JPH10106768A - 高輝度放電ランプ用始動回路 - Google Patents
高輝度放電ランプ用始動回路Info
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- JPH10106768A JPH10106768A JP8274081A JP27408196A JPH10106768A JP H10106768 A JPH10106768 A JP H10106768A JP 8274081 A JP8274081 A JP 8274081A JP 27408196 A JP27408196 A JP 27408196A JP H10106768 A JPH10106768 A JP H10106768A
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- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 充電用コンデンサの容量を大きくせずに、高
電圧トリガーパルスの幅を広げ、高輝度ランプの消灯直
後の再点灯を容易に行えるようにすると共に、トリガー
電圧発生時のノイズが大きくならず、高輝度ランプを利
用している装置やその周辺にある装置に悪影響を及ぼさ
ないこと。 【構成】 コンデンサＣ１と、このコンデンサを充電す
るための充電回路と、コンデンサＣ１の充電電圧が所定
の値まで上昇すると閉じてコンデンサＣ１の充電電荷を
放電するスイッチＳＷと、コンデンサＣ１の放電により
電流が流れる１次巻線ｎ２１と高電圧を発生して高輝度
ランプ７に与える２次巻線ｎ２２とを有する昇圧トラン
スＴ２とからなる高輝度ランプ用始動回路において、コ
ンデンサＣ１の電荷を昇圧トランスＴ２の１次巻線ｎ２
１へ放電する閉ループに小さなインダクタンスを有する
インダクタＬを接続した高輝度ランプ用始動回路。
電圧トリガーパルスの幅を広げ、高輝度ランプの消灯直
後の再点灯を容易に行えるようにすると共に、トリガー
電圧発生時のノイズが大きくならず、高輝度ランプを利
用している装置やその周辺にある装置に悪影響を及ぼさ
ないこと。 【構成】 コンデンサＣ１と、このコンデンサを充電す
るための充電回路と、コンデンサＣ１の充電電圧が所定
の値まで上昇すると閉じてコンデンサＣ１の充電電荷を
放電するスイッチＳＷと、コンデンサＣ１の放電により
電流が流れる１次巻線ｎ２１と高電圧を発生して高輝度
ランプ７に与える２次巻線ｎ２２とを有する昇圧トラン
スＴ２とからなる高輝度ランプ用始動回路において、コ
ンデンサＣ１の電荷を昇圧トランスＴ２の１次巻線ｎ２
１へ放電する閉ループに小さなインダクタンスを有する
インダクタＬを接続した高輝度ランプ用始動回路。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高輝度放電ランプを瞬
時に点灯させるための始動回路に関する。
時に点灯させるための始動回路に関する。
【０００２】
【従来技術】 高輝度放電ランプを点灯させるには、電
極間に高電圧のトリガーパルスを加えて絶縁破壊を起こ
し、アーク放電に至らせる必要がある。
極間に高電圧のトリガーパルスを加えて絶縁破壊を起こ
し、アーク放電に至らせる必要がある。
【０００３】 このトリガーパルスの電圧値は、ランプ
管内温度が室温の場合は２〜５ｋＶ程度であるが、消灯
した直後に再点灯させる場合は、ランプ菅内温度が高
く、その内部ガスの圧力が上がっているため、電極間の
絶縁破壊電圧が高くなっており、１０〜３０ｋＶが必要
になる。このため、消灯直後にも再点灯させる用途に対
しては、１０〜３０ｋＶのトリガーパルス電圧を発生さ
せる始動回路を装備した安定器を用いている。
管内温度が室温の場合は２〜５ｋＶ程度であるが、消灯
した直後に再点灯させる場合は、ランプ菅内温度が高
く、その内部ガスの圧力が上がっているため、電極間の
