JPH10125962A - 熱電変換装置 - Google Patents
熱電変換装置Info
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- JPH10125962A JPH10125962A JP8279525A JP27952596A JPH10125962A JP H10125962 A JPH10125962 A JP H10125962A JP 8279525 A JP8279525 A JP 8279525A JP 27952596 A JP27952596 A JP 27952596A JP H10125962 A JPH10125962 A JP H10125962A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/13—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Devices That Are Associated With Refrigeration Equipment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 性能ならびに生産性に優れた熱電変換装置を
提供する。 【解決手段】 吸熱側熱導体１ならびに放熱側熱導体３
のうちのいずれか一方の熱導体が実質的に１つで、その
１つの熱導体１に対して前記複数の熱電変換素子群４
ａ，４ｂが設置され、各熱電変換素子群４ａ，４ｂに対
して前記吸熱側熱導体１ならびに放熱側熱導体３のうち
のいずれか他方の熱導体３が個別に分割（３ａ，３ｂ）
されて設けられていることを特徴とする。
提供する。 【解決手段】 吸熱側熱導体１ならびに放熱側熱導体３
のうちのいずれか一方の熱導体が実質的に１つで、その
１つの熱導体１に対して前記複数の熱電変換素子群４
ａ，４ｂが設置され、各熱電変換素子群４ａ，４ｂに対
して前記吸熱側熱導体１ならびに放熱側熱導体３のうち
のいずれか他方の熱導体３が個別に分割（３ａ，３ｂ）
されて設けられていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば冷蔵庫、冷
凍庫、温蔵庫、除湿器などに使用される熱電変換装置に
係り、特に複数の熱電変換素子群を用いる熱電変換装置
に関する。
凍庫、温蔵庫、除湿器などに使用される熱電変換装置に
係り、特に複数の熱電変換素子群を用いる熱電変換装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、複数の熱電変換素子群を用いた
従来の熱電変換装置を示す概略構成図である。１つの吸
熱側熱導体５１と１つの放熱側熱導体５２の間に、複数
の熱電変換素子群５３ａ，５３ｂが所定の間隔をおいて
介在され、吸熱側熱導体５１と放熱側熱導体５２は合成
樹脂製のボルト５４により重合方向に締め付けられてい
る。図中の５５は放熱側熱導体５２に設けられた放熱フ
ィン、５６は熱電変換素子群５３ａ，５３ｂに接続され
たリード線である。
従来の熱電変換装置を示す概略構成図である。１つの吸
熱側熱導体５１と１つの放熱側熱導体５２の間に、複数
の熱電変換素子群５３ａ，５３ｂが所定の間隔をおいて
介在され、吸熱側熱導体５１と放熱側熱導体５２は合成
樹脂製のボルト５４により重合方向に締め付けられてい
る。図中の５５は放熱側熱導体５２に設けられた放熱フ
ィン、５６は熱電変換素子群５３ａ，５３ｂに接続され
たリード線である。
【０００３】前記ボルト５４の締め付け力により、吸熱
側熱導体５１と熱電変換素子群５３ａ，５３ｂの間、な
らびに放熱側熱導体５２と熱電変換素子群５３ａ，５３
ｂの間の密着が図れている。図示していないが熱電変換
素子群５３ａ，５３ｂは、所定数の吸熱側電極と、放熱
側電極と、両電極の間に並設されたＮ型半導体チップな
らびにＰ型半導体チップから構成されている。
側熱導体５１と熱電変換素子群５３ａ，５３ｂの間、な
らびに放熱側熱導体５２と熱電変換素子群５３ａ，５３
ｂの間の密着が図れている。図示していないが熱電変換
素子群５３ａ，５３ｂは、所定数の吸熱側電極と、放熱
側電極と、両電極の間に並設されたＮ型半導体チップな
