JPH10126204A - 薄膜圧電素子 - Google Patents
薄膜圧電素子Info
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- JPH10126204A JPH10126204A JP8272297A JP27229796A JPH10126204A JP H10126204 A JPH10126204 A JP H10126204A JP 8272297 A JP8272297 A JP 8272297A JP 27229796 A JP27229796 A JP 27229796A JP H10126204 A JPH10126204 A JP H10126204A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気機械結合係数の大きいＰＺＴを用いて、
共振子、フィルタ等に適用した場合の帯域幅及び発振周
波数範囲が広い高周波用薄膜圧電素子を提供する。 【解決手段】 酸化膜を有するＳｉ基板上に、下地電極
層、ゾルゲル法によるＰＺＴ薄膜及び上部電極層を有す
る薄膜圧電素子。
共振子、フィルタ等に適用した場合の帯域幅及び発振周
波数範囲が広い高周波用薄膜圧電素子を提供する。 【解決手段】 酸化膜を有するＳｉ基板上に、下地電極
層、ゾルゲル法によるＰＺＴ薄膜及び上部電極層を有す
る薄膜圧電素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜圧電素子に係
り、特に、高周波域の弾性波を利用した共振器、フィル
タ等に好適な薄膜圧電素子に関する。
り、特に、高周波域の弾性波を利用した共振器、フィル
タ等に好適な薄膜圧電素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】圧電素子用の高周波用圧電材料として
は、例えば、常誘電体の窒化アルミニウム、酸化亜鉛、
或いは、強誘電体のチタン酸鉛等が用いられている。こ
れらの材料は、機械加工により薄く加工したとしても、
４０μｍ程度の厚みが限界であり、この程度の厚みのも
のでは、基本波の共振周波数は、いずれの材料でも数十
ＭＨｚが限界である。これらの材料を用いた高周波用薄
膜圧電素子においては、例えば５００ＭＨｚ以上の高い
共振周波数の基本波を得るためには、素子の厚みを１０
μｍ以下にする必要がある。
は、例えば、常誘電体の窒化アルミニウム、酸化亜鉛、
或いは、強誘電体のチタン酸鉛等が用いられている。こ
れらの材料は、機械加工により薄く加工したとしても、
４０μｍ程度の厚みが限界であり、この程度の厚みのも
のでは、基本波の共振周波数は、いずれの材料でも数十
ＭＨｚが限界である。これらの材料を用いた高周波用薄
膜圧電素子においては、例えば５００ＭＨｚ以上の高い
共振周波数の基本波を得るためには、素子の厚みを１０
μｍ以下にする必要がある。
【０００３】圧電材料の薄膜を得る方法としてスパッタ
法が公知であり、特開昭６０−３１３０５号公報には、
スパッタ法で酸化亜鉛及びチタン酸鉛の薄膜を形成した
圧電素子が記載されている。なお、この特開昭６０−３
１３０５号公報に記載される圧電素子は、基板の影響を
なくし、圧電体薄膜の振動特性を活かすために、基板の
一部をエッチングで除去している。
法が公知であり、特開昭６０−３１３０５号公報には、
スパッタ法で酸化亜鉛及びチタン酸鉛の薄膜を形成した
圧電素子が記載されている。なお、この特開昭６０−３
１３０５号公報に記載される圧電素子は、基板の影響を
なくし、圧電体薄膜の振動特性を活かすために、基板の
一部をエッチングで除去している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】窒化アルミニウムや酸
化亜鉛等のスパッタ薄膜よりなる圧電体薄膜は、電気機
械結合係数が２０〜３０％程度と小さいため、共振子、
フィルタ等を構成した場合、帯域幅及び発振周波数範囲
が限定される。なお、特開昭６０−３１３０５号公報で
は、この点を改善するために、基板の一部を除去してい
るが、このように基板を除去した場合、素子強度が低下
するという欠点がある。
化亜鉛等のスパッタ薄膜よりなる圧電体薄膜は、電気機
