JPH10122953A - 反射型光センサ - Google Patents
反射型光センサInfo
- Publication number
- JPH10122953A JPH10122953A JP8276758A JP27675896A JPH10122953A JP H10122953 A JPH10122953 A JP H10122953A JP 8276758 A JP8276758 A JP 8276758A JP 27675896 A JP27675896 A JP 27675896A JP H10122953 A JPH10122953 A JP H10122953A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- protective cover
- emitting element
- receiving element
- optical sensor
- Prior art date
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- Pending
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- Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光素子からの光が保護カバーで反射するこ
とにより生ずる誤検出を防止する。 【解決手段】 発光素子４の発光により生ずる光が対象
物を反射して受光素子に至る光経路をスリット１２によ
って包囲し、スリット１２の端部を透光性を有する保護
カバー１４で覆って発光素子４と受光素子とを密閉する
ような構造を前提とし、保護カバー１４における発光素
子４からの光の入射面１４ａを光軸の直交方向に対して
傾斜させる。これにより、大部分は保護カバー１４を透
過する発光素子４からの光の一部が保護カバー１４の入
射面１４ａ及び出射面１４ｂを反射した場合、その反射
光はスリット１２の内壁に導かれて受光素子の検出領域
を外れ、誤検出が防止される。
とにより生ずる誤検出を防止する。 【解決手段】 発光素子４の発光により生ずる光が対象
物を反射して受光素子に至る光経路をスリット１２によ
って包囲し、スリット１２の端部を透光性を有する保護
カバー１４で覆って発光素子４と受光素子とを密閉する
ような構造を前提とし、保護カバー１４における発光素
子４からの光の入射面１４ａを光軸の直交方向に対して
傾斜させる。これにより、大部分は保護カバー１４を透
過する発光素子４からの光の一部が保護カバー１４の入
射面１４ａ及び出射面１４ｂを反射した場合、その反射
光はスリット１２の内壁に導かれて受光素子の検出領域
を外れ、誤検出が防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばプリンタや
ファクシミリ等において、紙やフィルム等の検出対象物
の有無を光学的に検出するための反射型光センサに関す
る。
ファクシミリ等において、紙やフィルム等の検出対象物
の有無を光学的に検出するための反射型光センサに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】反射型光センサは、紙、フィルム、布、
光学式マーク、硬貨、紙幣等の検出対象物に光を照射
し、その反射光から検出対象物の有無を検出する。つま
り、反射型光センサは、発光素子と受光素子とを同一方
向に向けて並設しておき、これらの発光素子及び受光素
子の前を検出対象物が通過することによって生ずる反射
光の変化を受光素子の光電変換出力によって検出するよ
うな構造となっている。より詳細には、検出対象物の通
過によって受光素子の出力値が変化するため、この変化
に基づき代表的にはマイクロコンピュータが検出対象物
の有無を認識する。
光学式マーク、硬貨、紙幣等の検出対象物に光を照射
し、その反射光から検出対象物の有無を検出する。つま
り、反射型光センサは、発光素子と受光素子とを同一方
向に向けて並設しておき、これらの発光素子及び受光素
子の前を検出対象物が通過することによって生ずる反射
光の変化を受光素子の光電変換出力によって検出するよ
うな構造となっている。より詳細には、検出対象物の通
過によって受光素子の出力値が変化するため、この変化
に基づき代表的にはマイクロコンピュータが検出対象物
