JPH10275834A - 半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】優れた絶縁性を保持しつつ、優れた接着性およ
び反りの防止を同時に達成し得る半導体装置用接着剤付
きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続
用基板ならびに半導体装置を提供する。 【解決手段】有機絶縁性フィルム上に少なくとも接着剤
層を有する積層体より構成された接着剤付きテープであ
って、硬化後の前記接着剤層の軟化温度が６０〜１１０
℃であり、かつ１３０℃８５％ＲＨの環境下で直流１０
０Ｖを印加し放置した場合の接着剤付きテープの絶縁抵
抗低下時間が５０時間以上であることを特徴とする半導
体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅張り積
層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路を実
装する際に用いられる、テープオートメーテッドボンデ
ィング（ＴＡＢ）方式のパターン加工テープ、ボールグ
リッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージ用インターポーザー
等の半導体接続用基板を作成するために適した接着剤付
きテープおよびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続
用基板ならびに半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路（ＩＣ）の実装には、金
属製のリードフレームを用いた方式がもっとも多く用い
られているが、近年ではガラスエポキシやポリイミド等
の有機絶縁性フィルム上にＩＣ接続用の導体パターンを
形成した、接続用基板を介した方式が増加している。代
表的なものとして、テープオートメーテッドボンディン
グ（ＴＡＢ）方式によるテープキャリアパッケージ（Ｔ
ＣＰ）が挙げられる。

【０００３】ＴＣＰの接続用基板（パターンテープ）に
はＴＡＢ用接着剤付きテープ（以下ＴＡＢ用テープと称
する）が使用されるのが一般的である。通常のＴＡＢ用
テープは、ポリイミドフィルム等の可撓性を有する有機
絶縁性フィルム上に、未硬化状態の接着剤層および保護
フィルム層として離型性を有するポリエステルフィルム
等を積層した３層構造より構成されている。

【０００４】ＴＡＢ用テープは、(1) スプロケットおよ
びデバイス孔の穿孔、(2) 銅箔との熱ラミネートおよび
接着剤の加熱硬化、(3) パターン形成（レジスト塗布、
エッチング、レジスト除去）、(4) スズまたは金−メッ
キ処理などの加工工程を経て、接続用基板であるＴＡＢ
テープ（パターンテープ）に加工される。図２にパター
ンテープの形状を示す。図３に本発明のＴＣＰ型半導体
装置の一態様の断面図を示す。パターンテープのインナ
ーリード部６を、半導体集積回路８の金バンプ１０に熱
圧着（インナーリードボンディング）し、半導体集積回
路を搭載する。次いで、封止樹脂９による樹脂封止工程
を経て半導体装置が作成される。最後に、ＴＣＰ型半導
体装置は、他の部品を搭載した回路基板等とアウターリ
ード７を介して接続され、電子機器への実装がなされ
る。

【０００５】一方、近年の電子機器の小型・軽量化に伴
い、半導体パッケージも高密度実装化を目的に、パッケ
ージの裏面に接続端子を配列するＢＧＡ（ボールグリッ
ドアレイ）、ＣＳＰ（チップスケールパッケージ）が用
いられるようになってきた。ＢＧＡ、ＣＳＰではＴＣＰ
と同様に、インターポーザーと称する接続用基板が必須
である。しかし、ＩＣの接続方法において、従来のＴＣ
Ｐでは大半がＴＡＢ方式のギャングボンディングである
のに対し、ＢＧＡ、ＣＳＰではＴＡＢ方式およびワイヤ
ーボンディング方式のいずれかを、個々のパッケージの
仕様、用途、設計方針等により選択している点が異なっ
ている。図３および図４に本発明の半導体装置（ＢＧ
Ａ，ＣＳＰ）の一態様の断面図を示す。

【０００６】ここでいうインターポーザーは、前述のＴ
ＣＰのパターンテープと同様の機能を有するものなの
で、ＴＡＢ用接着剤付きテープを使用することができ
る。インナーリードを有する接続方式に有利であること
は当然であるが、半田ボール用の孔やＩＣ用のデバイス
ホールを機械的に打ち抜いた後に銅箔をラミネートする
プロセスに特に適している。一方、ワイヤーボンディン
グにより接続するため、インナーリードが不要であった
り、銅箔ごと半田ボール用の孔やＩＣ用のデバイスホー
ルを開けるプロセスでは、すでに銅箔を積層し接着剤を
加熱硬化させた銅張り積層板を用いてもよい。

