JPH10107176A - 電子部品と基板との接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造及び接続方法におけるはんだバンプ形成法 - Google Patents
電子部品と基板との接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造及び接続方法におけるはんだバンプ形成法Info
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- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1216—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by screen printing or stencil printing
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- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子部品が湾曲していても電子部品の配線パ
ッドと基板の配線パターンとがはんだを介して個々に電
気的に完全に接続されていて接続不良が無いこと。 【解決手段】 はんだ16の供給において、配線パッド
2と配線パターン10とが個々に完全に接続するよう
に、BGA8及び又は基板9の湾曲度と、配線パッド2
及び又は配線パターン10の加熱溶融時のはんだ16の
濡れ面積と、ほぼ比例した量のはんだ16を供給する。
この結果、BGA8の配線パッド2と基板9の配線パタ
ーン10とがはんだ16を介して個々に電気的に完全に
接続されていて接続不良が無い。
ッドと基板の配線パターンとがはんだを介して個々に電
気的に完全に接続されていて接続不良が無いこと。 【解決手段】 はんだ16の供給において、配線パッド
2と配線パターン10とが個々に完全に接続するよう
に、BGA8及び又は基板9の湾曲度と、配線パッド2
及び又は配線パターン10の加熱溶融時のはんだ16の
濡れ面積と、ほぼ比例した量のはんだ16を供給する。
この結果、BGA8の配線パッド2と基板9の配線パタ
ーン10とがはんだ16を介して個々に電気的に完全に
接続されていて接続不良が無い。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品と基板と
の接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造及び
接続方法におけるはんだバンプ形成法に係り、特に、電
子部品(BGA(Ball Grid Array)やCSP(Chip Si
ze Package)などのパッケ−ジ形態の表面実装型電子部
品)の配線パッドと基板(電子部品を搭載するプリント
配線基板など)の配線パターンとがはんだを介して個々
に電気的に完全に接続されていて接続不良が無い電子部
品と基板との接続構造及びその接続方法、並びにその接
続構造及び接続方法におけるはんだバンプ形成法に関す
るものである。
の接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造及び
接続方法におけるはんだバンプ形成法に係り、特に、電
子部品(BGA(Ball Grid Array)やCSP(Chip Si
ze Package)などのパッケ−ジ形態の表面実装型電子部
品)の配線パッドと基板(電子部品を搭載するプリント
配線基板など)の配線パターンとがはんだを介して個々
に電気的に完全に接続されていて接続不良が無い電子部
品と基板との接続構造及びその接続方法、並びにその接
続構造及び接続方法におけるはんだバンプ形成法に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】最近、電子機器の高機能化の要求から電
子部品の接続点数の増加が望まれている。このため、電
子部品のパッケ−ジ側面にリ−ドを配した表面実装型電
子部品よりも、電子部品のパッケ−ジにおける一方の主
面全域を利用するBGA型あるいはCSP型の表面実装
型電子部品が脚光を浴びつつある。CSP型はパッケ−
ジサイズをICチップとほぼ同一サイズにまとめたもの
で、BGA型はパッケ−ジサイズがCSP型より大き
い。パッケ−ジにおける一方の主面となっている基材の
主面に備えられている複数個の配線パッドの構成はCS
P型及びBGA型両者同様である。そこで、以下BGA
型の表面実装型電子部品を代表として説明する。なお、
簡略化のためBGAと略記する。
子部品の接続点数の増加が望まれている。このため、電
子部品のパッケ−ジ側面にリ−ドを配した表面実装型電
子部品よりも、電子部品のパッケ−ジにおける一方の主
面全域を利用するBGA型あるいはCSP型の表面実装
型電子部品が脚光を浴びつつある。CSP型はパッケ−
ジサイズをICチップとほぼ同一サイズにまとめたもの
で、BGA型はパッケ−ジサイズがCSP型より大き
い。パッケ−ジにおける一方の主面となっている基材の
主面に備えられている複数個の配線パッドの構成はCS
P型及びBGA型両者同様である。そこで、以下BGA
型の表面実装型電子部品を代表として説明する。なお、
簡略化のためBGAと略記する。
【0003】以下、BGAと基板との接続構造を図7
(a)(b)(c)(d)を参照して説明する。図7
(a)において、1はBGA8の基材である。この基材
1の主面には複数個の配線パッド2が備えられている。
同じく図7(a)において、3はモールド部で、モール
ド部3の内部にはICチップとそれを配線パッド2と接
続するための導体パターンやボンディングワイヤなどが
内包されている。図7(b)において、9はプリント配
線基板などの基板(以下、基板と略記する)である。こ
の基板9の前記BGA8を搭載する側の面には配線パタ
ーン10が設けられている。この配線パターン10は、
例えば図7(c)に示すように、円形部10bと、引回
部10aとから構成されている。また、必要に応じて、
はんだの広がりを阻止するはんだレジスト層12が前記
