JPH10123711A - 液状フォトレジストインク及びプリント配線板の製造 - Google Patents
液状フォトレジストインク及びプリント配線板の製造Info
- Publication number
- JPH10123711A JPH10123711A JP8283893A JP28389396A JPH10123711A JP H10123711 A JPH10123711 A JP H10123711A JP 8283893 A JP8283893 A JP 8283893A JP 28389396 A JP28389396 A JP 28389396A JP H10123711 A JPH10123711 A JP H10123711A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid photoresist
- photoresist ink
- compd
- meth
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 67
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 7
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims abstract description 24
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims abstract description 11
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims abstract description 9
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims abstract description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 34
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 22
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 16
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 4
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 abstract description 4
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 65
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 35
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 27
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- -1 thiol compound Chemical class 0.000 description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 10
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- JHGGYGMFCRSWIZ-UHFFFAOYSA-N 2,2-dichloro-1-(4-phenoxyphenyl)ethanone Chemical compound C1=CC(C(=O)C(Cl)Cl)=CC=C1OC1=CC=CC=C1 JHGGYGMFCRSWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- INQDDHNZXOAFFD-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-prop-2-enoyloxyethoxy)ethoxy]ethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCOCCOCCOC(=O)C=C INQDDHNZXOAFFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PYSRRFNXTXNWCD-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylethenyl)furan-2,5-dione Chemical compound O=C1OC(=O)C(C=CC=2C=CC=CC=2)=C1 PYSRRFNXTXNWCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000147 Styrene maleic anhydride Polymers 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAZWDJGLIYNYMU-UHFFFAOYSA-N Leucocrystal Violet Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C=CC(=CC=1)N(C)C)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 OAZWDJGLIYNYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 3
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 2
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZUGPQWGEGAKET-UHFFFAOYSA-N parbenate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 FZUGPQWGEGAKET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWTGRKUQJXIWCV-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trihydroxypropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC(O)C(O)CO JWTGRKUQJXIWCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUDVPELGFZKOMD-UHFFFAOYSA-N 1,2-di(propan-2-yl)thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(C(C)C)C(C(C)C)=CC=C3SC2=C1 SUDVPELGFZKOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(CC)C(CC)=CC=C3SC2=C1 GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYBFGAFWCBMEDG-UHFFFAOYSA-N 1-[3,5-di(prop-2-enoyl)-1,3,5-triazinan-1-yl]prop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CN(C(=O)C=C)CN(C(=O)C=C)C1 FYBFGAFWCBMEDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNSNJGRCQCDRDM-UHFFFAOYSA-N 1-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound S1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2Cl YNSNJGRCQCDRDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHOUKKVJOPQVJM-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)propane-1,3-diol;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OCC(CO)(CO)CO KHOUKKVJOPQVJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJELTSYBAHKXRW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-triallyloxy-1,3,5-triazine Chemical compound C=CCOC1=NC(OCC=C)=NC(OCC=C)=N1 BJELTSYBAHKXRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOC(C)=O BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZZAHLOABNWIFA-UHFFFAOYSA-N 2-butoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCCCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 DZZAHLOABNWIFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPKCTSIVDAWGFA-UHFFFAOYSA-N 2-chloroanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3C(=O)C2=C1 FPKCTSIVDAWGFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 2-ethylanthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC=C3C(=O)C2=C1 SJEBAWHUJDUKQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl methacrylate Chemical compound CC(O)COC(=O)C(C)=C VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4-phenylpyridine Chemical