【０００７】上記のパッケージ形態ではいずれも最終的
に半導体装置用接着剤付きテープの接着剤層は、パッケ
ージ内に残留するため、絶縁性、耐熱性、接着性等の諸
特性を満たすことが要求される。電子機器の小型化、高
密度化が進行するに伴い、半導体接続用基板のパターン
ピッチ（導体幅および導体間幅）が非常に狭くなってき
ており、高い絶縁信頼性と狭い導体幅における銅箔接着
力（以下、接着力と称する）を有する接着剤の必要性が
高まっている。最近は特に、絶縁信頼性の加速試験とし
て、１３０℃，８５％ＲＨの高温高湿あるいは、１２５
℃〜１５０℃の高温で連続した電圧印加状態における絶
縁抵抗の低下速度が重要視されるようになった。

【０００８】従来、半導体装置用接着剤付きテープとし
て用いられてきたＴＡＢ用テープの接着剤層は、エポキ
シ樹脂および／またはフェノール樹脂とポリアミド樹脂
の混合組成物を主としたものであった（特開平２−１４
３４４７号公報、特開平３−２１７０３５号公報等）。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の絶縁信
頼性および接着力において、従来の半導体装置用接着剤
付きテープ（ＴＡＢ用テープ）は必ずしも十分とはいえ
ない。たとえば、高温高湿での連続した電圧印加状態に
おける絶縁低下が早いため、絶縁信頼性が不足である。
特に、高速動作する集積回路等で発熱量が大きい場合、
重篤な事態をまねく。また、絶縁信頼性を向上させる
と、接着性の低下や反りの発生が避けられなかった。つ
まり、優れた絶縁性と優れた接着性および反りの防止は
同時に達成不可能であった。

【００１０】本発明はこのような問題点を解決し、優れ
た絶縁耐久性を保持しつつ、優れた接着性および反りの
防止を同時に達成し得る半導体装置用接着剤付きテープ
およびそれを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板な
らびに半導体装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために半導体装置用接着剤付きテープの接
着剤成分の化学構造と金属に対する接着性および絶縁性
との関係を鋭意検討した結果、硬化後の接着剤層が限ら
れた範囲の硬化温度を示しかつ特定条件下での絶縁抵抗
低下が一定の条件を満たした場合に、絶縁信頼性を保持
しつつ接着力に優れかつ反りの改善された半導体装置用
接着剤付きテープが得られることを見い出し、本発明に
至ったものである。

【００１２】すなわち、本発明は、有機絶縁性フィルム
上に少なくとも接着剤層を有する積層体より構成された
接着剤付きテープであって、硬化後の前記接着剤層の軟
化温度が６０〜１１０℃であり、かつ１３０℃８５％Ｒ
Ｈの環境下で直流１００Ｖを印加し放置した場合の接着
剤付きテープの絶縁抵抗低下時間が５０時間以上である
ことを特徴とする半導体装置用接着剤付きテープおよび
それを用いた銅張り積層板、半導体接続用基板ならびに
半導体装置である。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の半導体装置用接着剤付き
テープに用いられる接着剤層は通常未硬化状態で供さ
れ、銅箔ラミネート後に加熱、加圧、電場、磁場、紫外
線、放射線、超音波等から選ばれる少なくとも１種以上
のエネルギー印加により硬化、架橋可能なものであり、
硬化後の該接着剤層の軟化温度が、６０〜１１０℃であ
り、かつ１３０℃、８５％ＲＨの環境下で、直流１００
Ｖ印加し、放置した場合の絶縁抵抗低下時間が５０時間
以上であることを必須とするが、その他の特性および化
学構造は特に限定されない。

【００１４】ここでいう軟化温度は、動的粘弾性測定に
より求めたｔａｎδ（ｔａｎδ＝損失弾性率Ｅ''／貯蔵
弾性率Ｅ’）のピーク温度で定義したものである。好ま
しい測定条件を実施例の評価方法（４）に示す。軟化温
度は高温での寸法精度と相関があると考えられ、６０〜
１１０℃であることが必要であり、好ましくは７０〜９
０℃である。６０℃より低いと柔らかすぎて導体の位置
精度および絶縁性が低いので好ましくない。また、１１
０℃を越えると高温での銅箔あるいは絶縁性基材フィル
ムとの熱膨張係数差を吸収できず、反りを生じ、寸法精
度を低下させるので好ましくない。

