JPH10113863A - 研磨用ガイド装置の位置決め方法及びその装置並びに薄板状基板の研磨方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 薄板状基板の被研磨面の研磨だれを無くし、
研磨した面が面内均一性よく研磨できる研磨用ガイド装
置の位置決め方法及びその装置を得ること。 【構成】 本発明の研磨用ガイド装置の位置決め装置１
は、基板保持盤１２の周辺部にガイド装置１４が装着さ
れ、その基板保持側平面にバッキングパッド１３が被着
されている回転基板保持装置１０で保持された薄板状基
板Ｓの研磨前に平坦定盤３１の平坦面３１Ａに前記薄板
状基板を当接させ、所定の研磨圧を加え、バッキングパ
ッド１３を圧縮させて、実際の研磨状態に近い高さ状態
に維持しながら前記ガイド装置の下面を前記平坦面に当
接させて前記薄板状基板の被研磨面とを同一平面状態に
調整し、ガイド装置を位置決めする方法を採っている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、Ｌ
ＣＤ用ガラス板のような薄板状基板の被研磨面積の広い
被研磨面を理想的な表面基準に出来るだけ近い状態で面
内均一性良く研磨できる研磨用ガイド装置の位置決め方
法及びその装置並びに薄板状基板の研磨方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】先ず、図３及び図４を参照しながら、従
来技術の薄板状基板の研磨装置及びこれを用いた研磨方
法を説明する。図３は研磨状態における従来技術の薄板
状基板の研磨装置の一部を示した断面図であり、図４は
図３に示した研磨装置の、研磨しようとする薄板状基板
を保持するための研磨動作前の状態の従来技術の回転基
板保持装置を示した断面図である。

【０００３】薄板状基板、例えば、半導体ウエハ（以
下、研磨しようとする薄板状基板として「半導体ウエ
ハ」を例示して説明する）を研磨する場合には、図３に
示した構成の研磨装置１００を用いて行われている。こ
の研磨装置１００は、大別して、研磨定盤１１０、基板
保持装置１２０、ノズル１３０とから構成されている。

【０００４】前記研磨定盤１１０は、例えば、半導体ウ
エハＳの直径の２倍以上の直径からなる面積の平面を備
え、その平面には、例えば、ポリエステル樹脂製の不織
布などの研磨パッド１１１が接着剤などで貼着されてい
て、回転軸１１２を中心に、例えば、３０ｒｐｍで矢印
Ｒａの方向に回転するように構成されている。

【０００５】前記基板保持装置１２０は前記研磨定盤１
１０の上方に位置し、そして研磨定盤１１０の回転軸１
１２から外れた、例えば、研磨定盤１１０の半径の中央
部に回転中心があり、自在継手１２１Ａを介し、その上
下に回転中心が整えられた上下可変軸１２１Ｂ、１２１
Ｃからなる回転軸１２１を中心にして、例えば、前記研
磨定盤１１０の回転数と同数の３０ｒｐｍで、かつ同様
の回転方向（矢印Ｒｂ）で回転する。

【０００６】この基板保持装置１２０は、図４にも示し
たように、基板保持盤１２２が中心部を構成し、その基
板保持盤１２２の下面に半導体ウエハＳを保持するため
の基板保持体の一形態であるバッキングパッド１２３が
固定されている。更にバッキングパッド１２３の外周面
に半導体ウエハＳの飛び出しを防止するための内径が半
導体ウエハＳの外径より僅かに大きい寸法のエポキシ樹
脂製ガイドリング１２４が固定されている。前記バッキ
ングパッド１２３には、厚さが１．５ｍｍ程度のポリウ
レタンまたはポリエステル樹脂製のシートが用いられて
いる。また、前記ノズル１３０は研磨液供給装置であっ
て、前記研磨定盤１１０の回転中心部付近で研磨パッド
１１１と半導体ウエハＳとの間に研磨液Ｌを供給する。
なお、図３には、便宜上、研磨定盤１１０の右半分のみ
を示した。

