JPH10124945A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁界感度を向上させることができる光磁気記
録媒体を提供する。 【解決手段】 レーザ光を透過する基板１１の一方の面
に少なくとも、基板１１を透過したレーザ光を通すこと
ができ、かつ層に平行な方向の面内磁化を有する磁気シ
ールド層１３と、層に垂直な方向の垂直磁化を有し、こ
の垂直磁化の向きによって情報を記録する記録層１４と
がこの順に積層されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は光磁気記録媒体に
関し、より詳しくは、レーザ光および磁気ヘッドを用い
て情報の記録および再生を行うことができる、光磁気デ
ィスクで代表されるような書き換え型光磁気記録媒体に
関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば図７に示すように、従来の光磁気
ディスク１００としては、透明なポリカーボネートから
なる基板１０１の一方の面に、カーエンハンスメントを
生ずるＡlＮからなる誘電体層１０２と、垂直磁化（層
に垂直な方向の磁化であり、向きに応じて正負いずれか
の値をとる）の向きによって情報を記録するＴbＦeＣo
からなる記録層１０３と、カーエンハンスメントを生ず
るＡlＮからなる誘電体層１０４と、Ａlからなる反射層
１０５と、紫外線硬化型アクリル樹脂からなる保護コー
ト１０６とをこの順に積層したものが知られている。

【０００３】この光磁気ディスク１００に情報を記録す
る場合は、例えば予め記録層１０３の垂直磁化を正負い
ずれかの向きに揃えておき、記録層１０３のうちの記録
したい部分１０３ａを基板１０１側からレーザ光Ｌで局
部的に加熱するとともに、保護コート１０６側に配した
磁気ヘッド１９０によってその部分１０３ａに上記磁化
の向きとは反対の向きに外部磁界Ｈを印加する。これに
より、加熱した部分１０３ａの磁化が反転して、ビット
が記録される。記録した情報を読み出す場合は、基板１
０１側から直線偏光を照射して、誘電体層１０２、記録
層１０３、誘電体層１０４の順に通過させ、反射層１０
５によって反射された光を誘電体層１０４、記録層１０
３、誘電体層１０２の順に通過させて外部へ取り出し、
図示しない検光子に入射させる。直線偏光の偏光面が記
録層１０３を透過するときのファラデー効果および誘電
体層１０２，１０４によって生ずるカーエンハンスメン
トによって回転することから、記録層１０３の磁化の正
負を上記検光子を通過した光の強弱に変えて読み出すこ
とができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、光磁気記録
媒体として磁界感度を向上させることは重要な開発要素
である。しかしながら、従来の光磁気ディスクでは、保
護コート１０６側に配置した磁気ヘッド１９０によって
外部磁界Ｈを記録層１０３に対して垂直に印加したと
き、磁気ヘッド１９０から発した磁力線ＭＬは、記録層
１０３に近づくにつれて広がり、記録層１０３内で湾曲
して反転し、上記磁気ヘッド１９０に戻るループを形成
する。つまり、記録層１０３近傍で磁力線ＭＬが広がっ
て磁界の強さが低下する。このため、従来の光磁気ディ
スクでは、記録媒体としての磁界感度向上に限界があっ
た。この結果、磁気ヘッド１９０に大電流を流したり、
大きな永久磁石を設置する必要が生じて、光磁気ディス
ク駆動装置のコスト高や書き込み速度の低速度化、消費
電流の増大を招き、また、磁気ヘッド１９０と保護コー
ト１０６との間の隙間（ヘッドギャップ）が狭くなっ
て、ダストに対するマージンが少なくなっている。

【０００５】そこで、この発明の目的は、記録層近傍で
の磁力線の広がりを抑えることができ、したがって磁界
感度を向上させることができる光磁気記録媒体を提供す
ることにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の光磁気記録媒体は、情報の記録お
よび再生を行うことができる書き換え型光磁気記録媒体
であって、レーザ光を透過する基板の一方の面に少なく
とも、上記基板を透過したレーザ光を通すことができ、
かつ層に平行な方向の面内磁化を有する磁気シールド層
と、層に垂直な方向の垂直磁化を有し、この垂直磁化の
向きによって情報を記録する記録層とがこの順に積層さ
れていることを特徴とする。