compound C1=NC(C)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 CRWNQZTZTZWPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 3-tert-butylbenzene-1,2-diol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1O JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N Cyclohexyl acetate Chemical compound CC(=O)OC1CCCCC1 YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDSFAEKRVUSQDD-UHFFFAOYSA-N Dimethyl adipate Chemical compound COC(=O)CCCCC(=O)OC UDSFAEKRVUSQDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUXOBHXGJLMRAB-UHFFFAOYSA-N Dimethyl succinate Chemical compound COC(=O)CCC(=O)OC MUXOBHXGJLMRAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- YEJSPQZHMWGIGP-YFKPBYRVSA-N L-glutamic acid, dimethyl ester Chemical compound COC(=O)CC[C@H](N)C(=O)OC YEJSPQZHMWGIGP-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical group COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical compound COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFSAUHSCHWRZKM-UHFFFAOYSA-N Padimate A Chemical compound CC(C)CCOC(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 OFSAUHSCHWRZKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- BGNXCDMCOKJUMV-UHFFFAOYSA-N Tert-Butylhydroquinone Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(O)=CC=C1O BGNXCDMCOKJUMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N Tetraethylene glycol, Natural products OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- YEJSPQZHMWGIGP-UHFFFAOYSA-N dl-glutamic acid dimethyl ester Natural products COC(=O)CCC(N)C(=O)OC YEJSPQZHMWGIGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- IHMIAJWIZXWVIN-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-2,3,3-trimethylbutan-2-amine Chemical compound CCNC(C)(C)C(C)(C)C IHMIAJWIZXWVIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N p-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N pentamethyldiethylenetriamine Chemical compound CN(C)CCN(C)CCN(C)C UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 description 1
- 239000004632 polycaprolactone Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920006295 polythiol Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 235000015096 spirit Nutrition 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N trichloroethylene Natural products ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プリント配線板の製造において、回路形成工
程での紫外線露光前後の被膜の粘着性が解消され、フォ
トマスクを汚染する事なく、更に銅張積層板同士のブロ
ッキングの発生がなく、所望の回路形成が可能な液状フ
ォトレジストインクを供給する。 【解決手段】 無水マレイン酸とポリブタジエンの共重
合物から成るマレイン化ポリブタジエンのハーフエステ
ル化化合物とカルボキシル基含有飽和化合物、光重合性
不飽和化合物、光重合開始剤を必須成分とする液状フォ
トレジストインク及び該液状フォトレジストインクを使
用してプリント配線板を製造する。
程での紫外線露光前後の被膜の粘着性が解消され、フォ
トマスクを汚染する事なく、更に銅張積層板同士のブロ
ッキングの発生がなく、所望の回路形成が可能な液状フ
ォトレジストインクを供給する。 【解決手段】 無水マレイン酸とポリブタジエンの共重
合物から成るマレイン化ポリブタジエンのハーフエステ
ル化化合物とカルボキシル基含有飽和化合物、光重合性
不飽和化合物、光重合開始剤を必須成分とする液状フォ
トレジストインク及び該液状フォトレジストインクを使
用してプリント配線板を製造する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板の
製造に用いる感光性樹脂組成物並びに、金属箔の加工に
用いるエッチング レジスト又はめっきレジストとして
用いるアルカリ水溶液で現像可能な液状フォトレジスト
インクに関するものであり、更に、本発明の感光性樹脂
組成物及びそれを含む液状フォトレジストインクを使用
してプリント配線板を製造する事に関するものである。
製造に用いる感光性樹脂組成物並びに、金属箔の加工に
用いるエッチング レジスト又はめっきレジストとして
用いるアルカリ水溶液で現像可能な液状フォトレジスト
インクに関するものであり、更に、本発明の感光性樹脂
組成物及びそれを含む液状フォトレジストインクを使用
してプリント配線板を製造する事に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、プリント配線板の製造において、
エッチングレジスト又はめっきレジストとして感光性樹
脂組成物を用いる事は公知であり、一般的にエッチング
レジストインクと呼ばれる材料、ドライフィルムと呼ば
れる材料、液状フォトレジストインクと呼ばれる材料が
広く使用されている。近年、プリント配線板の高密度化
及び高性能化に伴う微細な回路形成は、フォトマスクを
介して行うドライフィルム及び液状フォトレジストイン
クを使用する方法が一般的である。
エッチングレジスト又はめっきレジストとして感光性樹
脂組成物を用いる事は公知であり、一般的にエッチング
レジストインクと呼ばれる材料、ドライフィルムと呼ば
れる材料、液状フォトレジストインクと呼ばれる材料が
広く使用されている。近年、プリント配線板の高密度化
及び高性能化に伴う微細な回路形成は、フォトマスクを
介して行うドライフィルム及び液状フォトレジストイン
クを使用する方法が一般的である。
【0003】次に、ドライフィルム及び液状フォトレジ
ストインクを使用して回路を形成する方法は、ドライフ
ィルムを銅張積層板の銅箔表面に熱圧着により積層し、
その後、回路パターンが形成されているフォトマスクを
介してドライフィルムを露光し、回路パターンをドライ
フィルムに焼付け、アルカリ水溶液で現像(未露光部分
を除去)する。現像で露出した銅箔部分をエッチングし
て銅箔を除去し、あるいは露出した銅箔部分にめっきを
施した後、不要の銅箔部分を除去し、回路を形成し、ド
ライフィルムを除去する。
ストインクを使用して回路を形成する方法は、ドライフ
ィルムを銅張積層板の銅箔表面に熱圧着により積層し、
その後、回路パターンが形成されているフォトマスクを
介してドライフィルムを露光し、回路パターンをドライ
フィルムに焼付け、アルカリ水溶液で現像(未露光部分
を除去)する。現像で露出した銅箔部分をエッチングし
て銅箔を除去し、あるいは露出した銅箔部分にめっきを
施した後、不要の銅箔部分を除去し、回路を形成し、ド
ライフィルムを除去する。
【0004】一方、液状フォトレジストインクを使用し
て回路を形成する方法は、液状フォトレジストインクを
銅張積層板の銅箔表面にスクリーン印刷、ロールコー
ト、スピンコート、カーテンコート等の方法により塗布
する。塗布後、塗布面を乾燥し、その後ドライフィルム
を使用して回路を形成する方法と同様にフォトマスクを
介して露光し、現像後エッチングして回路を形成する
か、あるいはめっきを施した後、回路を形成し、液状フ
ォトレジストインクを除去する。
て回路を形成する方法は、液状フォトレジストインクを
銅張積層板の銅箔表面にスクリーン印刷、ロールコー
ト、スピンコート、カーテンコート等の方法により塗布
する。塗布後、塗布面を乾燥し、その後ドライフィルム
を使用して回路を形成する方法と同様にフォトマスクを
介して露光し、現像後エッチングして回路を形成する
か、あるいはめっきを施した後、回路を形成し、液状フ
ォトレジストインクを除去する。
【0005】ドライフィルムを銅張積層板に積層する
時、銅箔表面とドライフィルムとの密着性を向上させる
為に銅張積層板の銅箔表面を機械的に研磨するか、ソフ
トエッチングにより化学的に研磨して銅箔表面を荒す必
要がある。この時、銅箔表面の研磨むらや積層板の取り
扱いによって銅箔表面に深い傷が入る事がある。発生し
た傷にドライフィルムを確実に埋め込む事は困難であ
る。従って、露光、現像後の銅箔のエッチングで、ドラ
イフィルムと銅箔表面との隙間にエッチング液が浸入
し、回路が断線する原因となる。あるいは、銅箔にめっ
きを施す時、ドライフィルムと銅箔表面との隙間にめっ
き液が浸入し、回路が短絡する原因となる。
