JPH10112406A - 垂直磁化膜とその製造方法および垂直磁気画像膜と その製造方法 - Google Patents
垂直磁化膜とその製造方法および垂直磁気画像膜と その製造方法Info
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- JPH10112406A JPH10112406A JP8295590A JP29559096A JPH10112406A JP H10112406 A JPH10112406 A JP H10112406A JP 8295590 A JP8295590 A JP 8295590A JP 29559096 A JP29559096 A JP 29559096A JP H10112406 A JPH10112406 A JP H10112406A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バリウムフェライトなどの垂直磁化膜の製
造には極めて高温の処理装置や複雑な反応プロセスが必
要である。また、垂直磁化膜による画像を形成する技術
は未だ提案されていない。 【解決手段】 遷移金属イオンを含む二・クロム酸塩類
コロイドを支持体面に塗布乾燥させて被膜とし、該被膜
面に垂直に外磁場を作用させながら、該被膜面に光照射
または加熱を行うと、クロムイオンの還元作用により架
橋反応が生ずるが、この際に遷移金属イオンが架橋剤の
一部分として取り込まれて、垂直方向に磁気モーメント
が配向した強磁性が生成される。また、外磁場を作用さ
せながら該被膜面に選択的に光照射または加熱を作用さ
せると選択された部分のみが垂直方向に磁化された潜像
膜を得ることが出来、さらにこの後、現像処理を行うこ
とによって、垂直方向に磁化された可視像膜を得ること
が出来る。
造には極めて高温の処理装置や複雑な反応プロセスが必
要である。また、垂直磁化膜による画像を形成する技術
は未だ提案されていない。 【解決手段】 遷移金属イオンを含む二・クロム酸塩類
コロイドを支持体面に塗布乾燥させて被膜とし、該被膜
面に垂直に外磁場を作用させながら、該被膜面に光照射
または加熱を行うと、クロムイオンの還元作用により架
橋反応が生ずるが、この際に遷移金属イオンが架橋剤の
一部分として取り込まれて、垂直方向に磁気モーメント
が配向した強磁性が生成される。また、外磁場を作用さ
せながら該被膜面に選択的に光照射または加熱を作用さ
せると選択された部分のみが垂直方向に磁化された潜像
膜を得ることが出来、さらにこの後、現像処理を行うこ
とによって、垂直方向に磁化された可視像膜を得ること
が出来る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被膜面に対して垂
直方向な磁化が可能な被膜の構成とその製造方法、およ
び、被膜面に対して垂直方向の磁化が可能な磁気画像膜
の構成とその製造方法に関するものである。
直方向な磁化が可能な被膜の構成とその製造方法、およ
び、被膜面に対して垂直方向の磁化が可能な磁気画像膜
の構成とその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】磁気記録の分野においては、記録密度を
向上させるために、従来の水平磁化膜に代わり、垂直磁
化膜の開発が進められている。現在実用化されている垂
直磁化膜の代表的なものには、バリウムフェライトの塗
布膜がある。これは、焼結法、共沈焼成法、水熱合成
法、フラックス法、またはガラス結晶法などの諸々の製
造方法により合成された六角柱状のバリウムフェライト
粒子を、種々の添加剤を用いて分散媒中に混合、分散さ
せたものを、各種支持体に塗布して製造するものであ
る。
向上させるために、従来の水平磁化膜に代わり、垂直磁
化膜の開発が進められている。現在実用化されている垂
直磁化膜の代表的なものには、バリウムフェライトの塗
布膜がある。これは、焼結法、共沈焼成法、水熱合成
法、フラックス法、またはガラス結晶法などの諸々の製
造方法により合成された六角柱状のバリウムフェライト
粒子を、種々の添加剤を用いて分散媒中に混合、分散さ
せたものを、各種支持体に塗布して製造するものであ
る。
【0003】なお、磁化し得る画像膜を造る方法に関し
ては、磁性インキを用いる印刷法が行われており、その
他としては本出願人により先に特願平7−285438
で提案されたように、二・クロム酸塩類コロイド感光液
の光架橋反応被膜内に遷移金属イオンを取り込む方法が
あるが、垂直に磁化し得る画像膜に関しては、従来技術
は存在しない。
ては、磁性インキを用いる印刷法が行われており、その
他としては本出願人により先に特願平7−285438
で提案されたように、二・クロム酸塩類コロイド感光液
の光架橋反応被膜内に遷移金属イオンを取り込む方法が
あるが、垂直に磁化し得る画像膜に関しては、従来技術
は存在しない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】垂直磁化膜に用いられ
るバリウムフェライト粒子の合成方法としては、上記の
ように多くの方法があるが、いずれの方法においても、
高温での加熱処理や諸薬品処理を含む複雑なプロセスが
必要であるため、製造装置が大がかりになること、およ