【０００７】この請求項１の光磁気記録媒体では、情報
の記録および再生は従来の光磁気ディスクと同様の方法
で行われる。しかも、上記記録層に関して上記基板と反
対の側に配置した磁気ヘッドによって外部磁界を上記記
録層へ向けて垂直に印加したとき、上記磁気ヘッドから
発した磁力線は、上記記録層を貫通し、上記磁気シール
ド層内で湾曲および反転して再び上記記録層を貫通し、
上記磁気ヘッドに戻るループを形成する。このとき、上
記磁力線は、記録層と基板との間に磁気シールド層が存
在するお陰で、集束した状態のまま上記記録層を略垂直
に貫通する。すなわち、従来に比して記録層近傍での磁
力線の広がりが抑えられ、記録層近傍で磁界の強さが低
下することがない。したがって、記録媒体としての磁界
感度が向上する。

【０００８】なお、情報を記録するためにレーザ光が入
射して高温になったときでも磁気シールド層が面内磁化
を有するように、磁気シールド層のキュリー温度は記録
層のキュリー温度よりも高く設定される。

【０００９】請求項２に記載の光磁気記録媒体は、請求
項１に記載の光磁気記録媒体において、上記磁気シール
ド層と記録層との間に、両側の層の間の交換結合を無く
すための第１中間層が挟まれていることを特徴とする。

【００１０】この請求項２の光磁気記録媒体では、第１
中間層の存在によって磁気シールド層と記録層との間の
交換結合が無くなる。したがって、記録層の磁区構造や
磁区の形の乱れが抑制され、Ｃ／Ｎ比（記録再生周波数
でのＳ／Ｎ比）が向上する。

【００１１】請求項３に記載の光磁気記録媒体は、請求
項２に記載の光磁気記録媒体において、上記第１中間層
と記録層との間に、層に垂直な方向の垂直磁化を有し、
上記記録層よりも再生性能の良い再生層が挟まれている
ことを特徴とする。

【００１２】一般に、記録および再生に働く層が単層で
あれば、記録感度を上げると再生性能が悪くなる。しか
し、この請求項３の光磁気記録媒体では、再生層によっ
て再生性能が良くなるので、全体として記録感度が良い
割に再生性能が良くなる。なお、再生層と記録層とはい
わゆる超解像記録構造を構成している。

【００１３】請求項４に記載の光磁気記録媒体は、請求
項３に記載の光磁気記録媒体において、上記再生層と記
録層との間に、両側の層の間の交換結合を無くすための
第２中間層が挟まれていることを特徴とする。

【００１４】この請求項４の光磁気記録媒体では、第２
中間層の存在によって再生層と記録層との間の交換結合
が無くなる。したがって、再生層および記録層の磁区構
造や磁区の形の乱れが抑制され、Ｃ／Ｎ比がさらに向上
する。

【００１５】請求項５に記載の光磁気記録媒体は、請求
項１に記載の光磁気記録媒体において、上記記録層の基
板と反対側の面に少なくとも、それぞれ層に垂直な方向
の垂直磁化を有する書込層と、スイッチ層と、初期化層
とがこの順に積層され、室温Ｔｒ、上記記録層のキュリ
ー温度Ｔｃ₁、上記書込層のキュリー温度Ｔｃ₂、上記ス
イッチ層のキュリー温度Ｔｃ₃および上記初期化層のキ
ュリー温度Ｔｃ₄が、 Ｔｒ＜Ｔｃ₃＜Ｔｃ₁＜Ｔｃ₂＜Ｔｃ₄ なる関係を満たすことを特徴とする。

