JPH1011277A - 電気的書換え可能な不揮発性メモリを備えるコンピュータ装置および不揮発性半導体メモリ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電気的に書換え可能な不揮発性メモリに記憶
されている動作プログラムを書換える際に、実行される
記憶内容変更用のプログラムを部品点数を増加させるこ
となくコンピュータ装置に格納させる。 【解決手段】 フラッシュＲＯＭ３の記憶内容を変更す
るときには、フラッシュＲＯＭ３に記憶されているＩＰ
ＬプログラムをＲＡＭ４に転送する。ＲＡＭ４にＩＰＬ
プログラムを転送した後、切換制御回路５によってメモ
リのマッピングを切換え、ＲＡＭ４に記憶されているＩ
ＰＬプログラムを実行させる。ＩＰＬプログラムによっ
て、フラッシュＲＯＭ３の記憶内容を消去し、ＲＳ−２
３２Ｃインタフェイス１２を介して供給される更新され
たプログラムがフラッシュＲＯＭ３に書込まれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、動作用プログラム
が書込まれる電気的書換え可能な不揮発性メモリを備え
るコンピュータ装置およびコンピュータ装置に好適に用
いられる不揮発性半導体メモリに関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータ装置では、電気的に書換え
可能な不揮発性半導体メモリや、書換え可能な不揮発性
半導体メモリの一種であるフラッシュＥＰＲＯＭなど
に、書き込まれているアプリケーションプログラムを書
換えるプログラムは、ＩＰＬプログラムと称され、専用
のＲＯＭに格納されている。

【０００３】上述のような装置の一例として、特開平６
−１３９０６４号公報に電子機器が示されている。電子
機器では、電気的に書換え可能な不揮発性メモリである
フラッシュＲＯＭに、機器の動作制御を行う制御プログ
ラムが格納されており、ＲＯＭにはＩＰＬプログラムが
格納されている。ＩＰＬプログラムには、電源ＯＮ時に
動作するシステム立上げプログラムなどと共にフラッシ
ュＲＯＭ書換え用のプログラムが含まれている。

【０００４】フラッシュＲＯＭに記憶されている制御プ
ログラムにバグが発見されると、制御プログラムの書換
えのために、デバック済みの制御プログラムが記憶され
たＳＲＡＭメモリカードが、電子機器本体のメモリカー
ド接続部に接続される。ＳＲＡＭメモリカードが接続さ
れると、ＲＯＭのシステム立上げプログラムによって、
前記ＳＲＡＭメモリカードが制御プログラムを有するも
のと判別され、フラッシュＲＯＭ書換え用プログラムに
基づいてデバック済みの制御プログラムが内部ＲＡＭに
読込まれて格納される。フラッシュＲＯＭにデータ書換
え用電源が供給されると、フラッシュＲＯＭに記憶され
ている制御プログラムが消去され、内部ＲＡＭに格納さ
れたデバック済みの制御プログラムがフラッシュＲＯＭ
に書込まれる。

【０００５】また、ＩＰＬプログラムを格納する専用の
ＲＯＭを設けずに、書換え可能な不揮発性半導体メモリ
やフラッシュＥＰＲＯＭにＩＰＬプログラムを格納する
装置も提案されている。ＩＰＬプログラムには、アプリ
ケーションプログラム変更用の書換えプログラムが含ま
れており、書換えプログラムをＲＡＭに転送して動作さ
せて、ＲＯＭの記憶内容を変更することができる。

【０００６】フラッシュＥＰＲＯＭや書換え可能な不揮
発性半導体メモリなどの電気的に書換え可能なメモリに
アプリケーションプログラムおよびＩＰＬプログラムを
格納している装置では、静電気やノイズなどの外的要因
によってフラッシュＥＰＲＯＭに書込まれている記憶内
容が書換えられる可能性がある。アプリケーションプロ
グラムが異常となった場合には、ＩＰＬプログラムを動
作させて再びアプリケーションプログラムをＲＯＭに書
込むことができるけれども、ＩＰＬプログラムが異常と
なった場合には、装置に正常なプログラムを書込むこと
はできなくなるという不都合がある。

【０００７】たとえば、特開平５−３４２０９４号公報
に示されるコンピュータ装置では、このような不都合を
解決する技術が用いられている。コンピュータ装置は、
アプリケーションプログラムおよびＩＰＬプログラムを
格納した電気的書換え可能なＲＯＭと、装置のリセット
時に前記ＲＯＭを選択するためのチップセレクト信号の
出力を抑止する抑止手段とを備えて構成されている。

【０００８】コンピュータ装置では、ＩＰＬプログラム
が異常となった場合、正常なＩＰＬプログラムが格納さ
れているメモリカードを機器に接続する。メモリカード
の接続後に機器をリセットすると、前記抑止手段からの
出力によってメモリカードが選択され、メモリカードに
格納されているＩＰＬプログラムから正常な記憶内容変
更用プログラムが実行される。記憶内容変更用プログラ
ムによって、アプリケーションプログラムおよびＩＰＬ
プログラムがコンピュータ装置のＲＯＭに書込まれる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前記電子機器では、記
憶内容変更用プログラムを記憶するための専用ＲＯＭが
設けられることとなり、機器の部品点数が増え、部品コ
ストが上昇するという問題点がある。

