JPH10117088A - 電磁波シールドボックス構造 - Google Patents
電磁波シールドボックス構造Info
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- JPH10117088A JPH10117088A JP8268786A JP26878696A JPH10117088A JP H10117088 A JPH10117088 A JP H10117088A JP 8268786 A JP8268786 A JP 8268786A JP 26878696 A JP26878696 A JP 26878696A JP H10117088 A JPH10117088 A JP H10117088A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、シールド効果を低減させること無
く、シールドボックス構造内の温度上昇の低減と温度の
安定化が可能な電磁波シールドボックス構造を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 電磁波をシールドする電磁波シールド材
料１２０ａで囲まれた電磁波シールドボックス構造にお
いて、ｎ型半導体１１、ｐ型半導体１３、導電体１５、
正電極１７、負電極１９、絶縁層２１、シールド導電層
１２０ａ、吸熱フィン２３および放熱フィン２５から成
るヒートポンプを備えて構成される。
く、シールドボックス構造内の温度上昇の低減と温度の
安定化が可能な電磁波シールドボックス構造を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 電磁波をシールドする電磁波シールド材
料１２０ａで囲まれた電磁波シールドボックス構造にお
いて、ｎ型半導体１１、ｐ型半導体１３、導電体１５、
正電極１７、負電極１９、絶縁層２１、シールド導電層
１２０ａ、吸熱フィン２３および放熱フィン２５から成
るヒートポンプを備えて構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器から発生
するノイズを遮蔽する電磁波シールドボックス構造に関
し、特に、シールドボックス内の熱を放熱させることが
できる電磁波シールドボックス構造に関するものであ
る。
するノイズを遮蔽する電磁波シールドボックス構造に関
し、特に、シールドボックス内の熱を放熱させることが
できる電磁波シールドボックス構造に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＥＭＣ（Electro Magnetic Compa
tibility）の観点から、ノイズの影響を受けない、ノイ
ズを出さない装置の性能が求められている。
tibility）の観点から、ノイズの影響を受けない、ノイ
ズを出さない装置の性能が求められている。
【０００３】特に、微弱な信号をキャッチし、信号を増
幅する敏感なセンサ等はノイズの影響を受けないための
設計が要求される。また、ノイズが大きいディジタル回
路やインバータ回路からは外部にノイズが伝搬すること
による他の装置や機能の誤動作に対処する設計が要求さ
れる。
幅する敏感なセンサ等はノイズの影響を受けないための
設計が要求される。また、ノイズが大きいディジタル回
路やインバータ回路からは外部にノイズが伝搬すること
による他の装置や機能の誤動作に対処する設計が要求さ
れる。
【０００４】以上のようなノイズの影響を少なくするた
めの対処方法として、伝搬するノイズを遮蔽するという
考え方がある。静電シールド、磁界シールドおよびファ
ーフィールドの電磁波シールドが遮蔽の手段である。こ
れらの場合、シールド材料で周囲を囲った電磁波シール
ドボックスを用いている。
めの対処方法として、伝搬するノイズを遮蔽するという
考え方がある。静電シールド、磁界シールドおよびファ
ーフィールドの電磁波シールドが遮蔽の手段である。こ
れらの場合、シールド材料で周囲を囲った電磁波シール
ドボックスを用いている。
【０００５】電磁波シールドボックスでは、継ぎ目の無
いものが最も理想的な電磁波シールドボックス構造とい
える。しかしながら、シールドボックスからの信号線の
取り出しやシールドボックス内の熱を放出させるため等
の開口部が必要となる。
いものが最も理想的な電磁波シールドボックス構造とい
える。しかしながら、シールドボックスからの信号線の
取り出しやシールドボックス内の熱を放出させるため等
の開口部が必要となる。
【０００６】特に、ファーフィールドの電磁波シールド
構造では、開口部の大きさは、遮蔽対象の周波数に対応
させて変える必要がある。つまり、高い周波数の程開口
部は小さく、また、遮蔽効果を高めるほど小さくしなけ
ればならない。
構造では、開口部の大きさは、遮蔽対象の周波数に対応