絶縁破壊電圧が高くなっており、１０〜３０ｋＶが必要
になる。このため、消灯直後にも再点灯させる用途に対
しては、１０〜３０ｋＶのトリガーパルス電圧を発生さ
せる始動回路を装備した安定器を用いている。
【０００４】 このようなトリガーパルスを発生させる
回路としては、通常、図４に示すような回路が用いられ
る。以下図面に基づき説明する。
回路としては、通常、図４に示すような回路が用いられ
る。以下図面に基づき説明する。
【０００５】 スイッチング素子Ｓ、図４ではＭＯＳＦ
ＥＴを高周波でスイッチングさせ、直流電源ＰＳからの
電力をトランスＴ１の１次巻線ｎ１１に加え、２次巻線
ｎ１２に発生した高周波電圧をダイオードＤで整流し、
コンデンサＣ１を充電する。コンデンサＣ１が充電され
るのに伴い、電圧が上昇して行く。そしてコンデンサＣ
１の端子電圧が放電ギャップスイッチのようなスイッチ
ＳＷの絶縁破壊電圧に達すると、スイッチＳＷが閉じ、
コンデンサＣ１の電圧は昇圧トランスＴ２の１次巻線ｎ
２１に印加される。昇圧トランスＴ２の２次巻線ｎ２２
にはトランスの巻数比で昇圧された高電圧が発生する。
スイッチＳＷの絶縁破壊電圧や昇圧トランスＴ２の巻き
数比を適当に選ぶことにより、昇圧トランスの２次巻線
には１０〜３０ｋＶのトリガーパルスが得られる。
ＥＴを高周波でスイッチングさせ、直流電源ＰＳからの
電力をトランスＴ１の１次巻線ｎ１１に加え、２次巻線
ｎ１２に発生した高周波電圧をダイオードＤで整流し、
コンデンサＣ１を充電する。コンデンサＣ１が充電され
るのに伴い、電圧が上昇して行く。そしてコンデンサＣ
１の端子電圧が放電ギャップスイッチのようなスイッチ
ＳＷの絶縁破壊電圧に達すると、スイッチＳＷが閉じ、
コンデンサＣ１の電圧は昇圧トランスＴ２の１次巻線ｎ
２１に印加される。昇圧トランスＴ２の２次巻線ｎ２２
にはトランスの巻数比で昇圧された高電圧が発生する。
スイッチＳＷの絶縁破壊電圧や昇圧トランスＴ２の巻き
数比を適当に選ぶことにより、昇圧トランスの２次巻線
には１０〜３０ｋＶのトリガーパルスが得られる。
【０００６】 始動回路が理想的であれば、トリガー電
圧Ｖｔは、スイッチＳＷの絶縁破壊電圧又は点弧電圧を
Ｅ，昇圧トランスＴ２の１次・２次巻数比をＮ（ｎ２２
／ｎ２１）とすると、Ｖｔ＝Ｅ×Ｎの電圧が発生する
が、実際にはスイッチＳＷの電圧降下、トランスの損
失，トランスの漏れインダクタンスと巻線の分布容量や
負荷容量との振動などにより大幅に電圧が低下する。ま
た、漏れインダクタンスとの振動は、トリガパルスの幅
を狭めるという問題がある。次に、この振動について簡
単に説明する。
圧Ｖｔは、スイッチＳＷの絶縁破壊電圧又は点弧電圧を
Ｅ，昇圧トランスＴ２の１次・２次巻数比をＮ（ｎ２２
／ｎ２１）とすると、Ｖｔ＝Ｅ×Ｎの電圧が発生する
が、実際にはスイッチＳＷの電圧降下、トランスの損
失，トランスの漏れインダクタンスと巻線の分布容量や
負荷容量との振動などにより大幅に電圧が低下する。ま
た、漏れインダクタンスとの振動は、トリガパルスの幅
を狭めるという問題がある。次に、この振動について簡
単に説明する。
【０００７】 回路が理想的であれば、図５に示すよう
な電圧波形が昇圧トランスＴ２の２次巻線ｎ２２に発生
する。しかし、実際の等価回路は図６に示すように、昇
圧トランスＴ２の１次側漏れインダクタンスＬｒ１、２
次側漏れインダクタンスＬｒ２、２次巻線ｎ２２による
分布容量と負荷容量との合成容量Ｃｏ、及び励磁インダ
クタンスＬｅが存在する。その他にも巻線抵抗や１次側
巻線の分布容量などがあるがここでは無視する。
な電圧波形が昇圧トランスＴ２の２次巻線ｎ２２に発生
する。しかし、実際の等価回路は図６に示すように、昇
圧トランスＴ２の１次側漏れインダクタンスＬｒ１、２
次側漏れインダクタンスＬｒ２、２次巻線ｎ２２による
分布容量と負荷容量との合成容量Ｃｏ、及び励磁インダ
クタンスＬｅが存在する。その他にも巻線抵抗や１次側
