JPH10123491A - 液晶表示素子用樹脂基板 - Google Patents
液晶表示素子用樹脂基板Info
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- JPH10123491A JPH10123491A JP29324596A JP29324596A JPH10123491A JP H10123491 A JPH10123491 A JP H10123491A JP 29324596 A JP29324596 A JP 29324596A JP 29324596 A JP29324596 A JP 29324596A JP H10123491 A JPH10123491 A JP H10123491A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】工業的有利に製造することが出来、しかも、寸
法変化が小さくて平坦性に優れる等の良好な外観特性を
有すると共に光学的歪みが少ない液晶表示素子用樹脂基
板を提供する。 【解決手段】可視光での光線透過率が８０％以上でガラ
ス転移温度が１５０℃以上の透明樹脂から成る射出成形
平板の全面に対し、Ｐ（プレス圧力：ｇ／ｃｍ2）とＴ
（熱処理温度）−Ｔｇ（ガラス転移温度）（℃）とを座
標軸とする図１中の以下の表１に定義する各点ＡＢＣＤ
で包囲される範囲の条件下でプレス熱処理を施して成る
液晶表示素子用樹脂基板。 【表１】 Ａ：（0.2 ×101 ｇ／ｃｍ2 ）（０℃） Ｂ：（1.1 ×104 ｇ／ｃｍ2 ）（０℃） Ｃ：（1.1 ×104 ｇ／ｃｍ2 ）（70℃） Ｄ：（0.2 ×101 ｇ／ｃｍ2 ）（70℃）
法変化が小さくて平坦性に優れる等の良好な外観特性を
有すると共に光学的歪みが少ない液晶表示素子用樹脂基
板を提供する。 【解決手段】可視光での光線透過率が８０％以上でガラ
ス転移温度が１５０℃以上の透明樹脂から成る射出成形
平板の全面に対し、Ｐ（プレス圧力：ｇ／ｃｍ2）とＴ
（熱処理温度）−Ｔｇ（ガラス転移温度）（℃）とを座
標軸とする図１中の以下の表１に定義する各点ＡＢＣＤ
で包囲される範囲の条件下でプレス熱処理を施して成る
液晶表示素子用樹脂基板。 【表１】 Ａ：（0.2 ×101 ｇ／ｃｍ2 ）（０℃） Ｂ：（1.1 ×104 ｇ／ｃｍ2 ）（０℃） Ｃ：（1.1 ×104 ｇ／ｃｍ2 ）（70℃） Ｄ：（0.2 ×101 ｇ／ｃｍ2 ）（70℃）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子用樹
脂基板に関し、詳しくは、工業的に有利に製造すること
が出来る液晶表示素子用樹脂基板に関する。
脂基板に関し、詳しくは、工業的に有利に製造すること
が出来る液晶表示素子用樹脂基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】ポリメチルアクリレート、ポリカーボネ
ート、ポリアリレート、環状ポリオレフィン等の樹脂
は、透明性に優れ、その特性を活かした分野において多
くの展開がなされている。例えば、光学的歪みを低減さ
せることによる光ディスクへの展開はその一例である。
また、最近、同様の試みとして、液晶ディスプレー基板
への応用も注目されている。この試みは、従来のガラス
材料を樹脂で代替することにより、軽量薄肉化を目的と
したものである。
ート、ポリアリレート、環状ポリオレフィン等の樹脂
は、透明性に優れ、その特性を活かした分野において多
くの展開がなされている。例えば、光学的歪みを低減さ
せることによる光ディスクへの展開はその一例である。
また、最近、同様の試みとして、液晶ディスプレー基板
への応用も注目されている。この試みは、従来のガラス
材料を樹脂で代替することにより、軽量薄肉化を目的と
したものである。
【０００３】ところで、液晶ディスプレー基板の場合
は、光学的歪みの低減のみならず、液晶表示素子製造工
程上の処理に耐え得る耐熱性が要求される。具体的に
は、光学的歪みの目安であるリターデーションとして
は、通常３０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下が必要
であり、これに加えて１５０℃以上の耐熱性が要求され
る。
は、光学的歪みの低減のみならず、液晶表示素子製造工
程上の処理に耐え得る耐熱性が要求される。具体的に
は、光学的歪みの目安であるリターデーションとして
は、通常３０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以下が必要
であり、これに加えて１５０℃以上の耐熱性が要求され