させて変える必要がある。つまり、高い周波数の程開口
部は小さく、また、遮蔽効果を高めるほど小さくしなけ
ればならない。
【０００７】また、電磁波シールドボックス構造内にノ
イズ源や敏感なアナログ回路を閉じ込めた場合に考慮し
なければならないのは、冷却手段である。電磁波シール
ドボックス内部に発熱素子（パワーデバイス）がある場
合や高温における温度特性が精度に悪影響を及ぼす素子
（高精度オペアンプ等）では、電磁波シールドボックス
内部での温度上昇を抑える必要がある。このため、電磁
波シールドボックス内の冷却の一般的な方法として、従
来は空冷を用いている。
イズ源や敏感なアナログ回路を閉じ込めた場合に考慮し
なければならないのは、冷却手段である。電磁波シール
ドボックス内部に発熱素子（パワーデバイス）がある場
合や高温における温度特性が精度に悪影響を及ぼす素子
（高精度オペアンプ等）では、電磁波シールドボックス
内部での温度上昇を抑える必要がある。このため、電磁
波シールドボックス内の冷却の一般的な方法として、従
来は空冷を用いている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
電磁波シールドボックスでは、内部を冷却するために空
冷を用いていたが、この場合、風の通る孔として開口が
必要なので、シールド効果を低減させてしまうという問
題があった。一方、コールドプレート（冷却板）内に水
を流したり、チップ近くに衝突噴流を生じさせる液冷等
もあるが、最近では冷却システムの複雑さ等から、使用
される頻度は少ない。
電磁波シールドボックスでは、内部を冷却するために空
冷を用いていたが、この場合、風の通る孔として開口が
必要なので、シールド効果を低減させてしまうという問
題があった。一方、コールドプレート（冷却板）内に水
を流したり、チップ近くに衝突噴流を生じさせる液冷等
もあるが、最近では冷却システムの複雑さ等から、使用
される頻度は少ない。
【０００９】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
で、シールド効果を低減させること無く、シールドボッ
クス構造内の温度上昇の低減と温度の安定化が可能な電
磁波シールドボックス構造を提供することを目的とす
る。
で、シールド効果を低減させること無く、シールドボッ
クス構造内の温度上昇の低減と温度の安定化が可能な電
磁波シールドボックス構造を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
請求項１記載の発明は、電磁波をシールドする電磁波シ
ールド材料で囲まれた電磁波シールドボックス構造にお
いて、ヒートポンプを備えることを要旨とする。
請求項１記載の発明は、電磁波をシールドする電磁波シ
ールド材料で囲まれた電磁波シールドボックス構造にお
いて、ヒートポンプを備えることを要旨とする。
【００１１】請求項１記載の電磁波シールドボックス構
造にあっては、ヒートポンプを電磁波シールド材料で囲
まれた電磁波シールドボックスに備えるので、電磁波シ
ールドボックス内の熱をシールド効果を低減させること
無く放熱することができ、電磁波シールドボックス構造
内の温度上昇の低減と温度の安定化が可能となる。
造にあっては、ヒートポンプを電磁波シールド材料で囲
まれた電磁波シールドボックスに備えるので、電磁波シ
ールドボックス内の熱をシールド効果を低減させること
無く放熱することができ、電磁波シールドボックス構造
内の温度上昇の低減と温度の安定化が可能となる。
【００１２】また、請求項２記載の発明は、電磁波をシ
ールドする電磁波シールド材料で囲まれた電磁波シール
ドボックス構造において、ヒートパイプを備えることを
要旨とする。
ールドする電磁波シールド材料で囲まれた電磁波シール
ドボックス構造において、ヒートパイプを備えることを
要旨とする。
【００１３】請求項２記載の電磁波シールドボックス構
造にあっては、ヒートパイプを電磁波シールド材料で囲
まれた電磁波シールドボックスに備えるので、電磁波シ
ールドボックス内の熱をシールド効果を低減させること
無く放熱することができ、電磁波シールドボックス構造
内の温度上昇の低減と温度の安定化が可能となる。
造にあっては、ヒートパイプを電磁波シールド材料で囲
まれた電磁波シールドボックスに備えるので、電磁波シ
ールドボックス内の熱をシールド効果を低減させること
無く放熱することができ、電磁波シールドボックス構造
内の温度上昇の低減と温度の安定化が可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施の形態を
図面を参照して説明する。図１は本発明に係る電磁波シ
ールドボックス構造の第１実施形態を示した断面図であ
り、図２はその斜視図である。
図面を参照して説明する。図１は本発明に係る電磁波シ
ールドボックス構造の第１実施形態を示した断面図であ
