JPH10125761A - 基板移載装置及び基板移載方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を良質の処理が施せるボートの位置へ装
填する。 【解決手段】 検知手段５がカセットストッカ１に格納
された処理対象基板の格納状況を検知し、検知結果と記
憶手段４に格納されたボート２の基板装填位置に関する
優先順序とに基づいて、パラメータ作成手段６が移載パ
ラメータを作成し、当該移載パラメータに基づいて、移
載手段７がカセットストッカ１から処理対象の基板及び
ダミー基板を取り出してボート２に装填する。このた
め、記憶手段４に格納している優先順序（例えば、良質
な成膜処理を施すことができる位置の順序等）に基づい
てボート２に処理対象の基板を装填することができ、処
理対象の基板を良質な処理が施せる位置へ装填できる。
したがって、半導体製造装置において基板に良質な成膜
処理等といった所定の処理を施すことができ、基板の品
質が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置の
ボートへ処理対象の基板とダミー基板とを移載する基板
移載装置及び基板移載方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造装置には、縦型拡散・ＣＶＤ
装置、水平型ＣＶＤ装置、等といったものがあり、半導
体ウェーハやガラス基板等といった処理対象の基板に対
して成膜処理等といった所定の処理を施している。この
ような半導体製造装置の一例として縦型拡散・ＣＶＤ装
置を図８を参照して説明する。

【０００３】この縦型拡散・ＣＶＤ装置では、成膜処理
を行うにあたって、まず、基板移載装置によって以下に
示す動作が行われる。複数枚のウェーハｗを収容した一
つ或いは複数個のカセットｃをカセットストッカ１へ格
納し、ウェーハｗを移載機７ｂによってカセットｃから
ボート２へ移載して装填する。そして、複数のウェーハ
ｗを装填した後に、ボート２を駆動して反応管８内へ導
入する。

【０００４】上記した動作によって図９に示すようにウ
ェーハｗを装填したボート２が反応管８内に導入される
と、縦型拡散・ＣＶＤ装置が成膜処理を開始する。すな
わち、縦型拡散・ＣＶＤ装置は、ウェーハｗに生成する
膜の成分を含んだ反応ガスを反応ガス供給管９から反応
管８上部に位置する反応ガス導入口１０を経て反応管８
内に導入する。次いで、反応管８内に導入したガスを反
応させてウェーハｗに薄膜を生成させ、反応によって発
生した排気ガスを反応管８下部に位置する排気口１１を
通じて排気管１２へ排出する。なお、この成膜処理中に
は、ヒータ１３を用いて反応管８を加熱し、反応ガスに
よる化学反応を促進させている。

【０００５】上記したような成膜処理ではボート２に装
填されているウェーハｗの枚数によって、反応ガスの流
れや、反応管８内の温度が相違してしまうために一定の
品質でウェーハｗに成膜処理を施すことができない。こ
のため、当該縦型拡散・ＣＶＤ装置の基板移載装置では
一定枚数（例えば、ボート２に装填できるウェーハｗの
最大枚数等）を設定しておき、この設定枚数のウェーハ
ｗをボート２に装填することで一定の品質でウェーハに
成膜処理を施すことを可能にしている。

【０００６】すなわち、基板移載装置は、処理対象のウ
ェーハｗｐが設定枚数あるときには当該処理対象のウェ
ーハｗｐをボート２に移載し、一方、製造上の都合等に
よって処理対象ウェーハｗｐが設定枚数に足りないとき
には、所定の移載方式に従って処理対象ウェーハｗｐと
ダミーウェーハｗｄとをボート２に移載することで、設
定枚数のウェーハｗをボート２に装填させて一定の品質
でウェーハｗに成膜処理を施すことを可能としている。
なお、ダミーウェーハｗｄは予めダミーカセットｃｄに
収容されて、カセットストッカ１に格納されている。

【０００７】上記した基板移載装置が処理対象ウェーハ
ｗｐとダミーウェーハｗｄとを移載する動作を図１０を
参照して説明する。なお、図８を適宜参照しながら説明
する。この基板移載装置は、複数の半導体製造装置を管
理している上位コンピュータ１４の主制御部１５に操作
部１６を通じて指示を与えることが可能となっており、
操作部１６では操作者がキー入力或いは予め指示を記憶
させたメモリカード等によって移載方式等の指示を行う
ことができる。なお、この指示に際しては、例えば、ウ
ェーハｗを収容しているカセットｃがカセットローダ２
４によってカセットストッカ１に格納されている状況を
カセットローダパネル２５で確認等をすることができ
る。