時、銅箔表面とドライフィルムとの密着性を向上させる
為に銅張積層板の銅箔表面を機械的に研磨するか、ソフ
トエッチングにより化学的に研磨して銅箔表面を荒す必
要がある。この時、銅箔表面の研磨むらや積層板の取り
扱いによって銅箔表面に深い傷が入る事がある。発生し
た傷にドライフィルムを確実に埋め込む事は困難であ
る。従って、露光、現像後の銅箔のエッチングで、ドラ
イフィルムと銅箔表面との隙間にエッチング液が浸入
し、回路が断線する原因となる。あるいは、銅箔にめっ
きを施す時、ドライフィルムと銅箔表面との隙間にめっ
き液が浸入し、回路が短絡する原因となる。
【0006】液状フォトレジストインクを使用する方法
では、液状フォトレジストインクを銅箔表面に塗布する
為、銅箔表面の深い傷にも埋め込まれ、エッチング液に
よる回路の断線あるいはめっき液による回路の短絡は無
くなる。
では、液状フォトレジストインクを銅箔表面に塗布する
為、銅箔表面の深い傷にも埋め込まれ、エッチング液に
よる回路の断線あるいはめっき液による回路の短絡は無
くなる。
【0007】ドライフィルムは通常25〜50μmの厚
さがあり、更に、感光層を保護する為の保護フィルムが
ある為、露光時の解像性に問題がある。従って、近年の
高密度化及び高性能化に伴う微細な回路形成は、液状フ
ォトレジストインクを使用する傾向にある。従来からこ
の目的の為の液状フォトレジストインクは種々開示され
ている。例えば、特開昭63−280245号公報に
は、スチレン−無水マレイン酸共重合体とヒドロキシ
(メタ)アクリレートの反応生成物、エチレン系不飽和
化合物(反応性希釈剤として使用する。)、光重合開始
剤及びモノチオール又はポリチオールから成る感光性樹
脂組成物が示されている。この感光性樹脂組成物を露光
する時、感光性樹脂組成物がフォトマスクと接触しない
ように透明ポリエステルフィルムから成る保護フイルム
を必要とする。特開平2−47658号公報には、スチ
レン−無水マレイン酸共重合体とアルコールの反応生成
物、エチレン系不飽和化合物(反応性希釈剤)、(メ
タ)アクリル酸−(メタ)アクリル酸メチルの共重合
体、ヘキサアリールビイミダゾール及びチオール化合物
を含む光重合開始剤から成る感光性樹脂組成物が開示さ
れている。この感光性樹脂組成物を露光する時、感光性
樹脂組成物がフォトマスクと接触しないようにポリビニ
ールアルコールから成る保護フィルムを必要とする。
さがあり、更に、感光層を保護する為の保護フィルムが
ある為、露光時の解像性に問題がある。従って、近年の
高密度化及び高性能化に伴う微細な回路形成は、液状フ
ォトレジストインクを使用する傾向にある。従来からこ
の目的の為の液状フォトレジストインクは種々開示され
ている。例えば、特開昭63−280245号公報に
は、スチレン−無水マレイン酸共重合体とヒドロキシ
(メタ)アクリレートの反応生成物、エチレン系不飽和
化合物(反応性希釈剤として使用する。)、光重合開始
剤及びモノチオール又はポリチオールから成る感光性樹
脂組成物が示されている。この感光性樹脂組成物を露光
する時、感光性樹脂組成物がフォトマスクと接触しない
ように透明ポリエステルフィルムから成る保護フイルム
を必要とする。特開平2−47658号公報には、スチ
レン−無水マレイン酸共重合体とアルコールの反応生成
物、エチレン系不飽和化合物(反応性希釈剤)、(メ
タ)アクリル酸−(メタ)アクリル酸メチルの共重合
体、ヘキサアリールビイミダゾール及びチオール化合物
を含む光重合開始剤から成る感光性樹脂組成物が開示さ
れている。この感光性樹脂組成物を露光する時、感光性
樹脂組成物がフォトマスクと接触しないようにポリビニ
ールアルコールから成る保護フィルムを必要とする。
【0008】液状フォトレジストインクに要求される特
性の一つに、紫外線露光前後の被膜の表面に粘着性が無
い事が挙げられる。即ち、銅張積層板の銅箔表面に液状
フォトレジストインクを塗布後乾燥し、フォトマスクを
介して露光する工程で、塗布面及び露光面に粘着性がな
い事である。
性の一つに、紫外線露光前後の被膜の表面に粘着性が無
い事が挙げられる。即ち、銅張積層板の銅箔表面に液状
フォトレジストインクを塗布後乾燥し、フォトマスクを
介して露光する工程で、塗布面及び露光面に粘着性がな
い事である。
【0009】塗布面が粘着性を有する場合、露光時、塗
布面とフォトマスクとが粘着し、フォトマスクを汚染す
るし、又、露光面が粘着性を有する場合、銅箔積層板同
志のブロッキングが発生する。かかる不具合を発生する
ような液状フォトレジストインクは、使用に適さない。
従来の液状フォトレジストインクには、上記特性を満足
するものが見当たらない。従って、使用に当たっては取
り扱いに十分注意し、何等かの工夫をして使用している
のが実状である。
布面とフォトマスクとが粘着し、フォトマスクを汚染す
るし、又、露光面が粘着性を有する場合、銅箔積層板同
志のブロッキングが発生する。かかる不具合を発生する
ような液状フォトレジストインクは、使用に適さない。
従来の液状フォトレジストインクには、上記特性を満足
するものが見当たらない。従って、使用に当たっては取
り扱いに十分注意し、何等かの工夫をして使用している
のが実状である。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】従来、回路形成を液状
フォトレジストインクで行う場合、液状フォトレジスト
インクを銅箔表面に塗布し、乾燥後露光によって回路部
分を焼き付けるが、乾燥後及び露光後の液状フォトレジ
ストインク被膜が粘着性を有する為、取り扱いに十分注
意し、何等かの工夫をしなければならない。本発明は、
かかる問題を解決する為に乾燥後及び露光後の液状フォ
トレジストインク被膜が粘着性を有しない、更に、銅箔
表面との密着性に優れ、十分な硬度を有し、耐エッチン
グ性及び耐めっき性に優れている等の特性を有する液状
フォトレジストインクの提供を目的とするものである。
フォトレジストインクで行う場合、液状フォトレジスト
インクを銅箔表面に塗布し、乾燥後露光によって回路部
分を焼き付けるが、乾燥後及び露光後の液状フォトレジ
ストインク被膜が粘着性を有する為、取り扱いに十分注
意し、何等かの工夫をしなければならない。本発明は、
かかる問題を解決する為に乾燥後及び露光後の液状フォ
トレジストインク被膜が粘着性を有しない、更に、銅箔
表面との密着性に優れ、十分な硬度を有し、耐エッチン
グ性及び耐めっき性に優れている等の特性を有する液状
フォトレジストインクの提供を目的とするものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、 (1)(A)下記一般式〔1〕(化2)で示されるマレ
イン化ポリブタジエンを1分子中に少なくとも1個のヒ
ドロキシル基及び1個の(メタ)アクリロイル基を有す
る化合物と反応せしめて得られるハーフエステル化化合
物、
明は、 (1)(A)下記一般式〔1〕(化2)で示されるマレ
イン化ポリブタジエンを1分子中に少なくとも1個のヒ
ドロキシル基及び1個の(メタ)アクリロイル基を有す
る化合物と反応せしめて得られるハーフエステル化化合
物、
【0012】
【化2】 (式中、XはH又はCOOHであり、m、nは10〜3
00の整数であり、n/mの値は0.05〜1であ
る。) (B)カルボキシル基含有飽和化合物、(C)光重合性
不飽和化合物、(D)光重合開始剤、を必須成分として
含む感光性樹脂組成物, (2)上記(1)記載の感光性樹脂組成物を主体として
なり、アルカリ水溶液で現像可能である液状フォトレジ
ストインク及び、 (3)上記(1)または(2)に記載する感光性樹脂組
成物または液状フォトレジストインクを使用して製造さ
れたプリント配線板である。
00の整数であり、n/mの値は0.05〜1であ
る。) (B)カルボキシル基含有飽和化合物、(C)光重合性
不飽和化合物、(D)光重合開始剤、を必須成分として
含む感光性樹脂組成物, (2)上記(1)記載の感光性樹脂組成物を主体として
なり、アルカリ水溶液で現像可能である液状フォトレジ
ストインク及び、 (3)上記(1)または(2)に記載する感光性樹脂組
成物または液状フォトレジストインクを使用して製造さ
れたプリント配線板である。
【0013】即ち、本発明により従来の液状フォトレジ
ストインクの欠点の一つである紫外線露光前後の被膜の
粘着性を解消すると同時に銅箔表面との密着性に優れ、
十分な硬度を有し、耐エッチング性及び耐めっき性に優
れている等の特性を有するものである。
ストインクの欠点の一つである紫外線露光前後の被膜の
粘着性を解消すると同時に銅箔表面との密着性に優れ、
十分な硬度を有し、耐エッチング性及び耐めっき性に優
れている等の特性を有するものである。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の感光性樹脂組成物及び液
状フォトレジストインクに使用される一般式[1]で示
されるマレイン化ポリブタジエンは、無水マレイン酸と
ポリプタジエンの共重合物から成るもので、特に一般式
[1]で、XはCOOHが好ましい。HよりCOOHの
方が好ましい理由は、ハーフエステル化化合物(A)の
酸価が高く、アルカリ水溶液での現像が容易に出来る。
又一般式[1]中のmとnの比は、すなわちn/mは
0.05〜1であり、好ましくは0.1〜0.8であ
る。この値を、無水マレイン酸付加率に換算すると、8
〜48wt%になり、好ましくは、14〜45wt%に
なる。無水マレイン酸付加率が8wt%以下では、ハー
フエステル化化合物の酸価が低く、アルカリ水溶液での
現像工程で、未露光部の液状フォトレジストインクが溶
解せず、除去出来ない為、目的とする回路形成が不可能
となる。
状フォトレジストインクに使用される一般式[1]で示
されるマレイン化ポリブタジエンは、無水マレイン酸と
ポリプタジエンの共重合物から成るもので、特に一般式
[1]で、XはCOOHが好ましい。HよりCOOHの
方が好ましい理由は、ハーフエステル化化合物(A)の
酸価が高く、アルカリ水溶液での現像が容易に出来る。
又一般式[1]中のmとnの比は、すなわちn/mは
0.05〜1であり、好ましくは0.1〜0.8であ
る。この値を、無水マレイン酸付加率に換算すると、8
〜48wt%になり、好ましくは、14〜45wt%に
なる。無水マレイン酸付加率が8wt%以下では、ハー
フエステル化化合物の酸価が低く、アルカリ水溶液での
現像工程で、未露光部の液状フォトレジストインクが溶
解せず、除去出来ない為、目的とする回路形成が不可能
となる。
【0015】一方、48wt%以上では、マレイン化ポ
リブタジエンは、空気酸化を受け易くなる為に変質する
傾向がある。従って、ハーフエステル化化合物(A)も
変質する傾向にある為、本発明の液状フォトレジストイ
ンクの保存安定性が悪くなる。上記の一般式[1]で示
されるマレイン化ポリブタジエンは、例えば、日本曹達
社製のANー2000シリーズ(無水マレイン酸付加率
10〜50wt%)が、これに該当する。
