JPH10107093A - 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 - Google Patents
半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置Info
- Publication number
- JPH10107093A JPH10107093A JP9100970A JP10097097A JPH10107093A JP H10107093 A JPH10107093 A JP H10107093A JP 9100970 A JP9100970 A JP 9100970A JP 10097097 A JP10097097 A JP 10097097A JP H10107093 A JPH10107093 A JP H10107093A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tape
- adhesive
- semiconductor device
- semiconductor
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
用接着剤付きテープを得、これを使用した半導体装置の
信頼性を向上させる。 【解決手段】可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、
接着剤層および保護フィルム層を有する積層構造テープ
であり、加熱硬化後の該接着剤層が、個々に相が連結さ
れた、少なくとも2つ以上の連続相を含むミクロ相分離
構造を有することを特徴とする半導体装置用接着剤付き
テープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用
基板ならびに半導体装置。
Description
装する際に用いられる、テープオートメーテッドボンデ
ィング(TAB)方式のパターン加工テープ、ボールグ
リッドアレイ(BGA)パッケージ用インターポーザー
等の半導体接続用基板を作成するために適した、半導体
装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層
板、半導体接続用基板ならびに半導体装置に関する。
属製のリードフレームを用いた方式がもっとも多く用い
られているが、近年ではガラスエポキシやポリイミド等
の有機絶縁性フィルム上にIC接続用の導体パターンを
形成した、接続用基板を介した方式が増加している。代
表的なものとして、テープオートメーテッドボンディン
グ(TAB)方式によるテープキャリアパッケージ(T
CP)が挙げられる。
はTAB用接着剤付きテープ(以下TAB用テープと称
する)が使用されるのが一般的である。通常のTAB用
テープは、ポリイミドフィルム等の可撓性を有する有機
絶縁性フィルム上に、未硬化状態の接着剤層および保護
フィルム層として離型性を有するポリエステルフィルム
等を積層した3層構造より構成されている。
びデバイス孔の穿孔、(2) 銅箔との熱ラミネートおよび
接着剤の加熱硬化、(3) パターン形成(レジスト塗布、
エッチング、レジスト除去)、(4) スズまたは金−メッ
キ処理などの加工工程を経て、接続用基板であるTAB
テープ(パターンテープ)に加工される。図1にパター
ンテープの形状を示す。図2に本発明のTCP型半導体
装置の一態様の断面図を示す。パターンテープのインナ
ーリード部6を、半導体集積回路8の金バンプ10に熱
圧着(インナーリードボンディング)し、半導体集積回
路を搭載する。次いで、封止樹脂9による樹脂封止工程
を経て半導体装置が作成される。最後に、TCP型半導
体装置は、他の部品を搭載した回路基板等とアウターリ
ード7を介して接続され、電子機器への実装がなされ
る。
い、半導体パッケージも高密度実装化を目的に、パッケ
ージの裏面に接続端子を配列するBGA(ボールグリッ
ドアレイ)、CSP(チップスケールパッケージ)が用
いられるようになってきた。
ターポーザーと称する接続用基板が必須である。しか
し、ICの接続方法において、従来のTCPでは大半が
TAB方式のギャングボンディングであるのに対し、B
GA、CSPではTAB方式およびワイヤーボンディン
グ方式のいずれかを、個々のパッケージの仕様、用途、
設計方針等により選択している点が異なっている。図3
および図4に本発明の半導体装置(BGA,CSP)の
一態様の断面図を示す。
CPのパターンテープと同様の機能を有するものなの
で、本発明の半導体用接着剤付きテープを使用すること
ができる。インナーリードを有する接続方式に有利であ
ることは当然であるが、半田ボール用の孔やIC用のデ