【０００８】そして、基板移載装置のＣＰＵ１７がデー
タ送受信部１８を介して操作者の指示を受け取った後
に、ＣＰＵ１７は指示に従った移載方式を行うプログラ
ムを記憶手段１９から取り出して実行を開始する。プロ
グラムに従って、ＣＰＵ１７は、データ入出力部２０を
介してソレノイド２１ａやセンサ２１ｂから送られる処
理カセットｃｐや処理対象ウェーハｗｐの数等といった
状態を検知し、検知した状態に基づいて処理対象のウェ
ーハｗｐに加えるダミーウェーハｗｄの数を求め、処理
対象のウェーハｗｐとダミーウェーハｗｄとの移載先と
なるボート２の装填領域を表す移載パラメータを作成す
る。次いで、移載パラメータに基づいて、動作制御部２
２がウェーハ移載機７ｂを駆動させて、処理対象のウェ
ーハｗｐ及びダミーウェーハｗｄをボート２へ移載す
る。そして、ボート２に一定枚数のウェーハｗを装填し
た後に、ボートローダ２３を駆動させてボート２を反応
管８へ導入する。

【０００９】上記した移載方式には、以下に示す移載方
式があり、これら移載方式をボートが設定枚数４０枚の
ウェーハｗを装填し、各カセットｃには１０枚のウェー
ハｗを収容することができる場合において、図１１
（ａ）に示す４つの処理カセットｃｐがカセットストッ
カ１に格納されている場合を例にとって説明する。な
お、ダミーウェーハｗｄを収容するダミーカセットｃｄ
もカセットストッカ１に格納されており、ダミーウェー
ハｗｄは、処理対象ウェーハｗｐが設定枚数に不足する
ウェーハｗの数を補うために必要な枚数分備えられてい
る。

【００１０】まず、第一移載方式を行った結果のボート
２のウェーハ装填状態を図１１（ｂ）に示す。この第一
移載方式は、ボート２の基板装填位置を予めカセットｃ
に収容できるウェーハｗの数１０枚毎の領域に分割し、
各領域に一つの処理カセットｃｐを割り当てる。そし
て、各領域では割り当てられた処理カセットｃｐに収容
されている処理対象のウェーハｗｐを領域の上から順に
装填し、領域内で空いている基板装填位置にダミーウェ
ーハｗｄを装填する方式である。

【００１１】第二移載方式を行った結果のボート２のウ
ェーハ装填状態を図１１（ｃ）に示す。この第二移載方
式は、４つの処理カセットｃｐに収容されている処理対
象ウェーハｗｐをボート２の上から順に装填し、ボート
２の空いている基板装填位置にダミーカセットｗｄを装
填する方式である。

【００１２】第三移載方式を行った結果のボート２のウ
ェーハ装填状態を図１１（ｄ）に示す。この第三移載方
式は、ボート２の基板装填位置を予めカセットに収容で
きるウェーハの数１０枚毎の領域に分割し、各領域に一
つの処理カセットｃｐを割り当てる。そして、各領域で
は割り当てられた処理カセットｃｐに収容されている処
理対象ウェーｗｐを処理カセットｃｐに収容されている
上からの位置をそのままにして装填し、領域内で空いて
いる基板装填位置にダミーウェーハｗｄを装填する方式
である。

【００１３】また、上記した例では４つの処理カセット
ｃｐがカセットストッカ１に格納されている場合を例に
取って説明したが、例えば図１１（ａ）に示す”処理カ
セット１”及び”処理カセット２”が収容されている場
合には、図１１（ｅ）に示すように、処理カセットｃｐ
に収容されている処理対象ウェーハｗｐをボート２の上
から順に装填し、空いている基板装填位置にダミーウェ
ーハｗｄを装填する第四移載方式がある。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上記したように縦型拡
散・ＣＶＤ装置では、反応管８上部の反応ガス導入口１
０から反応管８下部の排気口１１に向かって反応ガスを
流し、その間に反応させてウェーハｗに成膜処理を行っ
ているが、このような成膜処理では、反応ガス導入口１
０の近傍或いは排気口１１の近傍において反応ガスの流
れに乱れが生じるため、反応管８中央部に位置している
ウェーハｗに比べ、反応ガス導入口１０の近傍或いは排
気口１１の近傍に位置しているウェーハｗでは生成され
る薄膜の質が不均一となってしまうといった事態が生じ
ていた。