び、品質維持のために複雑な諸管理が必要になるという
欠点を有する。また、合成されたバリウムフェライト粒
子を分散媒中に均一に分散させ、支持体に均一な厚さで
塗布するためには、多くの種類の添加剤と複雑なプロセ
スと大がかりな設備が必要であり、これらの管理を行わ
なければならないという欠点がある。
るバリウムフェライト粒子の合成方法としては、上記の
ように多くの方法があるが、いずれの方法においても、
高温での加熱処理や諸薬品処理を含む複雑なプロセスが
必要であるため、製造装置が大がかりになること、およ
び、品質維持のために複雑な諸管理が必要になるという
欠点を有する。また、合成されたバリウムフェライト粒
子を分散媒中に均一に分散させ、支持体に均一な厚さで
塗布するためには、多くの種類の添加剤と複雑なプロセ
スと大がかりな設備が必要であり、これらの管理を行わ
なければならないという欠点がある。
【0005】また、前述のように垂直磁気画像膜を造る
実用的技術は未だ開発されていない状況であるが、垂直
磁化が可能な微細な画像膜を経済的に造る技術が開発さ
れるならば、磁性被膜の新しい応用が展開されることは
容易に予想される。
実用的技術は未だ開発されていない状況であるが、垂直
磁化が可能な微細な画像膜を経済的に造る技術が開発さ
れるならば、磁性被膜の新しい応用が展開されることは
容易に予想される。
【0006】本発明は、従来の垂直磁化膜の製造方法に
おけるような高温加熱処理や複雑な薬品処理を用いず
に、二・クロム酸塩コロイド膜の架橋反応温度以下で、
且つ、極めて簡便なプロセスで実施することが出来る垂
直磁化膜とその製造方法、および、潜像または可視像と
しての垂直磁気画像膜とその製造方法を提供することを
目的とするものである。
おけるような高温加熱処理や複雑な薬品処理を用いず
に、二・クロム酸塩コロイド膜の架橋反応温度以下で、
且つ、極めて簡便なプロセスで実施することが出来る垂
直磁化膜とその製造方法、および、潜像または可視像と
しての垂直磁気画像膜とその製造方法を提供することを
目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、本出願人が先に特願平7−285438で
提案した「磁化し得る被膜および磁化し得る画像膜の製
造方法」をさらに発展させたもので、二・クロム酸塩類
コロイド被膜の架橋反応膜内に遷移金属イオンを取り込
む際に外磁場を作用させて、該被膜内の磁気モーメント
を垂直方向に配向させる方法により製造される垂直磁化
膜とその製造方法、および、垂直磁気画像膜とその製造
方法を提供するものである。
するために、本出願人が先に特願平7−285438で
提案した「磁化し得る被膜および磁化し得る画像膜の製
造方法」をさらに発展させたもので、二・クロム酸塩類
コロイド被膜の架橋反応膜内に遷移金属イオンを取り込
む際に外磁場を作用させて、該被膜内の磁気モーメント
を垂直方向に配向させる方法により製造される垂直磁化
膜とその製造方法、および、垂直磁気画像膜とその製造
方法を提供するものである。
【0008】上記特願平7−285438で述べている
と同様に、二・クロム酸塩類溶液に鉄、ニッケル、コバ
ルト、マンガンなどの遷移金属イオンを加え、これをポ
リビニルアルコール等のコロイド中に混和させて感光液
とする。この感光液を適当な粘度に調整した後に、樹
脂、金属、ガラスその他任意の支持体面に塗布乾燥して
被膜を形成する。
と同様に、二・クロム酸塩類溶液に鉄、ニッケル、コバ
ルト、マンガンなどの遷移金属イオンを加え、これをポ
リビニルアルコール等のコロイド中に混和させて感光液
とする。この感光液を適当な粘度に調整した後に、樹
脂、金属、ガラスその他任意の支持体面に塗布乾燥して
被膜を形成する。
【0009】二・クロム酸塩コロイド感光液に、可視短
波長から紫外光を含む光源で照射を行うか、または、架
橋反応温度以上での加熱を行うと、被膜に含まれている
6価のクロムイオンが3価に還元され、クロムイオンに
配位している酸素原子を介してコロイドを架橋して、被
膜を硬化させることはよく知られている。
波長から紫外光を含む光源で照射を行うか、または、架
橋反応温度以上での加熱を行うと、被膜に含まれている
6価のクロムイオンが3価に還元され、クロムイオンに
配位している酸素原子を介してコロイドを架橋して、被
膜を硬化させることはよく知られている。
【0010】この反応の際に、被膜内に鉄、ニッケル、
コバルト、マンガンなどの遷移金属イオンが含まれてい
ると、3価のクロムイオンが結合している酸素原子にそ
れらの遷移金属イオンが取り込まれて強磁性が現れる。
コバルト、マンガンなどの遷移金属イオンが含まれてい
ると、3価のクロムイオンが結合している酸素原子にそ
れらの遷移金属イオンが取り込まれて強磁性が現れる。
【0011】特願平7−285438においてはこのよ
うに、遷移金属イオンを含む二・クロム酸塩類コロイド
からなる被膜に、光架橋反応を生じさせ、その際にコロ
イドの架橋剤の一部分として強磁性部分を生成させるも
のであるため、光架橋反応部分には極めて均一分散性の
優れた磁化膜が生成されるものであるが、このままの状
態では全体的に磁気モーメントの方向が定まらないた
め、被膜に強い磁化を与えることができない。
うに、遷移金属イオンを含む二・クロム酸塩類コロイド
からなる被膜に、光架橋反応を生じさせ、その際にコロ
イドの架橋剤の一部分として強磁性部分を生成させるも
のであるため、光架橋反応部分には極めて均一分散性の
優れた磁化膜が生成されるものであるが、このままの状
態では全体的に磁気モーメントの方向が定まらないた
め、被膜に強い磁化を与えることができない。
【0012】しかし、上記光照射または加熱を行う際
に、被膜面に外磁場を作用させることによって、被膜内
の磁気モーメントを外磁場の方向に揃え、被膜に強い配
向性を与えることができる。
に、被膜面に外磁場を作用させることによって、被膜内
の磁気モーメントを外磁場の方向に揃え、被膜に強い配
向性を与えることができる。
【0013】本発明は、上記遷移金属イオンを含む二・
クロム酸コロイド感光液を任意の支持体面に塗布乾燥さ
せて被膜とし、該被膜面に垂直な方向に外磁場を作用さ
せながら、光または熱により架橋反応を生じさせるもの
で、これにより該被膜内に生成する磁気モーメントを該
被膜面に垂直な方向に配向させることが出来る。なお、
該磁気モーメントが垂直に配向されたことは、HBトレ
ーサーを用いて確認することが出来る。
クロム酸コロイド感光液を任意の支持体面に塗布乾燥さ
せて被膜とし、該被膜面に垂直な方向に外磁場を作用さ
せながら、光または熱により架橋反応を生じさせるもの
で、これにより該被膜内に生成する磁気モーメントを該
被膜面に垂直な方向に配向させることが出来る。なお、
該磁気モーメントが垂直に配向されたことは、HBトレ
ーサーを用いて確認することが出来る。
【0014】また、上記遷移金属イオンを含む二・クロ
ム酸コロイド感光液を任意の支持体面に塗布乾燥させて
被膜とし、該被膜面に垂直な方向に外磁場を作用させな
がら、光または熱を選択的に作用させると、選択された
被膜部分にのみ架橋反応が生じて、垂直方向に磁化され
た潜像膜を得ることが出来る。
ム酸コロイド感光液を任意の支持体面に塗布乾燥させて
被膜とし、該被膜面に垂直な方向に外磁場を作用させな
がら、光または熱を選択的に作用させると、選択された
被膜部分にのみ架橋反応が生じて、垂直方向に磁化され
た潜像膜を得ることが出来る。
【0015】また、上記遷移金属イオンを含む二・クロ
ム酸コロイド感光液を任意の支持体面に塗布乾燥させて
被膜とし、該被膜面に垂直な方向に外磁場を作用させな
がら、光または熱を選択的に与えて選択された被膜部分
のみに架橋反応を生じさせた後、この被膜面に現像処理
を行うと、架橋していない未硬化部分が溶解除去され
て、垂直方向に磁化された架橋硬化部分からなる可視画
像膜を得ることが出来る。
ム酸コロイド感光液を任意の支持体面に塗布乾燥させて
被膜とし、該被膜面に垂直な方向に外磁場を作用させな
がら、光または熱を選択的に与えて選択された被膜部分
のみに架橋反応を生じさせた後、この被膜面に現像処理
を行うと、架橋していない未硬化部分が溶解除去され
て、垂直方向に磁化された架橋硬化部分からなる可視画
像膜を得ることが出来る。
【0016】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
詳細に説明を行う。二・クロム酸塩類に鉄、コバルト、
ニッケル、マンガンなどの遷移金属イオンを加え、これ
をポリビニルアルコール、ゼラチン、カルボキシルメチ
ルセルローズなどのコロイド中に混和させて感光液とす
る。二・クロム酸塩類コロイド感光液の塗布乾燥被膜は
光または熱によって架橋反応が生ずることは良く知られ
ている。
詳細に説明を行う。二・クロム酸塩類に鉄、コバルト、
ニッケル、マンガンなどの遷移金属イオンを加え、これ
をポリビニルアルコール、ゼラチン、カルボキシルメチ
ルセルローズなどのコロイド中に混和させて感光液とす
る。二・クロム酸塩類コロイド感光液の塗布乾燥被膜は
光または熱によって架橋反応が生ずることは良く知られ
ている。
【0017】この感光液を、樹脂、金属、ガラス、その
他任意の支持体面に塗布して、乾燥させる。塗布の方法
としては、通常使用されるローラコート、デイップコー
ト、スプレーコート、スピンコート、ワイヤーコート、
などいずれの方法も適用可能である。また、感光液はあ
らかじめ、それぞれの塗布方法に適した濃度や粘度に調
整しておくことが必要である。なお、塗布被膜の乾燥
は、暗所または安全光の下で、常温で行うものとし、架
橋反応が進行するような温度、光のある環境下での乾燥
は避けなければならない。
他任意の支持体面に塗布して、乾燥させる。塗布の方法
としては、通常使用されるローラコート、デイップコー
ト、スプレーコート、スピンコート、ワイヤーコート、
などいずれの方法も適用可能である。また、感光液はあ
らかじめ、それぞれの塗布方法に適した濃度や粘度に調
整しておくことが必要である。なお、塗布被膜の乾燥
は、暗所または安全光の下で、常温で行うものとし、架
橋反応が進行するような温度、光のある環境下での乾燥
は避けなければならない。
【0018】十分に乾燥した支持体面の該被膜に、その
面に垂直な方向に外磁場を作用させながら、可視短波長
から紫外光を含む光源で、該被膜の膜厚に応じて適当な
時間光照射するか、または、同じく垂直な外磁場を作用
させながら、該被膜および該支持体の耐熱温度内の適当
