4
1の組成と同一ではない。これは減結合区画にお
ける所要の光路差が得られるよう第1の導波路の
伝播定数と大きく異なる伝播定数を有し光コアと
なる結合基の第2の導波路を得るためである。層
44は屈折率が3.463に選択され(放出波長は
1.28ミクロン)、厚さは0.28ミクロンに選択され
る。介在領域45上にあるのと略同一の層の厚さ
が凹部43上に必要である。次いでこの層は別の
エピタキシヤル的に成長させられた0.2ミクロン
の厚さのリン化インジウムの層46により被大さ
れる。次いでこの層は、凹部43間に介在する領
域45と丁度重なる領域において層44を装置全
幅に亘り露出するように選択的に食刻される。
結合器は、リン化インジウムに整合する半導体材
料ラテイスに構成される。この結合器は、1.3ミ
クロン程度の波長で動作するよう設計されてい
る。InP(屈折率〜3.209)の基層40には、約
3.296の屈折率を有するよう組成が選択されエピ
タキシヤル的に成長された厚さ0.6ミクロンの
InGaAsPの層41が設けられる。(リン化インジ
ウムと整合する4成分ラテイスの組成はしばしば
放出波長により引用される。層41の材料は1.03
ミクロンの放出波長を有する。)層41はInPの
別の層42により被覆される。基層40及び2つ
のエピタキシヤル層41及び42は協働して第1
の光導波路を形成する。層42の厚さは1ミクロ
ンであるが、別のエピタキシヤル層44が成長さ
れる前に装置全幅に亘り延在する深さ0.07ミクロ
ンの浅い凹部43が頂面に選択的に食刻される。
層44はInGaAsPの層であるがその組成は層4
1の組成と同一ではない。これは減結合区画にお
ける所要の光路差が得られるよう第1の導波路の
伝播定数と大きく異なる伝播定数を有し光コアと
なる結合基の第2の導波路を得るためである。層
44は屈折率が3.463に選択され(放出波長は
1.28ミクロン)、厚さは0.28ミクロンに選択され
る。介在領域45上にあるのと略同一の層の厚さ
が凹部43上に必要である。次いでこの層は別の
エピタキシヤル的に成長させられた0.2ミクロン
の厚さのリン化インジウムの層46により被大さ
れる。次いでこの層は、凹部43間に介在する領
域45と丁度重なる領域において層44を装置全
幅に亘り露出するように選択的に食刻される。
上記の寸法は、上側が空気に接する上部導波路
の光コアが残るよう層46が除去された領域上で
伝播特性が整合する2つの導波路が得られるよう
に選択されている。これらの各領域は長さがL1
であり、それぞれの長さがL2の減結合領域によ
り分けられている。減結合領域ではクラツドの屈
折率は第2の導波路の光コア44の両側で同一で
あり、従つてこの第2の導波路における光エネル
ギー伝播の分布はコアの中心に対し略対称に分布
する。これは結合領域における場合と異なる。結
合領域では第2の導波路(層44)の光コア上の
光クラツド(空気)の屈折率はコアの下の光クラ
ツド(InP)の屈折率と相当に異なる。その結合
エネルギ分布はより屈折率が高いクラツドの側へ
僅かにずれる。層42の頂面の段状の形状は、こ
の効果を補償し第2の導波路中結合領域での光伝
播のエネルギ形状がこの導波路中減結合領域での
伝播と整列するよう設計されている。これらの寸
法では約1.3ミクロンの波長の光に対し100ミクロ
ンの総結合長によりパワーが一方の導波路から他
方の導波路へ1回移行する。M個の結合領域があ
るから長さL1は100/Mミクロンである。結合は
2つのコアを分ける層42の厚さに依存し、これ
が増大すると必要な総結合長も増大する。櫛の歯
間の波長の間隔Δλは距離L2に反比例するからk
=L2Δλ等の比例定数kがある。これらの寸法で
は伝播定数の相違は、kの値が約1.8×10-5と計
算される程度のものである。従つて例えば櫛の歯
の幅を10nmとするには長さL2は関数L2=1.8/
Mnmを満さねばならない。
の光コアが残るよう層46が除去された領域上で
伝播特性が整合する2つの導波路が得られるよう
に選択されている。これらの各領域は長さがL1
であり、それぞれの長さがL2の減結合領域によ
り分けられている。減結合領域ではクラツドの屈
折率は第2の導波路の光コア44の両側で同一で
あり、従つてこの第2の導波路における光エネル
ギー伝播の分布はコアの中心に対し略対称に分布
する。これは結合領域における場合と異なる。結
合領域では第2の導波路(層44)の光コア上の
光クラツド(空気)の屈折率はコアの下の光クラ
ツド(InP)の屈折率と相当に異なる。その結合
エネルギ分布はより屈折率が高いクラツドの側へ
僅かにずれる。層42の頂面の段状の形状は、こ
の効果を補償し第2の導波路中結合領域での光伝
播のエネルギ形状がこの導波路中減結合領域での
伝播と整列するよう設計されている。これらの寸
法では約1.3ミクロンの波長の光に対し100ミクロ
ンの総結合長によりパワーが一方の導波路から他
方の導波路へ1回移行する。M個の結合領域があ
るから長さL1は100/Mミクロンである。結合は
2つのコアを分ける層42の厚さに依存し、これ