【００１５】しかしながら、従来の縦型拡散・ＣＶＤ装
置において行われている上記した基板の移載方式では、
この事態に考慮しておらず、いずれの方式であっても反
応ガス導入口近傍に処理対象の基板が位置することとな
り、ウェーハへ十分な品質をもって成膜処理することが
できないといった問題が生じていた。

【００１６】また、このように反応管内に置いてウェー
ハ等の基板が位置する場所によって十分な品質をもって
成膜処理等をすることができないといった事態は、上記
した縦型拡散・ＣＶＤ装置に限らず、水平型ＣＶＤ装置
といった他の半導体製造装置においても生じており、同
様な問題が生じていた。本発明は上記した従来の事情に
鑑みなされたもので、基板の品質を向上することのでき
る半導体製造装置の基板移載装置及び基板移載方法を提
供することを目的としている。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために本発明に係る基板移載装置は、半導体製造装置の
反応管に導入されるボートを備え、当該ボートは基板を
装填する複数の基板装填位置を有し、当該基板装填位置
へ移載パラメータに基づいて処理対象の基板と補充ダミ
ー基板とを移載して装填する基板移載装置において、処
理対象の基板とダミー基板とを格納する基板ストッカ
と、基板を移載する際に移載先となるボートの基板装填
位置に関する優先順序情報を格納する記憶手段と、基板
ストッカに格納された処理対象基板の格納状況を検出す
る検知手段と、検知手段が検知した処理対象基板の格納
状況と記憶手段に格納された優先順序情報とに基づいて
移載パラメータを作成するパラメータ作成手段と、パラ
メータ作成手段が作成した移載パラメータに基づいて基
板をボートへ移載する移載手段と、を備えたことを特徴
とする。

【００１８】上記した半導体製造装置の基板移載装置で
は、検知手段が基板ストッカに格納された処理対象基板
の格納状況を検知し、検知結果と記憶手段に格納された
ボートの基板装填位置に関する優先順序情報とに基づい
て、パラメータ作成手段が移載パラメータを作成し、当
該移載パラメータに基づいて、移載手段が処理基板スト
ッカから処理対象の基板及びダミー基板を取り出してボ
ートに装填する。したがって、記憶手段に格納されてい
る、例えば、良質な成膜処理を施すことができる位置の
優先順序等といった優先順序情報に基づいてボートに処
理対象の基板を装填することができるため、半導体製造
装置において基板に良質な成膜処理等といった所定の処
理を施すことができ、基板の品質を向上する。

【００１９】すなわち、本発明に係る基板移載方法で実
施されているように、反応管内にボートを導入したとき
に、当該反応管内の所定の処理条件を満たす領域に集中
させて処理対象の基板をボートに装填することができ、
半導体製造装置において処理対象の基板に対して所定の
処理条件を満たす条件下での処理が実現されて、基板へ
良質な処理を施すことができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体製造装置の基
板移載装置及び基板移載方法の一例として縦型拡散・Ｃ
ＶＤ装置の基板移載装置及び基板移載方法を図１を参照
して説明する。なお、縦型拡散・ＣＶＤ装置は図８に示
す構成となっている。この基板移載装置は、処理対象ウ
ェーハｗｐとダミーウェーハｗｄを格納するカセットス
トッカ１と、複数のウェーハｗを装填するボート２と、
ボート２の基板装填位置の優先順序情報を設定する設定
手段３と、設定手段３による基板装填位置の優先順序情
報を格納する記憶手段４と、カセットストッカ１に格納
された処理対象ウェーハの格納状況を検知する検知手段
５と、記憶手段４に格納された優先順序情報とカセット
ストッカ１に格納された処理対象ウェーハの格納状況と
に基づいて移載パラメータを作成するパラメータ作成手
段６と、移載パラメータに基づいてカセットストッカ１
からボート２へウェーハを移載する移載手段７と、を備
えている。

