JPH10107549A - マイクロ波ミキサー回路とダウンコンバータ - Google Patents
マイクロ波ミキサー回路とダウンコンバータInfo
- Publication number
- JPH10107549A JPH10107549A JP8262672A JP26267296A JPH10107549A JP H10107549 A JPH10107549 A JP H10107549A JP 8262672 A JP8262672 A JP 8262672A JP 26267296 A JP26267296 A JP 26267296A JP H10107549 A JPH10107549 A JP H10107549A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- local oscillation
- fet
- detection terminal
- microstrip line
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ローカル発振用FETの高周波特性及び実装
ばらつきに対して安定した特性が得られる小型のマイク
ロ波ミキサー回路を提供する。 【解決手段】 マイクロ波信号入力部1に入力された1
2GHz帯のマイクロ波信号は、ローカル発振用FET
3から供給される局部発振周波数出力に応じたバイアス
電流をバイアス供給回路16よりローカル発振用FET
3のドレインに供給することにより、局部発振周波数出
力のばらつきに対して安定した特性で1GHz帯の中間
周波信号に変換される。
ばらつきに対して安定した特性が得られる小型のマイク
ロ波ミキサー回路を提供する。 【解決手段】 マイクロ波信号入力部1に入力された1
2GHz帯のマイクロ波信号は、ローカル発振用FET
3から供給される局部発振周波数出力に応じたバイアス
電流をバイアス供給回路16よりローカル発振用FET
3のドレインに供給することにより、局部発振周波数出
力のばらつきに対して安定した特性で1GHz帯の中間
周波信号に変換される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は,放送衛星及び通信
衛星による衛星放送又は通信受信用ダウンコンバータ等
に用いられるマイクロ波ミキサー回路と,これを備えた
衛星放送又は通信受信用ダウンコンバータ(国際特許分
類H01P 1/17)に関するものである
衛星による衛星放送又は通信受信用ダウンコンバータ等
に用いられるマイクロ波ミキサー回路と,これを備えた
衛星放送又は通信受信用ダウンコンバータ(国際特許分
類H01P 1/17)に関するものである
【0002】
【従来の技術】近年、衛星放送は普及期を迎え、また民
間の通信衛星を利用するCS放送もサービスを開始し、
一般家庭で複数の衛星を直接受信する機会が増えてき
た。それに伴い受信用アンテナの小型化、低コスト化が
要求されるようになってきた。
間の通信衛星を利用するCS放送もサービスを開始し、
一般家庭で複数の衛星を直接受信する機会が増えてき
た。それに伴い受信用アンテナの小型化、低コスト化が
要求されるようになってきた。
【0003】以下に従来のマイクロ波ミキサー回路及び
中間周波増幅器について図3を用いて説明する。図3は
従来のマイクロ波ミキサー回路の構成を示すものであ
る。図3において、1は、マイクロ波信号入力部、2は
ローカル発振器、3はローカル周波数を通過させるバン
ドパスフィルタ(以下BPFと略す)、4はマイクロス
トリップライン(以下MSLと略す)、5は周波数変換
用のショットキーバリアーダイオード(以下SBDと略
す)、6はSBDのアノードにバイアス電流を供給する
バイアス端子、7は中間周波信号を通過させるローパス
フィルタ(以下LPFと略す)、8及び9は中間周波増
幅器、10は中間周波信号出力部である。
中間周波増幅器について図3を用いて説明する。図3は
従来のマイクロ波ミキサー回路の構成を示すものであ
る。図3において、1は、マイクロ波信号入力部、2は
ローカル発振器、3はローカル周波数を通過させるバン
ドパスフィルタ(以下BPFと略す)、4はマイクロス
トリップライン(以下MSLと略す)、5は周波数変換
用のショットキーバリアーダイオード(以下SBDと略
す)、6はSBDのアノードにバイアス電流を供給する
バイアス端子、7は中間周波信号を通過させるローパス
フィルタ(以下LPFと略す)、8及び9は中間周波増
幅器、10は中間周波信号出力部である。