械結合係数が２０〜３０％程度と小さいため、共振子、
フィルタ等を構成した場合、帯域幅及び発振周波数範囲
が限定される。なお、特開昭６０−３１３０５号公報で
は、この点を改善するために、基板の一部を除去してい
るが、このように基板を除去した場合、素子強度が低下
するという欠点がある。
【０００５】電気機械結合係数の大きい圧電材料として
ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）があるが、ＰＺＴは、
良質な膜質の圧電体薄膜を得ることが困難である。例え
ば、スパッタ法では、厚み振動の共振を十分確認できる
ほど良好なＰＺＴ薄膜を形成できない。
ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）があるが、ＰＺＴは、
良質な膜質の圧電体薄膜を得ることが困難である。例え
ば、スパッタ法では、厚み振動の共振を十分確認できる
ほど良好なＰＺＴ薄膜を形成できない。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決し、電気
機械結合係数が大きく、共振子、フィルタ等に適用した
場合の帯域幅及び発振周波数範囲が広い高周波用薄膜圧
電素子を提供することを目的とする。
機械結合係数が大きく、共振子、フィルタ等に適用した
場合の帯域幅及び発振周波数範囲が広い高周波用薄膜圧
電素子を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜圧電素子
は、酸化膜を有するＳｉ基板と、該Ｓｉ基板の該酸化膜
上に形成された下地電極層と、該下地電極層上にゾルゲ
ル法により形成されたＰＺＴ薄膜と、該ＰＺＴ薄膜上に
形成された上部電極層とを備えてなることを特徴とす
る。
は、酸化膜を有するＳｉ基板と、該Ｓｉ基板の該酸化膜
上に形成された下地電極層と、該下地電極層上にゾルゲ
ル法により形成されたＰＺＴ薄膜と、該ＰＺＴ薄膜上に
形成された上部電極層とを備えてなることを特徴とす
る。
【０００８】酸化膜付きＳｉ基板へのゾルゲル法による
ＰＺＴ薄膜の成膜であれば、厚み振動に対して高い共振
を示し、圧電体薄膜として有効に機能する良好な膜質の
ＰＺＴ薄膜を形成することができる。
ＰＺＴ薄膜の成膜であれば、厚み振動に対して高い共振
を示し、圧電体薄膜として有効に機能する良好な膜質の
ＰＺＴ薄膜を形成することができる。
【０００９】このため、圧電体薄膜として電気機械結合
係数の大きいＰＺＴ薄膜の適用が可能となり、広帯域な
フィルタや発振周波数範囲の広い共振器を実現する薄膜
圧電素子を得ることができる。
係数の大きいＰＺＴ薄膜の適用が可能となり、広帯域な
フィルタや発振周波数範囲の広い共振器を実現する薄膜
圧電素子を得ることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００１１】本発明の薄膜圧電素子で用いる基板は、表
面に酸化膜が形成されたＳｉ基板である。この酸化膜付
きＳｉ基板であれば、表面が平滑であり、熱処理時の元
素の拡散も防止でき、かつ機械的強度も十分であること
により、ゾルゲル法により、良好な膜質のＰＺＴ薄膜を
形成することができる。
面に酸化膜が形成されたＳｉ基板である。この酸化膜付
きＳｉ基板であれば、表面が平滑であり、熱処理時の元
素の拡散も防止でき、かつ機械的強度も十分であること
により、ゾルゲル法により、良好な膜質のＰＺＴ薄膜を
形成することができる。
【００１２】この酸化膜付きＳｉ基板の酸化膜の厚さ
は、薄過ぎると拡散防止効果がなく、厚過ぎるとクラッ
クの発生や基板のそりの問題があるので０．５〜２μｍ
程度であることが好ましい。
は、薄過ぎると拡散防止効果がなく、厚過ぎるとクラッ
クの発生や基板のそりの問題があるので０．５〜２μｍ
程度であることが好ましい。
【００１３】また、酸化膜付きＳｉ基板としては、薄膜
圧電素子としての用途上、できる限り薄いことが望まし
いが、過度に薄いと機械的強度が低下するため、厚さ１
００〜３００μｍ程度であることが好ましい。
圧電素子としての用途上、できる限り薄いことが望まし
いが、過度に薄いと機械的強度が低下するため、厚さ１
００〜３００μｍ程度であることが好ましい。
【００１４】本発明の薄膜圧電素子は、このような酸化
膜付きＳｉ基板上に、下地電極層、ＰＺＴ薄膜及び上部
電極層を順次成膜して得られるが、下地電極層の成膜に
先立ち、Ｔｉ層を形成するのが、ＰＺＴ薄膜の成膜の上
で有利である。
膜付きＳｉ基板上に、下地電極層、ＰＺＴ薄膜及び上部
電極層を順次成膜して得られるが、下地電極層の成膜に
先立ち、Ｔｉ層を形成するのが、ＰＺＴ薄膜の成膜の上
で有利である。
【００１５】即ち、ゾルゲル法によるＰＺＴ薄膜の成膜
では、乾燥、焼成時に収縮を伴うため、５μｍを超える
膜厚の薄膜を形成することは困難であるが、膜厚０．３
μｍ以下のＰＺＴ薄膜では、圧電体薄膜として機能する
には薄すぎて好ましくない。これに対して、酸化膜付き
Ｓｉ基板上にＴｉ層を形成しておくことにより、Ｓｉ基
板と下地電極との密着層としての作用で、ＰＺＴ薄膜を
０．３〜５μｍ程度の比較的厚い薄膜として形成するこ
とが可能となる。
では、乾燥、焼成時に収縮を伴うため、５μｍを超える
膜厚の薄膜を形成することは困難であるが、膜厚０．３
μｍ以下のＰＺＴ薄膜では、圧電体薄膜として機能する
には薄すぎて好ましくない。これに対して、酸化膜付き
Ｓｉ基板上にＴｉ層を形成しておくことにより、Ｓｉ基
板と下地電極との密着層としての作用で、ＰＺＴ薄膜を
０．３〜５μｍ程度の比較的厚い薄膜として形成するこ
とが可能となる。
【００１６】このＴｉ層はスパッタ法等により形成する
ことができ、その厚さは５０〜５００Å程度であること
が好ましい。Ｔｉ層の厚さが５０Å未満ではＴｉ層を形
成したことによる効果が十分に得られない。
ことができ、その厚さは５０〜５００Å程度であること
が好ましい。Ｔｉ層の厚さが５０Å未満ではＴｉ層を形
成したことによる効果が十分に得られない。
【００１７】下地電極層としては、Ｐｔ、Ｉｒ等の導電
性金属層をスパッタ法等で形成することができ、その厚
さは、通常の場合１０００〜２０００Å程度である。
性金属層をスパッタ法等で形成することができ、その厚
さは、通常の場合１０００〜２０００Å程度である。
【００１８】また、本発明において、下地電極層上にＰ
ＺＴ薄膜を形成するに先立ち、ＰｂＴｉＯ3 （チタン酸
鉛）薄膜を形成するのが、良好な膜質のＰＺＴ薄膜を形
成する上で好ましい。即ち、ＰｂＴｉＯ3 は低温で結晶
化し、その上に形成するＰＺＴ薄膜の鉛の拡散を防止す
るという作用効果でＰＺＴ薄膜の膜特性を高める。この
ＰｂＴｉＯ3 薄膜もＰＺＴ薄膜と同様にゾルゲル法で形
成することができ、その膜厚は０．０１〜０．１μｍ程
度であることが好ましい。ＰｂＴｉＯ3 薄膜の膜厚が
０．０１μｍ未満では、ＰｂＴｉＯ3 薄膜を形成したこ
とによる効果が十分に得られず、０．１μｍを超えると
ＰＺＴ薄膜の特性に影響する。
ＺＴ薄膜を形成するに先立ち、ＰｂＴｉＯ3 （チタン酸
鉛）薄膜を形成するのが、良好な膜質のＰＺＴ薄膜を形
成する上で好ましい。即ち、ＰｂＴｉＯ3 は低温で結晶
化し、その上に形成するＰＺＴ薄膜の鉛の拡散を防止す
るという作用効果でＰＺＴ薄膜の膜特性を高める。この
ＰｂＴｉＯ3 薄膜もＰＺＴ薄膜と同様にゾルゲル法で形
成することができ、その膜厚は０．０１〜０．１μｍ程
度であることが好ましい。ＰｂＴｉＯ3 薄膜の膜厚が
０．０１μｍ未満では、ＰｂＴｉＯ3 薄膜を形成したこ
とによる効果が十分に得られず、０．１μｍを超えると
ＰＺＴ薄膜の特性に影響する。
【００１９】本発明において、圧電体薄膜としてのＰＺ
Ｔ薄膜は、高周波対応とするために膜厚１０μｍ以下で
あることが必要とされるが、好ましくは０．３〜５μｍ
の範囲で使用目的に応じて適宜決定される。ＰＺＴ薄膜
の膜厚が０．３μｍ未満では薄すぎて圧電効果が十分得
られず、５μｍを超えると良好な膜質が得られない。
Ｔ薄膜は、高周波対応とするために膜厚１０μｍ以下で
あることが必要とされるが、好ましくは０．３〜５μｍ
の範囲で使用目的に応じて適宜決定される。ＰＺＴ薄膜
の膜厚が０．３μｍ未満では薄すぎて圧電効果が十分得
られず、５μｍを超えると良好な膜質が得られない。
【００２０】ＰＺＴ薄膜上の上部電極層としては、前述
の下地電極層と同様の導電性金属層をスパッタ法等によ
り形成することができ、その厚さは、通常の場合、１０
００〜２０００Å程度である。