り、図２はその斜視図である。
【００１５】第１実施形態の電磁波シールドボックス構
造では、ペルチェ効果を利用した半導体ヒートポンプを
用いて電磁波シールドボックス内の熱を電磁波シールド
ボックス外に放熱させるようにしたものである。
造では、ペルチェ効果を利用した半導体ヒートポンプを
用いて電磁波シールドボックス内の熱を電磁波シールド
ボックス外に放熱させるようにしたものである。
【００１６】ここでペルチェ効果を利用した半導体ヒー
トポンプを図３を参照して説明する。図３に示すように
半導体ヒートポンプは、ｎ型半導体１０１とｐ型半導体
１０３の一方の面を金属１０５で接合し、ｎ型半導体１
０１の他方の面に正電極１０７を接合し、ｐ型半導体の
他方の面に負電極１０９を接合したものであり、正電極
１０７から負電極１０９へ直流電流を流すと金属１０５
側の接合部が低温となり、この接合部で吸熱が起こる。
また、正電極、負電極側の接合部は高熱となり、この接
合部で発熱が起こる。尚、吸熱効果を上げるため、金属
１０５には熱伝導性グリース１１１を介して吸熱フィン
１１３が設けられている。また、放熱効果を上げるた
め、正電極１０７と負電極１０９には絶縁層１１５と熱
伝導性グリース１１７を介して放熱フィン１１９が設け
られている。
トポンプを図３を参照して説明する。図３に示すように
半導体ヒートポンプは、ｎ型半導体１０１とｐ型半導体
１０３の一方の面を金属１０５で接合し、ｎ型半導体１
０１の他方の面に正電極１０７を接合し、ｐ型半導体の
他方の面に負電極１０９を接合したものであり、正電極
１０７から負電極１０９へ直流電流を流すと金属１０５
側の接合部が低温となり、この接合部で吸熱が起こる。
また、正電極、負電極側の接合部は高熱となり、この接
合部で発熱が起こる。尚、吸熱効果を上げるため、金属
１０５には熱伝導性グリース１１１を介して吸熱フィン
１１３が設けられている。また、放熱効果を上げるた
め、正電極１０７と負電極１０９には絶縁層１１５と熱
伝導性グリース１１７を介して放熱フィン１１９が設け
られている。
【００１７】この効果は、可逆的で電流の向きを逆にす
ると吸熱、発熱が逆になる。市販されているヒートポン
プには、吸急熱量が１０（Ｗ）以上で冷蔵庫より温度低
減効果があるものもある。
ると吸熱、発熱が逆になる。市販されているヒートポン
プには、吸急熱量が１０（Ｗ）以上で冷蔵庫より温度低
減効果があるものもある。
【００１８】図１と図２に示すように、第１実施形態の
電磁波シールドボックス構造１０Ａは、ｎ型半導体１１
とｐ型半導体１３とを非接触で配置し、このｎ型半導体
１１とｐ型半導体１３の一方の面に接合され、ｎ型半導
体１１とｐ型半導体１３とを導通させる導電体１５と、
ｎ型半導体１１の他方の面に接合される正電極１７と、
ｐ型半導体の他方の面に接合される負電極１９と、この
正電極１７と負電極１９と接合する絶縁層２１と、この
絶縁層２１と接合される導電層として、シールド導電層
１２０ａとから成る。
電磁波シールドボックス構造１０Ａは、ｎ型半導体１１
とｐ型半導体１３とを非接触で配置し、このｎ型半導体
１１とｐ型半導体１３の一方の面に接合され、ｎ型半導
体１１とｐ型半導体１３とを導通させる導電体１５と、
ｎ型半導体１１の他方の面に接合される正電極１７と、
ｐ型半導体の他方の面に接合される負電極１９と、この
正電極１７と負電極１９と接合する絶縁層２１と、この
絶縁層２１と接合される導電層として、シールド導電層
１２０ａとから成る。
【００１９】また、吸熱効果を上げるため、導電体１５
には吸熱フィン２３が設けられている。さらに、放熱効
果を上げるため、シールド導電層１２０ａの正電極１７
と負電極１９のはいちいちと対応する位置に放熱フィン
２５が設けられている。尚、導電体１５と吸熱フィン２
３との間と、絶縁層２１とシールド導電層１２０ａとの
間と、シールド導電層１２０ａと放熱フィン２５との間
には熱伝導性を上げるために熱伝導性グリースが介在さ
れる。
には吸熱フィン２３が設けられている。さらに、放熱効
果を上げるため、シールド導電層１２０ａの正電極１７
と負電極１９のはいちいちと対応する位置に放熱フィン
２５が設けられている。尚、導電体１５と吸熱フィン２
３との間と、絶縁層２１とシールド導電層１２０ａとの
間と、シールド導電層１２０ａと放熱フィン２５との間
には熱伝導性を上げるために熱伝導性グリースが介在さ
れる。
【００２０】このｎ型半導体１１、ｐ型半導体１３、導
電体１５、正電極１７、負電極１９、絶縁層２１、シー
ルド導電層１２０ａ、吸熱フィン２３および放熱フィン
２５とにより半導体ヒートポンプを構成している。
電体１５、正電極１７、負電極１９、絶縁層２１、シー
ルド導電層１２０ａ、吸熱フィン２３および放熱フィン
２５とにより半導体ヒートポンプを構成している。
【００２１】特に、第１実施形態の電磁波シールドボッ
