JPH1012638A - マウンタ - Google Patents
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- JPH1012638A JPH1012638A JP8165798A JP16579896A JPH1012638A JP H1012638 A JPH1012638 A JP H1012638A JP 8165798 A JP8165798 A JP 8165798A JP 16579896 A JP16579896 A JP 16579896A JP H1012638 A JPH1012638 A JP H1012638A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 加熱されたリードフレームからの輻射熱で半
田表面が酸化し、ボイドを発生し、電子部品の信頼性を
著しく低下させる。 【解決手段】 リードフレーム１をガイドするガイドレ
ール３と、ガイドレール３上のリードフレーム１を加熱
する加熱手段３と、所定位置でリードフレーム１と対向
する貫通孔４ａを開口し、ガイドレール２上のリードフ
レーム１搬送経路を覆って内部雰囲気を非酸化性雰囲気
に保つカバー３と、貫通孔４ａよりカバー４内外に出入
りし加熱されたリードフレーム１上に半田６を供給する
半田供給ノズル９とを備えたマウンタにおいて、 上記半
田供給ノズル９に、加熱手段３からの熱が半田供給ノズ
ル９内の半田６に伝達するのを阻止する遮熱手段１２を
付設したことを特徴とするマウンタ。
田表面が酸化し、ボイドを発生し、電子部品の信頼性を
著しく低下させる。 【解決手段】 リードフレーム１をガイドするガイドレ
ール３と、ガイドレール３上のリードフレーム１を加熱
する加熱手段３と、所定位置でリードフレーム１と対向
する貫通孔４ａを開口し、ガイドレール２上のリードフ
レーム１搬送経路を覆って内部雰囲気を非酸化性雰囲気
に保つカバー３と、貫通孔４ａよりカバー４内外に出入
りし加熱されたリードフレーム１上に半田６を供給する
半田供給ノズル９とを備えたマウンタにおいて、 上記半
田供給ノズル９に、加熱手段３からの熱が半田供給ノズ
ル９内の半田６に伝達するのを阻止する遮熱手段１２を
付設したことを特徴とするマウンタ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置などの電
子部品の製造に使用されるマウンタに関し、特に電子部
品本体を基板に半田を用いて固定するマウンタに関す
る。
子部品の製造に使用されるマウンタに関し、特に電子部
品本体を基板に半田を用いて固定するマウンタに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置などの電子部品は半導体ペレ
ットなどの電子部品本体をリードフレームやステムなど
の基板にマウントしている。このマウントに使用される
接着剤として半田や樹脂系接着剤が用いられるが、取り
扱う電流が大きい場合や発熱の大きいものでは、一般的
に導電性、熱伝導性が良好な半田が用いられている。図
４は半田を用いたマウンタの一例を示す。図において、
１は電子部品本体をマウントするマウント部と多数本の
リードとを一体化したリードフレーム、２はリードフレ
ーム１をガイドするガイドレールで、リードフレーム１
を所定ピッチ搬送させる移動機構やリードフレーム１を
所定位置で位置決めする位置決め機構を備えているが図
示省略する。３はガイドレール２に埋設されガイドレー
ル２上を移動するリードフレーム１を加熱する加熱手段
としてのヒータ、４はガイドレール２を覆ったカバー
で、リードフレーム１の供給、排出部とガイドレール１
上の所定位置でリードフレーム１と対向して開口する貫
通孔４ａ、４ｂを除き閉じている。このカバー４内には
窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスや、水素ガス
などの還元性ガス、あるいはこれらの混合ガスが供給さ
れて、高温に加熱されたリードフレーム１を外気から遮
断し酸化を防止している。５はカバー４の貫通孔４ａか
らカバー４の内外に出入りし、下端より半田６を突出さ
せて、加熱されたリードフレーム１上に定量の半田を供
給する半田供給ノズル、７は貫通孔４ａの前方で開口し
