JPH10111203A - 静電容量式半導体センサ及びその製造方法 - Google Patents
静電容量式半導体センサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10111203A JPH10111203A JP26736796A JP26736796A JPH10111203A JP H10111203 A JPH10111203 A JP H10111203A JP 26736796 A JP26736796 A JP 26736796A JP 26736796 A JP26736796 A JP 26736796A JP H10111203 A JPH10111203 A JP H10111203A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon substrate
- silicon
- oxide film
- film
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極間の距離の精度が高く、センサ特性が安
定しており、一般の半導体装置の製造装置を共用するこ
とができ、更に集積回路もセンサチップ上に形成するこ
とができ、チップの小型化も可能な静電容量式半導体セ
ンサ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 シリコン基板１１と、このシリコン基板
１１上に中央部を欠落して形成された酸化膜１２と、こ
の酸化膜上に形成されたシリコン膜１４とを有する。そ
して、酸化膜１２の欠落部分において、シリコン基板１
１とシリコン膜１４との間に空隙１３が形成されてい
る。
定しており、一般の半導体装置の製造装置を共用するこ
とができ、更に集積回路もセンサチップ上に形成するこ
とができ、チップの小型化も可能な静電容量式半導体セ
ンサ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 シリコン基板１１と、このシリコン基板
１１上に中央部を欠落して形成された酸化膜１２と、こ
の酸化膜上に形成されたシリコン膜１４とを有する。そ
して、酸化膜１２の欠落部分において、シリコン基板１
１とシリコン膜１４との間に空隙１３が形成されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は静電容量式の加速度
センサ及び圧力センサ等の静電容量式半導体センサ及び
その製造方法に関し、特に、センサ特性のバランスが少
なく、且つアルカリ系のエッチング液を使用することな
く形成することができる静電容量式半導体センサ及びそ
の製造方法に関する。
センサ及び圧力センサ等の静電容量式半導体センサ及び
その製造方法に関し、特に、センサ特性のバランスが少
なく、且つアルカリ系のエッチング液を使用することな
く形成することができる静電容量式半導体センサ及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来の静電容量式半導体圧力セン
サを示す図である。シリコン基板１の下面はその中央部
がＫＯＨ等のエッチング液によりエッチングされて凹部
３が形成されており、下面中央部に所定の厚さのダイヤ
フラム２が形成されている。一方、ガラス基板４はエッ
チング液によりエッチングされてその下面中央部に凹部
５が形成されている。そして、ガラス基板４の下面凹部
５内には、電極７が形成されており、ダイヤフラム２の
上面には拡散層６が形成されている。そして、ガラス基
板４とシリコン基板１とが相互に陽極接合されて静電容
量式半導体圧力センサが組み立てられている。また、電
極７と、拡散層６とは、ガラス基板４及びシリコン基板
１に形成された配線により、外部の電気回路まで導出さ
れている。
サを示す図である。シリコン基板１の下面はその中央部
がＫＯＨ等のエッチング液によりエッチングされて凹部
３が形成されており、下面中央部に所定の厚さのダイヤ
フラム２が形成されている。一方、ガラス基板４はエッ
チング液によりエッチングされてその下面中央部に凹部
５が形成されている。そして、ガラス基板４の下面凹部
５内には、電極７が形成されており、ダイヤフラム２の
上面には拡散層６が形成されている。そして、ガラス基
板４とシリコン基板１とが相互に陽極接合されて静電容
量式半導体圧力センサが組み立てられている。また、電
極７と、拡散層６とは、ガラス基板４及びシリコン基板
１に形成された配線により、外部の電気回路まで導出さ
れている。
【０００３】この静電容量式半導体圧力センサにおいて