の有無を認識する。
【０００３】図６及び図７に反射型光センサの使用例と
その検出原理とを示す。つまり、図６は反射型光センサ
が配置された用紙の搬送経路を示す縦断側面図、図７は
反射型光センサの回路図である。
その検出原理とを示す。つまり、図６は反射型光センサ
が配置された用紙の搬送経路を示す縦断側面図、図７は
反射型光センサの回路図である。
【０００４】図６に示すように、反射型光センサ１は用
紙搬送経路２に埋め込まれている。用紙搬送経路２に
は、反射型光センサ１と対面する位置に光の反射率が低
い対象物としての反射防止布３が貼り付けられている。
反射型光センサ１による検出対象物としての用紙７の検
出原理は、図７の回路図に示すように、電圧Ｖccに基づ
く定電流の通電によって発光する発光素子４からの光を
受光素子５で受光し、同様に電圧Ｖccに基づく定電圧が
印加された受光素子５の出力から負荷抵抗ＲＬによって
検出電圧を取り出し、これを比較器６で比較電圧ＶREF
と比較するというものである。発光素子４としては、発
光ダイオード、例えば、高効率のＧａＡｓ赤外線フォト
ダイオードが用いられ、受光素子５としては、フォトト
ランジスタ、例えば、Ｓｉフォトトランジスタが用いら
れる。より詳細には、反射型光センサ１の前に用紙７が
ない場合には発光素子４の出射光が反射防止布３によっ
て反射されるために受光素子５の受光量が少なく、反射
型光センサ１の前に用紙７がある場合には発光素子４の
出射光が用紙７を反射するために受光素子５の受光量が
多くなることを利用し、これによって変化する受光素子
５の出力電流に基づく出力電圧の高い値と低い値との中
間になるように比較電圧ＶREF の値を設定する。これに
より、抵抗ＲＬの電圧が比較電圧ＶREF よりも低ければ
比較器６の出力がＨとなって用紙７がないことが検出さ
れ、抵抗ＲＬの電圧が比較電圧ＶREF よりも高くなると
比較器６の出力がＬとなって用紙７があることが検出さ
れる。
紙搬送経路２に埋め込まれている。用紙搬送経路２に
は、反射型光センサ１と対面する位置に光の反射率が低
い対象物としての反射防止布３が貼り付けられている。
反射型光センサ１による検出対象物としての用紙７の検
出原理は、図７の回路図に示すように、電圧Ｖccに基づ
く定電流の通電によって発光する発光素子４からの光を
受光素子５で受光し、同様に電圧Ｖccに基づく定電圧が
印加された受光素子５の出力から負荷抵抗ＲＬによって
検出電圧を取り出し、これを比較器６で比較電圧ＶREF
と比較するというものである。発光素子４としては、発
光ダイオード、例えば、高効率のＧａＡｓ赤外線フォト
ダイオードが用いられ、受光素子５としては、フォトト
ランジスタ、例えば、Ｓｉフォトトランジスタが用いら
れる。より詳細には、反射型光センサ１の前に用紙７が
ない場合には発光素子４の出射光が反射防止布３によっ
て反射されるために受光素子５の受光量が少なく、反射
型光センサ１の前に用紙７がある場合には発光素子４の
出射光が用紙７を反射するために受光素子５の受光量が
多くなることを利用し、これによって変化する受光素子
５の出力電流に基づく出力電圧の高い値と低い値との中
間になるように比較電圧ＶREF の値を設定する。これに
より、抵抗ＲＬの電圧が比較電圧ＶREF よりも低ければ
比較器６の出力がＨとなって用紙７がないことが検出さ
れ、抵抗ＲＬの電圧が比較電圧ＶREF よりも高くなると
比較器６の出力がＬとなって用紙７があることが検出さ
れる。
【０００５】次いで、図８ないし図１０に反射型光セン
サの従来の一例を示し、図１１及び図１２にその光感度
特性を示す。図８は反射型光センサの縦断正面図、図９
はその縦断側面図、図１０はその平面図である。なお、
図６及び図７に基づいて説明した部分と同一部分は同一
符号で示し説明も省略する。
サの従来の一例を示し、図１１及び図１２にその光感度
特性を示す。図８は反射型光センサの縦断正面図、図９
はその縦断側面図、図１０はその平面図である。なお、
図６及び図７に基づいて説明した部分と同一部分は同一
符号で示し説明も省略する。
【０００６】発光素子４と受光素子５とが一つの基板８
の上に同一方向に向けて並設されることによりセンサ部
９が形成されている。このセンサ部９は、発光素子４と
受光素子５との前面に位置するレンズ１０が一体形成さ
れた樹脂モールド１１にパッケージされている。この樹
脂モールド１１は、使用する波長帯域に対して透光性を
有する。そして、樹脂モールド１１にパッケージされた
センサ部９は、スリット１２を有するスリット体１３に
取り付けられている。このスリット体１３のスリット１
２は、発光素子４から受光素子５に至る光経路を包囲す
るような形状となっている。さらに、スリット体１３に
はスリット１２の端部に保護カバー１４が取り付けられ
ている。この保護カバー１４は、使用する波長帯域に対
して透光性を有する。ここで、スリット１２はセンサ部
９の位置精度を高め、保護カバー１４は発光素子４及び
受光素子５に対する紙粉や塵埃の付着によるセンサ感度
の低下からセンサ部９を保護する。
の上に同一方向に向けて並設されることによりセンサ部
９が形成されている。このセンサ部９は、発光素子４と
受光素子５との前面に位置するレンズ１０が一体形成さ
れた樹脂モールド１１にパッケージされている。この樹
脂モールド１１は、使用する波長帯域に対して透光性を
有する。そして、樹脂モールド１１にパッケージされた
センサ部９は、スリット１２を有するスリット体１３に
取り付けられている。このスリット体１３のスリット１
２は、発光素子４から受光素子５に至る光経路を包囲す
るような形状となっている。さらに、スリット体１３に
はスリット１２の端部に保護カバー１４が取り付けられ
ている。この保護カバー１４は、使用する波長帯域に対
して透光性を有する。ここで、スリット１２はセンサ部
９の位置精度を高め、保護カバー１４は発光素子４及び
受光素子５に対する紙粉や塵埃の付着によるセンサ感度
の低下からセンサ部９を保護する。
【０００７】このような構造の反射型光センサ１は、そ
の光感度特性を示す図１１の模式図に示すように、発光
素子４の光出力領域ＯＲと受光素子５の検出領域ＤＲと
が重なり合うようになっており、この重なり領域が検出
範囲となる。つまり、反射型光センサ１の光感度特性を
示す図１２のグラフに示すように、発光素子４と受光素
子５との間の相対感度は、センサ部９からの距離がある
程度離れた位置でピークを持つ。したがって、図６に示
す反射型光センサ１の使用例で例示するなら、反射型光
センサ１のピーク感度となる位置が用紙７の通過位置と
なるように反射型光センサ１を配置することが望まし
い。
の光感度特性を示す図１１の模式図に示すように、発光
素子４の光出力領域ＯＲと受光素子５の検出領域ＤＲと
が重なり合うようになっており、この重なり領域が検出
範囲となる。つまり、反射型光センサ１の光感度特性を
示す図１２のグラフに示すように、発光素子４と受光素
子５との間の相対感度は、センサ部９からの距離がある
程度離れた位置でピークを持つ。したがって、図６に示
す反射型光センサ１の使用例で例示するなら、反射型光
センサ１のピーク感度となる位置が用紙７の通過位置と
なるように反射型光センサ１を配置することが望まし
い。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】反射型光センサ１にと
って、紙粉や塵埃の付着によるセンサ感度の低下からセ
ンサ部９を保護するために保護カバー１４は必須であ
る。このような保護カバー１４は、本来的には１００％
の透過率を持つことが望まれるが、実際には保護カバー
１４も光を反射する。つまり、保護カバー１４における
光の反射状態を示す正面図である図１３やその側面図で
ある図１４に示すように、保護カバー１４は発光素子４
からの光の入射面１４ａ及び出射面１４ｂで光Ｌを反射
する。
って、紙粉や塵埃の付着によるセンサ感度の低下からセ
ンサ部９を保護するために保護カバー１４は必須であ
る。このような保護カバー１４は、本来的には１００％
の透過率を持つことが望まれるが、実際には保護カバー
１４も光を反射する。つまり、保護カバー１４における
光の反射状態を示す正面図である図１３やその側面図で
ある図１４に示すように、保護カバー１４は発光素子４
からの光の入射面１４ａ及び出射面１４ｂで光Ｌを反射
する。
【０００９】ここで、保護カバー１４が反射型光センサ
１の感度特性が低い位置に配置されていれば問題ない
が、反射型光センサ１の構造上、保護カバー１４はどう
しても反射型光センサ１の感度特性が高い位置に配置さ
れるため、用紙７がない場合にも保護カバー１４からの
反射光ＬR が受光素子５に入射されてしまい、誤検出が