円形部10bの周囲の円形部分を除いて設けられている
場合がある。そして、図7(d)に示すように、上述の
BGA8の配線パッド2と上述の基板9の配線パターン
10とがはんだ16を介して個々に電気的に接続されて
BGA8が基板9に搭載されることとなる。
(a)(b)(c)(d)を参照して説明する。図7
(a)において、1はBGA8の基材である。この基材
1の主面には複数個の配線パッド2が備えられている。
同じく図7(a)において、3はモールド部で、モール
ド部3の内部にはICチップとそれを配線パッド2と接
続するための導体パターンやボンディングワイヤなどが
内包されている。図7(b)において、9はプリント配
線基板などの基板(以下、基板と略記する)である。こ
の基板9の前記BGA8を搭載する側の面には配線パタ
ーン10が設けられている。この配線パターン10は、
例えば図7(c)に示すように、円形部10bと、引回
部10aとから構成されている。また、必要に応じて、
はんだの広がりを阻止するはんだレジスト層12が前記
円形部10bの周囲の円形部分を除いて設けられている
場合がある。そして、図7(d)に示すように、上述の
BGA8の配線パッド2と上述の基板9の配線パターン
10とがはんだ16を介して個々に電気的に接続されて
BGA8が基板9に搭載されることとなる。
【0004】次に、上述のBGA8を基板9に搭載する
プロセスを図8(a)(b)(c)(d)(e)を参照
して説明する。まず、基材1の主面に金属製のスクリー
ンマスク(以下、メタルマスクと略記)4を配設する。
このメタルマスク4には、容量が一定の複数個の開口部
4aが配線パッド2の位置および形状に対応して設けら
れている。このメタルマスク4の上面に置かれたはんだ
ペースト6をスキージ5により開口部4aに圧入する。
このスキージ5が図の左側より右側(矢印イの方向)へ
移動することにより、メタルマスク4の上面でスキージ
5の移動方向前面に置かれたはんだペースト6がスキー
ジ5からメタルマスク4の表面で基材1に向かう方向の
作用力と表面上での回転力を受けて、一定量のはんだペ
ースト6aが開口部4a内に充填される(図8(a)参
照)。次に、メタルマスク4を基材1から離すことによ
り、配線パッド2上に一定量のはんだペースト6aが残
って印刷されたことになる(図8(b)参照)。さら
に、上記の一定量のはんだペースト6aが印刷された基
材1をリフロー装置を通過させることにより、はんだは
溶融され、そのはんだの表面張力によって欠球形状のは
んだバンプ7が形成される(図8(c)参照)。なお、
はんだバンプ形成法を紹介したものとして、特開平7−
201869号公報や特開平7−202401号公報が
ある。
プロセスを図8(a)(b)(c)(d)(e)を参照
して説明する。まず、基材1の主面に金属製のスクリー
ンマスク(以下、メタルマスクと略記)4を配設する。
このメタルマスク4には、容量が一定の複数個の開口部
4aが配線パッド2の位置および形状に対応して設けら
れている。このメタルマスク4の上面に置かれたはんだ
ペースト6をスキージ5により開口部4aに圧入する。
このスキージ5が図の左側より右側(矢印イの方向)へ
移動することにより、メタルマスク4の上面でスキージ
5の移動方向前面に置かれたはんだペースト6がスキー
ジ5からメタルマスク4の表面で基材1に向かう方向の
作用力と表面上での回転力を受けて、一定量のはんだペ
ースト6aが開口部4a内に充填される(図8(a)参
照)。次に、メタルマスク4を基材1から離すことによ
り、配線パッド2上に一定量のはんだペースト6aが残
って印刷されたことになる(図8(b)参照)。さら
に、上記の一定量のはんだペースト6aが印刷された基
材1をリフロー装置を通過させることにより、はんだは
溶融され、そのはんだの表面張力によって欠球形状のは
んだバンプ7が形成される(図8(c)参照)。なお、
はんだバンプ形成法を紹介したものとして、特開平7−
201869号公報や特開平7−202401号公報が
ある。
【0005】それから、基板9上の配線パターン10上
に一定量のはんだペースト11を塗布して、この基板9
上に上下逆さにしたBGA8を置く。すなわち、基板9
側のはんだペースト11とBGA8側のはんだバンプ7
とを対向させる(図8(d)参照)。そして、上述の図
8(d)の状態でリフローすることにより、はんだバン
プ7及びはんだペースト11がリフロ−して、そのはん
だ16は配線パッド2及び配線パターン10に濡れ、基
材1が冷却することにより、はんだ16が固化して、上
述のBGA8の配線パッド2と上述の基板9の配線パタ
ーン10とがはんだ16を介して個々に電気的に接続さ
れて、BGA8が基板9に搭載されることとなる(図8
(e)参照)。
に一定量のはんだペースト11を塗布して、この基板9
上に上下逆さにしたBGA8を置く。すなわち、基板9
側のはんだペースト11とBGA8側のはんだバンプ7
とを対向させる(図8(d)参照)。そして、上述の図
8(d)の状態でリフローすることにより、はんだバン
プ7及びはんだペースト11がリフロ−して、そのはん
だ16は配線パッド2及び配線パターン10に濡れ、基
材1が冷却することにより、はんだ16が固化して、上
述のBGA8の配線パッド2と上述の基板9の配線パタ
ーン10とがはんだ16を介して個々に電気的に接続さ
れて、BGA8が基板9に搭載されることとなる(図8
(e)参照)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の従来
の電子部品と基板との接続構造には次のような課題があ
る。すなわち、図7及び図8に示すように、基材1の配
線パッド2側の面とモールド部3側の面に配線パターン
(図示せず)を製作した時の残留応力や基材1とモール
ド部3は素材の熱膨張係数差に基づくモ−ルド時の熱収
縮量の差(バイメタル効果)などで、基材1側が凸にな
る湾曲を持つ傾向にある。この結果、はんだ16(BG
A8側のはんだバンプ7となるはんだペースト6及び又
は基板9側のはんだペースト11)の供給量が一定の場
合、上述の基材1の反り(湾曲)により、BGA8の配
線パッド2と基板9の配線パターン10とは、内側にお