クス構造１０Ａでは、電磁波シールドボックス構造１０
Ａの基本構成であるシールド材料としてのシールド導電
層１２０ａを半導体ヒートポンプの導電層として用いる
ようにしている。
クス構造１０Ａでは、電磁波シールドボックス構造１０
Ａの基本構成であるシールド材料としてのシールド導電
層１２０ａを半導体ヒートポンプの導電層として用いる
ようにしている。
【００２２】ここで、熱源として微弱な光を検出する図
４に示すような光（Ｘ線）検出器を例にして説明する。
図４（ｂ）に示すように、光（Ｘ線）検出器は、微弱な
光を検出して電気信号に変換するフォトダイオード１３
１と、フォトダイオード１３１により変換された電気信
号を蓄積する静電容量１３３と、静電容量からの信号読
み出しを切り換える薄膜トランジスタ１３５とから成る
アナログセンサー部を図４（ａ）に示すように複数整列
配置したものある。この光（Ｘ線）検出器では、走査線
１３７により所定の薄膜トランジスタ１３５がオンされ
ると、信号線１３９を介して電気信号が増幅器１４１に
転送され、検出信号（画像信号）に変換されて順次出力
される。
４に示すような光（Ｘ線）検出器を例にして説明する。
図４（ｂ）に示すように、光（Ｘ線）検出器は、微弱な
光を検出して電気信号に変換するフォトダイオード１３
１と、フォトダイオード１３１により変換された電気信
号を蓄積する静電容量１３３と、静電容量からの信号読
み出しを切り換える薄膜トランジスタ１３５とから成る
アナログセンサー部を図４（ａ）に示すように複数整列
配置したものある。この光（Ｘ線）検出器では、走査線
１３７により所定の薄膜トランジスタ１３５がオンされ
ると、信号線１３９を介して電気信号が増幅器１４１に
転送され、検出信号（画像信号）に変換されて順次出力
される。
【００２３】この場合、外部からのノイズを遮断するた
めに前記アナログセンサー部を継ぎ目のないシールドボ
ックス１２０内に格納する。また、フォトダイード１３
１の感度を得るためと、増幅器１４１の高温による精度
低下を防止する目的で、前記半導体ヒートポンプの吸熱
フィン２３を前記アナログセンサー部に近接させ、この
半導体ヒートポンプによってシールドボックス１２０内
を冷却する。
めに前記アナログセンサー部を継ぎ目のないシールドボ
ックス１２０内に格納する。また、フォトダイード１３
１の感度を得るためと、増幅器１４１の高温による精度
低下を防止する目的で、前記半導体ヒートポンプの吸熱
フィン２３を前記アナログセンサー部に近接させ、この
半導体ヒートポンプによってシールドボックス１２０内
を冷却する。
【００２４】第１実施形態の電磁波シールドボックス構
造１０Ａにおいて、半導体ヒートポンプの正電極１７か
ら負電極１９に直流電流を流すと、導電体１５側が低温
となり、吸熱フィン２３部で吸熱が起き、アナログセン
サー部と増幅器１４１の熱が吸熱され、また、正電極１
７、負電極１９側は高熱となり、シールド導電層１２０
ａおよび放熱フィン２５で発熱が起き、前記吸熱された
熱が放熱されてシールドボックス１２０内が冷却され
る。
造１０Ａにおいて、半導体ヒートポンプの正電極１７か
ら負電極１９に直流電流を流すと、導電体１５側が低温
となり、吸熱フィン２３部で吸熱が起き、アナログセン
サー部と増幅器１４１の熱が吸熱され、また、正電極１
７、負電極１９側は高熱となり、シールド導電層１２０
ａおよび放熱フィン２５で発熱が起き、前記吸熱された
熱が放熱されてシールドボックス１２０内が冷却され
る。
【００２５】このように、第１実施形態の電磁波シール
ドボックス構造１０Ａでは、シールド導電層１２０ａを
半導体ヒートポンプの導電層として用いるように半導体
ヒートポンプを設けるようにしたので、シールドボック
ス１２０に放熱用の開口部を設ける必要が無く、シール
ドボックス１２０内の熱をシールド効果を低減させるこ
と無く放熱することができ、電磁波シールドボックス構
造１０Ａ内の温度上昇の低減と温度の安定化が可能とな
る。また、従来のシールドボックス１２０に半導体ヒー
トポンプを設けるのみで安価に本実施形態の電磁波シー
ルドボックス構造１０Ａを実現することができる。
ドボックス構造１０Ａでは、シールド導電層１２０ａを
半導体ヒートポンプの導電層として用いるように半導体
ヒートポンプを設けるようにしたので、シールドボック
ス１２０に放熱用の開口部を設ける必要が無く、シール
ドボックス１２０内の熱をシールド効果を低減させるこ
と無く放熱することができ、電磁波シールドボックス構
造１０Ａ内の温度上昇の低減と温度の安定化が可能とな
る。また、従来のシールドボックス１２０に半導体ヒー
トポンプを設けるのみで安価に本実施形態の電磁波シー
ルドボックス構造１０Ａを実現することができる。
【００２６】尚、第１実施形態の電磁波シールドボック
ス構造１０Ａには、放熱フィン２５が設けられている
が、シールド導電層１２０ａのみで十分に放熱できるよ