【００２１】カセットストッカ１は、処理対象ウェーハ
ｗｐを収容する処理カセットｃｐとダミーウェーハｗｄ
を収容するダミーカセットｃｄとを複数格納することが
できる。そして、カセットストッカ１には、ダミーカセ
ットｃｄがダミーウェーハｗｄを収容した状態で格納さ
れたままになっているのに対し、処理カセットｃｐは成
膜処理が行われる毎に処理対象ウェーハｗｐを収容した
状態で格納され、成膜処理が終わった後に取り出され
る。

【００２２】ボート２は、基板装填位置を複数（例え
ば、４０）有しており、各基板装填位置には処理対象ウ
ェーハ或いはダミーウェーハが一枚ずつ装填され、設定
枚数のウェーハが装填された後に駆動されて反応管８内
に導入される。なお、本実施例では、設定枚数と基板装
填位置の数とは同数になっており、設定枚数のウェーハ
ｗを収容することのできるカセットｃの数（例えば、本
実施例の１０枚のウェーハｗを収容することのできるカ
セットｃでは４個）を設定カセット数としている。

【００２３】設定手段３は、設定情報を表示するディス
プレイ等といった表示手段３ａと、操作者の指示を入力
するキーボード等といった入力手段３ｂと、を備えてお
り、ボート２の基板装填位置に関する優先順序情報と、
基板移載方式とを設定する。

【００２４】操作者がボート２の基板装填位置に関する
優先順序情報を設定する場合には、例えばボート２の基
板装填位置をカセットに収容できるウェーハ数を単位と
して分けた図２（ａ）に示す各領域に対して、ダミーウ
ェーハｗｄを移載していく優先順序情報を入力手段３ｂ
によって設定する。この優先順序情報を、例えば、ボー
ト２を反応管８に導入した際に反応管８の上部或いは反
応管８の下部といった成膜処理の品質が悪い場所に位置
する領域から設定することによって、当該領域からダミ
ーウェーハｗｄを装填させることができ、処理対象ウェ
ーハｗｐを成膜処理が十分な品質で行える領域へ装填す
ることができる。

【００２５】また、基板移載方式を設定する場合には、
図２（ｂ）に示す表示手段３ａの画面上に表示された情
報に対して入力手段３ｂによって基板移載方式を示す数
字を入力する。なお、本発明に係る基板移載装置の特徴
である基板移載方式は”５”を入力することによって設
定できるが、従来例で説明した基板移載方式も番号（第
一基板移載方式であれば”１”といった番号）を入力し
て設定できる。

【００２６】記憶手段４は、ＲＡＭ等といった読み出し
書き込み自在な記憶装置で構成されており、図３に示す
ように設定手段３によって設定されたボート２の基板装
填位置に関する優先順序情報及び基板の移載方式を格納
する。検知手段５は、カセットストッカ１に格納された
処理カセットｃｐの数と、処理対象ウェーハｗｐの数を
検知する装置であり、処理カセットｃｐの数を検知を行
う場合には、例えば、カセットストッカ１の処理カセッ
トｃｐを格納する場所それぞれに、処理カセットｃｐが
格納されたことを重さで検知するセンサ、例えばバネ等
の収縮を利用して処理カセットが格納されたことを検知
するセンサ等を備えて処理カセットｃｐの有無を検知す
ることによって、処理カセットｃｐの数を検知する。ま
た、検知手段５は、処理対象ウェーハｗｐの数を検出す
る場合には、例えば、処理カセットｃｐに対して処理対
象ウェーハｗｐが収容されているか否かを検出する光学
的センサによって、処理対象ウェーハｗｐの数を検知す
る。

【００２７】パラメータ作成手段６は、検知手段５によ
って検知された処理カセットｃｐの数及び処理対象ウェ
ーハｗｐの数と、記憶手段４に格納されているボート２
の基板装填位置に関する優先順序情報と、に基づいて後
述して説明する第五基板移載方式を行うために処理対象
ウェーハｗｐとダミーウェーハｗｄとをボート２のどの
基板装填位置に装填するかを表す移載パラメータを作成
する。