リブタジエンは、空気酸化を受け易くなる為に変質する
傾向がある。従って、ハーフエステル化化合物(A)も
変質する傾向にある為、本発明の液状フォトレジストイ
ンクの保存安定性が悪くなる。上記の一般式[1]で示
されるマレイン化ポリブタジエンは、例えば、日本曹達
社製のANー2000シリーズ(無水マレイン酸付加率
10〜50wt%)が、これに該当する。
【0016】上記マレイン化ポリブタジエンのハーフエ
ステル化化合物(A)は、1分子中に少なくとも1個の
ヒドロキシル基及び1個の(メタ)アクリロイル基を有
する単量体を反応して得る。
ステル化化合物(A)は、1分子中に少なくとも1個の
ヒドロキシル基及び1個の(メタ)アクリロイル基を有
する単量体を反応して得る。
【0017】かかる単量体としては、例えば、2−ヒド
ロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプ
ロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル
(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ
(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ
(メタ)アクリレート、ポリカプロラクトンモノ(メ
タ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)
アクリレート、トリメチロールプロパン(メタ)アクリ
レート、ネオペンチルグリコールモノ(メタ)アクリレ
ート、1,6−ヘキサンジオールモノ(メタ)アクリレ
ート、モノ(2−(メタ)アクリロイロキシエチル)ア
シッドホスフェート、ジ(2−(メタ)アクリロイロキ
シエチル)アシッドホスフェート、グリセロールモノ
(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリ
レート、2−ヒドロキシジエチル(メタ)アクリレー
ト、ポリブチレングリコールモノ(メタ)アクリレー
ト、ジペンタエリスリトール(メタ)アクリレート等が
挙げられる。
ロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプ
ロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル
(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ
(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ
(メタ)アクリレート、ポリカプロラクトンモノ(メ
タ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)
アクリレート、トリメチロールプロパン(メタ)アクリ
レート、ネオペンチルグリコールモノ(メタ)アクリレ
ート、1,6−ヘキサンジオールモノ(メタ)アクリレ
ート、モノ(2−(メタ)アクリロイロキシエチル)ア
シッドホスフェート、ジ(2−(メタ)アクリロイロキ
シエチル)アシッドホスフェート、グリセロールモノ
(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリ
レート、2−ヒドロキシジエチル(メタ)アクリレー
ト、ポリブチレングリコールモノ(メタ)アクリレー
ト、ジペンタエリスリトール(メタ)アクリレート等が
挙げられる。
【0018】ハーフエステル化化合物は、上記のマレイ
ン化ポリプタジエンと上記の単量体とをエステル化反応
させる事によって得る事が出来る。即ち、マレイン化ポ
リブタジエンと上記の単量体とをエステル化反応させる
事によって、かかる共重合体中に(メタ)アクリロイル
基を導入する事が出来る。ハーフエステル化化合物の合
成は、酸無水物とヒドロキシル基を有する前記単量体と
の開環付加反応により行う事が好ましいが、通常のエス
テル化反応による事も可能である。
ン化ポリプタジエンと上記の単量体とをエステル化反応
させる事によって得る事が出来る。即ち、マレイン化ポ
リブタジエンと上記の単量体とをエステル化反応させる
事によって、かかる共重合体中に(メタ)アクリロイル
基を導入する事が出来る。ハーフエステル化化合物の合
成は、酸無水物とヒドロキシル基を有する前記単量体と
の開環付加反応により行う事が好ましいが、通常のエス
テル化反応による事も可能である。
【0019】ハーフエステル化化合物を合成する場合、
マレイン化ポリブタジエンの酸無水物1モル当り、ヒド
ロキシル基を有する前記単量体を0.1モルから10モ
ルの範囲、好ましくは、0.5モルから2モルの範囲で
反応させる。更に最も好ましくは、マレイン化ポリブタ
ジエンの酸無水物と当量のヒドロキシル基を有する前記
単量体を使用し、酸無水物を完全に開環付加させる事で
ある。
マレイン化ポリブタジエンの酸無水物1モル当り、ヒド
ロキシル基を有する前記単量体を0.1モルから10モ
ルの範囲、好ましくは、0.5モルから2モルの範囲で
反応させる。更に最も好ましくは、マレイン化ポリブタ
ジエンの酸無水物と当量のヒドロキシル基を有する前記
単量体を使用し、酸無水物を完全に開環付加させる事で
ある。
【0020】上記の開環付加反応は、通常50℃乃至2
00℃にて行う事が出来るが、ジエステルの生成及びゲ
ル化を防止する為には80℃乃至150℃程度で行う事
が好ましい。
00℃にて行う事が出来るが、ジエステルの生成及びゲ
ル化を防止する為には80℃乃至150℃程度で行う事
が好ましい。
【0021】反応を開始するに当たっては、まずマレイ
ン化ポリブタジエンをブチルセロソルブアセテート等の
セロソルブアセテート類、メチルカルビトールアセテー
ト等のカルビトールアセテート類あるいはエステル系等
の親水性の溶剤に溶解する。次に、ヒドロキシル基を有
する上記単量体と上記の反応温度にて4時間乃至40時
間程度反応させる。反応の進行は、赤外吸収スペクトル
により酸無水物による赤外の吸収の減少を追跡する事に
よって判断する事が出来る。ヒドロキシル基を有する上
記単量体をマレイン化ポリブタジエンよりも過剰に用い
る場合には、上記単量体が溶剤となり得るので、無溶剤
で直接反応させる事も可能である。
ン化ポリブタジエンをブチルセロソルブアセテート等の
セロソルブアセテート類、メチルカルビトールアセテー
ト等のカルビトールアセテート類あるいはエステル系等
の親水性の溶剤に溶解する。次に、ヒドロキシル基を有
する上記単量体と上記の反応温度にて4時間乃至40時
間程度反応させる。反応の進行は、赤外吸収スペクトル
により酸無水物による赤外の吸収の減少を追跡する事に
よって判断する事が出来る。ヒドロキシル基を有する上
記単量体をマレイン化ポリブタジエンよりも過剰に用い
る場合には、上記単量体が溶剤となり得るので、無溶剤
で直接反応させる事も可能である。
【0022】尚、反応促進剤として、トリエチルアミ
ン、トリエタノールアミン、モルホリン、ペンタメチル
ジエチルアミン、ペンタメチルジエチレントリアミン等
の第3級アミン類、第4級アンモニウム塩を使用する事
が可能である。
ン、トリエタノールアミン、モルホリン、ペンタメチル
ジエチルアミン、ペンタメチルジエチレントリアミン等
の第3級アミン類、第4級アンモニウム塩を使用する事
が可能である。
【0023】一方、反応中に重合物が生成する事を防止
する為に、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチル
エーテル、t−ブチルハイドロキノン、t−ブチルカテ
コール、ベンゾキノン、フェノチアジン等の公知の重合
禁止剤を使用する事も出来る。
する為に、ハイドロキノン、ハイドロキノンモノメチル
エーテル、t−ブチルハイドロキノン、t−ブチルカテ
コール、ベンゾキノン、フェノチアジン等の公知の重合
禁止剤を使用する事も出来る。
【0024】これらハーフエステル化化合物の割合は、
上記の(A)、(B)、(C)及び(D)成分から成る
感光性樹脂組成物の総量中に、固形分として5重量%以
上95重量%以下が好ましく、更に好ましくは固形分と
して10重量%以上80重量%以下、より一層好ましく
は固形分として20重量%以上63重量%以下である。
5重量%未満では、液状フォトレジストインクを露光し
た時、露光部分と未露光部分との間で架橋度に差が少な
く、アルカリ水溶液から成る現像液で現像した時の現像
性が悪くなる。又、95重量%を越える場合、液状フォ
トレジストインクの露光部分の銅箔に対する密着性が低
下する。
上記の(A)、(B)、(C)及び(D)成分から成る
感光性樹脂組成物の総量中に、固形分として5重量%以
上95重量%以下が好ましく、更に好ましくは固形分と
して10重量%以上80重量%以下、より一層好ましく
は固形分として20重量%以上63重量%以下である。
5重量%未満では、液状フォトレジストインクを露光し
た時、露光部分と未露光部分との間で架橋度に差が少な
く、アルカリ水溶液から成る現像液で現像した時の現像
性が悪くなる。又、95重量%を越える場合、液状フォ
トレジストインクの露光部分の銅箔に対する密着性が低
下する。
【0025】カルボキシル基含有飽和化合物(B)とし
ては、ガラス転移温度が5℃乃至150℃の飽和の高分
子で、カルボキシル当量として100乃至2,000、
好ましくは130乃至1,000であり、且つ、後述す
る溶剤に可溶なポリマーである。
ては、ガラス転移温度が5℃乃至150℃の飽和の高分
子で、カルボキシル当量として100乃至2,000、
好ましくは130乃至1,000であり、且つ、後述す
る溶剤に可溶なポリマーである。
【0026】ガラス転移温度が5℃未満では、液状フォ
トレジストインクを露光する時にフォトマスクと液状フ
ォトレジストインクとの間に粘着が生じ易くなる。又、
ガラス転移温度が150℃以上では、アルカリ水溶液か
ら成る剥離液による液状フォトレジストインクの除去性
が低下し、銅箔からの除去に長時間を要する。
トレジストインクを露光する時にフォトマスクと液状フ
ォトレジストインクとの間に粘着が生じ易くなる。又、
ガラス転移温度が150℃以上では、アルカリ水溶液か
ら成る剥離液による液状フォトレジストインクの除去性
が低下し、銅箔からの除去に長時間を要する。
【0027】カルボキシル当量が100未満では、アル
カリ水溶液から成る現像液での現像時、液状フォトレジ
ストインクが現像液に溶出してしまう為、回路形成精度
が低下する。カルボキシル当量が2,000を越える
と、アルカリ水溶液から成る剥離液による除去性が低下
し、除去に長時間を要する。ここで、剥離液による液状
フォトレジストインクの除去とは、剥離液による膨潤剥
離あるいは溶解剥離を指す。
カリ水溶液から成る現像液での現像時、液状フォトレジ
ストインクが現像液に溶出してしまう為、回路形成精度
が低下する。カルボキシル当量が2,000を越える
と、アルカリ水溶液から成る剥離液による除去性が低下
し、除去に長時間を要する。ここで、剥離液による液状