が増大すると必要な総結合長も増大する。櫛の歯
間の波長の間隔Δλは距離L2に反比例するからk
=L2Δλ等の比例定数kがある。これらの寸法で
は伝播定数の相違は、kの値が約1.8×10-5と計
算される程度のものである。従つて例えば櫛の歯
の幅を10nmとするには長さL2は関数L2=1.8/
Mnmを満さねばならない。
第4図にはまつすぐな側面を有する結合器を示
すが、(図示しない)別の例では基層40及び層
41が層42,44及び46より広く延びる。こ
れらの狭い層42,44及び46は層41上に誘
電性の細条を形成し、下側の導波路に対し横方向
導波効果をなす。形状の変化により側面が以前よ
り大なる屈折率の材料に接するので下側の導波路
の伝播定数は僅かに乱れるため、上下の導波路の
伝播定数間に所要の整合を回復するよう寸法を少
し変更する必要がある。
すが、(図示しない)別の例では基層40及び層
41が層42,44及び46より広く延びる。こ
れらの狭い層42,44及び46は層41上に誘
電性の細条を形成し、下側の導波路に対し横方向
導波効果をなす。形状の変化により側面が以前よ
り大なる屈折率の材料に接するので下側の導波路
の伝播定数は僅かに乱れるため、上下の導波路の
伝播定数間に所要の整合を回復するよう寸法を少
し変更する必要がある。
第5図には光フアイバ導波路に基いた別の形状
の結合器を示す。この例では伝播定数が整合した
2本の光フアイバ50及び51が、半径R1の心
棒52の周囲のフアイバ50の1ターンによる光
路長が半径R2の心棒53の周囲のフアイバ51
の1ターンによる光路長と正確には一致しないよ
う僅かに異なる半径を有する2本の心棒52及び
53上を逆方向に(M−1)回巻回される。
の結合器を示す。この例では伝播定数が整合した
2本の光フアイバ50及び51が、半径R1の心
棒52の周囲のフアイバ50の1ターンによる光
路長が半径R2の心棒53の周囲のフアイバ51
の1ターンによる光路長と正確には一致しないよ
う僅かに異なる半径を有する2本の心棒52及び
53上を逆方向に(M−1)回巻回される。
この構成では2つの導波路は減結合領域におい
て主に物理的に離れていることにより減結合され
る。これらの領域は、フアイバ50がフアイバ5
1に当接しない領域からなる。対応して結合領域
はフアイバが互いに当接する領域からなる。完全
に従来通りの光フアイバを使用するとクラツドが
厚いため2本のフアイバを並列して当接させただ
けではフアイバ間に何らかの結合が起るのには不
十分である。この場合光コアがより接近するよう
当接部分のクラツドを若干除去する必要がある。
2本のフアイバ間の結合強度は、残つたクラツド
の厚さの正確な値に非常に影響され、各結合領域
の適切な長さは結合強度に依存するから、クラツ
ドを除去するにしろ多くは除去しないですむ特定
の光フアイバ形状を用いるが好ましい。かかる形
状の1例は第6図に示した非対称形状である。第
6図ではフアイバは、コア60が3方の側面では
比較的厚いクラツド61に接するが4番目の側面
62ではクラツドのはるかに薄い層に接する略矩
形の断面を有する。矩形(又は正方形)の断面
は、薄いクラツドの側面62が心棒の全周で外側
を向くようこのフアイバを心棒に巻回するのが容
易となるよう選択された。厚いクラツド側ではク
ラツドは、コアモードのエバネツセントフイール
ドがクラツドの厚さ内で略ゼロまで弱まり心棒上
で隣り合うターン間でのパワーの結合や心棒自体
へのパワーの結合が起らないよう充分厚くされて
いる。薄いクラツドの側ではクラツドは、薄いク
ラツドを衝接させて並置される2本のフアイバの
コア間に所望の強度の光結合が起るよう充分薄く
されている。
て主に物理的に離れていることにより減結合され
る。これらの領域は、フアイバ50がフアイバ5
1に当接しない領域からなる。対応して結合領域
はフアイバが互いに当接する領域からなる。完全
に従来通りの光フアイバを使用するとクラツドが
厚いため2本のフアイバを並列して当接させただ
けではフアイバ間に何らかの結合が起るのには不
十分である。この場合光コアがより接近するよう
当接部分のクラツドを若干除去する必要がある。
2本のフアイバ間の結合強度は、残つたクラツド
の厚さの正確な値に非常に影響され、各結合領域
の適切な長さは結合強度に依存するから、クラツ
ドを除去するにしろ多くは除去しないですむ特定
の光フアイバ形状を用いるが好ましい。かかる形
状の1例は第6図に示した非対称形状である。第
6図ではフアイバは、コア60が3方の側面では
比較的厚いクラツド61に接するが4番目の側面
62ではクラツドのはるかに薄い層に接する略矩
形の断面を有する。矩形(又は正方形)の断面
は、薄いクラツドの側面62が心棒の全周で外側
を向くようこのフアイバを心棒に巻回するのが容
易となるよう選択された。厚いクラツド側ではク
ラツドは、コアモードのエバネツセントフイール
ドがクラツドの厚さ内で略ゼロまで弱まり心棒上
で隣り合うターン間でのパワーの結合や心棒自体
へのパワーの結合が起らないよう充分厚くされて