【0004】以上のように構成された従来のマイクロ波
ミキサー回路および中間周波増幅器の動作について以下
に説明する。マイクロ波信号入力部1に入力された12
GHz帯のマイクロ波信号は、ローカル発振器2よりB
PF3を介して供給される局部発振周波数(例えば1
0.678GHz)とMSL4に接続されたSBD5に
より混合され、1GHz帯の中間周波信号に変換され
る。ここで、SBD5に接続されたバイアス端子6は、
ローカル発振器2から供給される局部発振周波数出力が
小さい場合の変換損失の劣化を防止するため、SBD5
に順方向のバイアス電流を印加している。LPF7を通
過した中間周波信号は、中間周波増幅器8及び9によっ
て増幅され、中間周波信号出力部10より取り出され
る。
ミキサー回路および中間周波増幅器の動作について以下
に説明する。マイクロ波信号入力部1に入力された12
GHz帯のマイクロ波信号は、ローカル発振器2よりB
PF3を介して供給される局部発振周波数(例えば1
0.678GHz)とMSL4に接続されたSBD5に
より混合され、1GHz帯の中間周波信号に変換され
る。ここで、SBD5に接続されたバイアス端子6は、
ローカル発振器2から供給される局部発振周波数出力が
小さい場合の変換損失の劣化を防止するため、SBD5
に順方向のバイアス電流を印加している。LPF7を通
過した中間周波信号は、中間周波増幅器8及び9によっ
て増幅され、中間周波信号出力部10より取り出され
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来例の構成では、ローカル発振器に使用するデバイス
(例えばMESFET)の個々の高周波特性及び実装ば
らつき等により、局部発振周波数出力が大きくばらつく
ため、量産時に一定の性能を確保することが極めて困難
であった。
来例の構成では、ローカル発振器に使用するデバイス
(例えばMESFET)の個々の高周波特性及び実装ば
らつき等により、局部発振周波数出力が大きくばらつく
ため、量産時に一定の性能を確保することが極めて困難
であった。
【0006】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
であり、安価で量産時のばらつきの少ないマイクロ波ミ
キサー回路とダウンコンバータを提供することを目的と
する。
であり、安価で量産時のばらつきの少ないマイクロ波ミ
キサー回路とダウンコンバータを提供することを目的と
する。
【0007】
【課題を解決するための手段】これらの目的を達成する
ために本発明のマイクロ波ミキサー回路とダウンコンバ
ータは、ローカル発振用FETに、局部発振周波数出力
に応じたバイアス電流を供給し、局部発振周波数出力を
制御することによりミキサーの変換損失のばらつきを低
減することを特徴とする。
ために本発明のマイクロ波ミキサー回路とダウンコンバ
ータは、ローカル発振用FETに、局部発振周波数出力
に応じたバイアス電流を供給し、局部発振周波数出力を
制御することによりミキサーの変換損失のばらつきを低
減することを特徴とする。
【0008】本発明によれば、周波数変換用ダイオード
のアノードに発生する、ローカル発振器から供給される
局部発振周波数出力を検波して得られる直流電圧に応じ
たバイアス電流を上記FETに供給することにより、局
部発振周波数出力を制御することでミキサーの変換損失
を一定に保持することができる。
のアノードに発生する、ローカル発振器から供給される
局部発振周波数出力を検波して得られる直流電圧に応じ
たバイアス電流を上記FETに供給することにより、局
部発振周波数出力を制御することでミキサーの変換損失
を一定に保持することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、誘電体基板上にマイクロストリップラインにて形成
されるマイクロ波信号入力部と、上記マイクロストリッ
プラインにバンドパスフィルタを介して接続されるロー
カル発振用FETを備えるとともに、該マイクロストリ
ップラインの終端部にアノードを接続しカソードを接地
するダイオードと、上記ダイオードのアノードに発生す
る直流電圧を取り出す検波端子を備え、検波端子に発生
する直流電圧に応じたバイアス電流によってローカル発
振用FETの局部発振周波数出力を制御するバイアス供
給回路を具備するマイクロ波ミキサー回路であり、周波
数変換用ダイオードのアノードに発生するローカル発振
器から供給される局部発振周波数出力を検波して得られ
