JPH10125101A - 電極レス高輝度放電灯アセンブリ - Google Patents
電極レス高輝度放電灯アセンブリInfo
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- JPH10125101A JPH10125101A JP9279048A JP27904897A JPH10125101A JP H10125101 A JPH10125101 A JP H10125101A JP 9279048 A JP9279048 A JP 9279048A JP 27904897 A JP27904897 A JP 27904897A JP H10125101 A JPH10125101 A JP H10125101A
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- Japan
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- gas
- electrodeless
- lamp vessel
- lamp
- puff
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- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 80
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 11
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- -1 halide salt Chemical class 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/24—Circuit arrangements in which the lamp is fed by high frequency AC, or with separate oscillator frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/36—Controlling
- H05B41/38—Controlling the intensity of light
- H05B41/382—Controlling the intensity of light during the transitional start-up phase
- H05B41/384—Controlling the intensity of light during the transitional start-up phase in case of hot-restriking
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来技術の欠点を克服した電極レス高輝度放
電灯アセンブリを提供すること。 【解決手段】 電極レス高輝度放電灯アセンブリにおい
て、電極レスランプ容器の封入容積体は、スターティン
グガスと化学ドーパント材の混合物を含んでおり、化学
ドーパント材は、高周波電力によって発光状態に励起さ
れ、アプリケータは、高周波電力をランプ容器に結合す
るためのものであり、ガスノズルは、ランプ容器の方に
向けられており、ガスコントローラは、ガスノズルに結
合されており、該ガスノズルにより、ガス源からガスが
受け取られ、発光状態の終了後、ガスノズルを通してラ
ンプ容器に、制限された持続期間のガスパフが供給さ
れ、ランプ容器は、ガスパフによって、リスタートに必
要な温度に急速に冷却される。
電灯アセンブリを提供すること。 【解決手段】 電極レス高輝度放電灯アセンブリにおい
て、電極レスランプ容器の封入容積体は、スターティン
グガスと化学ドーパント材の混合物を含んでおり、化学
ドーパント材は、高周波電力によって発光状態に励起さ
れ、アプリケータは、高周波電力をランプ容器に結合す
るためのものであり、ガスノズルは、ランプ容器の方に
向けられており、ガスコントローラは、ガスノズルに結
合されており、該ガスノズルにより、ガス源からガスが
受け取られ、発光状態の終了後、ガスノズルを通してラ
ンプ容器に、制限された持続期間のガスパフが供給さ
れ、ランプ容器は、ガスパフによって、リスタートに必
要な温度に急速に冷却される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極レス高輝度放
電灯アセンブリに関し、特に、電極レスランプ容器をリ
スタートに必要な温度に急速に冷却するためにガスパフ
が使用されるホット再点灯装置に関する。
電灯アセンブリに関し、特に、電極レスランプ容器をリ
スタートに必要な温度に急速に冷却するためにガスパフ
が使用されるホット再点灯装置に関する。
【0002】
【従来の技術】電極レス高輝度放電(HID)灯は、従
来技術に広範囲に記載されている。一般には、電極レス
HIDランプは、揮発性の充填材とスターティングガス
を含む電極レスランプ容器を有している。ランプ容器
は、このランプ容器に高周波電力を結合するように設計
されている装置内に取り付けられている。高周波電力に
より、ランプ容器内に発光プラズマ放電が生じる。数1
0ワットの範囲内で作動するランプ容器にマイクロ波電
力を加える最新の進歩技術は、米国特許公開第5070
277号公報(1991年12月3日公開;Lapat
ovichによる)、米国特許公開第5113121号
公報(1992年5月12日公開;Lapatovic
h他による)、米国特許公開第5130612号公報
(1992年7月14日公開;Lapatovich他
による)、米国特許公開第5144206号公報(19
92年9月1日公開;Butler他による)、米国特
許公開第5241246号公報(1993年8月31日
公開;Lapatovich他による)に開示されてい
る。結果として、小型電極レスHIDランプ及び関連の
アプリケータが実用化された。
来技術に広範囲に記載されている。一般には、電極レス
HIDランプは、揮発性の充填材とスターティングガス
を含む電極レスランプ容器を有している。ランプ容器
は、このランプ容器に高周波電力を結合するように設計
されている装置内に取り付けられている。高周波電力に
より、ランプ容器内に発光プラズマ放電が生じる。数1
0ワットの範囲内で作動するランプ容器にマイクロ波電
力を加える最新の進歩技術は、米国特許公開第5070
277号公報(1991年12月3日公開;Lapat
ovichによる)、米国特許公開第5113121号
公報(1992年5月12日公開;Lapatovic
h他による)、米国特許公開第5130612号公報
(1992年7月14日公開;Lapatovich他
による)、米国特許公開第5144206号公報(19
92年9月1日公開;Butler他による)、米国特
許公開第5241246号公報(1993年8月31日
公開;Lapatovich他による)に開示されてい
る。結果として、小型電極レスHIDランプ及び関連の
アプリケータが実用化された。
【0003】上述の特許には、小さな、円筒形のランプ
容器が開示されており、その際、高周波エネルギが、1
80°位相シフトして、ランプ容器の反対側の端に結合
されている。印加される電界は、一般に、ランプ容器の
軸線と共通の直線を形成し、ランプ容器内にほぼ直線状
の放電を発生する。ランプ容器に高周波エネルギを結合
する装置は、典型的には、例えば、マイクロストリップ
伝送線のような平面伝送線を有しており、例えば、螺旋
型、カップ型、又は、ループ型のような電界アプリケー
タがランプ容器の反対側の端に配設されている。マイク
ロストリップ伝送線は、高周波電力を電界アプリケータ
に180°位相シフトして結合する。ランプ容器は、典
型的には、マイクロストリップ伝送線の基板のギャップ
内に配設されていて、数mmだけ、基板の面の上方に離
隔されており、その結果、ランプ容器の軸線は、電界ア
プリケータの軸線と共通の直線状になる。
容器が開示されており、その際、高周波エネルギが、1
80°位相シフトして、ランプ容器の反対側の端に結合
されている。印加される電界は、一般に、ランプ容器の
軸線と共通の直線を形成し、ランプ容器内にほぼ直線状
の放電を発生する。ランプ容器に高周波エネルギを結合
する装置は、典型的には、例えば、マイクロストリップ
伝送線のような平面伝送線を有しており、例えば、螺旋
型、カップ型、又は、ループ型のような電界アプリケー
タがランプ容器の反対側の端に配設されている。マイク
ロストリップ伝送線は、高周波電力を電界アプリケータ
に180°位相シフトして結合する。ランプ容器は、典
型的には、マイクロストリップ伝送線の基板のギャップ
内に配設されていて、数mmだけ、基板の面の上方に離