バイスホールを機械的に打ち抜いた後に銅箔をラミネー
トするプロセスに特に適している。一方、ワイヤーボン
ディングにより接続するため、インナーリードが不要で
あったり、銅箔ごと半田ボール用の孔やIC用のデバイ
スホールを開けるプロセスでは、すでに銅箔を積層し接
着剤を加熱硬化させた銅張り積層板を用いてもよい。
に半導体用接着剤付きテープの接着剤層は、パッケージ
内に残留するため、絶縁性、耐熱性、接着性等の諸特性
を満たすことが要求される。電子機器の小型化、高密度
化が進行するに伴い、半導体接続用基板のパターンピッ
チ(導体幅および導体間幅)が非常に狭くなってきてお
り、高い絶縁信頼性と狭い導体幅における銅箔接着力
(以下、接着力と称する)を有する接着剤の必要性が高
まっている。最近は特に、絶縁信頼性の加速試験とし
て、130℃,85%R.Hの高温高湿あるいは、12
5℃〜150℃の高温で連続した電圧印加状態における
絶縁抵抗の低下速度が重要視されるようになった。
いられてきたTAB用テープの接着剤層は、エポキシ樹
脂および/またはフェノール樹脂とポリアミド樹脂の混
合組成物を主としたものであった(特開平2−1434
47号公報、特開平3−217035号公報等)。
頼性および接着力において、従来の半導体用接着剤付き
テープ(TAB用テープ)は必ずしも十分とはいえな
い。たとえば、高温高湿での連続した電圧印加状態にお
ける絶縁低下が早いため、絶縁信頼性が不足である。特
に、高速動作する集積回路等で発熱量が大きい場合、重
篤な事態をまねく。しかし、接着性と絶縁性とのバラン
スをとることは困難であり、接着性と絶縁性のいずれか
を向上させると、他方が低下し、総合的に必ずしも十分
な特性とはいえない。接着性について言えば、導体幅が
細くなるに従い、接着強度が低下し、ボンディング等の
後工程で導体の剥離を生じ、集積回路および回路基板と
接続できないことがある。これは接着強度の絶対値の不
足と、導体と接着剤の間へのメッキ液の侵入による実効
の接着面積の減少が主な原因である。また、絶縁性およ
び耐熱性はポリアミド樹脂が加熱下で軟化することによ
り低下する。これらの問題点は、基本的に熱可塑性樹脂
と熱硬化性樹脂の複合材料としての接着剤構造の制御が
十分になされていないことに起因している。
た絶縁性を保持しつつ、優れた接着性を同時に達成し得
る半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅
張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置を提
供することを目的とする。
的を達成するために半導体用接着剤付きテープの、接着
剤成分の電子顕微鏡レベルでのミクロ相分離構造と金属
に対する接着性および絶縁性との関係を鋭意検討した結
果、接着剤のミクロ相分離構造を巧みに制御することに
より、接着性および絶縁性に優れた半導体用装置接着剤
付きテープが得られることを見い出し、本発明に至った
ものである。
縁性フィルム上に、接着剤層および保護フィルム層を有
する積層構造テープであり、加熱硬化後の該接着剤層
が、個々に相が連結された、少なくとも2つ以上の連続
相を含むミクロ相分離構造を有することを特徴とする、
半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張
り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置に関す
る。◎
リマーブレンドあるいはブロックおよびグラフト共重合
体において、透過型電子顕微鏡(TEM) 、示差走査熱量計
(DSC) 、光散乱、X線小角散乱、赤外吸収スペクトル(I
R)、等の種々の方法で確認される微細な不均一構造のこ
とであるが、本発明における接着剤層のミクロ相分離構
造とは、特に、超薄切片を金属化合物で染色する方法
で、透過型電子顕微鏡により確認されるものをいう。
少なくとも2つ以上の連続相から構成されるミクロ相分
離構造を有するものである。ここでいう連続相は、各成
分が連結しており、かつ実質的に相互にマトリクス成分
として不定型あるいは層状に混在した状態にあるもので
あれば特に制限されない。たとえば、A相およびB相か
らなる2相系の場合、A相またはB相の一方が棒状ドメ
インを形成し、他方の相中に分散した構造またはA相お
よびB相がラメラ構造をとるもの等が例示される。一
方、球状あるいは不定型の孤立したドメインが、他方の
相のマトリクス中に分散した、いわゆる海島構造のもの
はこれに該当しない。
異なる成分をミクロな連続相として混在させることによ
り、単なる混合物以上の特性が発現されるものと推測さ
れる。
相の平均幅が、いずれも5〜1000nmであることが