らびにＰ型半導体チップから構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで従来の熱電変
換装置は、１つの吸熱側熱導体５１と１つの放熱側熱導
体５２の間に複数の熱電変換素子群５３ａ，５３ｂが介
在され、吸熱側熱導体５１と放熱側熱導体５２の間がボ
ルト５４で締め付けられた構造になっているから、熱電
変換素子群５３ａ，５３ｂ間で高さにバラツキがある
と、高い方の熱電変換素子群５３は吸熱側熱導体５１な
らびに放熱側熱導体５２に強圧されて、破損したり、大
きな内部応力が発生する。一方、低い方の熱電変換素子
群５３は吸熱側熱導体５１ならびに放熱側熱導体５２と
の密着が悪い。
換装置は、１つの吸熱側熱導体５１と１つの放熱側熱導
体５２の間に複数の熱電変換素子群５３ａ，５３ｂが介
在され、吸熱側熱導体５１と放熱側熱導体５２の間がボ
ルト５４で締め付けられた構造になっているから、熱電
変換素子群５３ａ，５３ｂ間で高さにバラツキがある
と、高い方の熱電変換素子群５３は吸熱側熱導体５１な
らびに放熱側熱導体５２に強圧されて、破損したり、大
きな内部応力が発生する。一方、低い方の熱電変換素子
群５３は吸熱側熱導体５１ならびに放熱側熱導体５２と
の密着が悪い。
【０００５】このようなことから、高い熱電変換効率が
得られず、しかも耐用寿命が短い。また熱電変換素子群
５３ａ，５３ｂ間の高さのバラツキを少なくすために
は、厳密な工程管理が要求され、そのために生産性が低
下するなどの諸種の欠点を有している。
得られず、しかも耐用寿命が短い。また熱電変換素子群
５３ａ，５３ｂ間の高さのバラツキを少なくすために
は、厳密な工程管理が要求され、そのために生産性が低
下するなどの諸種の欠点を有している。
【０００６】本発明の目的は、このような従来技術の欠
点を解消し、性能ならびに生産性に優れた熱電変換装置
を提供することにある。
点を解消し、性能ならびに生産性に優れた熱電変換装置
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、吸熱側熱導体と放熱側熱導体の間に複数
の熱電変換素子群が介在された熱電変換装置において、
前記吸熱側熱導体ならびに放熱側熱導体のうちのいずれ
か一方の熱導体が実質的に１つで、その１つの熱導体に
対して前記複数の熱電変換素子群が設置され、各熱電変
換素子群に対して前記吸熱側熱導体ならびに放熱側熱導
体のうちのいずれか他方の熱導体が個別に分割されて設
けられていることを特徴とするものである。
め、本発明は、吸熱側熱導体と放熱側熱導体の間に複数
の熱電変換素子群が介在された熱電変換装置において、
前記吸熱側熱導体ならびに放熱側熱導体のうちのいずれ
か一方の熱導体が実質的に１つで、その１つの熱導体に
対して前記複数の熱電変換素子群が設置され、各熱電変
換素子群に対して前記吸熱側熱導体ならびに放熱側熱導
体のうちのいずれか他方の熱導体が個別に分割されて設
けられていることを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明は前述のように、各熱電変
換素子群に対して他方の熱導体が分割されて個別に設け
られているから、熱電変換素子群間で高さのバラツキが
あっても、そのバラツキに関係なく吸熱側熱導体と熱電
変換素子群の間、ならびに熱電変換素子群と放熱側熱導
体の間を密着させることができる。
換素子群に対して他方の熱導体が分割されて個別に設け
られているから、熱電変換素子群間で高さのバラツキが
あっても、そのバラツキに関係なく吸熱側熱導体と熱電
変換素子群の間、ならびに熱電変換素子群と放熱側熱導
体の間を密着させることができる。
【０００９】そのため従来のように半導体チップなどが
破損したり、内部応力が発生したりすることなく、性能
的にも耐用寿命も優れている。また、厳密な工程管理が
要求されないため、生産性の向上が図れる。
破損したり、内部応力が発生したりすることなく、性能
的にも耐用寿命も優れている。また、厳密な工程管理が
要求されないため、生産性の向上が図れる。
【００１０】次に本発明の実施の形態を図とともに説明
する。図１ないし図５は第１の実施の形態を説明するた
めのもので、図１は大部分を断面にした熱電変換装置の
