JPH10106753A - Ｅｌ素子とその製造方法 - Google Patents
Ｅｌ素子とその製造方法Info
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- JPH10106753A JPH10106753A JP8280144A JP28014496A JPH10106753A JP H10106753 A JPH10106753 A JP H10106753A JP 8280144 A JP8280144 A JP 8280144A JP 28014496 A JP28014496 A JP 28014496A JP H10106753 A JPH10106753 A JP H10106753A
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- cathode
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/826—Multilayers, e.g. opaque multilayers
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構成で、発光効率が良く、寿命が長
く、ダークスポットのない均一な発光を可能にする。 【解決手段】 ガラス等の透明基板１０上にＩＴＯ等の
透明な電極材料により陽極１２が形成され、その透明電
極の陽極１２の上面にホール輸送材料１５及び電子輸送
材料１６のＥＬ材料が積層されている。ＥＬ材料１５，
１６の表面に、陰極層１８，２０が積層され、この陰極
層１８，２０の金属の組成が、ＥＬ材料に接している側
からその反対側にかけて、厚み方向に電子供与性の高い
材料の割合が増大した組成となっている。
く、ダークスポットのない均一な発光を可能にする。 【解決手段】 ガラス等の透明基板１０上にＩＴＯ等の
透明な電極材料により陽極１２が形成され、その透明電
極の陽極１２の上面にホール輸送材料１５及び電子輸送
材料１６のＥＬ材料が積層されている。ＥＬ材料１５，
１６の表面に、陰極層１８，２０が積層され、この陰極
層１８，２０の金属の組成が、ＥＬ材料に接している側
からその反対側にかけて、厚み方向に電子供与性の高い
材料の割合が増大した組成となっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平面光源やディ
スプレイに用いられるＥＬ素子とその製造方法に関す
る。
スプレイに用いられるＥＬ素子とその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミ
ネッセンス）素子は、図２に示すように、ガラス基板１
に透光性のＩＴＯ膜の陽極２を形成し、その上面にトリ
フェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホール輸送材料３
を設け、その上にアルミキレート錯体（Ａｌｑ3）等の
電子輸送材料４を積層している。そしてその上面に、Ａ
ｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の陰極５を形成してい
る。この有機ＥＬ素子は、陽極２と陰極５間に所定の電
圧が印加され、発光を生じるものである。そして、この
有機ＥＬ素子の製造に際しては、ガラス基板１上に電極
材料及びＥＬ材料を真空蒸着により形成している。
ネッセンス）素子は、図２に示すように、ガラス基板１
に透光性のＩＴＯ膜の陽極２を形成し、その上面にトリ
フェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）等のホール輸送材料３
を設け、その上にアルミキレート錯体（Ａｌｑ3）等の
電子輸送材料４を積層している。そしてその上面に、Ａ
ｌ，Ｌｉ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｉｎ等の陰極５を形成してい
る。この有機ＥＬ素子は、陽極２と陰極５間に所定の電
圧が印加され、発光を生じるものである。そして、この
有機ＥＬ素子の製造に際しては、ガラス基板１上に電極
材料及びＥＬ材料を真空蒸着により形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、陰極５は、Ｅ