好ましく、10〜700nmであればより好ましく、2
0〜500nmであればさらに好ましくい。5nm以下
であれば、接着性、絶縁性等が単なる混合物としての平
均的特性に近づき、1000nm以上であれば、不均一
すぎてそれぞれの成分のいずれかの特性のみが発現され
るので、いずれの場合も好ましくない。
構造を有していれば、それを構成する成分は特に限定さ
れないが、連続層となる各成分の相溶性が重要であり、
相溶性が良好過ぎても、不良でも目的とする構造は得ら
れない。半導体装置用接着剤付きテープの要求特性か
ら、好ましい成分を例示すれば、熱可塑性樹脂および熱
硬化性樹脂をそれぞれ連続相とする系が挙げられる。
えば、下記の方法で測定したヘイズが、連続相を形成す
る成分のいずれの組合せについても、7〜50であるよ
うなものが好適である。7以下では相溶性が良好過ぎ、
50以上では相溶性が不良である。
成分を選択し、それらを等量混合して、12μmの厚み
のサンプルを作成し、JIS−K7105に準拠した方
法で測定する。
に加えて、連続層となる各成分を相溶させる、相溶化効
果を有する物質(いわゆる相溶化剤)を添加するとさら
に好適である。
成分のいずれに対しても相溶することにより効果を発揮
する、非反応型と、連続層となる各成分に対して反応
し、共有結合により相溶化効果を発揮する反応型があ
る。いずれの場合も少量の添加が有効であり、量が多い
とそれ自身が球状のドメインを形成するので、好ましく
ない。
ロックポリマ、グラフトポリマが例示できる。また、反
応型はエポキシ基、イソシアネート基、ビニル基、等の
官能基を2つ以上有する物質が例示できる。特に、反応
型は少量の添加でも効果を発揮させるべく、官能基当量
が小さく、連続相成分の有する官能基との反応速度の速
いものが好ましい。
エステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリウレタ
ン、NBRゴム、アクリル、ポリビニルブチラール、等
公知のものが例示される。銅箔との接着性や絶縁性の点
からポリアミドは特に好ましく、公知の種々のものが使
用できるが、接着剤層に可撓性を持たせ、かつ低吸水率
のため絶縁性にすぐれる、炭素数が36であるジカルボ
ン酸(いわゆるダイマー酸)を含むものが好適である。
ダイマー酸を含むポリアミド樹脂は、常法によるダイマ
ー酸とジアミンの重縮合により得られるが、この際にダ
イマー酸以外のアジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸
等のジカルボン酸を共重合成分として含有してもよい。
ジアミンはエチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ピペラジン、等の公知のものが使用でき、吸湿性、
溶解性の点から2種以上の混合でもよい。
ェノール樹脂、メラミン樹脂、キシレン樹脂、フラン樹
脂、シアン酸エステル樹脂、等公知のものが例示され
る。特に、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂は絶縁性
に優れるので好適である。
ノール、クレゾール、p−t−ブチルフェノール、ノニ
ルフェノール等のアルキル置換フェノール、p−フェニ
ルフェノール、テルペン、ジシクロペンタジエン等の環
状アルキル変性フェノール、ナフタレン、アントラセン
等の骨格を有するものでもよい。
キシ基を有するものであれば特に制限されないが、ビス
フェノールF、ビスフェノールA、ビスフェノールS、
ジヒドロキシナフタレン、ダイマー酸、レゾルシノー
ル、ジシクロペンタジエンジフェノール、ジシクロペン
タジエンジキシレノール、テルペンジフェノール、ビフ
ェニル、等のジグリシジルエーテル、エポキシ化フェノ
ールノボラック、エポキシ化クレゾールノボラック、エ
ポキシ化トリスフェニロールメタン、エポキシ化テトラ
フェニロールエタン、エポキシ化メタキシレンジアミ
ン、等が挙げられる。
ェノール樹脂の硬化剤および硬化促進剤を添加すること
は何等制限されない。たとえば、芳香族ポリアミン、三
フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の三フッ化ホウ素
のアミン錯体、2−アルキル−4−メチルイミダゾー
ル、2−フェニル−4−アルキルイミダゾール等のイミ
ダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸等
の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェニルフォスフィ
ン、ジアザビシクロウンデセン、等公知のものが使用で
きる。添加量はエポキシ樹脂およびフェノール樹脂10