正面図、図２は一部を断面にした熱電変換装置の側面
図、図３は熱電変換装置の平面図、図４は熱電変換装置
の底面図、図５はこの熱電変換装置に使用するスケルト
ンタイプの熱電変換素子群の拡大断面図である。
する。図１ないし図５は第１の実施の形態を説明するた
めのもので、図１は大部分を断面にした熱電変換装置の
正面図、図２は一部を断面にした熱電変換装置の側面
図、図３は熱電変換装置の平面図、図４は熱電変換装置
の底面図、図５はこの熱電変換装置に使用するスケルト
ンタイプの熱電変換素子群の拡大断面図である。
【００１１】例えばアルミニウム製のインナー吸熱側熱
導体１の所定位置に、複数（本実施の形態では２個）の
ブロック状をしたアルミニウム製のアウター第１吸熱側
熱導体２ａとアウター第２吸熱側熱導体２ｂが一体に接
合されている。このアウター第１吸熱側熱導体２ａと対
向する位置に第１放熱側熱導体３ａが、アウター第２吸
熱側熱導体２ｂと対向する位置に第２放熱側熱導体３ｂ
が、それぞれ離れて（分割されて）配置されている。第
１放熱側熱導体３ａならびに第２放熱側熱導体３ｂに
は、多数の放熱フィン５ａ，５ｂが一体に設けられて空
冷で効率よく冷却できるようになっている。なお、前記
吸熱側熱導体２と放熱側熱導体３は、アルマイト処理な
どの絶縁処理が施されている。
導体１の所定位置に、複数（本実施の形態では２個）の
ブロック状をしたアルミニウム製のアウター第１吸熱側
熱導体２ａとアウター第２吸熱側熱導体２ｂが一体に接
合されている。このアウター第１吸熱側熱導体２ａと対
向する位置に第１放熱側熱導体３ａが、アウター第２吸
熱側熱導体２ｂと対向する位置に第２放熱側熱導体３ｂ
が、それぞれ離れて（分割されて）配置されている。第
１放熱側熱導体３ａならびに第２放熱側熱導体３ｂに
は、多数の放熱フィン５ａ，５ｂが一体に設けられて空
冷で効率よく冷却できるようになっている。なお、前記
吸熱側熱導体２と放熱側熱導体３は、アルマイト処理な
どの絶縁処理が施されている。
【００１２】そしてアウター第１吸熱側熱導体２ａと第
１放熱側熱導体３ａの間に第１熱電変換素子群４ａが、
アウター第２吸熱側熱導体２ｂと第２放熱側熱導体３ｂ
の間に第２熱電変換素子群４ｂが、それぞれ介在されて
いる。この熱電変換素子群４ａ，４ｂは両側若しくは片
側の基板を省略したスケルトンタイプのもので、図５に
示すように所定数の吸熱側電極６と、放熱側電極７と、
吸熱側電極６と放熱側電極７の間に介在されたＰ型半導
体チップ８ならびにＮ型半導体チップ９とから構成さ
れ、Ｐ型半導体チップ８とＮ型半導体チップ９は電極
７，８により直列に接続されている。
１放熱側熱導体３ａの間に第１熱電変換素子群４ａが、
アウター第２吸熱側熱導体２ｂと第２放熱側熱導体３ｂ
の間に第２熱電変換素子群４ｂが、それぞれ介在されて
いる。この熱電変換素子群４ａ，４ｂは両側若しくは片
側の基板を省略したスケルトンタイプのもので、図５に
示すように所定数の吸熱側電極６と、放熱側電極７と、
吸熱側電極６と放熱側電極７の間に介在されたＰ型半導
体チップ８ならびにＮ型半導体チップ９とから構成さ
れ、Ｐ型半導体チップ８とＮ型半導体チップ９は電極
７，８により直列に接続されている。
【００１３】前記アウター第１吸熱側熱導体２ａと第１
熱電変換素子群４ａを取り囲むように、インナー吸熱側
熱導体１と第１放熱側熱導体３ａの間に第１枠体１０ａ
が介在され、また、アウター第２吸熱側熱導体２ｂと第
２熱電変換素子群４ｂを取り囲むように、インナー吸熱
側熱導体１と第２放熱側熱導体３ｂの間に第２枠体１０
ｂが介在されている。
熱電変換素子群４ａを取り囲むように、インナー吸熱側
熱導体１と第１放熱側熱導体３ａの間に第１枠体１０ａ
が介在され、また、アウター第２吸熱側熱導体２ｂと第
２熱電変換素子群４ｂを取り囲むように、インナー吸熱
側熱導体１と第２放熱側熱導体３ｂの間に第２枠体１０
ｂが介在されている。
【００１４】この枠体１０は合成樹脂で成形され、イン
ナー吸熱側熱導体１と枠体１０の接面ならびに放熱側熱
導体３と枠体１０の接面は、接着剤１１とネジ１２によ
って気液密に接合される。なお、ネジ１２による締結
は、接着剤１１が硬化した後に行なわれる。また、図２
ならびに図４に示すように、インナー吸熱側熱導体１の
枠体１０より内側の位置には、ガス抜き孔１３が複数個
形成され、接着剤１１が硬化した後に封止ネジ１４によ
りガス抜き孔１３が塞がれる。ガス抜き孔１３を設けな
いと、放熱側熱導体３と熱電変換素子群４と枠体１０を
接合したユニットを吸熱側熱導体１に接着するとき、枠
体内部の空気が未硬化の接着剤１１を押し出して隙間が
形成され、その隙間から空気中の水分が内部に浸透し
て、性能劣化をきたす。このような弊害を解消するため
にガス抜き孔１３が設けられ、ガスを抜いた後に封止ネ
ジ１４によりガス抜き孔１３が閉塞される。
ナー吸熱側熱導体１と枠体１０の接面ならびに放熱側熱
導体３と枠体１０の接面は、接着剤１１とネジ１２によ
って気液密に接合される。なお、ネジ１２による締結
は、接着剤１１が硬化した後に行なわれる。また、図２
ならびに図４に示すように、インナー吸熱側熱導体１の
枠体１０より内側の位置には、ガス抜き孔１３が複数個
形成され、接着剤１１が硬化した後に封止ネジ１４によ
りガス抜き孔１３が塞がれる。ガス抜き孔１３を設けな
いと、放熱側熱導体３と熱電変換素子群４と枠体１０を
接合したユニットを吸熱側熱導体１に接着するとき、枠
体内部の空気が未硬化の接着剤１１を押し出して隙間が
形成され、その隙間から空気中の水分が内部に浸透し
て、性能劣化をきたす。このような弊害を解消するため
にガス抜き孔１３が設けられ、ガスを抜いた後に封止ネ
ジ１４によりガス抜き孔１３が閉塞される。
【００１５】図１ならびに図２中の１６はシリコーンゲ
ルなどの熱伝導性のよい弾性薄膜で、アウター吸熱側熱
導体２と熱電変換素子群４の間に介在されている。
ルなどの熱伝導性のよい弾性薄膜で、アウター吸熱側熱
導体２と熱電変換素子群４の間に介在されている。
【００１６】図３ならびに図４中の１５はリード線で、
この実施の形態では第１熱電変換素子群４ａと第２熱電
変換素子群４ｂが直列又は並列に接続されている。
この実施の形態では第１熱電変換素子群４ａと第２熱電
変換素子群４ｂが直列又は並列に接続されている。
【００１７】次にこの熱電変換装置の組み立て順序につ
いて説明する。 ．各放熱側熱導体３ａ，３ｂに熱電変換素子群４ａ，
４ｂを熱伝導性接着剤で貼り付ける。 ．熱電変換素子群４にリード線１５を接続する。
いて説明する。 ．各放熱側熱導体３ａ，３ｂに熱電変換素子群４ａ，
４ｂを熱伝導性接着剤で貼り付ける。 ．熱電変換素子群４にリード線１５を接続する。
【００１８】．熱電変換素子群４を取り付けた放熱側
熱導体３ａ，３ｂにそれぞれ枠体１０ａ，１０ｂを接着
剤１１で貼り付けてネジ止めする。 ．吸熱側熱導体２ａ，２ｂの表面に弾性薄膜１６を塗
布、形成する。また枠体１０ａ，１０ｂが接着される吸
熱側熱導体１の表面に接着剤１１を厚いめ（吸熱側熱導
体１と枠体１０ａ，１０ｂの隙間を埋める程度の厚さ）
に塗布する。 ．で形成された放熱側熱導体３−熱電変換素子群４
−枠体１０のユニットを、で形成した吸熱側熱導体１
に被せる。
熱導体３ａ，３ｂにそれぞれ枠体１０ａ，１０ｂを接着
剤１１で貼り付けてネジ止めする。 ．吸熱側熱導体２ａ，２ｂの表面に弾性薄膜１６を塗
布、形成する。また枠体１０ａ，１０ｂが接着される吸
熱側熱導体１の表面に接着剤１１を厚いめ（吸熱側熱導
体１と枠体１０ａ，１０ｂの隙間を埋める程度の厚さ）
に塗布する。 ．で形成された放熱側熱導体３−熱電変換素子群４
−枠体１０のユニットを、で形成した吸熱側熱導体１
に被せる。
【００１９】．接着剤１１が硬化した後、吸熱側熱導
体１と枠体１０の間をネジ締結する（剥がれ防止）。 ．ガス抜き孔１３をネジ１４と接着剤で塞ぐ。 図６は、本発明の第２の実施の形態に係る熱電変換装置
を示す図である。第１の実施の形態と相違する点は、イ
ンナー吸熱側熱導体１とアウター吸熱側熱導体２ａ，２
ｂが一体になって吸熱側熱導体２１を構成する点と、放
熱側の冷却方式が空冷から水冷に変更になった点であ
る。
体１と枠体１０の間をネジ締結する（剥がれ防止）。 ．ガス抜き孔１３をネジ１４と接着剤で塞ぐ。 図６は、本発明の第２の実施の形態に係る熱電変換装置
を示す図である。第１の実施の形態と相違する点は、イ
ンナー吸熱側熱導体１とアウター吸熱側熱導体２ａ，２