いてはんだ16を介して接続されているが、外側におい
てはんだ16がBGA8側16aと基板9側16bとに
分れていてはんだ16を介して接続されていない。すな
わち、接続不良が発生する場合がある。
の電子部品と基板との接続構造には次のような課題があ
る。すなわち、図7及び図8に示すように、基材1の配
線パッド2側の面とモールド部3側の面に配線パターン
(図示せず)を製作した時の残留応力や基材1とモール
ド部3は素材の熱膨張係数差に基づくモ−ルド時の熱収
縮量の差(バイメタル効果)などで、基材1側が凸にな
る湾曲を持つ傾向にある。この結果、はんだ16(BG
A8側のはんだバンプ7となるはんだペースト6及び又
は基板9側のはんだペースト11)の供給量が一定の場
合、上述の基材1の反り(湾曲)により、BGA8の配
線パッド2と基板9の配線パターン10とは、内側にお
いてはんだ16を介して接続されているが、外側におい
てはんだ16がBGA8側16aと基板9側16bとに
分れていてはんだ16を介して接続されていない。すな
わち、接続不良が発生する場合がある。
【0007】さらに、詳細に説明すると、図7及び図8
に示すように、基材1には反り(湾曲)が発生してお
り、このままでは一定量のはんだバンプ7の頂点が同一
平面(図8(c)中の一点鎖線にて示す)上にない。こ
のために、図8(d)に示すように、基板9上に上下逆
さまにしたBGA8を置くと、はんだバンプ7ははんだ
ペースト11に大半が接触するが、外側のはんだバンプ
7ははんだペースト11に接触しないことがある。この
状態でリフローすると、バイメタル効果が薄れて全ての
はんだバンプ7ははんだペースト11とリフロ−し、一
旦は接載される。ところが、リフロ−後の冷却で再び基
材1が湾曲すると、BGA8は内側のはんだ16で基板
9に搭載できてはいるものの、図7(d)及び図8
(e)に示すように、外側のはんだ16はBGA8側1
6aと基板9側16bとに分れていて、BGA8の配線
パッド2と基板9の配線パターン10とははんだ16を
介して接続されていないことがある。
に示すように、基材1には反り(湾曲)が発生してお
り、このままでは一定量のはんだバンプ7の頂点が同一
平面(図8(c)中の一点鎖線にて示す)上にない。こ
のために、図8(d)に示すように、基板9上に上下逆
さまにしたBGA8を置くと、はんだバンプ7ははんだ
ペースト11に大半が接触するが、外側のはんだバンプ
7ははんだペースト11に接触しないことがある。この
状態でリフローすると、バイメタル効果が薄れて全ての
はんだバンプ7ははんだペースト11とリフロ−し、一
旦は接載される。ところが、リフロ−後の冷却で再び基
材1が湾曲すると、BGA8は内側のはんだ16で基板
9に搭載できてはいるものの、図7(d)及び図8
(e)に示すように、外側のはんだ16はBGA8側1
6aと基板9側16bとに分れていて、BGA8の配線
パッド2と基板9の配線パターン10とははんだ16を
介して接続されていないことがある。
【0008】上述の接続不良は基材1の湾曲度合いだけ
でなく、基板9上の引回部10aと円形部10bとから
構成されている配線パターン10にも左右される。すな
わち、配線パターン10以外の領域ははんだとのぬれ性
が低いので、個々のはんだバンプ7が一定量(はんだ量
が同等)であると、引回部10aが多いほどはんだ16
は引回部10aにも拡がってしまい円形部10bでの盛
り上がり度合いは小となり、上述の接続不良が増加す
る。
でなく、基板9上の引回部10aと円形部10bとから
構成されている配線パターン10にも左右される。すな
わち、配線パターン10以外の領域ははんだとのぬれ性
が低いので、個々のはんだバンプ7が一定量(はんだ量
が同等)であると、引回部10aが多いほどはんだ16
は引回部10aにも拡がってしまい円形部10bでの盛
り上がり度合いは小となり、上述の接続不良が増加す
る。
【0009】本発明の目的は、電子部品の配線パッドと
基板の配線パターンとがはんだを介して個々に電気的に
完全に接続されていて接続不良が無い電子部品と基板と
の接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造及び
接続方法におけるはんだバンプ形成法を提供することに
ある。
基板の配線パターンとがはんだを介して個々に電気的に
完全に接続されていて接続不良が無い電子部品と基板と
の接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造及び
接続方法におけるはんだバンプ形成法を提供することに
ある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために、はんだの供給において、配線パッドと
配線パターンとが個々に完全に接続するように、電子部
品及び又は基板の湾曲度と、配線パッド及び又は配線パ
ターンの加熱溶融時のはんだの濡れ面積と、ほぼ比例し
た量のはんだを供給することを特徴とする。
達成するために、はんだの供給において、配線パッドと
配線パターンとが個々に完全に接続するように、電子部
品及び又は基板の湾曲度と、配線パッド及び又は配線パ
ターンの加熱溶融時のはんだの濡れ面積と、ほぼ比例し
た量のはんだを供給することを特徴とする。
【0011】この結果、本発明の電子部品と基板との接
続構造及びその接続方法、並びにその接続構造及び接続
方法におけるはんだバンプ形成法は、電子部品の配線パ
ッドと基板の配線パターンとがはんだを介して個々に電
気的に完全に接続されていて接続不良が無い。
続構造及びその接続方法、並びにその接続構造及び接続
方法におけるはんだバンプ形成法は、電子部品の配線パ
ッドと基板の配線パターンとがはんだを介して個々に電
気的に完全に接続されていて接続不良が無い。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の電子部品と基板と
の接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造及び
接続方法におけるはんだバンプ形成法の実施形態のうち
の4例を図1乃至図6を参照して詳細に説明する。な