る直流電圧に応じたバイアス電流を上記ローカル発振用
FETのドレインに供給し、局部発振周波数出力を制御
することで、ミキサーの変換損失を一定に保持すること
ができるという作用を有する。
は、誘電体基板上にマイクロストリップラインにて形成
されるマイクロ波信号入力部と、上記マイクロストリッ
プラインにバンドパスフィルタを介して接続されるロー
カル発振用FETを備えるとともに、該マイクロストリ
ップラインの終端部にアノードを接続しカソードを接地
するダイオードと、上記ダイオードのアノードに発生す
る直流電圧を取り出す検波端子を備え、検波端子に発生
する直流電圧に応じたバイアス電流によってローカル発
振用FETの局部発振周波数出力を制御するバイアス供
給回路を具備するマイクロ波ミキサー回路であり、周波
数変換用ダイオードのアノードに発生するローカル発振
器から供給される局部発振周波数出力を検波して得られ
る直流電圧に応じたバイアス電流を上記ローカル発振用
FETのドレインに供給し、局部発振周波数出力を制御
することで、ミキサーの変換損失を一定に保持すること
ができるという作用を有する。
【0010】本発明の請求項2に記載の発明は、12G
Hz帯のマイクロ波信号をTEM波に変換するプローブ
と、複数の低雑音増幅器と、低雑音増幅器に接続される
マイクロストリップラインと、上記マイクロストリップ
ラインにバンドパスフィルタを介して接続されるローカ
ル発振用FETを備えるとともに、該マイクロストリッ
プラインの終端部にアノードを接続しカソードを接地す
るダイオードと、上記ダイオードのアノードに発生する
直流電圧を取り出す検波端子を備え、検波端子に発生す
る直流電圧に応じたバイアス電流によってローカル発振
用FETの局部発振周波数出力を制御するバイアス供給
回路を具備するダウンコンバータであり、周波数変換用
ダイオードのアノードに発生する、ローカル発振器から
供給される局部発振周波数出力を検波して得られる直流
電圧に応じたバイアス電流を上記ローカル発振用FET
のドレインに供給し、局部発振周波数出力を制御するこ
とで、ミキサーの変換損失を一定に保持することができ
るという作用を有する。
Hz帯のマイクロ波信号をTEM波に変換するプローブ
と、複数の低雑音増幅器と、低雑音増幅器に接続される
マイクロストリップラインと、上記マイクロストリップ
ラインにバンドパスフィルタを介して接続されるローカ
ル発振用FETを備えるとともに、該マイクロストリッ
プラインの終端部にアノードを接続しカソードを接地す
るダイオードと、上記ダイオードのアノードに発生する
直流電圧を取り出す検波端子を備え、検波端子に発生す
る直流電圧に応じたバイアス電流によってローカル発振
用FETの局部発振周波数出力を制御するバイアス供給
回路を具備するダウンコンバータであり、周波数変換用
ダイオードのアノードに発生する、ローカル発振器から
供給される局部発振周波数出力を検波して得られる直流
電圧に応じたバイアス電流を上記ローカル発振用FET
のドレインに供給し、局部発振周波数出力を制御するこ
とで、ミキサーの変換損失を一定に保持することができ
るという作用を有する。
【0011】以下、本発明の実施の形態について、図1
から図2を参照しながら説明する。 (実施の形態1)図1は本発明の第1の実施例における
マイクロ波ミキサー回路および中間周波増幅器の回路パ
ターン図を示すものである。
から図2を参照しながら説明する。 (実施の形態1)図1は本発明の第1の実施例における
マイクロ波ミキサー回路および中間周波増幅器の回路パ
ターン図を示すものである。
【0012】図1において、1はマイクロ波信号入力
部、2はトランジスター、3はローカル発振用FET、
4はマイクロストリップラインによって構成される共振
線路、5は誘電体共振器、6は終端抵抗、7はローカル
周波数を通過させるBPF、8はMSL、9は周波数変
換用のショットキーバリアーダイオード(以下SBDと
略す)、10はSBD9にバイアス電流を供給するバイ
アス端子、11はSBD9に発生するローカル発振用F
ET3より供給される局部発振周波数出力に応じた直流
電圧を取り出す検波端子、、12は中間周波信号を通過
させるLPF、13及び14は中間周波増幅器、15は
中間周波信号出力部、16は抵抗17、18によって設
定された基準電圧と検波端子11に発生する直流電圧と
が同じ電圧になるようにトランジスター2に供給するバ
イアス電流を制御するバイアス供給回路である。
部、2はトランジスター、3はローカル発振用FET、