巻線の分布容量などがあるがここでは無視する。
【０００８】 図６に示す等価回路において、スイッチ
ＳＷがオンすると、コンデンサＣ１−スイッチＳＷ−１
次側漏れインダクタンスＬｒ１−励磁インダクタンスＬ
ｅ−コンデンサＣ１の閉ループと，コンデンサＣ１−ス
イッチＳＷ−１次側漏れインダクタンスＬｒ１−２次側
漏れインダクタンスＬｒ２−合成容量Ｃｏ−コンデンサ
Ｃ１の閉ループに電流が流れる。コンデンサＣ１と励磁
インダクタンスＬｅとの第１の固有振動に比べ、１次側
漏れインダクタンスＬｒ１，２次側漏れインダクタンス
Ｌｒ２，合成容量Ｃｏによる第２の固有振動の方が周期
が短く、図７に示すように、主に１次側漏れインダクタ
ンスＬｒ１と２次側漏れインダクタンスＬｒ２と合成容
量Ｃｏとで決まる固有振動周波数を有するトリガー電圧
となり、幅の狭いパルスとなるためランプが点灯しにく
くなる。
ＳＷがオンすると、コンデンサＣ１−スイッチＳＷ−１
次側漏れインダクタンスＬｒ１−励磁インダクタンスＬ
ｅ−コンデンサＣ１の閉ループと，コンデンサＣ１−ス
イッチＳＷ−１次側漏れインダクタンスＬｒ１−２次側
漏れインダクタンスＬｒ２−合成容量Ｃｏ−コンデンサ
Ｃ１の閉ループに電流が流れる。コンデンサＣ１と励磁
インダクタンスＬｅとの第１の固有振動に比べ、１次側
漏れインダクタンスＬｒ１，２次側漏れインダクタンス
Ｌｒ２，合成容量Ｃｏによる第２の固有振動の方が周期
が短く、図７に示すように、主に１次側漏れインダクタ
ンスＬｒ１と２次側漏れインダクタンスＬｒ２と合成容
量Ｃｏとで決まる固有振動周波数を有するトリガー電圧
となり、幅の狭いパルスとなるためランプが点灯しにく
くなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】 昇圧トランスＴ２の
分布容量や漏れインダクタンスを小さくし、幅の広いト
リガーパルスが得られれば問題ないが、それぞれ物理条
件により限界がある。したがって、トリガーパルス幅を
広げるため、コンデンサＣ１の容量を大きくし、前記第
１の固有振動周期を長くする手段を用いなければなら
ず、大電力化になり、大形化、コストアップを招いてい
た。さらに、トリガー電圧発生時のノイズが大きくな
り、高輝度放電ランプを利用している装置やその周辺に
ある装置に悪影響を及ぼしたり、人体に対する危険性が
悪化するなどの問題があった。
分布容量や漏れインダクタンスを小さくし、幅の広いト
リガーパルスが得られれば問題ないが、それぞれ物理条
件により限界がある。したがって、トリガーパルス幅を
広げるため、コンデンサＣ１の容量を大きくし、前記第
１の固有振動周期を長くする手段を用いなければなら
ず、大電力化になり、大形化、コストアップを招いてい
た。さらに、トリガー電圧発生時のノイズが大きくな
り、高輝度放電ランプを利用している装置やその周辺に
ある装置に悪影響を及ぼしたり、人体に対する危険性が
悪化するなどの問題があった。
【００１０】 本発明はこのようなトリガー電圧を発生
させる始動器において、コンデンサＣ１の容量を大きく
することなく、トリガーパルス幅を広げることを課題と
する。
させる始動器において、コンデンサＣ１の容量を大きく
することなく、トリガーパルス幅を広げることを課題と
する。
【００１１】 本発明はこの課題を解決するため、昇圧
トランスＴ２の１次巻線と直列に微小インダクタンスを
もつインダクタを挿入し、パルス幅を広げることを提案
するものである。
トランスＴ２の１次巻線と直列に微小インダクタンスを
もつインダクタを挿入し、パルス幅を広げることを提案
するものである。
【００１２】
【問題を解決するための手段】 前述のような問題を解
決するため、第１の発明では、コンデンサと、このコン
デンサを充電するための充電回路と、前記コンデンサの
充電電圧が所定の値まで上昇すると閉じて前記コンデン
サの充電電荷を放電するスイッチと、前記コンデンサの