な温度および時間で加熱を行うと被膜に含まれている6
価のクロムイオンが3価に還元され、コロイドを架橋
し、該被膜を硬化させる。
面に垂直な方向に外磁場を作用させながら、可視短波長
から紫外光を含む光源で、該被膜の膜厚に応じて適当な
時間光照射するか、または、同じく垂直な外磁場を作用
させながら、該被膜および該支持体の耐熱温度内の適当
な温度および時間で加熱を行うと被膜に含まれている6
価のクロムイオンが3価に還元され、コロイドを架橋
し、該被膜を硬化させる。
【0019】この架橋反応と同時に、該被膜中に含まれ
る遷移金属イオンが、該被膜の中で3価のクロムイオン
と結合している酸素原子に取り込まれ、強磁性が現れる
ものであるが、この際垂直方向に作用している外磁場に
よって、該被膜内の磁気モーメントが該被膜面に垂直な
方向に揃えられ、外磁場の大きさに応じた強さの垂直磁
化が示されることになる。ここで該被膜が垂直方向に磁
化されたことはHBトレーサーで確認することが出来
る。
る遷移金属イオンが、該被膜の中で3価のクロムイオン
と結合している酸素原子に取り込まれ、強磁性が現れる
ものであるが、この際垂直方向に作用している外磁場に
よって、該被膜内の磁気モーメントが該被膜面に垂直な
方向に揃えられ、外磁場の大きさに応じた強さの垂直磁
化が示されることになる。ここで該被膜が垂直方向に磁
化されたことはHBトレーサーで確認することが出来
る。
【0020】また、支持体面に垂直方向の磁気潜像を有
する被膜を生成する場合には、上述と同様に支持体面に
塗布乾燥させた被膜面に、該被膜面に垂直な外磁場を作
用させながら、所望の画像マスク(フィルムマスク又は
ガラスマスク)を介して選択的に光照射を行うか、ある
いは、制御されたレーザービームで所望の光描画を行
う。光源には二・クロム酸コロイド被膜の感光領域であ
る可視短波長から紫外光を含むものを用いるものとす
る。
する被膜を生成する場合には、上述と同様に支持体面に
塗布乾燥させた被膜面に、該被膜面に垂直な外磁場を作
用させながら、所望の画像マスク(フィルムマスク又は
ガラスマスク)を介して選択的に光照射を行うか、ある
いは、制御されたレーザービームで所望の光描画を行
う。光源には二・クロム酸コロイド被膜の感光領域であ
る可視短波長から紫外光を含むものを用いるものとす
る。
【0021】上記選択的光照射またはレーザービーム描
画を行うと、「0018」「0019」で述べたと同じ
現象により、光照射部分の被膜のみが垂直方向に磁化さ
れる。この際に光照射を受けなかった部分には有害な6
価クロムイオンが残されているため、この後、外磁場を
外した状態で被膜全面を、該被膜および該支持体の耐熱
温度内の適当な温度で加熱処理を行うと、該未露光部分
では、加熱により6価のクロムイオンが安全な3価のク
ロムイオンに還元される。このとき生ずる架橋反応によ
り、該未露光部分には磁性が発生するが、外磁場がない
ため磁気モーメントの配向性の弱い磁化膜が生成され
る。以上のようにして、磁気モーメントの配向性が弱い
磁化膜面内に選択的に垂直磁化された潜像を有する被膜
を得ることが出来る。
画を行うと、「0018」「0019」で述べたと同じ
現象により、光照射部分の被膜のみが垂直方向に磁化さ
れる。この際に光照射を受けなかった部分には有害な6
価クロムイオンが残されているため、この後、外磁場を
外した状態で被膜全面を、該被膜および該支持体の耐熱
温度内の適当な温度で加熱処理を行うと、該未露光部分
では、加熱により6価のクロムイオンが安全な3価のク
ロムイオンに還元される。このとき生ずる架橋反応によ
り、該未露光部分には磁性が発生するが、外磁場がない
ため磁気モーメントの配向性の弱い磁化膜が生成され
る。以上のようにして、磁気モーメントの配向性が弱い
磁化膜面内に選択的に垂直磁化された潜像を有する被膜
を得ることが出来る。
【0022】支持体面に垂直方向の磁気潜像を有する被
膜を生成する場合において、支持体の耐熱温度が極めて
低く加熱処理が出来ない場合には、上記「0021」に
おける加熱処理に代えて、外磁場を外した状態で被膜全
面に可視短波長から紫外光を含む光源を用いて光照射処
理を行う。選択的光照射の際に光照射を受けていなかっ
た部分ではこの光照射により6価のクロムイオンが安全
な3価のクロムイオンに還元される。このとき生ずる架
橋反応により、該未露光部分には磁性が発生するが、外
磁場がないため磁気モーメントの配向性の弱い磁化膜が
生成される。以上のようにして、磁気モーメントの配向
性が弱い磁化膜面内に選択的に垂直磁化された潜像を有
する被膜を得ることが出来る。
膜を生成する場合において、支持体の耐熱温度が極めて
低く加熱処理が出来ない場合には、上記「0021」に
おける加熱処理に代えて、外磁場を外した状態で被膜全
面に可視短波長から紫外光を含む光源を用いて光照射処
理を行う。選択的光照射の際に光照射を受けていなかっ
た部分ではこの光照射により6価のクロムイオンが安全
な3価のクロムイオンに還元される。このとき生ずる架
橋反応により、該未露光部分には磁性が発生するが、外
磁場がないため磁気モーメントの配向性の弱い磁化膜が
生成される。以上のようにして、磁気モーメントの配向
性が弱い磁化膜面内に選択的に垂直磁化された潜像を有
する被膜を得ることが出来る。