うな場合は放熱フィン２５は設けなくても良い。
ス構造１０Ａには、放熱フィン２５が設けられている
が、シールド導電層１２０ａのみで十分に放熱できるよ
うな場合は放熱フィン２５は設けなくても良い。
【００２７】図５は、本発明に係る電磁波シールドボッ
クス構造の第２実施形態を示した断面図である。尚、図
１、図２に示す第１実施形態の電磁波シールドボックス
構造１０Ａと同一部材には同一の符号を付して詳細な説
明は省略した。
クス構造の第２実施形態を示した断面図である。尚、図
１、図２に示す第１実施形態の電磁波シールドボックス
構造１０Ａと同一部材には同一の符号を付して詳細な説
明は省略した。
【００２８】図５に示すように、第２実施形態の電磁波
シールドボックス構造１０Ｂは、図１、図２に示す第１
実施形態の電磁波シールドボックス構造１０Ａの吸熱フ
ィン２３を無くし、熱源（フォトダイオード１３１、増
幅器１４１）を収納する基板１４５に導電層１５を直に
接合させるようにしたものである。また、図１、図２に
示す第１実施形態の電磁波シールドボックス構造１０Ａ
の放熱フィン２５を第２実施形態の電磁波シールドボッ
クス構造１０Ｂでは無くしている。
シールドボックス構造１０Ｂは、図１、図２に示す第１
実施形態の電磁波シールドボックス構造１０Ａの吸熱フ
ィン２３を無くし、熱源（フォトダイオード１３１、増
幅器１４１）を収納する基板１４５に導電層１５を直に
接合させるようにしたものである。また、図１、図２に
示す第１実施形態の電磁波シールドボックス構造１０Ａ
の放熱フィン２５を第２実施形態の電磁波シールドボッ
クス構造１０Ｂでは無くしている。
【００２９】このように、第２実施形態の電磁波シール
ドボックス構造１０Ｂでは、熱源を収納する基板１４５
に半導体ヒートポンプの導電層１５を直に接合させるよ
うにしているので、第１実施形態の電磁波シールドボッ
クス構造１０Ａの効果に加えて、構造を簡略化すること
ができ、第１実施形態の電磁波シールドボックス構造１
０Ａに比べ、製造コストを下げることができる。
ドボックス構造１０Ｂでは、熱源を収納する基板１４５
に半導体ヒートポンプの導電層１５を直に接合させるよ
うにしているので、第１実施形態の電磁波シールドボッ
クス構造１０Ａの効果に加えて、構造を簡略化すること
ができ、第１実施形態の電磁波シールドボックス構造１
０Ａに比べ、製造コストを下げることができる。
【００３０】尚、第２実施形態の電磁波シールドボック
ス構造１０Ｂにもシールド導電層１２０ａの半導体ヒー
トポンプの配置と対応する外側の位置に放熱フィンを設
けるようにしても良い。
ス構造１０Ｂにもシールド導電層１２０ａの半導体ヒー
トポンプの配置と対応する外側の位置に放熱フィンを設
けるようにしても良い。
【００３１】図６は、本発明に係る電磁波シールドボッ
クス構造の第３実施形態を示した断面図である。尚、図
１、図２に示す第１実施形態の電磁波シールドボックス
構造１０Ａと同一部材には同一の符号を付して詳細な説
明は省略した。
クス構造の第３実施形態を示した断面図である。尚、図
１、図２に示す第１実施形態の電磁波シールドボックス
構造１０Ａと同一部材には同一の符号を付して詳細な説
明は省略した。
【００３２】第３実施形態の電磁波シールドボックス構
造１０Ｃでは少なくとも１つのヒートパイプを利用して
電磁波シールドボックス内の熱を電磁波シールドボック
ス外に放熱させるようにしたものである。
造１０Ｃでは少なくとも１つのヒートパイプを利用して
電磁波シールドボックス内の熱を電磁波シールドボック
ス外に放熱させるようにしたものである。
【００３３】ここでヒートパイプを図７に示す。図７に
示すように、ヒートパイプは内部１５１ａを真空にした
アルミニウム、ステンレス鋼、銅等の金属パイプ１５１
の内側にガラス繊維や網状金属で作成した熱移動部１５
３を設け、この熱移動部１５３内に水、アンモニア等の
熱媒体を入れたものである。
示すように、ヒートパイプは内部１５１ａを真空にした
アルミニウム、ステンレス鋼、銅等の金属パイプ１５１
の内側にガラス繊維や網状金属で作成した熱移動部１５
３を設け、この熱移動部１５３内に水、アンモニア等の
熱媒体を入れたものである。
【００３４】ヒートパイプでは、金属パイプ１５１の一
端が加熱されると前記熱媒体が蒸発してもう一方の端に
瞬時に熱を運び放熱し、凝縮して液体に戻り、熱移動部
１５３内を毛細管現象で環流する。この動作の繰り返し
で熱エネルギーの移動が行われる。
端が加熱されると前記熱媒体が蒸発してもう一方の端に
瞬時に熱を運び放熱し、凝縮して液体に戻り、熱移動部
１５３内を毛細管現象で環流する。この動作の繰り返し
で熱エネルギーの移動が行われる。
【００３５】また、金属パイプ１５１の直径を３（mm）
程度にし、小形電子部品に適用できるようにしたヒート
パイプも開発されている。このヒートパイプは、水冷よ