生ずることがあるという問題がある。そこで、センサ部
９自体の感度のバラツキやその取り付けのバラツキを考
慮すると、用紙７がない場合の光電流と用紙７がある場
合の光電流とが各反射型光センサ１毎に異なるので、各
反射型光センサ１毎に発光素子４の電流値、負荷抵抗Ｒ
Ｌの値、比較電圧ＶREF 等の検出レベルを調整しなけれ
ばならず、煩雑である。
１の感度特性が低い位置に配置されていれば問題ない
が、反射型光センサ１の構造上、保護カバー１４はどう
しても反射型光センサ１の感度特性が高い位置に配置さ
れるため、用紙７がない場合にも保護カバー１４からの
反射光ＬR が受光素子５に入射されてしまい、誤検出が
生ずることがあるという問題がある。そこで、センサ部
９自体の感度のバラツキやその取り付けのバラツキを考
慮すると、用紙７がない場合の光電流と用紙７がある場
合の光電流とが各反射型光センサ１毎に異なるので、各
反射型光センサ１毎に発光素子４の電流値、負荷抵抗Ｒ
Ｌの値、比較電圧ＶREF 等の検出レベルを調整しなけれ
ばならず、煩雑である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、互いに並設さ
れた発光素子と受光素子とからなるセンサ部と、発光素
子の発光により生ずる光が対象物を反射して受光素子に
至る光経路をスリットによって包囲するスリット体と、
スリットの端部に取り付けられて発光素子と受光素子と
を密閉し、発光素子からの光の入射面が光軸の直交方向
に対して傾斜する透光性を有する保護カバーとを備え
る。ここで、「対象物」というのは、発光素子の発光に
より生ずる光を受光して反射する物、代表的には検出対
象物を意味する。したがって、発光素子及び受光素子の
前を検出対象物が通過することによって生ずる反射光の
変化が受光素子の光電変換出力によって検出される。こ
の際、発光素子からの光が保護カバーを反射した場合、
その反射光は保護カバーの入射面の傾斜によってスリッ
トの内壁方向に導かれ、受光素子の検出領域から外れ
る。これにより、発光素子からの光が保護カバーを反射
することによる誤検出が防止される。
れた発光素子と受光素子とからなるセンサ部と、発光素
子の発光により生ずる光が対象物を反射して受光素子に
至る光経路をスリットによって包囲するスリット体と、
スリットの端部に取り付けられて発光素子と受光素子と
を密閉し、発光素子からの光の入射面が光軸の直交方向
に対して傾斜する透光性を有する保護カバーとを備え
る。ここで、「対象物」というのは、発光素子の発光に
より生ずる光を受光して反射する物、代表的には検出対
象物を意味する。したがって、発光素子及び受光素子の
前を検出対象物が通過することによって生ずる反射光の
変化が受光素子の光電変換出力によって検出される。こ
の際、発光素子からの光が保護カバーを反射した場合、
その反射光は保護カバーの入射面の傾斜によってスリッ
トの内壁方向に導かれ、受光素子の検出領域から外れ
る。これにより、発光素子からの光が保護カバーを反射
することによる誤検出が防止される。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図１
ないし図３に基づいて説明する。図１は反射型光センサ
の縦断正面図、図２はその縦断側面図、図３は保護カバ
ーにおける光の屈折・反射状態を示す縦断側面図であ
る。なお、図６ないし図１２に基づいて説明した部分と
同一部分は同一符号で示し説明も省略する（第二の実施
の形態においても同様）。
ないし図３に基づいて説明する。図１は反射型光センサ
の縦断正面図、図２はその縦断側面図、図３は保護カバ
ーにおける光の屈折・反射状態を示す縦断側面図であ
る。なお、図６ないし図１２に基づいて説明した部分と
同一部分は同一符号で示し説明も省略する（第二の実施
の形態においても同様）。
【００１２】本実施の形態では、図１及び図２に示すよ
うに、スリット体１３の保護カバー１４を取り付ける面
に傾斜が付けられており、このため、保護カバー１４が
スリット体１３に傾斜して取り付けられている。これに
より、図３に示すように、保護カバー１４の入射面１４
ａ及び出射面１４ｂが共に、発光素子４からの光Ｌの光
軸の直交方向に対して傾斜した状態となる。
うに、スリット体１３の保護カバー１４を取り付ける面
に傾斜が付けられており、このため、保護カバー１４が