た貫通孔４ｂからカバー４の内外に出入りし、リードフ
レーム１上で溶融した半田上に電子部品本体８、例えば
半導体ペレットを供給する吸着コレットを示す。この種
装置には必要に応じて、貫通孔４ａ、４ｂ間に第三の貫
通孔を開口させ、この貫通孔より溶融半田を撹拌する撹
拌棒を配置している。この装置では真空パックあるいは
不活性ガス封入パックして保管された直径０．３〜１．
０ｍｍのワイヤ状半田あるいは幅１．２〜１．８ｍｍ、
厚さ０．２ｍｍ程度のテープ状の半田を用い、使用直前
に大気中に曝し、半田の溶融温度よりも３０〜５０℃高
く温度設定されたガイドレール２によって加熱されたリ
ードフレーム１上に供給される。一方、カバー４はガイ
ドレール２に可及的に近接させてカバー４内の容積を最
小限とし、外気の侵入を最小にし、半田供給ノズル５や
吸着コレット７の移動距離を最小限とし高速動作を可能
としている。
ットなどの電子部品本体をリードフレームやステムなど
の基板にマウントしている。このマウントに使用される
接着剤として半田や樹脂系接着剤が用いられるが、取り
扱う電流が大きい場合や発熱の大きいものでは、一般的
に導電性、熱伝導性が良好な半田が用いられている。図
４は半田を用いたマウンタの一例を示す。図において、
１は電子部品本体をマウントするマウント部と多数本の
リードとを一体化したリードフレーム、２はリードフレ
ーム１をガイドするガイドレールで、リードフレーム１
を所定ピッチ搬送させる移動機構やリードフレーム１を
所定位置で位置決めする位置決め機構を備えているが図
示省略する。３はガイドレール２に埋設されガイドレー
ル２上を移動するリードフレーム１を加熱する加熱手段
としてのヒータ、４はガイドレール２を覆ったカバー
で、リードフレーム１の供給、排出部とガイドレール１
上の所定位置でリードフレーム１と対向して開口する貫
通孔４ａ、４ｂを除き閉じている。このカバー４内には
窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスや、水素ガス
などの還元性ガス、あるいはこれらの混合ガスが供給さ
れて、高温に加熱されたリードフレーム１を外気から遮
断し酸化を防止している。５はカバー４の貫通孔４ａか
らカバー４の内外に出入りし、下端より半田６を突出さ
せて、加熱されたリードフレーム１上に定量の半田を供
給する半田供給ノズル、７は貫通孔４ａの前方で開口し
た貫通孔４ｂからカバー４の内外に出入りし、リードフ
レーム１上で溶融した半田上に電子部品本体８、例えば
半導体ペレットを供給する吸着コレットを示す。この種
装置には必要に応じて、貫通孔４ａ、４ｂ間に第三の貫
通孔を開口させ、この貫通孔より溶融半田を撹拌する撹
拌棒を配置している。この装置では真空パックあるいは
不活性ガス封入パックして保管された直径０．３〜１．
０ｍｍのワイヤ状半田あるいは幅１．２〜１．８ｍｍ、
厚さ０．２ｍｍ程度のテープ状の半田を用い、使用直前
に大気中に曝し、半田の溶融温度よりも３０〜５０℃高
く温度設定されたガイドレール２によって加熱されたリ
ードフレーム１上に供給される。一方、カバー４はガイ
ドレール２に可及的に近接させてカバー４内の容積を最
小限とし、外気の侵入を最小にし、半田供給ノズル５や
吸着コレット７の移動距離を最小限とし高速動作を可能
としている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、高速動作に
対応するために半田供給ノズル５をカバー４に近接させ
ると、ガイドレール２にも近接することとなり連続して
輻射熱を受け、半田供給部分が高温に加熱され、供給前
の半田６の表面の酸化が進行し、リードフレーム１の表
面状態は良好であっても、表面に酸化膜が形成された半
田は馴染まず、リードフレーム１と溶融半田との間にボ
イドが形成され、このボイドが半導体ペレット８とリー
ドフレーム１との間の熱抵抗体となり、半導体ペレット
で発生した熱を有効に放熱できず、その結果半導体装置
の動作電力を低下させ、寿命を著しく短縮させるという
問題があった。電子部品本体８の面積に対するボイドの
面積で定義されるボイド率が８〜１０％を越えると熱抵
抗が増大し、電力用電子部品では信頼性が低下し、ボイ
ド率が５％程度でもボイドが局部的に集中すると信頼性
が低下するため改善が望まれていた。そのため半田供給
ノズル５に空気を吹き付け冷却することも行われるが、