隔されており、その結果、ランプ容器の軸線は、電界ア
プリケータの軸線と共通の直線状になる。
【0004】電極レス高輝度放電灯により達成される可
能な適用領域は、例えば、自動車の照明装置、外科用照
明装置、光ファイバの給光部、マトリックスプロジェク
ションディスプレイ用の光源である。電極がないことか
ら導出される、それらのユニークな特性は、特に、長い
寿命、良好なルーメン(光束)値の維持と高い色安定性
を必要とする適用分野に適している。これらの適用分野
の多くで市場で生き残るためには、電極レスHID高輝
度放電灯は、電力が瞬間的に消失した場合に、ランプを
再点灯する方法を必要とする。電力の消失は、オペレー
タが拙速にランプを再点灯しようとしたり、又は、ラン
プに電力を給電する際に瞬間的に制御されずに遮断した
りして生じる。電力の再供給により、光出力を迅速に再
形成するタングステン光源と、同様の動作を行う電極レ
スHID灯が消費者によって期待されている。
能な適用領域は、例えば、自動車の照明装置、外科用照
明装置、光ファイバの給光部、マトリックスプロジェク
ションディスプレイ用の光源である。電極がないことか
ら導出される、それらのユニークな特性は、特に、長い
寿命、良好なルーメン(光束)値の維持と高い色安定性
を必要とする適用分野に適している。これらの適用分野
の多くで市場で生き残るためには、電極レスHID高輝
度放電灯は、電力が瞬間的に消失した場合に、ランプを
再点灯する方法を必要とする。電力の消失は、オペレー
タが拙速にランプを再点灯しようとしたり、又は、ラン
プに電力を給電する際に瞬間的に制御されずに遮断した
りして生じる。電力の再供給により、光出力を迅速に再
形成するタングステン光源と、同様の動作を行う電極レ
スHID灯が消費者によって期待されている。
【0005】高輝度放電灯は、高いランプ温度に因る構
成ガスの極めて高い蒸気圧に基因して、電力中断後の再
点灯が難しい。作動中、HIDランプアーク管は、75
0℃を越える温度で作動する。例えば、水銀を含む金属
ハライド(ハロゲン)ランプは、1〜200気圧の範囲
の内部圧力を示す。アーク管内の常温圧力は、典型的に
は、水銀蒸気の10−5気圧であり、スターティングガ
ス、典型的には、アルゴン又はキセノンの1〜500ト
ルである。差は、アーク管温度により、水銀蒸気圧が高
く上昇したことに起因する。アーク管内部の圧力が増大
すると、放電を開始するのが益々難しくなる。このこと
は、電力が瞬時的に中断された際に特に問題である。ラ
ンプは、常温に近くなる迄冷却されてからしか、リスタ
ートされない。冷却は、数分以上掛かり、その間、ラン
プから光は放射されない。
成ガスの極めて高い蒸気圧に基因して、電力中断後の再
点灯が難しい。作動中、HIDランプアーク管は、75
0℃を越える温度で作動する。例えば、水銀を含む金属
ハライド(ハロゲン)ランプは、1〜200気圧の範囲
の内部圧力を示す。アーク管内の常温圧力は、典型的に
は、水銀蒸気の10−5気圧であり、スターティングガ
ス、典型的には、アルゴン又はキセノンの1〜500ト
ルである。差は、アーク管温度により、水銀蒸気圧が高
く上昇したことに起因する。アーク管内部の圧力が増大
すると、放電を開始するのが益々難しくなる。このこと
は、電力が瞬時的に中断された際に特に問題である。ラ
ンプは、常温に近くなる迄冷却されてからしか、リスタ
ートされない。冷却は、数分以上掛かり、その間、ラン
プから光は放射されない。
【0006】ホット再点灯は、電極付ハライド(ハロゲ
ン)ランプで、長い間、懸案事項であった。この場合、
ランプの遮断後、極めて高い電圧パルス(40kV)の
印加は、迅速なホット再点灯に適した条件を形成する。
この大きさの電圧パルスは、高圧ガスを崩壊して、電極
間に電流が流れる条件を形成するのに必要である。高電
圧は、高圧でホットランプをリスタートするのに必要な
だけではない。開始高電圧パルスにより、ガスが崩壊さ
れ、コロナが電極から形成される。これに続いて、やが
て、場合によっては、電極間のギャップを横切るストリ
ーマが形成される。ホット再点灯の高インピーダンス期
間がある。電極に給電される電力が充分であって、電圧
が充分高い場合、スパークチャンネルが場合によっては
形成され、それにより、充分な電流が流れて、場合によ
ってはアークが再形成される。つまり、スパークチャン
ネル期間は、比較的高い電圧期間であるが、インピーダ
ンスは低く、従って、電圧源から比較的高い電流を必要
とする。ホットリスタートを行えるようにする条件を形
成する最も通常の方法によると、長い列の高電圧パルス
が発生され、それにより、アーク管が過剰電圧にされ、
各スターティング期間を通じて、通常の安定給電部によ
って、アークを維持することができる。最終的なアーク
の段階は、スパークチャンネル期間中、充分なエネルギ
が電極に送られる場合に形成される。
ン)ランプで、長い間、懸案事項であった。この場合、
ランプの遮断後、極めて高い電圧パルス(40kV)の
印加は、迅速なホット再点灯に適した条件を形成する。
この大きさの電圧パルスは、高圧ガスを崩壊して、電極
間に電流が流れる条件を形成するのに必要である。高電
圧は、高圧でホットランプをリスタートするのに必要な
だけではない。開始高電圧パルスにより、ガスが崩壊さ
れ、コロナが電極から形成される。これに続いて、やが
て、場合によっては、電極間のギャップを横切るストリ
ーマが形成される。ホット再点灯の高インピーダンス期
間がある。電極に給電される電力が充分であって、電圧
が充分高い場合、スパークチャンネルが場合によっては
形成され、それにより、充分な電流が流れて、場合によ
ってはアークが再形成される。つまり、スパークチャン
ネル期間は、比較的高い電圧期間であるが、インピーダ
ンスは低く、従って、電圧源から比較的高い電流を必要
とする。ホットリスタートを行えるようにする条件を形
成する最も通常の方法によると、長い列の高電圧パルス
が発生され、それにより、アーク管が過剰電圧にされ、
各スターティング期間を通じて、通常の安定給電部によ
って、アークを維持することができる。最終的なアーク
の段階は、スパークチャンネル期間中、充分なエネルギ
が電極に送られる場合に形成される。
【0007】列状の高電圧パルスを発生することは、日
常的で些末なことではない。そのような点灯器は、コス
ト高であり、安全上の問題を生じる。40kVのパルス
は、空気をイオン化し、電気的な欠陥を生じ、CMOS
回路を破壊し、ランプと接触する人間にとって安全上危
険である。
常的で些末なことではない。そのような点灯器は、コス
ト高であり、安全上の問題を生じる。40kVのパルス
は、空気をイオン化し、電気的な欠陥を生じ、CMOS
回路を破壊し、ランプと接触する人間にとって安全上危
険である。
【0008】電極レスHID灯は、電極を有しておら
ず、それ故、アーク管内に電子を直接噴射する手段がな
い。電極レスHID灯のホット再点灯は、高電圧パルス
によって達成することができるが、これらのパルスは、
容量的に放電体に接続されている。容量的に結合された
パルス領域と供給されたマイクロ波領域は、ブレークダ
ウン及びホット再点灯のために必要である。一般的に
は、このような領域は、ランプバラスト(安定器)内の
マイクロ波出力トランジスタを高電圧パルス領域から遮
蔽するのは難しいので、許容し得ないアプローチであ
り、出力トランジスタが破壊されてしまうことも屡々で
ある。
ず、それ故、アーク管内に電子を直接噴射する手段がな
い。電極レスHID灯のホット再点灯は、高電圧パルス
によって達成することができるが、これらのパルスは、
容量的に放電体に接続されている。容量的に結合された
パルス領域と供給されたマイクロ波領域は、ブレークダ
ウン及びホット再点灯のために必要である。一般的に
は、このような領域は、ランプバラスト(安定器)内の
マイクロ波出力トランジスタを高電圧パルス領域から遮
蔽するのは難しいので、許容し得ないアプローチであ
り、出力トランジスタが破壊されてしまうことも屡々で
ある。
【0009】米国特許公開第5287039号公報(1
994年2月15日:Gregor他)には、リスター
ト型電極レスHID灯の緩慢な冷却方法について開示さ
れている。ここに開示されている方法によると、ターン
オフ後いつでも瞬時に再点灯することができるようにな
る。この方法は、冷却時間中オンし続け、ランプを意図
的に消灯し、それから、迅速に再度点灯させるといった
状況をカバーするために電力系を必要とする。しかし、
その電力系は、点灯装置への全電力が、一瞬中断され、
又は、除去される場合をカバーしていない。作動中、比
較的高電力の電極レス放電灯を連続的に冷却すること
は、米国特許公開第5334913号公報(1994年
8月2日:Ury他);米国特許公開第5404076
号公報(1995年4月4日:Dolan他)及びB.