【００１０】前記コンピュータ装置では、内部に記憶さ
れているＩＰＬプログラムが異常となった場合、ＩＰＬ
プログラムが記憶されているメモリカードを接続し、メ
モリカードからＩＰＬプログラムを読出し、アプリケー
ションプログラムおよびＩＰＬプログラムをＲＯＭに書
込んでいるので、装置内部にメモリカード専用のインタ
フェイスおよびメモリカード接続用のコネクタなどを設
ける必要があり、装置の基板サイズの大型化およびコネ
クタなどを設けることによるコストの上昇を招く。

【００１１】また、記憶内容変更用プログラムを記憶し
たメモリボードを機器に接続して記憶内容変更用プログ
ラムを書換える方法などがあるけれども、ボードの装着
スペースおよびボードを接続するためのコネクタも必要
となる。

【００１２】本発明の目的は、電気的に書換え可能な不
揮発性メモリに記憶されている動作プログラムに従って
動作するコンピュータ装置で、簡単でかつ信頼性が高く
動作プログラムを書換えるための記憶内容変更用プログ
ラムを実行させることができる電気的書換え可能な不揮
発性メモリを備えるコンピュータ装置を提供することで
ある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、記憶内容変更
用のプログラムを含むコンピュータ装置の動作用プログ
ラムが書込まれ、電気的に書換え可能な不揮発性メモリ
と、記憶内容の書込みおよび読出しが可能なＲＡＭと、
不揮発性メモリから記憶内容変更用のプログラムをＲＡ
Ｍに転送するプログラム転送手段と、不揮発性メモリに
対する記憶内容の変更動作を指示する変更指示手段と、
変更指示手段からの記憶内容変更指示に応答し、プログ
ラム転送手段によって不揮発性メモリからＲＡＭに転送
された記憶内容変更用プログラムに従って、不揮発性メ
モリの記憶内容を電気的に書換えるように制御する制御
手段とを含むことを特徴とする電気的書換え可能な不揮
発性メモリを備えるコンピュータ装置である。本発明に
従えば、コンピュータ装置の電気的に書換え可能な不揮
発性メモリには、コンピュータ装置を動作させるための
動作プログラムが書込まれている。前記不揮発性メモリ
に記憶されている内容を変更する際には、変更指示手段
によって記憶内容の変更動作の開始を指示する。プログ
ラム転送手段は、記憶内容変更指示が与えられることに
よって、前記不揮発性メモリに記憶されている動作用プ
ログラムから記憶内容変更用のプログラムを読出してＲ
ＡＭに書込む。制御手段は、ＲＡＭに転送された記憶内
容変更用プログラムを実行して、前記不揮発性メモリの
記憶内容を電気的に書換える。したがって、電気的に書
換え可能な不揮発性メモリの記憶内容を変更する際に実
行されるプログラムは、動作用プログラムを書換えると
きに前記不揮発性メモリからＲＡＭに転送されて実行さ
れるので、記憶内容変更用のプログラムを記憶しておく
専用ＲＯＭなどをコンピュータ装置に設けなくても動作
用プログラムを書換えることができる。

【００１４】また本発明は、前記プログラム転送手段に
よって、前記ＲＡＭに転送された記憶内容変更用のプロ
グラムに対する書込み保護を行う保護手段を有すること
を特徴とする。本発明に従えば、ＲＡＭに転送された記
憶内容変更用のプログラムは、保護手段によって保護さ
れており、書込みが行われない。したがって、不揮発性
メモリの記憶内容を書換えるために、ＲＡＭに記憶され
ている記憶内容変更用プログラムを実行しているとき
に、ノイズなどによってＲＡＭに記憶されている記憶内
容変更用プログラムが書換えられると、プログラムが暴
走する恐れがあるけれども、保護手段によってプログラ
ムの書換えが防止されているので、記憶内容変更用プロ
グラムを安定して動作させることができる。

【００１５】本発明の前記制御手段は、前記変更指示手
段によって変更動作が指示されないとき、前記不揮発性
メモリの予め定める記憶領域に書込まれているプログラ
ムに従って動作し、変更指示手段によって変更動作が指
示されるとき、前記プログラム転送手段によって記憶内
容変更用のプログラムが転送される前記ＲＡＭの記憶領
域に記憶されているプログラムに従って動作するプログ
ラム処理手段を有することを特徴とする。本発明に従え
ば、制御手段のプログラム処理手段は、変更指示手段に
よって変更動作が指示されていないときは、電気的に書
換え可能な不揮発性メモリの予め定める記憶領域に書込
まれているプログラムに従って動作する。また、変更指
示手段によって変更動作が指示されるときには、プログ
ラム転送手段によって記憶内容変更用のプログラムが転
送されているＲＡＭの記憶内容に従って動作する。した
がって、変更指示手段によって変更動作の指示が行われ
たかどうかによって前記不揮発性メモリの予め定める記
憶領域に書込まれているプログラムか、ＲＡＭに記憶さ
れている記憶内容変更用のプログラムかが選択されるの
で、所望の動作に応じて前記不揮発性メモリまたはＲＡ
Ｍの予め定める領域に記憶されているプログラムを読出
して実行させることができる。

