JPH10106425A - 薄型ヒュ−ズ - Google Patents
薄型ヒュ−ズInfo
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Abstract
の溶断特性を充分に維持できる薄型ヒュ−ズを提供す
る。 【解決手段】一対のリ−ド導体2,2の各先端部21,
21を絶縁支持フィルム1の片面より他面に水密に表出
させ、該絶縁支持フィルム1の他面側での上記リ−ド導
体先端部間にヒュ−ズエレメント3を接続し、上記絶縁
支持フィルムの他面に絶縁カバ−フィルム4を上記ヒュ
−ズエレメント3に接触させて被覆した。ヒュ−ズエレ
メント3と絶縁カバ−フィルム4との接触が面接触とさ
れ、該接触面を囲んでフラックス5が充填されている。
Description
るものである。
電流ヒュ−ズや温度ヒュ−ズが汎用されているが、取付
けスペ−ス上、薄型化が要請されている。そこで、本出
願人においては、図4の(イ)及び図4の(ロ)〔図4
の(イ)におけるロ−ロ断面図〕並びに図4の(ハ)
〔底面図〕に示すように、一対の帯状リ−ド導体2’,
2’の各先端部に膨出部21’,21’を形成し、各膨
出部21’をプラスチック製絶縁支持フィルム1’の片
面より他面に水密に表出させ、該絶縁支持フィルム1’
の他面側での上記リ−ド導体の先端部間にヒュ−ズエレ
メント3’を接続し、このヒュ−ズエレメント3’を覆
ってフラックス層5’を被覆し、該フラックス層5’を
覆って上記絶縁支持フィルム1’の他面に絶縁カバ−フ
ィルム4’を被着した薄型ヒュ−ズを既に提案した(特
公平7−95419号公報)。
なく製造を簡易化でき、また、絶縁支持フィルムと絶縁
カバ−フィルムとの接触面が他部材の介在のない平坦接
触面であり、ヒュ−ズ作動時フラックスの膨張で発生す
る内圧に対し、その接触面を熱融着または接着剤で容易
に、かつ優れたシ−ル性で封止できてミストの飛散を防
止できる、等の利点が得られる。
ュ−ズにおいては、過電流によるジュ−ル熱や外部から
の過熱でヒュ−ズエレメントが融点に達して溶断される
ことにより作動され、スイッチオン・オフ時での過度的
なパルス電流で作動されないことが必要である。しかし
ながら、上記薄型ヒュ−ズでは、本発明者の試験結果に
よれば、過度的なパルス電流が多回数流れると、ヒュ−
ズエレメントの変歪による溶断特性の変動や断線が発生
して使用条件の制約を受けることがある。
とし、パルス状過電流の通電が繰り返されても、当初の
溶断特性を充分に維持できる薄型ヒュ−ズを提供するこ
とにある。
ズは、一対のリ−ド導体の各先端部を絶縁支持フィルム
の片面より他面に水密に表出させ、該絶縁支持フィルム
の他面側での上記リ−ド導体先端部間にヒュ−ズエレメ
ントを接続し、上記絶縁支持フィルムの他面に絶縁カバ
−フィルムを上記ヒュ−ズエレメントに接触させて被覆
したことを特徴とする構成であり、ヒュ−ズエレメント
と絶縁カバ−フィルムとの接触が面接触とされ、該接触
面を囲んでフラックスが充填されている。
実施の形態について説明する。図1の(イ)は本発明に
係る薄型ヒュ−ズの一例を一部を切開して示す平面図、
図1の(ロ)は同薄型ヒュ−ズの一例を示す図1の
(イ)におけるロ−ロ断面図、図1の(ハ)は同じく図
1の(イ)におけるハ−ハ断面図、図1の(ニ)は同上
薄型ヒュ−ズの一例を示す底面図である。図1の(イ)
乃至図1の(ニ)において、1はプラスチック製の絶縁
支持フィルムである。2,2は一対の帯状リ−ド導体で
あり、各導体2の先端部に膨出部21を形成し、各導体
先端部を絶縁支持フィルム1の裏面に当接し、膨出部2
1を絶縁支持フィルム1の表面に表出させると共に絶縁
支持フィルム1と帯状リ−ド導体2との接触面を接着し
てある。3は帯状リ−ド導体の表出部210,210間
に溶接またはろう接により接続したヒュ−ズエレメント
であり、所定融点の低融点可溶金属片を使用できる。4
は絶縁支持フィルム1の表面側に被覆したプラスチック
製の絶縁カバ−フィルムであり、周囲が上記絶縁支持フ
ィルム1に融着または接着剤により接着され、該カバ−
フィルム4の裏面を上記ヒュ−ズエレメント3に面接触
させてある。この面接触を確保するために、ヒュ−ズエ
レメント3の断面は四角形としてある。5は絶縁支持フ
ィルム1と絶縁カバ−フィルム4との間にヒュ−ズエレ
メント3を囲んで充填したフラックスである。
フィルム4には、高剛性のプラスチック、特に、熱可塑
性プラスチック、例えば、ポリエチレンテレフタレ−
ト、ポリアセタ−ル、ポリアミド、ポリブチレンテレフ
タレ−ト、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンサ
ルファイド、ポリサルホン等を使用できる。これらの絶
縁支持フィルム1及び絶縁カバ−フィルム4に同材質の
ものを使用することが好ましいが、異種材質のものの使
用も可能である。
体、または、絶縁支持フィルム1の裏面に当接される面
を銅とし、他の部分を異種の金属、例えば、ニッケルと
した複合体を使用することもできる。
ルムへの接着には、帯状リ−ド導体の先端部に膨出部を
プレス加工し、絶縁支持フィルムにこの膨出部よりもや
や小さい孔を穿設し、帯状リ−ド導体先端部を絶縁支持