は、圧力が常圧から変化すると、ガラス基板４上の電極
７と、シリコン基板１上の拡散層６との間の距離が変化
し、それによって、電極７と拡散層６との間の容量が変
化する。この容量の変化を電気信号として取り出す。
は、圧力が常圧から変化すると、ガラス基板４上の電極
７と、シリコン基板１上の拡散層６との間の距離が変化
し、それによって、電極７と拡散層６との間の容量が変
化する。この容量の変化を電気信号として取り出す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の静電容量式半導体圧力センサにおいては、ガラス
基板４とシリコン基板１とを貼り合わせることにより組
み立てられるため、電極７と拡散層６とが位置ずれを起
こしやすい。また、ガラス基板４をエッチングして凹部
５を形成し、その凹部内面に電極７を形成するため、電
極７と拡散層６との間の距離はエッチング深さにより決
まる。このため、エッチングのばらつきにより、電極間
距離が変動するため、エッチング精度により圧力センサ
特性が変動してしまうという欠点がある。
従来の静電容量式半導体圧力センサにおいては、ガラス
基板４とシリコン基板１とを貼り合わせることにより組
み立てられるため、電極７と拡散層６とが位置ずれを起
こしやすい。また、ガラス基板４をエッチングして凹部
５を形成し、その凹部内面に電極７を形成するため、電
極７と拡散層６との間の距離はエッチング深さにより決
まる。このため、エッチングのばらつきにより、電極間
距離が変動するため、エッチング精度により圧力センサ
特性が変動してしまうという欠点がある。
【０００５】また、従来の半導体圧力センサの製造方法
においては、アルカリ系のエッチング液を使用する湿式
エッチングにより、シリコン基板１及びガラス基板４に
凹部３、５を形成するため、この圧力センサの製造工程
を半導体装置の製造工程と混在させることができず、専
用の装置を使用することが必要であるという難点があ
る。また、このアルカリ液を使用した湿式エッチングに
より形成するため、チップ上に微細な集積回路等を形成
することは歩留の点で困難であり、またチップの小型化
も限界がある。
においては、アルカリ系のエッチング液を使用する湿式
エッチングにより、シリコン基板１及びガラス基板４に
凹部３、５を形成するため、この圧力センサの製造工程
を半導体装置の製造工程と混在させることができず、専
用の装置を使用することが必要であるという難点があ
る。また、このアルカリ液を使用した湿式エッチングに
より形成するため、チップ上に微細な集積回路等を形成
することは歩留の点で困難であり、またチップの小型化
も限界がある。
【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、電極間の距離の精度が高く、センサ特性が
安定しており、一般の半導体装置の製造装置を共用する
ことができ、更に微細な集積回路もセンサチップ上に形
成することができ、チップの小型化も可能な静電容量式
半導体センサ及びその製造方法を提供することを目的と
する。
のであって、電極間の距離の精度が高く、センサ特性が
安定しており、一般の半導体装置の製造装置を共用する
ことができ、更に微細な集積回路もセンサチップ上に形
成することができ、チップの小型化も可能な静電容量式
半導体センサ及びその製造方法を提供することを目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る静電容量式
半導体センサは、シリコン基板と、このシリコン基板上
に中央部を欠落して形成された酸化膜と、この酸化膜上
に形成されたシリコン膜とを有し、前記酸化膜の欠落部
分において前記シリコン基板とシリコン膜との間に空隙
が形成されていることを特徴とする。
半導体センサは、シリコン基板と、このシリコン基板上
に中央部を欠落して形成された酸化膜と、この酸化膜上
に形成されたシリコン膜とを有し、前記酸化膜の欠落部
分において前記シリコン基板とシリコン膜との間に空隙
が形成されていることを特徴とする。
【０００８】この静電容量式半導体センサにおいては、
前記シリコン基板及びシリコン膜の抵抗値は０．１Ωｃ
ｍ以下であることが好ましい。
前記シリコン基板及びシリコン膜の抵抗値は０．１Ωｃ
ｍ以下であることが好ましい。
【０００９】本発明に係る他の静電容量式半導体センサ
は、前記シリコン基板と、シリコン膜とが対向する面
に、不純物濃度（ボロン、リン等）が１×１０18ａｔｏ
ｍｓ・ｃｍ-3以上の高濃度拡散層を有する。
は、前記シリコン基板と、シリコン膜とが対向する面
に、不純物濃度（ボロン、リン等）が１×１０18ａｔｏ
ｍｓ・ｃｍ-3以上の高濃度拡散層を有する。