【００１６】本発明の前記不揮発性メモリは、フラッシ
ュＥＰＲＯＭであることを特徴とする。本発明に従え
ば、コンピュータ装置における電気的に書換え可能な不
揮発性メモリは、フラッシュＥＰＲＯＭによって構成さ
れるので、メモリ領域全体あるいはメモリ領域を所定の
大きさに分割したブロック単位に書換えを行う場合であ
っても、確実に書換えを行うことができる。

【００１７】本発明の前記不揮発性メモリは、製造時に
保護コードが格納されるレジスタと、記憶内容の変更時
にデータが入力される入力手段と、入力手段に入力され
るデータとレジスタに格納されている保護コードとを比
較し、一致しているときのみ、記憶内容の変更を許容す
る比較保護手段とを有することを特徴とする。本発明に
従えば、電気的に書換え可能な不揮発性メモリの記憶内
容を変更する際には、入力手段から入力されるデータ
と、レジスタに格納されている保護コードとが一致して
いるかどうかを比較保護手段が判断し、一致していると
きのみ書込みが許可され、記憶内容が書換えられる。し
たがって、保護コードと同一のデータを入力手段から入
力することができる場合のみ、前記不揮発性メモリの記
憶内容を変更することができ、前記不揮発性メモリの記
憶内容が不用意に書換えられることを防止することがで
きる。

【００１８】本発明は、電気的書換え可能な不揮発性半
導体メモリにおいて、製造時に保護コードが格納される
レジスタと、記憶内容の変更時にデータが入力される入
力手段と、入力手段に入力されるデータとレジスタに格
納されている保護コードとを比較し、一致しているとき
のみ、記憶内容の変更を許容する比較保護手段とを含む
ことを特徴とする不揮発性半導体メモリである。 本発明に従えば、電気的に書換え可能な不揮発性半導体
メモリの記憶内容を変更する際には、入力手段から入力
されるデータと、レジスタに格納されている保護コード
とが一致しているかどうかを比較保護手段が判断し、一
致しているときのみ書込みが許可され、記憶内容が書換
えられる。したがって、保護コードと同一のデータを入
力手段から入力することができる場合のみ、前記不揮発
性半導体メモリの記憶内容を変更することができ、前記
不揮発性半導体メモリの記憶内容が不用意に書換えられ
ることを防止することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の第１の形
態であるリモートプリンタ１の構成を示すブロック図で
ある。リモートプリンタ１は、ＣＰＵ（中央処理装置）
２と、フラッシュＲＯＭ３と、ＲＡＭ４と、切換制御回
路５と、切換スイッチ６と、入力キー群７と、表示パネ
ル８と、ブザー９と、ＤＩＰスイッチ１０と、プリンタ
１１と、ＲＳ−２３２Ｃインタフェイス１２とを含んで
構成される。

【００２０】リモートプリンタ１は、電子式金銭登録機
などの情報処理装置の外部接続用プリンタとして使用さ
れるプリンタで、外部接続用インタフェイスであるＲＳ
２３２−Ｃインタフェイス１２を介して受信したコマン
ドおよびデータに基づいて、印字などの処理を行う。後
述するＤＩＰスイッチ１０の設定を切換えることによっ
て、情報処理装置の種類に応じて通信速度および通信デ
ータの様式の設定が可能である。

【００２１】ＣＰＵ２は、フラッシュＲＯＭ３、ＲＡＭ
４、入力キー群７、表示パネル８、ブザー９、プリンタ
１１、およびＲＳ−２３２Ｃインタフェイス１２などに
おける信号の入出力について制御を行う。また、ＲＳ−
２３２Ｃインタフェイス１２を介して、外部のコンピュ
ータ装置などから供給されるデータを処理して印字用の
データとしてプリンタ１１に供給する。

【００２２】フラッシュＲＯＭ３は、電気的に書換え可
能な不揮発性半導体メモリの一種であり、記憶領域を所
定の大きさに分割したブロック単位での書換えが可能
で、電源ＯＦＦ時のメモリのバックアップが不要であ
る。またフラッシュＲＯＭ３は、後述する記憶内容変更
用プログラムを含むＩＰＬプログラムと動作プログラム
とを記憶している。ＩＰＬプログラムは、ＲＡＭ４にお
けるワークエリアの初期化などの初期化プログラムと、
フラッシュＲＯＭ３の記憶内容を書換える際に実行され
る記憶内容変更用プログラムとを含んで構成される。切
換スイッチ６は、たとえば動作プログラムの書換えを実
行させようとする操作者によって手動でＯＮ／ＯＦＦの
状態が切換えられ、ＯＮ／ＯＦＦの状態に応じて出力Ｏ
ＵＴの信号レベルが定められる。

【００２３】入力キー群７には、リモートプリンタ１の
状態を設定するためのキーが複数個設けられており、た
とえばジャーナルキー１６とレシートキー１７とオンラ
インキー１８とを含んで構成される。ジャーナルキー１
６は、プリンタ１１におけるジャーナル側紙送りを指示
し、レシートキー１７はプリンタ１１におけるレシート
側紙送りを指示する。オンラインキー１８は、ＲＳ−２
３２Ｃインタフェイス１２を介して外部のコンピュータ
装置と受信するときにはＯＮとされ、非通信時にはＯＦ
Ｆとされる。