0重量部に対して0.1〜10重量部であると好まし
い。
ない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機
成分を添加することは何ら制限されるものではない。
ムとはポリイミド、ポリエステル、ポリフェニレンスル
フィド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテル
ケトン、アラミド、ポリカーボネート、ポリアリレー
ト、等のプラスチックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラス
クロス等の複合材料からなる厚さ25〜125μmのフ
ィルムであり、これらから選ばれる複数のフィルムを積
層して用いても良い。また必要に応じて、加水分解、コ
ロナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接着コーテ
ィング処理等の表面処理を施すことができる。
熱ラミネートする前に接着剤面からTAB用テープの形
態を損なうことなく剥離できれば特に限定されないが、
たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコーティン
グ処理を施したポリエステルフィルム、ポリオレフィン
フィルム、およびこれらをラミネートした紙が挙げられ
る。
成させるには、具体的には下記の様な方法が例示できる
が、この方法に限定されるものではない。
塑性樹脂から有機溶剤に可溶のポリアミド樹脂、熱硬化
性樹脂からフェノールレゾール樹脂をそれぞれ選択す
る。次に、これらをほぼ同量混合し、さらに適量のエポ
キシ樹脂および硬化促進剤を添加し、溶剤に溶解した後
に絶縁性フィルムに塗布、加熱乾燥して接着剤層を形成
する。
は相互に適度な相溶性を有していることが必要である。
この場合、エポキシ樹脂は、加熱乾燥時の塗膜形成の際
に、ポリアミド樹脂とフェノールレゾール樹脂と反応し
て、これらの反応型相溶化剤として働くものと推測さ
れ、硬化促進剤はこの反応を促進するものである。した
がって、この場合これらは、ポリアミド樹脂とフェノー
ルレゾール樹脂に対し、少量の添加が有効であり、量が
多いとそれ自身が球状のドメインを形成するので、好ま
しくない。好ましい例としては、ポリアミド樹脂の有す
る官能基(カルボキシル基および/またはアミノ基)に
対して、0.5〜5.0倍のエポキシ基が含まれるよう
な添加量が挙げられる。また、エポキシ樹脂もポリアミ
ドとフェノール樹脂の双方に相容する性質を有するよう
に、適宜混合するとさらに好適である。このような例と
して、ポリアミドに相容のよいダイマー酸ジグリシジル
エーテル型エポキシ樹脂と、ポリアミドに相容の悪いナ
フタレン型エポキシ樹脂の組み合わせが挙げられる。
フェノールレゾール樹脂双方に対して良溶剤であると好
ましい。
げると、重量平均分子量20000〜200000、の
ダイマー酸ポリアミド樹脂に対してストレート型および
/またはビスフェノールA型のレゾールフェノール樹脂
の組合せがこれに相当する。エポキシ樹脂および硬化促
進剤はビスフェノールA型エポキシ樹脂および三級アミ
ン等が例示できる。
について説明する。
組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。接着剤
層の膜厚は10〜25μmとなるように塗布することが
好ましい。乾燥条件は、100〜200℃、1〜5分で
ある。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン等の芳香族系とメタノール、エタノ
ール、プロパノール等のアルコール系の混合、あるいは
これらにクロロホルムを添加した系が好適である。この
ようにして得られた接着剤付きフィルムに保護フィルム
をラミネートし、最後に35〜158mm程度の幅にス
リットする。
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実
施例の説明に入る前に評価方法について述べる。
銅箔を、140℃、1kg/cm2 の条件でラミネート
した。続いてエアオーブン中で、80℃、3時間、10
0℃、5時間、150℃、5時間の順次加熱硬化処理を
行ない、銅箔付きの半導体装置用接着剤付きテープを作
成した。◎得られた銅箔付きの半導体装置用接着剤付き
テープの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エ
ッチング、レジスト剥離を行ない、接着強度および絶縁
性の評価用サンプルをそれぞれ作成した。 (2)スズメッキ処理 上記(1)の方法で得られたサンプルを、ホウフッ酸系
の無電解スズメッキ液に70℃、5分浸漬処理し、0.