【００１０】本発明に係る静電容量式半導体センサの製
造方法は、シリコン基板を酸化して表面に酸化層を形成
する工程と、フォトリソエッチングにより前記酸化層を
エッチングして所定部分が欠落した酸化膜を形成する工
程と、前記酸化膜上に他のシリコン基板を貼り合わせる
工程と、この他のシリコン基板を研磨して所定の厚さの
シリコン膜を形成する工程と、を有することを特徴とす
る。
造方法は、シリコン基板を酸化して表面に酸化層を形成
する工程と、フォトリソエッチングにより前記酸化層を
エッチングして所定部分が欠落した酸化膜を形成する工
程と、前記酸化膜上に他のシリコン基板を貼り合わせる
工程と、この他のシリコン基板を研磨して所定の厚さの
シリコン膜を形成する工程と、を有することを特徴とす
る。
【００１１】この静電容量式半導体センサの製造方法に
おいては、更に、前記シリコン膜の上に、金属配線層を
形成することができる。
おいては、更に、前記シリコン膜の上に、金属配線層を
形成することができる。
【００１２】本発明においては、シリコン基板とシリコ
ン膜とが酸化膜をスペーサとして積層されており、酸化
膜の欠落部分において、シリコン基板とシリコン膜とに
挟まれた空隙が形成されている。そして、シリコン基板
とシリコン膜との間の電位を印加し、両者間の容量を検
出すると、圧力が印加されたときにシリコン膜が変形
し、シリコン基板とシリコン膜との間の容量が変化す
る。この容量変化を電気的に検出することにより圧力又
は圧力変化が検出される。
ン膜とが酸化膜をスペーサとして積層されており、酸化
膜の欠落部分において、シリコン基板とシリコン膜とに
挟まれた空隙が形成されている。そして、シリコン基板
とシリコン膜との間の電位を印加し、両者間の容量を検
出すると、圧力が印加されたときにシリコン膜が変形
し、シリコン基板とシリコン膜との間の容量が変化す
る。この容量変化を電気的に検出することにより圧力又
は圧力変化が検出される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について添
付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明の
実施例に係る静電容量式半導体圧力センサを示す断面
図、図２は同じくその平面図である。なお、図１は図２
のＡ−Ａ線による断面図である。シリコン基板１１の上
に、中央部に円形の欠落部を有するＳｉＯ2酸化膜１２
が形成されている。そして、この酸化膜１２上にシリコ
ン膜１４が積層されており、酸化膜１２の欠落部に、こ
の酸化膜１２に囲まれ、シリコン基板１１及びシリコン
膜１４に挟まれた空隙１３形成されている。また、シリ
コン基板１１の裏面に電極１５が形成されており、シリ
コン膜１４上に電極１６が形成されている。シリコン基
板１１及びシリコン膜１４は、抵抗値が０．１Ω・ｃｍ
以下である。これにより、シリコン基板１１及びシリコ
ン膜１４は十分に高い導電性を具備する。
付の図面を参照して具体的に説明する。図１は本発明の
実施例に係る静電容量式半導体圧力センサを示す断面
図、図２は同じくその平面図である。なお、図１は図２
のＡ−Ａ線による断面図である。シリコン基板１１の上
に、中央部に円形の欠落部を有するＳｉＯ2酸化膜１２
が形成されている。そして、この酸化膜１２上にシリコ
ン膜１４が積層されており、酸化膜１２の欠落部に、こ
の酸化膜１２に囲まれ、シリコン基板１１及びシリコン
膜１４に挟まれた空隙１３形成されている。また、シリ
コン基板１１の裏面に電極１５が形成されており、シリ
コン膜１４上に電極１６が形成されている。シリコン基
板１１及びシリコン膜１４は、抵抗値が０．１Ω・ｃｍ
以下である。これにより、シリコン基板１１及びシリコ
ン膜１４は十分に高い導電性を具備する。
【００１４】次に、上述の静電容量式半導体圧力センサ
の製造方法について説明する。図３は本実施例の製造方
法を工程順に示す断面図である。図３（ａ）に示すよう
に、シリコン基板（シリコンウエハ）１１を酸化して、
その表裏両面に酸化層２１、２２を形成する。
の製造方法について説明する。図３は本実施例の製造方
法を工程順に示す断面図である。図３（ａ）に示すよう
に、シリコン基板（シリコンウエハ）１１を酸化して、
その表裏両面に酸化層２１、２２を形成する。
【００１５】次いで、図３（ｂ）に示すように、酸化膜
２１上に、図４（ａ）に示すような中央部に円形の欠落
部を有するパターンのレジスト２３を形成し、これをフ
ッ酸系エッチング液中に浸漬する。これにより、シリコ
ン基板１１の裏面上の酸化膜２２と、レジスト２３によ
り被覆されていない酸化膜２１の部分とがエッチングさ