る。
【０００４】上記の課題を解決する試みとして、例え
ば、特開昭６０−２２２２４１号公報には、ポリエーテ
ルスルホンの様な耐熱性樹脂を溶媒キャスト成膜する方
法が提案されているが、斯かる方法では、１００ミクロ
ン以上の厚めのシートを得ることが困難である。これに
対して、熱可塑的成形による方法では、成形直後の段階
において、光学的歪みの少ない平板を得ることが困難で
ある。
ば、特開昭６０−２２２２４１号公報には、ポリエーテ
ルスルホンの様な耐熱性樹脂を溶媒キャスト成膜する方
法が提案されているが、斯かる方法では、１００ミクロ
ン以上の厚めのシートを得ることが困難である。これに
対して、熱可塑的成形による方法では、成形直後の段階
において、光学的歪みの少ない平板を得ることが困難で
ある。
【０００５】特開平７−１２６３７５号公報には、熱可
塑的成形された平板の光学的歪みを解消する方法とし
て、押出成形平板に保護フィルムを貼付してガラス転移
温度以上に常圧加熱処理する方法が提案されている。し
かしながら、ガラス転移温度以上の熱処理は、成形時の
凍結歪みが力学的変形を伴って解消されることから、上
記の方法では、成形時に附与された平板の平坦性を再現
性よく維持させることが困難であり、結果として、後述
の比較例に示す様に、押出成形平板の光学的歪みを解消
することが出来ない。
塑的成形された平板の光学的歪みを解消する方法とし
て、押出成形平板に保護フィルムを貼付してガラス転移
温度以上に常圧加熱処理する方法が提案されている。し
かしながら、ガラス転移温度以上の熱処理は、成形時の
凍結歪みが力学的変形を伴って解消されることから、上
記の方法では、成形時に附与された平板の平坦性を再現
性よく維持させることが困難であり、結果として、後述
の比較例に示す様に、押出成形平板の光学的歪みを解消
することが出来ない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記実情に
鑑みなされたものであり、その目的は、工業的有利に製
造することが出来、しかも、寸法変化が小さくて平坦性
に優れる等の良好な外観特性を有すると共に光学的歪み
が少ない液晶表示素子用樹脂基板を提供することにあ
る。
鑑みなされたものであり、その目的は、工業的有利に製
造することが出来、しかも、寸法変化が小さくて平坦性
に優れる等の良好な外観特性を有すると共に光学的歪み
が少ない液晶表示素子用樹脂基板を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等、上記の目的
を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の透明樹脂の
射出成形平板に特定条件のプレス熱処理を施すことによ
り、上記の目的を達成し得ることを見い出し、本発明の
完成に至った。
を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の透明樹脂の
射出成形平板に特定条件のプレス熱処理を施すことによ
り、上記の目的を達成し得ることを見い出し、本発明の
完成に至った。
【０００８】すなわち、本発明の要旨は、可視光での光
線透過率が８０％以上でガラス転移温度が１５０℃以上
の透明樹脂から成る射出成形平板の全面に対し、Ｐ（プ
レス圧力：ｇ／ｃｍ2 ）とＴ（熱処理温度）−Ｔｇ（ガ
ラス転移温度）（℃）とを座標軸とする図１中の請求項
１で定義する各点ＡＢＣＤで包囲される範囲の条件下で
プレス熱処理を施して成ることを特徴とする液晶表示素
子用樹脂基板に存する。
線透過率が８０％以上でガラス転移温度が１５０℃以上
の透明樹脂から成る射出成形平板の全面に対し、Ｐ（プ
レス圧力：ｇ／ｃｍ2 ）とＴ（熱処理温度）−Ｔｇ（ガ
ラス転移温度）（℃）とを座標軸とする図１中の請求項
１で定義する各点ＡＢＣＤで包囲される範囲の条件下で
プレス熱処理を施して成ることを特徴とする液晶表示素
子用樹脂基板に存する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明において、透明樹脂としては、可視光での光線透
過率が８０％以上でガラス転移温度が１５０℃以上の樹
脂を使用する。光線透過率が８０％未満の樹脂では、本
発明の目的とする液晶表示素子用樹脂基板を得ることが
出来ず、また、ガラス転移温度が１５０℃未満の樹脂で
は、液晶表示素子製造工程において要求される耐熱性を
満足することが出来ない。
本発明において、透明樹脂としては、可視光での光線透
過率が８０％以上でガラス転移温度が１５０℃以上の樹
脂を使用する。光線透過率が８０％未満の樹脂では、本