【００１６】なお、室温Ｔｒは光磁気記録媒体の動作環
境条件（例えば５℃乃至５０℃）を満たす温度であるも
のとする。

【００１７】この請求項５の光磁気記録媒体では、上記
記録層、書込層、スイッチ層および初期化層によって光
変調オーバライト機能を実現することができる。

【００１８】初期化層は、書込層を初期化するための磁
性層であり、記録媒体作製後に予め大きな磁界を印加し
てバイアス磁界（記録時に印加する外部磁界）と反対向
きに一様に磁化させておく。スイッチ層は、書込層と初
期化層との交換結合を温度によって結合したり、遮断し
たりする役割を果たす。光変調オーバライトのプロセス
は、知られているように、 書込層へのバイアス磁界による記録、 書込層から記録層への磁区転写、 スイッチ層のキュリー温度Ｔｃ₃以下での初期化層に
よる書込層の初期化 という３つのプロセスで行われる（例えば特開平２−９
６５７参照）。

【００１９】請求項６に記載の光磁気記録媒体は、請求
項１乃至５のいずれか一つに記載の光磁気記録媒体にお
いて、上記磁気シールド層の材料はガドリニウム、ディ
スプロシウム若しくはテルビウム、又はこれらの間の合
金からなることを特徴とする。

【００２０】この請求項６の光磁気記録媒体では、磁気
シールド層の材料は、磁気モーメントが比較的大きいガ
ドリニウム（Ｇd）、ディスプロシウム（Ｄy）若しくは
テルビウム（Ｔb）、又はこれらの間の合金からなるの
で、磁気シールド層のキュリー温度を記録層のキュリー
温度よりも高く設定することが可能となり、情報を記録
するためにレーザ光が入射して高温になったときでも、
磁気シールド層の面内磁化が容易に保持される。また、
これらの希土類金属はレーザ波長域におけるカー回転角
の波長感度が非常に小さいので、磁気シールド層を通し
て記録層のカー回転角を読み出すことは可能である。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を詳
細に説明する。

【００２２】図１は第１実施形態の光磁気記録媒体１０
の断面構造を示している。この光磁気記録媒体１０は、
透明なポリカーボネート基板１１の一方の面に、スパッ
タ法により、誘電体層１２としてＡlＮを８０nm、磁気
シールド層１３としてＧdを５nm、記録層１４としてＴb
ＦeＣoを３０nm、誘電体層１５としてＡlＮを３０nm、
反射層１６としてＡlを５０nm順次形成し、さらに紫外
線硬化型アクリル樹脂からなる保護コート１７を設けて
構成されている。誘電体層１２は再生時にカーエンハン
スメントを生ずるとともに、磁気シールド層１３の酸化
を防止する。磁気シールド層１３は、基板１１を透過し
たレーザ光Ｌを通すことができ、かつ情報を記録するた
めにレーザ光Ｌが入射して高温になったときでも層に平
行な方向の面内磁化を有する。磁気シールド層１３がレ
ーザ光Ｌを通すことができるのは、磁気シールド層１３
の厚さが５nmと比較的薄く設定されているからである。
なお、磁気シールド層１３の厚さが１０nmまで厚くなる
と、磁気シールド層１３の透過率が低下してＣ／Ｎ比が
低下する。また、高温になる記録時であっても磁気シー
ルド層１３が層に平行な方向の面内磁化を有するのは、
磁気シールド層１３の材料が希土類金属からなり、その
キュリー温度Ｔｃが記録層１４のキュリー温度よりも高
く設定されているからである。この意味から、磁気シー
ルド層１３の材料としては、希土類金属の中でも磁気モ
ーメントの大きいＧd、Ｔb、Ｄyが望ましい（磁気モー
メントの大きい順である。）。記録層１４は、層に垂直
な方向の垂直磁化を有し、この垂直磁化の向き（正負い
ずれかの値に対応する）によって情報を記録することが
できる。誘電体層１５は、再生時に反射層１６による反
射を増大するとともにカーエンハンスメントを生じ、ま
た記録層１４の酸化を防止する。反射層１６は、再生時
に基板１１側から入射されたレーザ光Ｌを反射する。