フィルム裏面に当接し、膨出部を絶縁支持フィルムの孔
に嵌めると共に両者の接触面を加圧熱融着する方法、帯
状リ−ド導体の先端部に膨出部をプレス加工し、帯状リ
−ド導体先端部を絶縁支持フィルム裏面に当接し、加熱
下でプレス加圧して膨出部を絶縁支持フィルムの表面に
向け食い込ませると共に絶縁支持フィルムと帯状リ−ド
導体とを熱融着し、研削で膨出部上のフィルム部分を除
去して膨出部を表出させる方法等を使用できる。
リ−ド導体の表出部間にヒュ−ズエレメントを接続した
のち、図2に示すように、絶縁カバ−フィルム4を絶縁
支持フィルム1の上側に配置し、この絶縁カバ−フィル
ム4の上面中央部に冷却シリンダ−61を当接し、この
シリンダ−61への寒剤62の循環によってヒュ−ズエ
レメント(低融点可溶金属片)を冷却しつつ絶縁カバ−
フィルム4の周囲を加熱リング63によって絶縁支持フ
ィルム1の周囲に熱融着する方法を使用できる。
平坦面部分に帯状リ−ド導体を接触させるようにして当
該機器に取り付け、温度ヒュ−ズまたは電流ヒュ−ズと
して使用される。すなわち、ヒュ−ズエレメントに流れ
る過電流で発生するジュ−ル熱または過電流に基づく機
器発生熱でヒュ−ズエレメントが溶融され、この溶融エ
レメントが既に溶融しているフラックスの活性作用を受
けつつ球状化進行で分断されて機器への通電が遮断され
る。この場合、過電流をi、ヒュ−ズエレメントの抵抗
をR、ヒュ−ズエレメントの単位時間・単位温度差当た
りの放熱量をP、ヒュ−ズエレメントの熱容量をC、常
温をθ、t時間後でのヒュ−ズエレメントの温度をTと
すると、i2R△t−P(T−θ)△t=C△T、すな
わち
ュ−ズエレメントの融点Txが式を満たすように設定
される。
る場合、図3の斜線部分で示すような要求溶断範囲を満
たすように、ヒュ−ズエレメントの融点Txや上記した
PやRが設定される。本発明に係る薄型ヒュ−ズを電流
ヒュ−ズ、温度ヒュ−ズの何れで使用するときでも、ス
イッチのオン・オフ時に生じる過度的電圧や電流で作動
されてはならず、図3のpで示すようなパルス状過電流
ではヒュ−ズエレメントの温度を融点に達しさせないよ
うに、ヒュ−ズエレメントの融点や上記したPやRが設
定される。
は、外面が空気に接触される絶縁カバ−フィルム4の裏
面にヒュ−ズエレメント3を面接触させ、かかる面接触
状態を保持してフラックス5を充填してあり、ヒュ−ズ
エレメントをフラックス層を介して絶縁カバ−フィルム
に接触させている従来の薄型ヒュ−ズに較べてヒュ−ズ
エレメントの単位時間・単位温度差当たりの放熱量Pを
大にできるから、上記パルス状過電流に対するヒュ−ズ
エレメントの温度上昇を抑制できる。従って、上記パル
ス状過電流に基づくヒュ−ズエレメントの加熱(融点以
下での加熱)を軽度にとどめ得、それだけパルス状過電
流の繰返し通電によるヒュ−ズエレメントの疲労乃至は
破断をよく抑制でき、当初の溶断特性を充分に維持させ
得る。
例では、一対の帯状リ−ド導体を一直線状に対向させて
いるが、一対の帯状リ−ド導体を並行に配設し、ヒュ−
ズエレメントをリ−ド導体先端部間にリ−ド導体の長手
方向に直交させて接続することもできる。
巾:6mm、厚み:0.19mmのポリエチレンテレフ
タレ−トフィルムを、絶縁カバ−フィルムには厚みが
0.19mmで外郭が絶縁支持フィルムよりもやや大き
なポリエチレンテレフタレ−トフィルムをそれぞれ使用
した。帯状リ−ド導体には、巾:3.5mm、厚み:
0.1mmの銅−ニツケル複合体を使用し、各帯状リ−
ド導体の絶縁支持フィルム裏面への接触長さは4.85
mmとした。ヒュ−ズエレメントには、融点が93℃、
断面積が0.07mm2の断面正方形の低融点可溶金属
線(共晶合金)を使用し、フラックスにはロジンを主成
分とするものを使用した。絶縁支持フィルムに帯状リ−
ド導体の先端部を固着するには、帯状リ−ド導体の端部
の中央部に膨出部をプレス成形し、絶縁支持フィルムに
この膨出部よりもやや小さい孔を穿設し、帯状リ−ド導
体先端部を絶縁支持フィルム裏面に当接し、帯状リ−ド
導体先端部の膨出部を絶縁支持フィルムの孔に嵌めると
共に両者の接触面を加圧加熱により融着する方法を使用
した。また、絶縁支持フィルムと絶縁カバ−フィルムと
の接着は熱融着により行った。実施例における、その他
の各部の寸法は、図1の(イ)に示すように、a並びに
bを帯状リ−ド導体表出部の長さ並びに巾とし、Lを帯
状リ−ド導体表出部間の間隔とし、hをヒュ−ズエレメ
ントの長さとして、a:1.62mm、b:0.8m
m、L:2.5mm、h:6.0mmとした。上記ヒュ
−ズエレメントと絶縁カバ−フィルムとの接触面積は、
ほぼ1.30mm2であった。
ントとして断面積同一の断面円形線を使用し、絶縁カバ
−フィルムとヒュ−ズエレメントとを接触させず、この
間にフラックスを介在させた以外、実施例に同じとし
た。
樹脂板に帯状リ−ド導体の裏面を密接させ、5アンペヤ
1秒通電−59秒遮断を1サイクルとして500サイク
ルのパルス状過電流通電試験を行ったところ(試料数は
各10箇)、実施例品では何らの異常も観られなかった
が、比較例品では、10箇中6箇にヒュ−ズエレメント
の断線が認められた。
が既に提案した薄型ヒュ−ズ((特公平7−95419
号公報)を対象として、スイッチオン・オフ時での過度
的電流等のパルス状過電流に対する安定性を向上させ得
るものであり、機器、特に電子機器の小型化に伴います
ます薄型化が要求される電流ヒュ−ズまたは温度ヒュ−
ズとして極めて有用である。
例を一部を切開して示す平面図、図1の(ロ)は同薄型
ヒュ−ズの一例を示す図1の(イ)におけるロ−ロ断面
図、図1の(ハ)は同じく図1の(イ)におけるハ−ハ
断面図、図1の(ニ)は同上薄型ヒュ−ズの一例を示す
底面図である。
明図である。
明図である。
開して示す平面図、図4の(ロ)は同薄型ヒュ−ズを示
す図4の(イ)におけるロ−ロ断面図、図4の(ハ)は
同上薄型ヒュ−ズを示す底面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】一対のリ−ド導体の各先端部を絶縁支持フ
ィルムの片面より他面に水密に表出させ、該絶縁支持フ
ィルムの他面側での上記リ−ド導体先端部間にヒュ−ズ
エレメントを接続し、上記絶縁支持フィルムの他面に絶
縁カバ−フィルムを上記ヒュ−ズエレメントに接触させ
て被覆したことを特徴とする薄型ヒュ−ズ。 - 【請求項2】ヒュ−ズエレメントと絶縁カバ−フィルム
との接触を面接触とし、該接触面を囲んで絶縁支持フィ
ルムと絶縁カバ−フィルムとの間にフラックスを充填し
た請求項1記載の薄型ヒュ−ズ。
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|---|---|---|---|
| JP28150796A JP3754770B2 (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 薄型ヒュ−ズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28150796A JP3754770B2 (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 薄型ヒュ−ズ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10106425A true JPH10106425A (ja) | 1998-04-24 |
| JP3754770B2 JP3754770B2 (ja) | 2006-03-15 |
Family
ID=17640155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28150796A Expired - Fee Related JP3754770B2 (ja) | 1996-10-01 | 1996-10-01 | 薄型ヒュ−ズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3754770B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0964419A1 (en) * | 1998-06-11 | 1999-12-15 | Uchihashi Estec Co., Ltd. | Thin type thermal fuse and manufacturing method thereof |
| US6384708B1 (en) * | 1997-09-04 | 2002-05-07 | Wickmann-Werke Gmbh | Electrical fuse element |
| US7477130B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-01-13 | Littelfuse, Inc. | Dual fuse link thin film fuse |
-
1996
- 1996-10-01 JP JP28150796A patent/JP3754770B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6384708B1 (en) * | 1997-09-04 | 2002-05-07 | Wickmann-Werke Gmbh | Electrical fuse element |
| EP0964419A1 (en) * | 1998-06-11 | 1999-12-15 | Uchihashi Estec Co., Ltd. | Thin type thermal fuse and manufacturing method thereof |
| US7477130B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-01-13 | Littelfuse, Inc. | Dual fuse link thin film fuse |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3754770B2 (ja) | 2006-03-15 |
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