放電により電流が流れる１次巻線と高電圧を発生して高
輝度放電ランプに与える２次巻線とを有する昇圧トラン
スとからなる高輝度放電ランプ用始動回路において、前
記コンデンサの電荷を前記昇圧トランスの１次巻線へ放
電する閉ループに小さなインダクタンスを有するインダ
クタを接続することを特徴とする高輝度放電ランプ用始
動回路を提供するものである。
決するため、第１の発明では、コンデンサと、このコン
デンサを充電するための充電回路と、前記コンデンサの
充電電圧が所定の値まで上昇すると閉じて前記コンデン
サの充電電荷を放電するスイッチと、前記コンデンサの
放電により電流が流れる１次巻線と高電圧を発生して高
輝度放電ランプに与える２次巻線とを有する昇圧トラン
スとからなる高輝度放電ランプ用始動回路において、前
記コンデンサの電荷を前記昇圧トランスの１次巻線へ放
電する閉ループに小さなインダクタンスを有するインダ
クタを接続することを特徴とする高輝度放電ランプ用始
動回路を提供するものである。
【００１３】 前述のような問題を解決するため、第２
の発明では、請求項１において、前記インダクタのイン
ダクタンス値が前記昇圧トランスの２次側漏れインダク
タンスを１次側に巻数比換算した値に等しいインダクタ
ンスからその３倍の値までの範囲内に設定されることを
特徴とする高輝度放電ランプ用始動回路を提供するもの
である。
の発明では、請求項１において、前記インダクタのイン
ダクタンス値が前記昇圧トランスの２次側漏れインダク
タンスを１次側に巻数比換算した値に等しいインダクタ
ンスからその３倍の値までの範囲内に設定されることを
特徴とする高輝度放電ランプ用始動回路を提供するもの
である。
【００１４】 前述のような問題を解決するため、第３
の発明では、請求項１又は２において、前記スイッチは
火花放電ギャップスイッチであることを特徴とする高輝
度放電ランプ用始動回路を提供するものである。
の発明では、請求項１又は２において、前記スイッチは
火花放電ギャップスイッチであることを特徴とする高輝
度放電ランプ用始動回路を提供するものである。
【００１５】
【発明を実施するための形態】 図１により本発明を実
施するための形態について説明する。直流電源ＰＳと閉
ループを構成するようにトランスＴ１の１次巻線ｎ１１
とＭＯＳＦＥＴ又はバイポーラトランジスタのようなス
イッチング素子Ｓを接続する。トランスＴ１の２次巻線
ｎ１２と直列に整流ダイオードＤとコンデンサＣ１を接
続する。コンデンサＣ１の両端に、放電ギャップスイッ
チのようなスイッチＳＷと微小インダクタンスをもつイ
ンダクタＬと昇圧トランスＴ２の１次巻線ｎ２１とを直
列に接続する。昇圧トランスＴ２の２次巻線ｎ２２から
高電圧トリガパルスを得、図示していない高輝度放電ラ
ンプに与える。
施するための形態について説明する。直流電源ＰＳと閉
ループを構成するようにトランスＴ１の１次巻線ｎ１１
とＭＯＳＦＥＴ又はバイポーラトランジスタのようなス
イッチング素子Ｓを接続する。トランスＴ１の２次巻線
ｎ１２と直列に整流ダイオードＤとコンデンサＣ１を接
続する。コンデンサＣ１の両端に、放電ギャップスイッ
チのようなスイッチＳＷと微小インダクタンスをもつイ
ンダクタＬと昇圧トランスＴ２の１次巻線ｎ２１とを直
列に接続する。昇圧トランスＴ２の２次巻線ｎ２２から
高電圧トリガパルスを得、図示していない高輝度放電ラ
ンプに与える。
【００１６】 次にその動作を説明する。コンデンサＣ
１の充電までは従来例と同じであり、説明を省略する。
１の充電までは従来例と同じであり、説明を省略する。
【００１７】 昇圧トランスＴ２の巻数比Ｎ（ｎ２２／
ｎ２１）は大きく、７〜１５程度に選ばれるため、１次
側漏れインダクタンスＬｒ１と２次側漏れインダクタン
スＬｒ２は巻数比換算してもＬｒ１《Ｌｒ２であり、振
動周期は主に分布容量と負荷容量との合成容量Ｃｏと２
次側漏れインダクタンスＬｒ２とで決定される。