発明の目的とする液晶表示素子用樹脂基板を得ることが
出来ず、また、ガラス転移温度が１５０℃未満の樹脂で
は、液晶表示素子製造工程において要求される耐熱性を
満足することが出来ない。
【００１０】上記の特性を有する透明樹脂としては、例
えば、ポリカーボネート、ポリエステル−ポリカーボネ
ート、芳香族ポリエステル、ポリサルホン、ポリエーテ
ルサルホン、環状ポリオレフィンの様な非晶性樹脂の
他、ポリ４−メチルペンテン−１の様に例外的に透明性
を示す結晶性樹脂などが挙げられる。
えば、ポリカーボネート、ポリエステル−ポリカーボネ
ート、芳香族ポリエステル、ポリサルホン、ポリエーテ
ルサルホン、環状ポリオレフィンの様な非晶性樹脂の
他、ポリ４−メチルペンテン−１の様に例外的に透明性
を示す結晶性樹脂などが挙げられる。
【００１１】上記の樹脂は、射出成形によりシート状な
いしは平板状に成形可能である。しかしながら、１００
ｍμ以上の厚みを有するシートにおいては、樹脂に多少
なりとも着色があると無色透明な液晶表示素子用樹脂基
板を得ることが困難となる。従って、斯かる観点から、
無色透明の点で優れるポリカーボネート又はこれと近縁
関係にあるポリエステル−ポリカーボネートが推奨され
る。そして、これらの樹脂の分子量は、ガラス転移温度
が１５０℃以上の特性を満足するため、通常１０，００
０〜２０，０００の範囲とされる。そして、射出成形を
円滑に進めて機械的物性の良好な平板を得る観点から、
好ましい分子量は１０，０００〜１８，０００の範囲と
される。
いしは平板状に成形可能である。しかしながら、１００
ｍμ以上の厚みを有するシートにおいては、樹脂に多少
なりとも着色があると無色透明な液晶表示素子用樹脂基
板を得ることが困難となる。従って、斯かる観点から、
無色透明の点で優れるポリカーボネート又はこれと近縁
関係にあるポリエステル−ポリカーボネートが推奨され
る。そして、これらの樹脂の分子量は、ガラス転移温度
が１５０℃以上の特性を満足するため、通常１０，００
０〜２０，０００の範囲とされる。そして、射出成形を
円滑に進めて機械的物性の良好な平板を得る観点から、
好ましい分子量は１０，０００〜１８，０００の範囲と
される。
【００１２】上記のポリカーボネート樹脂は、二価のフ
ェノールとカーボネート前駆体とを主たる反応成分と
し、界面重合法または溶融重合法により得ることが出来
る。
ェノールとカーボネート前駆体とを主たる反応成分と
し、界面重合法または溶融重合法により得ることが出来
る。
【００１３】上記の二価フェノール化合物としては、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル
フェニル）プロパン、１−フェニル−１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）エタン、４，４′−ジヒドロキ
シテトラフェニルメタン、９，９−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレン、フェノールフタレイン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサン等が挙げられる。これらは、二
種以上の混合物として使用してもよい。
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル
フェニル）プロパン、１−フェニル−１，１−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）エタン、４，４′−ジヒドロキ
シテトラフェニルメタン、９，９−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）フルオレン、フェノールフタレイン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−ト
リメチルシクロヘキサン等が挙げられる。これらは、二
種以上の混合物として使用してもよい。
【００１４】また、上記の二価フェノール化合物と共に
共重合成分として、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン（ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３
−メチルフェニル）プロパン、レゾルシン１−フェニル
−１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン等か
ら選択される一種以上を使用することが出来る。斯かる