Ｌ素子の発光効率や寿命特性において、電子輸送材料４
に電子を供給する電子供与性が高いことが望まれ、その
指標としてはその材料の仕事関数あり、この仕事関数が
低いことが要求される。この仕事関数の低い材料として
はＮａ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｃａなどがあるが、取り扱いの容
易性からＥＬ素子に使用可能な材料は、Ｌｉ，Ｍｇ等に
限られている。
Ｌ素子の発光効率や寿命特性において、電子輸送材料４
に電子を供給する電子供与性が高いことが望まれ、その
指標としてはその材料の仕事関数あり、この仕事関数が
低いことが要求される。この仕事関数の低い材料として
はＮａ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｃａなどがあるが、取り扱いの容
易性からＥＬ素子に使用可能な材料は、Ｌｉ，Ｍｇ等に
限られている。
【０００４】しかし、上記従来の技術の陰極５を構成す
る材料であるＬｉ，Ｍｇ等の電子供与性の高い材料、即
ち仕事関数の低い材料は、反応性が高く一般に高純度の
ものが得られにくく、またそれらの合金においても同様
であり、通常９９％程度の純度が限界であった。そし
て、不純物の存在は、ＥＬ素子のダークスポットの原因
となり、純度９９％程度では、ダークスポットの存在面
積が発光面の３０％に達する場合があり、実用上問題と
なっていた。一方、これら以外のＡｌ等の材料は高純度
のものが得られるが、電子供与性が劣り、ＥＬ素子の発
光効率や寿命が落ちるという問題があった。
る材料であるＬｉ，Ｍｇ等の電子供与性の高い材料、即
ち仕事関数の低い材料は、反応性が高く一般に高純度の
ものが得られにくく、またそれらの合金においても同様
であり、通常９９％程度の純度が限界であった。そし
て、不純物の存在は、ＥＬ素子のダークスポットの原因
となり、純度９９％程度では、ダークスポットの存在面
積が発光面の３０％に達する場合があり、実用上問題と
なっていた。一方、これら以外のＡｌ等の材料は高純度
のものが得られるが、電子供与性が劣り、ＥＬ素子の発
光効率や寿命が落ちるという問題があった。
【０００５】この発明は、上記従来の技術に鑑みてなさ
れたもので、簡単な構成で、発光効率が良く、寿命が長
く、ダークスポットのない均一な発光を可能にするＥＬ
素子とその製造方法を提供することを目的とする。
れたもので、簡単な構成で、発光効率が良く、寿命が長
く、ダークスポットのない均一な発光を可能にするＥＬ
素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、ガラス等の
透明基板上にＩＴＯ等の透明な電極材料により陽極が形
成され、その透明電極の陽極の上面にホール輸送材料及
び電子輸送材料、その他の発光材料を有したＥＬ材料に
よる発光層が積層され、さらに上記ＥＬ材料の表面に、
陰極層が積層され、この陰極層の金属の組成が、上記Ｅ
Ｌ材料に接している側からその反対側にかけて、厚み方
向に電子供与性の高い材料の割合が増大した組成となっ
ているＥＬ素子である。上記陰極層は、相対的に電子供
与性が低いが純度の高い組成の面が上記ＥＬ材料に接
し、この部分から電子供与性の高い材料の割合が厚み方
向に増大しているものである。また、上記陰極は、上記
相対的に電子供与性の低い金属であって純度の高い金属
薄膜層が薄く形成され、その上に、上記ＥＬ材料側から
その反対側にかけて、厚み方向に電子供与性の高い材料
の割合が連続的に増大した組成に形成されているもので
ある。さらに、上記第二陰極層の上に、この第二陰極層
を外気と遮断する保護層を、金属薄膜または樹脂により
形成したものである。
透明基板上にＩＴＯ等の透明な電極材料により陽極が形
成され、その透明電極の陽極の上面にホール輸送材料及
び電子輸送材料、その他の発光材料を有したＥＬ材料に
よる発光層が積層され、さらに上記ＥＬ材料の表面に、
陰極層が積層され、この陰極層の金属の組成が、上記Ｅ
Ｌ材料に接している側からその反対側にかけて、厚み方
向に電子供与性の高い材料の割合が増大した組成となっ
ているＥＬ素子である。上記陰極層は、相対的に電子供