れて除去される。これにより、酸化膜２１が存在してい
た部分に、図４（ｂ）に示すような中央部に円形の欠落
部２５を有する酸化膜１２が形成される。
２１上に、図４（ａ）に示すような中央部に円形の欠落
部を有するパターンのレジスト２３を形成し、これをフ
ッ酸系エッチング液中に浸漬する。これにより、シリコ
ン基板１１の裏面上の酸化膜２２と、レジスト２３によ
り被覆されていない酸化膜２１の部分とがエッチングさ
れて除去される。これにより、酸化膜２１が存在してい
た部分に、図４（ｂ）に示すような中央部に円形の欠落
部２５を有する酸化膜１２が形成される。
【００１６】その後、図３（ｃ）に示すように、レジス
ト２３を除去した後、他のシリコン基板２４を酸化膜１
２上に貼り合わせる。これは、酸化膜１２とシリコン基
板２４とを重ね、適宜の荷重で両者を挟圧しつつ、窒素
雰囲気中で約１０００℃に２時間加熱することにより、
酸化膜１２とシリコン層２４とが接合される。
ト２３を除去した後、他のシリコン基板２４を酸化膜１
２上に貼り合わせる。これは、酸化膜１２とシリコン基
板２４とを重ね、適宜の荷重で両者を挟圧しつつ、窒素
雰囲気中で約１０００℃に２時間加熱することにより、
酸化膜１２とシリコン層２４とが接合される。
【００１７】次いで、図３（ｄ）に示すように、シリコ
ン層２４の表面を研磨することにより、所定の厚さのシ
リコン膜１４を形成する。これにより、シリコン膜１
４、シリコン基板１１及び酸化膜１２に囲まれた空隙１
３が形成される。
ン層２４の表面を研磨することにより、所定の厚さのシ
リコン膜１４を形成する。これにより、シリコン膜１
４、シリコン基板１１及び酸化膜１２に囲まれた空隙１
３が形成される。
【００１８】その後、シリコン膜１４上にアルミニウム
電極１６を形成し、シリコン基板１１の裏面にアルミニ
ウム電極１５を形成する。このようにして、静電容量式
半導体圧力センサが製造される。電極１５、１６は外部
に導出されて、シリコン膜１４とシリコン基板１１との
間の静電容量が測定される。
電極１６を形成し、シリコン基板１１の裏面にアルミニ
ウム電極１５を形成する。このようにして、静電容量式
半導体圧力センサが製造される。電極１５、１６は外部
に導出されて、シリコン膜１４とシリコン基板１１との
間の静電容量が測定される。
【００１９】このように構成された静電容量式半導体圧
力センサにおいては、圧力がシリコン膜１４に作用して
シリコン膜１４が変形すると、シリコン膜１４とシリコ
ン基板１１との間隔が変化し、両者の間の静電容量が変
化する。この静電容量の変化は電極１５、１６を介して
検出され、圧力又は圧力の変化が検出される。
力センサにおいては、圧力がシリコン膜１４に作用して
シリコン膜１４が変形すると、シリコン膜１４とシリコ
ン基板１１との間隔が変化し、両者の間の静電容量が変
化する。この静電容量の変化は電極１５、１６を介して
検出され、圧力又は圧力の変化が検出される。
【００２０】本実施例においては、シリコン膜１４とシ
リコン基板１１との間の静電容量は酸化膜１２の厚さに
より決まるが、この酸化膜１２はシリコンウエハの熱酸
化により形成されるので、高精度で膜厚を制御すること
ができる。このため、空隙の間隔を高精度で制御するこ
とができる。また、シリコン膜１４とシリコン基板１１
との対向領域は酸化膜１２に遮られていない領域として
決められるので、電極同士の位置ずれが生じることはな
い。従って、圧力センサとしてその特性が安定してい
る。また、本実施例においては、酸化膜のエッチングに
フッ酸系のエッチング液を使用し、アルカリ系のエッチ
ング液を使用しなくても、本実施例のセンサを製造でき
るため、通常の半導体装置の製造装置をそのまま流用す
ることができる。このため、本実施例のセンサは専用の
装置によらず、製造することができる。
リコン基板１１との間の静電容量は酸化膜１２の厚さに
より決まるが、この酸化膜１２はシリコンウエハの熱酸
化により形成されるので、高精度で膜厚を制御すること
ができる。このため、空隙の間隔を高精度で制御するこ
とができる。また、シリコン膜１４とシリコン基板１１
との対向領域は酸化膜１２に遮られていない領域として
決められるので、電極同士の位置ずれが生じることはな
い。従って、圧力センサとしてその特性が安定してい
る。また、本実施例においては、酸化膜のエッチングに
フッ酸系のエッチング液を使用し、アルカリ系のエッチ
ング液を使用しなくても、本実施例のセンサを製造でき
るため、通常の半導体装置の製造装置をそのまま流用す
ることができる。このため、本実施例のセンサは専用の
装置によらず、製造することができる。