【0023】支持体面に垂直方向の磁気潜像を有する被
膜を生成する他の方法として、「0017」記載の支持
体面に塗布乾燥された被膜に垂直方向の外磁場を作用さ
せながら、該被膜の所望の部分に、選択的に架橋反応を
生ずる加熱を与える方法を利用することも出来る。被膜
を選択的に加熱する方法としては、例えば、レーザービ
ーム、または、サーマルヘッドなどによる加熱描画を用
いることが出来る。
膜を生成する他の方法として、「0017」記載の支持
体面に塗布乾燥された被膜に垂直方向の外磁場を作用さ
せながら、該被膜の所望の部分に、選択的に架橋反応を
生ずる加熱を与える方法を利用することも出来る。被膜
を選択的に加熱する方法としては、例えば、レーザービ
ーム、または、サーマルヘッドなどによる加熱描画を用
いることが出来る。
【0024】二・クロム酸塩コロイドの乾燥被膜を、該
被膜面に垂直方向に外磁場を作用させながら選択的に加
熱描画を行うと、「0018」「0019」で述べたと
同じ現象により、加熱部分の被膜のみが垂直方向に磁化
される。この後、外磁場を外した状態で被膜全面を、該
被膜および該支持体の耐熱温度内で加熱処理を行うと、
加熱描画をされてていなかった部分では、加熱により6
価のクロムイオンが安全な3価のクロムイオンに還元さ
れる。このとき生ずる架橋反応により、該非加熱部分に
は磁性が発生するが、外磁場がないため磁気モーメント
の配向性の弱い磁化膜が生成される。以上のようにし
て、磁気モーメントの配向性が弱い磁化膜面内に選択的
に垂直磁化された潜像を有する被膜を得ることが出来
る。
被膜面に垂直方向に外磁場を作用させながら選択的に加
熱描画を行うと、「0018」「0019」で述べたと
同じ現象により、加熱部分の被膜のみが垂直方向に磁化
される。この後、外磁場を外した状態で被膜全面を、該
被膜および該支持体の耐熱温度内で加熱処理を行うと、
加熱描画をされてていなかった部分では、加熱により6
価のクロムイオンが安全な3価のクロムイオンに還元さ
れる。このとき生ずる架橋反応により、該非加熱部分に
は磁性が発生するが、外磁場がないため磁気モーメント
の配向性の弱い磁化膜が生成される。以上のようにし
て、磁気モーメントの配向性が弱い磁化膜面内に選択的
に垂直磁化された潜像を有する被膜を得ることが出来
る。
【0025】また、垂直方向の磁気可視像膜を生成する
場合は次の方法で行う。「0020」及び「0021」
で述べた方法で、垂直方向に外磁場を作用させながら選
択的に光照射を行った後直ちに、二・クロム酸塩類コロ
イド被膜を溶解する溶液で現像処理を行うと、光照射を
受けなかった部分の被膜のみが溶解除去され、光照射を
受けて架橋硬化した部分は溶解せずに支持体面に残さ
れ、垂直方向の磁気可視像膜が生成される。現像方法と
しては一般的に用いられる水洗シャワーまたは水洗スプ
レーなどの方法が使用できる。
場合は次の方法で行う。「0020」及び「0021」
で述べた方法で、垂直方向に外磁場を作用させながら選
択的に光照射を行った後直ちに、二・クロム酸塩類コロ
イド被膜を溶解する溶液で現像処理を行うと、光照射を
受けなかった部分の被膜のみが溶解除去され、光照射を
受けて架橋硬化した部分は溶解せずに支持体面に残さ
れ、垂直方向の磁気可視像膜が生成される。現像方法と
しては一般的に用いられる水洗シャワーまたは水洗スプ
レーなどの方法が使用できる。
【0026】また、支持体面に垂直方向の磁気可視像膜
を生成する他の方法として次の方法で行うことも可能で
ある。「0023」および「0024」で述べた方法に
おいて、レーザービーム、または、サーマルヘッドなど
を用いて加熱描画した後直ちに「0025」で述べたと
同じ方法を用い、二・クロム酸塩類コロイド被膜を溶解
する溶液で現像処理を行うと、加熱を受けなかった部分
の被膜のみが溶解除去され、加熱を受けて架橋硬化した
部分は溶解せずに支持体面に残され、垂直方向の磁気可
視像膜が生成される。
を生成する他の方法として次の方法で行うことも可能で
ある。「0023」および「0024」で述べた方法に
おいて、レーザービーム、または、サーマルヘッドなど
を用いて加熱描画した後直ちに「0025」で述べたと
同じ方法を用い、二・クロム酸塩類コロイド被膜を溶解
する溶液で現像処理を行うと、加熱を受けなかった部分
の被膜のみが溶解除去され、加熱を受けて架橋硬化した
部分は溶解せずに支持体面に残され、垂直方向の磁気可
視像膜が生成される。
【0027】上述のように、本発明においては、遷移金
属イオンを含む二・クロム酸塩類コロイドからなる被膜
に、外磁場を作用させながら、架橋反応を生じさせ、そ
の際にコロイドの架橋剤の一部分として強磁性部分を生
成させるものであるため、架橋反応領域では極めて均一
分散性の優れた垂直磁化膜が形成されるものである。ま
た、二・クロム酸塩類コロイド感光液は極めて解像性が
高いので、垂直方向の磁気潜像膜または可視像膜を生成
する場合においては、極めて高精細、高画質な垂直磁気
画像膜を得ることが出来るものである。
属イオンを含む二・クロム酸塩類コロイドからなる被膜
に、外磁場を作用させながら、架橋反応を生じさせ、そ
の際にコロイドの架橋剤の一部分として強磁性部分を生
成させるものであるため、架橋反応領域では極めて均一
分散性の優れた垂直磁化膜が形成されるものである。ま
た、二・クロム酸塩類コロイド感光液は極めて解像性が
高いので、垂直方向の磁気潜像膜または可視像膜を生成
する場合においては、極めて高精細、高画質な垂直磁気
画像膜を得ることが出来るものである。
【0028】
【実施例】次に本発明における垂直方向の磁化膜、およ
び、垂直方向の磁気画像膜を製造する方法と、それによ
って得られる垂直方向の磁化膜、および、垂直方向の磁
気画像膜について具体的に説明する。
び、垂直方向の磁気画像膜を製造する方法と、それによ
って得られる垂直方向の磁化膜、および、垂直方向の磁
気画像膜について具体的に説明する。
【0029】重合度800〜1000、鹸化度80〜9
0%のポリビニルアルコール8〜10gを100mlの
水に膨潤させた。更に、二・クロム酸塩類3〜5gとコ
バルトの硫酸塩を2〜3g加えて撹拌した。これで遷移
金属イオンを含む二・クロム酸塩類コロイド感光液が調
合された。
0%のポリビニルアルコール8〜10gを100mlの
水に膨潤させた。更に、二・クロム酸塩類3〜5gとコ
バルトの硫酸塩を2〜3g加えて撹拌した。これで遷移
金属イオンを含む二・クロム酸塩類コロイド感光液が調
合された。
【0030】(実施例1)この感光液を表面を十分に脱
脂、乾燥させたアルミニウム板にスピンコーターを用い
て塗布を行った。感光液を塗布された板材を冷暗所で5
分送風乾燥させた後、被膜面に垂直な方向に約3500
ガウスの外磁場をかけながら、1KWの超高圧水銀灯を
用い、30〜40cmの距離から1.5〜2分間全面露
光を行って、垂直方向に磁化された被膜を得た。
脂、乾燥させたアルミニウム板にスピンコーターを用い
て塗布を行った。感光液を塗布された板材を冷暗所で5
分送風乾燥させた後、被膜面に垂直な方向に約3500
ガウスの外磁場をかけながら、1KWの超高圧水銀灯を
用い、30〜40cmの距離から1.5〜2分間全面露
光を行って、垂直方向に磁化された被膜を得た。
【0031】以上のようにして得られた被膜から1平方
センチメートルの試料を採取し、H−Bトレーサーを用
いて常法により被膜の磁気特性を評価した。その結果、
この試料からヒステリシス曲線が観測され、被膜中には
強磁性体が生成していることが実証された。なお、この
際の抗磁力は825エルステッド前後の値を示し、垂直
方向に磁化されていることが確認された。
センチメートルの試料を採取し、H−Bトレーサーを用
いて常法により被膜の磁気特性を評価した。その結果、
この試料からヒステリシス曲線が観測され、被膜中には
強磁性体が生成していることが実証された。なお、この
際の抗磁力は825エルステッド前後の値を示し、垂直
方向に磁化されていることが確認された。
【0032】(実施例2)次に垂直磁気画像膜形成につ
いての実施例を示す。「0029」と同じ方法で調合し
たコバルトイオンを含む二・クロム酸塩コロイド感光液
を用い、「0030」と同じようにアルミニウム板に塗
布し、乾燥させた後、3500ガウスの外磁場を作用さ
せながら、真空密着方法で画像を有するネガフィルムを
介して光照射を行った。光源には1KWの超高圧水銀灯
を用い、30〜40cmの距離から1.5〜2分間の照
射を行った。この後直ちに、水洗現像処理を行い未露光
部分を溶解除去して光硬化部分による画像を形成した。
いての実施例を示す。「0029」と同じ方法で調合し
たコバルトイオンを含む二・クロム酸塩コロイド感光液
を用い、「0030」と同じようにアルミニウム板に塗
布し、乾燥させた後、3500ガウスの外磁場を作用さ
せながら、真空密着方法で画像を有するネガフィルムを
介して光照射を行った。光源には1KWの超高圧水銀灯
を用い、30〜40cmの距離から1.5〜2分間の照
射を行った。この後直ちに、水洗現像処理を行い未露光
部分を溶解除去して光硬化部分による画像を形成した。
【0033】以上のようにして得られた画像膜の磁性を
確認するため、画像膜の広域部分から1平方センチメー
トルの試料を採取し、「0031」で述べたと同じH−
Bトレーサーを用いて常法により被膜の磁気特性を評価
した。その結果、この試料からヒステリシス曲線が観測
され、被膜中には強磁性体が生成していることが実証さ
れた。なお、この際の抗磁力は825エルステッド前後
の値を示した。なお、被膜面に垂直な方向に磁化されて
いることも確認された。
確認するため、画像膜の広域部分から1平方センチメー
トルの試料を採取し、「0031」で述べたと同じH−
Bトレーサーを用いて常法により被膜の磁気特性を評価
した。その結果、この試料からヒステリシス曲線が観測
され、被膜中には強磁性体が生成していることが実証さ
れた。なお、この際の抗磁力は825エルステッド前後
の値を示した。なお、被膜面に垂直な方向に磁化されて
いることも確認された。
【0034】
【発明の効果】本発明は以上で説明したように構成され
ているので、以下に記載するような効果を奏する。本発
明の第一の効果は、上記で説明したように、従来の方法
に比べて簡便、且つ、低コストな装置とプロセスで、極
めて均一分散性の優れた垂直磁化膜を造ることができる
ことである。
ているので、以下に記載するような効果を奏する。本発
明の第一の効果は、上記で説明したように、従来の方法
に比べて簡便、且つ、低コストな装置とプロセスで、極
めて均一分散性の優れた垂直磁化膜を造ることができる
ことである。
【0035】本発明の第二の効果は垂直方向に磁化され
た極めて解像性の高い磁気画像膜を容易に造ることが出
来るということである。従来、磁化画像膜を得る方法と
しては、磁性材料を分散させたインキを用いて印刷を行
う方法があり、この他には本出願人により先に提案され
た特願平7−285438による方法があった。しか
し、垂直方向に磁化された画像膜を造る方法は本発明以
外には未だ提案されてはいないため、本発明は垂直方向
に磁化された画像膜を造る方法としては最初の提案にな
るものである。
た極めて解像性の高い磁気画像膜を容易に造ることが出
来るということである。従来、磁化画像膜を得る方法と
しては、磁性材料を分散させたインキを用いて印刷を行
う方法があり、この他には本出願人により先に提案され
た特願平7−285438による方法があった。しか
し、垂直方向に磁化された画像膜を造る方法は本発明以
外には未だ提案されてはいないため、本発明は垂直方向
に磁化された画像膜を造る方法としては最初の提案にな
るものである。
【0036】本発明は、垂直方向に磁化される画像膜を
得る方法として二・クロム酸塩類コロイド感光液を用い
るものであるから、上述のように任意の支持体面に極め
て均一分散性に優れ、且つ、解像性の高い磁気画像膜を
容易に生成成することが出来るものである。
得る方法として二・クロム酸塩類コロイド感光液を用い
るものであるから、上述のように任意の支持体面に極め
て均一分散性に優れ、且つ、解像性の高い磁気画像膜を
容易に生成成することが出来るものである。
【0037】また、垂直方向の磁化画像膜を潜像として
生成するか、または可視像として生成するかは、現像処
理工程を行うかどうかで容易に選定することが出来ると
いう利点もある。
生成するか、または可視像として生成するかは、現像処
理工程を行うかどうかで容易に選定することが出来ると
いう利点もある。
【0038】なお、本発明において使用する6価のクロ
ムイオンは人体に有害であるので、取り扱いには十分に
注意を払わなければならないが、6価クロムイオンは光
または熱の作用で容易に3価のクロムイオンに還元され
る。3価のクロムイオンは極めて安定な物質であるた
め、架橋反応後の被膜は全く無害な物質となる。本発明
の実施においては、特に二・クロム酸塩類コロイド液と
可視像を生成する際の現像溶解液が誤って流出しないよ
うに設備的に安全対策が必要である。これらの溶液に含
まれる6価クロムイオンは専用の還元処理装置で容易に
無害な3価クロムに還元することが出来る。
ムイオンは人体に有害であるので、取り扱いには十分に
注意を払わなければならないが、6価クロムイオンは光
または熱の作用で容易に3価のクロムイオンに還元され
る。3価のクロムイオンは極めて安定な物質であるた
め、架橋反応後の被膜は全く無害な物質となる。本発明
の実施においては、特に二・クロム酸塩類コロイド液と
可視像を生成する際の現像溶解液が誤って流出しないよ
うに設備的に安全対策が必要である。これらの溶液に含
まれる6価クロムイオンは専用の還元処理装置で容易に
無害な3価クロムに還元することが出来る。
【0039】本発明の実施においては上述のように廃液
処理装置が必要になるが、一方、従来技術において使用
される有機溶剤類を一切使用しないため、有機溶剤類を
使用する際に必要な保険衛生上の対策や公害防止上の対
策を行わなくても良いという利点がある。
処理装置が必要になるが、一方、従来技術において使用
される有機溶剤類を一切使用しないため、有機溶剤類を
使用する際に必要な保険衛生上の対策や公害防止上の対
策を行わなくても良いという利点がある。
Claims (15)
- 【請求項1】二・クロム酸塩類コロイド被膜の架橋反応
膜内に遷移金属イオンを取り込み、該被膜内の磁気モー
メントを被膜面に垂直方向に配向させてなる垂直磁化
膜。 - 【請求項2】二・クロム酸塩類コロイド感光液に遷移金
属イオンを混和し、任意の支持体表面に塗布乾燥させて
被膜とし、該被膜面に垂直な方向から外磁場を作用させ
ながら、光照射を行って架橋反応膜を得ることにより製
造される「請求項1」記載の垂直磁化膜。 - 【請求項3】二・クロム酸塩類コロイド感光液に遷移金
属イオンを混和し、任意の支持体表面に塗布乾燥させて
被膜とし、該被膜面に垂直な方向から外磁場を作用させ
ながら、光照射を行って架橋反応膜を得ることを特徴と
する「請求項1」記載の垂直磁化膜の製造方法。 - 【請求項4】二・クロム酸塩類コロイド感光液に遷移金
属イオンを混和し、任意の支持体表面に塗布乾燥させて
被膜とし、該被膜面に垂直な方向から外磁場を作用させ
ながら、加熱を行って架橋反応膜を得ることにより製造
される「請求項1」記載の垂直磁化膜。 - 【請求項5】二・クロム酸塩類コロイド感光液に遷移金
属イオンを混和し、任意の支持体表面に塗布乾燥させて
被膜とし、該被膜面に垂直な方向から外磁場を作用させ
ながら、加熱を行って架橋反応膜を得ることを特徴とす
る「請求項1」記載の垂直磁化膜の製造方法。 - 【請求項6】二・クロム酸塩類コロイド被膜の架橋反応
によって製造する潜像膜内に遷移金属イオンを取り込
み、該潜像膜内の磁気モーメントを該被膜面に垂直方向
に配向させてなる垂直磁気潜像膜。 - 【請求項7】二・クロム酸塩類コロイド感光液に遷移金
属イオンを混和し、任意の支持体表面に塗布乾燥させて
被膜とし、該被膜面に垂直な方向から外磁場を作用させ
ながら、所望のマスクを介して光照射を行うか、また
は、制御されたレーザービームにより所望の光描画を行
って、光架橋反応画像膜を得ることにより製造される
「請求項6」記載の垂直磁気潜像膜。 - 【請求項8】二・クロム酸塩類コロイド感光液に遷移金
属イオンを混和し、任意の支持体表面に塗布乾燥させて
被膜とし、該被膜面に垂直な方向から外磁場を作用させ
ながら、所望のマスクを介して光照射を行うか、また
は、制御されたレーザービームにより所望の光描画を行
って、光架橋反応画像膜を得ることを特徴とする「請求
項6」記載の垂直磁気潜像膜の製造方法。 - 【請求項9】二・クロム酸塩類コロイド感光液に遷移金
属イオンを混和し、任意の支持体表面に塗布乾燥させて
被膜とし、該被膜面に垂直な方向から外磁場を作用させ
ながら、制御されたレーザービーム、または、サーマル
ヘッドなどによる加熱描画を行って、熱架橋反応画像膜
を得ることにより製造される「請求項6」記載の垂直磁
気潜像膜。 - 【請求項10】二・クロム酸塩類コロイド感光液に遷移
金属イオンを混和し、任意の支持体表面に塗布乾燥させ
て被膜とし、該被膜面に垂直な方向から外磁場を作用さ
せながら、制御されたレーザービームに、または、サー
マルヘッドなどによる加熱描画を行って、熱架橋反応画
像膜を得ることを特徴とする「請求項6」記載の垂直磁
気潜像膜の製造方法。 - 【請求項11】二・クロム酸塩類コロイド被膜の架橋反
応によって製造する可視像膜内に遷移金属イオンを取り
込み、該可視像膜内の磁気モーメントを該被膜面に垂直
方向に配向させてなる垂直磁気可視像膜。 - 【請求項12】二・クロム酸塩類コロイド感光液に遷移
金属イオンを混和し、任意の支持体表面に塗布乾燥させ
て被膜とし、該被膜面に垂直な方向から外磁場を作用さ
せながら、所望のマスクを介して光照射を行うか、また
は制御されたレーザービームにより所望の光描画を行っ
て、光架橋反応画像膜を得た後、未露光部を現像除去し
て製造される「請求項11」記載の垂直磁気可視像膜。 - 【請求項13】二・クロム酸塩類コロイド感光液に遷移
金属イオンを混和し、任意の支持体表面に塗布乾燥させ
て被膜とし、該被膜面に垂直な方向から外磁場を作用さ
せながら、所望のマスクを介して光照射を行うか、また
は制御されたレーザービームにより所望の光描画を行っ
て、光架橋反応画像膜を得た後、未露光部を現像除去す
ることを特徴とする「請求項11」記載の垂直磁気可視
像膜の製造方法。 - 【請求項14】二・クロム酸塩類コロイド感光液に遷移
金属イオンを混和し、任意の支持体表面に塗布乾燥させ
て被膜とし、該被膜面に垂直な方向から外磁場を作用さ
せながら、制御されたレーザービーム、または、サーマ
ルヘッドなどによる加熱描画を行って、熱架橋反応画像
膜を得た後、非加熱部分を現像除去して製造される「請
求項11」記載の垂直磁気可視像膜。 - 【請求項15】二・クロム酸塩類コロイド溶液に遷移金
属イオンを混和し、任意の支持体表面に塗布乾燥させて
被膜とし、該被膜面に垂直な方向から外磁場を作用させ
ながら、制御されたレーザービーム、または、サーマル
ヘッドなどによる加熱描画を行って、熱架橋反応画像膜
を得た後、非加熱部分を現像除去することを特徴とする
「請求項11」記載の垂直磁気可視像膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8295590A JPH10112406A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | 垂直磁化膜とその製造方法および垂直磁気画像膜と その製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8295590A JPH10112406A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | 垂直磁化膜とその製造方法および垂直磁気画像膜と その製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10112406A true JPH10112406A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17822606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8295590A Pending JPH10112406A (ja) | 1996-10-03 | 1996-10-03 | 垂直磁化膜とその製造方法および垂直磁気画像膜と その製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10112406A (ja) |
-
1996
- 1996-10-03 JP JP8295590A patent/JPH10112406A/ja active Pending
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