5μ厚のメッキを施した。 (3)剥離強度 上記(1)および(2)の方法で得た導体幅50μの評
価用サンプルを用いて、導体を90°方向に10mm/
min の速度で剥離し、その際の剥離力を測定した。 (4)高温高湿絶縁信頼性 上記(1)および(2)の方法で得た、図5に示す導体
幅25μ、導体間距離25μのくし型形状の評価用サン
プルを用いて、恒温恒湿槽(タバイエスペック(株)
製、TPC−211D型)中で130℃,85%R.
H,直流100Vの電圧を連続的に印加した状態におい
て、抵抗値が107 Ω以下となる絶縁抵抗低下時間を測
定した。 (5)高温絶縁信頼性 上記(4)と同形状の評価用サンプルを用いて、エアオ
ーブン(ヤマト科学(株)製、ID−21型)中で15
0℃,直流100Vの電圧を連続的に印加した状態にお
いて、抵抗値が109 Ω以下となる絶縁抵抗低下時間を
測定した。 (6)透過型電子顕微鏡観察 サンプルは、80℃4時間、160℃4時間の熱硬化反
応後のパターンテープから接着剤層の超薄切片を作成
後、80℃で、リンタングステン酸(PTA)で染色し
て得た。
(株)製、H−7100FA型)を用い、加速電圧75
kVで行った。連続相の幅は写真から適宜サンプリング
した20箇所を測定した平均値として求めた。 (7)ヘイズ測定 熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂樹脂を重量で1/1に
混合し、両者の共通溶剤で濃度約10重量%となるよう
に溶解した後、キャスティング法により、乾燥後の膜厚
約12μmとなるように製膜する。得られたサンプルを
用いて、JIS−K7105に準拠の方法でヘイズを測
定した。 参考例(ポリアミド樹脂の合成) ダイマー酸/ヘキサメチレンジアミン比を1.1〜0.
9の範囲とし、酸/アミン反応物、消泡剤および1%以
下のリン酸触媒を加え、反応体を調製した。この反応体
を、140℃,1時間撹拌加熱後、205℃まで昇温
し、約1.5時間撹拌した。約2kPaの真空下で、
0.5時間保持し、温度を低下させた。最後に、酸化防
止剤を添加し、重量平均分子量20000、酸価10の
ポリアミド樹脂を取り出した。 実施例1 (1)半導体用接着剤付きテープの作成 参考例で得たポリアミド樹脂45重量%、ビスフェノー
ルA/クレゾール共縮合型フェノールレゾール樹脂(昭
和高分子(株)製、CKS394)27重量%(固形分
として)、p−t−Bu/ストレート共縮合型フェノー
ルレゾール樹脂(昭和高分子(株)製、CKM128
2)10重量%、ストレート型フェノールレゾール樹脂
(住友ベークライト(株)製、PR11078)10重
量%、2,6ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂
(大日本インキ化学(株)製、”エピクロン”HP40
32D、エポキシ当量140)5重量%、ダイマー酸ジ
グリシジルエーテル型エポキシ樹脂(油化シェルエポキ
シ(株)製、”エピコート”871、エポキシ当量42
0)3重量%に対し、硬化促進剤(サンアプロ(株)
製、UCAT SA831)を、他の樹脂成分の総和を
100としたときに0.5となるように配合し、固形分
濃度20重量%となるようにメタノール/モノクロルベ
ンゼン/クロロホルム混合溶媒に30℃で撹拌、混合し
て接着剤溶液を作成した。
のポリイミドフィルム(宇部興産(株)製“ユーピレッ
クス”75S)に約18μmの乾燥厚さとなるように塗
布し、160℃で8分間の乾燥を行ない、接着剤付シー
トを作成した。さらに、保護フィルムとして、厚さ25
μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(東レ
(株)製“ルミラー”)を80℃、0.1MPaの条件
でラミネートして、TAB用接着剤付きテープを作成し
た。
の透過型電子顕微鏡写真を図6に示す。また、図7に、
図6中のA1、B1、C1、D1で囲まれる部分の相分
離構造を明確にするため、図6の写真をトレースし、模
式的に示した。図6において濃く染色されている部分が
ポリアミド樹脂を含有する相で、淡く染色された部分が
フェノール樹脂とエポキシ樹脂からなる成分である。特
性は表1に示した。接着性および絶縁性に優れることが
わかる。
のポリイミドフィルム(東レデュポン(株)製“カプト
ン”100V)に約10μの乾燥厚さとなるように塗布
し、100℃、1分および160℃で5分間の乾燥を行
ない、さらに18μの電解銅箔を、140℃、0.1M
Paの条件でラミネートし、未硬化の銅張り積層板を作
成した。続いてエアオーブン中で、80℃、3時間、1
00℃、5時間、150℃、5時間の順次加熱硬化処理
を行ない、銅張り積層板を得た。 (3)半導体接続用基板の作成 上記の手順で得られた半導体装置用接着剤付きテープを
用いて、前述の評価方法(1)および(2)と同一の方
法で半導体集積回路接続用の導体回路を形成し、図1に
示す半導体接続用基板(パターンテープ)を得た。 (4)半導体装置の作成 上記(3)のパターンテープを用いて、450℃,1分
の条件でインナーリードボンディングを行ない、半導体
集積回路を接続した。しかるのちに、エポキシ系液状封
止剤(北陸塗料(株)製“チップコート”1320−6
17)で樹脂封止を行ない、半導体装置を得た。図2は
得られた半導体装置の断面を示したものである。 実施例2〜3 実施例1と同様の方法で、それぞれ表1に示した原料お