いる。薄いクラツドの側ではクラツドは、薄いク
ラツドを衝接させて並置される2本のフアイバの
コア間に所望の強度の光結合が起るよう充分薄く
されている。
光フアイバ光導波路による結合器の特徴の1つ
は、フアイパの1つが巻回される磁気歪性又は電
気歪性心棒を用いて容易に転換可能なことであ
る。
は、フアイパの1つが巻回される磁気歪性又は電
気歪性心棒を用いて容易に転換可能なことであ
る。
第1図は結合器の概略図、第2図は結合器に4
つの減結合領域を設けた場合の位相角の関数とし
て示した効果を表わすグラフ、第3図は数個の減
結合区画を設けた結合器のスペクトル特性の一部
の一般的形状を示す図、第4図は結合器の一例の
長手方向断面を概略的に示す図、第5図は結合器
の別の例を示す分解斜視図、第6図は第5図の結
合器用のフアイバ導波路の別の例の断面を概略的
に示す図である。 10,11……導波路、12……結合領域、1
3……減結合領域、40……基層、41,42,
44,46……層、43……凹部、45……介在
領域、50,51……光フアイバ、52,53…
…心棒、60……コア、61……クラツド、62
……側面。
つの減結合領域を設けた場合の位相角の関数とし
て示した効果を表わすグラフ、第3図は数個の減
結合区画を設けた結合器のスペクトル特性の一部
の一般的形状を示す図、第4図は結合器の一例の
長手方向断面を概略的に示す図、第5図は結合器
の別の例を示す分解斜視図、第6図は第5図の結
合器用のフアイバ導波路の別の例の断面を概略的
に示す図である。 10,11……導波路、12……結合領域、1
3……減結合領域、40……基層、41,42,
44,46……層、43……凹部、45……介在
領域、50,51……光フアイバ、52,53…
…心棒、60……コア、61……クラツド、62
……側面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 第1及び第2の単一モード光導波路には1組
の同等の減結合領域が介在する1組の同等の結合
領域が設けられ、各結合領域で導波路は伝播定数
が整合するような寸法とされ所望の光結合が起る
のに必要なだけエバネツセントフイールドが重畳
するよう充分に接近して互いに並んで延在され、
各減結合領域では2つの導波路は異なる光路長を
有し、結合領域の合計の長さは各介在減結合領域
の光路長の差により2つの導波路間で2πラジア
ンの整数倍の相対的位相差が起こる少なくとも1
つの波長に対し結合領域が協働して光パワーの一
方の導波路から他方の導波路への略完全な移行を
起こさせるような長さである、波長選択光導波結
合器。 2 各減結合領域において2つの導波路は、伝播
定数が整合しないような寸法とされていることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光導波路
結合器。 3 光導波路はスラブ光導波路であることを特徴
とする特許請求の範囲第2項記載の光導波路結合
器。 4 各減結合領域において2つの導波路は、光コ
ア間の離間の大きさにより減結合されていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光導波
路結合器。 5 導波路はフアイバ導波路であることを特徴と
する特許請求の範囲第4項記載の光導波路結合
器。 6 導波路は、周囲の長さの異なる2本の心棒の
周りを逆方向にコイル状に巻回されていることを
特徴とする特許請求の範囲第5項記載の光導波路
結合器。 7 各導波路心棒には、他方の導波路心棒の対応
する平坦部に対面する平坦部が設けられることを
特徴とする特許請求の範囲第6項記載の光導波路
結合器。 8 導波路心棒の一つは磁気歪性又は電気歪性で
あることを特徴とする特許請求の範囲第6項記載
の光導波路結合器。 9 各フアイバ導波路には非対称な配置でコア及
びクラツドが設けられ、フアイバは結合領域では
各フアイバ導波路のコアが他のフアイバ導波路に
面する側面の方へ他の側面よりも接近しているよ
う配置されることを特徴とする特許請求の範囲第
6項記載の光導波路結合器。 10 導波路心棒の一つは磁気歪性又は電気歪性
であることを特徴とする特許請求の範囲第9項記
載の光導波路結合器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB08400141A GB2152694B (en) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | Wavelength selective optical waveguide coupler |
| GB8400141 | 1984-01-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60159711A JPS60159711A (ja) | 1985-08-21 |
| JPH0567929B2 true JPH0567929B2 (ja) | 1993-09-27 |
Family
ID=10554559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59281855A Granted JPS60159711A (ja) | 1984-01-05 | 1984-12-27 | 光導波路結合器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4669816A (ja) |
| EP (1) | EP0149891A3 (ja) |
| JP (1) | JPS60159711A (ja) |
| AU (1) | AU3644684A (ja) |
| GB (1) | GB2152694B (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3611167A1 (de) * | 1986-04-03 | 1987-10-08 | Siemens Ag | Array mit verkoppelten optischen wellenleitern |
| US4852960A (en) * | 1987-03-11 | 1989-08-01 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Narrow-linewidth resonant optical device, transmitter, system, and method |
| GB8813667D0 (en) * | 1988-06-09 | 1988-07-13 | British Telecomm | Wavelength selective optical waveguide coupler |
| GB8813668D0 (en) * | 1988-06-09 | 1988-07-13 | British Telecomm | Method of mounting optical fibre |
| CA2009352C (en) * | 1989-02-07 | 1995-02-28 | Masao Kawachi | Guided-wave optical branching components and optical switches |
| JP3031426B2 (ja) * | 1990-04-16 | 2000-04-10 | 日本電信電話株式会社 | 導波型光分岐素子 |
| EP0495202B1 (de) * | 1991-01-15 | 1996-04-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung zum Umwandeln einer optischen Welle kleiner Fleckweite in eine Welle grösserer Fleckweite |
| US5309534A (en) * | 1993-02-24 | 1994-05-03 | At&T Bell Laboratories | Optical filter having multiple interferometric stages |
| US6974447B2 (en) * | 2001-04-17 | 2005-12-13 | Baxter International Inc. | High gas barrier receptacle and closure assembly |
| JP2003156644A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Seiko Epson Corp | 方向性結合器および光通信用装置 |
| JP3946514B2 (ja) * | 2001-12-26 | 2007-07-18 | 富士通株式会社 | 光学装置 |
| US9698463B2 (en) | 2014-08-29 | 2017-07-04 | John Mezzalingua Associates, LLC | Adjustable power divider and directional coupler |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3589794A (en) * | 1968-08-07 | 1971-06-29 | Bell Telephone Labor Inc | Optical circuits |
| US3957341A (en) * | 1974-09-03 | 1976-05-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Passive frequency-selective optical coupler |
| US3936144A (en) * | 1974-12-12 | 1976-02-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Frequency selective optical coupler |
| US4002896A (en) * | 1975-01-21 | 1977-01-11 | David Evan Naunton Davies | Telecommunication system |
| US4054363A (en) * | 1975-12-15 | 1977-10-18 | Tokyo Institute Of Technology | Multi-hetero-structure waveguide type optical integrated circuitry |
| US4159418A (en) * | 1977-06-23 | 1979-06-26 | Hughes Aircraft Company | Delay line encoder-decoder |
| US4342499A (en) * | 1979-03-19 | 1982-08-03 | Hicks Jr John W | Communications tuning construction |
| US4518219A (en) * | 1980-01-25 | 1985-05-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical guided wave devices employing semiconductor-insulator structures |
| DE3016705A1 (de) * | 1980-04-30 | 1981-11-05 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Glasfaser fuer lichtwellenleiterzwecke und verfahren zu ihrer herstellung |
| US4359260A (en) * | 1980-06-25 | 1982-11-16 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optical polarizer |
| US4556279A (en) * | 1981-11-09 | 1985-12-03 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Passive fiber optic multiplexer |
| US4558920A (en) * | 1981-11-19 | 1985-12-17 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Tapped optical fiber delay line |
| US4582390A (en) * | 1982-01-05 | 1986-04-15 | At&T Bell Laboratories | Dielectric optical waveguide and technique for fabricating same |
| DE3374349D1 (en) * | 1983-03-14 | 1987-12-10 | Ant Nachrichtentech | Integrated optics wavelength multiplexer or demultiplexer |
-
1984
- 1984-01-05 GB GB08400141A patent/GB2152694B/en not_active Expired
- 1984-11-14 EP EP84307908A patent/EP0149891A3/en not_active Withdrawn
- 1984-11-28 US US06/675,552 patent/US4669816A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-12-10 AU AU36446/84A patent/AU3644684A/en not_active Abandoned
- 1984-12-27 JP JP59281855A patent/JPS60159711A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4669816A (en) | 1987-06-02 |
| JPS60159711A (ja) | 1985-08-21 |
| GB2152694A (en) | 1985-08-07 |
| EP0149891A2 (en) | 1985-07-31 |
| GB2152694B (en) | 1987-06-24 |
| GB8400141D0 (en) | 1984-02-08 |
| EP0149891A3 (en) | 1985-08-14 |
| AU3644684A (en) | 1985-07-11 |
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