【００２８】上記した第五基板移載方式とは、ボート２
の基板装填位置を予めカセットｃに収容できるウェーハ
ｗの枚数毎に領域として分割しておき、処理カセットｃ
ｐの数が設定カセット数より少ない場合には、処理カセ
ットｃｐの数が設定カセット数より少ない数の領域を、
記憶手段４に格納されている優先順序情報に従って選択
し、当該領域にダミーウェーハｗｄを装填する。そし
て、処理カセットｃｐに残りの領域を割り当て、処理カ
セットｃｐに収容されている処理対象ウェーハｗｐを、
割り当てられた領域の上から順に装填する。更に、例え
ば図１１（ａ）の示すように処理カセットｃｐに収容さ
れている処理対象ウェーハｗｐがカセットｃの規定枚数
に満たない場合には、ボート２の領域に処理対象ウェー
ハｗｐを装填すると領域内に空いている基板装填位置が
できるが、当該基板装填位置に対してはダミーウェーハ
ｗｄを装填する。

【００２９】移載手段７は、ウェーハｗをボート２へ移
載するロボットアーム等といった移載機７ｂと、移載パ
ラメータに基づいて移載機７ｂを駆動する動作制御部７
ａと、を備えており、カセットストッカ１からボート２
へ処理対象ウェーハｗｐ或いはダミーウェーハｗｄを移
載パラメータに基づいて移載して装填する。

【００３０】次に本発明に係る縦型拡散・ＣＶＤ装置の
基板移載装置及び基板移載方法の動作を説明する。この
基板移載装置では、設定手段３によってボート２の基板
装填位置に関する優先順序情報の設定及び基板移載方式
の設定を行って記憶手段４に格納し、更に、カセットス
トッカ１に処理対象ウェーハｃｐが格納された後に図４
及び図５に示すウェーハｗの移載動作が開始される。

【００３１】まず、パラメータ作成手段６が記憶手段４
に格納されている基板移載方式を読み出し（ステップＳ
１）、基板移載方式が”１””２””３””４”である
場合（ステップＳ２、Ｓ４、Ｓ６、Ｓ８）は、従来の第
一移載方式、第二移載方式、第三移載方式、第四移載方
式を行うことを意味するので、従来から行われている該
当する移載方式で移載パラメータを作成する（ステップ
Ｓ３、Ｓ５、Ｓ７、Ｓ９）。そして、当該移載パラメー
タに従って移載手段７がカセットストッカ１に格納され
ている処理カセットｃｐ及びダミーカセットｃｄからウ
ェーハＷを取り出してボート２に移載し（ステップＳ１
２）、従来の移載方式を実行する。

【００３２】一方、基板移載方式が”５”である場合に
は（ステップＳ１０）、本発明に係る基板移載装置の特
徴である基板移載方式を行うことを意味しており、第五
移載方式の移載パラメータ作成処理を行う（ステップＳ
１１）。

【００３３】この第五移載方式の移載パラメータ作成処
理では、検知手段５がカセットストッカ１に格納されて
いる処理カセットｃｐの数を検知し、パラメータ作成手
段６が検知した処理カセットｃｐの数と設定カセット数
とを比較する（ステップＳ１４）。この結果、処理カセ
ットｃｐの数が設定カセット数以上の場合には、例え
ば、第一移載方式等といった従来の移載方式によって移
載パラメータを作成する（ステップＳ１６）。一方、処
理カセットｃｐが設定カセット数より少ない場合には、
パラメータ作成手段６が処理カセット数が設定カセット
数に不足している数を算出し、この不足数分と同数の領
域を記憶手段４に格納されている優先順序情報に従って
選択する。

【００３４】そして、当該選択した領域の各基板装填位
置へダミーウェーハｗｄを移載させる移載パラメータを
作成し、選択されなかった残りの領域に対して、一つの
領域へ一つの処理カセットｃｐが収容した処理対象ウェ
ーハｗｐを領域の上から順に移載させる移載パラメータ
を作成する。なお、例えば図１１（ａ）の示すように処
理カセットｃｐに収容されている処理対象ウェーハｗｐ
がカセットｃの規定枚数に満たない場合には、ボート２
の領域に処理対象ウェーハｗｐを装填すると領域内に空
いている基板装填位置ができるが、当該基板装填位置に
対してはダミーウェーハｗｄを移載させる移載パラメー
タを作成する（ステップＳ１５）。