与性が低いが純度の高い組成の面が上記ＥＬ材料に接
し、この部分から電子供与性の高い材料の割合が厚み方
向に増大しているものである。また、上記陰極は、上記
相対的に電子供与性の低い金属であって純度の高い金属
薄膜層が薄く形成され、その上に、上記ＥＬ材料側から
その反対側にかけて、厚み方向に電子供与性の高い材料
の割合が連続的に増大した組成に形成されているもので
ある。さらに、上記第二陰極層の上に、この第二陰極層
を外気と遮断する保護層を、金属薄膜または樹脂により
形成したものである。
【０００７】またこの発明は、ガラス等の透明基板上
に、真空蒸着やスパッタリング、その他の真空薄膜形成
技術により、ＩＴＯ等の透明な電極材料の陽極を形成
し、その透明電極の陽極の上面に上記真空薄膜形成技術
によりホール輸送材料及び電子輸送材料のＥＬ材料を積
層し、さらに上記ＥＬ材料の表面に陰極層を上記真空薄
膜形成技術により積層し、この陰極層の積層に際して、
上記陰極層の金属の組成が、上記ＥＬ材料に接している
側からその反対側にかけて、厚み方向に電子供与性の高
い材料の割合を増大させて蒸着させるＥＬ素子の製造方
法である。上記陰極層の蒸着に際して、相対的に高純度
の金属材料と、相対的に電子供与性の高い金属材料の両
方の蒸着源を設け、上記ＥＬ材料に近い部分の蒸着から
この陰極が形成されるに従い、厚み方向に上記相対的に
電子供与性の高い金属材料の割合を増大させるＥＬ素子
の製造方法である。さらに、上記陰極層の上に、この陰
極層を外気と遮断する保護層を上記真空薄膜形成技術に
より形成し、その表面に樹脂の保護層を塗布するもので
ある。
に、真空蒸着やスパッタリング、その他の真空薄膜形成
技術により、ＩＴＯ等の透明な電極材料の陽極を形成
し、その透明電極の陽極の上面に上記真空薄膜形成技術
によりホール輸送材料及び電子輸送材料のＥＬ材料を積
層し、さらに上記ＥＬ材料の表面に陰極層を上記真空薄
膜形成技術により積層し、この陰極層の積層に際して、
上記陰極層の金属の組成が、上記ＥＬ材料に接している
側からその反対側にかけて、厚み方向に電子供与性の高
い材料の割合を増大させて蒸着させるＥＬ素子の製造方
法である。上記陰極層の蒸着に際して、相対的に高純度
の金属材料と、相対的に電子供与性の高い金属材料の両
方の蒸着源を設け、上記ＥＬ材料に近い部分の蒸着から
この陰極が形成されるに従い、厚み方向に上記相対的に
電子供与性の高い金属材料の割合を増大させるＥＬ素子
の製造方法である。さらに、上記陰極層の上に、この陰
極層を外気と遮断する保護層を上記真空薄膜形成技術に
より形成し、その表面に樹脂の保護層を塗布するもので
ある。
【０００８】この発明のＥＬ素子は、ＥＬ材料に接した
純度の高い陰極層の表面部分によりダークスポットの発
生を抑えている。そして、上記陰極層の組成を、ＥＬ材
料から離れるに従い連続的に電子供与性の高い金属の割
合を高くし、この電子供与性の高い材料は不純物より拡
散性が高いことから、相対的にＥＬ材料に近い部分の陰
極の不純物が少なく、しかも電子供与性を高くすること
ができるものである。
純度の高い陰極層の表面部分によりダークスポットの発
生を抑えている。そして、上記陰極層の組成を、ＥＬ材
料から離れるに従い連続的に電子供与性の高い金属の割
合を高くし、この電子供与性の高い材料は不純物より拡
散性が高いことから、相対的にＥＬ材料に近い部分の陰
極の不純物が少なく、しかも電子供与性を高くすること
ができるものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を基にして説明する。図１はこの発明のＥＬ素
子の一実施形態を示すもので、この実施形態のＥＬ素子
は、有機薄膜ＥＬ素子であり、図示するように、ガラ
ス、透明樹脂、石英等の透明基板１０の表面に、ＩＴＯ
等の透明な電極である陽極１２が形成されている。陽極
１２の表面には、ＥＬ材料による発光層１４が形成され
ている。そして、発光層１４の表面には、９９．９９９
％以上の純度のＡｌ（アルミニウム）による第一陰極層
１８が５０Å程度の厚さに形成され、その上面に、Ａｌ
−Ｌｉ合金の第二陰極層２０が５００Å〜１０００Å程
度の厚さに形成されている。第二陰極層２０は、ＥＬ材
料の発光層１４側ａからその反対側ｂにかけて、電子供