ｎ２１）は大きく、７〜１５程度に選ばれるため、１次
側漏れインダクタンスＬｒ１と２次側漏れインダクタン
スＬｒ２は巻数比換算してもＬｒ１《Ｌｒ２であり、振
動周期は主に分布容量と負荷容量との合成容量Ｃｏと２
次側漏れインダクタンスＬｒ２とで決定される。
【００１８】 そこで昇圧トランスＴ２の１次側に２次
側漏れインダクタンスＬｒ２の１次換算値程度のインダ
クタンスをもつインダクタＬを挿入し、前記合成容量Ｃ
ｏとの振動周期を長くして、トリガーパルス幅を広げる
ことを提案する。インダクタＬのインダクタンス値を大
きくする程、第２の振動周期は延びるが、励磁インダク
タンスＬｅに近付くために電圧降下が大きくなり、昇圧
トランスＴ２の１次巻線ｎ２１（励磁インダクタンス）
に加わる電圧が低下し、トリガー電圧のピーク値が下が
ってくる。このことは、実験結果を示す図２からも分か
るように、インダクタＬのインダクタンス値が大きくな
るにつれて、幅は広くなるが、トリガーパルスの波高値
は低くなる。
側漏れインダクタンスＬｒ２の１次換算値程度のインダ
クタンスをもつインダクタＬを挿入し、前記合成容量Ｃ
ｏとの振動周期を長くして、トリガーパルス幅を広げる
ことを提案する。インダクタＬのインダクタンス値を大
きくする程、第２の振動周期は延びるが、励磁インダク
タンスＬｅに近付くために電圧降下が大きくなり、昇圧
トランスＴ２の１次巻線ｎ２１（励磁インダクタンス）
に加わる電圧が低下し、トリガー電圧のピーク値が下が
ってくる。このことは、実験結果を示す図２からも分か
るように、インダクタＬのインダクタンス値が大きくな
るにつれて、幅は広くなるが、トリガーパルスの波高値
は低くなる。
【００１９】 このため、インダクタＬのインダクタン
スは２次側漏れインダクタンスＬｒ２の１次換算値にほ
ぼ等しいインダクタンスからその３倍程度の範囲内の値
とすることで、電圧降下を実際上問題のない程度に抑え
ながらパルス幅を広げられる。この結果、トリガーパワ
ーの増加を抑えて、高輝度放電ランプの点灯性を改善す
ることができる。
スは２次側漏れインダクタンスＬｒ２の１次換算値にほ
ぼ等しいインダクタンスからその３倍程度の範囲内の値
とすることで、電圧降下を実際上問題のない程度に抑え
ながらパルス幅を広げられる。この結果、トリガーパワ
ーの増加を抑えて、高輝度放電ランプの点灯性を改善す
ることができる。
【００２０】
【実施例】 次に以上説明したこの発明の実施の形態を
高輝度放電ランプ用電力供給装置に組み込んだ１実施例
を図３に示す。図１で示した記号と同一の記号は相当す
る部材を示すものとする。
高輝度放電ランプ用電力供給装置に組み込んだ１実施例
を図３に示す。図１で示した記号と同一の記号は相当す
る部材を示すものとする。
【００２１】 同図において、１は商用交流電源、２は
通常のＥＭＩフィルタ回路、３は通常の全波整流回路、
４は力率を改善しながら入力電圧を昇圧する昇圧チョッ
パ回路、５は昇圧チョッパ回路４からの直流電圧を、例
えば６０〜６００Ｈｚの矩形の交流電圧に変換するブリ
ッジインバータ回路、６は通常のフィルタ回路、７は高
輝度放電ランプであり、フィルタ回路６の出力側と高輝
度放電ランプ７との間の給電線にこの始動回路８の昇圧
トランスＴ２の２次巻線ｎ２２が直列に接続される。
通常のＥＭＩフィルタ回路、３は通常の全波整流回路、
４は力率を改善しながら入力電圧を昇圧する昇圧チョッ
パ回路、５は昇圧チョッパ回路４からの直流電圧を、例
えば６０〜６００Ｈｚの矩形の交流電圧に変換するブリ
ッジインバータ回路、６は通常のフィルタ回路、７は高
輝度放電ランプであり、フィルタ回路６の出力側と高輝
度放電ランプ７との間の給電線にこの始動回路８の昇圧
トランスＴ２の２次巻線ｎ２２が直列に接続される。
【００２２】 コンデンサＣ、トランスＴ１、ＦＥＴの
ようなスイッチング素子Ｓ、整流用ダイオードＤ、及び
スイッチング素子Ｓを高周波で駆動する駆動回路Ｄｃは
