JPH10115636A - ミリ波デバイス用プロ−ブ - Google Patents

ミリ波デバイス用プロ−ブ

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JPH10115636A
JPH10115636A JP8261205A JP26120596A JPH10115636A JP H10115636 A JPH10115636 A JP H10115636A JP 8261205 A JP8261205 A JP 8261205A JP 26120596 A JP26120596 A JP 26120596A JP H10115636 A JPH10115636 A JP H10115636A
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JP
Japan
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electrode
waveguide
probe
signal
transmission line
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JP8261205A
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Shigeo Kiyota
清田茂男
Eiji Mori
栄二 森
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KIYANDOTSUKUSU SYST KK
Kiyota Manufacturing Co
Original Assignee
KIYANDOTSUKUSU SYST KK
Kiyota Manufacturing Co
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Abstract

(57)【要約】 【課題】機械的にも丈夫で、フアインピッチで並べるこ
とができ、しかも信号を減衰させることを少なくできる
ミリ波デバイス用プローブを提供する。 【解決手段】金属板で形成した電極に連設若しくは間隔
付けて位置させた変換回路によって、金属板で形成した
グラウンド間のミリ波伝送線路に、前記電極からの信号
を伝送する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、ミリ波集積回路
・デバイス等の回路検査を行うプローブに係り、詳記す
れば、ミリ波専用の伝送ラインで信号を伝送することに
よって、同軸線路に比べて、信号を減衰させることを少
なくすることができるようにしたミリ波デバイス用プロ
ーブに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、ミリ波領域で使用するプロ−ブと
しては、同軸・導波管に変換して取り出すコプレ−ナプ
ロ−ブが主として使用されていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のコプレ−ナ
プロ−ブは、ピンが細いため、機械的に弱いほか、構造
的にフアインピッチで並べることができなかった。
【0004】この発明は、このような問題点を解決しよ
うとするものであり、機械的にも丈夫で、フアインピッ
チで並べることができ、しかも信号を減衰させることを
少なくできるミリ波デバイス用プローブを提供すること
を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、金属板で形成した電極に連設若しくは間
隔付けて位置させた変換回路によって、金属板で形成し
たグラウンド間のミリ波伝送線路に、前記電極からの信
号を伝送することを特徴とする。
【0006】要するに本発明は、電極を金属板で形成し
たことによって、先端の形状を小さくしても機械的に丈
夫に保てるようにしたことと、金属板で形成したグラウ
ンド間にミリ波伝送線路を形成したことによって、フア
インピッチの積層プロ−ブを容易に形成することがで
き、しかも信号を減衰させることを少なくしたことを要
旨とするものである。
【0007】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1は、本発明の実施例を示す斜
視図であり、バネ性を有する金属製薄板状電極1を誘導
体2を介してバネ性を有する薄板状グラウンド(GN
D)3,3′の下部でサンドイッチし、同グラウンド
3,3′間の上部に、導波管4を内蔵し、前記電極1の
上端のピン(変換回路)5を、導波管4内に位置させた
例を示す。尚、図1において、絶縁材2は、空気であっ
ても良い。
【0008】プロ−ブの電極1から伸びたピン5を、あ
る規則にしたがって、導波管4内に配置することによっ
て、容易に導波管4内のミリ波伝送ラインに、電極1か
らの信号を伝えることができる。ミリ波伝送線路に変換
する回路5としては、ピン(アンテナ)以外に、結合器
を使用することができる。結合器を使用した場合は、結
合器の部分でプロ−ブの向きを変える構造とすることが
でき、プロ−ブ自体に位置に関して自由度を持たせるこ
とができるから、測定を容易にすることができる。
【0009】上記実施例では、1つの電極の例を示した
が、電極を多数設ける場合は、図1のプロ−ブを多数積
層すれば良い。そのまま積層すると、絶縁材3(3′)
は、接続部で二重となるので、接続部の一方にのみ絶縁
材を設けるようにすると良い。図1はストリップライン
の先端部に、ピンを配置した例であるが、コプレ−ナラ
インに、ピン5を配置した構造としても良い。
【0010】上記実施例では、電極1とグラウンド3,
3′とを、バネ性を有する金属製薄板で形成している。
これは、電極及びグラウンドとも可動するように構成す
るためであるが、可動させる必要がない場合は、必ずし
もバネ性を有する金属製薄板でなくとも差し支えない。
例えば、グラウンドは、デバイスに接続する必要がなけ
れば、可動しないように構成しても差し支えない。
【0011】フアインピッチのプロ−ブとするには、電
極1及びグラウンド3,3′の薄板厚さは、0.2mm
以下、好ましくは0.12mm以下とするのが良い。こ
のような薄板は、鋼、銅合金、タングステンまたは焼入
れ帯鋼板から形成するのが好ましく、このような材質か
ら形成すると、0.02mmという超薄板に容易に形成
することができる。
【0012】しかしながら、適用目的によっては、電極
1グラウンド3,3′及び絶縁材2は、薄板でなくとも
良い。例えば、導波管の場合、使用する周波数帯域によ
って、電極、グラウンド及び絶縁材の厚さは、数mm〜
数cmの厚さにすることができる。
【0013】電極1の被測定物への接触部及びグラウン
ド3,3′のデバイス等への接続部は、ニ−ドル構造と
して点接触にしても、或は面接触にしても差し支えな
い。ウエハ−上のデバイスを測定する場合は、酸化膜を
破る必要があることから、ニ−ドル構造の方が有利であ
り、デバイスの端子で測定する場合は、デバイスとプロ
−ブとのミスマッチを減らすためにも、ある一定の広さ
とした面構造とするのが有利である。
【0014】図2は、本発明の他の実施例を示すもので
あり、ミリ波伝送線路として導波管の代わりに、フイン
ライン(Fin line)を使用した例を示す。図2
に示すように、金属板で形成された外部胴体(グラウン
ド)6,6′間で、絶縁材3′′を挟持し、該絶縁材
3′′上に間隔付けてフイン7,7′を積層してなるフ
インラインの前記外部胴体6(6′)に、金属板で形成
した電極(図示せず)を嵌挿し、該電極に連設したピン
(変換回路)(図示せず)によって、信号を前記フイン
7,7′間に伝送するように構成されている。
【0015】変換回路としては、ピンの変わりに、結合
器を使用しても良く、また、フインラインの近くに、マ
イクロ波伝送線路(広義には結合器に含まれる)を配置
して、ミリ波伝送線路に変換しても良い。上記実施例で
は、ミリ波伝送線路として、フインラインを使用してい
るが、導波管を使用するか、フインラインを使用するか
は、被測定物のピッチ及び要求されるスペック等に応じ
て、選択すれば良い。
【0016】例えば、導波管の場合、同軸線路とは伝搬
モ−ドが相違することから、信号の減衰量が少なくな
る。しかしながら、周波数特性に制限があるので(カッ
トオフ周波数等)、ミリ波のある帯域に限って使用する
場合は、導波管が優れているが、DC〜ミリ波の全帯域
で使用する場合には、導波管は使用できないので、コプ
レ−ナライン・ストリップライン等の回路を使用しなけ
ればならない。フインライン・導波管等でどの回路を用
いるかは、仕様と、作り易さと、使用周波数によって決
定する。
【0017】本発明は、電極とグラウンドとを金属板で
形成しているので、先端の形状を小さくしても、機械強
度が保てるため、寿命の長いプロ−ブを形成することが
できる。また、金属板で形成していることにより、フア
インピッチの積層プロ−ブを容易に形成することができ
る。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば、ミリ波専用の伝送ライ
ンで信号を伝送することができるので、同軸線路に比べ
て信号を減衰させることを少なくできるほか、電極とグ
ラウンドとを金属板で形成しているから、フアインピッ
チで並べることができると共に、機械的に丈夫な積層プ
ロ−ブを形成することができる。
【0019】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す斜視図である。
【図2】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 電極 2 誘導体(絶縁体) 3,3′ グラウンド(GND) 4 導波管 5 導波管変換回路

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】金属板で形成した電極に連設若しくは間隔
    付けて位置させた変換回路によって、金属板で形成した
    グラウンド間のミリ波伝送線路に、前記電極からの信号
    を伝送することを特徴とするミリ波デバイス用プロー
    ブ。
  2. 【請求項2】前記変換回路が、結合器またはアンテナ
    (ピン)である請求項1に記載のプローブ。
  3. 【請求項3】前記ミリ波伝送線路が導波管である請求項
    1または2に記載のプローブ。
  4. 【請求項4】前記グラウンド間の下部に、絶縁材を介し
    て前記電極をサンドイッチし、前記グラウンド間の上部
    に、前記導波管を内蔵し、前記電極の上端の変換回路に
    よって、信号を前記導波管に伝送してなる請求項3に記
    載のプローブ。
  5. 【請求項5】前記ミリ波伝送線路がフインラインである
    請求項1または2に記載のプローブ。
  6. 【請求項6】金属板で形成された外部胴体(グラウン
    ド)間で、絶縁材を挟持し、該絶縁材上に間隔付けてフ
    インを積層してなるフインラインの前記外部胴体に、前
    記金属板で形成した電極を嵌挿し、該電極に連設若しく
    は間隔付けて位置させた前記変換回路によって、信号を
    前記フイン間に伝送してなる請求項5に記載のプロー
    ブ。
  7. 【請求項7】前記プローブを多数積層してなる請求項4
    または6に記載のプローブ。
  8. 【請求項8】前記金属板を、鋼、銅合金、タングステン
    または焼入れ帯鋼板から形成してなる請求項1に記載の
    プローブ。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7825677B2 (en) 2008-09-03 2010-11-02 Mitsubishi Electric Corporation Test jig for testing a packaged high frequency semiconductor device

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