【０００７】半導体ウエハＳを研磨するに当たっては、
図４に示したように、研磨しようとする半導体ウエハＳ
を、その被研磨面Ｓａを外側、即ち、下側にしてバッキ
ングパッド１２３に水吸着で保持させ、図３に示したよ
うに、その保持状態で基板保持装置１２０を下降させ
て、前記回転軸１２１、自在継手１２１Ａを介して研磨
定盤１１０の研磨パッド１１１面に所定の押圧力で加圧
（矢印Ｐ）し、研磨定盤１１０を前記回転数で矢印Ｒａ
の方向に回転させ、そして研磨パッド１１１の表面にノ
ズル１３０から研磨液Ｌを供給し、また、前記半導体ウ
エハＳを保持した基板保持盤１２２を前記回転数で矢印
Ｒｂの方向に回転させながら、半導体ウエハＳの被研磨
面Ｓａを研磨パッド１１１と研磨液Ｌとでケミカルメカ
ニカルポリッシュ（以下、単に「研磨」と略記する）し
ている。研磨中、半導体ウエハＳは基板保持装置１２０
及び研磨定盤１１０の回転により研磨面から飛び出そう
とするが、前記ガイドリング１２４の存在により研磨中
の半導体ウエハＳの飛び出しを防止することができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来技術の
半導体ウエハの研磨方法では、半導体ウエハＳを研磨す
る時に、通常、半導体ウエハＳをガイドリング１２４の
下面から突出させた状態で研磨している。この突出量
は、図５に示した「半導体ウエハ突出量と面内均一性」
の関係グラフに示されているように、通常、１００〜２
００μｍ程度である。突出量がこのような程度の値に決
定されている理由は、半導体ウエハＳの被研磨面Ｓａと
研磨パッド１１１との間に研磨液Ｌを良く侵入させるた
めには、前記突出量を大きくした方が良く、しかし半導
体ウエハＳがずれを起こさないためには、小さくした方
が良いということから、そのバランスを考慮して決めら
れている。

【０００９】しかし、このような条件下で半導体ウエハ
Ｓの被研磨面Ｓａを研磨すると、研磨された後の被研磨
面Ｓａは面内均一性は、図５のグラフから明らかなよう
に、±２０％程度とばらつきが大きく、余り良好ではな
かった。この被研磨面Ｓａの面内均一性の悪さの主な原
因は、被研磨面Ｓａに対してガイドリング１２４の下面
１２４Ａが後退しているので、研磨時に半導体ウエハＳ
が研磨パッド１１１へ沈み込み、研磨パッド１１１の押
圧力が半導体ウエハＳの中央部よりもその周辺部に強く
掛かるため、外周部の研磨レートが早くなってしまうた
めであると考えられる。所謂、研磨の面だれが生じ、こ
の研磨だれにより被研磨面の面内均一性が損なわれてい
るものと考えられる。

【００１０】この研磨だれを無くすには、研磨時のガイ
ドリング１２４の下面から下方に突出させる半導体ウエ
ハＳの最適な突出量を、図５のグラフの「本発明」部分
に示したように、０〜５μｍの範囲に設定すると、被研
磨面の面内均一性が最良になる。しかし、これはバッキ
ングパッドの圧縮量も含んでいるため、実研磨状態で
は、共にほぼ同一平面となる同一圧力が最良であること
が判った。