与性の高い材料であるＬｉ割合が連続的に増大した組成
に形成されている。Ｌｉの割合は、発光層１４側で０．
０１％以下に形成され、発光層１４の反対側に向かうに
従い、２００Å付近で０．１％、５００Å〜１０００Å
付近で１％程度の割合に形成されている。なお、第二陰
極層２０は、厚さが２００Å〜１０００Å程度の厚さで
適宜変更可能なものである。
いて図面を基にして説明する。図１はこの発明のＥＬ素
子の一実施形態を示すもので、この実施形態のＥＬ素子
は、有機薄膜ＥＬ素子であり、図示するように、ガラ
ス、透明樹脂、石英等の透明基板１０の表面に、ＩＴＯ
等の透明な電極である陽極１２が形成されている。陽極
１２の表面には、ＥＬ材料による発光層１４が形成され
ている。そして、発光層１４の表面には、９９．９９９
％以上の純度のＡｌ（アルミニウム）による第一陰極層
１８が５０Å程度の厚さに形成され、その上面に、Ａｌ
−Ｌｉ合金の第二陰極層２０が５００Å〜１０００Å程
度の厚さに形成されている。第二陰極層２０は、ＥＬ材
料の発光層１４側ａからその反対側ｂにかけて、電子供
与性の高い材料であるＬｉ割合が連続的に増大した組成
に形成されている。Ｌｉの割合は、発光層１４側で０．
０１％以下に形成され、発光層１４の反対側に向かうに
従い、２００Å付近で０．１％、５００Å〜１０００Å
付近で１％程度の割合に形成されている。なお、第二陰
極層２０は、厚さが２００Å〜１０００Å程度の厚さで
適宜変更可能なものである。
【００１０】ＥＬ材料の発光層１４は、母体材料のうち
ホール輸送材料１５としては、トリフェニルアミン誘導
体（ＴＰＤ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導
体等がある。また、電子輸送材料１６としては、アルミ
キレート錯体（Ａｌｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導
体（ＤＰＶＢｉ）、オキサジアゾール誘導体、ビスチリ
ルアントラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン
誘導体、ペリレン類、チアゾール類等を用いる。上記ホ
ール輸送材料１５と電子輸送材料１６の比は、１０：９
０乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能である。
ホール輸送材料１５としては、トリフェニルアミン誘導
体（ＴＰＤ）、ヒドラゾン誘導体、アリールアミン誘導
体等がある。また、電子輸送材料１６としては、アルミ
キレート錯体（Ａｌｑ3）、ジスチリルビフェニル誘導
体（ＤＰＶＢｉ）、オキサジアゾール誘導体、ビスチリ
ルアントラセン誘導体、ベンゾオキサゾールチオフェン
誘導体、ペリレン類、チアゾール類等を用いる。上記ホ
ール輸送材料１５と電子輸送材料１６の比は、１０：９
０乃至９０：１０の範囲で適宜変更可能である。
【００１１】第二陰極層２０の上面には、保護層２２が
積層されている。保護層２２は、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の
金属薄膜により形成され、第一，第二陰極層１８，２０
及び発光層１４を外気から遮断するものである。そし
て、フェノール、エポキシ等の樹脂や、導電性塗料によ
り保護層２４を形成する。
積層されている。保護層２２は、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の
金属薄膜により形成され、第一，第二陰極層１８，２０
及び発光層１４を外気から遮断するものである。そし
て、フェノール、エポキシ等の樹脂や、導電性塗料によ
り保護層２４を形成する。
【００１２】この実施形態の有機薄膜ＥＬ素子の製造方
法は、先ず基板１０上に一面にＩＴＯ等による陽極１２
を蒸着やフラッシュ蒸着、スパッタリングその他の真空
中の薄膜形成技術により形成する。次に、ＥＬ材料の発
光層１４を、ホール輸送材料１５、電子輸送材料１６の
順に、上記薄膜形成技術の任意の方法により順次形成す
る。ＥＬ材料１４の層の表面には導電性材料１５の層を
一面に、上記真空薄膜形成技術のうちの任意の方法によ
り形成する。この後、第一陰極層１８を蒸着等の上記真
空薄膜形成技術で所定の厚さに形成し、次に第二陰極層