共重合成分の使用量は、得られるポリカーボネート樹脂
のガラス転移温度（１５０℃以上）を損なわない範囲か
ら選択される。
共重合成分として、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン（ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３
−メチルフェニル）プロパン、レゾルシン１−フェニル
−１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン等か
ら選択される一種以上を使用することが出来る。斯かる
共重合成分の使用量は、得られるポリカーボネート樹脂
のガラス転移温度（１５０℃以上）を損なわない範囲か
ら選択される。
【００１５】なお、本発明においては、ポリカーボネー
ト樹脂として、上記の二価フェノール化合物から得られ
るポリカーボネート樹脂と上記の共重合成分として挙げ
たビス化合物から得られるポリカーボネート樹脂とをブ
レンドした樹脂を使用してもよい。
ト樹脂として、上記の二価フェノール化合物から得られ
るポリカーボネート樹脂と上記の共重合成分として挙げ
たビス化合物から得られるポリカーボネート樹脂とをブ
レンドした樹脂を使用してもよい。
【００１６】一方、上記のカーボネート前駆体として
は、カーボネートエステル、ハロホルメート等が挙げら
れる。斯かる前駆体と二価フェノール化合物との反応に
よりポリカーボネート樹脂が得られるが、これらの反応
物と共重合可能なジカルボン酸、ジハライド、ジエステ
ル誘導体などを反応系に共存させることにより、ポリエ
ステル−ポリカーボネートが得られる。
は、カーボネートエステル、ハロホルメート等が挙げら
れる。斯かる前駆体と二価フェノール化合物との反応に
よりポリカーボネート樹脂が得られるが、これらの反応
物と共重合可能なジカルボン酸、ジハライド、ジエステ
ル誘導体などを反応系に共存させることにより、ポリエ
ステル−ポリカーボネートが得られる。
【００１７】本発明において、射出成形法としては、射
出時に僅かに開いた状態のキャビティに溶融樹脂を充填
した後に型締めにより加圧成形する射出圧縮成形の他、
同種の成形機構を有する射出プレス成形と呼ばれる成形
法を使用することが出来る。射出成形平板の厚さは、腰
の強さ及び液晶表示素子用樹脂基板の軽量薄肉化の観点
から、通常０．２〜１．５ｍｍの範囲とされる。
出時に僅かに開いた状態のキャビティに溶融樹脂を充填
した後に型締めにより加圧成形する射出圧縮成形の他、
同種の成形機構を有する射出プレス成形と呼ばれる成形
法を使用することが出来る。射出成形平板の厚さは、腰
の強さ及び液晶表示素子用樹脂基板の軽量薄肉化の観点
から、通常０．２〜１．５ｍｍの範囲とされる。
【００１８】本発明においては、上記の様にして得られ
た射出成形平板の全面に対し、Ｐ（プレス圧力：ｇ／ｃ
ｍ2 ）とＴ（熱処理温度）−Ｔｇ（ガラス転移温度）
（℃）とを座標軸とする図１中の請求項１で定義する各
点ＡＢＣＤで包囲される範囲の条件下でプレス熱処理を
施すことが最も重要である。
た射出成形平板の全面に対し、Ｐ（プレス圧力：ｇ／ｃ
ｍ2 ）とＴ（熱処理温度）−Ｔｇ（ガラス転移温度）
（℃）とを座標軸とする図１中の請求項１で定義する各
点ＡＢＣＤで包囲される範囲の条件下でプレス熱処理を
施すことが最も重要である。
【００１９】図１で示された各点ＡＢＣＤで包囲される
範囲の条件は、ガラス転移温度以上での熱処理温度とプ
レス圧力との関係で規定される条件を定めているが、斯
かるプレス熱処理が光学的歪みの低減に極めて有効であ
る事実は、後述の実施例および比較例によって立証され
ている。すなわち、図１で示された各点ＡＢＣＤで包囲
される範囲外の条件では、リターデーションが１０ｎｍ
以下の平板を得ることが出来るが、平板に顕著な変形が
生じる等の重大な欠点がある。上記のプレス熱処理のよ
り好ましい条件の範囲は、図１中の以下の表２に定義す
る各点ＡＧＦＥで包囲される範囲である。
範囲の条件は、ガラス転移温度以上での熱処理温度とプ
レス圧力との関係で規定される条件を定めているが、斯
かるプレス熱処理が光学的歪みの低減に極めて有効であ
る事実は、後述の実施例および比較例によって立証され
ている。すなわち、図１で示された各点ＡＢＣＤで包囲
される範囲外の条件では、リターデーションが１０ｎｍ
以下の平板を得ることが出来るが、平板に顕著な変形が
生じる等の重大な欠点がある。上記のプレス熱処理のよ
り好ましい条件の範囲は、図１中の以下の表２に定義す
る各点ＡＧＦＥで包囲される範囲である。
【００２０】