フォトレジストインクの除去とは、剥離液による膨潤剥
離あるいは溶解剥離を指す。
【0028】カルボキシル当量の測定は、単位重量の試
料を、例えば、0.1規定のKOHで滴定して酸化を求
め、試料の単位重量当りのカルボキシル基の数を求め
る。又、GPCを用いて試料の数平均分子量を測定す
る。これらの値からカルボキシル当量を求める事が出来
る。ガラス転移温度は、サーマルメカニカルアナライザ
ーを使用して測定する。上記飽和の高分子には、官能基
として水酸基が存在していてもよい。
料を、例えば、0.1規定のKOHで滴定して酸化を求
め、試料の単位重量当りのカルボキシル基の数を求め
る。又、GPCを用いて試料の数平均分子量を測定す
る。これらの値からカルボキシル当量を求める事が出来
る。ガラス転移温度は、サーマルメカニカルアナライザ
ーを使用して測定する。上記飽和の高分子には、官能基
として水酸基が存在していてもよい。
【0029】上記飽和の高分子としては、例えば、アク
リル樹脂、ポリエステル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビ
ニル酢酸ビニル共重合物等を挙げる事が出来る。これら
カルボキシル基含有飽和化合物の割合は、上記の
(A)、(B)、(C)及び(D)成分から成る感光性
樹脂組成物の総量中に、固形分として5重量%以上70
重量%以下が好ましく、より好ましくは10重量%以上
70重量%以下、更に好ましくは20重量%以上65重
量%以下である。5重量%未満では、液状フォトレジス
トインクの銅箔に対する密着性が低下する。65重量%
を越えると、露光した時、架橋度が不足する為に、現像
時、液状フォトレジストインクが現像液に溶出してしま
う。
リル樹脂、ポリエステル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビ
ニル酢酸ビニル共重合物等を挙げる事が出来る。これら
カルボキシル基含有飽和化合物の割合は、上記の
(A)、(B)、(C)及び(D)成分から成る感光性
樹脂組成物の総量中に、固形分として5重量%以上70
重量%以下が好ましく、より好ましくは10重量%以上
70重量%以下、更に好ましくは20重量%以上65重
量%以下である。5重量%未満では、液状フォトレジス
トインクの銅箔に対する密着性が低下する。65重量%
を越えると、露光した時、架橋度が不足する為に、現像
時、液状フォトレジストインクが現像液に溶出してしま
う。
【0030】光重合性不飽和化合物(C)としては、多
価アルコールのアクリル酸エステルあるいはメタアクリ
ル酸エステルが適当であり、トリエチレングリコール、
テトラエチレングリコール、ジエチレングリコール、プ
ロピレングリコール、トリメチロールプロパン、ペンタ
エリスリトール、ネオペンチルグリコール等の多価アル
コールのアクリル酸エステルあるいはメタアクリル酸エ
ステルとして、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)ア
クリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリ
レート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、
トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ト
リメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート等を例と
して挙げる事が出来る。
価アルコールのアクリル酸エステルあるいはメタアクリ
ル酸エステルが適当であり、トリエチレングリコール、
テトラエチレングリコール、ジエチレングリコール、プ
ロピレングリコール、トリメチロールプロパン、ペンタ
エリスリトール、ネオペンチルグリコール等の多価アル
コールのアクリル酸エステルあるいはメタアクリル酸エ
ステルとして、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)ア
クリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリ
レート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレー
ト、ジペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、
トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ト
リメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート等を例と
して挙げる事が出来る。
【0031】又、メチレン−ビス−(メタ)アクリルア
ミド、(メタ)アクリルアミド等のアミド類、ジオール
(メタ)アクリレートとイソシアネートあるいはジイソ
シアネートとの反応生成物、トリアクリルホルマール、
トリアクリルシアヌレート、トリス(2−(メタ)アク
リロキシエチル)イソシアネート、例えば、日立化成社
製FA−731A、FA−731M、東亜合成化学社製
アロニックスM−215、M−315、M−325等を
例示する事が出来る。これらの光重合性不飽和化合物を
単独あるいは混合して用いる事ができ、その使用量は上
記の(A)、(B)、(C)及び(D)成分から成る感
光性樹脂組成物の総量中に、5重量%以上60重量%以
下、より好ましくは5重量%以上50重量%以下、更に
好ましくは7重量%以上30重量%以下である。5重量
%未満では、液状フォトレジストインクが十分に硬化出
来ない為、現像時に現像液に溶解してしまう。一方、6
0重量%以上では、硬化が必要以上に進む為(架橋密度
が大)、エッチング後の液状フォトレジストインクの剥
離が困難となり、回路上に残る事もある。
ミド、(メタ)アクリルアミド等のアミド類、ジオール
(メタ)アクリレートとイソシアネートあるいはジイソ
シアネートとの反応生成物、トリアクリルホルマール、
トリアクリルシアヌレート、トリス(2−(メタ)アク
リロキシエチル)イソシアネート、例えば、日立化成社
製FA−731A、FA−731M、東亜合成化学社製
アロニックスM−215、M−315、M−325等を
例示する事が出来る。これらの光重合性不飽和化合物を
単独あるいは混合して用いる事ができ、その使用量は上
記の(A)、(B)、(C)及び(D)成分から成る感
光性樹脂組成物の総量中に、5重量%以上60重量%以
下、より好ましくは5重量%以上50重量%以下、更に
好ましくは7重量%以上30重量%以下である。5重量
%未満では、液状フォトレジストインクが十分に硬化出
来ない為、現像時に現像液に溶解してしまう。一方、6
0重量%以上では、硬化が必要以上に進む為(架橋密度
が大)、エッチング後の液状フォトレジストインクの剥
離が困難となり、回路上に残る事もある。
【0032】光重合開始剤(D)は、紫外線等の活性光
線の照射によって不飽和化合物の重合を開始させる開始
剤であればいかなるものも使用可能である。例えば、ベ
ンゾフェノン、ミヘラーケトン等のベンゾフェノン類、
ベンゾイン、ベンゾイソブチルエーテル、ベンゾインイ
ソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等
のベンゾインアルキルエーテル類、2,2−ジメトキシ
−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシア
セトフェノン、2,2−ジクロル−4−フェノキシアセ
トフェノン、2,2−シクロ−4−フェノキシアセトフ
ェノン等のアセトフェノン類、2−ヒドロキシ−2−メ
チルプロピオフェノン、4−イソプロピル−2−ヒドロ
キシ−2−メチルプロピオフェノン類、2−エチルアン
トラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、2−クロ
ルアントラキノン、2−アントラキノン等のアントラキ
ノン類、ジエチルチオキサントン、ジイソプロピルチオ
キサントン、クロルチオキサントン等のチオキサントン
類、その他ベンジル、1−ヒドロキシシクロヘキシルフ
ェニルケトン、2−メチル−[4−(メチルチオ)フェ
ニル]−2−モルホリノ−1−プロパノン、p−ジメチ
ルアミノ安息香酸エチルエステル、p−ジメチルアミノ
安息香酸イソアミル等を挙げる事が出来る。
線の照射によって不飽和化合物の重合を開始させる開始
剤であればいかなるものも使用可能である。例えば、ベ
ンゾフェノン、ミヘラーケトン等のベンゾフェノン類、
ベンゾイン、ベンゾイソブチルエーテル、ベンゾインイ
ソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等
のベンゾインアルキルエーテル類、2,2−ジメトキシ
−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシア
セトフェノン、2,2−ジクロル−4−フェノキシアセ
トフェノン、2,2−シクロ−4−フェノキシアセトフ
ェノン等のアセトフェノン類、2−ヒドロキシ−2−メ
チルプロピオフェノン、4−イソプロピル−2−ヒドロ
キシ−2−メチルプロピオフェノン類、2−エチルアン
トラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、2−クロ
ルアントラキノン、2−アントラキノン等のアントラキ
ノン類、ジエチルチオキサントン、ジイソプロピルチオ
キサントン、クロルチオキサントン等のチオキサントン
類、その他ベンジル、1−ヒドロキシシクロヘキシルフ
ェニルケトン、2−メチル−[4−(メチルチオ)フェ
ニル]−2−モルホリノ−1−プロパノン、p−ジメチ
ルアミノ安息香酸エチルエステル、p−ジメチルアミノ
安息香酸イソアミル等を挙げる事が出来る。
【0033】これらの光重合開始剤を単独あるいは混合
して用いる事ができ、その使用量は、上記の(A)、
(B)、(C)及び(D)成分からなる感光性樹脂組成
物の総量中に、0.1重量%以上20重量%以下、より
好ましくは1重量%以上15重量%以下である。
して用いる事ができ、その使用量は、上記の(A)、
(B)、(C)及び(D)成分からなる感光性樹脂組成
物の総量中に、0.1重量%以上20重量%以下、より
好ましくは1重量%以上15重量%以下である。
【0034】本発明においては目的に応じて、上記成分
(A)、(B)、(C)及び(D)から成る感光性樹脂
組成物以外の成分として、以下に述べる副次的成分を本
発明の目的を損なわない範囲で添加する事が出来る。即
ち、貯蔵安定性向上の為の熱重合防止剤、流動性改善の
為の微粉末シリカ、タルク、石英粉末、硫酸バリウム等
の無機フィラー等を添加する事が出来る。
(A)、(B)、(C)及び(D)から成る感光性樹脂
組成物以外の成分として、以下に述べる副次的成分を本
発明の目的を損なわない範囲で添加する事が出来る。即
ち、貯蔵安定性向上の為の熱重合防止剤、流動性改善の
為の微粉末シリカ、タルク、石英粉末、硫酸バリウム等
の無機フィラー等を添加する事が出来る。
【0035】更に、表面の硬度を高める目的で、あるい
はスクリーン印刷適正に重要な構造粘性を調整する目的
で、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹
脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリ
イミド樹脂等の熱硬化性樹脂を硬化粉砕した有機フィラ
ー及びシリカ、タルク、マイカ等の珪酸塩化化合物の無
機フィラーであって、微細な粉体から選ばれる体質顔料
を単独あるいは2種類以上混合して添加する事が出来
る。更に、必要に応じてレベリング剤、消泡剤、発色
剤、染料、顔料等を添加する事が出来る。
はスクリーン印刷適正に重要な構造粘性を調整する目的
で、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹
脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリ
イミド樹脂等の熱硬化性樹脂を硬化粉砕した有機フィラ
ー及びシリカ、タルク、マイカ等の珪酸塩化化合物の無
機フィラーであって、微細な粉体から選ばれる体質顔料
を単独あるいは2種類以上混合して添加する事が出来
る。更に、必要に応じてレベリング剤、消泡剤、発色
剤、染料、顔料等を添加する事が出来る。
【0036】本発明の液状フォトレジストインクに使用
可能な溶剤は、トルエン、メチルエチルケトン、セロソ
ルブ、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ブチ
ルセロソルブアセテート、エチルカルビトール、エチル
カルビトールアセテート、ミネラルスプリット、トリク
ロルエタン、トリクロルエチレン等が挙げられる。
可能な溶剤は、トルエン、メチルエチルケトン、セロソ
ルブ、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ブチ
ルセロソルブアセテート、エチルカルビトール、エチル
カルビトールアセテート、ミネラルスプリット、トリク
ロルエタン、トリクロルエチレン等が挙げられる。
【0037】更に、フィラーを混合分散して塗布し易く
する為に、乾燥が容易で毒性の少ない溶剤が選ばれる。
例えば、メタノール、エタノール、プロピルアルコー
ル、イソプロピルアルコール、ブタノール、イソブタノ
ール、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸シク
ロヘキシル、アセト酢酸メチル、アジピン酸ジメチル、
グルタミン酸ジメチル、琥珀酸ジメチル等の酢酸エステ
ル類、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、2
−ブタノン、メチルイソブチルケトン、アセトン等のケ
トン類、α−テルピオネール、エチレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチ
ルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エ
チレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエ
ーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル等のエチレングリコー
ル、ジエチレングリコールの誘導体及びトルエン、ミネ
ラルスピリットが選ばれる。これらの溶剤を単独あるい
は混合して感光性樹脂組成物を溶解して液状フォトレジ
ストインクとして調整する。
する為に、乾燥が容易で毒性の少ない溶剤が選ばれる。
例えば、メタノール、エタノール、プロピルアルコー
ル、イソプロピルアルコール、ブタノール、イソブタノ
ール、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸シク
ロヘキシル、アセト酢酸メチル、アジピン酸ジメチル、
グルタミン酸ジメチル、琥珀酸ジメチル等の酢酸エステ
ル類、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、2
−ブタノン、メチルイソブチルケトン、アセトン等のケ
トン類、α−テルピオネール、エチレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエ
チルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチ
ルエーテルアセテート、エチレングリコールモノメチル
エーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エ
チレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコ
ールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエ
ーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチ
レングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブ
チルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジブチルエーテル等のエチレングリコー
ル、ジエチレングリコールの誘導体及びトルエン、ミネ
ラルスピリットが選ばれる。これらの溶剤を単独あるい
は混合して感光性樹脂組成物を溶解して液状フォトレジ
ストインクとして調整する。
【0038】本発明の液状フォトレジストインクの製造
は下記工程による。即ち、後述する実施例に示すよう
に、(A)、(B)、(C)、(D)成分の配合及び必
要に応じて添加剤、顔料、チクソ剤等を添加し、攪拌、
混合して、本発明の液状フォトレジストインクを得る。
必要に応じてロール混練及び濾過を最後に行ってもよ
い。
は下記工程による。即ち、後述する実施例に示すよう
に、(A)、(B)、(C)、(D)成分の配合及び必
要に応じて添加剤、顔料、チクソ剤等を添加し、攪拌、
混合して、本発明の液状フォトレジストインクを得る。
必要に応じてロール混練及び濾過を最後に行ってもよ
い。
【0039】次に、本発明の液状フォトレジストインク
を使用してプリント配線板を製造する工程を記載する。
必要に応じて、銅箔表面が前処理された銅張積層板の銅
箔表面にロールコーター、スピンコーター、カーテンコ
ーターもしくはスクリーンを用いて、液状フォトレジス
トインクを塗布する。
を使用してプリント配線板を製造する工程を記載する。
必要に応じて、銅箔表面が前処理された銅張積層板の銅
箔表面にロールコーター、スピンコーター、カーテンコ
ーターもしくはスクリーンを用いて、液状フォトレジス
トインクを塗布する。
【0040】次に、通常50℃乃至150℃にて1乃至
30分間乾燥して、液状フォトレジストインクの被膜を
形成する。 しかる後、紫外線等の活性光線をネガタイ
プのフォトマスクを通す事によって液状フォトレジスト
インクを露光する。これによって、フォトマスクに形成
された回路パターン部分が露光され、発色、着色がおこ
る。活性光線源は紫外線を有効に放射するものであれば
いかなるものでもよいが、例えば、カーボンアーク、水
銀蒸気アーク、紫外線放射性蛍光灯、アルゴングローラ
ンプ、太陽ランプ等が適しており、特に適切な活性光線
源は高圧及び超高圧水銀ランプ、メタルハライドであ
り、適切な照射光量は15から800mJ/cm2 程度
である。
30分間乾燥して、液状フォトレジストインクの被膜を
形成する。 しかる後、紫外線等の活性光線をネガタイ
プのフォトマスクを通す事によって液状フォトレジスト
インクを露光する。これによって、フォトマスクに形成
された回路パターン部分が露光され、発色、着色がおこ
る。活性光線源は紫外線を有効に放射するものであれば
いかなるものでもよいが、例えば、カーボンアーク、水
銀蒸気アーク、紫外線放射性蛍光灯、アルゴングローラ
ンプ、太陽ランプ等が適しており、特に適切な活性光線
源は高圧及び超高圧水銀ランプ、メタルハライドであ
り、適切な照射光量は15から800mJ/cm2 程度
である。
【0041】上記のように本発明の液状フォトレジスト
インクを露光した後、通常0.1乃至2重量%の炭酸ナ
トリウム水溶液等の弱アルカリ水溶液により未露光部分
を溶解除去し、露光部分を残す。これによって、所望の
回路パターンが形成される。しかる後、塩化第二鉄、塩
化第二銅、過硫酸塩類、過塩化水素/硫酸、アルカリエ
ッチャント等のエッチング液により、露出している銅箔
を溶解除去する。液状フォトレジストインク被膜に覆わ
れた銅箔はエッチングされることなく残る。その後通常
1乃至4重量%の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ
水溶液により銅箔上に残っている液状フォトレジストイ
ンクの被膜の露光部分を除去する。これによって、所望
の導体回路が得られる。
インクを露光した後、通常0.1乃至2重量%の炭酸ナ
トリウム水溶液等の弱アルカリ水溶液により未露光部分
を溶解除去し、露光部分を残す。これによって、所望の
回路パターンが形成される。しかる後、塩化第二鉄、塩
化第二銅、過硫酸塩類、過塩化水素/硫酸、アルカリエ
ッチャント等のエッチング液により、露出している銅箔
を溶解除去する。液状フォトレジストインク被膜に覆わ
れた銅箔はエッチングされることなく残る。その後通常
1乃至4重量%の水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ
水溶液により銅箔上に残っている液状フォトレジストイ
ンクの被膜の露光部分を除去する。これによって、所望
の導体回路が得られる。
【0042】又、本発明の液状フォトレジストインクを
銅張積層板の銅箔上に前述した塗布方法にて塗布し、乾
燥して液状フォトレジストインクの被膜を形成した後、
ポジタイプのフォトマスクを通して露光し、未露光部分
の溶解除去を行い、露光部分を残す。これによって、所
望の回路パターンとは逆のパターン(逆パターン)が形
成される。
銅張積層板の銅箔上に前述した塗布方法にて塗布し、乾
燥して液状フォトレジストインクの被膜を形成した後、
ポジタイプのフォトマスクを通して露光し、未露光部分
の溶解除去を行い、露光部分を残す。これによって、所
望の回路パターンとは逆のパターン(逆パターン)が形
成される。
【0043】次に、銅箔の露出部分に金めっき、ニッケ
ルめっき、ハンダめっき等を行い、銅箔上にめっき層を
形成する。しかる後に、液状フォトレジストインクの被
膜の露光部分を前述のアルカリ水溶液で銅箔から除去す
る。その後、めっきされていない銅箔の露出部分を前述
のエッチング液のうち、めっき層を浸さない様に選ばれ
たエッチング液にて溶解除去する。これによって、所望