コンデンサＣ１用の高周波充電回路を構成し、その入力
電圧は昇圧チョッパ回路４の平滑用電解コンデンサ４Ａ
の端子間電圧となる。駆動回路Ｄｃは、図示されていな
い点灯スイッチが閉じられることにより、動作を開始
し、所定の高周波駆動信号をスイッチング素子Ｓに与え
て高周波でスイッチングさせる。以後の始動回路８の動
作については実施の形態で説明したとおりであるので、
省略するが、昇圧トランスＴ２の２次巻線ｎ２２に誘起
される前述のような１０〜３０ｋＶの交流高電圧がフィ
ルタ回路６の直流出力電圧に重畳され、高輝度放電ラン
プ７の電極間に印加される。
ようなスイッチング素子Ｓ、整流用ダイオードＤ、及び
スイッチング素子Ｓを高周波で駆動する駆動回路Ｄｃは
コンデンサＣ１用の高周波充電回路を構成し、その入力
電圧は昇圧チョッパ回路４の平滑用電解コンデンサ４Ａ
の端子間電圧となる。駆動回路Ｄｃは、図示されていな
い点灯スイッチが閉じられることにより、動作を開始
し、所定の高周波駆動信号をスイッチング素子Ｓに与え
て高周波でスイッチングさせる。以後の始動回路８の動
作については実施の形態で説明したとおりであるので、
省略するが、昇圧トランスＴ２の２次巻線ｎ２２に誘起
される前述のような１０〜３０ｋＶの交流高電圧がフィ
ルタ回路６の直流出力電圧に重畳され、高輝度放電ラン
プ７の電極間に印加される。
【００２３】 なお、以上の記述では簡単な構成で安価
な例として図１に示すような構成の高周波充電回路を用
いたが、これに限らず、現在用いられている別の種々の
充電回路でも勿論良い。また、図３に示した高輝度放電
ランプ用電力供給装置に限らず、例えば昇圧チョッパ回
路４とブリッジインバータ回路５との間に出力制御用の
通常の構成の降圧チョッパ回路を接続し、その平滑用コ
ンデンサの両端に始動回路８の入力端子を接続しても良
い。さらにまた、スイッチＳＷの好ましい例として放電
ギャップスイッチを挙げたが、比較的電流容量の小さい
サイリスタを複数個直列接続した高電圧半導体スイッチ
を用いることもできる。
な例として図１に示すような構成の高周波充電回路を用
いたが、これに限らず、現在用いられている別の種々の
充電回路でも勿論良い。また、図３に示した高輝度放電
ランプ用電力供給装置に限らず、例えば昇圧チョッパ回
路４とブリッジインバータ回路５との間に出力制御用の
通常の構成の降圧チョッパ回路を接続し、その平滑用コ
ンデンサの両端に始動回路８の入力端子を接続しても良
い。さらにまた、スイッチＳＷの好ましい例として放電
ギャップスイッチを挙げたが、比較的電流容量の小さい
サイリスタを複数個直列接続した高電圧半導体スイッチ
を用いることもできる。
【００２４】
【発明の効果】 以上述べたように本発明によれば、昇
圧トランスＴ２の１次巻線と直列に微小インダクタンス
をもつインダクタＬを接続することにより、充電用コン
デンサＣ１の容量を大きくせずに、高電圧トリガーパル
スの幅を広げることができるので、高輝度放電ランプの
消灯直後の再点灯を容易に行うことができ、またトリガ
ー電圧発生時のノイズが大きくなったり、高輝度放電ラ
ンプを利用している装置やその周辺にある装置に悪影響
を及ぼすことがない。
圧トランスＴ２の１次巻線と直列に微小インダクタンス
をもつインダクタＬを接続することにより、充電用コン
デンサＣ１の容量を大きくせずに、高電圧トリガーパル
スの幅を広げることができるので、高輝度放電ランプの
消灯直後の再点灯を容易に行うことができ、またトリガ
ー電圧発生時のノイズが大きくなったり、高輝度放電ラ
ンプを利用している装置やその周辺にある装置に悪影響
を及ぼすことがない。
【図１】 本発明の第１の実施の形態を説明するための
図である。
図である。
【図２】 本発明を説明するための各振動電圧を示す図
である。
である。
【図３】 本発明の実施例を説明するための図である。
【図４】 従来のランプ用始動回路を説明するための図
である。
である。