【００１１】本発明では、実際に研磨する前に、基板保
持装置で保持した半導体ウエハとガイド装置とを共にほ
ぼ同一平面となるように予め調整し、その後、実際に研
磨する手順を採って、前記のような研磨だれを無くし、
被研磨面が面内均一性よく研磨できる研磨用ガイド装置
の位置決め方法及びその装置並びに薄板状基板の研磨方
法を得ることを目的とするものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】そのため、本発明の研磨
用ガイド装置の位置決め方法は、基板保持盤の周辺部に
ガイド装置が装着され、その基板保持側平面に基板保持
体が装着されている回転基板保持装置の前記基板保持盤
に前記基板保持体を介して保持された薄板状基板の被研
磨面を回転研磨定盤の表面に装着された研磨パッドによ
り研磨するに当たり、表面が所定の平坦面に仕上げられ
ている平坦定盤の前記平坦面に前記回転基板保持装置に
保持された前記薄板状基板の被研磨面及び前記ガイド装
置を回転させずに当接させ、この当接状態で、薄板状基
板に所定の研磨圧を加え、また、前記ガイド装置の下面
を前記平坦面に当接させて前記薄板状基板の被研磨面と
をほぼ同一平面状態に調整してガイド装置を位置決めす
る方法を採って、前記課題を解決している。

【００１３】また、前記ガイド装置の位置決め方法を実
行できる一手段としての本発明の研磨用ガイド装置の位
置決め装置は、基板保持装置とガイド装置の高さ位置調
整装置とから構成されており、その基板保持装置が、支
持基板と、この支持基板の下面中央部に固定されている
基板保持盤と、この基板保持盤の外周部に配設され、前
記支持基板の周辺部から上下方向に移動可能に支持され
たガイド装置と、このガイド装置を上下方向に移動させ
る駆動装置と、前記基板保持盤を背後から所定の研磨圧
を加える押圧装置と、から構成されており、そして、前
記ガイド装置の高さ位置調整装置が、表面が所定の平坦
面に仕上げられている平坦定盤と、この平坦定盤の前記
平坦面に前記基板保持装置に支持された薄板状基板及び
ガイド装置が載置された時に、前記ガイド装置が載置さ
れた位置の平坦定盤に配設されている複数個の変移セン
サーと、これらの変移センサーが検出した高さ位置信号
を基に前記駆動装置を制御する制御信号を生成する制御
装置と、から構成されている。

【００１４】また、本発明の薄板状基板の研磨方法は、
前記ガイド装置の位置決め方法を用い、基板保持盤の周
辺部にガイド装置が装着され、その基板保持側平面に基
板保持体が装着されている回転基板保持装置の前記基板
保持盤に前記基板保持体を介して保持された薄板状基板
の被研磨面を回転研磨定盤の表面に装着された研磨パッ
ドにより研磨するに当たり、表面が所定の平坦面に仕上
げられている平坦定盤の前記平坦面に前記回転基板保持
装置に保持された前記薄板状基板の被研磨面を回転させ
ずに当接させ、この当接状態で、先ず、薄板状基板に所
定の研磨圧を加え、前記ガイド装置の下面を前記平坦面
に当接させて前記薄板状基板の被研磨面とをほぼ同一平
面状態に調整した後、この調整済み回転基板保持装置を
回転研磨定盤の研磨面に移動させて、前記ほぼ同一平面
状態にある前記薄板状基板の被研磨面を研磨する研磨方
法を採って、前記課題を解決している。

【００１５】従って、本発明によれば、ガイド装置の下
面の高さ位置を研磨状態に加圧され薄板状基板の被研磨
面に容易に合わせることができ、従って、その薄板状基
板の被研磨面をガイド装置の下面で見かけ上拡大するこ
とができるため、両者の面を同時に研磨定盤で研磨する
と、前記面だれによる研磨の均一性の悪化を防止するこ
とができ、好ましい状態で面内均一性良く研磨すること
ができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】次に、図１及び図２を参照しなが
ら、本発明の研磨用ガイド装置の位置決め装置及び薄板
状基板の研磨方法の実施例を説明する。図１は本発明の
研磨用ガイド装置の位置決め装置の実施例を示す断面図
であり、そして図２は図１の矢示Ａ−Ａの線上における
断面図である。