お、図1乃至図6において図7及び図8に示したものと
同一物あるいは相当品には同一符号を付けて、説明の反
復を避けることにした。
の接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造及び
接続方法におけるはんだバンプ形成法の実施形態のうち
の4例を図1乃至図6を参照して詳細に説明する。な
お、図1乃至図6において図7及び図8に示したものと
同一物あるいは相当品には同一符号を付けて、説明の反
復を避けることにした。
【0013】図1(a)(b)(c)(d)(e)は本
発明の電子部品と基板との接続構造及びその接続方法、
並びにその接続構造及び接続方法におけるはんだバンプ
形成法の第1の実施形態を示し、BGAを基板に搭載す
るプロセスを示した説明図である。この第1の実施の形
態は、はんだ16の供給量を、配線パッド2及び配線パ
ターン10の濡れ面積を一定として基材1の湾曲度に対
して調整するものである。この調整は、配線パッド2上
にはんだペースト6を印刷して供給する際にメタルマス
ク4の開口部4aの容量により行うものであって、上に
凸の形状を持つ基材1と基板9の間隙を考慮して行われ
る。
発明の電子部品と基板との接続構造及びその接続方法、
並びにその接続構造及び接続方法におけるはんだバンプ
形成法の第1の実施形態を示し、BGAを基板に搭載す
るプロセスを示した説明図である。この第1の実施の形
態は、はんだ16の供給量を、配線パッド2及び配線パ
ターン10の濡れ面積を一定として基材1の湾曲度に対
して調整するものである。この調整は、配線パッド2上
にはんだペースト6を印刷して供給する際にメタルマス
ク4の開口部4aの容量により行うものであって、上に
凸の形状を持つ基材1と基板9の間隙を考慮して行われ
る。
【0014】すなわち、基材1の配線パッド2と基板9
の配線パタ−ン10はそれぞれ同等として、基材1の湾
曲度を考慮して、中心付近の開口部4aに比べ外側の開
口部4aの開口度を大きくしたメタルマスク4を使用し
て、基材1にはんだペースト6を印刷する(図1(a)
参照)。すると、印刷されたはんだペースト6aは外側
に行くに従って供給量は増えている(図1(b)参
照)。この状態でリフローすると、中心(内側)付近の
はんだバンプ7に比べ外側のはんだバンプ7のバンプ高
さが高く(バンプ径が大と)なり、BGA8における各
はんだバンプ7の頂点が同一平面(図1(c)中の一点
鎖線にて示す)上に配される(図1(c)参照)。一
方、基板9の各配線パタ−ン10上に同量のはんだペ−
スト11を印刷し、そこで上述のBGA8を上下逆さに
して、このBGA8のはんだバンプ7と基板9のはんだ
ペースト11とを合わせる(図1(d)参照)。そし
て、上述の状態で、リフロ−を行うと、外側のはんだ1
6の供給量は内側のはんだ16の供給量と比較して大で
あるから、基材1が湾曲していても、基材1の配線パッ
ド2と基板9の配線パタ−ン10とははんだ16を介し
て個々に電気的に接続されて、特に外側において接続不
良が無く、BGA8が基板9に搭載されることとなる
(図1(e)参照)。
の配線パタ−ン10はそれぞれ同等として、基材1の湾
曲度を考慮して、中心付近の開口部4aに比べ外側の開
口部4aの開口度を大きくしたメタルマスク4を使用し
て、基材1にはんだペースト6を印刷する(図1(a)
参照)。すると、印刷されたはんだペースト6aは外側
に行くに従って供給量は増えている(図1(b)参
照)。この状態でリフローすると、中心(内側)付近の
はんだバンプ7に比べ外側のはんだバンプ7のバンプ高
さが高く(バンプ径が大と)なり、BGA8における各
はんだバンプ7の頂点が同一平面(図1(c)中の一点
鎖線にて示す)上に配される(図1(c)参照)。一
方、基板9の各配線パタ−ン10上に同量のはんだペ−
スト11を印刷し、そこで上述のBGA8を上下逆さに
して、このBGA8のはんだバンプ7と基板9のはんだ
ペースト11とを合わせる(図1(d)参照)。そし
て、上述の状態で、リフロ−を行うと、外側のはんだ1
6の供給量は内側のはんだ16の供給量と比較して大で
あるから、基材1が湾曲していても、基材1の配線パッ
ド2と基板9の配線パタ−ン10とははんだ16を介し
て個々に電気的に接続されて、特に外側において接続不
良が無く、BGA8が基板9に搭載されることとなる
(図1(e)参照)。
【0015】図2(a)及び(b)は上述の第1の実施
の形態におけるメタルマスク4の変形例を示した説明図
である。図2(a)に示すメタルマスク4は、基材1の
湾曲度に合わせて階段状に段差をつけて開口部4aの容
量を調整したものである。また、図2(b)に示すメタ
ルマスク4は、緩やかに傾斜をつけて(立体的には曲面
を形成して)開口部4aの容量を調整したものである。
の形態におけるメタルマスク4の変形例を示した説明図
である。図2(a)に示すメタルマスク4は、基材1の
湾曲度に合わせて階段状に段差をつけて開口部4aの容
量を調整したものである。また、図2(b)に示すメタ
ルマスク4は、緩やかに傾斜をつけて(立体的には曲面
を形成して)開口部4aの容量を調整したものである。
【0016】図3(a)(b)(c)は本発明の電子部
品と基板との接続構造及びその接続方法、並びにその接
続構造及び接続方法におけるはんだバンプ形成法の第2
の実施形態を示した説明図である。この第2の実施形態
は、上述の第1の実施形態の変形例であって、厚さが上
述の第1の実施の形態に使用されるメタルマスク4より
も薄いメタルマスク4を使用するものである。すなわ
ち、この第2の実施の形態におけるはんだ16の供給量
の調整は、配線パッド2上にはんだペースト6を印刷し
て供給する際に厚さが薄いメタルマスク4の開口部4a
の容量により行うものである(図3(a)参照)。それ
から、この薄いメタルマスク4を用いることに基いて、
はんだ供給量が減少することを補うために印刷後の各は
んだペ−スト6aに同一径(同一量)のはんだボール1
3を真空吸着治具14で供給する(図3(b)参照)。
上述の真空吸着治具14の吸着穴14aで外側にあたる
はんだボ−ル13が大きくなるように選択的に吸着する