りも大きな効果（低い熱抵抗値）を持ち、ヒートパイプ
１本当たり５（Ｗ）程度の熱輸送が可能である。
程度にし、小形電子部品に適用できるようにしたヒート
パイプも開発されている。このヒートパイプは、水冷よ
りも大きな効果（低い熱抵抗値）を持ち、ヒートパイプ
１本当たり５（Ｗ）程度の熱輸送が可能である。
【００３６】図６に示すように、第３実施形態の電磁波
シールドボックス構造１０Ｃは、シールドボックス１２
０にヒートパイプ３１を取り出す開口部１２０ｈ（例え
ばヒートパイプ３１に直径３（mm）のものを用いた場合
は直径３（mm）より若干大きい円状の孔）を設け、ヒー
トパイプ３１の一方の端部を吸熱部として熱源、例えば
前記光（Ｘ線）検出器のアナログセンサー部と増幅器を
収納する基板や冷却板に近接させ、ヒートパイプ３１の
他方の端部を放熱部として開口部１２０ｈからシールド
ボックス１２０外に引き出して構成される。尚、ヒート
パイプ３１はシールド導電層１２０ａの外側もしくは、
シールボックス１２０内、例えば基板１４５に固定され
る。
シールドボックス構造１０Ｃは、シールドボックス１２
０にヒートパイプ３１を取り出す開口部１２０ｈ（例え
ばヒートパイプ３１に直径３（mm）のものを用いた場合
は直径３（mm）より若干大きい円状の孔）を設け、ヒー
トパイプ３１の一方の端部を吸熱部として熱源、例えば
前記光（Ｘ線）検出器のアナログセンサー部と増幅器を
収納する基板や冷却板に近接させ、ヒートパイプ３１の
他方の端部を放熱部として開口部１２０ｈからシールド
ボックス１２０外に引き出して構成される。尚、ヒート
パイプ３１はシールド導電層１２０ａの外側もしくは、
シールボックス１２０内、例えば基板１４５に固定され
る。
【００３７】このとき、熱をシールド導電層１２０ａに
逃がす場合は、開口部１２０ｈとヒートパイプ３１との
隙間に半田３３を付けて完全に隙間を無くすようにす
る。また、熱をシールド導電層１２０ａに逃がしたくな
い場合は、開口部１２０ｈとヒートパイプとの隙間に断
熱材を詰め、ヒートパイプ３１からシールド導電層１２
０ａへの熱伝導を防いでおく。
逃がす場合は、開口部１２０ｈとヒートパイプ３１との
隙間に半田３３を付けて完全に隙間を無くすようにす
る。また、熱をシールド導電層１２０ａに逃がしたくな
い場合は、開口部１２０ｈとヒートパイプとの隙間に断
熱材を詰め、ヒートパイプ３１からシールド導電層１２
０ａへの熱伝導を防いでおく。
【００３８】第３実施形態の電磁波シールドボックス構
造１０Ｃにおいて、熱源から熱が発生すると、ヒートパ
イプ３１の前記吸熱部側熱媒体が蒸発してシールドボッ
クス１２０外のヒートパイプ３１の前記放熱部側に瞬時
に熱を運び放熱し、凝縮して液体に戻り、前記熱移動部
内を毛細管現象で環流する。この動作の繰り返しでシー
ルドボックス１２０内の熱を放熱する。
造１０Ｃにおいて、熱源から熱が発生すると、ヒートパ
イプ３１の前記吸熱部側熱媒体が蒸発してシールドボッ
クス１２０外のヒートパイプ３１の前記放熱部側に瞬時
に熱を運び放熱し、凝縮して液体に戻り、前記熱移動部
内を毛細管現象で環流する。この動作の繰り返しでシー
ルドボックス１２０内の熱を放熱する。
【００３９】このように、第３実施形態の電磁波シール
ドボックス構造１０Ｃでは、ヒートパイプ３１の一方の
端部を吸熱部として熱源に近接させ、ヒートパイプ３１
の他方の端部を放熱部として開口部１２０ｈからシール
ドボックス１２０外に引き出しているので、シールドボ
ックス１２０内の熱をシールド効果を低減させること無
く放熱することができ、電磁波シールドボックス構造１
０Ｃ内の温度上昇の低減と温度の安定化が可能となる。
また、従来のシールドボックス１２０にヒートパイプ３
１を設けるのみで安価に本実施形態の電磁波シールドボ
ックス構造１０Ｂを実現することができる。
ドボックス構造１０Ｃでは、ヒートパイプ３１の一方の
端部を吸熱部として熱源に近接させ、ヒートパイプ３１
の他方の端部を放熱部として開口部１２０ｈからシール
ドボックス１２０外に引き出しているので、シールドボ
ックス１２０内の熱をシールド効果を低減させること無
く放熱することができ、電磁波シールドボックス構造１
０Ｃ内の温度上昇の低減と温度の安定化が可能となる。
また、従来のシールドボックス１２０にヒートパイプ３
１を設けるのみで安価に本実施形態の電磁波シールドボ
ックス構造１０Ｂを実現することができる。
【００４０】図８は、本発明に係る電磁波シールドボッ
クス構造の第４実施形態を示した断面図である。尚、図
６に示す第３実施形態の電磁波シールドボックス構造１
０Ｃと同一部材には同一の符号を付して詳細な説明は省
略した。
クス構造の第４実施形態を示した断面図である。尚、図
６に示す第３実施形態の電磁波シールドボックス構造１
０Ｃと同一部材には同一の符号を付して詳細な説明は省
略した。
【００４１】図８に示すように、第４実施形態の電磁波