【図５】 従来例を説明するための図である。
【図６】 従来のランプ用始動回路の等価回路を示す図
である。
である。
【図７】 従来の振動電圧を説明するための図である。
ＰＳ・・・直流電源 Ｓ・・・スイッ
チング素子 Ｔ１、Ｔ２・・・トランス Ｄ・・・ダイオ
ード Ｃ１・・・コンデンサ ＳＷ・・・スイ
ッチ Ｌ・・・・インダクタ Ｌｒ１，Ｌｒ２・・・トランスＴ２の１次、２次側漏れ
インダクタンス １・・・交流電源 ２・・・ＥＭＩ
フィルタ回路 ３・・・整流回路 ４・・・昇圧チ
ョッパ回路 ５・・・ブリッジインバータ回路 ６・・・フィル
タ回路 ７・・・高輝度放電ランプ ８・・・始動回
路
チング素子 Ｔ１、Ｔ２・・・トランス Ｄ・・・ダイオ
ード Ｃ１・・・コンデンサ ＳＷ・・・スイ
ッチ Ｌ・・・・インダクタ Ｌｒ１，Ｌｒ２・・・トランスＴ２の１次、２次側漏れ
インダクタンス １・・・交流電源 ２・・・ＥＭＩ
フィルタ回路 ３・・・整流回路 ４・・・昇圧チ
ョッパ回路 ５・・・ブリッジインバータ回路 ６・・・フィル
タ回路 ７・・・高輝度放電ランプ ８・・・始動回
路
Claims (3)
- 【請求項１】 コンデンサと、該コンデンサを充電する
ための充電回路と、前記コンデンサの充電電圧が所定の
値まで上昇すると閉じて前記コンデンサの充電電荷を放
電するスイッチと、前記コンデンサの放電により電流が
流れる１次巻線と高電圧を発生して高輝度放電ランプに
与える２次巻線とを有する昇圧トランスとからなる高輝
度放電ランプ用始動回路において、 前記コンデンサの電荷を前記昇圧トランスの１次巻線へ
放電する閉ループに小さなインダクタンスを有するイン
ダクタを接続することを特徴とする高輝度放電ランプ用
始動回路。 - 【請求項２】 請求項１において、前記インダクタのイ
ンダクタンス値が前記昇圧トランスの２次側漏れインダ
クタンスを１次側に巻数比換算した値に等しいインダク
タンスからその３倍の値までの範囲内に設定されること
を特徴とする高輝度放電ランプ用始動回路。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、前記スイッチ
は火花放電ギャップスイッチであることを特徴とする高
輝度放電ランプ用始動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8274081A JPH10106768A (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | 高輝度放電ランプ用始動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8274081A JPH10106768A (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | 高輝度放電ランプ用始動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10106768A true JPH10106768A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17536722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8274081A Withdrawn JPH10106768A (ja) | 1996-09-25 | 1996-09-25 | 高輝度放電ランプ用始動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10106768A (ja) |
-
1996
- 1996-09-25 JP JP8274081A patent/JPH10106768A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031202 |