【表２】 Ａ：（0.2 ×101 ｇ／ｃｍ2 ）（０℃） Ｇ：（1.0 ×104 ｇ／ｃｍ2 ）（０℃） Ｆ：（1.0 ×104 ｇ／ｃｍ2 ）（60℃） Ｅ：（0.2 ×101 ｇ／ｃｍ2 ）（60℃）
【００２１】また、上記の事実は、キャビティへの充填
完了段階まで型面接触部を含めてガラス転移温度以上の
樹脂温度が保証される温度可変型金型を搭載した射出成
形法の有効性を傍証するものである。従って、本発明に
おける射出圧縮成形の一形態には、斯かる温度可変型金
型を搭載した成形装置の使用も包含される。この様な金
型の様式としては、加熱・冷却回路を内蔵させた金型の
他、キャビティ表面に導電性加熱回路を附設させた金
型、表面のみ赤外線等の輻射線により射出直前に瞬間的
に加熱する方法を採用した金型が挙げられる。
完了段階まで型面接触部を含めてガラス転移温度以上の
樹脂温度が保証される温度可変型金型を搭載した射出成
形法の有効性を傍証するものである。従って、本発明に
おける射出圧縮成形の一形態には、斯かる温度可変型金
型を搭載した成形装置の使用も包含される。この様な金
型の様式としては、加熱・冷却回路を内蔵させた金型の
他、キャビティ表面に導電性加熱回路を附設させた金
型、表面のみ赤外線等の輻射線により射出直前に瞬間的
に加熱する方法を採用した金型が挙げられる。
【００２２】そして、熱プレス機としては、高精度に面
仕上げされた熱板および加熱・冷却プログラムの正確な
実施を可能とする制御システムを搭載した熱プレス機が
挙げられる。特に、温度の均一性およびエアーの影響の
排除可能という観点から恒温槽式真空油圧プレス機が推
奨される。
仕上げされた熱板および加熱・冷却プログラムの正確な
実施を可能とする制御システムを搭載した熱プレス機が
挙げられる。特に、温度の均一性およびエアーの影響の
排除可能という観点から恒温槽式真空油圧プレス機が推
奨される。
【００２３】本発明において、プレス熱処理後の平板は
ガラス転移温度以下に冷却されるが、その温度条件とし
ては、Ｔｇ−１０℃〜Ｔｇ−３０℃の範囲が加熱・冷却
のサイクル時間を節約する上で好ましい。なお、本発明
において、加熱・冷却時間は特に限定されないが、その
機器の加熱・冷却サイクルにおいて温度の均一性を損な
わない範囲で可及的に短くすることが工業的有利であ
る。
ガラス転移温度以下に冷却されるが、その温度条件とし
ては、Ｔｇ−１０℃〜Ｔｇ−３０℃の範囲が加熱・冷却
のサイクル時間を節約する上で好ましい。なお、本発明
において、加熱・冷却時間は特に限定されないが、その
機器の加熱・冷却サイクルにおいて温度の均一性を損な
わない範囲で可及的に短くすることが工業的有利であ
る。
【００２４】
【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。
するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。
【００２５】実施例１〜１０及び比較例１〜５ ＜ポリカーボネート樹脂の調製＞ビスフェノールＡを二
価フェノールとするポリカーボネート（成分Ｉ）と１−
フェニル−１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニルエタ
ン）を二価フェノールとする下記の式（Ｉ）で表される
繰り返し単位を有するポリカーボネート（成分II）とを
成分Ｉ／成分IIの割合６５／３５重量比でブレンドして
成形用ポリカーボネート樹脂を調製した。なお、成分Ｉ
及びIIのポリカーボネートは、何れも界面重縮合により
得られたものである。
価フェノールとするポリカーボネート（成分Ｉ）と１−
フェニル−１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニルエタ
ン）を二価フェノールとする下記の式（Ｉ）で表される
繰り返し単位を有するポリカーボネート（成分II）とを
成分Ｉ／成分IIの割合６５／３５重量比でブレンドして
成形用ポリカーボネート樹脂を調製した。なお、成分Ｉ
及びIIのポリカーボネートは、何れも界面重縮合により
得られたものである。
【００２６】
【化１】
【００２７】成形用ポリカーボネート樹脂のガラス転移
温度は１５９℃、分子量は２８，０００であった。な
お、上記のガラス転移温度はＤＳＣ測定による値であ
り、上記の分子量は、６ｇ／ｌメチレンクロライド溶液
について２５℃で測定した溶液粘度をシュネルの粘度式
で換算して求めた値である。
温度は１５９℃、分子量は２８，０００であった。な
お、上記のガラス転移温度はＤＳＣ測定による値であ
り、上記の分子量は、６ｇ／ｌメチレンクロライド溶液