4はマイクロストリップラインによって構成される共振
線路、5は誘電体共振器、6は終端抵抗、7はローカル
周波数を通過させるBPF、8はMSL、9は周波数変
換用のショットキーバリアーダイオード(以下SBDと
略す)、10はSBD9にバイアス電流を供給するバイ
アス端子、11はSBD9に発生するローカル発振用F
ET3より供給される局部発振周波数出力に応じた直流
電圧を取り出す検波端子、、12は中間周波信号を通過
させるLPF、13及び14は中間周波増幅器、15は
中間周波信号出力部、16は抵抗17、18によって設
定された基準電圧と検波端子11に発生する直流電圧と
が同じ電圧になるようにトランジスター2に供給するバ
イアス電流を制御するバイアス供給回路である。
【0013】以上のように構成されるマイクロ波ミキサ
ー回路および中間周波増幅器の動作について、以下、説
明する。マイクロ波信号入力部1に入力された12GH
z帯のマイクロ波信号は、BPF7を介して供給される
ローカル発振用FET3のゲート及び終端抵抗6に接続
される共振線路4と誘電体共振器5によって設定された
局部発振周波数(例えば10.678GHz)とともに
MSL8へと導かれる。MSL8に接続されたSBD9
のアノードにはローカル発振用FET3より供給される
局部発振周波数出力に応じた直流電圧が検波端子11よ
り取り出される。検波端子11に発生した直流電圧は、
抵抗17、18によってあらかじめ設定された変換損失
が最小となる電圧と比較され、両者が同じ電圧になるよ
うにバイアス供給回路16からトランジスター2のベー
スに供給するバイアス電流を可変することによってロー
カル発振用FET3のドレインに供給するバイアス電流
を変化させ局部発振周波数出力が最適になるように制御
される。従って、SBD9は、ローカル発振用FET3
のばらつきの影響を受けずに、常に良好な変換損失を実
現できる。SBD9によって1GHz帯の中間周波信号
に変換されたマイクロ波信号はLPF12を通過後、中
間周波増幅器13及び14によって所望のレベルまで増
幅された後、中間周波信号出力部15より取り出され
る。
ー回路および中間周波増幅器の動作について、以下、説
明する。マイクロ波信号入力部1に入力された12GH
z帯のマイクロ波信号は、BPF7を介して供給される
ローカル発振用FET3のゲート及び終端抵抗6に接続
される共振線路4と誘電体共振器5によって設定された
局部発振周波数(例えば10.678GHz)とともに
MSL8へと導かれる。MSL8に接続されたSBD9
のアノードにはローカル発振用FET3より供給される
局部発振周波数出力に応じた直流電圧が検波端子11よ
り取り出される。検波端子11に発生した直流電圧は、
抵抗17、18によってあらかじめ設定された変換損失
が最小となる電圧と比較され、両者が同じ電圧になるよ
うにバイアス供給回路16からトランジスター2のベー
スに供給するバイアス電流を可変することによってロー
カル発振用FET3のドレインに供給するバイアス電流
を変化させ局部発振周波数出力が最適になるように制御
される。従って、SBD9は、ローカル発振用FET3
のばらつきの影響を受けずに、常に良好な変換損失を実
現できる。SBD9によって1GHz帯の中間周波信号
に変換されたマイクロ波信号はLPF12を通過後、中
間周波増幅器13及び14によって所望のレベルまで増
幅された後、中間周波信号出力部15より取り出され
る。
【0014】(実施例の形態2)図2は本発明の第2の
実施例におけるダウンコンバータの回路パターン図を示
すものである。
実施例におけるダウンコンバータの回路パターン図を示
すものである。
【0015】図3において19は衛星より放射される1
2GHz帯のマイクロ波信号をマイクロストリップライ
ンを伝搬する準TEM波に変換するプローブ、20及び
21はHEMT等の低雑音素子にて構成される低雑音増
幅器、 2はトランジスター、3はローカル発振用FE
T、4はマイクロストリップラインによって構成される
共振線路、5は誘電体共振器、6は終端抵抗、7はロー
カル周波数を通過させるBPF、8はMSL、9は周波
数変換用のSBD、10はSBD9にバイアス電流を供
給するバイアス端子、11はSBD9に発生するローカ
ル発振用FET3より供給される局部発振周波数出力に
応じた直流電圧を取り出す検波端子、、12は中間周波
信号を通過させるLPF、13及び14は中間周波増幅
器、15は中間周波信号出力部、16は抵抗17、18
によって設定された基準電圧と検波端子11に発生する