【００２１】なお、酸化膜１２として、図４（ａ）に示
すように、円形の欠落部２５を有するものに限らず、図
４（ｃ）に示すように、円形の欠落部と、この円形欠落
部から一方の縁部までに至る直線部を有する形状とする
ことにより、図３（ｃ）の工程で形成される空隙１３
は、密閉されず、外部に連通するものとなる。これによ
り、差圧タイプのセンサを得ることができる。
すように、円形の欠落部２５を有するものに限らず、図
４（ｃ）に示すように、円形の欠落部と、この円形欠落
部から一方の縁部までに至る直線部を有する形状とする
ことにより、図３（ｃ）の工程で形成される空隙１３
は、密閉されず、外部に連通するものとなる。これによ
り、差圧タイプのセンサを得ることができる。
【００２２】図５は本発明の第２の実施例に係る静電容
量式半導体圧力センサを示す断面図である。シリコン膜
３４とシリコン基板３１との間に、中央部に欠落部を有
する酸化膜３２が形成されている。そして、シリコン基
板３１及びシリコン膜３４の相互に対向する面に夫々高
濃度拡散層３５、３６が形成されている。また、高濃度
拡散層３５に接続され、シリコン基板３１を厚さ方向に
貫通する高濃度拡散層であるリード部３７がシリコン基
板３１に形成されており、高濃度拡散層３６からシリコ
ン膜３４をその厚さ方向に延びるリード部３８がシリコ
ン膜３４に形成されている。なお、拡散層３５、３６及
びリード３７、３８は１×１０18ｃｍ-3以上の高濃度の
不純物（ボロン、リン等）ドーピング濃度を有する。こ
れにより、拡散層３５、３６及びリード３７、３８は十
分に高い導電性を具備する。
量式半導体圧力センサを示す断面図である。シリコン膜
３４とシリコン基板３１との間に、中央部に欠落部を有
する酸化膜３２が形成されている。そして、シリコン基
板３１及びシリコン膜３４の相互に対向する面に夫々高
濃度拡散層３５、３６が形成されている。また、高濃度
拡散層３５に接続され、シリコン基板３１を厚さ方向に
貫通する高濃度拡散層であるリード部３７がシリコン基
板３１に形成されており、高濃度拡散層３６からシリコ
ン膜３４をその厚さ方向に延びるリード部３８がシリコ
ン膜３４に形成されている。なお、拡散層３５、３６及
びリード３７、３８は１×１０18ｃｍ-3以上の高濃度の
不純物（ボロン、リン等）ドーピング濃度を有する。こ
れにより、拡散層３５、３６及びリード３７、３８は十
分に高い導電性を具備する。
【００２３】このように構成された静電容量式半導体圧
力センサにおいては、リード３７、３８を介して拡散層
３５、３６間の静電容量が測定される。本実施例におい
ても、図１に示す実施例と同様に、圧力変化を静電容量
の変化により測定することができる。
力センサにおいては、リード３７、３８を介して拡散層
３５、３６間の静電容量が測定される。本実施例におい
ても、図１に示す実施例と同様に、圧力変化を静電容量
の変化により測定することができる。
【００２４】なお、本実施例の圧力センサも図３に示す
薄膜形成技術により製造することができ、その容量値の
精度は高い。
薄膜形成技術により製造することができ、その容量値の
精度は高い。
【００２５】図６は上述の本実施例の圧力センサを組み
込んだデバイスを示す断面図である。モールド４１は底
部４２と、中間段部４３とを有し、圧力センサチップ４
０は底部４２上に設置されている。そして、チップ４０
の上面の電極は、ボンディングワイヤ４６を介して、モ
ールド４１の中間段部４３上に形成された配線層４５に
接続されており、チップ４０の下面の電極はモールド４
１の底部４２に形成された配線層４４に直接接触して接
続されている。このようにして、チップ４０の各電極は
配線層４４、４５を介して外部に導出されている。
込んだデバイスを示す断面図である。モールド４１は底
部４２と、中間段部４３とを有し、圧力センサチップ４
０は底部４２上に設置されている。そして、チップ４０
の上面の電極は、ボンディングワイヤ４６を介して、モ
ールド４１の中間段部４３上に形成された配線層４５に
接続されており、チップ４０の下面の電極はモールド４
１の底部４２に形成された配線層４４に直接接触して接
続されている。このようにして、チップ４０の各電極は
配線層４４、４５を介して外部に導出されている。
【００２６】なお、上記各実施例は本発明を絶対圧を測
定する圧力センサについて適用されたものであるが、前
述の如く、空隙の形状を図４（ｃ）に示すようにするこ
とにより、差圧を測定することもできる。更に、本発明
を加速度センサ等の圧力センサ以外の半導体センサに適
用することもできる。
定する圧力センサについて適用されたものであるが、前
述の如く、空隙の形状を図４（ｃ）に示すようにするこ
とにより、差圧を測定することもできる。更に、本発明
を加速度センサ等の圧力センサ以外の半導体センサに適
用することもできる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
空隙の間隔の精度は酸化膜の厚さの精度で決まり、この
間隔に直交する方向の空隙の距離、即ち対向電極の大き
さの精度はフォトリソグラフィの精度で決まるため、そ
の容量値の精度は極めて高く、特性が安定した半導体セ
ンサを得ることができる。
空隙の間隔の精度は酸化膜の厚さの精度で決まり、この
間隔に直交する方向の空隙の距離、即ち対向電極の大き
さの精度はフォトリソグラフィの精度で決まるため、そ
の容量値の精度は極めて高く、特性が安定した半導体セ
ンサを得ることができる。
【００２８】そして、その製造工程においては、ＫＯＨ
等のアルカリ系エッチング液を使用しないため、通常の
半導体装置の製造装置を共用することができ、専用の装
置を必要としないので、新たな設備投資が不要である。
また、アルカリ系エッチング液を使用しないため、ＬＳ
Ｉと同様にアルカリイオンによる汚染を嫌う集積回路等
もセンサチップ上に搭載することができる。また、シリ
コン基板の異方性エッチングを行わないので、厚いウエ
ハを使用できるため、工程を移動する間に破損が生じる
ことが抑制され、歩留を向上できると共に、チップを小
型化することもできる。
等のアルカリ系エッチング液を使用しないため、通常の
半導体装置の製造装置を共用することができ、専用の装
置を必要としないので、新たな設備投資が不要である。
また、アルカリ系エッチング液を使用しないため、ＬＳ
Ｉと同様にアルカリイオンによる汚染を嫌う集積回路等
もセンサチップ上に搭載することができる。また、シリ
コン基板の異方性エッチングを行わないので、厚いウエ
ハを使用できるため、工程を移動する間に破損が生じる
ことが抑制され、歩留を向上できると共に、チップを小
型化することもできる。
【図１】本発明の実施例に係る静電容量式半導体圧力セ
ンサを示す断面図である。
ンサを示す断面図である。
【図２】同じくその平面図である。
【図３】同じくその製造方法を工程順に示す断面図であ
る。
る。
【図４】同じくその製造方法における一工程の平面図で
ある。
ある。
【図５】本発明の他の実施例に係る静電容量式半導体圧
力センサを示す断面図である。
力センサを示す断面図である。
【図６】本発明の実施例に係る圧力センサを組み込んだ
装置を示す図である。
装置を示す図である。
【図７】従来の静電容量式半導体圧力センサを示す断面
図である。
図である。
１１、３１：シリコン基板 １２、３２：酸化膜 １３、３３：空隙 １４、３４：シリコン膜 １５、１６：電極 ３５、３６：高濃度拡散層 ３７、３８：リード
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコン基板と、このシリコン基板上に
中央部を欠落して形成された酸化膜と、この酸化膜上に
形成されたシリコン膜とを有し、前記酸化膜の欠落部分
において前記シリコン基板とシリコン膜との間に空隙が
形成されていることを特徴とする静電容量式半導体セン
サ。 - 【請求項２】 前記シリコン基板及びシリコン膜の抵抗
値は０．１Ωｃｍ以下であることを特徴とする請求項１
に記載の静電容量式半導体センサ。 - 【請求項３】 前記シリコン基板と、シリコン膜との対
向する面に、不純物濃度がドーズ量１×１０18ａｔｏｍ
ｓ・ｃｍ-3以上の高濃度拡散層を有することを特徴とす
る請求項１に記載の静電容量式半導体センサ。 - 【請求項４】 シリコン基板を酸化して表面に酸化層を
形成する工程と、フォトリソエッチングにより前記酸化
層をエッチングして所定部分が欠落した酸化膜を形成す
る工程と、前記酸化膜上に他のシリコン基板を貼り合わ
せる工程と、この他のシリコン基板を研磨して所定の厚
さのシリコン膜を形成する工程と、を有することを特徴
とする静電容量式半導体センサの製造方法。 - 【請求項５】 シリコン基板を酸化して表面に酸化層を
形成する工程と、フォトリソエッチングにより前記酸化
層をエッチングして所定部分が欠落した酸化膜を形成す
る工程と、前記酸化膜上に所定の厚さのシリコン膜を貼
り合わせる工程と、を有することを特徴とする静電容量