について２５℃で測定した溶液粘度をシュネルの粘度式
で換算して求めた値である。
【００２８】＜ポリカーボネート樹脂の成形＞射出成形
および射出圧縮成形を兼用出来る成形装置（名機製作所
製「Ｍ−１００Ｂ」）を使用し、１２０ｍｍ×８０ｍｍ
×１ｍｍの平板を成形した。
および射出圧縮成形を兼用出来る成形装置（名機製作所
製「Ｍ−１００Ｂ」）を使用し、１２０ｍｍ×８０ｍｍ
×１ｍｍの平板を成形した。
【００２９】＜ポリカーボネート樹脂平板のプレス熱処
理＞負荷圧力１ｋｇ／ｃｍ2 以上の場合は、７０ｔ加熱
プレス機（王子機械工業（株）製）を使用してプレス熱
処理を行った。また、負荷圧力１ｋｇ／ｃｍ2 未満の場
合は、他の加熱プレス機（タバイ製作所製「エスペック
ＧＰＨ−１０１」）を使用し、加熱プレス機内で荷重の
異なるステンレス板にシートを挟むことによりプレス熱
処理を行った。なお、このプレス熱処理において、１０
％以上の寸法変化が認められた平板、および、平坦性の
ムラが目視で観察された平板は、光学的歪みを測定する
ことなしに外観的に不合格とした。プレス熱処理におけ
る共通条件は、以下の表３に示す通りである。
理＞負荷圧力１ｋｇ／ｃｍ2 以上の場合は、７０ｔ加熱
プレス機（王子機械工業（株）製）を使用してプレス熱
処理を行った。また、負荷圧力１ｋｇ／ｃｍ2 未満の場
合は、他の加熱プレス機（タバイ製作所製「エスペック
ＧＰＨ−１０１」）を使用し、加熱プレス機内で荷重の
異なるステンレス板にシートを挟むことによりプレス熱
処理を行った。なお、このプレス熱処理において、１０
％以上の寸法変化が認められた平板、および、平坦性の
ムラが目視で観察された平板は、光学的歪みを測定する
ことなしに外観的に不合格とした。プレス熱処理におけ
る共通条件は、以下の表３に示す通りである。
【００３０】
【表３】 加熱時間 ：試料面が設定温度に到達してから１０分 冷却速度 ：１℃／分 取り出し温度：試料面において１３０℃
【００３１】また、リターデーションの測定には、オー
ク製作所製ＡＤＲ−１００Ｎを使用した。そして、図２
に示される８点の位置でのリターデーションの平均Δｎ
を光学的歪みとして評価した。なお、未処理シートのリ
ターデーションは２６ｎｍであり、可視光での光線透過
率は８７％であった（ＪＩＳＫ７１０５に準拠）。
ク製作所製ＡＤＲ−１００Ｎを使用した。そして、図２
に示される８点の位置でのリターデーションの平均Δｎ
を光学的歪みとして評価した。なお、未処理シートのリ
ターデーションは２６ｎｍであり、可視光での光線透過
率は８７％であった（ＪＩＳＫ７１０５に準拠）。
【００３２】前述の射出成形平板について表４に示す条
件下でプレス熱処理を行なった。得られた結果を表４に
示す。
件下でプレス熱処理を行なった。得られた結果を表４に
示す。
【００３３】
【表４】
【００３４】表４に示す結果から明らかな通り、本発明
で規定する条件内でプレス熱処理を行なった平板は、何
れも、１０ｎｍ以下のリターデーション及び良好な外観
（平坦性）を有しているいる。なお、比較例５は、保護
フイルムを貼付し、プレス負荷なし（常圧熱処理）の例
であるが、その平均Δｎは、平板の変形が著しいために
測定出来なかった。
で規定する条件内でプレス熱処理を行なった平板は、何
れも、１０ｎｍ以下のリターデーション及び良好な外観
（平坦性）を有しているいる。なお、比較例５は、保護
フイルムを貼付し、プレス負荷なし（常圧熱処理）の例
であるが、その平均Δｎは、平板の変形が著しいために
測定出来なかった。
【００３５】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、工業的有
利に製造することが出来、しかも、寸法変化が小さくて
平坦性に優れる等の良好な外観特性を有すると共に光学
的歪みが少ない液晶表示素子用樹脂基板が提供される。
利に製造することが出来、しかも、寸法変化が小さくて
平坦性に優れる等の良好な外観特性を有すると共に光学
的歪みが少ない液晶表示素子用樹脂基板が提供される。
【図１】本発明で規定するプレス熱処理の条件範囲（Ａ
ＢＣＤ包囲される範囲）を規定する図面
ＢＣＤ包囲される範囲）を規定する図面
【図２】実施例および比較例におれるリターデーション
の測定範囲（ｎ1 〜ｎ8 ）を示す図面
の測定範囲（ｎ1 〜ｎ8 ）を示す図面
Claims (2)
- 【請求項１】 可視光での光線透過率が８０％以上でガ
ラス転移温度が１５０℃以上の透明樹脂から成る射出成
形平板の全面に対し、Ｐ（プレス圧力：ｇ／ｃｍ2 ）と
Ｔ（熱処理温度）−Ｔｇ（ガラス転移温度）（℃）とを
座標軸とする図１中の以下の表１に定義する各点ＡＢＣ
