JPH0886812A - 超微小ピッチ検査用積層プロ−ブコンタクト - Google Patents
超微小ピッチ検査用積層プロ−ブコンタクトInfo
- Publication number
- JPH0886812A JPH0886812A JP7149789A JP14978995A JPH0886812A JP H0886812 A JPH0886812 A JP H0886812A JP 7149789 A JP7149789 A JP 7149789A JP 14978995 A JP14978995 A JP 14978995A JP H0886812 A JPH0886812 A JP H0886812A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】超微小なピッチ間隔の高集積回路等の回路検査
を多数回支障なく行うことができるプローブコンタクト
の提供。 【構成】プロ−ブコンタクトを超薄板で形成し、該プロ
−ブコンタクトは、ニ−ドル部１２の少なくとも接触部
を除いて絶縁体被膜で被覆し、該ニ−ドル部の後方の前
記薄板に切り込み１３を形成してニ−ドル部を連設した
細長い板体１４とし、ニ−ドル部を該切り込み方向の前
後方向に弾性移動し得るように構成してなるプロ−ブコ
ンタクトを、多数枚積層する。
を多数回支障なく行うことができるプローブコンタクト
の提供。 【構成】プロ−ブコンタクトを超薄板で形成し、該プロ
−ブコンタクトは、ニ−ドル部１２の少なくとも接触部
を除いて絶縁体被膜で被覆し、該ニ−ドル部の後方の前
記薄板に切り込み１３を形成してニ−ドル部を連設した
細長い板体１４とし、ニ−ドル部を該切り込み方向の前
後方向に弾性移動し得るように構成してなるプロ−ブコ
ンタクトを、多数枚積層する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、超微小なピッチ間隔
の半導体、液晶等の電極若しくはパタ−ン等の断線、シ
ョート等を精密にトライ検査することのできる超微小ピ
ッチ検査用積層プローブコンタクトに関するものであ
る。
の半導体、液晶等の電極若しくはパタ−ン等の断線、シ
ョート等を精密にトライ検査することのできる超微小ピ
ッチ検査用積層プローブコンタクトに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】微小なピッチ間隔の高集積回路、ＩＣ、
ＬＳＩ等の回路検査には、従来主として、図５に示すよ
うに、高集積回路１の端子部２に当接するように、先端
を折曲した多数の微小なプロ−ブピン３を並設してなる
カ−ド式プロ−ブコンタクトが使用されている。しかし
て最近、エレクトロ業界の目覚ましい技術進歩に伴い、
ピッチ間隔が０．０６ｍｍという超微小な高集積回路等
が開発されてきたが、この従来のカ−ド式プロ−ブコン
タクトでは、この超微小な高集積回路等の検査に対応す
ることができなかった。０．０６ｍｍのピッチ間隔の高
集積回路等を検査するには、前記プロ−ブピン３の間隔
が０．０６ｍｍ以下でなければならないが、従来のカ−
ド式プロ−ブコンタクトでは、隣接するプロ−ブピン３
は、絶縁体被覆をすることができなかったので、接触し
ないようにしなければならず、そのためある程度の間隔
が必要であり、０．１２ｍｍが限度であったからであ
る。
ＬＳＩ等の回路検査には、従来主として、図５に示すよ
うに、高集積回路１の端子部２に当接するように、先端
を折曲した多数の微小なプロ−ブピン３を並設してなる
カ−ド式プロ−ブコンタクトが使用されている。しかし
て最近、エレクトロ業界の目覚ましい技術進歩に伴い、
ピッチ間隔が０．０６ｍｍという超微小な高集積回路等
が開発されてきたが、この従来のカ−ド式プロ−ブコン
タクトでは、この超微小な高集積回路等の検査に対応す
ることができなかった。０．０６ｍｍのピッチ間隔の高
集積回路等を検査するには、前記プロ−ブピン３の間隔
が０．０６ｍｍ以下でなければならないが、従来のカ−
ド式プロ−ブコンタクトでは、隣接するプロ−ブピン３
は、絶縁体被覆をすることができなかったので、接触し
ないようにしなければならず、そのためある程度の間隔
が必要であり、０．１２ｍｍが限度であったからであ
る。
【０００３】このような問題点を解決するため、本出願
人は、プロ−ブコンタクトを超薄板で形成したプローブ
コンタクトを開発し、先に特許出願した。しかして、こ
のコンタクトプロ−ブは、超薄板の厚さを０．０６ｍｍ
以下とすることができることと、絶縁体被覆も容易に形
成することができることから、０．０６ｍｍ以下という
超微小な高集積回路等の検査に十分対応することができ
るものであったが、弾性移動のバネ性耐久力が弱かった
ので、数十万回という多数回の検査に対応することがで
きない問題があった。
人は、プロ−ブコンタクトを超薄板で形成したプローブ
コンタクトを開発し、先に特許出願した。しかして、こ
のコンタクトプロ−ブは、超薄板の厚さを０．０６ｍｍ
以下とすることができることと、絶縁体被覆も容易に形
成することができることから、０．０６ｍｍ以下という
超微小な高集積回路等の検査に十分対応することができ
るものであったが、弾性移動のバネ性耐久力が弱かった
ので、数十万回という多数回の検査に対応することがで
きない問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、このよう
な問題点を解決しようとするものであり、０．０６ｍｍ
という超微小なピッチ間隔の高集積回路等の回路検査を
数十万回という多数回支障なく行うことができるプロー
ブコンタクトを提供することを目的とする。
な問題点を解決しようとするものであり、０．０６ｍｍ
という超微小なピッチ間隔の高集積回路等の回路検査を
数十万回という多数回支障なく行うことができるプロー
ブコンタクトを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明者は鋭意研究の結果、プロ−ブコンタクトを
超薄板に形成し、該プロ−ブコンタクトのニ−ドル部の
後方の前記薄板に切り込みを形成し、該ニ−ドル部を切
り込み方向の前後方向に弾性移動し得るように構成する
ことによって、数十万回という多数回の検査を支障なく
行うことができることを見いだし、本発明に到達した。
め、本発明者は鋭意研究の結果、プロ−ブコンタクトを
超薄板に形成し、該プロ−ブコンタクトのニ−ドル部の
後方の前記薄板に切り込みを形成し、該ニ−ドル部を切
り込み方向の前後方向に弾性移動し得るように構成する
ことによって、数十万回という多数回の検査を支障なく
行うことができることを見いだし、本発明に到達した。
【０００６】即ち、本発明は、プロ−ブコンタクトを超
薄板で形成し、該プロ−ブコンタクトは、ニ−ドル部の
少なくとも接触部を除いて絶縁体被膜で被覆し、該ニ−
ドル部の後方の前記薄板に切り込みを形成してニ−ドル
部を連設した細長い板体とし、ニ−ドル部を該切り込み
方向の前後方向に弾性移動し得るように構成してなるプ
ロ−ブコンタクトを、多数枚積層したことを特徴とす
る。しかして従来、ニ−ドル部の後方に切り込みを形成
することも、プロ−ブコンタクトを薄板で形成すること
も、プロ−ブコンタクト同士を接触させて積層すること
も全く知られていない。
薄板で形成し、該プロ−ブコンタクトは、ニ−ドル部の
少なくとも接触部を除いて絶縁体被膜で被覆し、該ニ−
ドル部の後方の前記薄板に切り込みを形成してニ−ドル
部を連設した細長い板体とし、ニ−ドル部を該切り込み
方向の前後方向に弾性移動し得るように構成してなるプ
ロ−ブコンタクトを、多数枚積層したことを特徴とす
る。しかして従来、ニ−ドル部の後方に切り込みを形成
することも、プロ−ブコンタクトを薄板で形成すること
も、プロ−ブコンタクト同士を接触させて積層すること
も全く知られていない。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は、本発明の実施例を示す側面図であり、プ
ロ−ブコンタクト１１を厚さ０．０６ｍｍ以下の超薄板
に形成し、ニ−ドル部１２を菱形の枠体に形成し、ニ−
ドル部１２の後方に切り込み１３を形成した例を示す。
ニ−ドル部１２は、図１の矢印で示すように、前後方向
に弾性移動し得るようになっている。尚、図中１５は、
リ−ド線取付用の端子部である。
する。図１は、本発明の実施例を示す側面図であり、プ
ロ−ブコンタクト１１を厚さ０．０６ｍｍ以下の超薄板
に形成し、ニ−ドル部１２を菱形の枠体に形成し、ニ−
ドル部１２の後方に切り込み１３を形成した例を示す。
ニ−ドル部１２は、図１の矢印で示すように、前後方向
に弾性移動し得るようになっている。尚、図中１５は、
リ−ド線取付用の端子部である。
【０００８】ニ−ドル部１２を連設した細長い板体１４
の長さ（切り込み１３の長さと同じ）を選択することに
よって、弾性移動する弾性力（バネ圧）を所望の値に設
定することができる。また、切り込み１３の厚さを選択
することによって、先端ニ−ドル部１２の弾性移動する
ストロ-クを調整することができる。図２の実施例に於
いては、切り込み１３の厚みが図１に比べて、１／３の
厚さになっている。更に微細なバネ圧に調整するには、
図２に示すように、細長い板体１４の上端に凹状のカッ
ト部１８を形成すると良い。切り込み１３の長さと凹状
のカット部１８の大きさとを選択することによって、所
望の微細なバネ圧に調整することができる。本発明のプ
ロ−ブコンタクト１１には、ニ−ドル部１２を除いて、
フッ素樹脂（テフロン）の絶縁体被膜が形成されてい
る。絶縁体被膜は、ニ−ドル部１２の電極若しくはパタ
−ン等との接触部以外は、全て形成しても差し支えな
い。また、良好な絶縁性が得られるなら、４弗化樹脂
（テフロン）以外の絶縁材であっても差し支えない。
の長さ（切り込み１３の長さと同じ）を選択することに
よって、弾性移動する弾性力（バネ圧）を所望の値に設
定することができる。また、切り込み１３の厚さを選択
することによって、先端ニ−ドル部１２の弾性移動する
ストロ-クを調整することができる。図２の実施例に於
いては、切り込み１３の厚みが図１に比べて、１／３の
厚さになっている。更に微細なバネ圧に調整するには、
図２に示すように、細長い板体１４の上端に凹状のカッ
ト部１８を形成すると良い。切り込み１３の長さと凹状
のカット部１８の大きさとを選択することによって、所
望の微細なバネ圧に調整することができる。本発明のプ
ロ−ブコンタクト１１には、ニ−ドル部１２を除いて、
フッ素樹脂（テフロン）の絶縁体被膜が形成されてい
る。絶縁体被膜は、ニ−ドル部１２の電極若しくはパタ
−ン等との接触部以外は、全て形成しても差し支えな
い。また、良好な絶縁性が得られるなら、４弗化樹脂
（テフロン）以外の絶縁材であっても差し支えない。
【０００９】プロ−ブコンタクト１１に絶縁体被膜を形
成するには、蒸着法または静電被覆法によって、フッ素
樹脂微粉末を被覆すれば良い。本発明のプロ−ブコンタ
クトは、鋼、銅合金、タングステンまたは焼入れ帯鋼板
から形成するのが好ましい。このような材質から形成す
ると、０．０２ｍｍという超薄板に容易に形成すること
ができる。プロ−ブコンタクト１１には、それぞれ４個
の貫通孔１６が形成されている。上記貫通孔に、それぞ
れ積層用ガイドピンを嵌挿し、ガイドピンの両端は、積
層したプロ−ブコンタクト１１を収容する枠体に固定す
ることによって、本発明の積層プロ−ブコンタクトとす
ることができる。プロ−ブコンタクト１１に形成する貫
通孔１６の個数は、複数であれば特に限定されない。ま
た、同形状の厚さ０．０６ｍｍ以下に形成したプロ−ブ
コンタクト１１を単に一列に多数積層すれば良いので、
貫通孔１６は必ずしも必要ではない。
成するには、蒸着法または静電被覆法によって、フッ素
樹脂微粉末を被覆すれば良い。本発明のプロ−ブコンタ
クトは、鋼、銅合金、タングステンまたは焼入れ帯鋼板
から形成するのが好ましい。このような材質から形成す
ると、０．０２ｍｍという超薄板に容易に形成すること
ができる。プロ−ブコンタクト１１には、それぞれ４個
の貫通孔１６が形成されている。上記貫通孔に、それぞ
れ積層用ガイドピンを嵌挿し、ガイドピンの両端は、積
層したプロ−ブコンタクト１１を収容する枠体に固定す
ることによって、本発明の積層プロ−ブコンタクトとす
ることができる。プロ−ブコンタクト１１に形成する貫
通孔１６の個数は、複数であれば特に限定されない。ま
た、同形状の厚さ０．０６ｍｍ以下に形成したプロ−ブ
コンタクト１１を単に一列に多数積層すれば良いので、
貫通孔１６は必ずしも必要ではない。
【００１０】本発明のプロ−ブコンタクト取付枠体は、
通常絶縁材料を用いるが、特に剛性を必要とする場合
は、特殊合金等の金属を用いることができる。この場
合、金属は、絶縁被覆しなくとも、接触するプロ−ブコ
ンタクトが絶縁被覆されているので差し支えない。図１
に示す実施例に於いては、ニ−ドル部１２は、菱形の枠
体に形成されている。このように形成すると、ニ−ドル
部１２自体も屈曲するので、プロ−ブコンタクト１１の
バネ性が向上する。しかしながら、図３に示すように、
先端ニ−ドル部は、細長い板体１４に突起１２′を形成
したものであっても、図４に示すように、略Ｓ字形１
２′′に形成したものであっても差し支えない。また、
図２に示すように、菱形の枠体の先端に突起１７を形成
しても良い。
通常絶縁材料を用いるが、特に剛性を必要とする場合
は、特殊合金等の金属を用いることができる。この場
合、金属は、絶縁被覆しなくとも、接触するプロ−ブコ
ンタクトが絶縁被覆されているので差し支えない。図１
に示す実施例に於いては、ニ−ドル部１２は、菱形の枠
体に形成されている。このように形成すると、ニ−ドル
部１２自体も屈曲するので、プロ−ブコンタクト１１の
バネ性が向上する。しかしながら、図３に示すように、
先端ニ−ドル部は、細長い板体１４に突起１２′を形成
したものであっても、図４に示すように、略Ｓ字形１
２′′に形成したものであっても差し支えない。また、
図２に示すように、菱形の枠体の先端に突起１７を形成
しても良い。
【００１１】
【作用】本発明によれば、プロ−ブコンタクトを絶縁体
被覆した薄板に形成しているので、重ね合わせて一列に
積層することによって、０．０４ｍｍという超微小なピ
ッチ間隔の高集積回路等でも支障なく検査することがで
きる。また、二列，三列と複数列にずらして積層するこ
とによって、ニ−ドル部は、薄板の１／２，１／３の間
隔で千鳥状に配設されるので、プロ−ブコンタクトの薄
板の１／２，１／３の厚さのピッチ間隔の高集積回路等
でも支障なく検査することができる。本発明のプロ−ブ
コンタクトのニ−ドル先端部は、絶縁体被覆されていな
いが、隣接するニ−ドル先端部とは、絶縁体被覆層の厚
さだけ離れているので、接触する恐れはない。ニ−ドル
部は、電極若しくはパタ−ン等との接触部以外であるな
ら絶縁体被覆しても差し支えなく、また隣接するニ−ド
ル先端部と接触する恐れのない部分は、絶縁体被覆しな
くとも差し支えない。
被覆した薄板に形成しているので、重ね合わせて一列に
積層することによって、０．０４ｍｍという超微小なピ
ッチ間隔の高集積回路等でも支障なく検査することがで
きる。また、二列，三列と複数列にずらして積層するこ
とによって、ニ−ドル部は、薄板の１／２，１／３の間
隔で千鳥状に配設されるので、プロ−ブコンタクトの薄
板の１／２，１／３の厚さのピッチ間隔の高集積回路等
でも支障なく検査することができる。本発明のプロ−ブ
コンタクトのニ−ドル先端部は、絶縁体被覆されていな
いが、隣接するニ−ドル先端部とは、絶縁体被覆層の厚
さだけ離れているので、接触する恐れはない。ニ−ドル
部は、電極若しくはパタ−ン等との接触部以外であるな
ら絶縁体被覆しても差し支えなく、また隣接するニ−ド
ル先端部と接触する恐れのない部分は、絶縁体被覆しな
くとも差し支えない。
【００１２】ベリリウム銅から板厚５０ミクロン、絶縁
被膜５ミクロン（表面と裏面とを合わせて１０ミクロ
ン）、基準ストロ−ク１００ミクロンの図１に示す本発
明のプロ−ブコンタクトを作った。このプロ−ブコンタ
クトを多数枚一列に積層して積層プロ−ブコンタクトと
し、弾性移動のバネ性耐久力を測定した。ストロ−ク２
０ミクロン及び６０ミクロンで次表１に示す針圧の３種
の積層プロ−ブコンタクトを作った。
被膜５ミクロン（表面と裏面とを合わせて１０ミクロ
ン）、基準ストロ−ク１００ミクロンの図１に示す本発
明のプロ−ブコンタクトを作った。このプロ−ブコンタ
クトを多数枚一列に積層して積層プロ−ブコンタクトと
し、弾性移動のバネ性耐久力を測定した。ストロ−ク２
０ミクロン及び６０ミクロンで次表１に示す針圧の３種
の積層プロ−ブコンタクトを作った。
【００１３】
【表１】
【００１４】上記３種の積層プロ−ブコンタクトについ
て、弾性移動のバネ性耐久力を測定したところ、本発明
のプロ−ブコンタクト１〜３は、いずれも１００万回の
ショット数にも耐えるバネ性耐久力を示した。これに対
し、切り込み１３を形成しない以外は、同様にして作っ
たプロ−ブコンタクトは、２万回のショット数で使用で
きなくなった。
て、弾性移動のバネ性耐久力を測定したところ、本発明
のプロ−ブコンタクト１〜３は、いずれも１００万回の
ショット数にも耐えるバネ性耐久力を示した。これに対
し、切り込み１３を形成しない以外は、同様にして作っ
たプロ−ブコンタクトは、２万回のショット数で使用で
きなくなった。
【００１５】
【効果】以上述べたごとく、本発明によれば、プロ−ブ
コンタクトを超薄板で形成し、ニ−ドル部の後方に切り
込みを形成することによって、弾性移動のバネ性耐久力
が格段に向上し、その結果０．０６ｍｍ以下という超微
小なピッチ間隔の高集積回路等の検査を多数回支障なく
行えることができると共に、薄板を積層するだけなの
で、組み立てが極めて容易となり、安価に製造できる
等、この種従来のプロ−ブコンタクトには全く見られな
い極めて画期的且つ絶大な効果を奏する。
コンタクトを超薄板で形成し、ニ−ドル部の後方に切り
込みを形成することによって、弾性移動のバネ性耐久力
が格段に向上し、その結果０．０６ｍｍ以下という超微
小なピッチ間隔の高集積回路等の検査を多数回支障なく
行えることができると共に、薄板を積層するだけなの
で、組み立てが極めて容易となり、安価に製造できる
等、この種従来のプロ−ブコンタクトには全く見られな
い極めて画期的且つ絶大な効果を奏する。
【００１６】
【図１】本発明のプロ−ブコンタクトを示す側面図であ
る。
る。
【図２】本発明のプロ−ブコンタクトの他の実施例を示
す側面図である。
す側面図である。
【図３】本発明のプロ−ブコンタクトの他の実施例を示
す一部側面図である。
す一部側面図である。
【図４】本発明のプロ−ブコンタクトの他の実施例を示
す一部側面図である。
す一部側面図である。
【図５】従来のカ−ド式プロ−ブコンタクトの斜視図で
ある。
ある。
１１ プロ−ブコンタクト １２，１２′，１２′′ ニ−ドル部 １８ 凹状のカット部
Claims (6)
- 【請求項１】プロ−ブコンタクトを超薄板で形成し、該
プロ−ブコンタクトは、ニ−ドル部の少なくとも接触部
を除いて絶縁体被膜で被覆し、該ニ−ドル部の後方の前
記薄板に切り込みを形成してニ−ドル部を連設した細長
い板体とし、ニ−ドル部を該切り込み方向の前後方向に
弾性移動し得るように構成してなるプロ−ブコンタクト
を、多数積層したことを特徴とする超微小ピッチ検査用
積層プローブコンタクト。 - 【請求項２】前記超薄板を、鋼、銅合金、タングステン
または焼入れ帯鋼板から形成してなる請求項１に記載の
プローブコンタクト。 - 【請求項３】前記超薄板の厚さが、０．１２ｍｍ以下で
ある請求項１に記載のプローブコンタクト。 - 【請求項４】前記積層したプロ−ブコンタクトに開口を
形成し、該開口にガイドピンを嵌合し、該ガイドピンを
プロ−ブコンタクトを収容する枠体に固定することによ
り、前記積層したプロ−ブコンタクトを固定してなる請
求項１に記載のプローブコンタクト。 - 【請求項５】前記絶縁体被膜を、蒸着法によって形成し
てなる請求項１に記載のプローブコンタクト。 - 【請求項６】前記ニ−ドル部を連設した細長い板体の上
端を凹状にカットして、ニ−ドル部のバネ圧をコントロ
−ルしてなる請求項１に記載のプローブコンタクト。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7149789A JP2819452B2 (ja) | 1994-07-21 | 1995-05-25 | 超微小ピッチ検査用積層プローブコンタクト |
| KR1019960017863A KR100206093B1 (ko) | 1995-05-25 | 1996-05-25 | 초미소 피치 검사용 적층 콘택트 프로우브 |
| US08/941,738 US6034534A (en) | 1995-05-25 | 1997-10-01 | Laminated contact probe for inspection of ultra-microscopic pitch |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19013594 | 1994-07-21 | ||
| JP6-190135 | 1994-07-21 | ||
| JP7149789A JP2819452B2 (ja) | 1994-07-21 | 1995-05-25 | 超微小ピッチ検査用積層プローブコンタクト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0886812A true JPH0886812A (ja) | 1996-04-02 |
| JP2819452B2 JP2819452B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=26479562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7149789A Expired - Fee Related JP2819452B2 (ja) | 1994-07-21 | 1995-05-25 | 超微小ピッチ検査用積層プローブコンタクト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819452B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1090302A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-10 | Kiyota Seisakusho:Kk | 金属板で形成したプロ−ブ |
| JPH10115636A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-05-06 | Kiyota Seisakusho:Kk | ミリ波デバイス用プロ−ブ |
| JPH11102742A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Kiyota Seisakusho:Kk | コネクタ又はプローブの構造 |
| JP2007303969A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Micronics Japan Co Ltd | プローブおよびプローブ組立体 |
| JP2020197413A (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-10 | 共進電機株式会社 | プローブ及び太陽電池セル用測定装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01314970A (ja) * | 1988-06-15 | 1989-12-20 | Nec Corp | プローブカード |
| JPH0447689A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-17 | Sansei Denshi Japan Kk | Ｉｃタブ用ソケット |
| JPH06174750A (ja) * | 1992-12-09 | 1994-06-24 | Sharp Corp | 液晶パネル検査用プローバー |
-
1995
- 1995-05-25 JP JP7149789A patent/JP2819452B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH0447689A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-17 | Sansei Denshi Japan Kk | Ｉｃタブ用ソケット |
| JPH06174750A (ja) * | 1992-12-09 | 1994-06-24 | Sharp Corp | 液晶パネル検査用プローバー |
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