【００１５】絶縁抵抗値および絶縁抵抗低下時間は、促
進評価条件におけるものであり、実施例の評価方法
（５）および（６）の条件で測定されたものをいう。絶
縁抵抗値は、好ましくは５×１０⁸Ω、さらに好ましく
は１×１０⁹Ω以上である。５×１０⁸Ωより低い場合、
本発明の半導体装置の絶縁耐久性が低下するので好まし
くない。

【００１６】本発明において絶縁抵抗低下時間とは、上
記の絶縁抵抗値の測定を連続的に行った場合に、絶縁抵
抗値が基準値以上に低下するのに要する時間で定義す
る。１３０℃、８５％ＲＨの環境下で直流１００Ｖ印加
の場合は、基準値は１０⁷ Ω、１５０℃の環境下で直流
１００Ｖ印加の場合は、基準値は１０⁹ Ωである。１３
０℃、８５％ＲＨの環境下で直流１００Ｖ印加の場合
は、絶縁抵抗低下時間は、５０時間以上であることが必
要である。より好ましくは１００時間以上、さらに好ま
しくは３００時間以上である。５０時間より短い場合、
本発明の半導体装置の絶縁耐久性が低下するので好まし
くない。また、１３０℃、８５％ＲＨの環境下で直流１
００Ｖ印加の場合は、絶縁抵抗低下時間は、５０時間以
上であることが好ましく、より好ましくは１００時間以
上、さらに好ましくは３００時間以上である。

【００１７】従来、軟化温度あるいはガラス転移温度が
絶縁性の測定条件温度より低いと接着剤中のイオンの移
動が著しいため、絶縁抵抗値が低く、絶縁抵抗低下時間
も短いとする考えが一般的であった。しかし、本発明の
接着剤層は、軟化温度が絶縁性の測定温度より低いにも
かかわらず、絶縁抵抗値が高く、絶縁抵抗低下時間が長
いことが特異な点である。機構は不明であるが、軟化温
度が低く、柔軟ではあるが、イオンの移動が阻害される
構造を有するものと考える。

【００１８】また、接着剤層は、加熱硬化後に、２５℃
における単位面積あたりの破壊エネルギー（以下、破壊
エネルギーと称する。）が、５×１０⁵ Ｎｍ^-1以上であ
ることが好ましく、さらに好ましくは、８×１０⁵ Ｎｍ
^-1以上である。破壊エネルギーは、接着剤層の凝集破壊
モードにおいて、接着力と相関があると考えられる。破
壊エネルギーは、引っ張り強度試験において、応力−ひ
ずみ曲線の下部の面積で求められる。破壊エネルギーが
５×１０⁵ Ｎｍ^-1 より低いと、接着力が低下するので
好ましくない。

【００１９】本発明の接着剤層は、熱可塑性樹脂（Ａ）
を含有させることが好ましい。熱可塑性樹脂は軟化温度
を制御するのに有効であり、接着力、可撓性、熱応力の
緩和、低吸水性による絶縁性の向上等の機能を有する。
熱可塑性樹脂の添加量は接着剤層の、好ましくは３０〜
６０重量％、さらに好ましくは３５〜５５重量％であ
る。

【００２０】熱可塑性樹脂としては、アクリロニトリル
−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、アクリロニトリル−
ブタジエンゴム−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、スチレン−
ブタジエン−エチレン樹脂（ＳＥＢＳ）、アクリル、ポ
リビニルブチラール、ポリアミド、ポリエステル、ポリ
イミド、ポリアミドイミド、ポリウレタン等公知のもの
が例示される。また、これらの熱可塑性樹脂は後述のフ
ェノール樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂との反応
が可能な官能基を有していてもよい。具体的には、アミ
ノ基、カルボキシル基、エポキシ基、水酸基、メチロー
ル基、イソシアネート基、ビニル基、シラノール基等で
ある。これらの官能基により熱硬化性樹脂との結合が強
固になり、耐熱性が向上するので好ましい。熱可塑性樹
脂として銅箔との接着性、可撓性、絶縁性の点からポリ
アミド樹脂（ａ）が好ましく、種々のものが使用でき
る。特に、接着剤層に可撓性を持たせ、かつ低吸水率の
ため絶縁性にすぐれる、炭素数が３６であるジカルボン
酸（いわゆるダイマー酸）を必須成分として含むポリア
ミド樹脂（ａ’）が好適である。さらにポリアミド樹脂
（ａ’）でありかつアミン価が１以上３未満であるもの
が好ましく用いられる。ダイマー酸を含むポリアミド樹
脂は、常法によるダイマー酸とジアミンの重縮合により
得られるが、この際にダイマー酸以外のアジピン酸、ア
ゼライン酸、セバシン酸等のジカルボン酸を共重合成分
として含有してもよい。ジアミンはエチレンジアミン、
ヘキサメチレンジアミン、ピペラジン等の公知のものが
使用でき、吸湿性、溶解性の点から２種以上の混合でも
よい。