式半導体センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26736796A JPH10111203A (ja) | 1996-10-08 | 1996-10-08 | 静電容量式半導体センサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26736796A JPH10111203A (ja) | 1996-10-08 | 1996-10-08 | 静電容量式半導体センサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10111203A true JPH10111203A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17443853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26736796A Pending JPH10111203A (ja) | 1996-10-08 | 1996-10-08 | 静電容量式半導体センサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10111203A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1128175A1 (en) * | 2000-02-23 | 2001-08-29 | Ethniko Kentro Erevnas Fisikon Epistimon "Dimokritos" | Long-term stable capacitive pressure sensor made with self-aligned process |
| US6704185B2 (en) | 2000-02-23 | 2004-03-09 | National Center For Scientific Research | Capacitive pressure-responsive devices and their fabrication |
| JP2006047279A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-02-16 | Alps Electric Co Ltd | ガラス基板及びそれを用いた静電容量型圧力センサ |
| JP2007335857A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-27 | Sensirion Ag | 室を有する圧力センサおよびその製造方法 |
| JP2008164586A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-07-17 | Canon Inc | センサ、及びその製造方法 |
| JP2009294152A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Alps Electric Co Ltd | 容量センサパッケージ |
| JP2009300098A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Alps Electric Co Ltd | 容量センサ |
| WO2014148248A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | オムロン株式会社 | 静電容量型圧力センサ及び入力装置 |
-
1996
- 1996-10-08 JP JP26736796A patent/JPH10111203A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1128175A1 (en) * | 2000-02-23 | 2001-08-29 | Ethniko Kentro Erevnas Fisikon Epistimon "Dimokritos" | Long-term stable capacitive pressure sensor made with self-aligned process |
| US6704185B2 (en) | 2000-02-23 | 2004-03-09 | National Center For Scientific Research | Capacitive pressure-responsive devices and their fabrication |
| JP2006047279A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-02-16 | Alps Electric Co Ltd | ガラス基板及びそれを用いた静電容量型圧力センサ |
| JP2007335857A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-27 | Sensirion Ag | 室を有する圧力センサおよびその製造方法 |
| JP2008164586A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-07-17 | Canon Inc | センサ、及びその製造方法 |
| US8336381B2 (en) | 2006-12-04 | 2012-12-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and method of manufacturing the same |
| JP2009294152A (ja) * | 2008-06-06 | 2009-12-17 | Alps Electric Co Ltd | 容量センサパッケージ |
| JP2009300098A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Alps Electric Co Ltd | 容量センサ |
| WO2014148248A1 (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-25 | オムロン株式会社 | 静電容量型圧力センサ及び入力装置 |
| JP2014182031A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Omron Corp | 静電容量型圧力センサ及び入力装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2517467B2 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
| JP3114570B2 (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
| US6445053B1 (en) | Micro-machined absolute pressure sensor | |
| US8384170B2 (en) | Pressure sensor | |
| JPH05304303A (ja) | 加速度センサ及びその製造方法 | |
| JPH10111203A (ja) | 静電容量式半導体センサ及びその製造方法 | |
| JP3198922B2 (ja) | 静電容量型センサの製造方法 | |
| KR20000028948A (ko) | 각속도 센서 제조방법 | |
| JP4907181B2 (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
| KR20080098990A (ko) | 압력센서 제조방법 및 그 구조 | |
| JP4174853B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法及び半導体圧力センサの製造方法 | |
| JP2894478B2 (ja) | 静電容量型圧力センサとその製造方法 | |
| JPH08248061A (ja) | 加速度センサ及びその製造方法 | |
| JPH10284737A (ja) | 静電容量型半導体センサの製造方法 | |
| JPH06163941A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| CN116358744B (zh) | 一种压力传感器的加工方法及压力传感器 | |
| JP2519393B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
| JP4157414B2 (ja) | 静電容量型外力検出装置 | |
| JPH1140820A (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
| JPH10111197A (ja) | ピエゾ抵抗式半導体圧力センサ及びその製造方法 | |
| JP3646980B2 (ja) | 静電容量型センサ及びその製造方法 | |
| JPH04302175A (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
| JPH0797645B2 (ja) | ピエゾ抵抗素子 | |
| JP2007033304A (ja) | 圧力センサの製造方法 | |
| JP3405222B2 (ja) | 半導体加速度センサ素子及びその製造方法 |