【００３５】例えば、図６（ａ）に示す優先順序情報と
なっている場合において、カセットストッカ１に図１１
（ａ）に示す”処理カセット１”が格納されている場合
には、ボート２へ図６（ｂ）に示す状態でウェーハｗを
装填する移載パラメータが作成される。すなわち、処理
カセット数が”１”、設定カセット数が”４”となって
いる場合には、３つの領域が優先順序情報に従って選択
される。この選択によって”優先順序情報１〜３”の”
領域４”、”領域１”、”領域３”が選択されることと
なり、当該領域にダミーウェーハｗｄを装填させる移載
パラメータが作成される。一方、残った”優先順序情報
４”の”領域２”に、”処理カセット１”に収容された
処理対象ウェーハｗｐを上から順に装填し、空いている
部分にダミーウェーハｗｄを更に装填させる移載パラメ
ータが作成される。

【００３６】また、図６（ａ）に示す優先順序情報とな
っている場合において、カセットストッカ１に図１１
（ａ）に示す”処理カセット１”及び”処理カセット
２”が格納されている場合には、上記と同様な動作によ
ってボート２へ図６（ｃ）に示す状態でウェーハｗを装
填する移載パラメータが作成される。移載パラメータが
作成されると（Ｓ１５、Ｓ１６）、当該移載パラメータ
に従って移載手段７がカセットストッカ１に格納されて
いる処理カセットｃｐ及びダミーカセットｃｄからウェ
ーハＷを取り出してボート２に移載する。この結果、ボ
ート２には、記憶装置４に格納されている優先順序情報
に従ってダミーウェーハｗｄが装填されることとなる。

【００３７】上記したように、ボート２には優先順序情
報に従ってダミーウェーハｗｄが装填されるために、ボ
ート２を反応管８内に導入したときに成膜処理を十分な
品質で行うことができない領域から優先順序情報を設定
することにより、ダミーウェーハｗｄが成膜処理を十分
な品質で行うことができない領域から装填され、処理対
象ウェーハｗｐは十分な品質の処理を施せる領域に装填
されることとなり、処理対象ウェーハｗｐへ良質な成膜
処理を施すことができる。

【００３８】なお、上記した実施例は、従来の第四移載
方式に対して本発明を適用した例であるが、従来の第一
移載方式に適用する場合には、ボート２の基板装填位置
をカセットｃに収容できるウェーハｗの数を単位として
分けた図６（ａ）に示す各領域毎にダミーウェーハｗｄ
を移載していく優先順序情報（例えば、”領域１”は上
から順にダミーウェーハｗｄを装填し、”領域４”は下
から順にダミーウェーハｗｄを装填するといった優先順
序）を記憶手段４に格納しておき、パラメータ作成手段
６がこの優先順序情報に従って移載パラメータを作成す
るように構成すればよい。この構成によって、例えば、
図１１（ａ）に示す４つの処理カセットｃｐがカセット
ストッカ１に格納されている場合には、図７（ａ）に示
す状態でウェーハｗをボート２に装填することができ、
処理対象ウェーハｗｐを成膜処理の品質が良い位置へ装
填することができる。

【００３９】また、従来の第二移載方式に本発明を適用
する場合には、ボート２の各基板移載位置に対しての優
先順序情報（例えば、反応室８上部及び反応室８下部の
位置からダミーウェーハｗｄを装填するといった優先順
序）を記憶手段４に格納しておき、パラメータ作成手段
６がこの優先順序情報に従って移載パラメータを作成す
るように構成すればよい。この構成によって、例えば、
図１１（ａ）に示す４つの処理カセットｃｐがカセット
ストッカ１に格納されている場合には、図７（ｂ）に示
す状態でボート２に装填することができ、処理対象ウェ
ーハｗｐを成膜処理の品質が良い位置へ装填することが
できる。

【００４０】上記したように、本発明は第四移載方式に
関わらず、多種の移載方式に適用することができ、本発
明は、ボート２において処理の品質が悪い位置からダミ
ーウェーハｗｄを装填する優先順序情報を記憶手段４に
格納しておき、その優先順序情報に基づいてダミーウェ
ーハｗｄを移載をさせ、処理対象ウェーハｗｐを処理の
品質が良い位置に装填させる構成としておけばよい。

【００４１】なお、上記した実施例ではダミーウェーハ
ｗｄの装填する基板装填位置に関する優先順序情報とし
て処理の品質の悪い場所からの優先順序情報を用いてい
たが、処理対象ウェーハｗｐを装填する基板装填位置ｗ
に関する優先順序情報を処理の質の良い場所からの優先
順序情報として用いてもよく、要は、反応管内の所定の
処理条件を満たす領域に集中させて処理対象ウェーハを
装填することができればよい。