【００２１】本発明において、接着剤層にフェノール樹
脂を添加することにより、一層絶縁信頼性、耐薬品性、
接着剤層の強度を向上させることができる。

【００２２】フェノール樹脂（Ｂ）としては、ノボラッ
ク型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂（Ｄ）
等の公知のフェノール樹脂がいずれも使用できる。たと
えば、フェノール、クレゾール、ｐ−ｔ−ブチルフェノ
ール、ノニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール等の
アルキル置換フェノール、テルペン、ジシクロペンタジ
エン等の環状アルキル変性フェノール、ニトロ基、ハロ
ゲン基、シアノ基、アミノ基等のヘテロ原子を含む官能
基を有するもの、ナフタレン、アントラセン等の骨格を
有するもの、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビ
スフェノールＳ、レゾルシノール、ピロガロール等の多
官能性フェノールからなる樹脂が挙げられる。中でも、
レゾール型フェノール樹脂（Ｄ）は絶縁抵抗低下時間が
向上させる効果があるのでより好適である。特に、レゾ
ール型フェノール樹脂（Ｄ）の構成成分として、下記
（ｂ１）および（ｂ２）をそれぞれ含有すると、軟化温
度の低下による接着力と絶縁性のバランスを得るのに極
めて有効であり、好ましい。

【００２３】（ｂ１）好ましくは炭素数５〜１２、さら
に好ましくは７〜１０のアルキル基を少なくとも１個以
上有する２官能性以上のフェノール誘導体 （ｂ２）３官能性以上のフェノール誘導体。

【００２４】ここでいう官能性とは、レゾールフェノー
ル樹脂が付加縮合反応をして自己架橋する際のメチロー
ル基とフェノール核の結合可能な部位（オルトおよびパ
ラ位）の数の総和をいう。たとえば、オルトクレゾール
は２官能、メタクレゾールは３官能である。

【００２５】（ｂ１）は、フェノール樹脂の可撓性を改
善する成分であり、Ｃ₅〜Ｃ₁₂の飽和または不飽和アル
キル基を有する１〜１０核体のフェノール誘導体がいず
れも使用できる。中でも飽和アルキルフェノールは化学
的に安定であり好ましく、特に、オクチルフェノール、
ノニルフェノール、デシルフェノールは硬化後の絶縁性
と可撓性のバランスがよく、さらに好ましい。

【００２６】（ｂ２）は（ｂ１）の架橋の不足を補う成
分であり、付加縮合により３次元架橋する機能があれば
特に限定されないが、（ｂ１）の成分との相容性や加工
の際の溶剤への溶解性等を考慮すると、フェノール、メ
タクレゾール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等
が例示される。このような組み合わせは、（ｂ１）およ
び（ｂ２）のフェノール誘導体を、それぞれレゾール樹
脂化した後に混合しても、当初からフェノール誘導体混
合物をレゾール樹脂化しても、いずれでもよい。

【００２７】また、上記（ｂ１）および（ｂ２）のフェ
ノール誘導体の比量率は、重比でｂ１／（ｂ１＋ｂ２）
＝０．２〜０．８であることが好ましく、かつ好ましく
は（ｂ１）／（ｂ２）＝０．０５〜６．０、さらに好ま
しくは（ｂ１）／（ｂ２）＝０．２〜４．０である。

【００２８】フェノール樹脂の添加量は接着剤層の好ま
しくは３５重量％を越え、６０重量％未満、さらに好ま
しくは４０〜５０重量％で、熱可塑性樹脂１００重量部
に対して６０〜２００重量部である。３５重量％以下で
は絶縁性が低下するので好ましくなく、６０重量％以上
では接着力が低下するので、いずれも好ましくない。特
に、接着剤層がレゾール型フェノール樹脂（Ｄ）を、３
５重量％を越え６０重量％以下含有することが好まし
い。