の導体回路が得られる。この後めっき層を除去しても、
又、そのまま使用しても構わない。
ルめっき、ハンダめっき等を行い、銅箔上にめっき層を
形成する。しかる後に、液状フォトレジストインクの被
膜の露光部分を前述のアルカリ水溶液で銅箔から除去す
る。その後、めっきされていない銅箔の露出部分を前述
のエッチング液のうち、めっき層を浸さない様に選ばれ
たエッチング液にて溶解除去する。これによって、所望
の導体回路が得られる。この後めっき層を除去しても、
又、そのまま使用しても構わない。
【0044】
【実施例】以下に本発明の実施例を具体的に説明する。 実施例1 マレイン化ポリブタジエン(日本曹達社製AN−200
0 n/m=0.25)200g、2−ヒドロキシエチ
ルメタクリレート130gをブチルセロソルブアセテー
ト300gに溶解し、100℃で20時間反応させハー
フエステル化化合物(A−1)を得た。樹脂分は、52
重量%であった。
0 n/m=0.25)200g、2−ヒドロキシエチ
ルメタクリレート130gをブチルセロソルブアセテー
ト300gに溶解し、100℃で20時間反応させハー
フエステル化化合物(A−1)を得た。樹脂分は、52
重量%であった。
【0045】n−ブチルアクリレート160g、メチル
メタクリレート540g,2−ヒドロキシエチルメタク
リレート100g、アクリル酸200gを過酸化物の存
在下、ブチルセロソルブアセテート1000g中にて重
合し、カルボキシル基を有する飽和の高分子(B−1)
溶液を得た。ガラス転移温度は60℃、カルボキシル当
量は360、樹脂分は50重量%であった。
メタクリレート540g,2−ヒドロキシエチルメタク
リレート100g、アクリル酸200gを過酸化物の存
在下、ブチルセロソルブアセテート1000g中にて重
合し、カルボキシル基を有する飽和の高分子(B−1)
溶液を得た。ガラス転移温度は60℃、カルボキシル当
量は360、樹脂分は50重量%であった。
【0046】これらハーフエステル化化合物(A−1)
及び飽和の高分子(B−1)を用いて、以下の配合から
なる液状フォトレジストインクを調整した。 配合(重量部) ハーフエステル化化合物 (A−1) 29.5 カルボキシル基含有飽和高分子 (B−1) 29.5 トリメチロールプロパントリアクリレート (C−1) 3.0 日立化成社製FA−731A (C−1’) 2.0 2−メチル−[4−(メチルチオ)フェニル] −2−モルホリノ−1−プロパン (D−1) 3.0 2,2−ジクロル−4−フェノキシアセトフェノン(D−1’) 1.0 トリス(4ージメチルアミノフェニル)メタン 0.4 微粉末シリカ 3.0 ブチルセロソルブアセテート 28.6 上記液状フォトレジストインクを銅張積層板の銅箔表面
にロールコーターで塗布し、乾燥、露光して所望の回路
形成を確認した(塗布厚15μm)。
及び飽和の高分子(B−1)を用いて、以下の配合から
なる液状フォトレジストインクを調整した。 配合(重量部) ハーフエステル化化合物 (A−1) 29.5 カルボキシル基含有飽和高分子 (B−1) 29.5 トリメチロールプロパントリアクリレート (C−1) 3.0 日立化成社製FA−731A (C−1’) 2.0 2−メチル−[4−(メチルチオ)フェニル] −2−モルホリノ−1−プロパン (D−1) 3.0 2,2−ジクロル−4−フェノキシアセトフェノン(D−1’) 1.0 トリス(4ージメチルアミノフェニル)メタン 0.4 微粉末シリカ 3.0 ブチルセロソルブアセテート 28.6 上記液状フォトレジストインクを銅張積層板の銅箔表面
にロールコーターで塗布し、乾燥、露光して所望の回路
形成を確認した(塗布厚15μm)。
【0047】実施例2 マレイン化ポリブタジエン(日本曹達社製AN−200
0)300g、2−ヒドロキシエチルアクリレート11
6gをセロソルブアセテート300gに溶解し、110
℃で15時間反応させハーフエステル化化合物(A−
2)を得た。樹脂分は58重量%であった。
0)300g、2−ヒドロキシエチルアクリレート11
6gをセロソルブアセテート300gに溶解し、110
℃で15時間反応させハーフエステル化化合物(A−
2)を得た。樹脂分は58重量%であった。
【0048】エチレングリコール111g、無水フタル
酸296g、トリメチロールプロパン13gを脱水反応
によりエステル化した後、セロソルブアセテート353
gにて希釈し、カルボキシル基を有する飽和の高分子
(B−2)を得た。カルボキシル当量は1175、ガラ
ス転移温度は75℃、樹脂分は52重量%であった。こ
れらハーフエステル化化合物(A−2)及び飽和の高分
子(B−2)を用いて、以下の配合から成る液状フォト
レジストインクを調整した。 配合(重量部) ハーフエステル化化合物 (A−2) 37.5 カルボキシル基含有飽和高分子 (B−2) 24.6 アロニックスM−325 (C−2) 11.8 トリアリルシアヌレート (C−2’) 9.9 2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン (D−2) 5.9 2,2−ジエトキシアセトフェノン (D−2’) 0.6 P−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル (D−2’) 0.6 2,2−ジクロル−4−フェノキシアセトフェノン(D−2’) 1.0 トリス(4−ジメチルアミノフェニル)メタン 0.4 タルク 2.0 セロソルブアセテート 5.7 上記液状フォトレジストインクを実施例1と同様な方法
で回路形成を確認した(塗布厚15μm)。
酸296g、トリメチロールプロパン13gを脱水反応
によりエステル化した後、セロソルブアセテート353
gにて希釈し、カルボキシル基を有する飽和の高分子
(B−2)を得た。カルボキシル当量は1175、ガラ
ス転移温度は75℃、樹脂分は52重量%であった。こ
れらハーフエステル化化合物(A−2)及び飽和の高分
子(B−2)を用いて、以下の配合から成る液状フォト
レジストインクを調整した。 配合(重量部) ハーフエステル化化合物 (A−2) 37.5 カルボキシル基含有飽和高分子 (B−2) 24.6 アロニックスM−325 (C−2) 11.8 トリアリルシアヌレート (C−2’) 9.9 2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン (D−2) 5.9 2,2−ジエトキシアセトフェノン (D−2’) 0.6 P−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル (D−2’) 0.6 2,2−ジクロル−4−フェノキシアセトフェノン(D−2’) 1.0 トリス(4−ジメチルアミノフェニル)メタン 0.4 タルク 2.0 セロソルブアセテート 5.7 上記液状フォトレジストインクを実施例1と同様な方法
で回路形成を確認した(塗布厚15μm)。
【0049】実施例3 マレイン化ポリブタジエン(日本曹達社製AN−200
0)100g、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート
200gをセロソルブアセテート300gに溶解させ、
110℃にて24時間反応させハーフエステル化化合物
(A−3)を得た。樹脂分は50重量%であった。
0)100g、2−ヒドロキシプロピルメタクリレート
200gをセロソルブアセテート300gに溶解させ、
110℃にて24時間反応させハーフエステル化化合物
(A−3)を得た。樹脂分は50重量%であった。
【0050】n−ブチルアクリレート380g、メチル
メタクリレート420g、2−ヒドロキシエチルメタク
リレート80g、アクリル酸120gを実施例1と同様
の方法にて重合させ、カルボキシル基を有する飽和の高
分子(B−3)溶液を得た。ガラス転移温度は20℃、
カルボキシル当量は600、樹脂分は50重量%であっ
た。これらハーフエステル化化合物(A−3)及び飽和
の高分子(B−3)を用いて、以下の配合から成る液状
フォトレジストインクを調整した。 配合(重量部) ハーフエステル化化合物 (A−3) 61.6 カルボキシル基含有飽和高分子 (B−3) 12.3 トリエチレングリコールジアクリレート (C−3) 7. 7 トリメチロールプロパントリアクリレート (C−3’) 5. 1 1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン (D−3) 1. 1 2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン(D−3’) 0.5 2,2−ジクロル−4−フェノキシアセトフェノン(D−3’) 1.0 トリス(4−ジメチルアミノフェニル)メタン 0.4 セロソルブアセテート 10.3 上記液状フォトレジストインクを実施例1と同様な方法
で回路形成を確認した(塗布厚15μm)。
メタクリレート420g、2−ヒドロキシエチルメタク
リレート80g、アクリル酸120gを実施例1と同様
の方法にて重合させ、カルボキシル基を有する飽和の高
分子(B−3)溶液を得た。ガラス転移温度は20℃、
カルボキシル当量は600、樹脂分は50重量%であっ
た。これらハーフエステル化化合物(A−3)及び飽和
の高分子(B−3)を用いて、以下の配合から成る液状
フォトレジストインクを調整した。 配合(重量部) ハーフエステル化化合物 (A−3) 61.6 カルボキシル基含有飽和高分子 (B−3) 12.3 トリエチレングリコールジアクリレート (C−3) 7. 7 トリメチロールプロパントリアクリレート (C−3’) 5. 1 1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン (D−3) 1. 1 2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン(D−3’) 0.5 2,2−ジクロル−4−フェノキシアセトフェノン(D−3’) 1.0 トリス(4−ジメチルアミノフェニル)メタン 0.4 セロソルブアセテート 10.3 上記液状フォトレジストインクを実施例1と同様な方法
で回路形成を確認した(塗布厚15μm)。
【0051】比較例1 実施例1の液状フォトレジストインクのハーフエステル
化化合物をスチレン−無水マレイン酸共重合物とヒドロ
キシ(メタ)アクリレートの反応生成物にした液状フォ
トレジストインクで、実施例1と同様な方法で回路形成
を確認した(塗布厚15μm)。
化化合物をスチレン−無水マレイン酸共重合物とヒドロ
キシ(メタ)アクリレートの反応生成物にした液状フォ
トレジストインクで、実施例1と同様な方法で回路形成
を確認した(塗布厚15μm)。
【0052】比較例2 実施例2の液状フォトレジストインクのハーフエステル
化化合物をスチレンー無水マレイン酸共重合物とアルコ
ールの反応生成物にした液状フォトレジストインクで、
実施例2と同様な方法で回路形成を確認した(塗布厚1
5μm)。
化化合物をスチレンー無水マレイン酸共重合物とアルコ
ールの反応生成物にした液状フォトレジストインクで、
実施例2と同様な方法で回路形成を確認した(塗布厚1
5μm)。
【0053】タック性評価 表面を清浄にした銅張積層板に感光性樹脂を塗布(乾燥
後膜厚で約15μm)し、80℃熱風乾燥機で30分間
乾燥する。基板の感光性樹脂塗布面を合わせ、その上に
約1kgの基板をのせ室温で保管し、経日で感光性樹脂
面塗布面のはがれ具合を調べた。
後膜厚で約15μm)し、80℃熱風乾燥機で30分間
乾燥する。基板の感光性樹脂塗布面を合わせ、その上に
約1kgの基板をのせ室温で保管し、経日で感光性樹脂
面塗布面のはがれ具合を調べた。
【0054】比較例1〜2の基板は1日ではがれなくな
り、実施例1〜3の基板は7日経過後も容易にはがすこ
とができた。
り、実施例1〜3の基板は7日経過後も容易にはがすこ
とができた。
【0055】従って、実施例1〜3は、露光時、塗布面
とフォトマスクとの粘着によるフォトマスクの汚染がな
く、更に銅張積層板同士のブロッキングの発生がなく、
所望の回路形成が可能であったが、比較例1〜2では、
フォトマスクの汚染及び銅張積層板同士のブロッキング
が発生し、所望の回路形成が不可能であった。
とフォトマスクとの粘着によるフォトマスクの汚染がな
く、更に銅張積層板同士のブロッキングの発生がなく、
所望の回路形成が可能であったが、比較例1〜2では、
フォトマスクの汚染及び銅張積層板同士のブロッキング
が発生し、所望の回路形成が不可能であった。
【0056】
【発明の効果】本発明の液状フォトレジストインクを使
用して、プリント配線板を製造するに当り、回路形成工
程での紫外線露光前後の被膜の粘着性が解消され、フォ
トマスクを汚染する事なく、更に銅張積層板同士のブロ
ッキングの発生がなく、所望の回路形成が可能となっ
た。
用して、プリント配線板を製造するに当り、回路形成工
程での紫外線露光前後の被膜の粘着性が解消され、フォ
トマスクを汚染する事なく、更に銅張積層板同士のブロ
ッキングの発生がなく、所望の回路形成が可能となっ
た。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H05K 3/18 H05K 3/18 D
Claims (3)
- 【請求項1】 (A)下記一般式〔1〕(化1)で示さ
れるマレイン化ポリブタジエンを1分子中に少なくとも
1個のヒドロキシル基及び1個の(メタ)アクリロイル
基を有する化合物と反応せしめて得られるハーフエステ
ル化化合物、 【化1】 (式中、XはH又はCOOHであり、m、nは10〜3
00の整数であり、n/mの値は0.05〜1であ
る。) (B)カルボキシル基含有飽和化合物、(C)光重合性
不飽和化合物、(D)光重合開始剤、を必須成分として
含む感光性樹脂組成物。 - 【請求項2】 請求項1記載の感光性樹脂組成物を主体
としてなり、アルカリ水溶液で現像可能である液状フォ
トレジストインク。 - 【請求項3】 請求項1または2に記載する感光性樹脂
組成物または液状フォトレジストインクを使用して製造
されたプリント配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8283893A JPH10123711A (ja) | 1996-10-25 | 1996-10-25 | 液状フォトレジストインク及びプリント配線板の製造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8283893A JPH10123711A (ja) | 1996-10-25 | 1996-10-25 | 液状フォトレジストインク及びプリント配線板の製造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10123711A true JPH10123711A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17671555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8283893A Pending JPH10123711A (ja) | 1996-10-25 | 1996-10-25 | 液状フォトレジストインク及びプリント配線板の製造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10123711A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020001365A (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-09 | ベイジン アポロ ディンロン ソーラー テクノロジー カンパニー リミテッドBeijing Apollo Dingrong Solar Technology Co., Ltd. | ソーラーチップモジュール用透光処理システムおよび透光処理方法 |
| KR20200073030A (ko) * | 2018-12-13 | 2020-06-23 | 황진상 | 저유전 조성물 및 이의 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05281743A (ja) * | 1992-04-02 | 1993-10-29 | Dainippon Toryo Co Ltd | ネガ型感光性電着塗料樹脂組成物、これを用いた電着塗装浴及びレジストパターンの製造法 |
| JPH0820742A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Nippon Kayaku Co Ltd | レジストインキ組成物及びその硬化物 |
-
1996
- 1996-10-25 JP JP8283893A patent/JPH10123711A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05281743A (ja) * | 1992-04-02 | 1993-10-29 | Dainippon Toryo Co Ltd | ネガ型感光性電着塗料樹脂組成物、これを用いた電着塗装浴及びレジストパターンの製造法 |
| JPH0820742A (ja) * | 1994-07-05 | 1996-01-23 | Nippon Kayaku Co Ltd | レジストインキ組成物及びその硬化物 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020001365A (ja) * | 2018-06-27 | 2020-01-09 | ベイジン アポロ ディンロン ソーラー テクノロジー カンパニー リミテッドBeijing Apollo Dingrong Solar Technology Co., Ltd. | ソーラーチップモジュール用透光処理システムおよび透光処理方法 |
| KR20200073030A (ko) * | 2018-12-13 | 2020-06-23 | 황진상 | 저유전 조성물 및 이의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3148429B2 (ja) | 光重合性不飽和化合物及びアルカリ現像型感光性樹脂組成物 | |
| JPS61243869A (ja) | レジストインキ組成物 | |
| WO2009133817A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、及び、プリント配線板の製造方法 | |
| JP5107367B2 (ja) | 感光性樹脂積層体 | |
| KR101167537B1 (ko) | 감광성 수지 조성물 및 그 적층체 | |
| JP2002294131A (ja) | フォトソルダーレジストインク | |
| WO2009154194A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造法 | |
| JP2898143B2 (ja) | 感光液組成物、感光性フィルム及び積層板 | |
| JP2585224B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JP2000128957A (ja) | ソルダーフォトレジストインキ組成物 | |
| JPH0841150A (ja) | 硬化性樹脂組成物 | |
| JPH10123711A (ja) | 液状フォトレジストインク及びプリント配線板の製造 | |
| JP2963069B2 (ja) | ソルダーフォトレジストインキ組成物 | |
| JPH11228640A (ja) | セルロース誘導体系化合物及び感光性組成物並びにフォトレジストインク | |
| JP2000131836A (ja) | 感光性樹脂組成物及び回路基板用ソルダーフォトレジストインキ組成物 | |
| JPH10142793A (ja) | アルカリ現像可能なソルダーレジスト組成物 | |
| WO2003077035A1 (en) | Photosensitive resin composition and use thereof | |
| JPWO2007034610A1 (ja) | 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、プリント配線板の製造方法、及び、プラズマディスプレイの隔壁形成方法 | |
| JPH0659448A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
| JPH0736183A (ja) | 液状感光性樹脂組成物 | |
| JPH06192387A (ja) | 活性エネルギー線硬化性樹脂 | |
| JP2540921B2 (ja) | 硬化性組成物 | |
| JP2002131927A (ja) | 無機粉体を感光性ペーストへ再利用する方法 | |
| JPH08314137A (ja) | 液状フォトレジストインク及びプリント配線板の製造方法 | |
| JP2005258460A (ja) | 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの製造法及びプリント配線板の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050721 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050802 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050929 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051122 |