ことは困難であるから、印刷するはんだペ−スト6aの
量を予め調整しておくことが実作業上では有利である。
品と基板との接続構造及びその接続方法、並びにその接
続構造及び接続方法におけるはんだバンプ形成法の第2
の実施形態を示した説明図である。この第2の実施形態
は、上述の第1の実施形態の変形例であって、厚さが上
述の第1の実施の形態に使用されるメタルマスク4より
も薄いメタルマスク4を使用するものである。すなわ
ち、この第2の実施の形態におけるはんだ16の供給量
の調整は、配線パッド2上にはんだペースト6を印刷し
て供給する際に厚さが薄いメタルマスク4の開口部4a
の容量により行うものである(図3(a)参照)。それ
から、この薄いメタルマスク4を用いることに基いて、
はんだ供給量が減少することを補うために印刷後の各は
んだペ−スト6aに同一径(同一量)のはんだボール1
3を真空吸着治具14で供給する(図3(b)参照)。
上述の真空吸着治具14の吸着穴14aで外側にあたる
はんだボ−ル13が大きくなるように選択的に吸着する
ことは困難であるから、印刷するはんだペ−スト6aの
量を予め調整しておくことが実作業上では有利である。
【0017】そして、それぞれの配線パッド2につい
て、印刷したはんだペ−スト6aと供給したはんだボー
ル13の和が上述の第1の実施形態の図1(b)に示す
ように印刷したはんだペ−スト6aの量に相当していれ
ば、リフロー後には中心付近のはんだバンプ7に比べ外
側のはんだバンプ7のバンプ高さが高く(バンプ径が大
と)なり、各はんだバンプ7の頂点が同一平面(図3
(c)中の一点鎖線にて示す)上に揃って配列されるこ
ととなる(図3(c)参照。)この結果、上述の第1の
実施形態の図1(d)(e)に示すように、図3(c)
のBGA8を基板9に搭載することにより、基材1が湾
曲していても、基材1の配線パッド2と基板9の配線パ
タ−ン10とははんだ16を介して個々に電気的に接続
されて、特に外側において接続不良が無い。
て、印刷したはんだペ−スト6aと供給したはんだボー
ル13の和が上述の第1の実施形態の図1(b)に示す
ように印刷したはんだペ−スト6aの量に相当していれ
ば、リフロー後には中心付近のはんだバンプ7に比べ外
側のはんだバンプ7のバンプ高さが高く(バンプ径が大
と)なり、各はんだバンプ7の頂点が同一平面(図3
(c)中の一点鎖線にて示す)上に揃って配列されるこ
ととなる(図3(c)参照。)この結果、上述の第1の
実施形態の図1(d)(e)に示すように、図3(c)
のBGA8を基板9に搭載することにより、基材1が湾
曲していても、基材1の配線パッド2と基板9の配線パ
タ−ン10とははんだ16を介して個々に電気的に接続
されて、特に外側において接続不良が無い。
【0018】図4(a)(b)(c)は本発明の電子部
品と基板との接続構造及びその接続方法、並びにその接
続構造及び接続方法におけるはんだバンプ形成法の第3
の実施形態を示した説明図である。この第3の実施の形
態は上述の第1の実施形態及び第2の実施形態の変形例
であって、この第3の実施形態におけるはんだ16の供
給量の調整は、配線パッド2の周囲にはんだレジスト層
15を設けかつ配線パッド2上にはんだペースト6を印
刷して供給する際にはんだレジスト層15の開口部15
aの容量により行うものである。すなわち、基材1には
んだレジスト層15を設ける。このはんだレジスト層1
5の開口部15aは基材1の湾曲度を考慮し、中心側で
小さく、外側ほど大きくしている。その上にメタルマス
ク4を置いて、スキ−ジ5で配線パッド2上にはんだペ
ースト6を印刷する。このメタルマスク4の開口部4a
の開口度は同等である(図4(a)参照)。このスクリ
−ン印刷の結果、配線パッド2とはんだレジスト層15
の間隙からはんだペ−スト6aが行き渡り、印刷された
はんだペ−スト6aの量は、上述の第1の実施の形態の
図1(b)及び第2の実施の形態の図3(b)と同様
に、中心側で少なく、外側ほど多くなっている(図4
(b)参照)。そして、これをリフロ−すると、はんだ
は基材1にぬれないので、各配線パッド2のはんだバン
プ7の高さが揃ったBGA8が得られる。なお、リフロ
−後にはんだレジスト層15を除去している(図4
(c)参照。この結果、上述の第1の実施形態及び第2
の実施の形態と同様に、BGA8を基板9に搭載した際
に、基材1が湾曲していても接続不良が無い。
品と基板との接続構造及びその接続方法、並びにその接
続構造及び接続方法におけるはんだバンプ形成法の第3
の実施形態を示した説明図である。この第3の実施の形
態は上述の第1の実施形態及び第2の実施形態の変形例
であって、この第3の実施形態におけるはんだ16の供
給量の調整は、配線パッド2の周囲にはんだレジスト層
15を設けかつ配線パッド2上にはんだペースト6を印
刷して供給する際にはんだレジスト層15の開口部15
aの容量により行うものである。すなわち、基材1には
んだレジスト層15を設ける。このはんだレジスト層1
5の開口部15aは基材1の湾曲度を考慮し、中心側で
小さく、外側ほど大きくしている。その上にメタルマス
ク4を置いて、スキ−ジ5で配線パッド2上にはんだペ
ースト6を印刷する。このメタルマスク4の開口部4a
の開口度は同等である(図4(a)参照)。このスクリ
−ン印刷の結果、配線パッド2とはんだレジスト層15
の間隙からはんだペ−スト6aが行き渡り、印刷された
はんだペ−スト6aの量は、上述の第1の実施の形態の
図1(b)及び第2の実施の形態の図3(b)と同様
に、中心側で少なく、外側ほど多くなっている(図4
(b)参照)。そして、これをリフロ−すると、はんだ
は基材1にぬれないので、各配線パッド2のはんだバン
プ7の高さが揃ったBGA8が得られる。なお、リフロ
−後にはんだレジスト層15を除去している(図4
(c)参照。この結果、上述の第1の実施形態及び第2
の実施の形態と同様に、BGA8を基板9に搭載した際
に、基材1が湾曲していても接続不良が無い。
【0019】図5(a)(b)(c)は本発明の電子部
品と基板との接続構造及びその接続方法、並びにその接
続構造及び接続方法におけるはんだバンプ形成法の第4
の実施形態を示した説明図である。図6は同じく供給は
んだ量が一定のときの配線パッド径とバンプ高さの関係
を示した図(グラフ)である。この第4の実施形態は、
はんだ16の供給量を一定にして、基材1の湾曲度に対
して配線パッド2及び配線パターン10の濡れ面積を調
整するものである。すなわち、はんだペーストのリフロ
−後におけるはんだバンプのバンプ高さ(径)は、はん
だバンプ(はんだペースト)量を同一とすると、図6に
示すように、円形状配線パッドの直径(パッド径)が大
きいほど低く(小と)なるトレ−ドオフの関係を持つ。
そこで、この第4の実施形態では、配線パッド2の形状
を調整して有る。調整の方法としては、基材1の湾曲度
から中心付近の配線パッド2に比べ外側の配線パッド2
のパッド径を小さくしている(図5(a)参照)。次
に、開口部の容量が一定のメタルマスクを使用して上述
の配線パッド2にはんだペースト6aを印刷する。この
印刷されたはんだペースト6aの体積(容量)はどの配
線パッド2上においても同一である(図5(b)参
照)。この状態でリフローすると、中心付近のはんだバ
ンプ7に比べ外側のはんだバンプ7のバンプ高さが高く
なり、各はんだバンプ7の頂点が同一平面上に配され
る。この結果、BGA8を基板9に搭載した際に、基材
1が湾曲していても接続不良が無い。
品と基板との接続構造及びその接続方法、並びにその接
続構造及び接続方法におけるはんだバンプ形成法の第4
の実施形態を示した説明図である。図6は同じく供給は
んだ量が一定のときの配線パッド径とバンプ高さの関係
を示した図(グラフ)である。この第4の実施形態は、
はんだ16の供給量を一定にして、基材1の湾曲度に対
して配線パッド2及び配線パターン10の濡れ面積を調
整するものである。すなわち、はんだペーストのリフロ
−後におけるはんだバンプのバンプ高さ(径)は、はん
だバンプ(はんだペースト)量を同一とすると、図6に
示すように、円形状配線パッドの直径(パッド径)が大
きいほど低く(小と)なるトレ−ドオフの関係を持つ。
そこで、この第4の実施形態では、配線パッド2の形状
を調整して有る。調整の方法としては、基材1の湾曲度
から中心付近の配線パッド2に比べ外側の配線パッド2
のパッド径を小さくしている(図5(a)参照)。次
に、開口部の容量が一定のメタルマスクを使用して上述
の配線パッド2にはんだペースト6aを印刷する。この
印刷されたはんだペースト6aの体積(容量)はどの配
線パッド2上においても同一である(図5(b)参
照)。この状態でリフローすると、中心付近のはんだバ
ンプ7に比べ外側のはんだバンプ7のバンプ高さが高く
なり、各はんだバンプ7の頂点が同一平面上に配され
る。この結果、BGA8を基板9に搭載した際に、基材
1が湾曲していても接続不良が無い。
【0020】この実施形態においては、図4の特性曲線
を考慮し配線パッド2のパッド径を調整することによっ
て、各配線パッド上に供給するはんだペ−スト量を基材
1の湾曲度に対し相対的に比例させている。
を考慮し配線パッド2のパッド径を調整することによっ
て、各配線パッド上に供給するはんだペ−スト量を基材
1の湾曲度に対し相対的に比例させている。
【0021】以上の個々の実施形態での各はんだバンプ
頂点同一平面化の手法は組み合わせて実施しても良い。
また、反りの方向が逆であったり、その他の原因によっ
てはんだバンプの頂点と基板の間隙が発生しても同様の
効果が得られる。また基板にはんだバンプを形成する場
合でも同様の効果(接続不良が無い)が得られる。
頂点同一平面化の手法は組み合わせて実施しても良い。
また、反りの方向が逆であったり、その他の原因によっ
てはんだバンプの頂点と基板の間隙が発生しても同様の
効果が得られる。また基板にはんだバンプを形成する場
合でも同様の効果(接続不良が無い)が得られる。
【0022】
【発明の効果】以上のように、本発明は、はんだの供給
において、配線パッドと配線パターンとが個々に完全に
接続するように、電子部品及び又は基板の湾曲度と、配
線パッド及び又は配線パターンの加熱溶融時のはんだの
濡れ面積と、ほぼ比例した量のはんだを供給するもので
あるから、電子部品の配線パッドと基板の配線パターン
とがはんだを介して個々に電気的に完全に接続されてい
て接続不良が無い。
において、配線パッドと配線パターンとが個々に完全に
接続するように、電子部品及び又は基板の湾曲度と、配
線パッド及び又は配線パターンの加熱溶融時のはんだの
濡れ面積と、ほぼ比例した量のはんだを供給するもので
あるから、電子部品の配線パッドと基板の配線パターン
とがはんだを介して個々に電気的に完全に接続されてい
て接続不良が無い。
【図1】(a)(b)(c)(d)(e)は、本発明の
電子部品と基板との接続構造及びその接続方法、並びに
その接続構造及び接続方法におけるはんだバンプ形成法
の第1の実施の形態を示し、BGAの製造プロセスとB
GAを基板に搭載するプロセスを簡略化して示す図であ
る。
電子部品と基板との接続構造及びその接続方法、並びに
その接続構造及び接続方法におけるはんだバンプ形成法
の第1の実施の形態を示し、BGAの製造プロセスとB
GAを基板に搭載するプロセスを簡略化して示す図であ
る。
【図2】(a)(b)は、メタルマスクの開口部の変形
例を示した説明図である。
例を示した説明図である。
【図3】(a)(b)(c)は、本発明の電子部品と基
板との接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造
及び接続方法におけるはんだバンプ形成法はんだバンプ
形成法の第2の実施の形態を示したBGAの製造プロセ
スを簡略化して示す図である。
板との接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造
及び接続方法におけるはんだバンプ形成法はんだバンプ
形成法の第2の実施の形態を示したBGAの製造プロセ
スを簡略化して示す図である。
【図4】(a)(b)(c)は、本発明の電子部品と基
板との接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造
及び接続方法におけるはんだバンプ形成法の第3の実施
の形態を示したBGAの製造プロセスを簡略化して示す
図である。
板との接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造
及び接続方法におけるはんだバンプ形成法の第3の実施
の形態を示したBGAの製造プロセスを簡略化して示す
図である。
【図5】(a)(b)(c)は本発明の電子部品と基板
との接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造及
び接続方法におけるはんだバンプ形成法の第3の実施の
形態を示したBGAの製造プロセスを簡略化して示す図
である。
との接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造及
び接続方法におけるはんだバンプ形成法の第3の実施の
形態を示したBGAの製造プロセスを簡略化して示す図
である。
【図6】供給はんだ量が一定のときの配線パッド径とバ
ンプ高さの関係を示した図(グラフ)である。
ンプ高さの関係を示した図(グラフ)である。
【図7】(a)はBGAの概略図、(b)は基板の概略
図、(c)は(b)におけるc−c線矢視図、(d)は
従来のプロセスでBGAを基板に搭載した状態の概略図
である。
図、(c)は(b)におけるc−c線矢視図、(d)は
従来のプロセスでBGAを基板に搭載した状態の概略図
である。
【図8】(a)(b)(c)(d)(e)は、従来のB
GAの製造プロセスとBGAを基板に搭載するプロセス
を簡略化して示す図である。
GAの製造プロセスとBGAを基板に搭載するプロセス
を簡略化して示す図である。
【符号の説明】 1…基材 2…配線パッド 3…モールド部 4…メタルマスク 4a…メタルマスクの開口部 5…スキージ 6、11…はんだペースト 7…はんだバンプ 8…BGA 9…基板 10…配線パターン 10a…引回部 10b…円形部 12、15…はんだレジスト層 13…はんだボール 14…真空吸着治具 16…はんだ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 秀男 茨城県竜ケ崎市向陽台5丁目2番 日立テ クノエンジニアリング 株式会社開発研究 所内
Claims (7)
- 【請求項1】 電子部品の配線パッドと基板の配線パタ
ーンとがはんだを介して個々に電気的に接続されている
電子部品と基板との接続構造であって、 前記はんだの供給量は、前記配線パッドと前記配線パタ
ーンとが個々に完全に接続するように、前記電子部品及
び又は前記基板の湾曲度と、前記配線パッド及び又は前
記配線パターンの加熱溶融時のはんだの濡れ面積と、ほ
ぼ比例した量であることを特徴とする電子部品と基板と
の接続構造。 - 【請求項2】 請求項1に記載の電子部品と基板との接
続構造において、 前記はんだの供給量は、前記湾曲度に対して前記濡れ面
積を調整することにより一定であること、及び又は、前
記濡れ面積を一定として前記湾曲度に対して調整するこ
とを特徴とする電子部品と基板との接続構造。 - 【請求項3】 電子部品の配線パッドと基板の配線パタ
ーンとをはんだを介して個々に電気的に接続する電子部
品と基板との接続方法であって、 前記配線パッドと前記配線パターンとが個々に完全に接
続するように、前記電子部品及び又は前記基板の湾曲度
と、前記配線パッド及び又は前記配線パターンの加熱溶
融時のはんだの濡れ面積と、ほぼ比例した量のはんだを
供給することを特徴とする電子部品と基板との接続方
法。 - 【請求項4】 請求項3に記載の電子部品と基板との接
続方法において、 前記はんだの供給量は、前記湾曲度に対して前記濡れ面
積を調整することにより一定であること、及び又は、前
記濡れ面積を一定として前記湾曲度に対して調整するこ
とを特徴とする電子部品と基板との接続方法。 - 【請求項5】 電子部品の配線パッドと基板の配線パタ
ーンとがはんだを介して個々に電気的に接続されている
電子部品と基板との接続構造、及び電子部品の配線パッ
ドと基板の配線パターンとをはんだを介して個々に電気
的に接続する電子部品と基板との接続方法において、 前記電子部品の配線パッド及び又は前記基板の配線パタ
ーン上にはんだを供給し、その後前記はんだを加熱溶融
させてはんだバンプを形成する方法であって、 前記配線パッド及び又は前記配線パターン上にはんだを
供給する際に、前記配線パッドと前記配線パターンとが
個々に完全に接続するように、前記電子部品及び又は前
記基板の湾曲度と、前記配線パッド及び又は前記配線パ
ターンの加熱溶融時のはんだの濡れ面積と、ほぼ比例し
た量のはんだを供給することを特徴とするはんだバンプ
形成法。 - 【請求項6】 請求項5に記載のはんだバンプ形成法に
おいて、 前記はんだの供給量は、前記湾曲度に対して前記濡れ面
積を調整することにより一定であること、及び又は、前
記濡れ面積を一定として前記湾曲度に対して調整するこ
とを特徴とするはんだバンプ形成法。 - 【請求項7】 請求項5に記載のはんだバンプ形成法に
おいて、 前記はんだの供給量は、前記配線パッド及び又は前記配
線パターン上にはんだペーストを印刷して供給する際に
スクリーンマスクの開口部の容量により調整すること、
及び又は、前記配線パッド及び又は前記配線パターン上
にはんだペーストを印刷しかつその上にはんだボールを
供給する際にスクリーンマスクの開口部の容量により調
整すること、及び又は、前記配線パッド及び又は前記配
線パターンの周囲にはんだレジスト層を設けかつ前記配
線パッド及び又は前記配線パターン上にはんだペースト
を印刷して供給する際に前記はんだレジスト層の開口部
の容量により調整することを特徴とするはんだバンプ形
成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8256416A JPH10107176A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 電子部品と基板との接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造及び接続方法におけるはんだバンプ形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8256416A JPH10107176A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 電子部品と基板との接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造及び接続方法におけるはんだバンプ形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107176A true JPH10107176A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17292373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8256416A Pending JPH10107176A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | 電子部品と基板との接続構造及びその接続方法、並びにその接続構造及び接続方法におけるはんだバンプ形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107176A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1174312A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびはんだバンプの形成方法 |
| JP2002164473A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007115789A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層型半導体装置および積層型半導体装置の製造方法 |
| JP2009267117A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Nec Corp | 半導体装置、基板、及び半導体装置の実装方法 |
| US9345133B2 (en) | 2012-02-28 | 2016-05-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Printed circuit board and method of mounting components on the printed circuit board |
| JP2019009470A (ja) * | 2018-10-09 | 2019-01-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 実装構造体 |
| WO2020158807A1 (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | 京セラ株式会社 | 光学センサおよびそれを用いた光学センサ装置 |
| CN114284174A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-04-05 | 苏州华星光电技术有限公司 | 印刷网、显示装置的制作方法及显示装置 |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP8256416A patent/JPH10107176A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1174312A (ja) * | 1997-08-28 | 1999-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびはんだバンプの形成方法 |
| JP2002164473A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-07 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007115789A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層型半導体装置および積層型半導体装置の製造方法 |
| JP2009267117A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Nec Corp | 半導体装置、基板、及び半導体装置の実装方法 |
| US9345133B2 (en) | 2012-02-28 | 2016-05-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Printed circuit board and method of mounting components on the printed circuit board |
| JP2019009470A (ja) * | 2018-10-09 | 2019-01-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 実装構造体 |
| WO2020158807A1 (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | 京セラ株式会社 | 光学センサおよびそれを用いた光学センサ装置 |
| CN114284174A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-04-05 | 苏州华星光电技术有限公司 | 印刷网、显示装置的制作方法及显示装置 |
| CN114284174B (zh) * | 2021-12-14 | 2025-09-23 | 苏州华星光电技术有限公司 | 印刷网、显示装置的制作方法及显示装置 |
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