JPH0677233U - Ｃｖｄ装置の反応室を排気する排気装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 化学的気相成長の際に生成された不要な生成
物をトラップにより捕捉し、高真空排気中にもその捕捉
物を飛散させない。 【構成】 排気装置は、ＣＶＤ装置の反応室を処理操作
の前、または処理操作の後に要求される１０^-6Torr以下
の高真空領域に排気する第１の排気系(１５ｂ)、(１
７)、(１５ｃ)、(１８ｂ）、および処理中に要求される
１０^-1Torr程度の真空に排気する第２の排気系(１５
ｄ)、(１４)、(１５ａ)、(１６)、(１８ｂ)から成る。
ＣＶＤ装置の反応室を処理の前後に必要な高真空領域に
するときは、トラップ(１４)の前に設けられたバルブ
(１５ｄ)を閉めることでトラップ(１４)を第１の排気系
から遮断する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、化学的気相成長法（ＣＶＤ）により非処理体上に薄膜を形成するた めに用いられるＣＶＤ装置に関し、特に、ＣＶＤ装置に組み入れられる排気装置 に関する。

【０００２】

【従来技術】

図２は従来のＣＶＤ装置２０を示す。ＣＶＤ装置２０は、基本的に反応室２１ とその反応室２１に排気口２３を介して連結された排気装置から成る。反応室２ １は、その中に反応ガスを導入するガス導入口２２が連結され、そこから必要に 応じて薄膜形成に必要なガスなどが導入される。

【０００３】 排気装置は、２つの排気系から成る。第１の排気系は、非処理体を処理する前 、またはその後において反応室２１を１０^-6Torr以下の高真空領域に排気するた めのものである（図において上方の排気系）。その排気系は、バルブ２５ｂ、高 真空ポンプ２７、バルブ２５ｃ、ポンプ２８ｂが順に連結されている。

【０００４】 第２の排気系（図において下方の排気系）は、非処理体を処理する間、反応室 ２１を１０^-1Torr程度の真空に維持するためのものである。この排気系は、トラ ップ２４、バルブ２５ａ、コンダクタンス可変バルブ２６、ポンプ２８ａが順に 連結されている。

【０００５】 これら排気系は次のように操作される。まず、第１の排気系により、反応室２ １は１０^-6Torr以下の真空領域に排気され、バルブが閉じられる。次に、反応ガ スがガス導入口２２より、反応室２１に導入される。反応室２１は、処理の間第 ２の排気系のポンプ２８ａにより引き続き排気されるが、コンダクタンス可変バ ルブ２６を調節して反応室２１は１０^-1Torr程度の真空に維持される。

【０００６】 その間に、反応室２１内に配置された非処理体上に物質が堆積し、薄膜が形成 されるが、非処理体に堆積しなかった反応物などの不要な生成物はポンプ２８ａ により第２の排気系へと排出され、トラップ２４に捕捉される。

【０００７】 処理終了後、バルブ２５ａが閉じられ、再度第１の排気系により１０^-6Torr以 下の真空領域に排気される。

【０００８】

【考案が解決しようとする課題】

しかし、このように処理前後に第１の排気系により反応室２１を１０^-6Torr以 下の高真空領域に排気しようとすると、トラップ２４が反応室２１と直接連通し ているため、トラップ２４に捕捉されていた反応物などがガスとなって第１の排 気系、反応室に逆流する。そのため、反応室２１を目的とする真空領域まで排気 することを困難にする。たとえ排気することができても、その排気時間が非常に 長くなる。

【０００９】 また、トラップ２４を洗浄するため、あるいはトラップをメンテナンスするた め、トラップを取り外すとき、反応室、排気系の装置、パイプなどが大気にさら される。そのため反応室、配管などが大気中の水蒸気により汚染されるばかりか、 アウトガス増大の原因となる。

【００１０】

【課題を解決するための手段】

そこで、本考案の目的は、ＣＶＤ装置の反応室内に生じた不要生成物などを捕 捉するトラップからその捕捉物を飛散させることのない、ＣＶＤ装置を排気する 排気装置を提供することである。

【００１１】 本考案の他の目的は、ＣＶＤ装置の維持管理が容易な上記排気装置を提供する ことである。

【００１２】 上記目的を達成する本考案は、化学気相成長を行う反応室を処理操作の前、ま たは処理操作の後に要求される１０^-6Torr以下の高真空領域に排気する第１の排 気系、および処理中に要求される１０^-1Torr程度の真空に排気する第２の排気系 から成る排気装置において、反応室内に生じた不要な生成物を捕捉するために第 ２の排気系に設けられたトラップを、第１の排気系から遮断する遮断手段を有す ることを特徴とする排気装置である。

【００１３】

【作用】

本考案の排気装置において、ＣＶＤ装置の反応室を処理の前後に必要な高真空 領域にするときは、遮断手段によりトラップを第１の排気系から遮断し、トラッ プに捕捉された不要な生成物の飛散を防止する。処理中は、遮断手段を解放し、 第２の排気系の動作により、処理中に要求される真空に反応室を排気するととも に、不要な生成物をトラップに捕捉する。