ｂが一体になって吸熱側熱導体２１を構成する点と、放
熱側の冷却方式が空冷から水冷に変更になった点であ
る。
【００２０】すなわち放熱側は、分割された放熱側熱導
体３ａ、３ｂと、下方開口部がその放熱側熱導体３ａ、
３ｂと液密に接合するケース体２２ａ，２２ｂと、その
ケース体２２ａ，２２ｂ内に設置された分散部材２３
ａ，２３ｂとから主に構成されている。
体３ａ、３ｂと、下方開口部がその放熱側熱導体３ａ、
３ｂと液密に接合するケース体２２ａ，２２ｂと、その
ケース体２２ａ，２２ｂ内に設置された分散部材２３
ａ，２３ｂとから主に構成されている。
【００２１】水などの熱移動媒体２４を供給管部２５
ａ，２５ｂから供給すると空間部２６ａ，２６ｂで一斉
に拡がり、分散部材２３ａ，２３ｂの噴射ノズル２５
ａ，２５ｂから放熱側熱導体３ａ、３ｂに向けて勢いよ
く噴射される。放熱側熱導体３ａ、３ｂに衝突して熱を
奪った熱移動媒体２４は集められて、排出管部２８ａ，
２８ｂから系外へ排出される。排出された熱移動媒体２
４は図示しないラジェターで冷却され、循環系統を通っ
て再利用される。
ａ，２５ｂから供給すると空間部２６ａ，２６ｂで一斉
に拡がり、分散部材２３ａ，２３ｂの噴射ノズル２５
ａ，２５ｂから放熱側熱導体３ａ、３ｂに向けて勢いよ
く噴射される。放熱側熱導体３ａ、３ｂに衝突して熱を
奪った熱移動媒体２４は集められて、排出管部２８ａ，
２８ｂから系外へ排出される。排出された熱移動媒体２
４は図示しないラジェターで冷却され、循環系統を通っ
て再利用される。
【００２２】前記実施の形態では放熱側を複数に分割し
たが、それとは反対に吸熱側を複数に分割することもで
きる。また分割数は２つに限られず、３つ以上であって
もよい。
たが、それとは反対に吸熱側を複数に分割することもで
きる。また分割数は２つに限られず、３つ以上であって
もよい。
【００２３】前記実施の形態ではスケルトンタイプの熱
電変換素子群を用いたが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、基板を用いる通常のタイプの熱電変換素子
群を用いることもできる。
電変換素子群を用いたが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、基板を用いる通常のタイプの熱電変換素子
群を用いることもできる。
【００２４】
【発明の効果】本発明は前述のように、各熱電変換素子
群に対して他方の熱導体が分割されて個別に設けられて
いるから、熱電変換素子群間で高さのバラツキがあって
も、そのバラツキに関係なく吸熱側熱導体と熱電変換素
子群の間、ならびに熱電変換素子群と放熱側熱導体の間
を密着させることができる。
群に対して他方の熱導体が分割されて個別に設けられて
いるから、熱電変換素子群間で高さのバラツキがあって
も、そのバラツキに関係なく吸熱側熱導体と熱電変換素
子群の間、ならびに熱電変換素子群と放熱側熱導体の間
を密着させることができる。
【００２５】そのため従来のように半導体チップなどが
破損したり、内部応力が発生したりすることなく、性能
的にも耐用寿命も優れている。また、厳密な工程管理が
要求されないため、生産性の向上が図れるなどの特長を
有している。
破損したり、内部応力が発生したりすることなく、性能
的にも耐用寿命も優れている。また、厳密な工程管理が
要求されないため、生産性の向上が図れるなどの特長を
有している。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る熱電変換装置
の大部分を断面にした正面図である。
の大部分を断面にした正面図である。
【図２】その熱電変換装置の一部を断面にした側面図で
ある。
ある。
【図３】その熱電変換装置の平面図である。
【図４】その熱電変換装置の底面図である。
【図５】その熱電変換装置に用いられるスケルトンタイ
プの熱電変換素子群の拡大断面図である。
プの熱電変換素子群の拡大断面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る熱電変換装置
の大部分を断面にした正面図である。
の大部分を断面にした正面図である。
【図７】従来の熱電変換装置の概略構成図である。
１ インナー吸熱側熱導体 ２ａ 第１アウター吸熱側熱導体 ２ｂ 第２アウター吸熱側熱導体 ３ａ 第１放熱側熱導体 ３ｂ 第２放熱側熱導体 ４ａ 第１熱電変換素子群 ４ｂ 第２熱電変換素子群 ５ 放熱フィン １０ａ 第１枠体 １０ｂ 第２枠体
Claims (4)
- 【請求項１】 吸熱側熱導体と放熱側熱導体の間に複数
の熱電変換素子群が介在された熱電変換装置において、 前記吸熱側熱導体ならびに放熱側熱導体のうちのいずれ
か一方の熱導体が実質的に１つで、その１つの熱導体に
対して前記複数の熱電変換素子群が設置され、各熱電変
換素子群に対して前記吸熱側熱導体ならびに放熱側熱導
体のうちのいずれか他方の熱導体が個別に分割されて設
けられていることを特徴とする熱電変換装置。 - 【請求項２】 請求項１記載において、前記熱電変換素
子群が少なくとも片側の基板を省略したスケルトンタイ
プの熱電変換素子群であることを特徴とする熱電変換装
置。 - 【請求項３】 請求項１記載において、前記各熱電変換
素子群が、前記１つの熱導体と他方の分割された熱導体
との間に介在された枠体によって個別に気液密に囲まれ
ていることを特徴とする熱電変換装置。 - 【請求項４】 請求項１記載において、前記熱導体と熱
電変換素子群の間に弾性薄膜が介在されていることを特
徴とする熱電変換装置。
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|---|---|---|---|
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| EP97203218A EP0838867A3 (en) | 1996-10-22 | 1997-10-16 | Thermoelectric module |
| US08/954,894 US6034317A (en) | 1996-10-22 | 1997-10-21 | Thermoelectric module |
| AU42799/97A AU739795B2 (en) | 1996-10-22 | 1997-10-22 | Thermoelectric module |
| CN97121321A CN1182342A (zh) | 1996-10-22 | 1997-10-22 | 热电组件 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8279525A JPH10125962A (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | 熱電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10125962A true JPH10125962A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17612242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8279525A Pending JPH10125962A (ja) | 1996-10-22 | 1996-10-22 | 熱電変換装置 |
Country Status (5)
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| EP (1) | EP0838867A3 (ja) |
| JP (1) | JPH10125962A (ja) |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1997-10-21 US US08/954,894 patent/US6034317A/en not_active Expired - Fee Related
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- 1997-10-22 AU AU42799/97A patent/AU739795B2/en not_active Ceased
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