２０を、同様に形成する。
法は、先ず基板１０上に一面にＩＴＯ等による陽極１２
を蒸着やフラッシュ蒸着、スパッタリングその他の真空
中の薄膜形成技術により形成する。次に、ＥＬ材料の発
光層１４を、ホール輸送材料１５、電子輸送材料１６の
順に、上記薄膜形成技術の任意の方法により順次形成す
る。ＥＬ材料１４の層の表面には導電性材料１５の層を
一面に、上記真空薄膜形成技術のうちの任意の方法によ
り形成する。この後、第一陰極層１８を蒸着等の上記真
空薄膜形成技術で所定の厚さに形成し、次に第二陰極層
２０を、同様に形成する。
【００１３】第一陰極層１８、第二陰極層２０の蒸着に
際して、相対的に９９．９９９％程度の高純度の金属材
料としてＡｌ、相対的に電子供与性の高い金属材料とし
て９９％程度の純度のＬｉの両方の蒸着源を設け、先ず
第一陰極層１８に形成に際しては、上記高純度のＡｌの
みの蒸着を行なう。そして、所定厚さ形成された後、発
光層１４に近い部分から上記高純度のＡｌにわずにＬｉ
が混合するように第二陰極層２０を形成する。第二陰極
層２０はその形成に従い、上記蒸着源のＬｉの温度を上
げて蒸発割合を増大させ、蒸着した第二陰極層２０の金
属の組成を、その厚み方向にＬｉの割合が増大するよう
に制御するものである。
際して、相対的に９９．９９９％程度の高純度の金属材
料としてＡｌ、相対的に電子供与性の高い金属材料とし
て９９％程度の純度のＬｉの両方の蒸着源を設け、先ず
第一陰極層１８に形成に際しては、上記高純度のＡｌの
みの蒸着を行なう。そして、所定厚さ形成された後、発
光層１４に近い部分から上記高純度のＡｌにわずにＬｉ
が混合するように第二陰極層２０を形成する。第二陰極
層２０はその形成に従い、上記蒸着源のＬｉの温度を上
げて蒸発割合を増大させ、蒸着した第二陰極層２０の金
属の組成を、その厚み方向にＬｉの割合が増大するよう
に制御するものである。
【００１４】ここで蒸着条件は、例えば、真空度が６×
１０-6Ｔｏｒｒで、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜する。フラッシュ蒸着法は、予め所定の比
率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００℃好まし
くは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落下させ、
有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。また、そ
の有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその容器を加
熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
１０-6Ｔｏｒｒで、ＥＬ材料の場合５０Å／ｓｅｃの蒸
着速度で成膜する。フラッシュ蒸着法は、予め所定の比
率で混合した有機ＥＬ材料を、３００〜６００℃好まし
くは、４００〜５００℃に加熱した蒸着源に落下させ、
有機ＥＬ材料を一気に蒸発させるものである。また、そ
の有機ＥＬ材料を容器中に収容し、急速にその容器を加
熱し、一気に蒸着させるものでも良い。
【００１５】次に、第二陰極層２０の表面に、保護層２
２を形成する。保護層２２の形成は、ＡｌやＡｇ、Ｃｕ
を上記真空薄膜形成技術により形成する。この保護層２
２の形成までを真空炉中で一連に行なうものである。そ
して、電極の取出し部を除いて、樹脂による保護層２４
を塗布により形成しても良い。保護層２２はハンダ付け
性を考慮すると、ＡｇやＣｕが好ましい。
２を形成する。保護層２２の形成は、ＡｌやＡｇ、Ｃｕ
を上記真空薄膜形成技術により形成する。この保護層２
２の形成までを真空炉中で一連に行なうものである。そ
して、電極の取出し部を除いて、樹脂による保護層２４
を塗布により形成しても良い。保護層２２はハンダ付け
性を考慮すると、ＡｇやＣｕが好ましい。
【００１６】この実施形態のＥＬ素子は、ＥＬ材料に接
した純度の高い第一陰極層１８によりダークスポットの
発生を抑えている。そして、第一陰極層１８の上に第二
陰極層２０を形成しその組成を、ＥＬ材料から離れるに
従い、厚み方向に連続的に電子供与性の高い金属である