【００１７】先ず、本発明の研磨用ガイド装置の位置決
め装置の構成を説明する。図１において、符号１は本発
明の研磨用ガイド装置の位置決め装置（以下、単に「位
置決め装置」と略記する）を指す。この位置決め装置１
は、大きく分けて、基板保持装置１０とガイド装置の高
さ位置調整装置（以下、単に「高さ位置調整装置」と略
記する）３０とから構成されている。

【００１８】前記基板保持装置１０は、円盤状の支持基
板１１を中心に構成されていて、その支持基板１１の下
面中央部には円盤状の基板保持盤１２が固定されてお
り、更にその下面には基板保持体の一形態であるバッキ
ングパッド１３が被着されている。また、基板保持盤１
２及びバッキングパッド１３の外周面には、基板保持盤
１２から独立した状態で、リング状研磨用ガイド装置
（以下、単に「ガイド装置」と略記する）１４が配設さ
れている。このガイド装置１４は、その内径が半導体ウ
エハＳ及び基板保持盤１２の外径より僅かに大きい寸法
で形成されており、また、その材質はエポキシ樹脂であ
る。なお、前記基板保持体としては、前記パッド形態の
ものの他、多孔質素材などで形成されている真空チャッ
クがあり、この真空チャックを用いてもよい。

【００１９】一方、支持基板１１はその上面周辺部に
は、３〜１２個のモータ１５が固定されている。これら
のモータ１５の軸には、図２に示したように、偏芯カム
１６が取り付けられており、各偏芯カム１６の下面に
は、前記支持基板１１を貫通して前記ガイド装置１４の
上面に達する押圧杆１７が上下方向に移動できる構造で
配設されている。各押圧杆１７の上下端には押圧板１
８、１９が形成されている。下方の押圧板１９の幅はガ
イド装置１４の幅と同等の幅にすることが望ましい。ま
た、上方の押圧板１８は常時前記偏芯カム１６に圧接さ
せられている。この圧接は、押圧板１８の下面と前記支
持基板１１の上面に存在する押圧杆１７に介在、装着し
たコイルバネ２０の反発力で行われている。モータ１５
の上部には一対の端子２２が導出されている。

【００２０】更にまた、支持基板１１の上面中央部に
は、回転軸２１が固定されている。この回転軸２１は自
在継手２１Ａを介し、その上下に回転中心が整えられた
上下可変軸２１Ｂ、２１Ｃから構成されている。基板保
持装置１０は、その基板保持盤に保持された薄板状基板
を研磨する場合には、この回転軸２１を中心に回転す
る。

【００２１】前記高さ位置調整装置３０は、表面が所定
の平坦面３１Ａに仕上げられている平坦定盤３１を中心
に構成されている。この平坦定盤３１はセラミック、ガ
ラスなどで形成されている。平坦定盤３１の中央部に
は、前記平坦面３１Ａに前記基板保持盤１２に支持され
た薄板状基板、例えば、半導体ウエハＳ及びガイド装置
１４が載置された時に、前記半導体ウエハＳが載置され
た位置の丁度下面の中心部に貫通孔３２が開けられてお
り、また、平坦定盤３１の周辺部には、前記ガイド装置
１４が載置された位置の丁度下面に等角間隔で複数の、
例えば、４個の貫通孔３２が開けられている。そして中
心部の貫通孔３２には半導体ウエハＳ用の接触式変位セ
ンサ（以下、単に「変位センサ」と略記する）３３Ａ
が、周辺部の各貫通孔３２には接触式変位センサ３３Ｂ
が挿入、装着されている。これらの変位センサ３３Ａ、
３３Ｂは予め平坦定盤３１の平坦表面でゼロ位置になる
ように調整され、固定されている。

【００２２】１個の変位センサ３３Ａと４個の変位セン
サ３３Ｂの出力端子はケーブル３４でモータ制御装置３
５の入力端子に接続されており、４個の各変位センサ３
３Ｂに対応する出力端子はそれぞれのモータ１５の端子
２２にケーブル３６、それらの先端部に接続されている
クイック接触子３７を介して接続される。モータ制御装
置３５は、１個の変位センサ３３Ａと４個の変位センサ
３３Ｂからケーブル３４を経て入力されるガイド装置１
４の高さ信号により、ケーブル３６、クイック接触子３
７、モータ１５の端子２２を経てモータ１５を回転さ
せ、偏芯カム１６を微細に回動させて、ガイド装置１４
の高さがゼロ位置となった時にモータ１５を停止させる
制御機能を備えている。符号３８は電源ケーブルを指
す。

【００２３】次に、以上説明した構成の位置決め装置１
の機能、動作を説明する。研磨前に先ず、ケーブル３６
の先端部にある一対のクイック接触子３７をモータ１５
の端子２２にワンタッチで接続し、モータ１５が回転で
きる状態にしておく。そして、研磨使用とする薄板状基
板、例えば、半導体ウエハＳを基板保持装置１０のバッ
キングパッド１３面に水吸着で保持し、その基板保持装
置１０全体を平坦定盤３１の平坦面３１Ａの測定位置に
移動させ、次に、基板保持装置１０を回転させずに降下
させ、平坦面３１Ａ上に載置する。次に、回転軸２１に
研磨圧Ｐを加え、半導体ウエハＳに研磨圧Ｐに相当する
圧力を加える。加圧すると、バッキングパッド１３は圧
縮され、ほぼ研磨状態に近い半導体ウエハＳの高さがシ
ミュレートすることができる。

【００２４】モータ１５はモータ制御装置３５により正
逆回転し、偏芯カム１６を正逆回動させ、押圧杆１７が
上昇、または降下してガイド装置１４が上下し、変位セ
ンサ３３Ｂがそのガイド装置１４と接触しながら、それ
らの変位センサ３３Ｂがガイド装置１４のゼロ位置を検
出すると、モータ１５はモータ制御装置３５から供給さ
れる高さ位置制御信号により停止する。こうして各モー
タ１５がゼロ位置になった所で半導体ウエハＳの被研磨
面とガイド装置１６の下面との高さ位置が同一高さに調
整されたことになり、その調整が完了する。

【００２５】変位センサ３３Ａの検出出力−変位センサ
３３Ｂの検出出力＝（−）の場合には、ガイド装置１６
の下面を半導体ウエハＳの被研磨面より上方に後退さ
せ、また変位センサ３３Ａの検出出力−変位センサ３３
Ｂの検出出力＝（＋）の場合には、ガイド装置１６の下
面を半導体ウエハＳの被研磨面より平坦定盤３１の平坦
面３１Ａに近づける。偏芯カム１６の偏芯量は１８０°
の回動で１００〜５００μｍが良く、１００μｍの場合
は１８°の回動で１０μｍの変化量がえられる。

【００２６】以上のような手順を踏んで半導体ウエハＳ
とガイド装置１４との高さが調整された基板保持装置１
０を、次に研磨部へ移動させる。研磨部には、図４に示
した研磨定盤１１０が設置されており、この研磨定盤１
１０の回転軸１１２から外れた、例えば、研磨定盤１１
０の半径の中央部に回転軸２１が位置するように基板保
持装置１０を位置させ、そして降下させ、ノズル１３０
から研磨液Ｌを研磨面に供給しながら、基板保持装置１
０を回転軸２１を中心にして、例えば、前記研磨定盤１
１０の回転数と同数の３０ｒｐｍで、かつ同様の回転方
向（矢印Ｒｂ）で回転させ、半導体ウエハＳの被研磨面
を研磨パッド１１１と研磨液Ｌとでケミカルメカニカル
ポリッシュ（研磨）する。

【００２７】このような研磨方法で研磨すると、半導体
ウエハの被研磨面はガイド装置１４で見かけ上直径が拡
大した状態になり、そのため半導体ウエハＳの周辺部に
生じがちであった面だれが無くなり、半導体ウエハＳの
被研磨面の面内均一性の悪化を防止することができる。
また、研磨中、半導体ウエハＳは基板保持装置１０及び
研磨定盤１１０の回転により研磨面から飛び出そうとす
るが、前記ガイド装置１４の存在により研磨中の半導体
ウエハＳの飛び出しを防止することができ、本発明にお
けるガイド装置１４は本来の機能も果たしている。

【００２８】図１に示した本発明の位置決め装置１は、
平坦定盤３１の中心部に変位センサ３３Ａが配設して半
導体ウエハＳの被研磨面の高さ位置を検出するようにし
ているため、支持基板１１及び基板保持盤１２に支持さ
れた半導体ウエハＳの被研磨面の高さ位置に対する支持
基板１１に支持されているガイド装置１６の下面の高さ
位置が上方または下方のいずれの高さ位置にあっても、
ガイド装置１６の下面を半導体ウエハＳの被研磨面と同
一の高さ位置に揃えることができるが、支持基板１１に
ガイド装置１６を支持させる場合に、ガイド装置１６の
下面を半導体ウエハＳの被研磨面より上方に予め後退さ
せておけば、前記平坦定盤３１の中心部に配設した変位
センサ３３Ａを省略することができる。

【００２９】即ち、前記の高さ位置関係にある半導体ウ
エハＳとガイド装置１６を平坦定盤３１にセットする
と、先ず、半導体ウエハＳの被研磨面が平坦定盤３１の
平坦面３１Ａに当接し、その半導体ウエハＳに研磨圧Ｐ
を掛けた状態で、モータ制御装置３５の制御の下にモー
タ１５を駆動し、偏芯カム１６を回動して、ガイド装置
１６を降下させ、平坦定盤３１の平坦面３１Ａに当接さ
せると、そのガイド装置１６の下面を半導体ウエハＳの
被研磨面と同一の高さ位置に揃えることができる。

【００３０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の研磨用ガイド装置の位置決め方法及びその装置並びに
薄板状基板の研磨方法を用いると、下記のような優れた
効果が得られる。即ち、 １．薄板状基板の被研磨面の研磨による面内均一性が改
善される ２．研磨圧力を掛けた状態で、薄板状基板の被研磨面と
バッキングパッド表面を同一平面に合わせることができ
る ３．変位センサとモータの連動によりガイド装置の位置
合わせを自動化できる ４．平坦定盤が非金属で形成されているため、金属汚染
や塵埃の影響を受けない ５．偏芯カムとバネで押し合うため、ガイド装置の位置
は研磨中でも安定している などである。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の研磨用ガイド装置の位置決め装置の
実施例を示す断面図である。

【図２】 図１のＡ−Ａ線上における断面図である。

【図３】 研磨状態における従来技術の薄板状基板の研
磨装置の一部を示した断面図である。

【図４】 図３に示した研磨装置の、研磨しようとする
薄板状基板を保持するための研磨動作前の状態の従来技
術の回転基板保持装置を示した断面図である。

【図５】 半導体ウエハの突出量と被研磨面の面内均一
性との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１…本発明の位置決め装置、１０…基板保持装置、１１
…支持基板、１２…基板保持盤、１３…バッキングパッ
ド、１４…ガイド装置、１５…モータ、１６…偏芯カ
ム、１７…押圧杆、１８，１９…押圧板、２０…コイル
バネ、２１…回転軸、３０…高さ位置調整装置、３１…
平坦定盤、３１Ａ…平坦面、３２…貫通孔、３３Ａ，３
３Ｂ…（接触式）変位センサ、３５…モータ制御装置、
Ｌ…研磨液、Ｓ…半導体ウエハ（薄板状基板）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板保持盤の周辺部にガイド装置が装着
   され、その基板保持側平面に基板保持体が装着されてい
   る回転基板保持装置の前記基板保持盤に前記基板保持体
   を介して保持された薄板状基板の被研磨面を回転研磨定
   盤の表面に装着された研磨パッドにより研磨するに当た
   り、表面が所定の平坦面に仕上げられている平坦定盤の
   前記平坦面に前記回転基板保持装置に保持された前記薄
   板状基板の被研磨面及び前記ガイド装置を回転させずに
   当接させ、この当接状態で、薄板状基板に所定の研磨圧
   を加え、また、前記ガイド装置の下面を前記平坦面に当
   接させて前記薄板状基板の被研磨面とをほぼ同一平面状
   態に調整してガイド装置を位置決めすることを特徴とす
   る研磨用ガイド装置の位置決め方法。
2. 【請求項２】 基板保持盤の周辺部にガイド装置が装着
   され、その基板保持側平面に基板保持体が装着されてい
   る回転基板保持装置の前記基板保持盤に前記基板保持体
   を介して保持された薄板状基板の被研磨面を回転研磨定
   盤の表面に装着された研磨パッドにより研磨するに当た
   り、表面が所定の平坦面に仕上げられている平坦定盤の
   前記平坦面に前記回転基板保持装置に保持された前記薄
   板状基板の被研磨面を回転させずに当接させ、この当接
   状態で、先ず、薄板状基板に所定の研磨圧を加え、次
   に、前記ガイド装置の下面を前記平坦面に当接させて前
   記薄板状基板の被研磨面とをほぼ同一平面状態に調整し
   てガイド装置を位置決めすることを特徴とする研磨用ガ
   イド装置の位置決め方法。
3. 【請求項３】 支持基板と、 この支持基板の下面中央部に固定されている基板保持盤
   と、 この基板保持装盤の外周部に配設され、前記支持基板の
   周辺部から上下方向に移動可能に支持されたガイド装置
   と、 このガイド装置を上下方向に移動させる駆動装置と、 前記基板保持盤を背後から所定の研磨圧を加える押圧装
   置と、 から構成されている基板保持装置。
4. 【請求項４】 支持基板と、 この支持基板の下面中央部に固定されている基板保持盤
   と、 この基板保持盤の外周部に配設され、前記支持基板の周
   辺部から上下方向に移動可能に支持されたガイド装置
   と、 このガイド装置を上下方向に移動させる駆動装置と、 前記基板保持盤を背後から所定の研磨圧を加える押圧装
   置と、から構成されている基板保持装置と、 表面が所定の平坦面に仕上げられている平坦定盤と、 この平坦定盤の前記平坦面に前記基板保持装置に支持さ
   れた薄板状基板及びガイド装置が載置された時に、前記
   ガイド装置が載置された位置の平坦定盤に配設されてい
   る複数個の変移センサーと、 これらの変移センサーが検出した高さ位置信号を基に前
   記駆動装置を制御する制御信号を生成する制御装置と、
   から構成されている研磨用ガイド装置の位置決め装置。
5. 【請求項５】 基板保持盤の周辺部にガイド装置が装着
   され、その基板保持側平面に基板保持体が装着されてい
   る回転基板保持装置の前記基板保持盤に前記基板保持体
   を介して保持された薄板状基板の被研磨面を回転研磨定
   盤の表面に装着された研磨パッドにより研磨するに当た
   り、表面が所定の平坦面に仕上げられている平坦定盤の
   前記平坦面に前記回転基板保持装置に保持された前記薄
   板状基板の被研磨面を回転させずに当接させ、この当接
   状態で、先ず、薄板状基板に所定の研磨圧を加え、前記
   ガイド装置の下面を前記平坦面に当接させて前記薄板状
   基板の被研磨面とをほぼ同一平面状態に調整した後、こ
   の調整済み回転基板保持装置を回転研磨定盤の研磨面に
   移動させて、前記ほぼ同一平面状態にある前記薄板状基
   板の被研磨面を研磨することを特徴とする薄板状基板の
   研磨方法。