の下地電極層と同様の導電性金属層をスパッタ法等によ
り形成することができ、その厚さは、通常の場合、１０
００〜２０００Å程度である。
【００２１】次に、本発明の薄膜圧電素子の製造方法の
好適例について説明する。
好適例について説明する。
【００２２】まず、酸化膜付きＳｉ基板の表面に、スパ
ッタ法によりＴｉ層及び下地電極層を順次形成する。
ッタ法によりＴｉ層及び下地電極層を順次形成する。
【００２３】次いで、下地電極層上に、酢酸鉛等の鉛化
合物及びチタニウムイソプロポキシド、チタニウムブト
キシド等のチタン化合物を所定のモル比で、合計濃度が
１〜１０重量％程度となるように、メトキシエタノー
ル、酢酸エステル等の溶剤に溶解したＰｂＴｉＯ3 薄膜
形成用組成物を塗布し、１５０〜４００℃で乾燥し、所
定の膜厚となるように、この塗布、乾燥を繰り返す。
合物及びチタニウムイソプロポキシド、チタニウムブト
キシド等のチタン化合物を所定のモル比で、合計濃度が
１〜１０重量％程度となるように、メトキシエタノー
ル、酢酸エステル等の溶剤に溶解したＰｂＴｉＯ3 薄膜
形成用組成物を塗布し、１５０〜４００℃で乾燥し、所
定の膜厚となるように、この塗布、乾燥を繰り返す。
【００２４】更に、この上に、酢酸鉛等の鉛化合物、ジ
ルコニウムブトキシド、ジルコニウムプロポキシド等の
ジルコニウム化合物及びチタニウムイソプロポキシド、
チタニウムブトキシド等のチタン化合物を所定のモル比
で、合計濃度が１０〜２０重量％程度となるように、メ
トキシエタノール、酢酸エステル等の溶剤に溶解したＰ
ＺＴ薄膜形成用組成物を塗布し、１５０〜４００℃で乾
燥し、所定の膜厚となるように、この塗布、乾燥を繰り
返す。
ルコニウムブトキシド、ジルコニウムプロポキシド等の
ジルコニウム化合物及びチタニウムイソプロポキシド、
チタニウムブトキシド等のチタン化合物を所定のモル比
で、合計濃度が１０〜２０重量％程度となるように、メ
トキシエタノール、酢酸エステル等の溶剤に溶解したＰ
ＺＴ薄膜形成用組成物を塗布し、１５０〜４００℃で乾
燥し、所定の膜厚となるように、この塗布、乾燥を繰り
返す。
【００２５】最後に５００〜８００℃で０．１〜２ｈｒ
焼成する。
焼成する。
【００２６】このようにして形成したＰＺＴ薄膜上に、
スパッタ法により上部電極層を形成する。その後、下地
電極層と上部電極層との間に１２０〜２００℃で２００
〜５００ｋＶ／ｃｍ程度の直流電界を１０〜６０分程度
印加してＰＺＴ薄膜の分極処理を行う。この分極処理を
行うことでＰＺＴ薄膜が圧電体薄膜として機能するよう
になる。
スパッタ法により上部電極層を形成する。その後、下地
電極層と上部電極層との間に１２０〜２００℃で２００
〜５００ｋＶ／ｃｍ程度の直流電界を１０〜６０分程度
印加してＰＺＴ薄膜の分極処理を行う。この分極処理を
行うことでＰＺＴ薄膜が圧電体薄膜として機能するよう
になる。
【００２７】なお、ＰＺＴ薄膜の膜質が十分に良好なも
のでないと十分な分極処理ができず、圧電体薄膜として
機能させることができないため、本発明においては、基
板、下地電極層、ＰＺＴ薄膜層、上部電極の形成条件の
最適化により、膜質の良好なＰＺＴ薄膜を形成する。
のでないと十分な分極処理ができず、圧電体薄膜として
機能させることができないため、本発明においては、基
板、下地電極層、ＰＺＴ薄膜層、上部電極の形成条件の
最適化により、膜質の良好なＰＺＴ薄膜を形成する。
【００２８】前述の如く、酸化膜付きＳｉ基板の発振周
波数、損失等の特性面から薄膜圧電素子の基板はできる
限り薄い方が好ましく、従って、基板の薄肉化のため
に、上述のようにして作製された薄膜圧電素子におい
て、基板の上部電極層形成位置に相当する位置（上部電
極層を基板上に厚さ方向に透影した位置）をＴＭＡＨ
（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄ
ｒｏｘｉｄｅ）等のエッチング液を用いて、部分的に基
板厚さの５０〜１００％程度除去しても良い。
波数、損失等の特性面から薄膜圧電素子の基板はできる
限り薄い方が好ましく、従って、基板の薄肉化のため
に、上述のようにして作製された薄膜圧電素子におい
て、基板の上部電極層形成位置に相当する位置（上部電
極層を基板上に厚さ方向に透影した位置）をＴＭＡＨ
（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄ
ｒｏｘｉｄｅ）等のエッチング液を用いて、部分的に基
板厚さの５０〜１００％程度除去しても良い。
【００２９】このようなエッチング処理により、薄膜圧
電素子の機械的強度は若干劣るものとなるが、発振周波
数や損失等の特性の向上を図ることができる。
電素子の機械的強度は若干劣るものとなるが、発振周波
数や損失等の特性の向上を図ることができる。
【００３０】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
【００３１】実施例１ 基板として、表面に厚さ１μｍの酸化膜を有する厚さ２
５０μｍのＳｉ基板を用い、このＳｉ基板表面にスパッ
タ法により、厚さ５００ÅのＴｉ層及び厚さ２０００Å
のＰｔ下地電極層を順次形成した。
５０μｍのＳｉ基板を用い、このＳｉ基板表面にスパッ
タ法により、厚さ５００ÅのＴｉ層及び厚さ２０００Å
のＰｔ下地電極層を順次形成した。
【００３２】このＰｔ下地電極層上に、ゾルゲル法によ
り、厚さ０．０１μｍのＰｂＴｉＯ3 薄膜を形成し、更
に、このＰｂＴｉＯ3 薄膜上にゾルゲル法により、厚さ
０．８μｍのＰＺＴ薄膜を形成した。
り、厚さ０．０１μｍのＰｂＴｉＯ3 薄膜を形成し、更
に、このＰｂＴｉＯ3 薄膜上にゾルゲル法により、厚さ
０．８μｍのＰＺＴ薄膜を形成した。
【００３３】なお、ＰｂＴｉＯ3 薄膜の形成には、酢酸
鉛とチタニウムイソプロポキシドを所定のモル比で合計
濃度１重量％となるようにメトキシエタノールに溶解し
たＰｂＴｉＯ3 薄膜形成用溶液を用い、ＰＺＴ薄膜の形
成には、酢酸鉛とジルコニウムブトキシドとチタニウム
イソプロポキシドとを所定のモル比で合計濃度１８重量
％となるように溶解したＰＺＴ薄膜形成用溶液を用い、
スピンコートにより塗布した後４００℃で乾燥し、この
塗布、乾燥を所定の膜厚になるまで繰り返し、最後（Ｐ
ＺＴ薄膜形成後）に６００℃で１ｈｒ焼成した。
鉛とチタニウムイソプロポキシドを所定のモル比で合計
濃度１重量％となるようにメトキシエタノールに溶解し
たＰｂＴｉＯ3 薄膜形成用溶液を用い、ＰＺＴ薄膜の形
成には、酢酸鉛とジルコニウムブトキシドとチタニウム
イソプロポキシドとを所定のモル比で合計濃度１８重量
％となるように溶解したＰＺＴ薄膜形成用溶液を用い、
スピンコートにより塗布した後４００℃で乾燥し、この
塗布、乾燥を所定の膜厚になるまで繰り返し、最後（Ｐ
ＺＴ薄膜形成後）に６００℃で１ｈｒ焼成した。
【００３４】更に、ＰＺＴ薄膜上にスパッタ法により厚
さ０．２μｍ、直径１００μｍの円形のＰｔ上部電極層
を形成した。
さ０．２μｍ、直径１００μｍの円形のＰｔ上部電極層
を形成した。
【００３５】その後、下地電極と上部電極との間に１５
０℃で３００ｋＶ／ｃｍの直流電界を１０ｍｉｎ印加し
て分極処理し、薄膜圧電素子を得た。
０℃で３００ｋＶ／ｃｍの直流電界を１０ｍｉｎ印加し
て分極処理し、薄膜圧電素子を得た。
【００３６】この薄膜共振子は厚み振動の基本共振周波
数１．９ＧＨＺの励振を示した。
数１．９ＧＨＺの励振を示した。
【００３７】実施例２ 実施例１において、基板として、表面に厚さ０．５μｍ
の酸化膜を有する厚さ５５０μｍのＳｉ基板を用い、Ｐ
ＺＴ薄膜を膜厚２．５μｍに形成したこと以外は同様に
して薄膜共振子を作製した。
の酸化膜を有する厚さ５５０μｍのＳｉ基板を用い、Ｐ
ＺＴ薄膜を膜厚２．５μｍに形成したこと以外は同様に
して薄膜共振子を作製した。
【００３８】この薄膜共振子は厚み振動の基本共振周波
数８００ＭＨＺの励振を示した。
数８００ＭＨＺの励振を示した。
【００３９】実施例３ 実施例１と同様にして酸化膜付きＳｉ基板上にＴｉ層、
Ｐｔ下地電極層、ＰｂＴｉＯ3 薄膜、ＰＺＴ薄膜及びＰ
ｔ上部電極層を形成して分極処理した後、上部電極層形
成位置に相当するＳｉ基板を厚さ１００μｍにわたって
ＴＭＡＨ液によりエッチングして除去して薄膜共振子を
作製した。
Ｐｔ下地電極層、ＰｂＴｉＯ3 薄膜、ＰＺＴ薄膜及びＰ
ｔ上部電極層を形成して分極処理した後、上部電極層形
成位置に相当するＳｉ基板を厚さ１００μｍにわたって
ＴＭＡＨ液によりエッチングして除去して薄膜共振子を