【００２３】この光磁気ディスク１０に情報を記録する
場合は、図６に示すように、例えば予め記録層１４の垂
直磁化を正負いずれかの向きに揃えておき、記録層１４
のうちの記録したい部分１４ａを基板１１側からレーザ
光Ｌで局部的に加熱するとともに、保護コート１７側に
配した磁気ヘッド９０によってその部分１４ａに上記磁
化の向きとは反対の向きに外部磁界Ｈを印加する。これ
により、加熱した部分１４ａの磁化が反転して、ビット
が記録される。なお、オーバライトも可能である。

【００２４】ここで、保護コート１７側に配置した磁気
ヘッド９０によって外部磁界Ｈを記録層１４へ向けて垂
直に印加したとき、磁気ヘッド９０から発した磁力線Ｍ
Ｌは、保護コート１７から記録層１４までを貫通し、磁
気シールド層１３内で湾曲および反転して記録層１４か
ら保護コート１７までを逆向きに貫通し、上記磁気ヘッ
ド９０に戻るループを形成する。このとき、磁力線ＭＬ
は、記録層１４の裏側に磁気シールド層１３が存在する
お陰で、集束した状態のまま記録層１４を略垂直に貫通
する。したがって、従来に比して記録層１４近傍での磁
力線ＭＬの広がりを抑えて、記録層１４近傍で磁界の強
さが低下するのを防止することができる。したがって、
記録媒体としての磁界感度を従来に比して向上させるこ
とができる。

【００２５】記録した情報を読み出す場合は、基板１１
側から直線偏光を照射して、誘電体層１２、磁気シール
ド層１３、記録層１４、誘電体層１５の順に通過させ、
反射層１６によって反射された光を誘電体層１５、記録
層１４、磁気シールド層１３、誘電体層１２の順に通過
させて外部へ取り出し、図示しない検光子に入射させ
る。直線偏光の偏光面が記録層１４を透過するときのフ
ァラデー効果および誘電体層１２，１５によって生ずる
カーエンハンスメントによって回転することから、記録
層１４の磁化の正負を上記検光子を通過した光の強弱に
変えて読み出すことができる。なお、希土類金属はレー
ザ波長域におけるカー回転角の波長感度が非常に小さい
ので、磁気シールド層１３を通して記録層１４のカー回
転角を読み出すことは可能である。

【００２６】実際に、この光磁気記録媒体１０では、光
変調記録の場合に磁界感度が従来（磁気シールド層１３
を設けないもの）の２００００Ａ／mから１２０００Ａ
／mに向上し、磁界変調記録の場合に磁界感度が従来の
１６０００Ａ／mから８０００Ａ／mに向上した。また、
磁界変調記録の場合は記録速度が従来は１８００rpm，
５ＭＨzであったものが３６００rpm，１０ＭＨzにまで
高速化でき、かつ磁気ヘッドに流す電流を少なくするこ
ともできた。また、磁界変調記録の場合、ヘッド電流を
従来と同等にすれば磁気ヘッド９０と保護コート１７と
の間の隙間（ヘッドギャップ）Δを従来の２μmから１
０μmに広げることができた。また、ピックアップのア
クチュエータからの漏れ磁界も従来の４０００Ａ／mか
ら２０００Ａ／mに低減できた。

【００２７】図２は第２実施形態の光磁気記録媒体２０
の断面構造を示している。この光磁気記録媒体２０は、
透明なポリカーボネート基板２１の一方の面に、スパッ
タ法により、誘電体層２２としてＡlＮを８０nm、磁気
シールド層２３としてＧdを５nm、第１中間層２４とし
てＡlＮを２nm、記録層２５としてＴbＦeＣoを３０nm、
誘電体層２６としてＡlＮを３０nm、反射層２７として
Ａlを５０nm順次形成し、さらに紫外線硬化型アクリル
樹脂からなる保護コート２８を設けて構成されている。
結果として、図１の光磁気記録媒体１０の磁気シールド
層１３と記録層１４との間に、両側の層の間の交換結合
を無くすための第１中間層２４を設けた形態となってい
る。

【００２８】この光磁気記録媒体２０では、図１の光磁
気記録媒体１０と同様に、記録媒体としての磁界感度を
従来に比して向上させることができる。しかも、第１中
間層２４の存在によって磁気シールド層２３と記録層２
５との間の交換結合が無くなるので、記録層２５の磁区
構造や磁区の形の乱れを抑制でき、図１の光磁気記録媒
体２０に比してＣ／Ｎ比を向上させることができる。

【００２９】図３は第３実施形態の光磁気記録媒体３０
の断面構造を示している。この光磁気記録媒体３０は、
透明なポリカーボネート基板３１の一方の面に、スパッ
タ法により、誘電体層３２としてＡlＮを８０nm、磁気
シールド層３３としてＧdを５nm、第１中間層３４とし
てＡlＮを２nm、再生層３５としてＧdＦeＣoを４０nm、
記録層３６としてＤyＦeＣoを４０nm、保護層３７とし
てＡlＮを２０nm順次形成し、さらに紫外線硬化型アク
リル樹脂からなる保護コート３８を設けて構成されてい
る。結果として、図２の光磁気記録媒体２０の記録層２
５から反射層２７までの部分を、再生層３５、記録層３
６および保護層３７で置き換えた形態となっている。再
生層３５は、層に垂直な方向の垂直磁化を有し、記録層
３６よりも再生性能の良いものである。つまり、再生層
３５と記録層３６とはいわゆる超解像記録構造を構成し
ている。保護層３７は、記録層３６の酸化を効果的に防
止する。特に、この保護層３７は、スパッタ処理が完了
した状態の基板３１をスパッタ装置から取り出し、保護
コート３８を設けるまでの間、記録層３６が大気に曝さ
れるのを防ぐ。

【００３０】この光磁気記録媒体３０では、図１の光磁
気記録媒体１０と同様に、記録媒体としての磁界感度を
従来に比して向上させることができる。しかも、再生層
３５によって再生性能が良くなるので、全体として記録
感度が良い割に再生性能を良くすることができる。

【００３１】図４は第４実施形態の光磁気記録媒体４０
の断面構造を示している。この光磁気記録媒体４０は、
透明なポリカーボネート基板４１の一方の面に、スパッ
タ法により、誘電体層４２としてＡlＮを８０nm、磁気
シールド層４３としてＧdを５nm、第１中間層４４とし
てＡlＮを２nm、再生層４５としてＧdＦeＣoを２０nm、
第２中間層４６としてＡlＮを２０nm，記録層４７とし
てＤyＦeＣoを４０nm、保護層４８としてＡlＮを２０nm
順次形成し、さらに紫外線硬化型アクリル樹脂からなる
保護コート４９を設けて構成されている。結果として、
図３の光磁気記録媒体３０の再生層３５のうち記録層側
の半分を第２中間層４６で置き換えた形態となってい
る。

【００３２】この光磁気記録媒体４０では、図１の光磁
気記録媒体１０と同様に、記録媒体としての磁界感度を
従来に比して向上させることができる。しかも、第２中
間層４６の存在によって再生層４５と記録層４７との間
の交換結合が無くなるので、再生層４５および記録層４
７の磁区構造や磁区の形の乱れを抑制でき、Ｃ／Ｎ比を
さらに向上させることができる。