P.Turner他の「Sulphur Lamps−
Progress In Their Develop
ment」Ref.No.87,1995年 IES
Annual Conference,660−672
頁に開示されている。
994年2月15日:Gregor他)には、リスター
ト型電極レスHID灯の緩慢な冷却方法について開示さ
れている。ここに開示されている方法によると、ターン
オフ後いつでも瞬時に再点灯することができるようにな
る。この方法は、冷却時間中オンし続け、ランプを意図
的に消灯し、それから、迅速に再度点灯させるといった
状況をカバーするために電力系を必要とする。しかし、
その電力系は、点灯装置への全電力が、一瞬中断され、
又は、除去される場合をカバーしていない。作動中、比
較的高電力の電極レス放電灯を連続的に冷却すること
は、米国特許公開第5334913号公報(1994年
8月2日:Ury他);米国特許公開第5404076
号公報(1995年4月4日:Dolan他)及びB.
P.Turner他の「Sulphur Lamps−
Progress In Their Develop
ment」Ref.No.87,1995年 IES
Annual Conference,660−672
頁に開示されている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】上述のような、従来技
術の欠点を克服した電極レス高輝度放電灯アセンブリを
提供することにある。
術の欠点を克服した電極レス高輝度放電灯アセンブリを
提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
ると、電極レス高輝度放電灯アセンブリにおいて、電極
レスランプ容器とアプリケータとガスノズルとガスコン
トローラとを有しており、前記電極レスランプ容器の封
入容積体は、スターティングガスと化学ドーパント材の
混合物を含んでおり、前記化学ドーパント材は、高周波
電力によって発光状態に励起され、前記アプリケータ
は、高周波電力を前記ランプ容器に結合するためのもの
であり、前記ガスノズルは、前記ランプ容器の方に向け
られており、前記ガスコントローラは、前記ガスノズル
に結合されており、該ガスノズルにより、ガス源からガ
スが受け取られ、前記発光状態の終了後、前記ガスノズ
ルを通して前記ランプ容器に、制限された持続期間のガ
スパフが供給され、前記ランプ容器は、前記ガスパフに
よって、リスタートに必要な温度に急速に冷却されるこ
とにより、解決される。
ると、電極レス高輝度放電灯アセンブリにおいて、電極
レスランプ容器とアプリケータとガスノズルとガスコン
トローラとを有しており、前記電極レスランプ容器の封
入容積体は、スターティングガスと化学ドーパント材の
混合物を含んでおり、前記化学ドーパント材は、高周波
電力によって発光状態に励起され、前記アプリケータ
は、高周波電力を前記ランプ容器に結合するためのもの
であり、前記ガスノズルは、前記ランプ容器の方に向け
られており、前記ガスコントローラは、前記ガスノズル
に結合されており、該ガスノズルにより、ガス源からガ
スが受け取られ、前記発光状態の終了後、前記ガスノズ
ルを通して前記ランプ容器に、制限された持続期間のガ
スパフが供給され、前記ランプ容器は、前記ガスパフに
よって、リスタートに必要な温度に急速に冷却されるこ
とにより、解決される。
【0012】
【発明の実施の形態】ガスコントローラは、ガスバルブ
と制御回路とを有しており、ガスバルブは、ガスノズル
とガス源との間に結合されていて、制御信号に応動し、
制御回路は、制御信号を供給する。制御回路は、発光状
態の検出用の光検出器とガスパフを開始するために光検
出器に応動して、発光状態の終了を検出する手段とを有
している。制御回路は、更に、発光状態の再形成を検出
する光検出器に応動してガスパフを終了するための手段
を有している。
と制御回路とを有しており、ガスバルブは、ガスノズル
とガス源との間に結合されていて、制御信号に応動し、
制御回路は、制御信号を供給する。制御回路は、発光状
態の検出用の光検出器とガスパフを開始するために光検
出器に応動して、発光状態の終了を検出する手段とを有
している。制御回路は、更に、発光状態の再形成を検出
する光検出器に応動してガスパフを終了するための手段
を有している。
【0013】ガスノズルは、化学ドーパント材料が凝縮
するランプ容器の領域の方向に向けられている(例え
ば、ランプ容器の底)。ガスパフは、有利には、約0.
5〜5secの範囲内の持続時間を有しており、約5〜
50ポンド/inch2(psi)の範囲内の圧力を有
しているいる。本発明のホット再点灯装置によると、ラ
ンプ容器は、1sec以下でリスタートするようにな
る。
するランプ容器の領域の方向に向けられている(例え
ば、ランプ容器の底)。ガスパフは、有利には、約0.
5〜5secの範囲内の持続時間を有しており、約5〜
50ポンド/inch2(psi)の範囲内の圧力を有
しているいる。本発明のホット再点灯装置によると、ラ
ンプ容器は、1sec以下でリスタートするようにな
る。
【0014】本発明の他のアスペクトによると、アプリ
ケータは、高周波電力をランプ容器に結合するためのも
のであり、電極レス高輝度放電灯アセンブリでのランプ
容器をホットリスタートし易くする方法が提供される。
この方法によると、発光状態の終了後、制限された持続
期間、ガスパフを、ランプ容器の方に方向付け、ガスパ
フによって、ランプ容器を、リスタートに必要な温度に
急速に冷却するようにされている。
ケータは、高周波電力をランプ容器に結合するためのも
のであり、電極レス高輝度放電灯アセンブリでのランプ
容器をホットリスタートし易くする方法が提供される。
この方法によると、発光状態の終了後、制限された持続
期間、ガスパフを、ランプ容器の方に方向付け、ガスパ
フによって、ランプ容器を、リスタートに必要な温度に
急速に冷却するようにされている。
【0015】
【実施例】従来技術の電極レス自動車ヘッドランプ系1
0が、図1に示されている。電極レスヘッドランプ装置
10は、高周波源12、伝送線路14、平面状伝送線路
16、電界アプリケータ18及び19、及び、ランプ容
器20を含んでおり、ランプ容器20は、ランプ充填材
24を含む封入容積体22を有している。平面状伝送線
路16(アプリケータ18及び19及びランプ容器20
を保持している)は、反射器ハウジング26内に配設す
るとよく、反射器ハウジング26は、光学的空洞30を
規定する反射面28を有している。光学的空洞30は、
レンズ32によってカバーされている。
0が、図1に示されている。電極レスヘッドランプ装置
10は、高周波源12、伝送線路14、平面状伝送線路
16、電界アプリケータ18及び19、及び、ランプ容
器20を含んでおり、ランプ容器20は、ランプ充填材
24を含む封入容積体22を有している。平面状伝送線
路16(アプリケータ18及び19及びランプ容器20
を保持している)は、反射器ハウジング26内に配設す
るとよく、反射器ハウジング26は、光学的空洞30を
規定する反射面28を有している。光学的空洞30は、
レンズ32によってカバーされている。
【0016】平面状伝送線路16は、一方の面上に形成
されたパターン状の導体38を有する基板34を含む。
導体38は、伝送線路14と電界アプリケータ18及び
19とを相互に接続する。導体38は、高周波源12の
周波数で、アプリケータ18と19との間に180°の
位相ずれを生じるように構成されている。基板34の反
対側の面は、導体接地板(図示していない)でカバーさ
れている。基板34には、ギャップ40が設けられてお
り、このギャップ40内には、ランプ容器20が設けら
れている。典型的には、ランプ容器20は、基板34の
面から離隔されており、電界アプリケータ18及び19
と整列されている。
されたパターン状の導体38を有する基板34を含む。
導体38は、伝送線路14と電界アプリケータ18及び
19とを相互に接続する。導体38は、高周波源12の
周波数で、アプリケータ18と19との間に180°の
位相ずれを生じるように構成されている。基板34の反
対側の面は、導体接地板(図示していない)でカバーさ
れている。基板34には、ギャップ40が設けられてお
り、このギャップ40内には、ランプ容器20が設けら
れている。典型的には、ランプ容器20は、基板34の
面から離隔されており、電界アプリケータ18及び19
と整列されている。
【0017】ランプ容器20は、有利には、半球状終端
の、ほぼ円筒形形状である。ランプ容器の寸法は、典型
的には、(内径mm×外形mm×円弧の長さmm)とし
て示される。典型的なランプ容器は、1mm×3mm×
6mm〜5mm×7mm×17mmの範囲である。約9
15MHz及び2.45GHzにセンタリングされた有
利なISM(Industrial,Scientif
ic and Medical)での作動のためには、
ランプは、典型的には、2mm×4mm×10mmで、
2mm×3mm×6mmで、それぞれ、最良のパフォー
マンスが得られる。ランプ容器の外部被覆は、高周波電
力を、ほぼ減衰せずに通過させる光透過材料で製造され
ている。ランプ外部被覆の材料は、何らかのグレードの
シリカガラス(通常、水晶と呼ばれている)にすること
ができるが、無水グレードにすると特に有利である。つ
まり、合成融合シリカが、ランプ外部被覆を製造するの
に使用される。低い壁温度で放電が生じることがある場
合、ランプの外部被覆は、ケイ酸塩アルミニウムガラス
又はホウケイ酸塩ガラスのような、他のガラス材料から
製造される。
の、ほぼ円筒形形状である。ランプ容器の寸法は、典型
的には、(内径mm×外形mm×円弧の長さmm)とし
て示される。典型的なランプ容器は、1mm×3mm×
6mm〜5mm×7mm×17mmの範囲である。約9
15MHz及び2.45GHzにセンタリングされた有
利なISM(Industrial,Scientif
ic and Medical)での作動のためには、
ランプは、典型的には、2mm×4mm×10mmで、
2mm×3mm×6mmで、それぞれ、最良のパフォー
マンスが得られる。ランプ容器の外部被覆は、高周波電
力を、ほぼ減衰せずに通過させる光透過材料で製造され
ている。ランプ外部被覆の材料は、何らかのグレードの
シリカガラス(通常、水晶と呼ばれている)にすること
ができるが、無水グレードにすると特に有利である。つ
まり、合成融合シリカが、ランプ外部被覆を製造するの
に使用される。低い壁温度で放電が生じることがある場
合、ランプの外部被覆は、ケイ酸塩アルミニウムガラス
又はホウケイ酸塩ガラスのような、他のガラス材料から
製造される。
【0018】ランプ容器は、揮発性充填材料で充填され
ており、スターティング用の低圧不活性ガス、例えば、
アルゴン、クリプトン、キセノン、又は、窒素(1〜1
00トル、有利には、約15トル)の値で充填されてい
る。揮発性の充填材料は、揮発した場合、部分的にイオ
ン化され、部分的に励起されて、放射状態になり、その
結果、有効な光が放電によって放射される。充填材料
は、例えば、水銀、NaScハロゲン化塩、又は、その
他の金属塩にすることができる。水銀を含まない他の充
填材料も使用することができる。ランプ容器が作動され
て高温である場合、内部圧力は、1〜50気圧である。
当業者に公知の他の充填材料は、可視光線、紫外線、赤
外線を発生するのに使用できる。
ており、スターティング用の低圧不活性ガス、例えば、
アルゴン、クリプトン、キセノン、又は、窒素(1〜1
00トル、有利には、約15トル)の値で充填されてい
る。揮発性の充填材料は、揮発した場合、部分的にイオ
ン化され、部分的に励起されて、放射状態になり、その
結果、有効な光が放電によって放射される。充填材料
は、例えば、水銀、NaScハロゲン化塩、又は、その
他の金属塩にすることができる。水銀を含まない他の充
填材料も使用することができる。ランプ容器が作動され
て高温である場合、内部圧力は、1〜50気圧である。
当業者に公知の他の充填材料は、可視光線、紫外線、赤
外線を発生するのに使用できる。
【0019】電界アプリケータ18及び19は、前述の
米国特許公開第5070277号公報に開示されている
ようなヘリカルカップラと、前述の米国特許公開第52
41246号公報に記載されているようなエンドカップ
アプリケータと、前述の米国特許公開第5130612
号公報に記載されているようなループアプリケータと、
又は、何らかの他の適切な電界アプリケータを有してい
る。一般的には、電界アプリケータは、ランプ容器の閉
じられた容積体内に高輝度電界を形成し、その結果、供
給された高周波電力は、プラズマ放電によって吸収され
る。
米国特許公開第5070277号公報に開示されている
ようなヘリカルカップラと、前述の米国特許公開第52
41246号公報に記載されているようなエンドカップ
アプリケータと、前述の米国特許公開第5130612
号公報に記載されているようなループアプリケータと、
又は、何らかの他の適切な電界アプリケータを有してい
る。一般的には、電界アプリケータは、ランプ容器の閉
じられた容積体内に高輝度電界を形成し、その結果、供
給された高周波電力は、プラズマ放電によって吸収され
る。
【0020】本発明の電極レスHID灯は、大きなパワ
ーを出すことができる13MHz〜20GHzの範囲内
の何らかの周波数で作動することができる。作動周波数
は、典型的に、ISM帯域の1つに選定される。約91
5MHz及び2.45GHzに中心化される周波数は、
特に適切である。
ーを出すことができる13MHz〜20GHzの範囲内
の何らかの周波数で作動することができる。作動周波数
は、典型的に、ISM帯域の1つに選定される。約91
5MHz及び2.45GHzに中心化される周波数は、
特に適切である。
【0021】本発明は、瞬間強制環流式冷却を使って、
電極レスHID灯のホット再点灯のための方法及び装置
に関する。ランプ容器壁の特定領域の急冷却により、ラ
ンプ容器内の揮発成分が凝縮されて、ランプ容器内の内
部圧力が急速に減少する。放電は、通常用いられている
高周波領域によって再び起こされるので、特定の高電圧
回路は必要ない。このアプローチの例は、図2及び3に
示されている。電極レスランプ容器20は、電界アプリ
ケータ18と19との間に配設されている。ランプ容器
20は、図1に示されているような、電極レス高輝度放
電灯アセンブリの部分である。ランプアセンブリの残り
の部分は、例示を容易にするために、図2及び3からは
省略されている。ガスノズル50は、ランプ容器20の
下側に配設されており、ランプ容器20の底領域に向か
って方向付けられている。ノズル50は、ガスバルブ5
2を通ってガス源54に接続されている。ガス源54
は、ガスバルブ52の制御下でノズル50を通した圧力
下で、ガス、典型的には、空気を供給する。ガスバルブ
52は、コントローラ60によって制御される。光検出
器62は、ランプ容器20の光出力を検出するように配
設されている。ランプ容器20の検出された光出力を示
す光検出器62の出力信号は、コントローラ60に供給
される。
電極レスHID灯のホット再点灯のための方法及び装置
に関する。ランプ容器壁の特定領域の急冷却により、ラ
ンプ容器内の揮発成分が凝縮されて、ランプ容器内の内
部圧力が急速に減少する。放電は、通常用いられている
高周波領域によって再び起こされるので、特定の高電圧
回路は必要ない。このアプローチの例は、図2及び3に
示されている。電極レスランプ容器20は、電界アプリ
ケータ18と19との間に配設されている。ランプ容器
20は、図1に示されているような、電極レス高輝度放
電灯アセンブリの部分である。ランプアセンブリの残り
の部分は、例示を容易にするために、図2及び3からは
省略されている。ガスノズル50は、ランプ容器20の
下側に配設されており、ランプ容器20の底領域に向か
って方向付けられている。ノズル50は、ガスバルブ5
2を通ってガス源54に接続されている。ガス源54
は、ガスバルブ52の制御下でノズル50を通した圧力
下で、ガス、典型的には、空気を供給する。ガスバルブ
52は、コントローラ60によって制御される。光検出
器62は、ランプ容器20の光出力を検出するように配
設されている。ランプ容器20の検出された光出力を示
す光検出器62の出力信号は、コントローラ60に供給
される。
【0022】図2のホット再点灯装置の作動は、一般に
は、以下の通りである。高周波電力は、作動中、高温で
あるランプ容器に供給されないようにされている。この
ように、電力を供給しないのは、何らかの理由のためで
ある。ランプ容器からの光出力は終端し、ガスパフは、
高温ランプ容器の方向に向けられている。ガスパフは、
ランプ容器を、再始動に必要な温度に急速に冷却するガ
スのパルスである。高周波電力は、その際、ランプ容器
に再度供給され、ランプ容器は、実際上瞬時に再点灯す
る。更に、殊に、図2の装置は、以下のように作動す
る。光検出器62は、高周波電力が供給されないように
された際に、ランプ容器20からの光出力の終了を検出
する。光検出器62によって供給される信号に応答し
て、コントローラ60は、ガスバルブ62を開く制御信
号を供給し、その際、ガスパフが、ノズル50を通して
ランプ容器20に供給される。高周波電力がランプ容器
20に供給されると、ランプ容器は、実際上瞬間的に再
点灯する。光検出器62は、光出力の再形成を検出し、
そのことを示す信号をコントローラ60に供給する。ラ
ンプ容器20の光出力が再形成されると、コントローラ
60は、バルブ52を閉じ、ガスパフを終了させる。典
型的には、ランプ容器は、1sec以下で点灯すること
ができる。
は、以下の通りである。高周波電力は、作動中、高温で
あるランプ容器に供給されないようにされている。この
ように、電力を供給しないのは、何らかの理由のためで
ある。ランプ容器からの光出力は終端し、ガスパフは、
高温ランプ容器の方向に向けられている。ガスパフは、
ランプ容器を、再始動に必要な温度に急速に冷却するガ
スのパルスである。高周波電力は、その際、ランプ容器
に再度供給され、ランプ容器は、実際上瞬時に再点灯す
る。更に、殊に、図2の装置は、以下のように作動す
る。光検出器62は、高周波電力が供給されないように
された際に、ランプ容器20からの光出力の終了を検出
する。光検出器62によって供給される信号に応答し
て、コントローラ60は、ガスバルブ62を開く制御信
号を供給し、その際、ガスパフが、ノズル50を通して
ランプ容器20に供給される。高周波電力がランプ容器
20に供給されると、ランプ容器は、実際上瞬間的に再
点灯する。光検出器62は、光出力の再形成を検出し、
そのことを示す信号をコントローラ60に供給する。ラ
ンプ容器20の光出力が再形成されると、コントローラ
60は、バルブ52を閉じ、ガスパフを終了させる。典
型的には、ランプ容器は、1sec以下で点灯すること
ができる。
【0023】ランプ容器20の再点灯によりガスパフが
終了することは、再点灯後、ガスパフによってランプ容
器が冷却されないという利点を有している。従って、ラ
ンプ容器は、その最終値に達し、定常状態の光出力に一
層早くなる。一般的には、本発明によるランプ容器に供
給されるガスパフは、限定持続期間のガスパルスであ
り、ランプ容器を、リスタートに適した温度に冷却する
のに必要である。ユーザは、電力をランプに再供給する
ことを選択することはないので、コントローラ60は、
ガスパフの最大持続時間を形成するタイマーを含むこと
ができる。電力がランプに再供給されないならば、タイ
ムアウト期間後、タイマーは、ガスパフを終了する。タ
イマーは、例えば、5secのオーダーの周期を有して
いる。択一選択的なアプローチでは、ガスパフは、固定
持続期間を有しており、典型的には、約0.5〜5.0
secの範囲内にある。圧力を含むガスパフのパラメー
タは、ランプ容器の大きさに基づいて選択されており、
通常の作動温度とリスタートに必要な温度との差であ
る。比較的大きな嵩のランプ容器は、リスタートに必要
な温度に冷却するのに比較的長く掛かる。リスタートに
必要な温度は、典型的には、約80℃〜140℃の範囲
内である。ランプ容器の光出力を光学的に検出するのに
択一選択肢として、光出力の終了を、ランプに供給され
た電力をモニタすることによって検出してもよい。
終了することは、再点灯後、ガスパフによってランプ容
器が冷却されないという利点を有している。従って、ラ
ンプ容器は、その最終値に達し、定常状態の光出力に一
層早くなる。一般的には、本発明によるランプ容器に供
給されるガスパフは、限定持続期間のガスパルスであ
り、ランプ容器を、リスタートに適した温度に冷却する
のに必要である。ユーザは、電力をランプに再供給する
ことを選択することはないので、コントローラ60は、
ガスパフの最大持続時間を形成するタイマーを含むこと
ができる。電力がランプに再供給されないならば、タイ
ムアウト期間後、タイマーは、ガスパフを終了する。タ
イマーは、例えば、5secのオーダーの周期を有して
いる。択一選択的なアプローチでは、ガスパフは、固定
持続期間を有しており、典型的には、約0.5〜5.0
secの範囲内にある。圧力を含むガスパフのパラメー
タは、ランプ容器の大きさに基づいて選択されており、
通常の作動温度とリスタートに必要な温度との差であ
る。比較的大きな嵩のランプ容器は、リスタートに必要
な温度に冷却するのに比較的長く掛かる。リスタートに
必要な温度は、典型的には、約80℃〜140℃の範囲
内である。ランプ容器の光出力を光学的に検出するのに
択一選択肢として、光出力の終了を、ランプに供給され
た電力をモニタすることによって検出してもよい。
【0024】ガスバルブ52は、例えば、ソレノイドバ
ルブにすることができる。電気信号によって制御するこ
とができる適切なサイズの、どんなガスバルブを使用し
てもよい。コントローラ60は、光検出器62の出力に
応答する電子回路であり、上述のように、制御信号をガ
スバルブ52に供給する。従って、例えば、コントロー
ラ60は、光検出器62の出力信号に応答するレベル検
出器、ガスバルブ52用のドライバ及びガスパフの最大
持続期間を形成するためのタイマーを有するようにして
もよい。
ルブにすることができる。電気信号によって制御するこ
とができる適切なサイズの、どんなガスバルブを使用し
てもよい。コントローラ60は、光検出器62の出力に
応答する電子回路であり、上述のように、制御信号をガ
スバルブ52に供給する。従って、例えば、コントロー
ラ60は、光検出器62の出力信号に応答するレベル検
出器、ガスバルブ52用のドライバ及びガスパフの最大
持続期間を形成するためのタイマーを有するようにして
もよい。
【0025】ガス源52は、遠隔に配置されたガス源に
してもよく、又は、ランプアセンブリの部分にすること
ができる。例えば、ガス源は、外科用ランプを用いる手
術室内で容易に利用することができる。同様に、ガス源
は、自動車ランプを用いる自動車で使用することができ
ることは屡々である。択一選択的に、特別な用途向きの
ガス源(例えば、ガスシリンダのような)を利用しても
よい。典型的には、約5〜50psiの範囲内の圧力
で、約100〜400cm3/ガスパフの範囲内の容積
の空気が必要である。空気又は他のガスを、本発明の範
囲内で利用してもよい。
してもよく、又は、ランプアセンブリの部分にすること
ができる。例えば、ガス源は、外科用ランプを用いる手
術室内で容易に利用することができる。同様に、ガス源
は、自動車ランプを用いる自動車で使用することができ
ることは屡々である。択一選択的に、特別な用途向きの
ガス源(例えば、ガスシリンダのような)を利用しても
よい。典型的には、約5〜50psiの範囲内の圧力
で、約100〜400cm3/ガスパフの範囲内の容積
の空気が必要である。空気又は他のガスを、本発明の範
囲内で利用してもよい。
【0026】ガスノズル50は、充分な容積と圧力のガ
スパフをランプ容器20の方に向けた何らかの所望の構
成にすることができる。1実施例では、図3において、
ノズル50は、3.18mmの外経doと1.65mm
の内経diとを有している。内径は、1.0mmの先端
で、直径dtにテーパを付けられている。ノズル50の
先端とランプ容器20との間の間隔hは、有利には、約
1〜10mmの範囲内である。
スパフをランプ容器20の方に向けた何らかの所望の構
成にすることができる。1実施例では、図3において、
ノズル50は、3.18mmの外経doと1.65mm
の内経diとを有している。内径は、1.0mmの先端
で、直径dtにテーパを付けられている。ノズル50の
先端とランプ容器20との間の間隔hは、有利には、約
1〜10mmの範囲内である。
【0027】本発明のホット再点灯装置の有効性を確認
するために測定を行った。2m×3m×10mmの寸法
のランプ容器に、0.947mgの水銀、0.110m
gのNaScl4(1.54:1のNa:Scl3のモ
ル比)及び5.0トルのアルゴンが充填された。ランプ
は、25ワットで915MHzで作動された。UVラン
プは、ランプ内に初期の電子を発生するためのスタータ
としてターンオンされた。915MHz源からの出力が
サーキュレーターに供給された。サーキュレーターから
反射されたパワーは、40dB源衰器によって減衰され
て、それから、反射されたパワーをモニターするために
クリスタル検波器に接続された。全光レベルが、光ダイ
オード検出器によってモニターされた。クリスタル検波
器及び光ダイオードからの信号は、オシロスコープに送
られた。
するために測定を行った。2m×3m×10mmの寸法
のランプ容器に、0.947mgの水銀、0.110m
gのNaScl4(1.54:1のNa:Scl3のモ
ル比)及び5.0トルのアルゴンが充填された。ランプ
は、25ワットで915MHzで作動された。UVラン
プは、ランプ内に初期の電子を発生するためのスタータ
としてターンオンされた。915MHz源からの出力が
サーキュレーターに供給された。サーキュレーターから
反射されたパワーは、40dB源衰器によって減衰され
て、それから、反射されたパワーをモニターするために
クリスタル検波器に接続された。全光レベルが、光ダイ
オード検出器によってモニターされた。クリスタル検波
器及び光ダイオードからの信号は、オシロスコープに送
られた。
【0028】空気冷却を行わない自然冷却の場合の再点
灯時間は、42.4secであるように決定された。反
射されたパワーは、図4に、曲線100として示されて
おり、光出力は、曲線102として示されている。ラン
プが、少なくとも10分間点灯された後、ランプは、時
間t=0で、高周波源を遮断することによってターンオ
フされた。反射されたパワー及び光レベルは、最小値に
低下した。マイクロ波パワーは、t=30secで再度
供給されたが、ランプは、t=42.4sec迄、再点
灯しなかった。光レベルの小さな上昇及びt=42.4
secでの、反射されたパワーの実質的な変化は、再点
灯の瞬間を示す。ランプは、定常状態に達し、約72s
ecで、完全点灯レベルになった。
灯時間は、42.4secであるように決定された。反
射されたパワーは、図4に、曲線100として示されて
おり、光出力は、曲線102として示されている。ラン
プが、少なくとも10分間点灯された後、ランプは、時
間t=0で、高周波源を遮断することによってターンオ
フされた。反射されたパワー及び光レベルは、最小値に
低下した。マイクロ波パワーは、t=30secで再度
供給されたが、ランプは、t=42.4sec迄、再点
灯しなかった。光レベルの小さな上昇及びt=42.4
secでの、反射されたパワーの実質的な変化は、再点
灯の瞬間を示す。ランプは、定常状態に達し、約72s
ecで、完全点灯レベルになった。
【0029】空気冷却を行った場合の反射されたパワー
は、図5に、曲線110として示されており、光出力
は、曲線112として示されている。ランプ容器20
は、40psiでの空気冷却の存在下でt=0.77s
ecで再点灯された。この場合、ノズル50は、d=
2.8mmでh=3.1mmの所に配設された(図2参
照)。t=0で、マイクロ波パワーは遮断され、ランプ
容器は、瞬時にターンオフされた。反射されたパワー
は、最小レベルに降下し、光レベルは、その最大値から
最小値に降下した。同じ瞬間、ガスバルブ52が開かれ
た。ガスバルブによって、40psiの、室温の圧縮空
気が供給される。t=0.5secで、マイクロ波パワ
ーがターンオンされたが、ランプは、再点灯するには未
だ高温過ぎであった。0.77secでの再点灯の瞬間
は、反射されたパワーの減少と光レベルの上昇によって
示されている。ガスパフは、t=0.8secでターン
オフされた。反射されたパワーが鋭敏に変化して初めて
放電がリスタートされ、それから、ランプが完全な温度
に達するにつれて、光は増大した。
は、図5に、曲線110として示されており、光出力
は、曲線112として示されている。ランプ容器20
は、40psiでの空気冷却の存在下でt=0.77s
ecで再点灯された。この場合、ノズル50は、d=
2.8mmでh=3.1mmの所に配設された(図2参
照)。t=0で、マイクロ波パワーは遮断され、ランプ
容器は、瞬時にターンオフされた。反射されたパワー
は、最小レベルに降下し、光レベルは、その最大値から
最小値に降下した。同じ瞬間、ガスバルブ52が開かれ
た。ガスバルブによって、40psiの、室温の圧縮空
気が供給される。t=0.5secで、マイクロ波パワ
ーがターンオンされたが、ランプは、再点灯するには未
だ高温過ぎであった。0.77secでの再点灯の瞬間
は、反射されたパワーの減少と光レベルの上昇によって
示されている。ガスパフは、t=0.8secでターン
オフされた。反射されたパワーが鋭敏に変化して初めて
放電がリスタートされ、それから、ランプが完全な温度
に達するにつれて、光は増大した。
【0030】図6には、再点灯時間が、空気圧及びノズ
ル位置dの関数として(但し、h=3.4mm)示され
ている(図2参照)。パラメータdは、ランプ容器の支
持ステム端と、ガスパフがランプ容器に作用を及ぼすス
ポットとの間の間隔を示す。曲線120,122及び1
24は、それぞれ、d=5.5mm,4mm及び2.7
mmの値を示す。1.5sec以下の再点灯時間は、い
かなる状況でも達成される。冷却は、10psiの圧力
で非常に効果的である。圧力が10psiから40ps
iに増大すると、再点灯時間は、約25%迄減少する。
dが減少するに連れて、再点灯時間は短くなる(即ち、
ノズル52は、ランプ容器の支持ステムに近いスポット
に向けられている)。温度は、dの小さな値の場合低
い。低温スポット温度が低い場合、水銀と塩は一層凝縮
する。その際、ランプ容器内の蒸気圧は低く、ランプは
一層早く再点灯することができる。
ル位置dの関数として(但し、h=3.4mm)示され
ている(図2参照)。パラメータdは、ランプ容器の支
持ステム端と、ガスパフがランプ容器に作用を及ぼすス
ポットとの間の間隔を示す。曲線120,122及び1
24は、それぞれ、d=5.5mm,4mm及び2.7
mmの値を示す。1.5sec以下の再点灯時間は、い
かなる状況でも達成される。冷却は、10psiの圧力
で非常に効果的である。圧力が10psiから40ps
iに増大すると、再点灯時間は、約25%迄減少する。
dが減少するに連れて、再点灯時間は短くなる(即ち、
ノズル52は、ランプ容器の支持ステムに近いスポット
に向けられている)。温度は、dの小さな値の場合低
い。低温スポット温度が低い場合、水銀と塩は一層凝縮
する。その際、ランプ容器内の蒸気圧は低く、ランプは
一層早く再点灯することができる。
【0031】図6の再点灯時間の場合の空気容積は、図
7に示されている。曲線130,132及び134は、
それぞれ、d=5.5mm,4mm及び2.7mmの値
を示す。冷却に使用される空気が多くなれば、再点灯時
間は一層短くなる。図5に示されているように、0.7
7secの再点灯時間を達成するために、284cm3
の空気容積が使用された。空気圧が高いと、再点灯が加
速されるが、ランプ容器は一層冷却される。ある場合に
は、空気圧が高くなると、再点灯後のウォームアップ
は、一層遅くなることがある。
7に示されている。曲線130,132及び134は、
それぞれ、d=5.5mm,4mm及び2.7mmの値
を示す。冷却に使用される空気が多くなれば、再点灯時
間は一層短くなる。図5に示されているように、0.7
7secの再点灯時間を達成するために、284cm3
の空気容積が使用された。空気圧が高いと、再点灯が加
速されるが、ランプ容器は一層冷却される。ある場合に
は、空気圧が高くなると、再点灯後のウォームアップ
は、一層遅くなることがある。
【0032】ランプ容器の温度は、45°の角度でラン
プの底部分に狙いを定めた赤外線イメージング装置によ
って測定された。図8の曲線140は、コールドスター
トからのウォームアップ中、時間の関数としてのランプ
容器の底でのスポットの温度を示す。ランプは、時間t
=0でターンオンされた。ランプ容器は、約540℃の
定常状態温度に達するのに、約60sec掛かる。図8
の曲線142は、図4に示されていて上述の作動中、時
間の関数としての同じスポットでの温度を示す。ランプ
は、時間t=0でターンオフし、冷却空気なしに、定常
状態作動から自然に冷却された。再点灯(t=42.4
sec)での温度は、約123℃だった。
プの底部分に狙いを定めた赤外線イメージング装置によ
って測定された。図8の曲線140は、コールドスター
トからのウォームアップ中、時間の関数としてのランプ
容器の底でのスポットの温度を示す。ランプは、時間t
=0でターンオンされた。ランプ容器は、約540℃の
定常状態温度に達するのに、約60sec掛かる。図8
の曲線142は、図4に示されていて上述の作動中、時
間の関数としての同じスポットでの温度を示す。ランプ
は、時間t=0でターンオフし、冷却空気なしに、定常
状態作動から自然に冷却された。再点灯(t=42.4
sec)での温度は、約123℃だった。
【0033】圧力10psi(曲線150)、20ps
i(曲線152)、30psi(曲線154)及び40
psi(曲線156)での空気冷却の存在下での、時間
の関数としての同じスポットの温度は、図9に示されて
いる。同じデータは、図10に拡張時間スケールで示さ
れている。図9及び10での全ての測定の場合、t=0
で、マイクロ波パワーがターンオフされ、それから、時
間t=0.5secで繰り返される。ガスパフは、t=
0から再点灯後僅かな持続時間しか有していない(ガス
パフは、再点灯後30msecでターンオフされる)。
このスポットの温度は、540℃の定常状態温度から、
10psiでの空気圧の場合の約140℃に、そして、
使われている他の圧力の場合の120℃以下に丁度1s
ecで急激に冷却される。図9から明らかなように、1
0psi〜40psiの空気圧の温度差は重要ではな
い。
i(曲線152)、30psi(曲線154)及び40
psi(曲線156)での空気冷却の存在下での、時間
の関数としての同じスポットの温度は、図9に示されて
いる。同じデータは、図10に拡張時間スケールで示さ
れている。図9及び10での全ての測定の場合、t=0
で、マイクロ波パワーがターンオフされ、それから、時
間t=0.5secで繰り返される。ガスパフは、t=
0から再点灯後僅かな持続時間しか有していない(ガス
パフは、再点灯後30msecでターンオフされる)。
このスポットの温度は、540℃の定常状態温度から、
10psiでの空気圧の場合の約140℃に、そして、
使われている他の圧力の場合の120℃以下に丁度1s
ecで急激に冷却される。図9から明らかなように、1
0psi〜40psiの空気圧の温度差は重要ではな
い。
【0034】ランプ容器の急速な冷却用のガスパフのア
プリケーションを含む本発明の再点灯装置は、電極レス
高輝度放電灯と上述のように接続されている。本発明
は、電極レスランプに特に有用である。と言うのは、そ
のランプの比較的小さな嵩と電極がない故である。しか
し、本発明は、電極付高輝度放電灯にも同様に適用する
ことができる。典型的には、比較的大きな持続期間のガ
スパフ及び容積は、電極付放電灯をリスタートに必要な
温度に急速冷却するのに必要である。一般的には、ガス
パフのパラメータ(ガスパフの圧力、容積、持続期間を
含む)は、電極付又は電極レスランプを、その作動温度
から、特別な適用に受容することができる時間内でリス
タートするのに必要な温度に冷却するように選定されて
いる。
プリケーションを含む本発明の再点灯装置は、電極レス
高輝度放電灯と上述のように接続されている。本発明
は、電極レスランプに特に有用である。と言うのは、そ
のランプの比較的小さな嵩と電極がない故である。しか
し、本発明は、電極付高輝度放電灯にも同様に適用する
ことができる。典型的には、比較的大きな持続期間のガ
スパフ及び容積は、電極付放電灯をリスタートに必要な
温度に急速冷却するのに必要である。一般的には、ガス
パフのパラメータ(ガスパフの圧力、容積、持続期間を
含む)は、電極付又は電極レスランプを、その作動温度
から、特別な適用に受容することができる時間内でリス
タートするのに必要な温度に冷却するように選定されて
いる。
【0035】上述の本発明の有利な実施例について例示
して説明してきたが、本発明の範囲から逸脱せずに、本
発明の有利な実施例で行われている種々の変化及び変更
点は、当業者には明らかなことである(従属請求項に記
載したように)。
して説明してきたが、本発明の範囲から逸脱せずに、本
発明の有利な実施例で行われている種々の変化及び変更
点は、当業者には明らかなことである(従属請求項に記
載したように)。
【図1】従来技術による電極レス高輝度放電灯アセンブ
リの略図
リの略図
【図2】本発明による電極レス高輝度放電灯アセンブリ
の部分略図
の部分略図
【図3】ランプ容器の軸線に沿った第2図のランプアセ
ンブリを終端から見た図
ンブリを終端から見た図
【図4】本発明のホット点灯装置を用いないでリスター
トされる電極レス高輝度放電灯アセンブリを利用した、
時間の関数としての反射されたパワーと光出力とのグラ
フ
トされる電極レス高輝度放電灯アセンブリを利用した、
時間の関数としての反射されたパワーと光出力とのグラ
フ
【図5】本発明のホット再点灯装置を用いて再始動され
た電極レス高輝度放電灯アセンブリの、時間の関数とし
ての反射されたパワーと光出力とのグラフ
た電極レス高輝度放電灯アセンブリの、時間の関数とし
ての反射されたパワーと光出力とのグラフ
【図6】ランプ容器に対して相対的なガスノズルの異な
った位置の場合の、空気圧の関数としての再点灯時間の
グラフ
った位置の場合の、空気圧の関数としての再点灯時間の
グラフ
【図7】ランプ容器に対して相対的なガスノズルの異な
った位置の場合の、空気容積の関数としての再点灯時間
のグラフ
った位置の場合の、空気容積の関数としての再点灯時間
のグラフ
【図8】本発明のホット再点灯装置を用いない場合の、
時間の関数としての電極レスランプ容器の部分の温度の
グラフ
時間の関数としての電極レスランプ容器の部分の温度の
グラフ
【図9】本発明のホット再点灯装置を用いた場合の、時
間の関数としての電極レスランプ容器の部分の温度のグ
ラフ
間の関数としての電極レスランプ容器の部分の温度のグ
ラフ
【図10】時間スケールを拡張して、時間の関数として
示した、電極レスランプ容器の部分の温度のグラフ
示した、電極レスランプ容器の部分の温度のグラフ
10 電極レスヘッドランプ装置 12 高周波源 14 伝送線路 16 平面状伝送線路 18及び19 電界アプリケータ 20 ランプ容器 24 ランプ充填材 22 封入容積体 26 反射器ハウジング内 28 反射面 30 光学的空洞 32 レンズ 38 パターン状の導体 40 ギャップ 50 ガスノズル 52 ガスバルブ 54 ガス源 60 コントローラ 62 光検出器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エィ ボウマン バディンガー アメリカ合衆国 マサチューセッツ ウェ ストフォード クリストファー ロード 11 (72)発明者 ウォルター−ピィ ラパトヴィッチ アメリカ合衆国 マサチューセッツ ボッ クスフォード パイ ブルーク レイン 51
Claims (18)
- 【請求項1】 電極レス高輝度放電灯アセンブリにおい
て、電極レスランプ容器とアプリケータとガスノズルと
ガスコントローラとを有しており、前記電極レスランプ
容器の封入容積体は、スターティングガスと化学ドーパ
ント材の混合物を含んでおり、前記化学ドーパント材
は、高周波電力によって発光状態に励起され、前記アプ
リケータは、高周波電力を前記ランプ容器に結合するた
めのものであり、前記ガスノズルは、前記ランプ容器の
方に向けられており、前記ガスコントローラは、前記ガ
スノズルに結合されており、該ガスノズルにより、ガス
源からガスが受け取られ、前記発光状態の終了後、前記
ガスノズルを通して前記ランプ容器に、制限された持続
期間のガスパフが供給され、前記ランプ容器は、前記ガ
スパフによって、リスタートに必要な温度に急速に冷却
されることを特徴とする電極レス高輝度放電灯アセンブ
リ。 - 【請求項2】 前記ガスコントローラは、ガスバルブと
制御回路とを有しており、前記ガスバルブは、前記ガス
ノズルと前記ガス源との間に結合されていて、制御信号
に応動し、前記制御回路は、前記制御信号を供給する請
求項1記載の電極レス高輝度放電灯アセンブリ。 - 【請求項3】 前記制御回路は、前記発光状態の検出用
の光検出器と前記ガスパフを開始するために前記光検出
器に応動して、前記発光状態の終了を検出する手段とを
有している請求項2記載の電極レス高輝度放電灯アセン
ブリ。 - 【請求項4】 前記制御回路は、更に、前記発光状態の
再形成を検出する前記光検出器に応動して前記ガスパフ
を終了するための手段を有している請求項3記載の電極
レス高輝度放電灯アセンブリ。 - 【請求項5】 前記制御回路は、更に、前記ガスパフを
終了するための手段の開始後、所定時間経ってから、前
記ガスパフを終了するためのタイマーを有している請求
項3記載の電極レス高輝度放電灯アセンブリ。 - 【請求項6】 前記ガスノズルは、前記化学ドーパント
材料が凝縮する前記ランプ容器の領域の方向に向けられ
ている請求項1記載の電極レス高輝度放電灯アセンブ
リ。 - 【請求項7】 前記ガスノズルは、前記ランプ容器の底
領域の方向に向けられている請求項1記載の電極レス高
輝度放電灯アセンブリ。 - 【請求項8】 前記ガスパフは、約5〜50ポンド/i