シールドボックス構造１０Ｄは、図６に示す第３実施形
態の電磁波シールドボックス構造１０Ｃのシールドボッ
クス１２０外のヒートパイプ３１を放熱フィン３５内に
挿入し、放熱効果を上げたものである。尚、放熱フィン
３５はシールド導電層１２０ａの外側に固定される。
シールドボックス構造１０Ｄは、図６に示す第３実施形
態の電磁波シールドボックス構造１０Ｃのシールドボッ
クス１２０外のヒートパイプ３１を放熱フィン３５内に
挿入し、放熱効果を上げたものである。尚、放熱フィン
３５はシールド導電層１２０ａの外側に固定される。
【００４２】このように、第４実施形態の電磁波シール
ドボックス構造１０Ｄでは、シールドボックス１２０外
のヒートパイプ３１を放熱フィン３５内に挿入している
ので、第３実施形態の効果に加えてさらに放熱効果を上
げることが可能となる。
ドボックス構造１０Ｄでは、シールドボックス１２０外
のヒートパイプ３１を放熱フィン３５内に挿入している
ので、第３実施形態の効果に加えてさらに放熱効果を上
げることが可能となる。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の発明
によれば、ヒートポンプを電磁波シールドボックスに備
えるので、シールド効果を低減させること無く、シール
ドボックス構造内の温度上昇の低減と温度の安定化が可
能となる。また、請求項２記載の発明によれば、ヒート
パイプを電磁波シールドボックスに備えるので、シール
ド効果を低減させること無く、シールドボックス構造内
の温度上昇の低減と温度の安定化が可能となる。
によれば、ヒートポンプを電磁波シールドボックスに備
えるので、シールド効果を低減させること無く、シール
ドボックス構造内の温度上昇の低減と温度の安定化が可
能となる。また、請求項２記載の発明によれば、ヒート
パイプを電磁波シールドボックスに備えるので、シール
ド効果を低減させること無く、シールドボックス構造内
の温度上昇の低減と温度の安定化が可能となる。
【図１】本発明に係る第１実施形態の構成を示す断面図
である。
である。
【図２】本発明に係る第１実施形態の構成を示す斜視図
である。
である。
【図３】半導体ヒートポンプを示す断面図である。
【図４】熱源である光（Ｘ線）検出器を示す図である。
【図５】本発明に係る電磁波シールドボックス構造の第
２実施形態を示した断面図である。
２実施形態を示した断面図である。
【図６】本発明に係る電磁波シールドボックス構造の第
３実施形態を示した断面図である。
３実施形態を示した断面図である。
【図７】ヒートパイプを示す断面図である。
【図８】本発明に係る電磁波シールドボックス構造の第
４実施形態を示した断面図である。
４実施形態を示した断面図である。
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ 電磁波シールドボッ
クス構造 １１ ｎ型半導体 １３ ｐ型半導体 １５ 導電層 １７ 正電極 １９ 負電極 ２１ 絶縁膜 ２３ 吸熱フィン ２５ 放熱フィン ３１ ヒートパイプ ３３ 半田 １２０ａ シールド導電層
クス構造 １１ ｎ型半導体 １３ ｐ型半導体 １５ 導電層 １７ 正電極 １９ 負電極 ２１ 絶縁膜 ２３ 吸熱フィン ２５ 放熱フィン ３１ ヒートパイプ ３３ 半田 １２０ａ シールド導電層
Claims (4)
- 【請求項１】 電磁波をシールドする電磁波シールド材
料で囲まれた電磁波シールドボックス構造において、 ヒートポンプを備えることを特徴とする電磁波シールド
ボックス構造。 - 【請求項２】 電磁波をシールドする電磁波シールド材
料で囲まれた電磁波シールドボックス構造において、 ヒートパイプを備えることを特徴とする電磁波シールド
ボックス構造。 - 【請求項３】 前記ヒートポンプは、ｎ型半導体とｐ型
半導体とを非接触で配置し、このｎ型半導体とｐ型半導
体の一方の面に接合され、ｎ型半導体とｐ型半導体とを
導通させる導電体と、ｎ型半導体の他方の面に接合され
る正電極と、ｐ型半導体の他方の面に接合される負電極
と、この正電極と負電極と接合する絶縁層と、この絶縁
層と接合される導電層とから成り、前記電磁波シールド
ボックス構造を構成する前記シールド材料を前記ヒート
ポンプの導電層とすることを特徴とする請求項１記載の
電磁波シールドボックス構造。 - 【請求項４】 前記ヒートパイプは、吸熱部と放熱部と
を有し、この吸熱部を前記電磁波シールドボックス内に
配置し、前記放熱部を前記電磁波シールドボックス外に
配置することを特徴とする請求項２記載の電磁波シール