【００４２】なお、上記した実施例では、基板装填位置
に関する優先順序情報を処理対象ウェーハｗｐの処理の
品質を良くするために用いていたが、例えば、使用者が
必要とする所定の処理の質を満たす位置に関する優先順
序情報としても良く、この場合には、使用者の必要とし
ている処理の品質となった処理対象ウェーハｗｐを得る
ことができる。なお、上記した実施例では設定手段３を
設けて処理条件等によって使用者が優先順序情報の設定
を変えられるようにしていたが、予め基板移載装置の製
造時等にＲＯＭ等といった記憶手段４へ優先順序情報を
格納しておく場合には、設定手段３を備える必要はな
い。

【００４３】なお、上記した縦型拡散・ＣＶＤ装置の基
板移載装置及び基板移載方法に限らず、水平型ＣＶＤ装
置、その他広く一般の半導体製造装置の基板移載装置及
び基板移載方法に本発明を適用することができる。

【００４４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体製造装置の基板移載装置では、基板装填位置に関する
優先順序情報と、基板ストッカに格納されている処理対
象基板の格納状況とに基づいて、移載パラメータを作成
し、移載パラメータに基づいて基板をボートへ移載する
ようにしたために、良質の処理を施すことのできるボー
トの基板装填位置に基板を装填することができ、基板へ
良質の処理を施すことが可能となる。また、本発明に係
る半導体製造装置の基板移載方法では、反応管内にボー
トを導入したときに、反応管内の所定の処理条件を満た
す領域に集中させて処理対象の基板を装填させるように
したために、処理対象の基板に良質の処理を施すことが
可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例に係る基板移載装置の構成
図である。

【図２】 ボートの基板装填位置に関する優先順序情報
の設定及び基板移載方式の設定を説明する図である。

【図３】 記憶手段におけるボートの基板装填位置に関
する優先順序情報の格納状態を説明する図である。

【図４】 本発明の一実施例に係る基板移載装置の基板
移載方式を選択する手順を説明するフローチャートであ
る。

【図５】 本発明の一実施例に係る基板移載装置の移載
パラメータを作成する動作を説明するフローチャートで
ある。

【図６】 本発明の一実施例に係る基板移載装置による
基板の移載状況を説明する図である。

【図７】 本発明を他の基板移載方式に適用した基板の
移載状況を説明する図である。

【図８】 縦型拡散・ＣＶＤ装置の構成を説明する図で
ある。

【図９】 縦型拡散・ＣＶＤ装置の反応管の構成及び反
応管での成膜処理を説明する図である。

【図１０】 従来例に係る基板移載装置の構成図であ
る。

【図１１】 従来例に係る基板移載装置による基板移載
方式を説明する図である。

【符号の説明】

１・・カセットストッカ、 ２・・ボート、４・・記憶
手段、 ５・・検知手段、６・・パラメータ作成手段、
７・・移載手段、

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体製造装置の反応管に導入されるボ
   ートを備え、当該ボートは基板を装填する複数の基板装
   填位置を有し、当該基板装填位置へ移載パラメータに基
   づいて処理対象の基板と補充ダミー基板とを移載して装
   填する基板移載装置において、 処理対象の基板とダミー基板とを格納する基板ストッカ
   と、 基板を移載する際に移載先となるボートの基板装填位置
   に関する優先順序情報を格納する記憶手段と、 基板ストッカに格納された処理対象基板の格納状況を検
   知する検知手段と、 検知手段が検知した処理対象基板の格納状況と、記憶手
   段に格納された優先順序情報とに基づいて移載パラメー
   タを作成するパラメータ作成手段と、 パラメータ作成手段が作成した移載パラメータに基づい
   て基板をボートへ移載する移載手段と、を備えたことを
   特徴とする基板移載装置。
2. 【請求項２】 半導体製造装置の反応管に導入されるボ
   ートに処理対象の基板とダミー基板とを装填する基板移
   載方法において、 反応管内にボートを導入したときに、当該反応管内の所
   定の処理条件を満たす領域に集中させて処理対象の基板
   をボートに装填することを特徴とする基板移載方法。