Ｌｉの割合を高くしている。これによって、電子供与性
の高い材料は不純物より拡散性が高いことから、相対的
にＥＬ材料に近い部分の陰極の不純物が少なく、しかも
その部分へのＬｉの拡散が進んで電子供与性を高くする
ことができるものである。
した純度の高い第一陰極層１８によりダークスポットの
発生を抑えている。そして、第一陰極層１８の上に第二
陰極層２０を形成しその組成を、ＥＬ材料から離れるに
従い、厚み方向に連続的に電子供与性の高い金属である
Ｌｉの割合を高くしている。これによって、電子供与性
の高い材料は不純物より拡散性が高いことから、相対的
にＥＬ材料に近い部分の陰極の不純物が少なく、しかも
その部分へのＬｉの拡散が進んで電子供与性を高くする
ことができるものである。
【００１７】この実施形態のＥＬ素子は、陰極として純
度の高いＡｌの第一陰極層１８と、電子供与性の高いＡ
Ｌ−Ｌｉ合金の第二陰極層２０とを積層したので、純度
の高い第一陰極層１８により発光時のダークスポットが
なく、しかも第二陰極層２０の発光層１４に近い部分へ
のＬｉが拡散が進行し、電子供与性が高められ、発光効
率が良くなり、寿命も長くなるものである。
度の高いＡｌの第一陰極層１８と、電子供与性の高いＡ
Ｌ−Ｌｉ合金の第二陰極層２０とを積層したので、純度
の高い第一陰極層１８により発光時のダークスポットが
なく、しかも第二陰極層２０の発光層１４に近い部分へ
のＬｉが拡散が進行し、電子供与性が高められ、発光効
率が良くなり、寿命も長くなるものである。
【００１８】なお、この発明のＥＬ素子の第一陰極層
は、高純度のＡｌ以外に、高純度が得られ発光層に悪影
響を与えないＡｇ，Ｉｎでも良い。また、第二陰極層
は、Ａｉ−Ｌｉ合金の組成の変化率は適宜変更可能であ
り、他のＭｇ等の合金や、その他電子供与性の高い金属
材料を用いても良い。さらに、第二陰極層を形成後、温
度を１００℃程度に保って、拡散を促進することによ
り、さらに効率を上げることができる。また、ＥＬ材料
も、ホール輸送材料と電子輸送材料を積層したものの
他、これらを混合して蒸着したもの、その発光材料を混
合したもの等、適宜選択可能なものであり、発光色も任
意に選択可能である。
は、高純度のＡｌ以外に、高純度が得られ発光層に悪影
響を与えないＡｇ，Ｉｎでも良い。また、第二陰極層
は、Ａｉ−Ｌｉ合金の組成の変化率は適宜変更可能であ
り、他のＭｇ等の合金や、その他電子供与性の高い金属
材料を用いても良い。さらに、第二陰極層を形成後、温
度を１００℃程度に保って、拡散を促進することによ
り、さらに効率を上げることができる。また、ＥＬ材料
も、ホール輸送材料と電子輸送材料を積層したものの
他、これらを混合して蒸着したもの、その発光材料を混
合したもの等、適宜選択可能なものであり、発光色も任
意に選択可能である。
【００１９】
【発明の効果】この発明のＥＬ素子とその製造方法は、
発光層に対して純度の高い材料を陰極として接合して積
層し、その陰極層の電子供与性の高い材料の割合を膜厚
方向に徐々に増加させたので、ダークスポットがなく、
しかも発光効率が良く、寿命も長いものにすることがで
きる。
発光層に対して純度の高い材料を陰極として接合して積
層し、その陰極層の電子供与性の高い材料の割合を膜厚
方向に徐々に増加させたので、ダークスポットがなく、
しかも発光効率が良く、寿命も長いものにすることがで
きる。
【図１】この発明の一実施形態のＥＬ素子の断面図であ
る。
る。
【図２】従来のＥＬ素子の断面図である。
１０ 基板 １２ 陽極 １４ 発光層 １５ ホール輸送材料 １６ 電子輸送材料 １８ 第一陰極層 ２０ 第二陰極層 ２２，２４ 保護層
Claims (8)
- 【請求項１】 透明基板上に透明な電極材料により陽極
が形成され、その透明な陽極の上面にＥＬ材料が積層さ
れ、上記ＥＬ材料の表面に、相対的に高純度の金属によ
る陰極層が積層され、この陰極層の金属の組成が、上記
ＥＬ材料に接している側からその反対側にかけて、電子
供与性の高い材料の割合が増大した組成となっているＥ
Ｌ素子。 - 【請求項２】 上記ＥＬ材料は、有機ＥＬ材料である請
求項１記載のＥＬ素子。 - 【請求項３】 上記陰極層は、相対的に電子供与性が低
いが純度の高い組成の面が上記ＥＬ材料に接し、この部