直流電圧とが同じ電圧になるようにトランジスター2に
供給するバイアス電流を制御するバイアス供給回路であ
る。
2GHz帯のマイクロ波信号をマイクロストリップライ
ンを伝搬する準TEM波に変換するプローブ、20及び
21はHEMT等の低雑音素子にて構成される低雑音増
幅器、 2はトランジスター、3はローカル発振用FE
T、4はマイクロストリップラインによって構成される
共振線路、5は誘電体共振器、6は終端抵抗、7はロー
カル周波数を通過させるBPF、8はMSL、9は周波
数変換用のSBD、10はSBD9にバイアス電流を供
給するバイアス端子、11はSBD9に発生するローカ
ル発振用FET3より供給される局部発振周波数出力に
応じた直流電圧を取り出す検波端子、、12は中間周波
信号を通過させるLPF、13及び14は中間周波増幅
器、15は中間周波信号出力部、16は抵抗17、18
によって設定された基準電圧と検波端子11に発生する
直流電圧とが同じ電圧になるようにトランジスター2に
供給するバイアス電流を制御するバイアス供給回路であ
る。
【0016】以上のように構成されたダウンコンバータ
の動作について、以下に説明する。衛星より放射された
マイクロ波信号は、プローブ19によってマイクロスト
リップラインを伝搬する準TEM波に変換され低雑音増
幅器20および21によって低雑音増幅されたのち、B
PF7を介して供給されるローカル発振用FET3のゲ
ート及び終端抵抗6に接続される共振線路4と誘電体共
振器5によって設定された局部発振周波数(例えば1
0.678GHz)とともにMSL8へと導かれる。M
SL8に接続されたSBD9のアノードにはローカル発
振用FET3より供給される局部発振周波数出力に応じ
た直流電圧が検波端子11より取り出される。検波端子
11に発生した直流電圧は、抵抗17、18によってあ
らかじめ設定された変換損失が最小となる電圧と比較さ
れ、両者が同じ電圧になるようにバイアス供給回路16
からトランジスター2のベースに供給するバイアス電流
を可変することによってローカル発振用FET3のドレ
インに供給するバイアス電流を変化させ局部発振周波数
出力が最適になるように制御される。従って、SBD9
は、ローカル発振用FET3のばらつきの影響を受けず
に、常に良好な変換損失を実現できる。SBD9によっ
て1GHz帯の中間周波信号に変換されたマイクロ波信
号はLPF12を通過後、中間周波増幅器13及び14
によって所望のレベルまで増幅された後、中間周波信号
出力部15より取り出される。
の動作について、以下に説明する。衛星より放射された
マイクロ波信号は、プローブ19によってマイクロスト
リップラインを伝搬する準TEM波に変換され低雑音増
幅器20および21によって低雑音増幅されたのち、B
PF7を介して供給されるローカル発振用FET3のゲ
ート及び終端抵抗6に接続される共振線路4と誘電体共
振器5によって設定された局部発振周波数(例えば1
0.678GHz)とともにMSL8へと導かれる。M
SL8に接続されたSBD9のアノードにはローカル発
振用FET3より供給される局部発振周波数出力に応じ
た直流電圧が検波端子11より取り出される。検波端子
11に発生した直流電圧は、抵抗17、18によってあ
らかじめ設定された変換損失が最小となる電圧と比較さ
れ、両者が同じ電圧になるようにバイアス供給回路16
からトランジスター2のベースに供給するバイアス電流
を可変することによってローカル発振用FET3のドレ
インに供給するバイアス電流を変化させ局部発振周波数
出力が最適になるように制御される。従って、SBD9
は、ローカル発振用FET3のばらつきの影響を受けず
に、常に良好な変換損失を実現できる。SBD9によっ
て1GHz帯の中間周波信号に変換されたマイクロ波信
号はLPF12を通過後、中間周波増幅器13及び14
によって所望のレベルまで増幅された後、中間周波信号
出力部15より取り出される。
【0017】
【発明の効果】以上のように本発明は、ダイオードのア
ノードにバイアス電圧を供給するバイアス端子及びアノ
ードに発生する直流電圧を取り出す検波端子と、検波端
子に発生する直流電圧に応じたバイアス電流をローカル
発振用FETに供給するバイアス供給回路を付加するこ
とにより、ローカル発振用FETのばらつきに対して安
定した特性が得られる、安価で小型のマイクロ波ミキサ
ーとダウンコンバータを実現するものである。
ノードにバイアス電圧を供給するバイアス端子及びアノ
ードに発生する直流電圧を取り出す検波端子と、検波端
子に発生する直流電圧に応じたバイアス電流をローカル
発振用FETに供給するバイアス供給回路を付加するこ
とにより、ローカル発振用FETのばらつきに対して安
定した特性が得られる、安価で小型のマイクロ波ミキサ
ーとダウンコンバータを実現するものである。
【図1】本発明の第1の実施例におけるマイクロ波ミキ
サー回路の回路パターン図
サー回路の回路パターン図
【図2】本発明の第2の実施例におけるマイクロ波ミキ
サー回路の回路パターン図
サー回路の回路パターン図
【図3】従来のマイクロ波ミキサー回路の回路パターン
図
図
1 マイクロ波信号入力部 2 トランジスター 3 ローカル発振用FET 4 共振線路 5 誘電体共振器 6 終端抵抗 7 BPF 8 MSL 9 SBD 10 バイアス端子 11 検波端子 12 LPF 13、14 中間周波増幅器 15 中間周波信号出力部 16 バイアス供給回路 17、18 抵抗 19 プローブ 20、21 低雑音増幅器
Claims (2)
- 【請求項1】 誘電体基板上にマイクロストリップライ
ンにて形成されるマイクロ波信号入力部と、上記マイク
ロストリップラインにバンドパスフィルタを介して接続
されるローカル発振用FETを備えるとともに、該マイ
クロストリップラインの終端部にアノードを接続しカソ
ードを接地するダイオードと、上記ダイオードのアノー
ドに発生する直流電圧を取り出す検波端子を備え、検波
端子に発生する直流電圧に応じたバイアス電流によって
ローカル発振用FETの局部発振周波数出力を制御する
バイアス供給回路を具備するマイクロ波ミキサー回路。 - 【請求項2】 12GHz帯のマイクロ波信号をTEM
波に変換するプローブと、複数の低雑音増幅器と、低雑
音増幅器に接続されるマイクロストリップラインと、上
記マイクロストリップラインにバンドパスフィルタを介
して接続されるローカル発振用FETを備えるととも
に、該マイクロストリップラインの終端部にアノードを
接続しカソードを接地するダイオードと、上記ダイオー
ドのアノードに発生する直流電圧を取り出す検波端子を
備え、検波端子に発生する直流電圧に応じたバイアス電
流によってローカル発振用FETの局部発振周波数出力
を制御するバイアス供給回路を具備するダウンコンバー
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8262672A JPH10107549A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | マイクロ波ミキサー回路とダウンコンバータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8262672A JPH10107549A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | マイクロ波ミキサー回路とダウンコンバータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10107549A true JPH10107549A (ja) | 1998-04-24 |
Family
ID=17379002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8262672A Pending JPH10107549A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | マイクロ波ミキサー回路とダウンコンバータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10107549A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010097032A (ko) * | 2000-04-19 | 2001-11-08 | 김화열 | 마이크로파 통신용 무선 송수신 회로 장치 |
-
1996
- 1996-10-03 JP JP8262672A patent/JPH10107549A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010097032A (ko) * | 2000-04-19 | 2001-11-08 | 김화열 | 마이크로파 통신용 무선 송수신 회로 장치 |
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