作製した。
【００４０】この薄膜共振子は、厚み振動の基本共振周
波数１．９ＧＨＺの励振を示した。また、損失は１０ｄ
Ｂ以上低減された。
波数１．９ＧＨＺの励振を示した。また、損失は１０ｄ
Ｂ以上低減された。
【００４１】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の薄膜圧電素
子によれば、圧電体薄膜として電気機械結合係数の大き
いＰＺＴ薄膜を用いて、共振子、フィルタ等に適用した
場合の帯域幅及び発振周波数範囲の広い高周波用薄膜圧
電素子が提供される。
子によれば、圧電体薄膜として電気機械結合係数の大き
いＰＺＴ薄膜を用いて、共振子、フィルタ等に適用した
場合の帯域幅及び発振周波数範囲の広い高周波用薄膜圧
電素子が提供される。
Claims (2)
- 【請求項１】酸化膜を有するＳｉ基板と、 該Ｓｉ基板の該酸化膜上に形成された下地電極層と、 該下地電極層上にゾルゲル法により形成されたＰＺＴ薄
膜と、 該ＰＺＴ薄膜上に形成された上部電極層とを備えてなる
薄膜圧電素子。 - 【請求項２】 請求項１において、該ＰＺＴ薄膜の厚さ
が０．３〜５μｍであることを特徴とする薄膜圧電素
子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8272297A JPH10126204A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | 薄膜圧電素子 |
| DE1997112496 DE19712496A1 (de) | 1996-03-26 | 1997-03-25 | Piezoelektrische Dünnfilm-Bauelemente |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8272297A JPH10126204A (ja) | 1996-10-15 | 1996-10-15 | 薄膜圧電素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10126204A true JPH10126204A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17511913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8272297A Withdrawn JPH10126204A (ja) | 1996-03-26 | 1996-10-15 | 薄膜圧電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10126204A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014199910A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-10-23 | 株式会社リコー | 圧電体薄膜素子及びインクジェット記録ヘッド、並びにインクジェット式画像形成装置 |
| JP2016032007A (ja) * | 2014-07-28 | 2016-03-07 | 株式会社リコー | 圧電膜の製造方法、圧電素子の製造方法、液体吐出ヘッド及び画像形成装置 |
-
1996
- 1996-10-15 JP JP8272297A patent/JPH10126204A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014199910A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-10-23 | 株式会社リコー | 圧電体薄膜素子及びインクジェット記録ヘッド、並びにインクジェット式画像形成装置 |
| JP2016032007A (ja) * | 2014-07-28 | 2016-03-07 | 株式会社リコー | 圧電膜の製造方法、圧電素子の製造方法、液体吐出ヘッド及び画像形成装置 |
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