【００２４】表示パネル８は、リモートプリンタ１の状
態を表示するためのパネルであり、たとえば複数のＬＥ
Ｄ（発光ダイオード）によって構成される。表示パネル
８には、電源オン時には点灯し、オフ時には消灯するパ
ワーランプと、通信回線接続時に点灯し、非接続時には
消灯するオンラインランプと、フラッシュＲＯＭ３の書
換え時などにエラーが発生したとき点灯するエラーラン
プとを含んで構成される。ブザー９は、リモートプリン
タ１の状態を音によって報知するための装置であり、た
とえばフラッシュＲＯＭ３の書換え時に、正常に書換え
が終了したときにはブザー音を１回鳴らし、異常が生じ
た場合は間欠ブザー音を鳴らしてエラーが発生したこと
を報知する。

【００２５】ＤＩＰスイッチ１０は、複数の状態設定用
スイッチによって構成されており、通信時の通信速度、
通信データの様式などの設定を行う。プリンタ１１は、
ＣＰＵ２から供給される印字用のデータに基づいて印字
を行う。また、リモートプリンタ１のテスト時、設定確
認時には、フラッシュＲＯＭ３などから読出される所定
の印字を行う。

【００２６】図２は切換制御回路５の構成を示すブロッ
ク図であり、図３は切換制御回路５による切換え制御を
説明するための図である。切換制御回路５は、デコード
回路２１と、マッピング切換回路２２と、書込保護回路
２３とを含んで構成される。

【００２７】デコード回路２１は、ＣＰＵ２から与えら
れるアドレス信号に基づいてデコード信号ＡＲＥＡ１，
ＡＲＥＡ２をマッピング切換回路２２に出力する。マッ
ピング切換回路２２は、デコード信号ＡＲＥＡ１，ＡＲ
ＥＡ２と、切換スイッチ６の出力ＯＵＴとに基づいて、
ＣＰＵ２のリセット後にフラッシュＲＯＭ３とＲＡＭ４
とのいずれをＣＰＵ２が参照するかを示す信号を出力す
る。フラッシュＲＯＭ３にはフラッシュＲＯＭ用のチッ
プセレクト信号ＳＥＬＯが与えられ、ＲＡＭ４にはＲＡ
Ｍ用のチップセレクト信号ＳＥＬＡが与えられる。

【００２８】チップセレクト信号ＳＥＬＯ，ＳＥＬＡ
は、いずれか一方のみがハイレベルとなる。フラッシュ
ＲＯＭ３とＲＡＭ４とは、たとえば与えられる信号のレ
ベルがハイレベルであるとエリアＡＲ１に定められ、ロ
ーレベルであるとエリアＡＲ２に定められる。

【００２９】マッピング切換回路２２は、デコード回路
２１から与えられるアドレスデコード信号ＡＲＥＡ１，
ＡＲＥＡ２に対して、切換スイッチ６がＯＮであるかＯ
ＦＦであるかに応じて、フラッシュＲＯＭ３およびＲＡ
Ｍ４にチップセレクト信号ＳＥＬＯ，ＳＥＬＡを出力す
る。切換スイッチ６がＯＦＦであるときには、図３
（１）に示すようにエリアＡＲ１としてフラッシュＲＯ
Ｍ３が割当てられ、エリアＡＲ２としてＲＡＭ４が割当
てられる。また、切換スイッチ６がＯＮであるときに
は、図３（２）に示すようにエリアＡＲ１にＲＡＭ４が
割当てられ、エリアＡＲ２にフラッシュＲＯＭ３が割当
てられる。ＣＰＵ２は、エリアＡＲ１に割当てられてい
るメモリの先頭のアドレスを参照してプログラムを実行
する。

【００３０】書込保護回路２３は、ＣＰＵ２からの書込
み信号ＷＲと、切換スイッチ６の出力ＯＵＴとが与えら
れている。ＣＰＵ２から供給される書込み信号ＷＲがハ
イレベルになってＲＡＭ４に対する書込みが要求された
場合、出力ＯＵＴがいずれの信号レベルであるかによっ
て、ＲＡＭ４に対する書込みを許可するか否かが定めら
れ、ＲＡＭ用書込み信号ＲＷＲの信号レベルが定められ
る。

【００３１】切換スイッチ６の出力ＯＵＴによって、切
換スイッチ６がＯＦＦであると判断されるときには、Ｒ
ＡＭ４のＩＰＬプログラムがコピーされている領域に対
する書込みを許可しない。また、切換えスイッチ６の出
力ＯＵＴによって、切換スイッチ６がＯＮであると判断
されるときには、書込み信号ＷＲがハイレベルとなると
ＲＡＭ４に対する書込みを許可する。

【００３２】図４は、リモートプリンタ１におけるフラ
ッシュＲＯＭ３とＲＡＭ４とに記憶されているプログラ
ムの配置を示す。図４（１）は、ＩＰＬプログラムにお
ける記憶内容変更用のプログラムを実行する前のフラッ
シュＲＯＭ３とＲＡＭ４とを示す。フラッシュＲＯＭ３
の先頭の番地からの領域Ｒ１には、ＩＰＬプログラムが
格納されており、領域Ｒ２には動作プログラムが格納さ
れている。ＲＡＭ４の領域Ｒ３はすべてワークエリアと
なっている。ＲＡＭ４のワークエリアには、たとえば入
力キー群７を用いて入力されたキーを示すキーデータが
格納されるキーバッファが設定される。