Ｄで包囲される範囲の条件下でプレス熱処理を施して成
ることを特徴とする液晶表示素子用樹脂基板。 【表１】 Ａ：（0.2 ×101 ｇ／ｃｍ2 ）（０℃） Ｂ：（1.1 ×104 ｇ／ｃｍ2 ）（０℃） Ｃ：（1.1 ×104 ｇ／ｃｍ2 ）（70℃） Ｄ：（0.2 ×101 ｇ／ｃｍ2 ）（70℃） - 【請求項２】 透明樹脂が分子量１０，０００〜２０，
０００のポリカーボネート又はポリエステル−ポリカー
ボネートである請求項１記載の液晶表示素子用樹脂基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29324596A JPH10123491A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | 液晶表示素子用樹脂基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29324596A JPH10123491A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | 液晶表示素子用樹脂基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10123491A true JPH10123491A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17792329
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29324596A Pending JPH10123491A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | 液晶表示素子用樹脂基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10123491A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003082131A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Keiwa Inc | ポリカーボネートシート、光学シート及び非晶質ポリマーシートの製造方法 |
| US6738200B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-05-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | Projection lens |
| JP2008044282A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Sabic Innovative Plastics Japan Kk | 多層成形品を製造する成形法 |
| KR101202279B1 (ko) | 2010-02-02 | 2012-11-16 | 유창규 | 캐스팅 방식을 이용한 전자제품의 액정 패널용 기판의 제조방법 |
-
1996
- 1996-10-15 JP JP29324596A patent/JPH10123491A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6738200B2 (en) | 2000-10-20 | 2004-05-18 | Mitsubishi Chemical Corporation | Projection lens |
| JP2003082131A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Keiwa Inc | ポリカーボネートシート、光学シート及び非晶質ポリマーシートの製造方法 |
| JP2008044282A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Sabic Innovative Plastics Japan Kk | 多層成形品を製造する成形法 |
| KR101202279B1 (ko) | 2010-02-02 | 2012-11-16 | 유창규 | 캐스팅 방식을 이용한 전자제품의 액정 패널용 기판의 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20031225 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |