JPH10125652A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH10125652A JPH10125652A JP27340396A JP27340396A JPH10125652A JP H10125652 A JPH10125652 A JP H10125652A JP 27340396 A JP27340396 A JP 27340396A JP 27340396 A JP27340396 A JP 27340396A JP H10125652 A JPH10125652 A JP H10125652A
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- Japan
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- chamber
- atmosphere
- gas
- moisture
- semiconductor manufacturing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチングやイオン注入等の半導体製造装置
に関し、チャンバを大気に開放する際に、チャンバに付
着した反応生成物から出るガスを効率的に取り去ること
を目的とする。 【解決手段】 半導体を処理するためのチャンバ１２
と、チャンバ１２に水分含有ガスを導入するための導入
ライン２４と、チャンバ１２から排気するための排気ラ
イン２６と、チャンバ１２を加熱するための加熱手段３
４と、チャンバ１２を大気に開放する際に、導入ライン
２４及び排気ライン２８を通してチャンバ１２に水分含
有ガスを流すとともに、加熱手段３４を作動させてチャ
ンバ１２を加熱する制御手段３６とを備えた構成とす
る。さらに、チャンバ１２を大気に開放するベントとチ
ャンバ１２を真空にする真空引きとを交互に繰り返す。
に関し、チャンバを大気に開放する際に、チャンバに付
着した反応生成物から出るガスを効率的に取り去ること
を目的とする。 【解決手段】 半導体を処理するためのチャンバ１２
と、チャンバ１２に水分含有ガスを導入するための導入
ライン２４と、チャンバ１２から排気するための排気ラ
イン２６と、チャンバ１２を加熱するための加熱手段３
４と、チャンバ１２を大気に開放する際に、導入ライン
２４及び排気ライン２８を通してチャンバ１２に水分含
有ガスを流すとともに、加熱手段３４を作動させてチャ
ンバ１２を加熱する制御手段３６とを備えた構成とす
る。さらに、チャンバ１２を大気に開放するベントとチ
ャンバ１２を真空にする真空引きとを交互に繰り返す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば半導体の製造
のために使用されるエッチングやイオン注入等の半導体
製造装置に関する。
のために使用されるエッチングやイオン注入等の半導体
製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造においては、プラズマエッ
チングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のドライ
エッチングがよく使用される。ドライエッチングはチャ
ンバに所定のガスを導入しながら実施される。また、イ
オン注入も、チャンバに所定のガスを導入しながら実施
される。
チングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等のドライ
エッチングがよく使用される。ドライエッチングはチャ
ンバに所定のガスを導入しながら実施される。また、イ
オン注入も、チャンバに所定のガスを導入しながら実施
される。
【０００３】エッチング装置やイオン注入装置等の半導
体製造装置においては、半導体ウエハのチャンバへの挿
入及び半導体ウエハのチャンバからの排出はロードロッ
クを用いて行われるので、通常はチャンバを大気に開放
することはない。しかし、メンテナンス等においては、
チャンバを大気に開放することがある。
体製造装置においては、半導体ウエハのチャンバへの挿
入及び半導体ウエハのチャンバからの排出はロードロッ
クを用いて行われるので、通常はチャンバを大気に開放
することはない。しかし、メンテナンス等においては、
チャンバを大気に開放することがある。
【０００４】チャンバを大気に開放する際には、チャン
バ内の残留ガスを強制的に排気して、チャンバを開いた
ときにチャンバ内の残留ガスがクリーンルーム内に流出
しないようにすることが必要である。このため、従来は
不活性ガスを用いてチャンバをパージしていた。しか
し、最近では多種のプロセスガスが使用されるようにな
ってきており、プロセスガスの種類によっては、不活性
ガスを用いてチャンバをパージしても一部のガスを完全
に浄化しきれず、チャンバを完全に清浄にすることがで
きないという問題があった。
バ内の残留ガスを強制的に排気して、チャンバを開いた
ときにチャンバ内の残留ガスがクリーンルーム内に流出
しないようにすることが必要である。このため、従来は
不活性ガスを用いてチャンバをパージしていた。しか
し、最近では多種のプロセスガスが使用されるようにな
ってきており、プロセスガスの種類によっては、不活性
ガスを用いてチャンバをパージしても一部のガスを完全
に浄化しきれず、チャンバを完全に清浄にすることがで
きないという問題があった。
【０００５】特開平５─２５９１３３号公報や、特開平
７─２４３６８１号公報は、不活性ガスの代わりに、水
分含有ガスを使用してチャンバをパージすると、従来清
浄化できなかった生成ガスを除去することができ、チャ
ンバをかなり清浄にすることができることを開示してい
る。水分含有ガス中の水分は生成ガスをその酸化物に変
え、よって浄化されやすくなるというものである。
７─２４３６８１号公報は、不活性ガスの代わりに、水
分含有ガスを使用してチャンバをパージすると、従来清
浄化できなかった生成ガスを除去することができ、チャ
ンバをかなり清浄にすることができることを開示してい
る。水分含有ガス中の水分は生成ガスをその酸化物に変
え、よって浄化されやすくなるというものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、反応生成物が
チャンバの壁に付着していると、このような反応生成物
を除去することは簡単ではない。このような反応生成物
は、チャンバを大気に開放したときに有害ガスを放出
し、クリーンルームを汚染させるという問題点がある。
チャンバの壁に付着していると、このような反応生成物
を除去することは簡単ではない。このような反応生成物
は、チャンバを大気に開放したときに有害ガスを放出
し、クリーンルームを汚染させるという問題点がある。
【０００７】本発明の目的は、チャンバを大気に開放す
る際に、チャンバに付着した反応生成物から出るガスを
効率的に浄化することのできる半導体製造装置を提供す
ることである。
る際に、チャンバに付着した反応生成物から出るガスを
効率的に浄化することのできる半導体製造装置を提供す
ることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体製造
装置は、半導体を処理するためのチャンバと、該チャン
バに水分含有ガスを導入するための導入ラインと、該チ
ャンバから排気するための排気ラインと、該チャンバを
加熱するための加熱手段と、該チャンバを大気に開放す
る際に、該導入ライン及び該排気ラインを通して該チャ
ンバに水分含有ガスを流すとともに、該加熱手段を作動
させて該チャンバを加熱する制御手段とを備えたことを
特徴とするものである。
装置は、半導体を処理するためのチャンバと、該チャン
バに水分含有ガスを導入するための導入ラインと、該チ
ャンバから排気するための排気ラインと、該チャンバを
加熱するための加熱手段と、該チャンバを大気に開放す
る際に、該導入ライン及び該排気ラインを通して該チャ
ンバに水分含有ガスを流すとともに、該加熱手段を作動
させて該チャンバを加熱する制御手段とを備えたことを
特徴とするものである。
【０００９】上記構成において、該チャンバを大気に開
放する際に、該導入ラインに配置されたバルブ及び該排
気ラインに配置されたバルブ及び真空ポンプを同期して
作動させて、該チャンバを大気に開放するベントと該チ
ャンバを真空にする真空引きとを交互に繰り返すように
してもよい。さらに、該ベントと該真空引きとを所定の
圧力の範囲内で自動的に繰り返すようにしてもよい。
放する際に、該導入ラインに配置されたバルブ及び該排
気ラインに配置されたバルブ及び真空ポンプを同期して
作動させて、該チャンバを大気に開放するベントと該チ
ャンバを真空にする真空引きとを交互に繰り返すように
してもよい。さらに、該ベントと該真空引きとを所定の
圧力の範囲内で自動的に繰り返すようにしてもよい。
【００１０】上記特徴により、チャンバを大気に開放す
る際に、付着した反応生成物から出るガスを効率的に浄
化し、クリーンルームが汚染されるのを防止することが
できる。
る際に、付着した反応生成物から出るガスを効率的に浄
化し、クリーンルームが汚染されるのを防止することが
できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施例による半導
体製造装置を示す。この半導体製造装置１０はイオン注
入装置として実施されている。この半導体製造装置１０
はその他の、例えばエッチング装置等として実施される
こともできる。
体製造装置を示す。この半導体製造装置１０はイオン注
入装置として実施されている。この半導体製造装置１０
はその他の、例えばエッチング装置等として実施される
こともできる。
【００１２】半導体製造装置１０はチャンバ１２を備
え、イオン注入に必要なガスを供給する供給ライン１４
及びそのガスを排出する排出ライン１６がチャンバ１２
に接続されている。供給ライン１４及び排出する排出ラ
イン１６にはそれぞれバルブ１４ａ、１６ａが配置され
る。また、安全弁１８を含むダクト２０が接続される。
チャンバ１２には必要に応じてイオン注入のための公知
の手段（図示せず）が配置される。
え、イオン注入に必要なガスを供給する供給ライン１４
及びそのガスを排出する排出ライン１６がチャンバ１２
に接続されている。供給ライン１４及び排出する排出ラ
イン１６にはそれぞれバルブ１４ａ、１６ａが配置され
る。また、安全弁１８を含むダクト２０が接続される。
チャンバ１２には必要に応じてイオン注入のための公知
の手段（図示せず）が配置される。
【００１３】さらに、不活性ガス導入ライン２２及び水
分含有ガス導入ライン２４がチャンバ１２に接続されて
いる。不活性ガス導入ライン２２はバルブ２２ａを含
み、水分含有ガス導入ライン２４はバルブ２４ａを含
む。これらのバルブバルブ２２ａ、２４ａを開閉するこ
とによって所望のガスをチャンバ１２に導入することが
できる。不活性ガス導入ライン２２は必要に応じて使用
されるものであり、水分含有ガス導入ライン２４の方が
本発明では重要である。水分含有ガスとしては例えば水
蒸気を含む空気、あるいは水蒸気を含む窒素等を使用す
る。
分含有ガス導入ライン２４がチャンバ１２に接続されて
いる。不活性ガス導入ライン２２はバルブ２２ａを含
み、水分含有ガス導入ライン２４はバルブ２４ａを含
む。これらのバルブバルブ２２ａ、２４ａを開閉するこ
とによって所望のガスをチャンバ１２に導入することが
できる。不活性ガス導入ライン２２は必要に応じて使用
されるものであり、水分含有ガス導入ライン２４の方が
本発明では重要である。水分含有ガスとしては例えば水
蒸気を含む空気、あるいは水蒸気を含む窒素等を使用す
る。
【００１４】さらに、排気ライン２６、２８がチャンバ
１２に接続されている。排気ライン２６はバルブ２６ａ
及び荒引き用真空ポンプ３０を含み、排気ライン２８は
バルブ２８ａ及び高真空用真空ポンプ３２を含む。通
常、チャンバ１２を真空にする場合、荒引き用真空ポン
プ３０を最初に作動させてチャンバ１２内を低真空状態
にし、それから高真空用真空ポンプ３２を作動させてチ
ャンバ１２内を高真空状態にする。高真空用真空ポンプ
３２としては油拡散ポンプなどが使用される。
１２に接続されている。排気ライン２６はバルブ２６ａ
及び荒引き用真空ポンプ３０を含み、排気ライン２８は
バルブ２８ａ及び高真空用真空ポンプ３２を含む。通
常、チャンバ１２を真空にする場合、荒引き用真空ポン
プ３０を最初に作動させてチャンバ１２内を低真空状態
にし、それから高真空用真空ポンプ３２を作動させてチ
ャンバ１２内を高真空状態にする。高真空用真空ポンプ
３２としては油拡散ポンプなどが使用される。
【００１５】さらに、ヒータ３４がチャンバ１２を形成
する外壁の周囲及び底部に取りつけられ、チャンバ１２
を加熱することができるようになっている。マイクロプ
ロセッサ等を含む制御装置３６は、半導体製造装置１０
を制御するものであるが、本発明においては特に、メン
テナンス等においてチャンバ１２を大気に開放する際
に、水分含有ガス導入ライン２４及び排気ライン２６を
通してチャンバ１２に水分含有ガスを流すとともに、ヒ
ータ３４を作動させてチャンバ１２を加熱するようにな
っている。
する外壁の周囲及び底部に取りつけられ、チャンバ１２
を加熱することができるようになっている。マイクロプ
ロセッサ等を含む制御装置３６は、半導体製造装置１０
を制御するものであるが、本発明においては特に、メン
テナンス等においてチャンバ１２を大気に開放する際
に、水分含有ガス導入ライン２４及び排気ライン２６を
通してチャンバ１２に水分含有ガスを流すとともに、ヒ
ータ３４を作動させてチャンバ１２を加熱するようにな
っている。
【００１６】このように、チャンバ１２を大気に開放す
る際に、チャンバ１２に水分含有ガスを流すことによっ
て、チャンバ１２の内面に付着した反応生成物がある
と、その反応生成物から発生する有害ガスと水分含有ガ
ス中の水分とが反応することにより有害ガスを浄化しや
すくし、その上で、ヒータ３４を作動させてチャンバ１
２を加熱することにより、有害ガスと水分との反応を促
進し、チャンバ１２をより浄化しやすくすることができ
る。
る際に、チャンバ１２に水分含有ガスを流すことによっ
て、チャンバ１２の内面に付着した反応生成物がある
と、その反応生成物から発生する有害ガスと水分含有ガ
ス中の水分とが反応することにより有害ガスを浄化しや
すくし、その上で、ヒータ３４を作動させてチャンバ１
２を加熱することにより、有害ガスと水分との反応を促
進し、チャンバ１２をより浄化しやすくすることができ
る。
【００１７】さらに、好ましくは、単にチャンバ１２に
水分含有ガスを流すとだけでなく、水分含有ガス導入ラ
イン２４に配置されたバルブ２４ａ及び排気ライン２６
に配置されたバルブ２６ａ及び荒引き用真空ポンプ３０
を同期して作動させるようになっている。これによっ
て、チャンバ１２を大気に開放するベントとチャンバ１
２を真空にする真空引きとを交互に繰り返す。このよう
にすると、水分と反応した有害ガスをより確実に反応生
成物から離脱させることができる。よって、チャンバ１
２をさらによく浄化することができる。
水分含有ガスを流すとだけでなく、水分含有ガス導入ラ
イン２４に配置されたバルブ２４ａ及び排気ライン２６
に配置されたバルブ２６ａ及び荒引き用真空ポンプ３０
を同期して作動させるようになっている。これによっ
て、チャンバ１２を大気に開放するベントとチャンバ１
２を真空にする真空引きとを交互に繰り返す。このよう
にすると、水分と反応した有害ガスをより確実に反応生
成物から離脱させることができる。よって、チャンバ１
２をさらによく浄化することができる。
【００１８】さらに、好ましくは、このようなベントと
真空引きとを所定の圧力の範囲内で自動的に繰り返すよ
うにしている。実施例においては、チャンバ１２内が７
００Ｔｏｒｒになるまで荒引きを行い、それから１０-2
Ｔｏｒｒになるまで真空引きを行い、これを３０分間繰
り返して行った。
真空引きとを所定の圧力の範囲内で自動的に繰り返すよ
うにしている。実施例においては、チャンバ１２内が７
００Ｔｏｒｒになるまで荒引きを行い、それから１０-2
Ｔｏｒｒになるまで真空引きを行い、これを３０分間繰
り返して行った。
【００１９】図２は種々の条件でチャンバ１２の大気開
放を行う際のチャンバ１２内のガス濃度を調べた結果を
示すグラフである。曲線Ａはチャンバ１２を加熱しつつ
水分含有ガス（水蒸気含有空気）を流し、そしてベント
と真空引きとを自動的に繰り返した場合のガス濃度を示
している。
放を行う際のチャンバ１２内のガス濃度を調べた結果を
示すグラフである。曲線Ａはチャンバ１２を加熱しつつ
水分含有ガス（水蒸気含有空気）を流し、そしてベント
と真空引きとを自動的に繰り返した場合のガス濃度を示
している。
【００２０】曲線Ｂはチャンバ１２を加熱しつつ不活性
ガスを流した場合のガス濃度を示している。曲線Ｃはチ
ャンバ１２を加熱しつつ不活性ガスを流し、そしてベン
トと真空引きとを繰り返した場合のガス濃度を示してい
る。曲線Ｄはチャンバ１２を加熱することなく不活性ガ
スを流した場合のガス濃度を示している。これらの結果
から、本発明によれば、チャンバ１２内をかなり清浄に
することができる。
ガスを流した場合のガス濃度を示している。曲線Ｃはチ
ャンバ１２を加熱しつつ不活性ガスを流し、そしてベン
トと真空引きとを繰り返した場合のガス濃度を示してい
る。曲線Ｄはチャンバ１２を加熱することなく不活性ガ
スを流した場合のガス濃度を示している。これらの結果
から、本発明によれば、チャンバ１２内をかなり清浄に
することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
チャンバを大気に開放する際に、付着した反応生成物か
ら出るガスを効率的に取り去り、チャンバ内をかなり清
浄にし、それによってクリーンルーム内を清浄に維持す
ることができる。
チャンバを大気に開放する際に、付着した反応生成物か
ら出るガスを効率的に取り去り、チャンバ内をかなり清
浄にし、それによってクリーンルーム内を清浄に維持す
ることができる。
【図１】本発明の実施例による半導体製造装置を示す図
である。
である。
【図２】種々の条件でチャンバの大気開放を行う際のチ
ャンバ内のガス濃度を調べた結果を示すグラフである。
ャンバ内のガス濃度を調べた結果を示すグラフである。
１２…チャンバ ２４…水分含有ガス導入ライン ２４ａ…バルブ ２６…排気ライン ２６ａ…バルブ ３０…荒引き用真空ポンプ ３２…高真空用真空ポンプ ３４…ヒータ ３６…制御装置
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体を処理するためのチャンバと、該
チャンバに水分含有ガスを導入するための導入ライン
と、該チャンバから排気するための排気ラインと、該チ
ャンバを加熱するための加熱手段と、該チャンバを大気
に開放する際に、該導入ライン及び該排気ラインを通し
て該チャンバに水分含有ガスを流すとともに、該加熱手
段を作動させて該チャンバを加熱する制御手段とを備え
たことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 該チャンバを大気に開放する際に、該導
入ラインに配置されたバルブ及び該排気ラインに配置さ
れたバルブ及び真空ポンプを同期して作動させて、該チ
ャンバを大気に開放するベントと該チャンバを真空にす
る真空引きとを交互に繰り返すことを特徴とする請求項
１に記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 該ベントと該真空引きとを所定の圧力の
範囲内で自動的に繰り返すことを特徴とする請求項２に
記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27340396A JPH10125652A (ja) | 1996-10-16 | 1996-10-16 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27340396A JPH10125652A (ja) | 1996-10-16 | 1996-10-16 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125652A true JPH10125652A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17527415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27340396A Pending JPH10125652A (ja) | 1996-10-16 | 1996-10-16 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10125652A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049755A1 (en) * | 2000-12-08 | 2002-06-27 | Tokyo Electron Limited | Method and system for removal of gas, and plasma processing device |
| JP2016122795A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空引き方法及び真空処理装置 |
| KR20190030587A (ko) * | 2017-09-14 | 2019-03-22 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 장치 및 대기 개방 방법 |
-
1996
- 1996-10-16 JP JP27340396A patent/JPH10125652A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049755A1 (en) * | 2000-12-08 | 2002-06-27 | Tokyo Electron Limited | Method and system for removal of gas, and plasma processing device |
| JP2016122795A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空引き方法及び真空処理装置 |
| KR20190030587A (ko) * | 2017-09-14 | 2019-03-22 | 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 | 플라스마 처리 장치 및 대기 개방 방법 |
| KR20200067776A (ko) * | 2017-09-14 | 2020-06-12 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 장치 및 대기 개방 방법 |
| US10886106B2 (en) | 2017-09-14 | 2021-01-05 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and method for venting a processing chamber to atmosphere |
| US12266508B2 (en) | 2017-09-14 | 2025-04-01 | Hitachi High-Tech Corporation | Plasma processing apparatus and method for venting a processing chamber to atmosphere |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020205 |