よび組成比で調合した接着剤を用いて半導体装置用接着
剤付きテープを得た。特性を同じく表1に示す。透過型
電子顕微鏡写真および、相分離構造の模式図をそれぞれ
図8,10および図9,11に示す。 比較例 実施例と同一のポリアミド樹脂50重量%、フェノール
ノボラック樹脂(群栄化学(株)製、PSM4324)
40重量%、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シ
ェルエポキシ(株)製、”エピコート”828、エポキ
シ当量186)20重量%に対し、硬化促進剤(サンア
プロ(株)製、UCAT SA831)を、他の樹脂成
分の総和を100としたときに0.5となるように配合
し、実施例と同様にして作成した接着剤を用いてTAB
用接着剤付きテープを得た。
接着剤層の透過型電子顕微鏡写真を図12に、特性を表
1にそれぞれ示す。図12において濃く染色されている
部分がポリアミド樹脂とフェノール樹脂で、相溶性が良
好なため、明確な相分離構造ではない。淡く染色された
部分がエポキシ樹脂からなる成分で、球状ドメイン構造
である。したがって、海島構造を有する接着剤層であ
る。表1に示すように、接着力、特にスズメッキによる
低下が著しく、さらに絶縁性が低い。
体装置用接着剤付きテープは、接着性および絶縁信頼性
に優れることがわかる。
置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層
板、半導体接続用基板ならびに半導体装置をを工業的に
提供するものであり、本発明の半導体装置用接着剤付き
テープによって高密度実装用の半導体装置の信頼性を向
上させることができる。
して得られた、半導体集積回路搭載前のパターンテープ
の一態様の斜視図。
た半導体装置(TCP)の一態様の断面図
た半導体装置(BGA)の一態様の断面図半導体装置の
一態様の断面図。
た半導体装置(CSP)の一態様の断面図半導体装置の
一態様の断面図。
プルの概略図。
トレースした相分離構造の模式図。
トレースした相分離構造の模式図。
真。
をトレースした相分離構造の模式図。
Claims (12)
- 【請求項1】可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、
接着剤層および保護フィルム層を有する積層構造テープ
であり、加熱硬化後の該接着剤層が、個々に相が連結さ
れた、少なくとも2相以上の複数の連続相を含むミクロ
相分離構造を有することを特徴とする半導体装置用接着
剤付きテープ。 - 【請求項2】各連続相の平均幅が、いずれも5〜100
0nmであることを特徴とする請求項1記載の半導体装
置用接着剤付きテープ。 - 【請求項3】複数の連続相のうち少なくとも1相が、1
種以上の熱可塑性樹脂を含有し、かつ、他の連続相のう
ち少なくとも1相が、1種以上の熱硬化性樹脂を含有す
ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置用接着剤
付きテープ。 - 【請求項4】接着剤層が、ポリアミド樹脂を含有するこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体装置用接着剤付き
テープ。 - 【請求項5】接着剤層が、フェノール樹脂を含有するこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体装置用接着剤付き
テープ。 - 【請求項6】接着剤層が、エポキシ樹脂を含有すること
を特徴とする請求項1記載の半導体装置用接着剤付きテ
ープ。 - 【請求項7】ポリアミド樹脂が炭素数36のジカルボン
酸を必須構成成分として含むことを特徴とする請求項1
記載の半導体装置用接着剤付きテープ。 - 【請求項8】請求項1〜7のいずれか記載の半導体装置
用接着剤付きテープを用いた銅張り積層板。 - 【請求項9】請求項1〜7のいずれか記載の半導体装置
用接着剤付きテープを用いた半導体接続用基板。 - 【請求項10】請求項9記載の半導体接続用基板を用い
た半導体装置。 - 【請求項11】請求項8記載の銅張り積層板を用いた半
導体接続用基板。 - 【請求項12】請求項11記載の半導体接続用基板を用
いた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10097097A JP3555381B2 (ja) | 1996-04-02 | 1997-04-02 | 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-106279 | 1996-04-02 | ||
| JP10627996 | 1996-04-02 | ||
| JP10097097A JP3555381B2 (ja) | 1996-04-02 | 1997-04-02 | 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107093A true JPH10107093A (ja) | 1998-04-24 |
| JP3555381B2 JP3555381B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=26441899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10097097A Expired - Lifetime JP3555381B2 (ja) | 1996-04-02 | 1997-04-02 | 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3555381B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002017379A1 (en) * | 2000-08-25 | 2002-02-28 | Toray Industries, Inc. | Semiconductor joining substrate-use tape with adhesive and copper-clad laminate sheet using it |
| WO2006057382A1 (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | 積層熱可塑性樹脂フィルムおよび積層熱可塑性樹脂フィルムロール |
| WO2007138785A1 (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | ハードコートフィルムおよび光学機能性フィルム |
| JP2007320145A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Toyobo Co Ltd | 積層熱可塑性樹脂フィルムおよび積層熱可塑性樹脂フィルムロール |
| JP2008121005A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、接着剤組成物半硬化体、接着フィルム及び積層接着フィルム並びにそれらの製造方法 |
| JP2014181268A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Unitika Ltd | 接着剤組成物及び積層体 |
-
1997
- 1997-04-02 JP JP10097097A patent/JP3555381B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002017379A1 (en) * | 2000-08-25 | 2002-02-28 | Toray Industries, Inc. | Semiconductor joining substrate-use tape with adhesive and copper-clad laminate sheet using it |
| US6982484B2 (en) | 2000-08-25 | 2006-01-03 | Toray Industries, Inc. | Semiconductor joining substrate utilizing a tape with adhesive and copper-clad laminate sheet |
| WO2006057382A1 (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-01 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | 積層熱可塑性樹脂フィルムおよび積層熱可塑性樹脂フィルムロール |
| KR100785249B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2007-12-13 | 도요 보세키 가부시키가이샤 | 적층 열가소성 수지 필름 및 적층 열가소성 수지 필름 롤 |
| US7531238B2 (en) | 2004-11-29 | 2009-05-12 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Laminated thermoplastic resin film and laminated thermoplastic resin film roll |
| WO2007138785A1 (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | ハードコートフィルムおよび光学機能性フィルム |
| JP2007320145A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Toyobo Co Ltd | 積層熱可塑性樹脂フィルムおよび積層熱可塑性樹脂フィルムロール |
| JP2008121005A (ja) * | 2006-10-20 | 2008-05-29 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、接着剤組成物半硬化体、接着フィルム及び積層接着フィルム並びにそれらの製造方法 |
| JP2014181268A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Unitika Ltd | 接着剤組成物及び積層体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3555381B2 (ja) | 2004-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100417776B1 (ko) | 반도체접속기판용접착제시트,접착제가붙어있는tab용테이프,접착제가붙어있는와이어본딩접속용테이프,반도체접속용기판및반도체장치 | |