【００３３】図５は第５実施形態の光磁気記録媒体５０
の断面構造を示している。この光磁気記録媒体５０は、
透明なポリカーボネート基板５１の一方の面に、スパッ
タ法により、誘電体層５２としてＡlＮを８０nm、磁気
シールド層５３としてＧdを５nm、第１中間層５４とし
てＡlＮを２nm、再生層５５としてＧdＦeＣoを２０nm、
記録層５６としてＴbＦeを２０nm、第２中間層５７とし
てＧdＦeＣoを１０nm、書込層５８としてＤyＦeＣoを３
０nm、スイッチ層５９としてＴbＦeＣoを１０nm、初期
化層６０としてＴbＦeＣoを３０nm、保護層６１として
ＡlＮを２０nm順次形成し、さらに紫外線硬化型アクリ
ル樹脂からなる保護コート６２を設けて構成されてい
る。再生層５５から初期化層６０までの６層は、それぞ
れ層に垂直な方向の垂直磁化を有する層であり、いわゆ
る光変調オーバライト構造（６磁性層）を構成してい
る。すなわち、各層の組成を調整することによって、再
生層５５のキュリー温度Ｔｃ₀は３００℃、記録層５６
のキュリー温度Ｔｃ₁は１５０℃、第２中間層５７のキ
ュリー温度Ｔｃ₅は〜３００℃、書込層５８のキュリー
温度Ｔｃ₂は２８０℃、スイッチ層５９のキュリー温度
Ｔｃ₃は１５５℃、初期化層６０のキュリー温度Ｔｃ₄は
＞３００℃にそれぞれ設定されている。そして、室温Ｔ
ｒが光磁気記録媒体の動作環境条件（例えば５℃乃至５
０℃）をとるものとすると、 Ｔｒ＜Ｔｃ₃＜Ｔｃ₁＜Ｔｃ₂＜Ｔｃ₀＜Ｔｃ₄ なる関係が満たされている。

【００３４】初期化層６０は、書込層５８を初期化する
ための磁性層であり、記録媒体作製後に予め大きな磁界
を印加してバイアス磁界（記録時に印加する外部磁界）
と反対向きに一様に磁化させておく。スイッチ層５９
は、書込層５８と初期化層６０との交換結合を温度によ
って結合したり、遮断したりする役割を果たす。

【００３５】この光磁気記録媒体５０によれば、図１の
光磁気記録媒体１０と同様に、記録媒体としての磁界感
度を従来に比して向上させることができる上、光変調オ
ーバライトを実行することができる。

【００３６】

【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１の光
磁気記録媒体は、レーザ光を透過する基板の一方の面に
少なくとも、上記基板を透過したレーザ光を通すことが
でき、かつ層に平行な方向の面内磁化を有する磁気シー
ルド層と、層に垂直な方向の垂直磁化を有し、この垂直
磁化の向きによって情報を記録する記録層とがこの順に
積層されているので、従来に比して記録層近傍での磁力
線の広がりを抑えて、記録層近傍で磁界の強さが低下す
るのを防止することができる。したがって、記録媒体と
しての磁界感度を向上させることができる。

【００３７】請求項２に記載の光磁気記録媒体では、上
記磁気シールド層と記録層との間に、両側の層の間の交
換結合を無くすための第１中間層が挟まれているので、
磁気シールド層と記録層との間の交換結合を無くすこと
ができる。したがって、記録層の磁区構造や磁区の形の
乱れを抑制でき、Ｃ／Ｎ比を向上させることができる。

【００３８】請求項３に記載の光磁気記録媒体は、さら
に、上記第１中間層と記録層との間に、層に垂直な方向
の垂直磁化を有し、上記記録層よりも再生性能の良い再
生層が挟まれているので、全体として記録感度が良い割
に再生性能を良くすることができる。

【００３９】請求項４に記載の光磁気記録媒体は、さら
に、上記再生層と記録層との間に、両側の層の間の交換
結合を無くすための第２中間層が挟まれているので、再
生層と記録層との間の交換結合を無くすことができる。
したがって、再生層および記録層の磁区構造や磁区の形
の乱れを抑制でき、Ｃ／Ｎ比をさらに向上させることが
できる。