【００２９】本発明の接着剤層に公知のエポキシ樹脂を
添加すると、接着力の向上が計れるので好ましい。エポ
キシ樹脂は１分子内に２個以上のエポキシ基を有するも
のであれば特に制限されないが、ビスフェノールＦ、ビ
スフェノールＡ、ビスフェノールＳ、ジヒドロキシナフ
タレン、ジシクロペンタジエンジフェノール、ジシクロ
ペンタジエンジキシレノール等のジグリシジルエーテ
ル、エポキシ化フェノールノボラック、エポキシ化クレ
ゾールノボラック、エポキシ化トリスフェニロールメタ
ン、エポキシ化テトラフェニロールエタン、エポキシ化
メタキシレンジアミン、脂環式エポキシ等が挙げられ
る。

【００３０】エポキシ樹脂の添加量は接着剤層の好まし
くは２〜２０重量％、さらに好ましくは４〜１５重量％
で、熱可塑性樹脂１００重量部に対して３〜７０重量部
である。

【００３１】本発明の接着剤層にエポキシ樹脂およびフ
ェノール樹脂の硬化剤および硬化促進剤を添加すること
は何等制限されない。たとえば、芳香族ポリアミン、三
フッ化ホウ素トリエチルアミン錯体等の三フッ化ホウ素
のアミン錯体、２−アルキル−４−メチルイミダゾー
ル、２−フェニル−４−アルキルイミダゾール等のイミ
ダゾール誘導体、無水フタル酸、無水トリメリット酸等
の有機酸、ジシアンジアミド、トリフェニルフォスフィ
ン、ジアザビシクロウンデセン等公知のものが使用でき
る。添加量は接着剤層１００重量部に対して０．１〜１
０重量部であると好ましい。

【００３２】以上の成分以外に、接着剤の特性を損なわ
ない範囲で酸化防止剤、イオン捕捉剤などの有機、無機
成分を添加することは何ら制限されるものではない。

【００３３】本発明でいう有機絶縁性フィルムとはポリ
イミド、ポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポ
リエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ア
ラミド、ポリカーボネート、ポリアリレート等のプラス
チックあるいはエポキシ樹脂含浸ガラスクロス等の複合
材料からなる厚さ２５〜１２５μのフィルムであり、こ
れらから選ばれる複数のフィルムを積層して用いても良
い。好ましくは可撓性を有する。ポリイミドからなるフ
ィルムが好ましく使用できる。また必要に応じて、加水
分解、コロナ放電、低温プラズマ、物理的粗面化、易接
着コーティング処理等の表面処理をその片面または両面
に施すことができる。

【００３４】本発明では、好ましくは保護フィルム層を
設ける。ここでいう保護フィルム層とは、銅箔を熱ラミ
ネートする前に接着剤面から半導体装置用接着剤付きテ
ープの形態を損なうことなく剥離できれば特に限定され
ないが、たとえばシリコーンあるいはフッ素化合物のコ
ーティング処理を施したポリエステルフィルム、ポリオ
レフィンフィルム、およびこれらをラミネートした紙が
挙げられる。

【００３５】次に半導体装置用接着剤付きテープの製造
方法について説明する。

【００３６】可撓性を有する絶縁性フィルムに、上記接
着剤組成物を溶剤に溶解した塗料を塗布、乾燥する。接
着剤層の膜厚は５〜２５μとなるように塗布することが
好ましい。乾燥条件は、１００〜２００℃、１〜５分で
ある。溶剤は特に限定されないが、トルエン、キシレ
ン、クロルベンゼン等の芳香族系とメタノール、エタノ
ール、プロパノール等のアルコール系の混合が好適であ
る。このようにして得られたフィルムに保護フィルムを
ラミネートし、最後に３５〜１５８ｍｍ程度にスリット
する。また、保護フィルムに上記接着剤組成物を塗布、
乾燥し、任意の幅にスリットした後に絶縁性フィルムと
ラミネートする方法でもよく、接着剤層と絶縁性フィル
ムの幅を異なるようにする場合に好適である。

【００３７】かくして得られた半導体装置用接着剤付き
テープを用いて、銅貼り積層板あるいは半導体接続用基
板が製造できる。さらにこれらの銅貼り積層板あるいは
半導体接続用基板を用いて半導体装置が製造できる。