スリット体１３に傾斜して取り付けられている。これに
より、図３に示すように、保護カバー１４の入射面１４
ａ及び出射面１４ｂが共に、発光素子４からの光Ｌの光
軸の直交方向に対して傾斜した状態となる。
【００１３】このような構成において、その大部分が保
護カバー１４を透過する発光素子４からの光Ｌは、その
一部が保護カバー１４の入射面１４ａ及び出射面１４ｂ
を反射する（図３参照）。これに対し、保護カバー１４
の入射面１４ａからの反射光ＬR 及び出射面１４ｂから
の反射光ＬR は、入射面１４ａの傾斜によってスリット
１２の内壁方向に導かれる。これにより、受光素子５の
検出領域ＤＲ（図１１参照）から外れる。したがって、
保護カバー１４を反射した反射光ＬR が受光素子５の検
出領域ＤＲに干渉することにより生ずる誤検出が防止さ
れ、用紙７の検出精度が高まる。
護カバー１４を透過する発光素子４からの光Ｌは、その
一部が保護カバー１４の入射面１４ａ及び出射面１４ｂ
を反射する（図３参照）。これに対し、保護カバー１４
の入射面１４ａからの反射光ＬR 及び出射面１４ｂから
の反射光ＬR は、入射面１４ａの傾斜によってスリット
１２の内壁方向に導かれる。これにより、受光素子５の
検出領域ＤＲ（図１１参照）から外れる。したがって、
保護カバー１４を反射した反射光ＬR が受光素子５の検
出領域ＤＲに干渉することにより生ずる誤検出が防止さ
れ、用紙７の検出精度が高まる。
【００１４】本発明の第二の実施の形態を図４及び図５
に基づいて説明する。図４は反射型光センサの縦断側面
図、図５は保護カバーにおける光の屈折・反射状態を示
す縦断側面図である。
に基づいて説明する。図４は反射型光センサの縦断側面
図、図５は保護カバーにおける光の屈折・反射状態を示
す縦断側面図である。
【００１５】本実施の形態では、図４及び図５に示すよ
うに、保護カバー１４として台形プリズムが用いられて
いる。これにより、保護カバー１４の入射面１４ａに
は、発光素子４からの光Ｌの光軸の直交方向に対して傾
斜が付けられている。
うに、保護カバー１４として台形プリズムが用いられて
いる。これにより、保護カバー１４の入射面１４ａに
は、発光素子４からの光Ｌの光軸の直交方向に対して傾
斜が付けられている。
【００１６】このような構成において、その大部分が保
護カバー１４を透過する発光素子４からの光Ｌは、その
一部が保護カバー１４の入射面１４ａ及び出射面１４ｂ
を反射する（図３参照）。これに対し、保護カバー１４
の入射面１４ａからの反射光ＬR 及び出射面１４ｂから
の反射光ＬR は、入射面１４ａの傾斜によってスリット
１２の内壁方向に導かれる。これにより、受光素子５の
検出領域ＤＲ（図１１参照）から外れる。したがって、
保護カバー１４を反射した反射光ＬR が受光素子５の検
出領域ＤＲに干渉することにより生ずる誤検出が防止さ
れ、用紙７の検出精度が高まる。
護カバー１４を透過する発光素子４からの光Ｌは、その
一部が保護カバー１４の入射面１４ａ及び出射面１４ｂ
を反射する（図３参照）。これに対し、保護カバー１４
の入射面１４ａからの反射光ＬR 及び出射面１４ｂから
の反射光ＬR は、入射面１４ａの傾斜によってスリット
１２の内壁方向に導かれる。これにより、受光素子５の
検出領域ＤＲ（図１１参照）から外れる。したがって、
保護カバー１４を反射した反射光ＬR が受光素子５の検
出領域ＤＲに干渉することにより生ずる誤検出が防止さ
れ、用紙７の検出精度が高まる。
【００１７】本実施の形態の場合、スリット体１３を形
成するための型に大きな変更を施す必要がない。
成するための型に大きな変更を施す必要がない。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、保護カバーにおける発光素子
からの光の入射面を光軸の直交方向に対して傾斜させた
ので、保護カバーを反射した発光素子からの光をスリッ
トの内壁の方向に導いて受光素子の検出領域から外すよ
うにすることができ、したがって、発光素子からの光が
保護カバーを反射することによる誤検出を防止すること
ができる。
からの光の入射面を光軸の直交方向に対して傾斜させた
ので、保護カバーを反射した発光素子からの光をスリッ
トの内壁の方向に導いて受光素子の検出領域から外すよ
うにすることができ、したがって、発光素子からの光が
保護カバーを反射することによる誤検出を防止すること