空気が貫通孔４ａからカバー４内に侵入しリードフレー
ム１を酸化させるという問題があった。また、空気の代
わりに非酸化性ガスを供給することも行われるが、用力
費が増大し実用的ではなかった。
対応するために半田供給ノズル５をカバー４に近接させ
ると、ガイドレール２にも近接することとなり連続して
輻射熱を受け、半田供給部分が高温に加熱され、供給前
の半田６の表面の酸化が進行し、リードフレーム１の表
面状態は良好であっても、表面に酸化膜が形成された半
田は馴染まず、リードフレーム１と溶融半田との間にボ
イドが形成され、このボイドが半導体ペレット８とリー
ドフレーム１との間の熱抵抗体となり、半導体ペレット
で発生した熱を有効に放熱できず、その結果半導体装置
の動作電力を低下させ、寿命を著しく短縮させるという
問題があった。電子部品本体８の面積に対するボイドの
面積で定義されるボイド率が８〜１０％を越えると熱抵
抗が増大し、電力用電子部品では信頼性が低下し、ボイ
ド率が５％程度でもボイドが局部的に集中すると信頼性
が低下するため改善が望まれていた。そのため半田供給
ノズル５に空気を吹き付け冷却することも行われるが、
空気が貫通孔４ａからカバー４内に侵入しリードフレー
ム１を酸化させるという問題があった。また、空気の代
わりに非酸化性ガスを供給することも行われるが、用力
費が増大し実用的ではなかった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題の解決
を目的として提案されたもので、リードフレームをガイ
ドするガイドレールと、ガイドレール上のリードフレー
ムを加熱する加熱手段と、所定位置でリードフレームと
対向する貫通孔を開口し、ガイドレール上のリードフレ
ーム搬送経路を覆って内部雰囲気を非酸化性雰囲気に保
つカバーと、貫通孔よりカバー内外に出入りし加熱され
たリードフレーム上に半田を供給する半田供給ノズルと
を備えたマウンタにおいて、 上記半田供給ノズルに、加熱手段からの熱が半田供給ノ
ズル内の半田に伝達するのを阻止する遮熱手段を付設し
たことを特徴とするマウンタを提供する。
を目的として提案されたもので、リードフレームをガイ
ドするガイドレールと、ガイドレール上のリードフレー
ムを加熱する加熱手段と、所定位置でリードフレームと
対向する貫通孔を開口し、ガイドレール上のリードフレ
ーム搬送経路を覆って内部雰囲気を非酸化性雰囲気に保
つカバーと、貫通孔よりカバー内外に出入りし加熱され
たリードフレーム上に半田を供給する半田供給ノズルと
を備えたマウンタにおいて、 上記半田供給ノズルに、加熱手段からの熱が半田供給ノ
ズル内の半田に伝達するのを阻止する遮熱手段を付設し
たことを特徴とするマウンタを提供する。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明によるマウンタの半田供給
ノズルに付設された遮熱手段は、半田供給ノズルの半田
供給経路に沿って遮熱用流体の流路を配置し構成され
る。この遮熱用流体は液体でも非酸化性ガスでもよく、
液体の場合その温度が１００℃以下に設定される。また
遮熱用流体が非酸化性ガスの場合には、流路の終端を半
田供給経路の終端に開口させることができる。
ノズルに付設された遮熱手段は、半田供給ノズルの半田
供給経路に沿って遮熱用流体の流路を配置し構成され
る。この遮熱用流体は液体でも非酸化性ガスでもよく、
液体の場合その温度が１００℃以下に設定される。また
遮熱用流体が非酸化性ガスの場合には、流路の終端を半
田供給経路の終端に開口させることができる。
【０００６】
【実施例】以下に本発明の実施例を図１から説明する。
図において、図４と同一物には同一符号を付し重複する
説明を省略する。図中、図４装置と相違するのは、半田
供給ノズル９のみで、詳しくは加熱手段２からの熱が半
田供給ノズル内の半田６に伝達するのを阻止する遮熱手
段を付設したことのみである。この詳細を図２から説明
する。この半田供給ノズル９は、ワイヤ状あるいはテー
プ状の半田６をガイドする鞘体（内筒）１０と、これよ
り径大の外筒１１とを同軸配置して、各筒１０、１１間
で内筒１０に螺旋状のパイプ（遮熱手段）１２を巻回配
置している。各筒１０、１１の上下両端部は閉塞され、
パイプ１２の上端部１２ａは各筒１０、１１の上閉塞部
１３より外方に導出され、下端１２ｂが各筒１０、１１
間に開放している。上閉塞部１３の一部には内外を連通
する連通部１３ａが接続されている。パイプ１２の上端
部１２ａには遮熱用流体１４、例えば蒸留水が供給さ
れ、この遮熱用流体１４はパイプ１２内を移動して内筒
１０を冷却し、その下端１２ｂから各筒１０、１１で囲
まれる空間に供給され、上昇して連通部１３ａから外部
に運ばれる。以下にこの装置の動作を説明する。この装
置は図４装置と同様に動作する。即ち、ガイドレール２
上で加熱されたリードフレーム１に貫通孔４ａから半田
供給ノズル９をカバー４内に挿入し、半田供給ノズル９
の先端から所定量の半田６をリードフレーム１上に供給
する。供給が完了すると半田供給ノズル９を上昇させ
て、リードフレーム１上の次の供給予定部が貫通孔４ａ
位置に来るまで待機する。この作業を継続するうちに半
田供給ノズル９の外筒１１は加熱されたリードフレー
ム、カバー４などからの輻射熱を受けて温度が上昇する
が、パイプ１２の上端１２ａから遮熱用流体１４を供給
すると、内筒１０周りに遮熱用流体１４が循環し内筒１
４を冷却しつつパイプ下端１２ｂから各筒１０、１１で
囲まれる空間に供給されパイプ１２外を上昇して連通部
１３ａから半田供給ノズル９の外部に取り出される。外
筒１１が受けた輻射熱は外筒１１を伝導して遮熱用流体
１４と接触するが、遮熱用流体１４は上昇し、さらに外
部からの加熱により生じる対流により上昇が加速され内
筒１０側に移動するより速く連通部１３ａから半田供給
ノズル９の外部に運ばれる。そのため、半田６を囲む内
筒１０の温度上昇が防止され、外部の空気に曝され最も
酸化し易い半田６先端部の酸化が防止される。この結
果、リードフレーム１に供給され溶融した半田はリード
フレーム１と馴染み易く後で供給される電子部品本体８
とリードフレーム１との間でボイドの発生もなく、電子
部品本体８で発生した熱を速やかにリードフレーム１に
伝達でき、信頼性高い電子部品を製造することができ
る。上記実施例では、遮熱用流体１４として蒸留水で説
明したが、パイプ１２などを腐食させるような不純物が
含まれていなければ蒸留水である必要はない。遮熱用流
体１４として水を用いた場合、その沸点は１００℃で、
その気化熱は５３９．８ｃａｌ／ｇと非常に大きいた
め、ノズル９をさらにガイドレール２に近接配置させる
ことにより輻射熱が過大となり沸騰状態となっても気化
熱が大きいため遮熱用流体１４の温度を１００℃に保つ
ことができ、内筒１０内の半田６の温度は１００℃を越
えることはない。ガイドレール３上の温度を３８０℃、
供給時間間隔を３秒、ノズル９先端のカバー４内での滞
留時間を１秒、ガイドレール３とカバー４の間隔を１０
ｍｍ、貫通孔４ａの直径１０ｍｍ、待機時はノズル９の
下端を貫通孔４ａ上５ｍｍの高さに位置させ作業を継続
し、パイプ１２に供給する水の温度と流量とを変化させ
て、ボイド率の状態を観察したが、パイプ供給側温度が
８０℃、流量が３００ｃｃ／分でもボイド率を１〜３％
にでき、ボイドの局部的な集中もなく低熱抵抗の信頼性
の高い電子部品を実現できる。このように本発明によれ
ば簡単な機構で、遮熱用流体１４を強制冷却するための
設備も不要でボイド率の改善に著しい効果を上げること
ができる。尚、上記実施例では、遮熱用流体１４を水で
説明したが、水に限定されるものではなく例えばアルコ
ールやアルコールと水の混合物などでもよい。またパイ
プ１２は遮熱用流体１４を内筒１０に近接供給し一方向
に移動させるもので、内筒１０周りに螺旋状に遮熱用流
体１４が移動できるならばパイプである必要はなく、例
えば内筒の外周に螺旋状の傾斜面を設けてもよい。ま
た、半田６の先端を半田供給時以外は内筒１０内に退入
することにより内筒１０から露呈する半田の酸化を一層
抑えることができる。図３は本発明の他の実施例を示
す。図は半田供給ノズル１５を示し、他は図１と同じで
あるため図示省略する。この半田供給ノズル１５は半田
６をガイドする筒体１６に特徴がある。即ち、この筒体
１６の軸方向中間の内周には周方向に環状の溝１６ａが
形成され、さらにこの環状溝１６ａと筒体下端との間の
内周には螺旋状の溝（遮熱手段）１６ｂが形成され、筒
体１６の下端部開口径は下方に向かって径大に形成さ
れ、螺旋溝１６ｂの両端は環状溝１６ａと径大部１６ｃ
に連通している。また、筒体１６の環状溝１６ａは貫通
穴１６ｄを介して外部と連通し、この貫通穴１６ｄに遮
熱用流体１７として、窒素ガスやアルゴンガスなどの不
活性ガスや水素ガスなどの還元性ガス、あるいはこれら
の混合ガスが供給される。この装置は図１装置と同様に
動作するが、貫通穴１６ｄより半田供給ノズル１５に遮
熱用流体（非酸化性ガス）１７を供給すると、このガス
１７は環状溝１６ａに充満し、筒体１６の内部で半田６
の供給側と螺旋溝１６ｂ側に流入する。螺旋溝１６ｂに
流入したガス１７は半田６の外周を螺旋状に完全に包囲
して下端側に移動し、径大部１６ｃから外部に放出され
るが、その間に筒体１６外部から内方に伝達する熱を放
出するため、半田供給ノズル１５の内部の温度上昇が抑
えられる。半田６はその先端を含め外周が極近傍で常に
非酸化性のガスで覆われているため、半田供給ノズル１
５を高温で酸化雰囲気に露呈したとしても半田６の酸化
が防止され、リードフレーム１上に定量供給され溶融す
る半田の表面を径大部１６ｃから放出されるガスによっ
て覆うことができる。そのためリードフレーム３に供給
された半田の馴染み性が良好で低ボイド率の電子部品を
実現できる。また、この装置は半田６の極近傍にガス１
７を供給するため、ガス消費量が必要最小限で済む。
尚、本発明は上記実施例にのみ限定されるものではな
く、図１装置の内筒１０に適用し併合使用することもで
きる。
図において、図４と同一物には同一符号を付し重複する
説明を省略する。図中、図４装置と相違するのは、半田
供給ノズル９のみで、詳しくは加熱手段２からの熱が半
田供給ノズル内の半田６に伝達するのを阻止する遮熱手
段を付設したことのみである。この詳細を図２から説明
する。この半田供給ノズル９は、ワイヤ状あるいはテー
プ状の半田６をガイドする鞘体（内筒）１０と、これよ
り径大の外筒１１とを同軸配置して、各筒１０、１１間
で内筒１０に螺旋状のパイプ（遮熱手段）１２を巻回配
置している。各筒１０、１１の上下両端部は閉塞され、
パイプ１２の上端部１２ａは各筒１０、１１の上閉塞部
１３より外方に導出され、下端１２ｂが各筒１０、１１
間に開放している。上閉塞部１３の一部には内外を連通
する連通部１３ａが接続されている。パイプ１２の上端
部１２ａには遮熱用流体１４、例えば蒸留水が供給さ
れ、この遮熱用流体１４はパイプ１２内を移動して内筒
１０を冷却し、その下端１２ｂから各筒１０、１１で囲
まれる空間に供給され、上昇して連通部１３ａから外部
に運ばれる。以下にこの装置の動作を説明する。この装
置は図４装置と同様に動作する。即ち、ガイドレール２
上で加熱されたリードフレーム１に貫通孔４ａから半田
供給ノズル９をカバー４内に挿入し、半田供給ノズル９
の先端から所定量の半田６をリードフレーム１上に供給
する。供給が完了すると半田供給ノズル９を上昇させ
て、リードフレーム１上の次の供給予定部が貫通孔４ａ
位置に来るまで待機する。この作業を継続するうちに半
田供給ノズル９の外筒１１は加熱されたリードフレー
ム、カバー４などからの輻射熱を受けて温度が上昇する
が、パイプ１２の上端１２ａから遮熱用流体１４を供給
すると、内筒１０周りに遮熱用流体１４が循環し内筒１
４を冷却しつつパイプ下端１２ｂから各筒１０、１１で
囲まれる空間に供給されパイプ１２外を上昇して連通部
１３ａから半田供給ノズル９の外部に取り出される。外
筒１１が受けた輻射熱は外筒１１を伝導して遮熱用流体
１４と接触するが、遮熱用流体１４は上昇し、さらに外
部からの加熱により生じる対流により上昇が加速され内
筒１０側に移動するより速く連通部１３ａから半田供給
ノズル９の外部に運ばれる。そのため、半田６を囲む内
筒１０の温度上昇が防止され、外部の空気に曝され最も
酸化し易い半田６先端部の酸化が防止される。この結
果、リードフレーム１に供給され溶融した半田はリード
フレーム１と馴染み易く後で供給される電子部品本体８
とリードフレーム１との間でボイドの発生もなく、電子
部品本体８で発生した熱を速やかにリードフレーム１に
伝達でき、信頼性高い電子部品を製造することができ
る。上記実施例では、遮熱用流体１４として蒸留水で説
明したが、パイプ１２などを腐食させるような不純物が
含まれていなければ蒸留水である必要はない。遮熱用流
体１４として水を用いた場合、その沸点は１００℃で、
その気化熱は５３９．８ｃａｌ／ｇと非常に大きいた
め、ノズル９をさらにガイドレール２に近接配置させる
ことにより輻射熱が過大となり沸騰状態となっても気化
熱が大きいため遮熱用流体１４の温度を１００℃に保つ
ことができ、内筒１０内の半田６の温度は１００℃を越
えることはない。ガイドレール３上の温度を３８０℃、
供給時間間隔を３秒、ノズル９先端のカバー４内での滞
留時間を１秒、ガイドレール３とカバー４の間隔を１０
ｍｍ、貫通孔４ａの直径１０ｍｍ、待機時はノズル９の
下端を貫通孔４ａ上５ｍｍの高さに位置させ作業を継続
し、パイプ１２に供給する水の温度と流量とを変化させ
て、ボイド率の状態を観察したが、パイプ供給側温度が
８０℃、流量が３００ｃｃ／分でもボイド率を１〜３％
にでき、ボイドの局部的な集中もなく低熱抵抗の信頼性
の高い電子部品を実現できる。このように本発明によれ
ば簡単な機構で、遮熱用流体１４を強制冷却するための
設備も不要でボイド率の改善に著しい効果を上げること
ができる。尚、上記実施例では、遮熱用流体１４を水で
説明したが、水に限定されるものではなく例えばアルコ
ールやアルコールと水の混合物などでもよい。またパイ
プ１２は遮熱用流体１４を内筒１０に近接供給し一方向
に移動させるもので、内筒１０周りに螺旋状に遮熱用流
体１４が移動できるならばパイプである必要はなく、例
えば内筒の外周に螺旋状の傾斜面を設けてもよい。ま
た、半田６の先端を半田供給時以外は内筒１０内に退入
することにより内筒１０から露呈する半田の酸化を一層
抑えることができる。図３は本発明の他の実施例を示
す。図は半田供給ノズル１５を示し、他は図１と同じで
あるため図示省略する。この半田供給ノズル１５は半田
６をガイドする筒体１６に特徴がある。即ち、この筒体
１６の軸方向中間の内周には周方向に環状の溝１６ａが
形成され、さらにこの環状溝１６ａと筒体下端との間の
内周には螺旋状の溝（遮熱手段）１６ｂが形成され、筒
体１６の下端部開口径は下方に向かって径大に形成さ
れ、螺旋溝１６ｂの両端は環状溝１６ａと径大部１６ｃ
に連通している。また、筒体１６の環状溝１６ａは貫通
穴１６ｄを介して外部と連通し、この貫通穴１６ｄに遮
熱用流体１７として、窒素ガスやアルゴンガスなどの不
活性ガスや水素ガスなどの還元性ガス、あるいはこれら
の混合ガスが供給される。この装置は図１装置と同様に
動作するが、貫通穴１６ｄより半田供給ノズル１５に遮
熱用流体（非酸化性ガス）１７を供給すると、このガス
１７は環状溝１６ａに充満し、筒体１６の内部で半田６
の供給側と螺旋溝１６ｂ側に流入する。螺旋溝１６ｂに
流入したガス１７は半田６の外周を螺旋状に完全に包囲
して下端側に移動し、径大部１６ｃから外部に放出され
るが、その間に筒体１６外部から内方に伝達する熱を放
出するため、半田供給ノズル１５の内部の温度上昇が抑
えられる。半田６はその先端を含め外周が極近傍で常に
非酸化性のガスで覆われているため、半田供給ノズル１
５を高温で酸化雰囲気に露呈したとしても半田６の酸化
が防止され、リードフレーム１上に定量供給され溶融す
る半田の表面を径大部１６ｃから放出されるガスによっ
て覆うことができる。そのためリードフレーム３に供給
された半田の馴染み性が良好で低ボイド率の電子部品を
実現できる。また、この装置は半田６の極近傍にガス１
７を供給するため、ガス消費量が必要最小限で済む。
尚、本発明は上記実施例にのみ限定されるものではな
く、図１装置の内筒１０に適用し併合使用することもで
きる。
【０００７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、加熱され
たリードフレームに供給される半田表面に酸化膜が形成
されるのを抑制乃至阻止でき、リードフレームと半田と
の馴染みを良好にできるから、リードフレームと電子部
品本体とを接着する半田にボイドが発生するのを防止で
き、低熱抵抗で高信頼性の電子部品を製造することがで
きる。
たリードフレームに供給される半田表面に酸化膜が形成
されるのを抑制乃至阻止でき、リードフレームと半田と
の馴染みを良好にできるから、リードフレームと電子部
品本体とを接着する半田にボイドが発生するのを防止で
き、低熱抵抗で高信頼性の電子部品を製造することがで
きる。
【図１】 本発明の実施例を示すマウンタの側断面図
【図２】 図１装置の半田供給ノズルを示す拡大断面図
【図３】 本発明の他の実施例を示す装置の半田供給ノ
ズルを示す拡大断面図
ズルを示す拡大断面図
【図４】 本発明の前提となる従来のマウンタの側断面
図
図
１ リードフレーム ２ ガイドレール ３ 加熱手段 ４ カバー ４ａ 貫通孔 ９ 半田供給ノズル １２ パイプ（遮熱手段） １５ 半田供給ノズル １６ｂ 螺旋溝（遮熱手段）
Claims (4)
- 【請求項１】リードフレームをガイドするガイドレール
と、ガイドレール上のリードフレームを加熱する加熱手
段と、所定位置でリードフレームと対向する貫通孔を開
口し、ガイドレール上のリードフレーム搬送経路を覆っ
て内部雰囲気を非酸化性雰囲気に保つカバーと、貫通孔
よりカバー内外に出入りし加熱されたリードフレーム上
に半田を供給する半田供給ノズルとを備えたマウンタに
おいて、 上記半田供給ノズルに、加熱手段からの熱が半田供給ノ
ズル内の半田に伝達するのを阻止する遮熱手段を付設し
たことを特徴とするマウンタ。 - 【請求項２】半田供給ノズルの半田供給経路に沿って遮
熱用流体の流路を配置し遮熱手段を構成したことを特徴
とする請求項１に記載のマウンタ。 - 【請求項３】遮熱用流体が液体であり、その温度が１０
０℃以下に設定されたことを特徴とする請求項２に記載
のマウンタ。 - 【請求項４】遮熱用流体が非酸化性ガスであり、流路の
終端を半田供給経路の終端に開口させたことを特徴とす
る請求項２に記載のマウンタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8165798A JPH1012638A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | マウンタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8165798A JPH1012638A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | マウンタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012638A true JPH1012638A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15819201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8165798A Pending JPH1012638A (ja) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | マウンタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012638A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011003580A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Denso Corp | 半導体チップのマウント装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2012099524A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | ダイボンダ装置、ダイボンダ方法、及びダイボンダ品質評価設備 |
-
1996
- 1996-06-26 JP JP8165798A patent/JPH1012638A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011003580A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Denso Corp | 半導体チップのマウント装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2012099524A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | ダイボンダ装置、ダイボンダ方法、及びダイボンダ品質評価設備 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040531 |