【００３８】

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実
施例の説明に入る前に評価方法について述べる。

【００３９】評価方法 （１）評価用サンプル作成方法 半導体装置用接着剤付きテープサンプルに１８μの電解
銅箔を、１４０℃、１ｋｇ／ｃｍ²の条件でラミネート
した。続いてエアオーブン中で、８０℃、３時間、１０
０℃、５時間、１５０℃、５時間の順次加熱硬化処理を
行ない、銅箔付きの半導体装置用接着剤付きテープを作
成した。得られた銅箔付きの半導体装置用接着剤付きテ
ープの銅箔面に常法によりフォトレジスト膜形成、エッ
チング、レジスト剥離を行ない、接着強度および絶縁性
の評価用サンプルをそれぞれ作成した。

【００４０】（２）スズメッキ処理 上記（１）の方法で得られたサンプルを、ホウフッ酸系
の無電解スズメッキ液に７０℃、５分浸漬処理し、０．
５μ厚のメッキを施した。

【００４１】（３）剥離強度 上記（１）および（２）の方法で得た導体幅５０μの評
価用サンプルを用いて、導体を９０°方向に１０ｍｍ／
min の速度で剥離し、その際の剥離力を測定した。

【００４２】（４）動的粘弾性測定 接着剤層の組成物をコーティングして得た、約２０μｍ
の接着剤シートを５〜８枚積層し、約１００〜１５０μ
ｍの厚みとした後、上記（１）と同様の条件で加熱硬化
処理して、サンプルを作成した。これを用いて、引張モ
ードの動的粘弾性測定装置（ＲＨＥＯＶＩＢＲＯＮ−Ｄ
ＤＶ−２５ＦＰ型、（株）オリエンテック製）にて周波
数１１Ｈｚ、昇温速度３℃ ｍｉｎ^-1 の条件で貯蔵弾
性率、損失弾性率、ｔａｎδをそれぞれ測定した。

【００４３】（５）高温高湿絶縁信頼性 上記（１）および（２）の方法で得た、図６に示す導体
幅２５μ、導体間距離２５μのくし型形状の評価用サン
プルを用いて、恒温恒湿槽（タバイエスペック（株）
製、ＴＰＣ−２１１Ｄ型）中で１３０℃，８５％ＲＨ，
直流１００Ｖの電圧を連続的に印加した状態において、
抵抗値が１０⁷ Ω以下となる絶縁抵抗低下時間を測定し
た。

【００４４】（６）高温絶縁信頼性 上記（５）と同形状の評価用サンプルを用いて、エアオ
ーブン（ヤマト科学（株）製、ＩＤー２１型）中で１５
０℃，直流１００Ｖの電圧を連続的に印加した状態にお
いて、抵抗値が１０⁹ Ω以下となる絶縁抵抗低下時間を
測定した。

【００４５】（７）破壊エネルギー測定 （４）と同様にして作成した、１５０℃、２時間のポス
トキュア後の厚み約１００μｍのサンプルを、引張試験
器（ＵＣＴ−１００型、（株）オリエンテック製）に
て、５０ｍｍ／min の速度で引張試験を行い、破断に至
るまでの応力−ひずみ曲線を記録し、その曲線下の面積
から破壊エネルギーを求めた。

【００４６】（８）寸法精度（硬化時の反り）評価 ７５μｍ厚の基材ポリイミドフィルムに１２μｍ厚の接
着剤層を有する、ＴＡＢ用テープサンプルを、３５ｍｍ
×６ｍｍに切り出し、カバーフィルムを取り除き、
（１）と同一条件でポストキュアした。接着剤を内側に
してカールするので、これを平板上にアーチ状になるよ
うに置いて、平板からの最大高さをマイクロメータで測
定した。

【００４７】参考例（ポリアミド樹脂の合成） 酸成分として、ダイマー酸（ＰＲＩＰＯＬ１００９、ユ
ニケマ社製）、アミン成分としてヘキサメチレンジアミ
ン（和光純薬（株）製）を用い、酸／アミン比を１．１
〜０．９の範囲で変えて、酸／アミン反応物、消泡剤お
よび１％以下のリン酸触媒を加え、ポリアミド反応体を
調製した。このポリアミド反応体を、１４０℃，１時間
撹拌加熱後、２０５℃まで昇温し、約１．５時間撹拌し
た。約１５ｍｍＨｇの真空下で、０．５時間保持し、温
度を低下させた。最後に、酸化防止剤を添加し、アミン
価２．５のポリアミド樹脂を取り出した。