| JP3555381B2 (ja) | 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 | |
| JPH10335534A (ja) | ワイヤーボンディング接続用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 | |
| JP2006176764A (ja) | 電子機器用接着剤組成物、電子機器用接着剤シート、およびそれを用いた電子部品ならびに電子機器 | |
| JP2001354938A (ja) | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた接着剤シート、半導体接続用基板ならびに半導体装置 | |
| JP3951418B2 (ja) | Tab用接着剤付きテープおよび半導体集積回路接続用基板ならびに半導体装置 | |
| JP2004356368A (ja) | 半導体用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体集積回路接続用基板ならびに半導体装置 | |
| JP3769853B2 (ja) | Tab用接着剤付きテープおよび半導体接続基板並びに半導体装置 | |
| JP3560064B2 (ja) | Tab用接着剤付きテープ | |
| JP2017183376A (ja) | フレキシブル基板、フレキシブル回路基板および支持体レスフレキシブル回路基板の製造方法 | |
| JP3911776B2 (ja) | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いた半導体装置用接着剤シート | |
| JP6229402B2 (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP3407335B2 (ja) | フレキシブルプリント基板用接着剤組成物、これを用いたフレキシブルプリント基板、tab用接着剤付きテープおよびその製造方法 | |
| JPH09237808A (ja) | Tab用接着剤付きテープおよび半導体接続基板並びに半導体装置 | |
| JP3396989B2 (ja) | Tab用接着剤付きテープおよび半導体装置 | |
| JPH11354592A (ja) | Tab用接着剤付きテ―プおよびそれを用いたtabテ―プならびに半導体装置 | |
| JP2005248004A (ja) | 半導体装置用接着剤組成物およびそれを用いたカバーレイフィルム及び接着剤シート並びに銅張りポリイミドフィルム | |
| JP3525448B2 (ja) | Tab用接着剤付きテープ | |
| JP3503392B2 (ja) | Tab用接着剤付きテープおよび半導体接続基板並びに半導体装置 | |
| JPH10275834A (ja) | 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 | |
| JPH11260864A (ja) | Tab用接着剤付きテープおよび半導体集積回路接続用基板ならびに半導体装置 | |
| JP2002050661A (ja) | 半導体装置用接着剤シート及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPH09321094A (ja) | Tab用接着剤付きテープおよび半導体接続基板並びに半導体装置 | |
| JPH06322348A (ja) | フレキシブルプリント基板用接着剤組成物、これを用いたフレキシブルプリント基板およびtab用接着剤付きテープ | |
| JP2004022567A (ja) | 半導体用接着剤シートおよびそれを用いた半導体集積回路接続用基板、半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040420 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040503 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080521 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090521 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090521 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100521 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110521 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120521 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120521 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |