JPH10117018A - チップ型発光ダイオード - Google Patents
チップ型発光ダイオードInfo
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- JPH10117018A JPH10117018A JP8269806A JP26980696A JPH10117018A JP H10117018 A JPH10117018 A JP H10117018A JP 8269806 A JP8269806 A JP 8269806A JP 26980696 A JP26980696 A JP 26980696A JP H10117018 A JPH10117018 A JP H10117018A
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- emitting diode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光ダイオード素子と絶縁基板のパターン電
極とをワイヤボンディングすることなく、直接接着剤を
用いて導通させることでチップ型発光ダイオードの製品
寸法の極少化を促進しつつ、更にチップ型発光ダイオー
ドとして必要な上方向への輝度を確保できるようにす
る。 【解決手段】 発光面側とその裏面側にそれぞれ電極が
形成された発光ダイオード素子を絶縁基板の表面に載置
し、絶縁基板に設けたパターン電極に導電性接着剤を用
いて、上記発光ダイオード素子の電極を接続したチップ
型発光ダイオードにおいて、上記発光ダイオード素子２
５を、その発光面２７が絶縁基板２１の表面に対して横
向きとなるように載置すると共に該発光面２７を上向き
に傾斜させ、且つ発光ダイオード素子２５に形成された
一対の下辺電極２８，３０を絶縁基板２１のパターン電
極２２，２３に導電性接着剤３１を用いて直接接続し
た。
極とをワイヤボンディングすることなく、直接接着剤を
用いて導通させることでチップ型発光ダイオードの製品
寸法の極少化を促進しつつ、更にチップ型発光ダイオー
ドとして必要な上方向への輝度を確保できるようにす
る。 【解決手段】 発光面側とその裏面側にそれぞれ電極が
形成された発光ダイオード素子を絶縁基板の表面に載置
し、絶縁基板に設けたパターン電極に導電性接着剤を用
いて、上記発光ダイオード素子の電極を接続したチップ
型発光ダイオードにおいて、上記発光ダイオード素子２
５を、その発光面２７が絶縁基板２１の表面に対して横
向きとなるように載置すると共に該発光面２７を上向き
に傾斜させ、且つ発光ダイオード素子２５に形成された
一対の下辺電極２８，３０を絶縁基板２１のパターン電
極２２，２３に導電性接着剤３１を用いて直接接続し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話やポケッ
トベルなど小型の電子機器に搭載される薄型のチップ型
発光ダイオードに関するものである。
トベルなど小型の電子機器に搭載される薄型のチップ型
発光ダイオードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のチップ型発光ダイオード
としては、例えば図４に示すように、ガラスエポキシ樹
脂基板等からなる絶縁基板１と、絶縁基板１の表面にエ
ッチング等により形成された一対のパターン電極（カソ
ード電極）２，（アノード電極）３と、一方のパターン
電極２上に塗布した銀ペーストなどの導電性接着剤４に
よって接続された発光ダイオード素子５と、発光ダイオ
ード素子５の発光面６側の電極７と前記パターン電極３
とを接続するボンディングワイヤ８と、発光ダイオード
素子５及びボンディングワイヤ８を封止するエポキシ樹
脂等からなる封止用樹脂体９とで構成されている。
としては、例えば図４に示すように、ガラスエポキシ樹
脂基板等からなる絶縁基板１と、絶縁基板１の表面にエ
ッチング等により形成された一対のパターン電極（カソ
ード電極）２，（アノード電極）３と、一方のパターン
電極２上に塗布した銀ペーストなどの導電性接着剤４に
よって接続された発光ダイオード素子５と、発光ダイオ
ード素子５の発光面６側の電極７と前記パターン電極３
とを接続するボンディングワイヤ８と、発光ダイオード
素子５及びボンディングワイヤ８を封止するエポキシ樹
脂等からなる封止用樹脂体９とで構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
チップ型発光ダイオード１０にあっては、ループ状のボ
ンディングワイヤ８を発光ダイオード素子５の発光面６
に設けられた電極７と絶縁基板１の表面に設けられたパ
ターン電極３との間に掛け渡して接続することから、ボ
ンディングワイヤ８のループの高さ、及び発光ダイオー
ド素子５からパターン電極３までの距離が一定以上必要
であり、結果的にチップ型発光ダイオード１０の製品寸
法を小さくすることに限界があった。また、製造工程に
おいてボンディングワイヤ８をワイヤボンディングする
ための工程も必要となっていた。
チップ型発光ダイオード１０にあっては、ループ状のボ
ンディングワイヤ８を発光ダイオード素子５の発光面６
に設けられた電極７と絶縁基板１の表面に設けられたパ
ターン電極３との間に掛け渡して接続することから、ボ
ンディングワイヤ８のループの高さ、及び発光ダイオー
ド素子５からパターン電極３までの距離が一定以上必要
であり、結果的にチップ型発光ダイオード１０の製品寸
法を小さくすることに限界があった。また、製造工程に
おいてボンディングワイヤ８をワイヤボンディングする
ための工程も必要となっていた。
【０００４】これらの課題を解決するために、例えば図
５及び図６に示したように、発光ダイオード素子５を、
その発光面６が絶縁基板１の表面に対して横向きとなる
ように載置し、発光ダイオード素子５の発光面６側に設
けた下辺電極１１と、発光面６の裏面側に設けた下辺電
極１２を絶縁基板１のパターン電極２，３に導電性接着
剤４を用いて直接接着する手段が考えられる。なお、符
号１５はパターン電極２，３間に塗布されたエポキシな
どの絶縁性接着剤である。
５及び図６に示したように、発光ダイオード素子５を、
その発光面６が絶縁基板１の表面に対して横向きとなる
ように載置し、発光ダイオード素子５の発光面６側に設
けた下辺電極１１と、発光面６の裏面側に設けた下辺電
極１２を絶縁基板１のパターン電極２，３に導電性接着
剤４を用いて直接接着する手段が考えられる。なお、符
号１５はパターン電極２，３間に塗布されたエポキシな
どの絶縁性接着剤である。
【０００５】しかし、この種のチップ型発光ダイオード
１０では、発光ダイオード素子５のＰ型半導体とＮ型半
導体の接合面１３付近から放出された光の大部分が、主
に発光ダイオード素子５の発光面６側に発せられるた
め、上述のように発光面６が絶縁基板１の表面に対して
横向きとなるように載置した場合、光の放射方向１４が
絶縁基板１の表面とほぼ平行となり、チップ型の発光ダ
イオードとして確保すべき上方向に対して必要な輝度が
得られないおそれがあった。
１０では、発光ダイオード素子５のＰ型半導体とＮ型半
導体の接合面１３付近から放出された光の大部分が、主
に発光ダイオード素子５の発光面６側に発せられるた
め、上述のように発光面６が絶縁基板１の表面に対して
横向きとなるように載置した場合、光の放射方向１４が
絶縁基板１の表面とほぼ平行となり、チップ型の発光ダ
イオードとして確保すべき上方向に対して必要な輝度が
得られないおそれがあった。
【０００６】そこで本発明は、発光ダイオード素子と絶
縁基板のパターン電極とをワイヤボンディングすること
なく、直接接着剤を用いて導通させることでチップ型発
光ダイオードの製品寸法の極少化を促進しつつ、更にチ
ップ型発光ダイオードとして必要な上方向への輝度を確
保できるようにすることを目的とする。
縁基板のパターン電極とをワイヤボンディングすること
なく、直接接着剤を用いて導通させることでチップ型発
光ダイオードの製品寸法の極少化を促進しつつ、更にチ
ップ型発光ダイオードとして必要な上方向への輝度を確
保できるようにすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、発光面側とその裏面側にそれぞれ電極が
形成された発光ダイオード素子を絶縁基板の表面に載置
し、絶縁基板に設けたパターン電極に導電性接着剤を用
いて、上記発光ダイオード素子の電極を接続したチップ
型発光ダイオードにおいて、上記発光ダイオード素子
を、その発光面が絶縁基板の表面に対して横向きとなる
ように載置すると共に該発光面を上向きに傾斜させ、且
つ発光ダイオード素子に形成された一対の電極を絶縁基
板のパターン電極に導電性接着剤を用いて直接接続した
ことを特徴とする。
決するために、発光面側とその裏面側にそれぞれ電極が
形成された発光ダイオード素子を絶縁基板の表面に載置
し、絶縁基板に設けたパターン電極に導電性接着剤を用
いて、上記発光ダイオード素子の電極を接続したチップ
型発光ダイオードにおいて、上記発光ダイオード素子
を、その発光面が絶縁基板の表面に対して横向きとなる
ように載置すると共に該発光面を上向きに傾斜させ、且
つ発光ダイオード素子に形成された一対の電極を絶縁基
板のパターン電極に導電性接着剤を用いて直接接続した
ことを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係るチップ型発光ダイオードの実施例を詳細に説明す
る。図１及び図２に示した本発明の第１実施例におい
て、チップ型発光ダイオード２０は、ガラスエポキシ樹
脂基板等からなる絶縁基板２１と、絶縁基板２１の表面
にエッチング等により形成された一対のパターン電極２
２，２３と、このパターン電極２２，２３の電極間に塗
布されたエポキシなどの絶縁性接着剤２４と、この絶縁
性接着剤２４の上に接着載置された発光ダイオード素子
２５と、発光ダイオード素子２５を封止する封止用樹脂
体２６とで構成されている。
に係るチップ型発光ダイオードの実施例を詳細に説明す
る。図１及び図２に示した本発明の第１実施例におい
て、チップ型発光ダイオード２０は、ガラスエポキシ樹
脂基板等からなる絶縁基板２１と、絶縁基板２１の表面
にエッチング等により形成された一対のパターン電極２
２，２３と、このパターン電極２２，２３の電極間に塗
布されたエポキシなどの絶縁性接着剤２４と、この絶縁
性接着剤２４の上に接着載置された発光ダイオード素子
２５と、発光ダイオード素子２５を封止する封止用樹脂
体２６とで構成されている。
【０００９】上記発光ダイオード素子２５は、側面形状
が平行四辺形の六面体で構成されており、発光面２７が
絶縁基板１の表面に対して横向きとなるように載置され
ると共に、発光面２７が上向きに傾斜している。また、
発光面２７の下辺および発光面２７の裏面側の下辺には
それぞれ下辺電極２８，３０が設けられ、これら下辺電
極２８，３０が絶縁基板１のパターン電極２２，２３に
銀ペーストなどの導電性接着剤３１によって直接に接続
されている。なお、上記発光ダイオード素子２５の発光
面２７の傾斜角度は、ウェハをダイシングする際に、ウ
ェハに対する切刃の角度を適宜設定することで、所望の
傾斜角度の発光ダイオード素子２５を得ることができ
る。
が平行四辺形の六面体で構成されており、発光面２７が
絶縁基板１の表面に対して横向きとなるように載置され
ると共に、発光面２７が上向きに傾斜している。また、
発光面２７の下辺および発光面２７の裏面側の下辺には
それぞれ下辺電極２８，３０が設けられ、これら下辺電
極２８，３０が絶縁基板１のパターン電極２２，２３に
銀ペーストなどの導電性接着剤３１によって直接に接続
されている。なお、上記発光ダイオード素子２５の発光
面２７の傾斜角度は、ウェハをダイシングする際に、ウ
ェハに対する切刃の角度を適宜設定することで、所望の
傾斜角度の発光ダイオード素子２５を得ることができ
る。
【００１０】上述の構成からなるチップ型発光ダイオー
ド２０にあっては、発光ダイオード素子２５に電流が流
れると、Ｐ型及びＮ型半導体の接合面３２で発光し、主
に発光ダイオード素子２５の発光面２７と直交する方向
へ光が発せられ、その方向での輝度が最も大きくなる。
従って、図２に示したように、この実施例では発光ダイ
オード素子２５の発光面２７が上方へ向いて傾斜してい
るので、光の照射方向３３も斜め上方を向くことにな
り、絶縁基板１に対して上方向の輝度を確保できること
になる。
ド２０にあっては、発光ダイオード素子２５に電流が流
れると、Ｐ型及びＮ型半導体の接合面３２で発光し、主
に発光ダイオード素子２５の発光面２７と直交する方向
へ光が発せられ、その方向での輝度が最も大きくなる。
従って、図２に示したように、この実施例では発光ダイ
オード素子２５の発光面２７が上方へ向いて傾斜してい
るので、光の照射方向３３も斜め上方を向くことにな
り、絶縁基板１に対して上方向の輝度を確保できること
になる。
【００１１】図３は本発明に係るチップ型発光ダイオー
ド２０の第２実施例を示した断面図である。この実施例
では絶縁基板２１の表面を傾斜させ、この斜面上に一対
のパターン電極２２，２３を形成している。従って、こ
の斜面上に上述と同様の構成からなる発光ダイオード素
子２５を載置した場合、発光面２７が更に上向きとなる
ので、光の照射方向３３を第１実施例よりもさらに上向
きとすることができ、チップ型発光ダイオード２０をプ
リント基板（図示せず）に実装する際の基準面３４に対
して、更に上方向の輝度を確保することができる。な
お、上記絶縁基板２１の表面の傾斜角及び発光ダイオー
ド素子２５の発光面２７の傾斜角を適宜選択すること
で、所望の方向に光を発することができる。
ド２０の第２実施例を示した断面図である。この実施例
では絶縁基板２１の表面を傾斜させ、この斜面上に一対
のパターン電極２２，２３を形成している。従って、こ
の斜面上に上述と同様の構成からなる発光ダイオード素
子２５を載置した場合、発光面２７が更に上向きとなる
ので、光の照射方向３３を第１実施例よりもさらに上向
きとすることができ、チップ型発光ダイオード２０をプ
リント基板（図示せず）に実装する際の基準面３４に対
して、更に上方向の輝度を確保することができる。な
お、上記絶縁基板２１の表面の傾斜角及び発光ダイオー
ド素子２５の発光面２７の傾斜角を適宜選択すること
で、所望の方向に光を発することができる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るチッ
プ型ダイオードによれば、上述の構成としたので、製品
寸法の極少化を図ることができると共に、チップ型発光
ダイオードとして必要な上方向への輝度が確保できると
いった効果を奏する。また、ワイヤボンディングの製造
工程を省略できることから、製造コストの低廉化が図れ
る他、品質面での信頼性も向上するといった効果を奏す
る。
プ型ダイオードによれば、上述の構成としたので、製品
寸法の極少化を図ることができると共に、チップ型発光
ダイオードとして必要な上方向への輝度が確保できると
いった効果を奏する。また、ワイヤボンディングの製造
工程を省略できることから、製造コストの低廉化が図れ
る他、品質面での信頼性も向上するといった効果を奏す
る。
【図１】本発明に係るチップ型発光ダイオードの第１実
施例を示した斜視図である。
施例を示した斜視図である。
【図２】上記図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】チップ型発光ダイオードの第２実施例を示した
断面図である。
断面図である。
【図４】従来のチップ型発光ダイオードの一例を示した
斜視図である。
斜視図である。
【図５】従来のチップ型発光ダイオードの他の例を示し
た斜視図である。
た斜視図である。
【図６】上記図５のＢ−Ｂ線断面図である。
２０ チップ型発光ダイオード ２１ 絶縁基板 ２２，２３ パターン電極 ２５ 発光ダイオード素子 ２７ 発光面 ２８，３０ 下辺電極 ３１ 導電性接着剤
Claims (1)
- 【請求項１】 発光面側とその裏面側にそれぞれ電極が
形成された発光ダイオード素子を絶縁基板の表面に載置
し、絶縁基板に設けたパターン電極に導電性接着剤を用
いて、上記発光ダイオード素子の電極を接続したチップ
型発光ダイオードにおいて、 上記発光ダイオード素子を、その発光面が絶縁基板の表
面に対して横向きとなるように載置すると共に該発光面
を上向きに傾斜させ、且つ発光ダイオード素子に形成さ
れた一対の電極を絶縁基板のパターン電極に導電性接着
剤を用いて直接接続したことを特徴とするチップ型発光
ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8269806A JPH10117018A (ja) | 1996-10-11 | 1996-10-11 | チップ型発光ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8269806A JPH10117018A (ja) | 1996-10-11 | 1996-10-11 | チップ型発光ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10117018A true JPH10117018A (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17477440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8269806A Pending JPH10117018A (ja) | 1996-10-11 | 1996-10-11 | チップ型発光ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10117018A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004281445A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 積層型発光ダイオード素子 |
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| JP2013247369A (ja) * | 2012-05-29 | 2013-12-09 | ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 | 複数の方向に出光可能な発光ダイオードチップを形成するためのサファイア基板、発光ダイオードチップ、及び発光装置 |
| CN106169467A (zh) * | 2013-05-22 | 2016-11-30 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置 |
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| DE102020125892A1 (de) | 2020-10-02 | 2022-04-07 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische vorrichtung und verfahren zum erzeugen einer optoelektronischen vorrichtung |
| US20240079386A1 (en) * | 2021-10-26 | 2024-03-07 | Lg Electronics Inc. | Display device using semiconductor light-emitting element |
-
1996
- 1996-10-11 JP JP8269806A patent/JPH10117018A/ja active Pending
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