【００４８】実施例１ （１）半導体装置用接着剤付きテープの作成 参考例１で得たポリアミド樹脂（アミン価２．５）、エ
ポキシ樹脂（大日本インキ化学（株）製、“エピクロ
ン”ＨＰ４０３２、エポキシ当量１５０）、ノニルフェ
ノール型レゾールフェノール樹脂（昭和高分子（株）
製、ＣＲＭ０８０３）、ストレート型フェノールレゾー
ル樹脂（住友デュレズ（株）製、ＰＲ５００８７）、ｐ
−ｔ−Ｂｕ／ビスフェノールＡ混合型（ｐ−ｔ−Ｂｕ／
ビスフェノールＡ＝８／２）フェノールレゾール樹脂
（昭和高分子（株）製、ＣＫＭ９３５）、ＤＢＵをそれ
ぞれ表２の組成比となるように配合し、濃度２０重量％
となるようにメタノール／モノクロルベンゼン混合溶媒
に３０℃で撹拌、混合して接着剤溶液を作成した。この
接着剤をバーコータで、保護フィルムである厚さ２５μ
のポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ（株）
製”ルミラー”）に約１２μの乾燥厚さとなるように塗
布し，１００℃、１分および１６０℃で５分間の乾燥を
行ない、接着剤シートを作成した。さらに、得られた接
着剤シートを有機絶縁フィルムである厚さ７５μのポリ
イミドフィルム（宇部興産（株）製“ユーピレックス”
７５Ｓ）に１２０℃、１ｋｇ／ｃｍ²の条件でラミネー
トして半導体装置用接着剤付きテープを作成した。特性
を表１に示す。また、図６にｔａｎδの温度依存性の測
定結果を、図７に１３０℃，８５％ＲＨ，直流１００Ｖ
の条件下での絶縁抵抗測定結果をそれぞれ示す。 （２）銅張り積層板の作成 上記の接着剤溶液を有機絶縁フィルムである厚さ２５μ
のポリイミドフィルム（東レデュポン（株）製“カプト
ン”１００Ｖ）に約１０μの乾燥厚さとなるように塗布
し、１００℃、１分および１６０℃で５分間の乾燥を行
ない、さらに１８μの電解銅箔を、１４０℃、０．１Ｍ
Ｐａの条件でラミネートし、未硬化の銅張り積層板を作
成した。続いてエアオーブン中で、８０℃、３時間、１
００℃、５時間、１５０℃、５時間の順次加熱硬化処理
を行ない、銅張り積層板を得た。

【００４９】（３）半導体接続用基板の作成 上記の手順で得られた半導体装置用接着剤付きテープを
用いて、前述の評価方法（１）および（２）と同一の方
法で半導体集積回路接続用の導体回路を形成し、図２に
示す半導体接続用基板（パターンテープ）を得た。

【００５０】（４）半導体装置の作成 上記（３）のパターンテープを用いて、４５０℃，１分
の条件でインナーリードボンディングを行ない、半導体
集積回路を接続した。しかるのちに、エポキシ系液状封
止剤（北陸塗料（株）製“チップコート”１３２０−６
１７）で樹脂封止を行ない、半導体装置を得た。図３は
得られた半導体装置の断面を示したものである。

【００５１】実施例２〜３、および比較例１〜３ 実施例１と同様の方法で、それぞれ表１に示した原料お
よび組成比で調合した接着剤を用いて半導体装置用接着
剤付きテープを得た。特性を同じく表１に示す。また、
比較例１および２のｔａｎδの測定結果を図６に、比較
例１の絶縁耐久性結果を図７に示す。

【００５２】

【表１】

【００５３】表１の実施例および比較例から本発明によ
り得られる半導体装置用接着剤付きテープは、絶縁信頼
性に優れるものであるにも拘わらず、接着力および反り
がすぐれていることがわかる。

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、優れた絶縁性を保持し
つつ、優れた接着性および反りの防止を同時に達成し得
る半導体装置用接着剤付きテープおよびそれを用いた銅
張り積層板、半導体接続用基板ならびに半導体装置を提
供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の半導体装置用接着剤付きテープを加
工して得られた、半導体集積回路搭載前の半導体接続用
基板（パターンテープ）の一態様の斜視図。

【図２】 本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用
いた半導体装置（ＴＣＰ）の一態様の断面図。

【図３】 本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用
いた半導体装置（ＢＧＡ）の一態様の断面図。