ができる。
【図１】本発明の第一の実施の形態を示す反射型光セン
サの縦断正面図である。
サの縦断正面図である。
【図２】その縦断側面図である。
【図３】保護カバーにおける光の屈折・反射状態を示す
縦断側面図である。
縦断側面図である。
【図４】本発明の第二の実施の形態を示す反射型光セン
サの縦断側面図である。
サの縦断側面図である。
【図５】保護カバーにおける光の屈折・反射状態を示す
縦断側面図である。
縦断側面図である。
【図６】従来の一例として、反射型光センサが配置され
た用紙の搬送経路を示す縦断側面図である。
た用紙の搬送経路を示す縦断側面図である。
【図７】反射型光センサの回路図である。
【図８】反射型光センサの縦断正面図である。
【図９】その縦断側面図である。
【図１０】その平面図である。
【図１１】反射型光センサの光感度特性を示す模式図で
ある。
ある。
【図１２】反射型光センサの光感度特性を示すグラフで
ある。
ある。
【図１３】保護カバーにおける光の反射状態を示す正面
図である。
図である。
【図１４】保護カバーにおける光の反射状態を示す側面
図である。
図である。
４ 発光素子 ５ 受光素子 ９ センサ部 １２ スリット １３ スリット体 １４ 保護カバー １４ａ 入射面 Ｌ 光
Claims (1)
- 【請求項１】 互いに並設された発光素子と受光素子と
からなるセンサ部と、 前記発光素子の発光により生ずる光が対象物を反射して
前記受光素子に至る光経路をスリットによって包囲する
スリット体と、 前記スリットの端部に取り付けられて前記発光素子と前
記受光素子とを密閉し、前記発光素子からの光の入射面
が光軸の直交方向に対して傾斜する透光性を有する保護
カバーと、を備えることを特徴とする反射型光センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8276758A JPH10122953A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 反射型光センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8276758A JPH10122953A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 反射型光センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10122953A true JPH10122953A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17573946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8276758A Pending JPH10122953A (ja) | 1996-10-21 | 1996-10-21 | 反射型光センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10122953A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010071926A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Yamatake Corp | 反射型光電センサおよび物体検出方法 |
| JP2010078561A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Yamatake Corp | 反射型光電スイッチおよび物体検出方法 |
| JP2011198858A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザモジュール、光走査装置及び画像形成装置 |
| JP2022168365A (ja) * | 2021-04-26 | 2022-11-08 | 東芝エレベータ株式会社 | 操作検知装置及び操作盤 |
-
1996
- 1996-10-21 JP JP8276758A patent/JPH10122953A/ja active Pending
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