【００４０】請求項５に記載の光磁気記録媒体は、請求
項１に記載の光磁気記録媒体において、上記記録層の基
板と反対側の面に少なくとも、それぞれ層に垂直な方向
の垂直磁化を有する書込層と、スイッチ層と、初期化層
とがこの順に積層され、室温Ｔｒ、上記記録層のキュリ
ー温度Ｔｃ₁、上記書込層のキュリー温度Ｔｃ₂、上記ス
イッチ層のキュリー温度Ｔｃ₃および上記初期化層のキ
ュリー温度Ｔｃ₄が、 Ｔｒ＜Ｔｃ₃＜Ｔｃ₁＜Ｔｃ₂＜Ｔｃ₄ なる関係を満たすので、上記記録層、書込層、スイッチ
層および初期化層によって光変調オーバライト機能を実
現することができる。

【００４１】請求項６の光磁気記録媒体では、磁気シー
ルド層の材料は、磁気モーメントが比較的大きいガドリ
ニウム（Ｇd）、ディスプロシウム（Ｄy）若しくはテル
ビウム（Ｔb）、又はこれらの間の合金からなるので、
磁気シールド層のキュリー温度を記録層のキュリー温度
よりも高く設定することが可能となり、情報を記録する
ためにレーザ光が入射して高温になったときでも、磁気
シールド層の面内磁化を容易に保持することができる。
また、これらの希土類金属はレーザ波長域におけるカー
回転角の波長感度が非常に小さいので、磁気シールド層
を通して記録層のカー回転角を読み出すことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の第１実施形態の光磁気記録媒体の
断面構造を示す図である。

【図２】 この発明の第２実施形態の光磁気記録媒体の
断面構造を示す図である。

【図３】 この発明の第３実施形態の光磁気記録媒体の
断面構造を示す図である。

【図４】 この発明の第４実施形態の光磁気記録媒体の
断面構造を示す図である。

【図５】 この発明の第５実施形態の光磁気記録媒体の
断面構造を示す図である。

【図６】 図１の光磁気記録媒体の動作を説明する図で
ある。

【図７】 従来の光磁気記録媒体を例示する図である。

【符号の説明】

１１，２１，３１，４１，５１ ポリカーボネート基板 １３，２３，３３，４３，４３ 磁気シールド層 １４，２５，３６，４７，５６ 記録層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 情報の記録および再生を行うことができ
   る書き換え型光磁気記録媒体であって、 レーザ光を透過する基板の一方の面に少なくとも、上記
   基板を透過したレーザ光を通すことができ、かつ層に平
   行な方向の面内磁化を有する磁気シールド層と、層に垂
   直な方向の垂直磁化を有し、この垂直磁化の向きによっ
   て情報を記録する記録層とがこの順に積層されているこ
   とを特徴とする光磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
   て、 上記磁気シールド層と記録層との間に、両側の層の間の
   交換結合を無くすための第１中間層が挟まれていること
   を特徴とする光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の光磁気記録媒体におい
   て、 上記第１中間層と記録層との間に、層に垂直な方向の垂
   直磁化を有し、上記記録層よりも再生性能の良い再生層
   が挟まれていることを特徴とする光磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の光磁気記録媒体におい
   て、 上記再生層と記録層との間に、両側の層の間の交換結合
   を無くすための第２中間層が挟まれていることを特徴と
   する光磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 請求項１に記載の光磁気記録媒体におい
   て、 上記記録層の基板と反対側の面に少なくとも、それぞれ
   層に垂直な方向の垂直磁化を有する書込層と、スイッチ
   層と、初期化層とがこの順に積層され、 室温Ｔｒ、上記記録層のキュリー温度Ｔｃ₁、上記書込
   層のキュリー温度Ｔｃ₂、上記スイッチ層のキュリー温
   度Ｔｃ₃および上記初期化層のキュリー温度Ｔｃ₄が、 Ｔｒ＜Ｔｃ₃＜Ｔｃ₁＜Ｔｃ₂＜Ｔｃ₄ なる関係を満たすことを特徴とする光磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか一つに記載の
   光磁気記録媒体において、 上記磁気シールド層の材料はガドリニウム、ディスプロ
   シウム若しくはテルビウム、又はこれらの間の合金から
   なることを特徴とする光磁気記録媒体。