【図４】 本発明の半導体装置用接着剤付きテープを用
いた半導体装置（ＣＳＰ）の一態様の断面図。

【図５】 絶縁抵抗測定用のくし型形状の評価用サン
プルの図。

【図６】 本発明の半導体装置用接着剤付きテープの接
着剤層の硬化後のｔａｎδの測定結果の図。

【図７】 本発明の半導体装置用接着剤付きテープの接
着剤層の硬化後の絶縁耐久性の測定結果の図。

【符号の説明】

１，１８ 可撓性を有する絶縁性フィルム ２，１２，１７ 接着剤 ３ スプロケット孔 ４ デバイス孔 ５ 半導体集積回路接続用の導体 ６ インナーリード部 ７ アウターリード部 ８ 半導体集積回路 ９ 封止樹脂 １０ 金バンプ １１ 保護膜 １３ 補強板 １４ ハンダボール １９ 補強板 １５ ソルダーレジスト １６ 絶縁抵抗測定用パターンの導体部分

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】有機絶縁性フィルム上に、少なくとも接着
   剤層を有する積層体より構成された接着剤付きテープで
   あって、硬化後の前記接着剤層の軟化温度が６０〜１１
   ０℃であり、かつ１３０℃８５％ＲＨの環境下で直流１
   ００Ｖを印加し放置した場合の接着剤付きテープの絶縁
   抵抗低下時間が５０時間以上であることを特徴とする半
   導体装置用接着剤付きテープ。
2. 【請求項２】１５０℃の環境下で直流１００Ｖを印加し
   放置した場合の接着剤付きテープの絶縁抵抗低下時間が
   ５０時間以上であることを特徴とする請求項１記載の半
   導体装置用接着剤付きテープ。
3. 【請求項３】接着剤層の加熱硬化後の２５℃における破
   壊エネルギーが５×１０⁶Ｎｍ^-1以上であることを特徴
   とする請求項１記載の半導体装置用接着剤付きテープ。
4. 【請求項４】接着剤層が熱可塑性樹脂（Ａ）を含有する
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置用接着剤付
   きテープ。
5. 【請求項５】接着剤層がフェノール樹脂（Ｂ）を含有す
   ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用接着剤
   付きテープ。
6. 【請求項６】接着剤層がエポキシ樹脂（Ｃ）を含有する
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置用接着剤付
   きテープ。
7. 【請求項７】接着剤層がレゾール型フェノール樹脂
   （Ｄ）を、３５重量％を越え６０重量％以下含有するこ
   とを特徴とする請求項１記載の半導体装置用接着剤付き
   テープ。
8. 【請求項８】熱可塑性樹脂（Ａ）がポリアミド樹脂
   （ａ）であることを特徴とする請求項４記載の半導体装
   置用接着剤付きテープ。
9. 【請求項９】ポリアミド樹脂（ａ）が炭素数３６のジカ
   ルボン酸を必須成分として含むポリアミド樹脂（ａ’）
   であることを特徴とする請求項７記載の半導体装置用接
   着剤付きテープ。
10. 【請求項１０】ポリアミド樹脂（ａ）が、炭素数３６の
    ジカルボン酸を必須成分として含むポリアミド樹脂
    （ａ’）であり、かつアミン価が１以上３未満である請
    求項８記載の半導体装置用接着剤付きテープ。
11. 【請求項１１】レゾール型フェノール樹脂（Ｄ）が、炭
    素数５〜１２のアルキル基を少なくとも１個以上有する
    ２官能性フェノール誘導体（ｂ１）および３官能性以上
    のフェノール誘導体（ｂ２）をそれぞれ必須成分とし、
    かつ、重量比でｂ１／（ｂ１＋ｂ２）＝０．２〜０．８
    であることを特徴とする請求項７記載の半導体装置用接
    着剤付きテープ。
12. 【請求項１２】請求項１〜１１のいずれか記載の半導体
    装置用接着剤付きテープを用いた銅張り積層板。
13. 【請求項１３】請求項１〜１１のいずれか記載の半導体
    装置用接着剤付きテープを用いた半導体接続用基板。
14. 【請求項１４】請求項１３記載の半導体接続用基板を用
    いた半導体装置。
15. 【請求項１５】請求項１２記載の銅張り積層板を用いた
    半導体接続用基板。
16. 【請求項１６】請求項１５記載の半導体接続用基板を用
    いた半導体装置。