【００３３】図３（１）に示すように、フラッシュＲＯ
Ｍ３がエリアＡＲ１に選択されていると、リセット直後
にはフラッシュＲＯＭ３の領域Ｒ１に格納されているＩ
ＰＬプログラムが読出されて実行される。ＩＰＬプログ
ラムによって、領域Ｒ２に記憶されている動作プログラ
ムが読出されて実行される。

【００３４】図４（２）は、記憶内容変更用のプログラ
ムを実行しているときのフラッシュＲＯＭ３とＲＡＭ４
とを示す。記憶内容変更用プログラムが実行されると、
フラッシュＲＯＭ３の領域Ｒ１に格納されているＩＰＬ
プログラムが読出されて、ＲＡＭ４の先頭の番地からの
領域Ｒ４に格納される。領域Ｒ４に続く領域Ｒ５はワー
クエリアとなっている。

【００３５】ＲＡＭ４の領域Ｒ４にＩＰＬプログラムが
格納された後に、切換スイッチ６が切換えられて図３
（２）に示すように各エリアＡＲ１，ＡＲ２が定められ
る。エリアＡＲ１，ＡＲ２が定められた後に、たとえば
リセットされると、領域Ｒ４のＩＰＬプログラムが実行
される。

【００３６】ＩＰＬプログラムが実行されている際に、
記憶内容変更用のプログラムの実行が指示されると、フ
ラッシュＲＯＭ３に格納されているＩＰＬプログラムお
よび動作プログラムが消去される。記憶内容変更用プロ
グラムは、フラッシュＲＯＭ３の各プログラムの消去
後、ＲＳ−２３２Ｃインタフェイス１２を介して供給さ
れる更新されたＩＰＬプログラムおよび動作プログラム
を、ＲＡＭ４における領域Ｒ５のワークエリアに確保さ
れたプログラムデータ受信バッファに格納する。更新さ
れたＩＰＬプログラムおよび動作プログラムは、記憶内
容変更用プログラムによってプログラムデータ受信バッ
ファから読出され、図４（３）に示すようにフラッシュ
ＲＯＭ３の領域Ｒ６，Ｒ７にそれぞれ格納される。

【００３７】図５は、リモートプリンタ１の動作を説明
するためのフローチャートである。ステップｓ１では、
電源スイッチなどがオンされて電源の供給が開始され
る。ステップｓ２では、電源の供給が開始されたことを
示すために表示パネル８のパワーランプを点灯させる。

【００３８】ステップｓ３では、切換スイッチ６がＯＮ
であるかＯＦＦであるかが判断される。切換スイッチ６
がＯＮであるときにはステップｓ４に進む。切換スイッ
チ６がＯＮであるので、リセット直後にＣＰＵ２が読込
みにゆくのはフラッシュＲＯＭ３の領域Ｒ１となる。ス
テップｓ４では、入力キー群７から入力されたキーデー
タを読取り、ＲＡＭ４のワークエリアに確保されたキー
バッファにキーデータを格納する。キー処理プログラム
によって、キーデータに基づく処理が行われる。

【００３９】ステップｓ５では、入力キー群７から入力
されたキーデータがプログラム変更要求を示しているか
否かが判定される。プログラム変更要求ではない場合に
は、フラッシュＲＯＭ３の動作プログラムを読出して実
行する。プログラム変更要求である場合にはステップｓ
６に進む。

【００４０】ステップｓ６では、ＩＰＬプログラムの記
憶内容変更用プログラムを実行し、フラッシュＲＯＭ３
の領域Ｒ１に格納されているＩＰＬプログラムを読出し
て、ＲＡＭ４の領域Ｒ４に書込む。ステップｓ７では、
切換スイッチ６がＯＦＦであるか否かを判定する。切換
スイッチ６がＯＦＦであるときにはステップｓ８に進
む。切換スイッチ６がＯＮであるときにはステップｓ７
の処理を行う。

【００４１】ステップｓ８では、切換スイッチ６がＯＦ
Ｆであることに基づいて、図３（２）に示すようにメモ
リマップを変更しエリアＡＲ１，ＡＲ２に割当てるメモ
リを切換える。ステップｓ８の処理によって、ＣＰＵ２
がリセット後に読込みにいくのはＲＡＭ４の領域Ｒ４と
なる。ステップｓ９では、ＲＡＭ４に記憶されているＩ
ＰＬプログラムのうちの記憶内容変更用プログラムを実
行する。

【００４２】ステップｓ１０では、実行中の記憶内容変
更用プログラムによって、フラッシュＲＯＭ３に格納さ
れているＩＰＬプログラムおよび動作プログラムが消去
される。ステップｓ１１では、たとえば外部のコンピュ
ータ装置から供給される更新されたＩＰＬプログラムお
よび動作プログラムを、ＲＳ−２３２Ｃインタフェイス
１２を介してＲＡＭ４のワークエリアに確保されたプロ
グラムデータ受信バッファに書込む。ステップｓ１２で
は、プログラムデータ受信バッファに書込まれたＩＰＬ
プログラムおよび動作プログラムを読出し、フラッシュ
ＲＯＭ３に書込む。

【００４３】ステップｓ１３では、フラッシュＲＯＭ３
に正確にＩＰＬプログラムおよび動作プログラムが書込
まれたか否かを判断する。フラッシュＲＯＭ３に書込ま
れたプログラムデータと、ＲＡＭ４に記憶されているプ
ログラムデータとを比較することによって、フラッシュ
ＲＯＭ３に正常に書込まれたか否かが判断される。プロ
グラムデータが正常に書込まれている場合にはステップ
ｓ１４に進む。ステップｓ１４では、正常終了処理とし
て、たとえば書換えが正常に終了したことを示すために
表示パネル８の所定の表示ランプを点灯させ、ブザー９
からブザー音を発する。

【００４４】ステップｓ１５では、次の電源ＯＮ時にフ
ラッシュＲＯＭ３に書込まれた更新されたＩＰＬプログ
ラムを参照するように、切換スイッチ６がＯＮへと切換
えられる。切換スイッチ６がＯＮへと切換えられること
によって、マッピング切換回路２２の各出力の信号レベ
ルが切換わり、図３（１）に示すようなメモリマップに
定められて処理が終了する。切換スイッチ６がＯＮに切
換えられるので、次の電源ＯＮ時にＣＰＵ２が最初に参
照するアドレスはフラッシュＲＯＭ３の先頭アドレスと
なる。

【００４５】ステップｓ１３において、プログラムデー
タが正常に書込まれていないと判断されたときには、ス
テップｓ１６に進む。ステップｓ１６では、３回目のプ
ログラムデータの書込みエラーであるか否かを判定す
る。３回目のエラーであると判定された場合にはステッ
プｓ１７に進む。ステップｓ１７では、プログラムデー
タの書換えが正常に行われないとして、表示パネル８の
所定の表示ランプを点灯させ、ブザー９によって間欠的
にブザー音を発し、エラー終了であることを告知して処
理が終了する。ステップｓ１６において、書換えエラー
の回数が３回目未満であると判定された場合にはステッ
プｓ１０以降の処理を行う。

【００４６】エラー終了であるときには、フラッシュＲ
ＯＭ３にはＩＰＬプログラムは書込まれていないので、
再びＲＡＭ４に記憶されているＩＰＬプログラムを起動
するためにＣＰＵ２をリセットする。エラー終了時に
は、切換スイッチ６はＯＦＦのまま切換えられないの
で、ＣＰＵ２のリセット後はステップｓ１８以降の処理
が行われる。

【００４７】ステップｓ３において、切換スイッチ６が
ＯＦＦであると判断された場合にはステップｓ１８に進
む。ステップｓ１８では、切換スイッチ６の状態に基づ
いてメモリマップを変更する。ステップｓ１８における
処理によって、リセット時にＣＰＵ２はＲＡＭ４の領域
Ｒ４を参照するようになる。ステップｓ１９では、領域
Ｒ４に記憶されているＩＰＬプログラムにおける記憶内
容変更用プログラムを実行する。

【００４８】ステップｓ２０では、実行中の記憶内容変
更用プログラムによって、フラッシュＲＯＭ３に記憶さ
れているＩＰＬプログラムおよび動作プログラムが消去
される。エラー終了後にリセットされて再び記憶内容変
更用プログラムが実行されている場合であってもフラッ
シュＲＯＭ３の消去動作は行われる。

【００４９】ステップｓ２１では、たとえば外部のコン
ピュータ装置から供給される更新されたＩＰＬプログラ
ムおよび動作プログラムを、ＲＳ−２３２Ｃインタフェ
イス１２を介してＲＡＭ４のワークエリアに確保された
プログラムデータ受信バッファに書込む。ＲＡＭ４にＩ
ＰＬプログラムおよび動作プログラムを書込んだ後はス
テップｓ１２以降の処理を行う。

【００５０】以上のように本実施の形態によれば、リモ
ートプリンタ１において、フラッシュＲＯＭ３に記憶さ
れているＩＰＬプログラムおよび動作プログラムを書換
える際には、入力キー群７における所定のキーを操作す
ることによって、記憶内容変更用のプログラムを含んで
いるＩＰＬプログラムがＲＡＭ４に書込まれる。ＲＡＭ
４に書込まれたＩＰＬプログラムから記憶内容変更用プ
ログラムを実行して、フラッシュＲＯＭ３の内容を消去
し、ＲＳ−２３２Ｃインタフェイス１２を介して与えら
れるプログラムをフラッシュＲＯＭ３に書込む。フラッ
シュＲＯＭ３の記憶内容を書換えるための記憶内容変更
用プログラムは、動作用プログラムが記憶されているフ
ラッシュＲＯＭ３に記憶されているので、記憶内容変更
用プログラムを記憶しておく専用ＲＯＭなどをリモート
プリンタ１に設けなくても動作用プログラムを書換える
ことができ、部品点数を削減することができる。

【００５１】また、ＲＡＭ４に書込まれた記憶内容変更
用プログラムを実行する際には、書込み保護回路２３に
よって、ＩＰＬプログラムが格納されたＲＡＭ４の領域
に対する書込みは行われないので、プログラムが書換え
られて暴走することがなく、安定して書換え動作を行う
ことができる。

【００５２】また、リセット後にＣＰＵ２が参照するメ
モリは、切換スイッチ６の状態に基づいてマッピング切
換回路２２の出力によって定められるので、記憶内容変
更用プログラムを実行している際に、エラーが生じても
リセットしてもう一度書換え処理を行うことができる。

【００５３】図６は、本発明の実施の第２の形態である
リモートプリンタ３１に含まれるフラッシュＲＯＭ３３
の構成を示すブロック図である。リモートプリンタ３１
は、フラッシュＲＯＭ３がフラッシュＲＯＭ３３と置換
わったことを除いてはリモートプリンタ１と同一である
ので、同一の構成要素に同一の参照符を付して説明を省
略する。

【００５４】フラッシュＲＯＭ３３は、フラッシュメモ
リセル４１とＩＤ格納レジスタ４２と、ＩＤ参照レジス
タ４３と、比較回路４４と、データ保護回路４５とを含
んで構成される。フラッシュメモリセル４１は、電気的
に書換えが可能となっており、データ保護回路４５から
供給される書込み許可信号ＷＲＡが、たとえばハイレベ
ルであるときのみデータバス１３から供給されるデータ
が書込まれる。

【００５５】ＩＤ格納レジスタ４２は、ＰＲＯＭなどの
不揮発性メモリで構成され、一度だけデータの書込みを
行うことができる。ＩＤ格納レジスタ４２には、たとえ
ばフラッシュＲＯＭ３３を製造するメーカが予め定める
ＩＤ情報を書込む。メーカによって書込まれるＩＤ情報
を、以下「メーカＩＤ情報」と称する。

【００５６】ＩＤ参照レジスタ４３は、ユーザによって
入力されるＩＤ情報が書込まれるレジスタであり、たと
えばＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される。ユーザに
よって書込まれるＩＤ情報を、以下「ユーザＩＤ情報」
と称する。ユーザＩＤ情報は、ユーザがフラッシュメモ
リセル４１にデータを書込もうとする際に、入力キー群
７として設けられるたとえば数値キーを用いて入力され
る。

【００５７】比較回路４４は、ＩＤ格納レジスタ４２と
ＩＤ参照レジスタ４３とに格納されている各ＩＤ情報を
比較する。各レジスタ４２，４３に格納されている各Ｉ
Ｄ情報が一致しているときは、一致検出信号ＳＡをデー
タ保護回路４５に供給する。データ保護回路４５は、一
致検出信号ＳＡが供給されている状態で、ＣＰＵ２から
書込み信号ＷＲが供給されると書込み許可信号ＷＲＡを
フラッシュメモリセル４１に出力する。

【００５８】図７は、フラッシュＲＯＭ３３に書込みを
行う際の処理を説明するためのフローチャートである。
フラッシュＲＯＭ３３に書込みを行う際には、ユーザは
ユーザＩＤ情報を入力する。入力されたユーザＩＤ情報
は、データバス１３を介してＩＤ参照レジスタ４３に格
納される。ステップａ１では、ＩＤ参照レジスタ４３に
ユーザＩＤ情報が格納される。比較回路４４は、ユーザ
ＩＤ情報と、ＩＤ格納レジスタ４２に格納されているメ
ーカＩＤ情報とを照合する。

【００５９】ステップａ２では、ステップａ１における
照合の結果、ユーザＩＤ情報とメーカＩＤ情報とが一致
しているかどうかが判断される。ユーザＩＤ情報とメー
カＩＤ情報とが一致しているときにはステップａ３に進
む。ステップａ３では、比較回路４４からデータ保護回
路４５へと一致検出信号ＳＡが供給され、フラッシュメ
モリセル４１への書込みが許可されるようになる。

【００６０】ステップａ４では、データ保護回路４５に
は一致検出信号ＳＡが与えられており、ＣＰＵ２から書
込み信号ＷＲが供給されると、フラッシュメモリセル４
１に書込み許可信号ＷＲＡが供給され、フラッシュメモ
リセル４１の書込みが可能となる。

【００６１】以上のように本実施の形態によれば、ＩＤ
格納レジスタ４２に格納されているメーカＩＤ情報と等
しいデータを入力しなければ、フラッシュメモリセル４
１にデータの書込みを行うことができないので、不用意
にフラッシュメモリセル４１の内容が書換えられること
を防止することができる。

【００６２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、不揮発性
メモリの記憶内容を変更する際に実行される記憶内容変
更用のプログラムは、動作用プログラムを書換えるとき
に不揮発性メモリからＲＡＭに転送されて実行されるの
で、記憶内容変更用のプログラムを記憶する専用の不揮
発性メモリをコンピュータ装置に設ける必要がなく、コ
ンピュータ装置の部品点数を削減し、製品のコストを抑
えることができる。

【００６３】また本発明によれば、前記ＲＡＭに転送さ
れた記憶内容変更用のプログラムは、保護手段によって
保護されており、書込みが行われないので、ＲＡＭに記
憶されている記憶内容変更用プログラムを実行している
ときに、ノイズなどによってＲＡＭに記憶されている記
憶内容変更用プログラムが書換えられて、プログラムが
暴走することを防止することができる。

【００６４】さらに本発明によれば、変更指示手段によ
って変更動作の指示が行われたか否かで不揮発性メモリ
の予め定める記憶領域に書込まれているプログラムか、
ＲＡＭの記憶領域に記憶されている記憶内容変更用のプ
ログラムかが選択されるので、所望の動作に応じて不揮
発性メモリまたはＲＡＭの予め定める領域のプログラム
を読出して実行させることができる。

【００６５】またさらに本発明によれば、コンピュータ
装置における電気的に書換え可能な不揮発性メモリは、
フラッシュＥＰＲＯＭによって構成されるので、メモリ
領域全体あるいは所定の大きさに分割したブロック単位
に書換えを行う場合であっても、確実に書換えを行うこ
とができる。

【００６６】またさらに本発明によれば、不揮発性メモ
リの記憶内容を変更する際には、入力手段から入力され
るデータと、レジスタに格納されている保護コードとが
一致しているかどうかを比較保護手段が判断して、一致
しているときのみ書込みを許可しているので、保護コー
ドと同一のデータを入力手段から入力することができる
場合のみ不揮発性メモリの記憶内容を変更することがで
き、記憶内容が不用意に書換えられることを防止するこ
とができる。

【００６７】またさらに本発明によれば、不揮発性半導
体メモリの記憶内容を変更する際には、入力手段から入
力されるデータと、レジスタに格納されている保護コー
ドとが一致しているかどうかを比較保護手段が判断し
て、一致しているときのみ書込みを許可しているので、
保護コードと同一のデータを入力手段から入力すること
ができる場合のみ不揮発性半導体メモリの記憶内容を変
更することができ、記憶内容が不用意に書換えられるこ
とを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の第１の形態であるリモートプリ
ンタ１の構成を示すブロック図である。

【図２】切換制御回路５の構成を示すブロック図であ
る。

【図３】切換制御回路５による切換え制御を説明するた
めの図である。

【図４】リモートプリンタ１におけるフラッシュＲＯＭ
３とＲＡＭ４とに記憶されているプログラムの配置を示
す図である。

【図５】リモートプリンタ１の動作を説明するためのフ
ローチャートである。

【図６】本発明の実施の第２の形態であるリモートプリ
ンタ３１に含まれるフラッシュＲＯＭ３３の構成を示す
ブロック図である。

【図７】フラッシュＲＯＭ３３に書込みを行う際の処理
を説明するためのフローチャートである。

【符号の説明】

１，３１ リモートプリンタ ２ ＣＰＵ ３，３３ フラッシュＲＯＭ ４ ＲＡＭ ５ 切換制御回路 ６ 切換スイッチ ７ 入力キー群 ８ 表示パネル ９ ブザー １０ ＤＩＰスイッチ １１ プリンタ １２ ＲＳ−２３２Ｃインタフェイス １３ データバス

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記憶内容変更用のプログラムを含むコン
   ピュータ装置の動作用プログラムが書込まれ、電気的に
   書換え可能な不揮発性メモリと、 記憶内容の書込みおよび読出しが可能なＲＡＭと、 不揮発性メモリから記憶内容変更用のプログラムをＲＡ
   Ｍに転送するプログラム転送手段と、 不揮発性メモリに対する記憶内容の変更動作を指示する
   変更指示手段と、 変更指示手段からの記憶内容変更指示に応答し、プログ
   ラム転送手段によって不揮発性メモリからＲＡＭに転送
   された記憶内容変更用プログラムに従って、不揮発性メ
   モリの記憶内容を電気的に書換えるように制御する制御
   手段とを含むことを特徴とする電気的書換え可能な不揮
   発性メモリを備えるコンピュータ装置。
2. 【請求項２】 前記プログラム転送手段によって、前記
   ＲＡＭに転送された記憶内容変更用のプログラムに対す
   る書込み保護を行う保護手段を有することを特徴とする
   請求項１記載の電気的書換え可能な不揮発性メモリを備
   えるコンピュータ装置。
3. 【請求項３】 前記制御手段は、 前記変更指示手段によって変更動作が指示されないと
   き、前記不揮発性メモリの予め定める記憶領域に書込ま
   れているプログラムに従って動作し、 変更指示手段によって変更動作が指示されるとき、前記
   プログラム転送手段によって記憶内容変更用のプログラ
   ムが転送される前記ＲＡＭの記憶領域に記憶されている
   プログラムに従って動作するプログラム処理手段を有す
   ることを特徴とする請求項１または２記載の電気的書換
   え可能な不揮発性メモリを備えるコンピュータ装置。
4. 【請求項４】 前記不揮発性メモリは、フラッシュＥＰ
   ＲＯＭであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか
   に記載の電気的書換え可能な不揮発性メモリを備えるコ
   ンピュータ装置。
5. 【請求項５】 前記不揮発性メモリは、 製造時に保護コードが格納されるレジスタと、 記憶内容の変更時にデータが入力される入力手段と、 入力手段に入力されるデータとレジスタに格納されてい
   る保護コードとを比較し、一致しているときのみ、記憶
   内容の変更を許容する比較保護手段とを有することを特
   徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電気的書換え
   可能な不揮発性メモリを備えるコンピュータ装置。
6. 【請求項６】 電気的書換え可能な不揮発性半導体メモ
   リにおいて、 製造時に保護コードが格納されるレジスタと、 記憶内容の変更時にデータが入力される入力手段と、 入力手段に入力されるデータとレジスタに格納されてい
   る保護コードとを比較し、一致しているときのみ、記憶
   内容の変更を許容する比較保護手段とを含むことを特徴
   とする不揮発性半導体メモリ。