nch2の範囲内の圧力を有している請求項1記載の電
極レス高輝度放電灯アセンブリ。 - 【請求項9】 前記ガスノズルは、約1〜10mmの範
囲内の距離だけ、前記ランプ容器から離隔されている請
求項1記載の電極レス高輝度放電灯アセンブリ。 - 【請求項10】 前記ガスパフは、約0.5〜5sec
の範囲内の持続時間を有している請求項1記載の電極レ
ス高輝度放電灯アセンブリ。 - 【請求項11】 前記ガスパフのパラメータは、前記ラ
ンプ容器の温度を、所定時間内でリスタートするのに必
要な温度に低減するように選定されている請求項1記載
の電極レス高輝度放電灯アセンブリ。 - 【請求項12】電極レスランプ容器とアプリケータとガ
スノズルとガスコントローラとを有しており、前記電極
レスランプ容器の封入容積体は、スターティングガスと
化学ドーパント材の混合物を含んでおり、前記化学ドー
パント材は、高周波電力によって発光状態に励起され、
前記アプリケータは、高周波電力を前記ランプ容器に結
合するためのものであり、電極レス高輝度放電灯アセン
ブリでの前記ランプ容器をホットリスタートし易くする
方法において、前記発光状態の終了後、制限された持続
期間、ガスパフを、前記ランプ容器の方に方向付け、前
記ガスパフによって、前記ランプ容器を、リスタートに
必要な温度に急速に冷却するようにしたことを特徴とす
る方法。 - 【請求項13】 ガスパフを方向付けるステップは、発
光状態を検出するステップと、前記発光状態の終了の検
出に応動して前記ガスパフを開始するステップを有して
いる請求項12記載の方法。 - 【請求項14】 ガスパフを方向付けるステップは、更
に、前記発光状態の再形成の検出に応動して前記ガスパ
フを終了することを有している請求項13記載の方法。 - 【請求項15】 ガスパフを方向付けるステップは、更
に、ガスパフの開始後、所定時間経過後、前記ガスパフ
を終了するステップを有している請求項13記載の方
法。 - 【請求項16】 電極レス高輝度放電灯アセンブリにお
いて、電極レスランプ容器とアプリケータとガスパフを
方向付ける手段とを有しており、前記電極レスランプ容
器の封入容積体は、スターティングガスと化学ドーパン
ト材の混合物を含んでおり、前記化学ドーパント材は、
高周波電力によって発光状態に励起され、前記アプリケ
ータは、高周波源からの高周波電力を前記ランプ容器に
結合するためのものであり、前記ガスパフを方向付ける
手段は、前記発光状態の終了後前記ランプ容器の方向
に、制限された期間の間、ガスパフを方向付け、前記ガ
スパフによって、前記ランプ容器を、リスタートに必要
な温度に急速に冷却するようにすることを特徴とする電
極レス高輝度放電灯アセンブリ。 - 【請求項17】 前記ガスパフを方向付ける手段は、前
記ランプ容器の方向に向けられたガスノズル、前記ガス
ノズルとガス源との間に結合されていて、制御信号に応
動するガスバルブ、及び前記制御信号を供給するための
制御回路を有している請求項16記載の電極レス高輝度
放電灯アセンブリ。 - 【請求項18】 高輝度放電ランプ容器を有しており、
該ランプ容器は、スターティングガスと、発光状態にな
るように電力によって励起可能な化学ドーパント材とを
含む封入容積体を有しており、前記ランプ容器に前記電
力を結合する手段と、前記発光状態の終了後、制限され
た持続時間の間、前記ランプ容器の方に、ガスパフを方
向付ける手段とを有しており、前記ランプ容器は、前記
ガスパフによって、リスタートに必要な温度に急速に冷
却されることを特徴とする高輝度放電灯アセンブリ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/728571 | 1996-10-10 | ||
| US08/728,571 US5990627A (en) | 1996-10-10 | 1996-10-10 | Hot relight system for electrodeless high intensity discharge lamps |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125101A true JPH10125101A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=24927393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9279048A Pending JPH10125101A (ja) | 1996-10-10 | 1997-10-13 | 電極レス高輝度放電灯アセンブリ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5990627A (ja) |
| EP (1) | EP0836368A3 (ja) |
| JP (1) | JPH10125101A (ja) |
| CA (1) | CA2217823C (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2008140576A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Seiko Epson Corp | ランプ、発光装置及びプロジェクタ |
| JP2008146849A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Seiko Epson Corp | マイクロ波無電極ランプ、照明装置、プロジェクタ |
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| MX2009003047A (es) | 2008-03-27 | 2009-09-28 | Abl Ip Holding Llc | Sistema de iluminacion de respaldo. |
| DE112010001171T5 (de) * | 2009-03-10 | 2012-04-12 | Osram Sylvania Inc. | Dielektrisch gefüllter Felderzeuger für EHID-Lampen und diesen umfassende EHID-Lampenanordnung |
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| US10477665B2 (en) * | 2012-04-13 | 2019-11-12 | Amastan Technologies Inc. | Microwave plasma torch generating laminar flow for materials processing |
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-
1996
- 1996-10-10 US US08/728,571 patent/US5990627A/en not_active Expired - Lifetime
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1997
- 1997-09-08 EP EP97115547A patent/EP0836368A3/en not_active Withdrawn
- 1997-10-09 CA CA002217823A patent/CA2217823C/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2008146849A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Seiko Epson Corp | マイクロ波無電極ランプ、照明装置、プロジェクタ |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0836368A3 (en) | 1999-06-30 |
| US5990627A (en) | 1999-11-23 |
| CA2217823C (en) | 2005-12-27 |
| EP0836368A2 (en) | 1998-04-15 |
| CA2217823A1 (en) | 1998-04-10 |
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