ドボックス構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8268786A JPH10117088A (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | 電磁波シールドボックス構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8268786A JPH10117088A (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | 電磁波シールドボックス構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10117088A true JPH10117088A (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=17463266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8268786A Pending JPH10117088A (ja) | 1996-10-09 | 1996-10-09 | 電磁波シールドボックス構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10117088A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7218266B2 (en) | 2000-04-10 | 2007-05-15 | Hitachi, Ltd. | Electromagnetic wave absorber, method of manufacturing the same and appliance using the same |
| JP2014509451A (ja) * | 2011-02-05 | 2014-04-17 | レアード テクノロジーズ インコーポレイテッド | 熱電モジュールを含む回路アセンブリ |
| WO2021005950A1 (ja) * | 2019-07-05 | 2021-01-14 | 株式会社デンソー | レーダ装置 |
| JPWO2023199607A1 (ja) * | 2022-04-11 | 2023-10-19 | ||
| WO2024234618A1 (zh) * | 2023-05-17 | 2024-11-21 | 中兴通讯股份有限公司 | 屏蔽箱 |
-
1996
- 1996-10-09 JP JP8268786A patent/JPH10117088A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7218266B2 (en) | 2000-04-10 | 2007-05-15 | Hitachi, Ltd. | Electromagnetic wave absorber, method of manufacturing the same and appliance using the same |
| JP2014509451A (ja) * | 2011-02-05 | 2014-04-17 | レアード テクノロジーズ インコーポレイテッド | 熱電モジュールを含む回路アセンブリ |
| US9322580B2 (en) | 2011-02-05 | 2016-04-26 | Laird Technologies, Inc. | Circuit assemblies including thermoelectric modules |
| WO2021005950A1 (ja) * | 2019-07-05 | 2021-01-14 | 株式会社デンソー | レーダ装置 |
| JP2021012083A (ja) * | 2019-07-05 | 2021-02-04 | 株式会社デンソー | レーダ装置 |
| CN114096869A (zh) * | 2019-07-05 | 2022-02-25 | 株式会社电装 | 雷达装置 |
| US12270933B2 (en) | 2019-07-05 | 2025-04-08 | Denso Corporation | Radar apparatus |
| JPWO2023199607A1 (ja) * | 2022-04-11 | 2023-10-19 | ||
| WO2024234618A1 (zh) * | 2023-05-17 | 2024-11-21 | 中兴通讯股份有限公司 | 屏蔽箱 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050427 |
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| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050620 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060908 |