分から電子供与性の高い材料の割合が厚み方向に増大し
ているものである請求項１または２記載のＥＬ素子。 - 【請求項４】 上記陰極は、上記相対的に電子供与性の
低い金属であって純度の高い金属薄膜層が薄く形成さ
れ、その上に、上記ＥＬ材料側からその反対側にかけ
て、厚み方向に電子供与性の高い材料の割合が連続的に
増大した組成に形成されている請求項１または２記載の
ＥＬ素子。 - 【請求項５】 上記第二陰極層の上に、この第二陰極層
を外気と遮断する保護層を形成した請求項４記載のＥＬ
素子。 - 【請求項６】 透明基板上に、真空薄膜形成技術により
透明な電極材料の陽極を形成し、その透明陽極の上面に
上記真空薄膜形成技術によりＥＬ材料を積層し、さらに
上記ＥＬ材料の表面に、相対的に高純度の第一陰極層を
上記真空薄膜形成技術により積層し、この陰極層の積層
に際して、上記陰極層の金属の組成が、上記ＥＬ材料に
接している側からその反対側にかけて、厚み方向に電子
供与性の高い材料の割合を増大するように蒸着させるＥ
Ｌ素子の製造方法。 - 【請求項７】 上記陰極層の蒸着に際して、相対的に高
純度の金属材料と、相対的に電子供与性の高い金属材料
の両方の蒸着源を設け、上記ＥＬ材料に近い部分の蒸着
からこの陰極が形成されるに従い、上記相対的に電子供
与性の高い金属材料の割合を増大させる請求項６記載の
ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項８】 上記陰極層の上に、この陰極層を外気と
遮断する保護層を上記真空薄膜形成技術により形成し、
その表面に樹脂の保護層を塗布する請求項６または７記
載のＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8280144A JPH10106753A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | Ｅｌ素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8280144A JPH10106753A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | Ｅｌ素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10106753A true JPH10106753A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17620948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8280144A Pending JPH10106753A (ja) | 1996-09-30 | 1996-09-30 | Ｅｌ素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10106753A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114039018A (zh) * | 2020-12-21 | 2022-02-11 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 阴极及其制备方法以及电致发光器件 |
-
1996
- 1996-09-30 JP JP8280144A patent/JPH10106753A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114039018A (zh) * | 2020-12-21 | 2022-02-11 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 阴极及其制备方法以及电致发光器件 |
| CN114039018B (zh) * | 2020-12-21 | 2024-03-08 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 阴极及其制备方法以及电致发光器件 |
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