【００１４】

【実施例】

図１に本考案に係るＣＶＤ装置１０を示す。このＣＶＤ装置１０も、従来のＣ ＶＤ装置と同様に、基本的に反応室１１とその反応室１１に排気口１３を介して 連結された排気装置から成る。反応室１１は、その中に反応ガスを導入するガス 導入口１２が連結され、そこから必要に応じて薄膜形成に必要なガスなどが導入 される。

【００１５】 排気装置もまた、２つの排気系から成る。第１の排気系は、非処理体を処理す る前、およびその後において反応室１１を１０^-6Torr以下の真空領域まで排気す るためのものであり（図において上方の排気系）、バルブ１５ｂ、高真空ポンプ １７、バルブ１５ｃ、ポンプ１８ｂが順に連結されている。

【００１６】 本考案の特徴とする第２の排気系（図において下方の排気系）は、非処理体を 処理する間、反応室１１を１０^-1Torr程度の真空にするためのものであが、この 排気系は、バルブ１５ｄ、トラップ１４、バルブ１５ａ、コンダクタンス可変バ ルブ１６、ポンプ１８ａが順に連結されている。

【００１７】 これら排気系は次のように操作される。まず、図２に示す装置と同様に第１の 排気系により、反応室１１は１０^-6Torr以下の真空領域に排気され、バルブが閉 じられる。その間、第２の排気系のバルブ１５ｄは閉じられている。次に、反応 ガスがガス導入口１２より、反応室１１に導入される。

【００１８】 反応室１１は、処理中第２の排気系のポンプ１８ａにより引き続き排気される が、コンダクタンス可変バルブ１６を調節して反応室１１内が１０^-1Torr程度の 真空に維持される。その間に、反応室１１内に配置された非処理体上に物質が堆 積し、薄膜が形成されるが、非処理体に堆積しなかった不要な反応物、不要な形 成物はポンプ１８ａにより第２の排気系へと排出され、トラップ１４に捕捉され る。

【００１９】 処理終了後、バルブ１５ｄが閉じられ、第１の排気系が作動し、再度反応室１ １が１０^-6Torr以下の真空領域に排気される。このとき、バルブ１５ｄは閉じら れているため、第２の排気系は第１の排気系、反応室から完全に分離され、トラ ップ１４に捕捉された捕捉物はガス化することなく、捕捉され続ける。

【００２０】 再度の処理の開始時に、反応室１１が第１の排気系により１０^-6Torr以下の真 空領域に排気されるとき、バルブ１５ｄを閉じることで、第２の排気系は第１の 排気系、反応室から完全に分離されることから、前の処理の際にトラップ１４に 捕捉された捕捉物はガス化され、飛散することなく捕捉され続ける。

【００２１】 トラップを洗浄する際、トラップを排気系から取り外す必要があるが、その際 バルブ１５ｄを予め閉じることで、反応室、第１の排気系を大気にさらすことな くトラップを取り外すことができる。

【００２２】

【考案の効果】

本考案にしたがって、ＣＶＤ装置の排気装置に使用されるトラップの前にバル ブを配置することで、トラップを他の排気装置、反応室と完全に分離でき、これ により、高真空領域への排気が容易になる。

【００２３】 また、このトラップの前に配置されたバルブにより、他の排気装置、反応室等 を大気にさらすことなくトラップを取り外すことができ、したがってトラップの メンテナンスも含めて、ＣＶＤ装置の維持管理が容易になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の排気装置を組み入れたＣＶＤ装置の略
示図である。

【図２】従来の排気装置を組み入れたＣＶＤ装置の略示
図である。

【符号の説明】

１０ 排気装置を組み入れたＣＶＤ装置 １１ 反応室 １２ ガス導入口 １３ 排気口 １４ トラップ １５ａ、１５ｂ １５ｃ、１５ｄ バルブ １６ コンダクダンス可変バルブ １７ 高真空用ポンプ １８ａ、１８ｂ ポンプ

Claims (5)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 化学気相成長を行う反応室を排気する排
   気装置において、反応室に生じた不要な生成物を捕捉す
   るために設けられたトラップを排気装置の残部から遮断
   する遮断手段を有することを特徴とする排気装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の排気装置であって、 当該排気装置が反応室を１０^-6Torr以下の高真空領域に
   排気する排気系を有し、前記遮断手段が前記トラップを
   前記排気系から遮断する、ところの排気装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の排気装置であって、 前記遮断手段がバルブである、ところの排気装置。
4. 【請求項４】 化学気相成長を行う反応室を高真空領域
   に排気する第１の排気系、および前記反応室を真空に排
   気する第２の排気系から成る排気装置において、反応室
   に生じた不要な生成物を捕捉するために第２の排気系に
   設けられたトラップを、第１の排気系から遮断する遮断
   手段を有することを特徴とする排気装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の排気装置であって、 前記第１の排気系が、処理の前または処理の後に要求さ
   れる１０^-6Torr以下の高真空領域に反応室を排気し、 前記第２の排気系が、処理中に要求される１０^-1Torr程
   度の真空に反応室を排気する、ところの排気装置。